JP5790297B2 - 物理量センサー及び電子機器 - Google Patents
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Description
本発明は、物理量センサー及び物理量センサーを備えた電子機器に関する。
従来、物理量センサーとしては、半導体基板に形成した横方向に延びる空洞により区画され、当該空洞の下に位置するベースプレート部と、空洞及び半導体基板に形成した縦方向に延びる溝により区画され、空洞及び溝の横に位置する枠部と、空洞及び溝により区画され、空洞の上に位置し、枠部から延び、且つ、力学量（例えば、加速度）により変位する可動電極を有する梁構造体と、空洞及び溝により区画され、空洞の上に位置し、枠部から延び、且つ、梁構造体の可動電極に対向して配置された固定電極とを備えた半導体力学量センサー（以下、物理量センサーという）が知られている（例えば、特許文献１参照）。
特許文献１によれば、上記物理量センサーは、容量変化検出型であって、第１の固定電極からの配線（以下、第１配線という）及び第２の固定電極からの配線（以下、第２配線という）が、半導体基板の一方の面に設けられ、第１の固定電極及び第２の固定電極の電位を外部に取り出すことが可能な構成となっている。
上記物理量センサーは、小型化を図るために、第１配線と第２配線とを互いに近接して設ける必要があることから、第１配線と第２配線との間の寄生容量（浮遊容量）が増大する虞がある。
これにより、上記物理量センサーは、検出した本来の静電容量に、増大した上記寄生容量が付加されてしまうことから、容量変化検出型の物理量センサーとしての検出精度などの検出特性が劣化する虞がある。
この結果、上記物理量センサーは、物理量検出における信頼性を損なう虞がある。特に、差動検出方式の物理量センサーの場合、固定電極の配線と可動電極の配線間の寄生容量を減らすことが課題となっている。
これにより、上記物理量センサーは、検出した本来の静電容量に、増大した上記寄生容量が付加されてしまうことから、容量変化検出型の物理量センサーとしての検出精度などの検出特性が劣化する虞がある。
この結果、上記物理量センサーは、物理量検出における信頼性を損なう虞がある。特に、差動検出方式の物理量センサーの場合、固定電極の配線と可動電極の配線間の寄生容量を減らすことが課題となっている。
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
［適用例１］本適用例にかかる物理量センサーは、基板と、前記基板の上方に支持されている可動部と、前記可動部に設けられている可動電極部と、前記基板の主面に設けられ、且つ、前記可動電極部に対向して配置されている固定電極部と、前記基板の前記主面に設けられた第１凹部および第２凹部と、を備え、前記固定電極部は、前記第１凹部の内部に設けられている固定電極用配線に接続され、前記可動電極部は、前記可動部を介して、前記第２凹部の内部に設けられている可動電極用配線に接続され、前記固定電極用配線と前記可動電極用配線との間の少なくとも一部には、シールド部が設けられ、前記第１凹部の深さ寸法は、前記固定電極用配線の厚さ寸法よりも大きく、前記第２凹部の深さ寸法は、前記可動電極用配線の厚さ寸法よりも大きいことを特徴とする。
これによれば、物理量センサーは、固定電極部が固定電極用配線に接続され、可動電極部が可動部を介して、可動電極用配線に接続され、固定電極用配線と可動電極用配線との間の少なくとも一部には、シールド部が設けられている。
これにより、物理量センサーは、物理量検出時における固定電極用配線と可動電極用配線との間の寄生容量が、シールド部によって低減されることから、検出した静電容量値と本来の静電容量値との誤差を少なくすることができる。
したがって、物理量センサーは、検出精度などの検出特性を向上させることができる。
この結果、物理量センサーは、物理量検出における信頼性を向上させることが可能となる。
また、物理量センサーは、基板の主面に複数の凹部が設けられ、各凹部内に固定電極用配線及び可動電極用配線が設けられたことから、各配線の上記主面からの突出を回避することができる。
この結果、物理量センサーは、各配線と非接続部材（例えば、第１配線であれば第２固定電極部、第２配線であれば第１固定電極部）との短絡を回避することが可能となる。
また、物理量センサーは、凹部によって各配線間を更に隔てることが可能なことから、物理量検出時における各配線間の寄生容量を更に低減することができる。
［適用例２］上記適用例にかかる物理量センサーにおいて、前記固定電極用配線と前記可動電極用配線の並び方向における前記固定電極用配線と前記シールド部の離間距離および前記可動電極用配線と前記シールド部の離間距離をＷとし、前記シールド部の厚さをＨとしたとき、Ｈ／Ｗが１〜２０の範囲内にあることが好ましい。
これにより、物理量センサーは、物理量検出時における固定電極用配線と可動電極用配線との間の寄生容量が、シールド部によって低減されることから、検出した静電容量値と本来の静電容量値との誤差を少なくすることができる。
したがって、物理量センサーは、検出精度などの検出特性を向上させることができる。
この結果、物理量センサーは、物理量検出における信頼性を向上させることが可能となる。
また、物理量センサーは、基板の主面に複数の凹部が設けられ、各凹部内に固定電極用配線及び可動電極用配線が設けられたことから、各配線の上記主面からの突出を回避することができる。
この結果、物理量センサーは、各配線と非接続部材（例えば、第１配線であれば第２固定電極部、第２配線であれば第１固定電極部）との短絡を回避することが可能となる。
また、物理量センサーは、凹部によって各配線間を更に隔てることが可能なことから、物理量検出時における各配線間の寄生容量を更に低減することができる。
［適用例２］上記適用例にかかる物理量センサーにおいて、前記固定電極用配線と前記可動電極用配線の並び方向における前記固定電極用配線と前記シールド部の離間距離および前記可動電極用配線と前記シールド部の離間距離をＷとし、前記シールド部の厚さをＨとしたとき、Ｈ／Ｗが１〜２０の範囲内にあることが好ましい。
［適用例３］上記適用例にかかる物理量センサーにおいて、前記固定電極部は、前記可動電極部の一方の側に配置された第１固定電極部と、他方の側に配置された第２固定電極部と、を有し、前記固定電極用配線は、第１配線と第２配線とを含み、前記第１固定電極部は、前記第１配線に接続され、前記第２固定電極部は、前記第２配線に接続され、前記第１配線及び前記第２配線の間の少なくとも一部には、前記シールド部が設けられていることが好ましい。
これによれば、物理量センサーは、固定電極用配線の第１配線と第２配線との間の少なくとも一部に、シールド部が設けられたことから、物理量検出時における第１配線及び第２配線との間の寄生容量が、シールド部によって低減される。このことから、物理量センサーは、例えば、検出した静電容量値と本来の静電容量値との誤差を更に少なくすることができる。
したがって、物理量センサーは、検出精度などの検出特性を更に向上させることができる。この結果、物理量センサーは、物理量検出における信頼性を更に向上させることが可能となる。
したがって、物理量センサーは、検出精度などの検出特性を更に向上させることができる。この結果、物理量センサーは、物理量検出における信頼性を更に向上させることが可能となる。
［適用例４］上記適用例にかかる物理量センサーにおいて、前記基板は、絶縁材料が用いられ、前記可動部、前記可動電極部、及び前記固定電極部は、半導体材料が用いられていることが好ましい。
これによれば、物理量センサーは、基板に絶縁材料が用いられ、可動部、可動電極部、及び固定電極部に半導体材料が用いられたことから、基板と、可動部、可動電極部、及び固定電極部との絶縁分離を確実に行うことができる。
［適用例５］上記適用例にかかる物理量センサーにおいて、前記シールド部は、前記可動部、前記可動電極部、及び前記固定電極部と同一材料が用いられていることが好ましい。
これによれば、物理量センサーは、シールド部に、可動部、可動電極部、及び固定電極部と同一材料が用いられたことから、例えば、フォトリソグラフィー技術やエッチング技術を用いて、一枚の板材からシールド部と可動部、可動電極部、及び固定電極部とを一括して形成することができる。
この結果、物理量センサーは、シールド部と可動部、可動電極部、及び固定電極部との材料が異なる場合と比較して、生産性を向上させることが可能となる。
この結果、物理量センサーは、シールド部と可動部、可動電極部、及び固定電極部との材料が異なる場合と比較して、生産性を向上させることが可能となる。
［適用例６］本適用例にかかる電子機器は、上記適用例のいずれか一例に記載の物理量センサーを備えたことを特徴とする。
これによれば、本構成の電子機器は、上記適用例のいずれか一例に記載の物理量センサーを備えたことから、上記適用例のいずれか一例に記載された効果を奏する電子機器を提供できる。
以下、本発明を具体化した実施形態について図面を参照して説明する。
（実施形態）
最初に、本実施形態にかかる、例えば、加速度や角速度などの物理量を検出する容量変化検出型の物理量センサーの構成について説明する。
図１は、本実施形態の物理量センサーの概略構成を示す模式平面図であり、図２は、図１のＡ−Ａ線での模式断面図であり、図３は、図１のＢ−Ｂ線での模式断面図であり、図４は、図１のＣ−Ｃ線での模式要部断面図である。
なお、説明の便宜上、各構成要素の寸法比率は実際と異なる。また、図１では、蓋部材を破線にて記載してある。
最初に、本実施形態にかかる、例えば、加速度や角速度などの物理量を検出する容量変化検出型の物理量センサーの構成について説明する。
図１は、本実施形態の物理量センサーの概略構成を示す模式平面図であり、図２は、図１のＡ−Ａ線での模式断面図であり、図３は、図１のＢ−Ｂ線での模式断面図であり、図４は、図１のＣ−Ｃ線での模式要部断面図である。
なお、説明の便宜上、各構成要素の寸法比率は実際と異なる。また、図１では、蓋部材を破線にて記載してある。
なお、以下では、説明の便宜上、図１中の紙面手前側を「上」、紙面奥側を「下」、右側を「右」、左側を「左」という。また、図１〜図３では、互いに直交する３つの軸として、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸が図示されている。また、以下では、Ｘ軸に平行な方向（左右方向）を「Ｘ軸方向」、Ｙ軸に平行な方向を「Ｙ軸方向」、Ｚ軸に平行な方向（上下方向）を「Ｚ軸方向」という。
図１〜図４に示すように、物理量センサー１は、基板としてのベース基板２と、ベース基板２に支持されたセンサー素子３と、ベース基板２上に設けられたシールド部４と、センサー素子３及びシールド部４を覆うように設けられた蓋部材５と、を備えている。
ベース基板２は、センサー素子３を支持する機能を有する。
ベース基板２は、板状をなし、その上面である主面２ａには、凹部２１が設けられている。この凹部２１は、ベース基板２を平面視したときに、後述するセンサー素子３の可動部３３、可動電極部３６，３７及び連結部３４，３５が収まるように形成されている。
凹部２１は、センサー素子３の可動部３３、可動電極部３６，３７及び連結部３４，３５がベース基板２に接触することを回避する逃げ部を構成する。これにより、ベース基板２は、センサー素子３の可動部３３の変位を許容することができる。
なお、この逃げ部は、凹部２１に代えて、ベース基板２をその厚さ方向（Ｚ軸方向）に貫通する貫通孔であってもよい。また、本実施形態では、凹部２１の平面視形状は、四角形（具体的には長方形）をなしているが、これに限定されるものではない。
ベース基板２は、板状をなし、その上面である主面２ａには、凹部２１が設けられている。この凹部２１は、ベース基板２を平面視したときに、後述するセンサー素子３の可動部３３、可動電極部３６，３７及び連結部３４，３５が収まるように形成されている。
凹部２１は、センサー素子３の可動部３３、可動電極部３６，３７及び連結部３４，３５がベース基板２に接触することを回避する逃げ部を構成する。これにより、ベース基板２は、センサー素子３の可動部３３の変位を許容することができる。
なお、この逃げ部は、凹部２１に代えて、ベース基板２をその厚さ方向（Ｚ軸方向）に貫通する貫通孔であってもよい。また、本実施形態では、凹部２１の平面視形状は、四角形（具体的には長方形）をなしているが、これに限定されるものではない。
また、ベース基板２の主面２ａには、前述した凹部２１の外側に、その外周に沿って、凹部２２が設けられている。凹部２２の一端部側は、ベース基板２の外周部まで延びている。また、ベース基板２の主面２ａの凹部２１の外側であって、凹部２２との間には、凹部２２に沿って凹部２３が設けられている。凹部２３の一端部側は、ベース基板２の外周部まで延びている。
また、ベース基板２の主面２ａには、凹部２４が凹部２１の左側縁部近傍から凹部２３に沿ってベース基板２の外周部まで設けられている。
また、ベース基板２の主面２ａには、凹部２４が凹部２１の左側縁部近傍から凹部２３に沿ってベース基板２の外周部まで設けられている。
この凹部２２〜２４は、平面視で配線に対応した形状をなしている。具体的には、凹部２２は、後述する固定電極用配線の第１配線としての配線４１及び接続端子である電極４４に対応した形状をなし、凹部２３は、後述する固定電極用配線の第２配線としての配線４２及び接続端子である電極４５に対応した形状をなし、凹部２４は、後述する可動電極用配線としての配線４３及び接続端子である電極４６に対応した形状をなしている。
ここで、凹部２２〜２４の深さ寸法は、それぞれ配線４１〜４３の厚さ寸法よりも大きくなっている。
また、凹部２２〜２４の電極４４〜４６が設けられた部位の深さは、それぞれ配線４１〜４３が設けられた部位よりも深くなっている。
このように凹部２２〜２４の一部の深さを深くすることにより、後述する物理量センサー１の製造時において、電極４４〜４６と、後にセンサー素子３となるセンサー基板との接合や外部部材との接触を回避することができる。
また、凹部２２〜２４の電極４４〜４６が設けられた部位の深さは、それぞれ配線４１〜４３が設けられた部位よりも深くなっている。
このように凹部２２〜２４の一部の深さを深くすることにより、後述する物理量センサー１の製造時において、電極４４〜４６と、後にセンサー素子３となるセンサー基板との接合や外部部材との接触を回避することができる。
ベース基板２の構成材料としては、具体的には、絶縁性を有する（絶縁材料である）、高抵抗なシリコン材料、ガラス材料を用いることが好ましい。特に、センサー素子３がシリコン材料を主材料としたシリコン基板で構成されている場合には、アルカリ金属イオン（可動イオン）を含むガラス材料（例えば、パイレックス（登録商標）ガラスのような硼珪酸ガラス）を用いることが好ましい。
これにより、物理量センサー１は、ベース基板２（ガラス基板）とセンサー素子３（シリコン基板）とを陽極接合することができる。
これにより、物理量センサー１は、ベース基板２（ガラス基板）とセンサー素子３（シリコン基板）とを陽極接合することができる。
また、ベース基板２の構成材料は、センサー素子３の構成材料との熱膨張係数差ができるだけ小さいことが好ましく、具体的には、ベース基板２の構成材料とセンサー素子３の構成材料との熱膨張係数差が３ｐｐｍ／℃以下であることが好ましい。これにより、物理量センサー１は、ベース基板２とセンサー素子３との接合時などにおいて、高温下にさらされても、ベース基板２とセンサー素子３との間の残留応力（熱応力）を低減することができる。
センサー素子３は、固定部３１，３２と、可動部３３と、連結部３４，３５と、可動電極部３６，３７と、固定電極部３８，３９と、を備えている。
センサー素子３は、例えば、加速度や角速度などの物理量の変化に応じて、可動部３３及び可動電極部３６，３７が、連結部３４，３５を弾性変形させながら、Ｘ軸方向（＋Ｘ方向または−Ｘ方向）に変位する。物理量センサー１は、このような変位に伴って、可動電極部３６と固定電極部３８との間の隙間、及び可動電極部３７と固定電極部３９との間の隙間の大きさがそれぞれ変化する。
すなわち、物理量センサー１は、このような変位に伴って、可動電極部３６と固定電極部３８との間の静電容量、及び可動電極部３７と固定電極部３９との間の静電容量の大きさがそれぞれ変化する。したがって、物理量センサー１は、差動検出方式の物理量センサーとして、これらの静電容量の変化に基づいて、加速度や角速度などの物理量を検出することできる。
センサー素子３は、例えば、加速度や角速度などの物理量の変化に応じて、可動部３３及び可動電極部３６，３７が、連結部３４，３５を弾性変形させながら、Ｘ軸方向（＋Ｘ方向または−Ｘ方向）に変位する。物理量センサー１は、このような変位に伴って、可動電極部３６と固定電極部３８との間の隙間、及び可動電極部３７と固定電極部３９との間の隙間の大きさがそれぞれ変化する。
すなわち、物理量センサー１は、このような変位に伴って、可動電極部３６と固定電極部３８との間の静電容量、及び可動電極部３７と固定電極部３９との間の静電容量の大きさがそれぞれ変化する。したがって、物理量センサー１は、差動検出方式の物理量センサーとして、これらの静電容量の変化に基づいて、加速度や角速度などの物理量を検出することできる。
この固定部３１，３２、可動部３３、連結部３４，３５及び可動電極部３６，３７は、例えば、一枚のシリコン基板から一体的に形成されている。
固定部３１，３２は、それぞれ、前述したベース基板２の主面２ａに接合されている。具体的には、固定部３１は、ベース基板２の主面２ａの凹部２１に対して−Ｘ方向側（図中左側）の部分に接合され、固定部３２は、凹部２１に対して＋Ｘ方向側（図中右側）の部分に接合されている。また、固定部３１，３２は、平面視したときに、それぞれ、凹部２１と凹部２１の外周縁部とに跨るように設けられている。
固定部３１，３２は、それぞれ、前述したベース基板２の主面２ａに接合されている。具体的には、固定部３１は、ベース基板２の主面２ａの凹部２１に対して−Ｘ方向側（図中左側）の部分に接合され、固定部３２は、凹部２１に対して＋Ｘ方向側（図中右側）の部分に接合されている。また、固定部３１，３２は、平面視したときに、それぞれ、凹部２１と凹部２１の外周縁部とに跨るように設けられている。
なお、固定部３１，３２の位置及び形状などは、連結部３４，３５や配線４１〜４３の位置及び形状などに応じて決められるものであり、上述した構成に限定されない。
２つの固定部３１，３２の間には、可動部３３が設けられている。本実施形態では、可動部３３は、Ｘ軸方向に延びる長手形状をなしている。なお、可動部３３の形状は、センサー素子３を構成する各部の形状、大きさなどに応じて決められるものであり、上述した構成に限定されない。
２つの固定部３１，３２の間には、可動部３３が設けられている。本実施形態では、可動部３３は、Ｘ軸方向に延びる長手形状をなしている。なお、可動部３３の形状は、センサー素子３を構成する各部の形状、大きさなどに応じて決められるものであり、上述した構成に限定されない。
可動部３３は、固定部３１に対して連結部３４を介して連結され、固定部３２に対して連結部３５を介して連結されている。より具体的には、可動部３３の左側の端部が連結部３４を介して固定部３１に連結されるとともに、可動部３３の右側の端部が連結部３５を介して固定部３２に連結されている。
この連結部３４，３５は、可動部３３を固定部３１，３２に対して変位可能に連結している。本実施形態では、連結部３４，３５は、図１にて矢印ａで示すように、Ｘ軸方向（＋Ｘ方向または−Ｘ方向）に可動部３３を変位し得るように構成されている。
この連結部３４，３５は、可動部３３を固定部３１，３２に対して変位可能に連結している。本実施形態では、連結部３４，３５は、図１にて矢印ａで示すように、Ｘ軸方向（＋Ｘ方向または−Ｘ方向）に可動部３３を変位し得るように構成されている。
具体的に説明すると、連結部３４は、２つの梁３４１，３４２で構成されている。そして、梁３４１，３４２は、それぞれ、Ｙ軸方向に蛇行しながらＸ軸方向に延びる形状をなしている。換言すると、梁３４１，３４２は、それぞれ、Ｙ軸方向に複数回（本実施形態では３回）折り返された形状をなしている。なお、各梁３４１，３４２の折り返し回数は、１回または２回であってもよいし、４回以上であってもよい。
同様に、連結部３５は、Ｙ軸方向に蛇行しながらＸ軸方向に延びる形状をなす２つの梁３５１，３５２で構成されている。
同様に、連結部３５は、Ｙ軸方向に蛇行しながらＸ軸方向に延びる形状をなす２つの梁３５１，３５２で構成されている。
このように、ベース基板２に対してＸ軸方向に変位可能に支持された可動部３３の幅方向での一方側（＋Ｙ方向側）には、可動電極部３６が設けられ、他方側（−Ｙ方向側）には、可動電極部３７が設けられている。
可動電極部３６は、可動部３３から＋Ｙ方向に突出し、櫛歯状をなすように並ぶ複数の可動電極指３６１〜３６５を備えている。この可動電極指３６１，３６２，３６３，３６４，３６５は、―Ｘ方向側から＋Ｘ方向側へ、この順に並んでいる。同様に、可動電極部３７は、可動部３３から−Ｙ方向に突出し、櫛歯状をなすように並ぶ複数の可動電極指３７１〜３７５を備えている。この可動電極指３７１，３７２，３７３，３７４，３７５は、―Ｘ方向側から＋Ｘ方向側へ、この順に並んでいる。
可動電極部３６は、可動部３３から＋Ｙ方向に突出し、櫛歯状をなすように並ぶ複数の可動電極指３６１〜３６５を備えている。この可動電極指３６１，３６２，３６３，３６４，３６５は、―Ｘ方向側から＋Ｘ方向側へ、この順に並んでいる。同様に、可動電極部３７は、可動部３３から−Ｙ方向に突出し、櫛歯状をなすように並ぶ複数の可動電極指３７１〜３７５を備えている。この可動電極指３７１，３７２，３７３，３７４，３７５は、―Ｘ方向側から＋Ｘ方向側へ、この順に並んでいる。
複数の可動電極指３６１〜３６５及び複数の可動電極指３７１〜３７５は、それぞれ、可動部３３の変位する方向（すなわちＸ軸方向）に並んで設けられている。
これにより、後述する固定電極部３８の固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８と可動電極部３６との間の静電容量、及び固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７と可動電極部３６との間の静電容量を可動部３３の変位に応じて効率的に変化させることができる。
同様に、後述する固定電極部３９の固定電極指３９２，３９４，３９６，３９８と可動電極部３７との間の静電容量、及び固定電極指３９１，３９３，３９５，３９７と可動電極部３７との間の静電容量を可動部３３の変位に応じて効率的に変化させることができる。
可動電極部３６は、固定電極部３８に対して間隔を隔てて対向している。また、可動電極部３７は、固定電極部３９に対して間隔を隔てて対向している。
これにより、後述する固定電極部３８の固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８と可動電極部３６との間の静電容量、及び固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７と可動電極部３６との間の静電容量を可動部３３の変位に応じて効率的に変化させることができる。
同様に、後述する固定電極部３９の固定電極指３９２，３９４，３９６，３９８と可動電極部３７との間の静電容量、及び固定電極指３９１，３９３，３９５，３９７と可動電極部３７との間の静電容量を可動部３３の変位に応じて効率的に変化させることができる。
可動電極部３６は、固定電極部３８に対して間隔を隔てて対向している。また、可動電極部３７は、固定電極部３９に対して間隔を隔てて対向している。
固定電極部３８は、前述した可動電極部３６の複数の可動電極指３６１〜３６５に対して間隔を隔てて噛み合う櫛歯状をなすように並ぶ複数の固定電極指３８１〜３８８を備えている。固定電極指３８１〜３８８の可動部３３側とは反対側の端部は、それぞれ、ベース基板２の主面２ａの凹部２１に対して＋Ｙ方向側の部分に接合されている。そして、各固定電極指３８１〜３８８は、その固定された側の端を固定端とし、自由端が−Ｙ方向へ延びている。
固定電極指３８１〜３８８は、―Ｘ方向側から＋Ｘ方向側へ、この順に並んでいる。そして、固定電極指３８１，３８２は、対をなし、前述した可動電極指３６１，３６２の間に設けられ、固定電極指３８３，３８４は、対をなし、可動電極指３６２，３６３の間に設けられ、固定電極指３８５，３８６は、対をなし、可動電極指３６３，３６４の間に設けられ、固定電極指３８７，３８８は、対をなし、可動電極指３６４，３６５の間に設けられている。
ここで、固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８は、それぞれ、第１固定電極指（第１固定電極部）であり、固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７は、それぞれ、ベース基板２上で第１固定電極指に対して空隙（間隙）を介して配置された第２固定電極指（第２固定電極部）である。
このように、複数の固定電極指３８１〜３８８は、交互に並ぶ複数の第１固定電極指及び複数の第２固定電極指で構成されている。換言すれば、複数の固定電極指３８１〜３８８は、可動電極指の一方の側に第１固定電極指が配置され、他方の側に第２固定電極指が配置されている。
このように、複数の固定電極指３８１〜３８８は、交互に並ぶ複数の第１固定電極指及び複数の第２固定電極指で構成されている。換言すれば、複数の固定電極指３８１〜３８８は、可動電極指の一方の側に第１固定電極指が配置され、他方の側に第２固定電極指が配置されている。
第１固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８と第２固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７とは、ベース基板２上で互いに分離している。これにより、第１固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８と第２固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７とを電気的に絶縁することができる。そのため、第１固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８と可動電極部３６との間の静電容量、及び第２固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７と可動電極部３６との間の静電容量を別々に測定し、それらの測定結果に基づいて、高精度に物理量を検出することができる。
同様に、固定電極部３９は、前述した可動電極部３７の複数の可動電極指３７１〜３７５に対して間隔を隔てて噛み合う櫛歯状をなすように並ぶ複数の固定電極指３９１〜３９８を備えている。固定電極指３９１〜３９８の可動部３３とは反対側の端部は、それぞれ、ベース基板２の主面２ａの凹部２１に対して−Ｙ方向側の部分に接合されている。そして、各固定電極指３９１〜３９８は、その固定された側の端を固定端とし、自由端が＋Ｙ方向へ延びている。
固定電極指３９１〜３９８は、―Ｘ方向側から＋Ｘ方向側へ、この順に並んでいる。そして、固定電極指３９１，３９２は、対をなし、前述した可動電極指３７１，３７２の間に設けられ、固定電極指３９３，３９４は、対をなし、可動電極指３７２，３７３の間に設けられ、固定電極指３９５，３９６は、対をなし、可動電極指３７３，３７４の間に設けられ、固定電極指３９７，３９８は、対をなし、可動電極指３７４，３７５の間に設けられている。
ここで、固定電極指３９２，３９４，３９６，３９８は、それぞれ、第１固定電極指（第１固定電極部）であり、固定電極指３９１，３９３，３９５，３９７は、それぞれ、ベース基板２上で第１固定電極指に対して空隙（間隙）を介して配置された第２固定電極指（第２固定電極部）である。
このように、複数の固定電極指３９１〜３９８は、交互に並ぶ複数の第１固定電極指及び複数の第２固定電極指で構成されている。換言すれば、複数の固定電極指３９１〜３９８は、可動電極指の一方の側に第１固定電極指が配置され、他方の側に第２固定電極指が配置されている。
このように、複数の固定電極指３９１〜３９８は、交互に並ぶ複数の第１固定電極指及び複数の第２固定電極指で構成されている。換言すれば、複数の固定電極指３９１〜３９８は、可動電極指の一方の側に第１固定電極指が配置され、他方の側に第２固定電極指が配置されている。
第１固定電極指３９２，３９４，３９６，３９８と第２固定電極指３９１，３９３，３９５，３９７とは、前述した固定電極部３８と同様、ベース基板２上で互いに分離している。これにより、第１固定電極指３９２，３９４，３９６，３９８と可動電極部３７との間の静電容量、及び、第２固定電極指３９１，３９３，３９５，３９７と可動電極部３７との間の静電容量を別々に測定し、それらの測定結果に基づいて、高精度に物理量を検出することができる。
センサー素子３の構成材料としては、前述したような静電容量の変化に基づく物理量の検出が可能であれば、特に限定されないが、半導体材料が好ましく、具体的には、例えば、単結晶シリコン、ポリシリコンなどのシリコン材料を用いるのが好ましい。
すなわち、固定部３１，３２、可動部３３、連結部３４，３５、複数の固定電極指３８１〜３８８，３９１〜３９８及び複数の可動電極指３６１〜３６５，３７１〜３７５は、それぞれ、シリコンを主材料として構成されていることが好ましい。
すなわち、固定部３１，３２、可動部３３、連結部３４，３５、複数の固定電極指３８１〜３８８，３９１〜３９８及び複数の可動電極指３６１〜３６５，３７１〜３７５は、それぞれ、シリコンを主材料として構成されていることが好ましい。
シリコンは、エッチングにより高精度に加工することができる。そのため、センサー素子３をシリコンを主材料として構成することにより、センサー素子３の寸法精度を優れたものとし、その結果、物理量センサー１の高感度化を図ることができる。また、シリコンは特性上、弾性疲労が少ないため、物理量センサー１の耐久性を向上させることもできる。
また、センサー素子３を構成するシリコン材料には、リン、ボロンなどの不純物がドープされていることが好ましい。これにより、物理量センサー１は、センサー素子３の導電性を優れたものとすることができる。
また、センサー素子３を構成するシリコン材料には、リン、ボロンなどの不純物がドープされていることが好ましい。これにより、物理量センサー１は、センサー素子３の導電性を優れたものとすることができる。
また、センサー素子３は、前述したように、ベース基板２の主面２ａに固定部３１，３２及び固定電極部３８，３９が接合されることにより、ベース基板２に支持されている。
このようなセンサー素子３とベース基板２との接合方法は、特に限定されないが、陽極接合法を用いることが好ましい。
このようなセンサー素子３とベース基板２との接合方法は、特に限定されないが、陽極接合法を用いることが好ましい。
配線４１〜４３は、前述したベース基板２の主面２ａ側に設けられている。
詳述すると、配線４１は、前述したベース基板２の凹部２１の外側に設けられ、凹部２１の外周に沿うように凹部２２内に形成されている。そして、配線４１の一端部は、ベース基板２の主面２ａの外周部（ベース基板２上の蓋部材５の外側の部分）において、電極４４に接続されている。
配線４１は、前述したセンサー素子３の第１固定電極指（第１固定電極部）である各固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８及び各固定電極指３９２，３９４，３９６，３９８に電気的に接続されている。
詳述すると、配線４１は、前述したベース基板２の凹部２１の外側に設けられ、凹部２１の外周に沿うように凹部２２内に形成されている。そして、配線４１の一端部は、ベース基板２の主面２ａの外周部（ベース基板２上の蓋部材５の外側の部分）において、電極４４に接続されている。
配線４１は、前述したセンサー素子３の第１固定電極指（第１固定電極部）である各固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８及び各固定電極指３９２，３９４，３９６，３９８に電気的に接続されている。
また、配線４２は、前述した配線４１の内側、且つ、前述したベース基板２の凹部２１の外側でその外周縁に沿って凹部２３内に設けられている。そして、配線４２の一端部は、前述した電極４４に対して間隔を隔てて並ぶようにベース基板２の主面２ａの外周部（ベース基板２上の蓋部材５の外側の部分）において、電極４５に接続されている。
配線４２は、前述したセンサー素子３の第２固定電極指(第２固定電極部）である固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７及び固定電極指３９１，３９３，３９５，３９７に電気的に接続されている。
配線４２は、前述したセンサー素子３の第２固定電極指(第２固定電極部）である固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７及び固定電極指３９１，３９３，３９５，３９７に電気的に接続されている。
配線４３は、ベース基板２の固定部３１との接合部から、ベース基板２の主面２ａの外周部（ベース基板２上の蓋部材５の外側の部分）に延びるように凹部２４内に設けられている。そして、配線４３の固定部３１側とは反対側の端部は、前述した電極４４に対して間隔を隔てて並ぶようにベース基板２の主面２ａの外周部（ベース基板２上の蓋部材５の外側の部分）において、電極４６に接続されている。
このような配線４１〜４３の構成材料としては、それぞれ、導電性を有するものであれば、特に限定されず、各種電極材料を用いることができるが、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、Ｉｎ3Ｏ3、ＳｎＯ2、Ｓｂ含有ＳｎＯ2、Ａｌ含有ＺｎＯなどの酸化物（透明電極材料）、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌまたはこれらを含む合金などが挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
配線４１〜４３の構成材料としては、透明電極材料（特にＩＴＯ）を用いるのが好ましい。これによれば、物理量センサー１は、配線４１〜４３がそれぞれ透明電極材料で構成されていると、ベース基板２が透明基板である場合、ベース基板２の主面２ａ上に存在する異物などをベース基板２の主面２ａとは反対側の面から容易に視認することができる。
また、電極４４〜４６の構成材料としては、それぞれ、前述した配線４１〜４３と同様、導電性を有するものであれば、特に限定されず、各種電極材料を用いることができる。本実施形態では、電極４４〜４６の構成材料として、後述する突起部４７１，４７２，４８１，４８２，５０の構成材料と同じものが用いられている。
そして、配線４１上の、平面視において、センサー素子３の固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８と重なる部分には、それぞれ導電性を有する突起部４８１が設けられ、配線４１上の、平面視において、固定電極指３９２，３９４，３９６，３９８と重なる部分には、それぞれ導電性を有する突起部４８２が設けられている。
そして、物理量センサー１は、突起部４８１を介して固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８と配線４１とが電気的に接続されるとともに、突起部４８２を介して固定電極指３９２，３９４，３９６，３９８と配線４１とが電気的に接続されている。
そして、物理量センサー１は、突起部４８１を介して固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８と配線４１とが電気的に接続されるとともに、突起部４８２を介して固定電極指３９２，３９４，３９６，３９８と配線４１とが電気的に接続されている。
同様に、配線４２上の、平面視において、センサー素子３の固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７と重なる部分には、それぞれ導電性を有する突起部４７１が設けられ、配線４２上の、平面視において、固定電極指３９１，３９３，３９５，３９７と重なる部分には、それぞれ導電性を有する突起部４７２が設けられている。
そして、物理量センサー１は、突起部４７１を介して固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７と配線４２とが電気的に接続されるとともに、突起部４７２を介して固定電極指３９１，３９３，３９５，３９７と配線４２とが電気的に接続されている。
同様に、配線４３上の、平面視において、センサー素子３の固定部３１と重なる部分には、導電性を有する突起部５０が設けられている。
そして、物理量センサー１は、突起部５０を介して固定部３１と配線４３とが電気的に接続されている。
そして、物理量センサー１は、突起部４７１を介して固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７と配線４２とが電気的に接続されるとともに、突起部４７２を介して固定電極指３９１，３９３，３９５，３９７と配線４２とが電気的に接続されている。
同様に、配線４３上の、平面視において、センサー素子３の固定部３１と重なる部分には、導電性を有する突起部５０が設けられている。
そして、物理量センサー１は、突起部５０を介して固定部３１と配線４３とが電気的に接続されている。
ここで、物理量センサー１は、配線４１〜４３の厚さ寸法が、凹部２２〜２４の深さ寸法よりも小さく、且つ、配線４１〜４３の厚さ寸法と突起部４７１，４７２，４８１，４８２，５０の厚さ寸法との和が、凹部２２〜２４の深さ寸法よりも大きくなっている（但し、電極４４〜４６部分は除く）。
これにより、物理量センサー１は、ベース基板２とセンサー素子３との接合時に、ベース基板２とセンサー素子３とが密着することで、配線４１〜４３と突起部４７１，４７２，４８１，４８２，５０とが押圧され、上述した電気的な接続が確実になされている。
これにより、物理量センサー１は、ベース基板２とセンサー素子３との接合時に、ベース基板２とセンサー素子３とが密着することで、配線４１〜４３と突起部４７１，４７２，４８１，４８２，５０とが押圧され、上述した電気的な接続が確実になされている。
物理量センサー１は、電極４４（配線４１）及び電極４６（配線４３）を用いることにより、第１固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８と可動電極部３６との間の静電容量及び第１固定電極指３９２，３９４，３９６，３９８と可動電極部３７との間の静電容量を測定（検出）できる。
そして、物理量センサー１は、電極４５（配線４２）及び電極４６（配線４３）を用いることにより、第２固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７と可動電極部３６との間の静電容量及び第２固定電極指３９１，３９３，３９５，３９７と可動電極部３７との間の静電容量を測定できる。
そして、物理量センサー１は、電極４５（配線４２）及び電極４６（配線４３）を用いることにより、第２固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７と可動電極部３６との間の静電容量及び第２固定電極指３９１，３９３，３９５，３９７と可動電極部３７との間の静電容量を測定できる。
突起部４７１，４７２，４８１，４８２，５０の構成材料としては、それぞれ、導電性を有するものであれば、特に限定されず、各種電極材料を用いることができるが、例えば、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌなどの金属単体またはこれらを含む合金などの金属が好適に用いられる。
物理量センサー１は、このような金属を用いて突起部４７１，４７２，４８１，４８２，５０を構成することにより、配線４１〜４３と固定電極部３８，３９及び固定部３１との間の接触抵抗を小さくすることができる。
物理量センサー１は、このような金属を用いて突起部４７１，４７２，４８１，４８２，５０を構成することにより、配線４１〜４３と固定電極部３８，３９及び固定部３１との間の接触抵抗を小さくすることができる。
また、図４に示すように、配線４２，４３には、絶縁膜６が設けられている。そして、前述した突起部４７１，４７２，４８１，４８２，５０上には、絶縁膜６は形成されずに突起部４７１，４７２，４８１，４８２，５０の表面（上面）が露出するように構成されている。なお、図示はしないが、配線４１にも絶縁膜６が設けられている。
この絶縁膜６は、配線４１〜４３とセンサー素子３の非接続部との電気的接続（短絡）を回避する機能を有する。
これにより、物理量センサー１は、配線４１と非接続部との短絡をより確実に回避しつつ、第１固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８，３９２，３９４，３９６，３９８と配線４１との電気的接続、配線４２と非接続部との短絡をより確実に回避しつつ、第２固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７，３９１，３９３，３９５，３９７と配線４２との電気的接続、及び配線４３と非接続部との短絡をより確実に回避しつつ、固定部３１と配線４３との電気的接続を行うことができる。
この絶縁膜６は、配線４１〜４３とセンサー素子３の非接続部との電気的接続（短絡）を回避する機能を有する。
これにより、物理量センサー１は、配線４１と非接続部との短絡をより確実に回避しつつ、第１固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８，３９２，３９４，３９６，３９８と配線４１との電気的接続、配線４２と非接続部との短絡をより確実に回避しつつ、第２固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７，３９１，３９３，３９５，３９７と配線４２との電気的接続、及び配線４３と非接続部との短絡をより確実に回避しつつ、固定部３１と配線４３との電気的接続を行うことができる。
本実施形態では、絶縁膜６は、突起部４７１，４７２，４８１，４８２，５０及び電極４４〜４６の形成領域を除いて、ベース基板２の主面２ａ（凹部２１〜２４を含む）の略全域に亘って形成されている。なお、絶縁膜６の形成領域は、配線４１〜４３を覆うことができれば、これに限定されず、例えば、ベース基板２の主面２ａのセンサー素子３との接合部位や蓋部材５との接合部位を除くような形状をなしていてもよい。
このような絶縁膜６の構成材料としては、特に限定されず、絶縁性を有する各種材料を用いることができるが、ベース基板２がガラス材料（特に、アルカリ金属イオンが添加されたガラス材料）で構成されている場合、二酸化珪素（ＳｉＯ2）を用いることが好ましい。これにより、物理量センサー１は、前述したような短絡を回避することができる。
また、絶縁膜６の厚さ（平均厚さ）は、特に限定されないが、１０〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１０〜２００ｎｍ程度であるのがより好ましい。物理量センサー１は、このような厚さの範囲で絶縁膜６を形成すると、前述したような短絡を回避することができる。
また、物理量センサー１は、ベース基板２がアルカリ金属イオンを含むガラス材料で構成され、且つ、センサー素子３がシリコンを主材料として構成されている場合、ベース基板２の主面２ａのセンサー素子３との接合部位に絶縁膜６が存在していても、絶縁膜６を介してベース基板２とセンサー素子３とを陽極接合することができる。
また、物理量センサー１は、ベース基板２がアルカリ金属イオンを含むガラス材料で構成され、且つ、センサー素子３がシリコンを主材料として構成されている場合、ベース基板２の主面２ａのセンサー素子３との接合部位に絶縁膜６が存在していても、絶縁膜６を介してベース基板２とセンサー素子３とを陽極接合することができる。
シールド部４は、ベース基板２の主面２ａ上に絶縁膜６を介して配線４１と配線４２との間、及び配線４２と配線４３との間にあって、配線４１と配線４２、配線４２と配線４３とを隔てる、断面が略矩形の壁状に設けられている。シールド部４は、配線４１と配線４２との間、及び配線４２と配線４３との間の寄生容量を低減する機能を有する。
シールド部４は、図４に示す配線４２，４３からの距離（離間距離）Ｗと、高さ（厚さ）Ｈとの比（Ｈ／Ｗ）が、１〜２０になるように形成されるのが好ましい。シールド部４は、Ｈ／Ｗが１より小さいと、配線４２，４３間の寄生容量を低減する機能（シールド効果）が弱まり、Ｈ／Ｗが２０より大きいと、エッチングなどによる製造時間が長くなり、生産性が低下する虞がある。
本実施形態では、好適な一例として、Ｈ／Ｗが６．２５（Ｈ：２５μｍ、Ｗ：４μｍ）に設定されている。
なお、図４における配線４２，４３とシールド部４との段差は、実際にはＨ／Ｗに関して寸法的に無視できるレベルである。
なお、配線４１とシールド部４との寸法関係（Ｈ／Ｗ）も上記と同様である。
シールド部４は、図４に示す配線４２，４３からの距離（離間距離）Ｗと、高さ（厚さ）Ｈとの比（Ｈ／Ｗ）が、１〜２０になるように形成されるのが好ましい。シールド部４は、Ｈ／Ｗが１より小さいと、配線４２，４３間の寄生容量を低減する機能（シールド効果）が弱まり、Ｈ／Ｗが２０より大きいと、エッチングなどによる製造時間が長くなり、生産性が低下する虞がある。
本実施形態では、好適な一例として、Ｈ／Ｗが６．２５（Ｈ：２５μｍ、Ｗ：４μｍ）に設定されている。
なお、図４における配線４２，４３とシールド部４との段差は、実際にはＨ／Ｗに関して寸法的に無視できるレベルである。
なお、配線４１とシールド部４との寸法関係（Ｈ／Ｗ）も上記と同様である。
シールド部４は、センサー素子３の固定電極指３８１〜３８８，３９１〜３９８と干渉しない位置に設けられている。本実施形態では、シールド部４は、固定電極指３８１〜３８８の左側部分と右側部分とに分割されている。
シールド部４の左側部分は、固定電極指３８１の左側（−Ｘ方向側）から−Ｘ方向に延在し、配線４１及び配線４２に沿って−Ｙ方向へ屈曲し、蓋部材５の内壁の近傍まで設けられ、更に蓋部材５の内壁に沿って配線４２と配線４３との間にも設けられている。
一方、シールド部４の右側部分は、固定電極指３８８の右側（＋Ｘ方向側）から＋Ｘ方向に延在し、配線４１及び配線４２に沿って−Ｙ方向へ屈曲後−Ｘ方向へ屈曲し、固定電極指３９８の近傍まで設けられている。
シールド部４は、配線４１〜４３とは電気的に独立しており、図示しない配線を介して、配線４１〜４３とは異なる電位（例えば、ＧＮＤ）になるように構成されている。なお、シールド部４と配線との接続構造は、固定電極指３８１〜３８８，３９１〜３９８と配線４１，４２との接続構造に準じる。
シールド部４の左側部分は、固定電極指３８１の左側（−Ｘ方向側）から−Ｘ方向に延在し、配線４１及び配線４２に沿って−Ｙ方向へ屈曲し、蓋部材５の内壁の近傍まで設けられ、更に蓋部材５の内壁に沿って配線４２と配線４３との間にも設けられている。
一方、シールド部４の右側部分は、固定電極指３８８の右側（＋Ｘ方向側）から＋Ｘ方向に延在し、配線４１及び配線４２に沿って−Ｙ方向へ屈曲後−Ｘ方向へ屈曲し、固定電極指３９８の近傍まで設けられている。
シールド部４は、配線４１〜４３とは電気的に独立しており、図示しない配線を介して、配線４１〜４３とは異なる電位（例えば、ＧＮＤ）になるように構成されている。なお、シールド部４と配線との接続構造は、固定電極指３８１〜３８８，３９１〜３９８と配線４１，４２との接続構造に準じる。
シールド部４の構成材料としては、半導体または導体であれば、特に限定されず、各種材料を用いることができるが、例えば、シリコン、ＩＴＯ、ＩＺＯ、Ｉｎ3Ｏ3、ＳｎＯ2、Ｓｂ含有ＳｎＯ2、Ａｌ含有ＺｎＯなどの酸化物（透明電極材料）、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌまたはこれらを含む合金などが挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
なお、シールド部４の構成材料にシリコンを用いる場合には、リン、ボロンなどの不純物がドープされていることが好ましい。これにより、物理量センサー１は、シールド部４の導電性を優れたものとすることができる。
なお、シールド部４の構成材料は、固定電極部３８，３９（センサー素子３）と同一材料とすることが好ましい。これにより、物理量センサー１は、例えば、一枚のシリコン基板からシールド部４と固定電極部３８，３９（センサー素子３）とを、フォトリソグラフィー技術やエッチング技術を用いて一括して形成することができ、陽極接合によりシールド部４をベース基板２に接合することができる。
なお、シールド部４の構成材料としては、配線４１，４２間、配線４２，４３間の寄生容量を低減できるものであれば、半導体または導体に限定されない。
なお、シールド部４の構成材料は、固定電極部３８，３９（センサー素子３）と同一材料とすることが好ましい。これにより、物理量センサー１は、例えば、一枚のシリコン基板からシールド部４と固定電極部３８，３９（センサー素子３）とを、フォトリソグラフィー技術やエッチング技術を用いて一括して形成することができ、陽極接合によりシールド部４をベース基板２に接合することができる。
なお、シールド部４の構成材料としては、配線４１，４２間、配線４２，４３間の寄生容量を低減できるものであれば、半導体または導体に限定されない。
蓋部材５は、前述したセンサー素子３及びシールド部４を保護する機能を有する。
蓋部材５は、板状をなし、その一方の面（下面）に凹部５１が設けられている。この凹部５１は、センサー素子３の可動部３３及び可動電極部３６，３７などの変位が可能なようにセンサー素子３との間、及びシールド部４との間に空隙を設けて形成されている。
蓋部材５は、板状をなし、その一方の面（下面）に凹部５１が設けられている。この凹部５１は、センサー素子３の可動部３３及び可動電極部３６，３７などの変位が可能なようにセンサー素子３との間、及びシールド部４との間に空隙を設けて形成されている。
そして、蓋部材５の下面は、前述したベース基板２の主面２ａに接合されている。蓋部材５とベース基板２との接合方法としては、特に限定されず、例えば、接着剤を用いた接合方法、陽極接合法、直接接合法などを用いることができる。
また、蓋部材５の構成材料としては、前述したような機能を発揮し得るものであれば、特に限定されないが、例えば、シリコン材料、ガラス材料などを好適に用いることができる。
また、蓋部材５の構成材料としては、前述したような機能を発揮し得るものであれば、特に限定されないが、例えば、シリコン材料、ガラス材料などを好適に用いることができる。
次に、物理量センサー１の製造方法の一例について説明する。
図５（ａ）〜（ｅ）、図６（ｆ）〜（ｈ）、図７（ａ）〜（ｄ）は、物理量センサーの製造工程を説明する模式断面図である。
図５（ａ）〜（ｅ）、図６（ｆ）〜（ｈ）、図７（ａ）〜（ｄ）は、物理量センサーの製造工程を説明する模式断面図である。
物理量センサー１の製造方法は、配線形成工程と、絶縁膜形成工程と、接合工程と、センサー素子及びシールド部形成工程と、蓋部材接合工程と、分割工程と、を含んでいる。
なお、ここでは、複数個取りを前提として説明するが、個別に製造しても構わない。
なお、ここでは、複数個取りを前提として説明するが、個別に製造しても構わない。
［配線形成工程］
まず、図５（ａ）に示すように、後に個片化することでベース基板２となるウエハー状の基板１０２を用意する。
次に、図５（ｂ）に示すように、基板１０２の上面（主面１０２ａ）をエッチングすることにより、凹部２１〜２３を形成する。このとき、図５（ｂ）では図示しないが、凹部２４も同様に形成する。
まず、図５（ａ）に示すように、後に個片化することでベース基板２となるウエハー状の基板１０２を用意する。
次に、図５（ｂ）に示すように、基板１０２の上面（主面１０２ａ）をエッチングすることにより、凹部２１〜２３を形成する。このとき、図５（ｂ）では図示しないが、凹部２４も同様に形成する。
凹部２１〜２４の形成方法（エッチング方法）としては、特に限定されないが、例えば、プラズマエッチング、リアクティブイオンエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチングなどの物理的エッチング法、ウェットエッチングなどの化学的エッチング法などのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。なお、以下の各工程におけるエッチングにおいても、同様の方法を用いることができる。
また、上述したようなエッチングに際しては、例えば、フォトリソグラフィー法により形成されたマスクを好適に用いることができる。また、マスク形成、エッチング、マスク除去を複数回繰り返し、凹部２１と凹部２２〜２４とを順に形成することができる。そして、このマスクは、エッチング後に、除去される。このマスクの除去方法としては、例えば、マスクがレジスト材料で構成される場合には、レジスト剥離液、マスクが金属材料で構成される場合には、リン酸溶液のようなメタル剥離液などを用いることができる。
なお、マスクとして、例えば、グレースケールマスクを用いることにより、凹部２１と凹部２２〜２４と（深さの異なる複数の凹部）を一括形成してもよい。
なお、マスクとして、例えば、グレースケールマスクを用いることにより、凹部２１と凹部２２〜２４と（深さの異なる複数の凹部）を一括形成してもよい。
次に、図５（ｃ）に示すように、基板１０２に配線４１〜４３、突起部４７１，４７２，４８１，４８２，５０を形成する。
以下、図７に基づき、配線４１〜４３、突起部４７１，４７２，４８１，４８２，５０の形成について詳述する。
まず、図７（ａ）に示すように、凹部２２内に配線４１を形成するとともに、凹部２３内に配線４２を形成する。このとき、図７では図示しないが、凹部２４内に配線４３を配線４１，４２と一括して形成する。
以下、図７に基づき、配線４１〜４３、突起部４７１，４７２，４８１，４８２，５０の形成について詳述する。
まず、図７（ａ）に示すように、凹部２２内に配線４１を形成するとともに、凹部２３内に配線４２を形成する。このとき、図７では図示しないが、凹部２４内に配線４３を配線４１，４２と一括して形成する。
そして、図７（ｂ）に示すように、配線４１に複数の突起部４８１，４８２を形成（成膜）し、配線４２に複数の突起部４７１，４７２を形成する。このとき、図７（ｂ）では図示しないが、配線４１に電極４４を形成し、配線４２に電極４５を形成し、配線４３に突起部５０及び電極４６を形成する。
配線４１〜４３、突起部４７１，４７２，４８１，４８２，５０の形成方法（成膜方法）としては、特に限定されないが、例えば、真空蒸着、スパッタリング（低温スパッタリング）、イオンプレーティングなどの乾式メッキ法、電解メッキ、無電解メッキなどの湿式メッキ法、溶射法、薄膜接合法などが挙げられる。なお、以下の各工程における成膜においても、同様の方法を用いることができる。
なお、基板１０２には、絶縁性を有する絶縁性基板を用いることが好ましく、絶縁性基板として透明基板を用いることがより好ましい。具体的には、基板１０２には、アルカリ金属イオン（可動イオン）を含むガラス材料（例えば、パイレックス（登録商標）ガラスのような硼珪酸ガラス）を用いたガラス基板を用いることが好ましい。
また、配線４１〜４３の構成材料としては、透明電極材料（特にＩＴＯ）を用いることが好ましい。
また、配線４１〜４３の構成材料としては、透明電極材料（特にＩＴＯ）を用いることが好ましい。
［絶縁膜形成工程］
次に、図７（ｃ）に示すように、配線４１，４２などを覆うように、基板１０２の主面１０２ａに絶縁膜１０６を形成（成膜）する。ここで、絶縁膜１０６は、後述する個片化を経て絶縁膜６となるものである。
次に、図７（ｄ）に示すように、絶縁膜１０６の突起部４７１，４７２，４８１，４８２を覆っている部分を除去する。また、図７（ｄ）では図示しないが、絶縁膜１０６の突起部５０及び電極４４〜４６を覆っている部分も除去する。これにより、突起部４７１，４７２，４８１，４８２，５０及び電極４４〜４６を露出させる。
なお、この際、突起部４７１，４７２，４８１，４８２，５０の上面は、絶縁膜１０６の上面と殆ど段差がない状態になっている。
次に、図７（ｃ）に示すように、配線４１，４２などを覆うように、基板１０２の主面１０２ａに絶縁膜１０６を形成（成膜）する。ここで、絶縁膜１０６は、後述する個片化を経て絶縁膜６となるものである。
次に、図７（ｄ）に示すように、絶縁膜１０６の突起部４７１，４７２，４８１，４８２を覆っている部分を除去する。また、図７（ｄ）では図示しないが、絶縁膜１０６の突起部５０及び電極４４〜４６を覆っている部分も除去する。これにより、突起部４７１，４７２，４８１，４８２，５０及び電極４４〜４６を露出させる。
なお、この際、突起部４７１，４７２，４８１，４８２，５０の上面は、絶縁膜１０６の上面と殆ど段差がない状態になっている。
［接合工程］
図５に戻って、次に、図５（ｄ）に示すように、後に複数のセンサー素子３及びシールド部４となるウエハー状のセンサー基板１０３を用意し、基板１０２の主面１０２ａにセンサー基板１０３を接合する。これにより、センサー基板１０３と突起部４７１，４７２，４８１，４８２とが接続される。このとき、図５（ｄ）では図示しないが、センサー基板１０３と突起部５０とが同様に接続される。
なお、基板１０２とセンサー基板１０３との接合には、陽極接合法を用いることが好ましい。
図５に戻って、次に、図５（ｄ）に示すように、後に複数のセンサー素子３及びシールド部４となるウエハー状のセンサー基板１０３を用意し、基板１０２の主面１０２ａにセンサー基板１０３を接合する。これにより、センサー基板１０３と突起部４７１，４７２，４８１，４８２とが接続される。このとき、図５（ｄ）では図示しないが、センサー基板１０３と突起部５０とが同様に接続される。
なお、基板１０２とセンサー基板１０３との接合には、陽極接合法を用いることが好ましい。
ここで、センサー基板１０３は、センサー素子３の厚さより厚くしておくことが好ましい。これにより、センサー基板１０３の取り扱い性を向上させることができる（例えば、搬送時、段取り時などにおける破損低減など）。なお、センサー基板１０３の厚さは、当初からセンサー素子３の厚さと同じであってもよい。
なお、センサー基板１０３には、半導体基板であるシリコン基板を用いることが好ましく、突起部４７１，４７２，４８１，４８２，５０の構成材料としては、Ａｕを用いることが、接触抵抗を小さくする上で好ましい。
なお、センサー基板１０３には、半導体基板であるシリコン基板を用いることが好ましく、突起部４７１，４７２，４８１，４８２，５０の構成材料としては、Ａｕを用いることが、接触抵抗を小さくする上で好ましい。
次に、図５（ｅ）に示すように、センサー基板１０３をセンサー素子３の厚さまで肉薄化する。肉薄化の方法は、特に限定されないが、例えば、ＣＭＰ法、ドライポリッシュ法を好適に用いることができる。
なお、センサー基板１０３の厚さが、当初からセンサー素子３の厚さと同じであれば、この肉薄化は必要ない。
なお、センサー基板１０３の厚さが、当初からセンサー素子３の厚さと同じであれば、この肉薄化は必要ない。
［センサー素子及びシールド部形成工程］
次に、図６（ｆ）に示すように、センサー基板１０３をエッチングすることによりセンサー素子３及びシールド部４（図４参照）を形成する。
なお、シールド部４は、配線４１〜４３、電極４４〜４６及び突起部４７１，４７２，４８１，４８２，５０と同様の形成方法により形成された図示しない配線及び突起部を介して、基板１０２上に設けられた図示しない電極と電気的に接続されている。
次に、図６（ｆ）に示すように、センサー基板１０３をエッチングすることによりセンサー素子３及びシールド部４（図４参照）を形成する。
なお、シールド部４は、配線４１〜４３、電極４４〜４６及び突起部４７１，４７２，４８１，４８２，５０と同様の形成方法により形成された図示しない配線及び突起部を介して、基板１０２上に設けられた図示しない電極と電気的に接続されている。
［蓋部材接合工程］
次に、図６（ｇ）に示すように、基板１０２の主面１０２ａに、複数の凹部５１を有し個片化することにより蓋部材５となるウエハー状の基板１０５を接合する。これにより、基板１０２と基板１０５とで各センサー素子３及び各シールド部４を各凹部５１内に収容する。
なお、基板１０２と基板１０５との接合方法としては、特に限定されず、例えば、接着剤を用いた接合方法、陽極接合法、直接接合法などを用いることができる。
次に、図６（ｇ）に示すように、基板１０２の主面１０２ａに、複数の凹部５１を有し個片化することにより蓋部材５となるウエハー状の基板１０５を接合する。これにより、基板１０２と基板１０５とで各センサー素子３及び各シールド部４を各凹部５１内に収容する。
なお、基板１０２と基板１０５との接合方法としては、特に限定されず、例えば、接着剤を用いた接合方法、陽極接合法、直接接合法などを用いることができる。
［分割工程］
次に、図６（ｈ）に示すように、センサー素子３を収容し一体となった基板１０２及び基板１０５を、図示しない分割装置（ダイシング装置）などを用いてセンサー素子３及びシールド部４毎の個片に分割することにより、物理量センサー１を得る。
なお、分割により、基板１０２はベース基板２となり、基板１０５は蓋部材５となる。
次に、図６（ｈ）に示すように、センサー素子３を収容し一体となった基板１０２及び基板１０５を、図示しない分割装置（ダイシング装置）などを用いてセンサー素子３及びシールド部４毎の個片に分割することにより、物理量センサー１を得る。
なお、分割により、基板１０２はベース基板２となり、基板１０５は蓋部材５となる。
上述したように、本実施形態の物理量センサー１は、第１固定電極指（第１固定電極部）３８２，３８４，３８６，３８８，３９２，３９４，３９６，３９８が、ベース基板２の主面２ａ側に設けられた配線４１に接続され、第２固定電極指（第２固定電極部）３８１，３８３，３８５，３８７，３９１，３９３，３９５，３９７が、ベース基板２の主面２ａ側に設けられた配線４２に接続されている。加えて、物理量センサー１は、可動電極部３６，３７が可動部３３を介して、ベース基板２の主面２ａ側に設けられた配線４３に接続されている。
そして、物理量センサー１は、配線４１と配線４２との間、及び配線４２と配線４３との間の一部に、配線４１と配線４２、及び配線４２と配線４３とを隔てるシールド部４が設けられている。
これにより、物理量センサー１は、物理量検出時における配線４１と配線４２との間、及び配線４２と配線４３との間の寄生容量が、シールド部４によって低減されることから、検出した静電容量値と本来の静電容量値との誤差を少なくすることができる。
したがって、物理量センサー１は、検出精度などの検出特性を向上させることができる。この結果、物理量センサー１は、物理量検出における信頼性を向上させることが可能となる。
そして、物理量センサー１は、配線４１と配線４２との間、及び配線４２と配線４３との間の一部に、配線４１と配線４２、及び配線４２と配線４３とを隔てるシールド部４が設けられている。
これにより、物理量センサー１は、物理量検出時における配線４１と配線４２との間、及び配線４２と配線４３との間の寄生容量が、シールド部４によって低減されることから、検出した静電容量値と本来の静電容量値との誤差を少なくすることができる。
したがって、物理量センサー１は、検出精度などの検出特性を向上させることができる。この結果、物理量センサー１は、物理量検出における信頼性を向上させることが可能となる。
また、物理量センサー１は、シールド部４にシリコンなどの半導体またはＩＴＯ、ＩＺＯ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌなどの導体を構成材料として用いていることから、物理量検出時における配線４１と配線４２との間、及び配線４２と配線４３との間の寄生容量を確実に低減することができる。
また、物理量センサー１は、ベース基板２の主面２ａに凹部２２〜２４が設けられ、凹部２２〜２４内に配線４１〜４３が設けられたことから、配線４１〜４３のベース基板２の主面２ａからの突出を回避することができる。
この結果、物理量センサー１は、配線４１〜４３と非接続部材（例えば、配線４１であれば第２固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７，３９１，３９３，３９５，３９７、配線４２であれば第１固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８，３９２，３９４，３９６，３９８）との短絡を回避することが可能となる。
また、物理量センサー１は、凹部２２〜２４によって配線４１と配線４２、配線４２と配線４３とを更に隔てることが可能なことから、物理量検出時における配線４１と配線４２との間、及び配線４２と配線４３との間の寄生容量を更に低減することができる。
この結果、物理量センサー１は、配線４１〜４３と非接続部材（例えば、配線４１であれば第２固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７，３９１，３９３，３９５，３９７、配線４２であれば第１固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８，３９２，３９４，３９６，３９８）との短絡を回避することが可能となる。
また、物理量センサー１は、凹部２２〜２４によって配線４１と配線４２、配線４２と配線４３とを更に隔てることが可能なことから、物理量検出時における配線４１と配線４２との間、及び配線４２と配線４３との間の寄生容量を更に低減することができる。
また、物理量センサー１は、ベース基板２が硼珪酸ガラスなどの絶縁性を有する材料（絶縁材料）で構成され、センサー素子３がシリコンなどの半導体材料で構成されたことから、ベース基板２とセンサー素子３との絶縁分離を確実に行うことができる。
また、物理量センサー１は、シールド部４がセンサー素子３と同一材料（例えば、シリコン）で構成されたことから、フォトリソグラフィー技術やエッチング技術を用いて、例えば、一枚のシリコン基板からシールド部４とセンサー素子３とを一括して形成することができる。
この結果、物理量センサー１は、シールド部４とセンサー素子３との材料が異なる場合と比較して、生産性を向上させることが可能となる。
この結果、物理量センサー１は、シールド部４とセンサー素子３との材料が異なる場合と比較して、生産性を向上させることが可能となる。
（電子機器）
次に、上記実施形態及び変形例の物理量センサーを備えた電子機器について説明する。
図８は、物理量センサーを備えた電子機器としてのモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。
図８に示すように、パーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部１００を有する表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このようなパーソナルコンピューター１１００には、物理量センサー１が内蔵されている。
次に、上記実施形態及び変形例の物理量センサーを備えた電子機器について説明する。
図８は、物理量センサーを備えた電子機器としてのモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。
図８に示すように、パーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部１００を有する表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このようなパーソナルコンピューター１１００には、物理量センサー１が内蔵されている。
図９は、物理量センサーを備えた電子機器としての携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
図９に示すように、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４及び送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部１００が配置されている。
このような携帯電話機１２００には、物理量センサー１が内蔵されている。
図９に示すように、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４及び送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部１００が配置されている。
このような携帯電話機１２００には、物理量センサー１が内蔵されている。
図１０は、物理量センサーを備えた電子機器としてのデジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図１０には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、デジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
デジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面（図中手前側）には、表示部１３１０が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部１３１０は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。
また、ケース１３０２の正面側（図中奥側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、デジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
デジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面（図中手前側）には、表示部１３１０が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部１３１０は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。
また、ケース１３０２の正面側（図中奥側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部１３１０に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリー１３０８に転送・格納される。
また、このデジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、ビデオ信号出力端子１３１２には、テレビモニター１４３０が、データ通信用の入出力端子１３１４には、パーソナルコンピューター１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。更に、所定の操作により、メモリー１３０８に格納された撮像信号が、テレビモニター１４３０や、パーソナルコンピューター１４４０に出力される構成になっている。
このようなデジタルスチルカメラ１３００には、物理量センサー１が内蔵されている。
また、このデジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、ビデオ信号出力端子１３１２には、テレビモニター１４３０が、データ通信用の入出力端子１３１４には、パーソナルコンピューター１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。更に、所定の操作により、メモリー１３０８に格納された撮像信号が、テレビモニター１４３０や、パーソナルコンピューター１４４０に出力される構成になっている。
このようなデジタルスチルカメラ１３００には、物理量センサー１が内蔵されている。
このような電子機器は、高精度化され信頼性に優れた物理量センサー１を備えたことから、優れた性能を発揮することができる。
なお、上記物理量センサーを備えた電子機器は、図８のパーソナルコンピューター（モバイル型パーソナルコンピューター）、図９の携帯電話機、図１０のデジタルスチルカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンター）、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、各種ナビゲーション装置、ページャー、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば、電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーターなどに適用することができる。
なお、上記物理量センサーを備えた電子機器は、図８のパーソナルコンピューター（モバイル型パーソナルコンピューター）、図９の携帯電話機、図１０のデジタルスチルカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンター）、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、各種ナビゲーション装置、ページャー、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば、電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーターなどに適用することができる。
以上、本発明の物理量センサー及び電子機器について図示の実施形態及び変形例に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものでない。
例えば、固定電極部は、櫛歯状をなすように並ぶ複数の固定電極指の少なくとも１つの固定電極指がその他の固定電極指に対して絶縁性を有する基板上で分離していれば、前述した実施形態及び変形例に限定されない。
例えば、固定電極部は、櫛歯状をなすように並ぶ複数の固定電極指の少なくとも１つの固定電極指がその他の固定電極指に対して絶縁性を有する基板上で分離していれば、前述した実施形態及び変形例に限定されない。
また、固定電極部の複数の固定電極指と、これに噛み合うように設けられた可動電極部の複数の可動電極指との本数、配置及び大きさなどの形態は、前述した実施形態及び変形例に限定されない。
また、可動部は、Ｙ軸方向に変位させるように構成してもよいし、Ｘ軸に平行な軸線まわりに回動させるように構成してもよい。この場合は、可動電極指と固定電極指との対向面積の変化による静電容量変化に基づいて物理量を検出すればよい。
また、可動部は、Ｙ軸方向に変位させるように構成してもよいし、Ｘ軸に平行な軸線まわりに回動させるように構成してもよい。この場合は、可動電極指と固定電極指との対向面積の変化による静電容量変化に基づいて物理量を検出すればよい。
１…物理量センサー、２…基板としてのベース基板、２ａ…主面、３…センサー素子、４…シールド部、５…蓋部材、６…絶縁膜、２１〜２４…凹部、３１，３２…固定部、３３…可動部、３４，３５…連結部、３６，３７…可動電極部、３８，３９…固定電極部、４１…固定電極用配線の第１配線としての配線、４２…固定電極用配線の第２配線としての配線、４３…可動電極用配線としての配線、４４〜４６…電極、５０…突起部、５１…凹部、３４１，３４２，３５１，３５２…梁、３６１〜３６５，３７１〜３７５…可動電極指、３８１〜３８８，３９１〜３９８…固定電極指（３８２，３８４，３８６，３８８，３９２，３９４，３９６，３９８…第１固定電極部としての第１固定電極指、３８１，３８３，３８５，３８７，３９１，３９３，３９５，３９７…第２固定電極部としての第２固定電極指）、４７１，４７２，４８１，４８２…突起部。
Claims (6)
- 基板と、
前記基板の上方に支持されている可動部と、
前記可動部に設けられている可動電極部と、
前記基板の主面に設けられ、且つ、前記可動電極部に対向して配置されている固定電極部と、
前記基板の前記主面に設けられた第１凹部および第２凹部と、を備え、
前記固定電極部は、前記第１凹部の内部に設けられている固定電極用配線に接続され、
前記可動電極部は、前記可動部を介して、前記第２凹部の内部に設けられている可動電極用配線に接続され、
前記固定電極用配線と前記可動電極用配線との間の少なくとも一部には、シールド部が設けられ、
前記第１凹部の深さ寸法は、前記固定電極用配線の厚さ寸法よりも大きく、
前記第２凹部の深さ寸法は、前記可動電極用配線の厚さ寸法よりも大きいことを特徴とする物理量センサー。 - 請求項１に記載の物理量センサーにおいて、
前記固定電極用配線と前記可動電極用配線の並び方向における前記固定電極用配線と前記シールド部の離間距離および前記可動電極用配線と前記シールド部の離間距離をＷとし、前記シールド部の厚さをＨとしたとき、Ｈ／Ｗが１〜２０の範囲内にあることを特徴とする物理量センサー。 - 請求項１または請求項２に記載の物理量センサーにおいて、
前記固定電極部は、前記可動電極部の一方の側に配置された第１固定電極部と、他方の側に配置された第２固定電極部と、を有し、
前記固定電極用配線は、第１配線と第２配線とを含み、
前記第１固定電極部は、前記第１配線に接続され、
前記第２固定電極部は、前記第２配線に接続され、
前記第１配線及び前記第２配線の間の少なくとも一部には、前記シールド部が設けられていることを特徴とする物理量センサー。 - 請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の物理量センサーにおいて、
前記基板は、絶縁材料が用いられ、
前記可動部、前記可動電極部、及び前記固定電極部は、半導体材料が用いられていることを特徴とする物理量センサー。 - 請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の物理量センサーにおいて、
前記シールド部は、前記可動部、前記可動電極部、及び前記固定電極部と同一材料が用いられていることを特徴とする物理量センサー。 - 請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載の物理量センサーを備えたことを特徴とする電子機器。
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