JP2003240797A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2003240797A5 JP2003240797A5 JP2002040039A JP2002040039A JP2003240797A5 JP 2003240797 A5 JP2003240797 A5 JP 2003240797A5 JP 2002040039 A JP2002040039 A JP 2002040039A JP 2002040039 A JP2002040039 A JP 2002040039A JP 2003240797 A5 JP2003240797 A5 JP 2003240797A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- acceleration sensor
- protective cap
- movable electrode
- sensor according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Description
本発明の第１の態様による半導体加速度センサは、ダイパッド上に信号処理用ＩＣと接続されたセンサチップを備え、センサチップの半導体基板上に、固定電極と可動電極を配設し、固定電極と可動電極を保護キャップで覆い、半導体基板の上面部にシールド層を配設し、これらを封止樹脂で封止した。さらに、シールド層と保護キャップの少なくともいずれか一方を可動電極と電気的に接続して同電位としたことを特徴とする。
Claims (9)
- ダイパッド上に信号処理用ＩＣと接続されたセンサチップを備え、前記センサチップの半導体基板上に、固定電極と可動電極を配設し、前記固定電極と可動電極を保護キャップで覆い、前記半導体基板の上面部にシールド層を配設し、封止樹脂で封止した半導体加速度センサにおいて、前記シールド層と前記保護キャップの少なくともいずれか一方が前記可動電極と電気的に接続されて同電位としたことを特徴とする半導体加速度センサ。
- 前記信号処理用ＩＣの容量／電圧変換回路の出力端子と前記センサチップの上面とをボンディングワイヤで接続した請求項１記載の半導体加速度センサ。
- 前記半導体基板板上に前記保護キャップを接着した接着構成は、前記シールド層上に絶縁窒化膜が形成され、前記絶縁窒化膜上に半導体支持層が形成され、前記半導体支持層上に絶縁酸化膜が形成され、この絶縁酸化膜上にキャップ接合用に使用する接合用半導体層が形成された積層構造体を有する請求項１記載の半導体加速度センサ。
- 前記絶縁窒化膜に穴部が設けられ、前記接合用半導体層の一部領域に前記半導体支持層の構成材料の不純物が拡散した部分が形成され、前記シールド層から、前記絶縁窒化膜に形成された穴部、前記半導体支持層、前記不純物拡散部を介して前記保護キャップに一部導通する導電路が形成され、前記導電路を介して前記シールド層と前記保護キャップとが電気的に接続された請求項３記載の半導体加速度センサ。
- 前記保護キャップの前記半導体支持層の一部に形成された前記導電路を介して前記可動電極と前記シールド層とを電気的に接続した請求項４記載の半導体加速度センサ。
- 前記可動電極の電位は、前記信号処理用ＩＣの容量／電圧変換回路の出力電位として得られる請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体加速度センサ。
- 前記保護キャップの外面上に金属膜が形成され、前記信号処理用ＩＣは前記可動電極と同電位の端子部を備え、前記同電位の端子部と前記保護キャップ外面上の金属膜とがボンディングワイヤで電気的に接続された請求項１記載の半導体加速度センサ。
- 前記センサチップの半導体基板上面部に積層した絶縁酸化膜の一部に穴部を設け、該穴部に半導体材料をドープ充填することにより、前記シールド層と前記センサチップの半導体基板とを電気的に接続した請求項１記載の半導体加速度センサ。
- 前記ダイパッド上に前記センサチップの半導体基板が導電性接着剤で接着され、前記ダイパッド上に前記信号処理用ＩＣが絶縁性接着剤で接着され、前記信号処理用ＩＣの容量／電圧変換回路の出力端子と前記ダイパッドとがボンディングワイヤで接続され、前記センサチップの半導体基板と前記可動電極とが同電位とされた請求項６記載の半導体加速度センサ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002040039A JP2003240797A (ja) | 2002-02-18 | 2002-02-18 | 半導体加速度センサ |
| US10/270,045 US6763716B2 (en) | 2002-02-18 | 2002-10-15 | Semiconductor acceleration sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002040039A JP2003240797A (ja) | 2002-02-18 | 2002-02-18 | 半導体加速度センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003240797A JP2003240797A (ja) | 2003-08-27 |
| JP2003240797A5 true JP2003240797A5 (ja) | 2005-05-19 |
Family
ID=27750447
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002040039A Pending JP2003240797A (ja) | 2002-02-18 | 2002-02-18 | 半導体加速度センサ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6763716B2 (ja) |
| JP (1) | JP2003240797A (ja) |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6955086B2 (en) * | 2001-11-19 | 2005-10-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Acceleration sensor |
| AU2003901914A0 (en) * | 2003-04-22 | 2003-05-08 | Quantum Precision Instruments Pty Ltd | Quantum tunnelling transducer device |
| JP3880572B2 (ja) * | 2003-10-31 | 2007-02-14 | 沖電気工業株式会社 | 半導体チップ及び半導体装置 |
| JP2005227089A (ja) * | 2004-02-12 | 2005-08-25 | Denso Corp | 力学量センサ装置 |
| US7461559B2 (en) * | 2005-03-18 | 2008-12-09 | Citizen Holdings Co., Ltd. | Electromechanical transducer and method of fabricating the same |
| JP4839747B2 (ja) * | 2005-09-20 | 2011-12-21 | 三菱電機株式会社 | 静電容量型加速度センサ |
| JP2008141122A (ja) * | 2006-12-05 | 2008-06-19 | Denso Corp | 樹脂モールド電子部品及びその製造方法 |
| JP2008292428A (ja) * | 2007-05-28 | 2008-12-04 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 半導体センサ |
| JP2009145321A (ja) * | 2007-11-19 | 2009-07-02 | Hitachi Ltd | 慣性センサ |
| WO2010032819A1 (ja) * | 2008-09-22 | 2010-03-25 | アルプス電気株式会社 | Ｍｅｍｓセンサ |
| EP2439542B1 (en) * | 2009-06-03 | 2014-01-15 | Alps Electric Co., Ltd. | Physical quantity sensor |
| JP5540911B2 (ja) * | 2010-06-09 | 2014-07-02 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| JP5750867B2 (ja) * | 2010-11-04 | 2015-07-22 | セイコーエプソン株式会社 | 機能素子、機能素子の製造方法、物理量センサーおよび電子機器 |
| JP2013002938A (ja) * | 2011-06-16 | 2013-01-07 | Seiko Epson Corp | センサーデバイス、およびその製造方法 |
| JP5790297B2 (ja) * | 2011-08-17 | 2015-10-07 | セイコーエプソン株式会社 | 物理量センサー及び電子機器 |
| US8368192B1 (en) * | 2011-09-16 | 2013-02-05 | Powertech Technology, Inc. | Multi-chip memory package with a small substrate |
| JP2013210215A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Hitachi Automotive Systems Ltd | 慣性センサモジュール |
| JP6002481B2 (ja) * | 2012-07-06 | 2016-10-05 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 慣性センサ |
| JP6137451B2 (ja) * | 2013-01-28 | 2017-05-31 | セイコーエプソン株式会社 | 物理量センサー、電子機器、及び移動体 |
| JP6206651B2 (ja) | 2013-07-17 | 2017-10-04 | セイコーエプソン株式会社 | 機能素子、電子機器、および移動体 |
| JP6150056B2 (ja) | 2013-07-24 | 2017-06-21 | セイコーエプソン株式会社 | 機能素子、電子機器、および移動体 |
| CN105301283B (zh) * | 2014-06-17 | 2019-02-19 | 精工爱普生株式会社 | 功能元件、电子设备及移动体 |
| JP2016042074A (ja) * | 2014-08-13 | 2016-03-31 | セイコーエプソン株式会社 | 物理量センサー、電子機器および移動体 |
| US11460360B2 (en) | 2017-11-14 | 2022-10-04 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Split bridge circuit force sensor |
| CN108298496B (zh) * | 2018-03-13 | 2023-06-13 | 长春师范大学 | 一种基于光介电泳的石墨烯批量化装配方法 |
| JP2022054045A (ja) * | 2020-09-25 | 2022-04-06 | セイコーエプソン株式会社 | 慣性計測装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5347867A (en) * | 1993-02-03 | 1994-09-20 | Minnetonka Warehouse Supply, Inc | Accelerometer incorporating a driven shield |
| US5545912A (en) * | 1994-10-27 | 1996-08-13 | Motorola, Inc. | Electronic device enclosure including a conductive cap and substrate |
| JPH1090299A (ja) * | 1996-09-12 | 1998-04-10 | Mitsubishi Electric Corp | 静電容量式加速度センサ |
| JP3278363B2 (ja) * | 1996-11-18 | 2002-04-30 | 三菱電機株式会社 | 半導体加速度センサ |
| JPH11230986A (ja) | 1998-02-18 | 1999-08-27 | Denso Corp | 半導体力学量センサ |
-
2002
- 2002-02-18 JP JP2002040039A patent/JP2003240797A/ja active Pending
- 2002-10-15 US US10/270,045 patent/US6763716B2/en not_active Expired - Lifetime
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2003240797A5 (ja) | ||
| US7671432B2 (en) | Dynamic quantity sensor | |
| US6055148A (en) | Semiconductor device assemblies and circuits | |
| US6297547B1 (en) | Mounting multiple semiconductor dies in a package | |
| US6215175B1 (en) | Semiconductor package having metal foil die mounting plate | |
| US6175149B1 (en) | Mounting multiple semiconductor dies in a package | |
| JP5168866B2 (ja) | パワー半導体モジュール | |
| KR960706194A (ko) | 계층화된 도전 평면을 갖는 리드 프레임(a lead frame having layered conductive planes) | |
| KR920007132A (ko) | 집적회로용 절연리드 프레임 및 그의 제조방법 | |
| JP2004071961A (ja) | 複合モジュール及びその製造方法 | |
| JPH10256470A (ja) | 半導体装置 | |
| US7868430B2 (en) | Semiconductor device | |
| JPS61198769A (ja) | 混成集積回路 | |
| JPH04216661A (ja) | 集積回路パッケージアセンブリ | |
| JP4866143B2 (ja) | 電力用半導体装置 | |
| US6924537B2 (en) | Semiconductor device including a potential drawing portion formed at a corner | |
| TW200504900A (en) | A semiconductor device and the manufacturing method thereof | |
| TWI243437B (en) | Sliding type thin fingerprint sensor package | |
| JPH0645504A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0521698A (ja) | 半導体装置 | |
| JP4366472B2 (ja) | 半導体装置 | |
| US10854581B2 (en) | Die stack assembly using an edge separation structure for connectivity through a die of the stack | |
| JP3196821B2 (ja) | 樹脂封止型回路装置 | |
| JPH07335818A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6236299Y2 (ja) |