JP2014049455A - 電子部品、電子部品の製造方法および電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】小型化を図るとともに、機能素子を収納する気密性の高い空間を容易に形成することができる電子部品およびその製造方法を提供すること、および、かかる電子部品を備える信頼性に優れた電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の電子部品１は、ベース基板２と、蓋体３と、ベース基板２と蓋体３との間に形成されている空間Ｓ内に配置されている機能素子４と、配線５１と、端子６１と、を備え、ベース基板２の機能素子４側の面には、配線５１が配置されている溝２２が設けられ、蓋体３には、平面視にて溝２２に重なる位置に、貫通孔３２が設けられ、貫通孔３２の内壁面には、配線５１に電気的に接続されている金属層７１が設けられ、端子６１は、蓋体３の外表面に設けられ、金属層７１を介して配線５１に電気的に接続され、貫通孔３２内には、封止材８１が充填されている。
【選択図】図２
【解決手段】本発明の電子部品１は、ベース基板２と、蓋体３と、ベース基板２と蓋体３との間に形成されている空間Ｓ内に配置されている機能素子４と、配線５１と、端子６１と、を備え、ベース基板２の機能素子４側の面には、配線５１が配置されている溝２２が設けられ、蓋体３には、平面視にて溝２２に重なる位置に、貫通孔３２が設けられ、貫通孔３２の内壁面には、配線５１に電気的に接続されている金属層７１が設けられ、端子６１は、蓋体３の外表面に設けられ、金属層７１を介して配線５１に電気的に接続され、貫通孔３２内には、封止材８１が充填されている。
【選択図】図２
Description
本発明は、電子部品、電子部品の製造方法および電子機器に関するものである。
加速度センサー、ジャイロセンサー、発振子等の機能素子をパッケージ内に収納した電子部品が知られている（例えば、特許文献１参照）。
かかる電子部品のパッケージは、例えば、ベース基板と、ベース基板に接合された蓋体とを有し、これらの間に機能素子を収納する空間を形成する。
このような電子部品は、機能素子に電気的に接続された配線をパッケージの内側から外側に引き出す必要がある。
かかる電子部品のパッケージは、例えば、ベース基板と、ベース基板に接合された蓋体とを有し、これらの間に機能素子を収納する空間を形成する。
このような電子部品は、機能素子に電気的に接続された配線をパッケージの内側から外側に引き出す必要がある。
例えば、特許文献１に記載の電子部品では、機能素子に電気的に接続された配線が、パッケージの内側から、ベース基板と蓋体との接合部を横断して、パッケージの外側に引き出され、ベース基板の蓋体側の面上に設けられた端子に接続されている。
このような従来の電子部品では、配線がベース基板と蓋体との接合部を横断して配置されているため、気密性の高いパッケージを容易に得ることができないという問題があった。
また、ベース基板の蓋体側の面上に端子を設置する部分を確保する必要があるため、平面視にてベース基板が蓋体よりも大きくなってしまう。そのため、パッケージの大型化、ひいては電子部品の大型化を招くという問題もあった。
このような従来の電子部品では、配線がベース基板と蓋体との接合部を横断して配置されているため、気密性の高いパッケージを容易に得ることができないという問題があった。
また、ベース基板の蓋体側の面上に端子を設置する部分を確保する必要があるため、平面視にてベース基板が蓋体よりも大きくなってしまう。そのため、パッケージの大型化、ひいては電子部品の大型化を招くという問題もあった。
本発明の目的は、小型化を図るとともに、機能素子を収納する気密性の高い空間を容易に形成することができる電子部品およびその製造方法を提供すること、および、かかる電子部品を備える信頼性に優れた電子機器を提供することにある。
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
［適用例１］
本発明の電子部品は、第１面に溝を備えたベース基板と、
前記ベース基板の前記第１面側に配置されている蓋体と、
前記ベース基板と前記蓋体とで形成される空間内に配置されている機能素子と、
前記機能素子に電気的に接続され、前記溝内に設けられた配線と、
前記配線に電気的に接続され、前記蓋体の外表面に設けられた端子と、を備え、
前記蓋体には、前記ベース基板の厚さ方向からみた平面視にて前記配線に重なる位置に、貫通孔が設けられ、
前記貫通孔の内壁面には、前記配線に電気的に接続されている金属層が設けられ、
前記端子は、前記金属層を介して前記配線に電気的に接続され、
前記貫通孔内には、封止材が充填されていることを特徴とする。
このように構成された電子部品によれば、小型化を図るとともに、機能素子を収納する気密性の高い空間を容易に形成することができる。
［適用例１］
本発明の電子部品は、第１面に溝を備えたベース基板と、
前記ベース基板の前記第１面側に配置されている蓋体と、
前記ベース基板と前記蓋体とで形成される空間内に配置されている機能素子と、
前記機能素子に電気的に接続され、前記溝内に設けられた配線と、
前記配線に電気的に接続され、前記蓋体の外表面に設けられた端子と、を備え、
前記蓋体には、前記ベース基板の厚さ方向からみた平面視にて前記配線に重なる位置に、貫通孔が設けられ、
前記貫通孔の内壁面には、前記配線に電気的に接続されている金属層が設けられ、
前記端子は、前記金属層を介して前記配線に電気的に接続され、
前記貫通孔内には、封止材が充填されていることを特徴とする。
このように構成された電子部品によれば、小型化を図るとともに、機能素子を収納する気密性の高い空間を容易に形成することができる。
［適用例２］
本発明の電子部品では、前記金属層は、前記溝と連通している隙間を有することが好ましい。
これにより、電子部品の製造時において、金属層の形成後かつ封止材の形成前に、ベース基板と蓋体との間における機能素子が配置された空間を隙間を介して外部に連通させることができる。そのため、金属層の形成後かつ封止材の形成前に、ベース基板と蓋体との間における機能素子が配置された空間内の雰囲気を調整することができる。
本発明の電子部品では、前記金属層は、前記溝と連通している隙間を有することが好ましい。
これにより、電子部品の製造時において、金属層の形成後かつ封止材の形成前に、ベース基板と蓋体との間における機能素子が配置された空間を隙間を介して外部に連通させることができる。そのため、金属層の形成後かつ封止材の形成前に、ベース基板と蓋体との間における機能素子が配置された空間内の雰囲気を調整することができる。
［適用例３］
本発明の電子部品では、前記蓋体は厚肉部と薄肉部とを備え、
前記貫通孔は、前記厚肉部に設けられていることが好ましい。
これにより、貫通孔の開口と溝内の配線との間の距離を小さくすることができる。そのため、電子部品の製造時において、金属層を形成する際、金属層を貫通孔の内壁面だけでなく配線上にも形成することができる。そのため、金属層と配線との電気的接続を容易に行える。
本発明の電子部品では、前記蓋体は厚肉部と薄肉部とを備え、
前記貫通孔は、前記厚肉部に設けられていることが好ましい。
これにより、貫通孔の開口と溝内の配線との間の距離を小さくすることができる。そのため、電子部品の製造時において、金属層を形成する際、金属層を貫通孔の内壁面だけでなく配線上にも形成することができる。そのため、金属層と配線との電気的接続を容易に行える。
［適用例４］
本発明の電子部品では、前記貫通孔は、前記ベース基板側に向けて横断面積が漸次減少する形状をなしていることが好ましい。
これにより、貫通孔の内壁面に気相成膜法を用いて金属層を容易に形成することができる。
本発明の電子部品では、前記貫通孔は、前記ベース基板側に向けて横断面積が漸次減少する形状をなしていることが好ましい。
これにより、貫通孔の内壁面に気相成膜法を用いて金属層を容易に形成することができる。
［適用例５］
本発明の電子部品では、前記ベース基板の構成材料は、ガラスであり、
前記蓋体の構成材料は、シリコンであり、
前記ベース基板と前記蓋体とが陽極接合されていることが好ましい。
これにより、ベース基板と蓋体とを強固に接合することができる。そのため、電子部品の信頼性（例えば耐衝撃性）を優れたものとすることができる。また、ベース基板と蓋体との接合しろを小さくすることができることから、電子部品の小型化を図ることもできる。また、ベース基板と蓋体とを気密的に接合することができることから、機能素子を収納する空間の気密性を優れたものとすることができる。
［適用例６］
本発明の電子部品では、前記ベース基板と前記蓋体との間に配置されたスペーサーをさらに備えることが好ましい。
これにより、スペーサーを介してベース基板と蓋体とを接合することができる。
本発明の電子部品では、前記ベース基板の構成材料は、ガラスであり、
前記蓋体の構成材料は、シリコンであり、
前記ベース基板と前記蓋体とが陽極接合されていることが好ましい。
これにより、ベース基板と蓋体とを強固に接合することができる。そのため、電子部品の信頼性（例えば耐衝撃性）を優れたものとすることができる。また、ベース基板と蓋体との接合しろを小さくすることができることから、電子部品の小型化を図ることもできる。また、ベース基板と蓋体とを気密的に接合することができることから、機能素子を収納する空間の気密性を優れたものとすることができる。
［適用例６］
本発明の電子部品では、前記ベース基板と前記蓋体との間に配置されたスペーサーをさらに備えることが好ましい。
これにより、スペーサーを介してベース基板と蓋体とを接合することができる。
［適用例７］
本発明の電子部品では、前記ベース基板の構成材料は、ガラスであり、
前記蓋体の構成材料は、ガラスであり、
前記スペーサーの構成材料は、シリコンであり、
前記ベース基板および前記蓋体は、それぞれ、前記スペーサーに対して陽極接合されていることが好ましい。
本発明の電子部品では、前記ベース基板の構成材料は、ガラスであり、
前記蓋体の構成材料は、ガラスであり、
前記スペーサーの構成材料は、シリコンであり、
前記ベース基板および前記蓋体は、それぞれ、前記スペーサーに対して陽極接合されていることが好ましい。
これにより、ベース基板とスペーサーとを強固に接合するとともに、蓋体とスペーサーとを強固に接合することができる。そのため、電子部品の信頼性（例えば耐衝撃性）を優れたものとすることができる。また、ベース基板とスペーサーとの接合しろ、および、蓋体とスペーサーとの接合しろをそれぞれ小さくすることができることから、電子部品の小型化を図ることもできる。また、ベース基板とスペーサーとを気密的に接合するとともに、蓋体とスペーサーとを気密的に接合することができることから、機能素子を収納する空間の気密性を優れたものとすることができる。
ここで、機能素子がシリコンで構成され、ベース基板と機能素子とを陽極接合する場合であっても、蓋体とスペーサーとの陽極接合は、一度も陽極接合に供されていない蓋体中の可動イオン（アルカリ金属イオン）を用いるものであるため、接合強度が優れたものとなる。
ここで、機能素子がシリコンで構成され、ベース基板と機能素子とを陽極接合する場合であっても、蓋体とスペーサーとの陽極接合は、一度も陽極接合に供されていない蓋体中の可動イオン（アルカリ金属イオン）を用いるものであるため、接合強度が優れたものとなる。
［適用例８］
本発明の電子部品では、前記貫通孔の前記ベース基板側の開口部の周縁が、前記スペーサーの一部によって囲まれていることが好ましい。
これにより、貫通孔の開口と溝内の配線との間の距離を小さくした場合と同様、金属層と配線との電気的接続を容易に行える。
本発明の電子部品では、前記貫通孔の前記ベース基板側の開口部の周縁が、前記スペーサーの一部によって囲まれていることが好ましい。
これにより、貫通孔の開口と溝内の配線との間の距離を小さくした場合と同様、金属層と配線との電気的接続を容易に行える。
［適用例９］
本発明の電子部品では、前記機能素子は、シリコンで構成された構造体を有し、
前記スペーサーおよび前記構造体は、同一のシリコン基板から形成されたものであることが好ましい。
これにより、ベース基板とスペーサーとの陽極接合と同時に、ベース基板と機能素子の構造体とを陽極接合することができる。そのため、ベース基板とスペーサーとの陽極接合、および、ベース基板と機能素子の構造体との陽極接合は、それぞれ、接合強度が優れたものとなる。
本発明の電子部品では、前記機能素子は、シリコンで構成された構造体を有し、
前記スペーサーおよび前記構造体は、同一のシリコン基板から形成されたものであることが好ましい。
これにより、ベース基板とスペーサーとの陽極接合と同時に、ベース基板と機能素子の構造体とを陽極接合することができる。そのため、ベース基板とスペーサーとの陽極接合、および、ベース基板と機能素子の構造体との陽極接合は、それぞれ、接合強度が優れたものとなる。
［適用例１０］
本発明の電子部品の製造方法は、第１面に溝が設けられた第１基板を用意し、前記溝内に配線を形成し、前記第１基板の前記第１面側に、前記配線に電気的に接続される機能素子を設ける工程と、
前記第１基板の前記第１面に、貫通孔が設けられた第２基板を、前記貫通孔が前記第１基板の厚さ方向からみた平面視にて前記溝に重なるように接合して、前記第１基板と前記第２基板との間に前記機能素子を収納する空間を形成する工程と、
前記貫通孔の内壁面に、前記配線に電気的に接続される金属層を形成し、前記貫通孔内に封止材を充填する工程とを有することを特徴とする。
このような電子部品の製造方法によれば、電子部品の小型化を図るとともに、機能素子を収納する気密性の高い空間を容易に形成することができる。
本発明の電子部品の製造方法は、第１面に溝が設けられた第１基板を用意し、前記溝内に配線を形成し、前記第１基板の前記第１面側に、前記配線に電気的に接続される機能素子を設ける工程と、
前記第１基板の前記第１面に、貫通孔が設けられた第２基板を、前記貫通孔が前記第１基板の厚さ方向からみた平面視にて前記溝に重なるように接合して、前記第１基板と前記第２基板との間に前記機能素子を収納する空間を形成する工程と、
前記貫通孔の内壁面に、前記配線に電気的に接続される金属層を形成し、前記貫通孔内に封止材を充填する工程とを有することを特徴とする。
このような電子部品の製造方法によれば、電子部品の小型化を図るとともに、機能素子を収納する気密性の高い空間を容易に形成することができる。
［適用例１１］
本発明の電子部品の製造方法は、第１面に溝が設けられた第１基板を用意し、前記溝内に配線を形成し、前記第１基板の前記第１面側に、前記配線に電気的に接続される機能素子と、前記機能素子を囲むスペーサーとを設ける工程と、
前記スペーサーの前記第１基板と反対側の面に、貫通孔が設けられた第２基板を、前記貫通孔が前記第１基板の厚さ方向からみた平面視にて前記溝に重なるように接合して、前記第１基板と前記第２基板との間に前記機能素子を収納する空間を形成する工程と、
前記貫通孔の内壁面に、前記配線に電気的に接続される金属層を形成し、前記貫通孔内に封止材を充填する工程とを有することを特徴とする。
このような電子部品の製造方法によれば、電子部品の小型化を図るとともに、機能素子を収納する気密性の高い空間を容易に形成することができる。
［適用例１２］
本発明の電子機器は、本発明の電子部品を備えることを特徴とする電子機器。
このような電子機器によれば、優れた信頼性を有する。
本発明の電子部品の製造方法は、第１面に溝が設けられた第１基板を用意し、前記溝内に配線を形成し、前記第１基板の前記第１面側に、前記配線に電気的に接続される機能素子と、前記機能素子を囲むスペーサーとを設ける工程と、
前記スペーサーの前記第１基板と反対側の面に、貫通孔が設けられた第２基板を、前記貫通孔が前記第１基板の厚さ方向からみた平面視にて前記溝に重なるように接合して、前記第１基板と前記第２基板との間に前記機能素子を収納する空間を形成する工程と、
前記貫通孔の内壁面に、前記配線に電気的に接続される金属層を形成し、前記貫通孔内に封止材を充填する工程とを有することを特徴とする。
このような電子部品の製造方法によれば、電子部品の小型化を図るとともに、機能素子を収納する気密性の高い空間を容易に形成することができる。
［適用例１２］
本発明の電子機器は、本発明の電子部品を備えることを特徴とする電子機器。
このような電子機器によれば、優れた信頼性を有する。
以下、本発明の電子部品、電子部品の製造方法および電子機器の好適な実施形態について、添付図面を参照しつつ説明する。
１．電子部品
＜第１実施形態＞
まず、本発明の第１実施形態に係る電子部品を説明する。なお、以下では、本発明の電子部品を加速度センサーに適用した場合（機能素子が加速度センサー素子である場合）を一例として説明する。
１．電子部品
＜第１実施形態＞
まず、本発明の第１実施形態に係る電子部品を説明する。なお、以下では、本発明の電子部品を加速度センサーに適用した場合（機能素子が加速度センサー素子である場合）を一例として説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る電子部品を示す平面図、図２は、図１中のＡ−Ａ線断面図、図３は、図２の部分拡大図である。
なお、図１〜図３では、説明の便宜上、互いに直交する３つの軸として、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸が図示されており、これらの軸を示す矢印の先端側を「＋」、基端側を「−」とする。また、以下では、説明の便宜上、Ｘ軸に平行な方向を「Ｘ軸方向」、Ｙ軸に平行な方向を「Ｙ軸方向」、Ｚ軸に平行な方向を「Ｚ軸方向」という。また、＋Ｚ側（図２中の上側）を「上」、−Ｚ側（図２中の下側）を「下」ともいう。
なお、図１〜図３では、説明の便宜上、互いに直交する３つの軸として、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸が図示されており、これらの軸を示す矢印の先端側を「＋」、基端側を「−」とする。また、以下では、説明の便宜上、Ｘ軸に平行な方向を「Ｘ軸方向」、Ｙ軸に平行な方向を「Ｙ軸方向」、Ｚ軸に平行な方向を「Ｚ軸方向」という。また、＋Ｚ側（図２中の上側）を「上」、−Ｚ側（図２中の下側）を「下」ともいう。
図１に示す電子部品１は、ベース基板２と、蓋体３と、機能素子４と、配線５１、５２、５３と、端子６１、６２、６３と、金属層７１、７２、７３と、封止材８１、８２、８３とを有する。
この電子部品１では、図２に示すように、機能素子４がベース基板２に設置され、ベース基板２および蓋体３が機能素子４を収納する空間Ｓを形成するパッケージを構成する。
この電子部品１では、図２に示すように、機能素子４がベース基板２に設置され、ベース基板２および蓋体３が機能素子４を収納する空間Ｓを形成するパッケージを構成する。
ここで、蓋体３には、図１に示すように、貫通孔３２、３３、３４が形成されており、貫通孔３２、３３、３４には、封止材８１、８２、８３が充填され、これにより、貫通孔３２、３３、３４が封止されている。
また、端子６１、６２、６３は、蓋体３の外表面に設けられ、配線５１、５２、５３および金属層７１、７２、７３を介して機能素子４に電気的に接続されている。
また、端子６１、６２、６３は、蓋体３の外表面に設けられ、配線５１、５２、５３および金属層７１、７２、７３を介して機能素子４に電気的に接続されている。
以下、電子部品１を構成する各部を順次詳細に説明する。
（ベース基板）
ベース基板２（基体）は、機能素子４を支持する機能を有する。
このベース基板２は、板状をなし、その上面（第１面）には、図２に示すように、凹部２１が設けられている。この凹部２１は、図１に示すように、ベース基板２の厚さ方向（すなわちＺ軸方向）からみた平面視（以下、単に「平面視」ともいう）にて、後述する機能素子４の可動部４３、連結部４４、４５および可動電極部４６を包含するように形成されている。このような凹部２１は、機能素子４の可動部４３、連結部４４、４５および可動電極部４６がベース基板２に接触するのを防止する逃げ部を構成する。これにより、機能素子４の可動部４３および可動電極部４６の所望の変位を許容することができる。
なお、凹部２１の平面視形状は、図示では四角形（具体的には長方形）であるが、これに限定されるものではない。
（ベース基板）
ベース基板２（基体）は、機能素子４を支持する機能を有する。
このベース基板２は、板状をなし、その上面（第１面）には、図２に示すように、凹部２１が設けられている。この凹部２１は、図１に示すように、ベース基板２の厚さ方向（すなわちＺ軸方向）からみた平面視（以下、単に「平面視」ともいう）にて、後述する機能素子４の可動部４３、連結部４４、４５および可動電極部４６を包含するように形成されている。このような凹部２１は、機能素子４の可動部４３、連結部４４、４５および可動電極部４６がベース基板２に接触するのを防止する逃げ部を構成する。これにより、機能素子４の可動部４３および可動電極部４６の所望の変位を許容することができる。
なお、凹部２１の平面視形状は、図示では四角形（具体的には長方形）であるが、これに限定されるものではない。
また、ベース基板２の上面、すなわちベース基板２の機能素子４側の面には、前述した凹部２１の外側に、溝２２、２３、２４が設けられている。
溝２２は、配線５１が配置されるものであり、配線５１の平面視形状に対応した平面視形状をなす。この溝２２は、凹部２１側からベース基板２の縁部側に向けて延びる部分を有する。本実施形態では、溝２２は、凹部２１に対して−Ｘ側にて、Ｘ軸方向に沿って延びている。
溝２２は、配線５１が配置されるものであり、配線５１の平面視形状に対応した平面視形状をなす。この溝２２は、凹部２１側からベース基板２の縁部側に向けて延びる部分を有する。本実施形態では、溝２２は、凹部２１に対して−Ｘ側にて、Ｘ軸方向に沿って延びている。
また、溝２３は、配線５２が配置されるものであり、配線５２の平面視形状に対応した平面視形状をなす。また、溝２４は、配線５３が配置されるものであり、配線５３の平面視形状に対応した平面視形状をなす。この溝２３、２４は、それぞれ、凹部２１の外周に沿って設けられた部分と、凹部２１側からベース基板２の縁部側に延びる部分とを有する。本実施形態では、この溝２３、２４は、凹部２１側からベース基板２の縁部側に延びる部分が、凹部２１に対して−Ｘ側にて、Ｘ軸方向に沿って延びている。
また、溝２２、２３、２４は、それぞれ、平面視にて、ベース基板２および蓋体３の外周縁よりも内側に位置している。これにより、機能素子４が配置された空間Ｓの気密性が溝２２、２３、２４により損なわれるのを防止することができる。
すなわち、溝２２、２３、２４は、それぞれ、平面視にて、ベース基板２と蓋体３との接合部の外周縁よりも内側に位置している。したがって、ベース基板２と蓋体３との接合部を溝２２、２３、２４が横断しない（環状の接合部の内外を跨らない）ため、かかる接合部をベース基板２および蓋体３の外周部の全周に亘って確実に形成することができる。そのため、空間Ｓの気密性を優れたものとすることができる。
すなわち、溝２２、２３、２４は、それぞれ、平面視にて、ベース基板２と蓋体３との接合部の外周縁よりも内側に位置している。したがって、ベース基板２と蓋体３との接合部を溝２２、２３、２４が横断しない（環状の接合部の内外を跨らない）ため、かかる接合部をベース基板２および蓋体３の外周部の全周に亘って確実に形成することができる。そのため、空間Ｓの気密性を優れたものとすることができる。
このようなベース基板２の構成材料としては、例えば、シリコン材料、ガラス材料等を用いることができるが、ガラス材料（アルカリ金属イオンを含む材料）を用いることが好ましい。ベース基板２がガラス材料で構成されていると、蓋体３がシリコン材料で構成されている場合、ベース基板２と蓋体３とを陽極接合することができる。また、機能素子４がシリコン材料で構成されている場合、ベース基板２と機能素子４とを陽極接合することができる。また、ベース基板２が絶縁性を有するものとなるため、ベース基板２の外表面に絶縁処理を施さなくても、配線５１、５２、５３間の短絡を防止することができる。
また、ベース基板２の構成材料は、蓋体３または機能素子４の構成材料との熱膨張係数差ができるだけ小さいのが好ましく、具体的には、ベース基板２の構成材料と蓋体３または機能素子４の構成材料との熱膨張係数差が３ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましい。これにより、ベース基板２と蓋体３または機能素子４との接合時等に高温化にさらされても、ベース基板２と蓋体３または機能素子４との間の残留応力を低減することができる。
（配線）
配線５１、５２、５３は、前述したベース基板２の上面上に設けられている。
より具体的には、配線５１は、前述したベース基板２の溝２２内に配置され、溝２２に沿って延びている。また、配線５２は、溝２３内に配置され、溝２３に沿って延びている。また、配線５３は、溝２４内に配置され、溝２４に沿って延びている。
各配線５１、５２、５３は、それぞれ、機能素子４に電気的に接続されている。
また、配線５１、５２、５３は、それぞれ、平面視にて、ベース基板２および蓋体３の外周縁よりも内側に位置している。これにより、機能素子４が配置された空間Ｓの気密性が配線５１、５２、５３により損なわれるのを防止することができる。
配線５１、５２、５３は、前述したベース基板２の上面上に設けられている。
より具体的には、配線５１は、前述したベース基板２の溝２２内に配置され、溝２２に沿って延びている。また、配線５２は、溝２３内に配置され、溝２３に沿って延びている。また、配線５３は、溝２４内に配置され、溝２４に沿って延びている。
各配線５１、５２、５３は、それぞれ、機能素子４に電気的に接続されている。
また、配線５１、５２、５３は、それぞれ、平面視にて、ベース基板２および蓋体３の外周縁よりも内側に位置している。これにより、機能素子４が配置された空間Ｓの気密性が配線５１、５２、５３により損なわれるのを防止することができる。
すなわち、配線５１、５２、５３は、それぞれ、平面視にて、ベース基板２と蓋体３との接合部の外周縁よりも内側に位置している。したがって、ベース基板２と蓋体３との接合部を配線５１、５２、５３が横断しないため、かかる接合部をベース基板２および蓋体３の外周部の全周に亘って確実に形成することができる。そのため、空間Ｓの気密性を優れたものとすることができる。
また、配線５１、５２、５３の厚さは、溝２２、２３、２４の深さよりも小さい。すなわち、溝２２、２３、２４の深さをそれぞれｄとし、配線５１、５２、５３の厚さをそれぞれｔとしたとき、ｄ＞ｔなる関係を満たす。これにより、配線５１、５２、５３が溝２２、２３、２４の外側に突出するのを防止することができる。
また、配線５１、５２、５３の厚さは、溝２２、２３、２４の深さよりも小さい。すなわち、溝２２、２３、２４の深さをそれぞれｄとし、配線５１、５２、５３の厚さをそれぞれｔとしたとき、ｄ＞ｔなる関係を満たす。これにより、配線５１、５２、５３が溝２２、２３、２４の外側に突出するのを防止することができる。
このような配線５１、５２、５３の構成材料としては、それぞれ、導電性を有するものであれば、特に限定されず、各種電極材料を用いることができるが、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、Ｉｎ３Ｏ３、ＳｎＯ２、Ｓｂ含有ＳｎＯ２、Ａｌ含有ＺｎＯ等の酸化物（透明電極材料）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）またはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
配線５１、５２、５３の構成材料が透明電極材料（特にＩＴＯ）であると、ベース基板２が透明である場合、配線５１、５２、５３上に存在する異物等をベース基板２の下面側から容易に視認することができる。
このような配線５１上には、図２に示すように、接続部５４、５５が設けられている。また、配線５２上には、図１に示すように、複数の接続部５６が設けられている。また、配線５３上には、複数の接続部５７が設けられている。
このような配線５１上には、図２に示すように、接続部５４、５５が設けられている。また、配線５２上には、図１に示すように、複数の接続部５６が設けられている。また、配線５３上には、複数の接続部５７が設けられている。
接続部５４は、配線５１と機能素子４とを接続する。また、接続部５５は、配線５１と金属層７１とを接続する。また、各接続部５６は、配線５２と機能素子４とを接続する。また、各接続部５７は、配線５３と機能素子４と接続する。
そして、接続部５４、５５、５６、５７は、それぞれ、導電性を有する。
したがって、接続部５４を介して、配線５１と機能素子４とが電気的に接続されている。また、接続部５５を介して、配線５１と金属層７１とが電気的に接続されている。また、各接続部５６を介して、配線５２と機能素子４とが電気的に接続されている。また、各接続部５７を介して、配線５３と機能素子４とが電気的に接続されている。
そして、接続部５４、５５、５６、５７は、それぞれ、導電性を有する。
したがって、接続部５４を介して、配線５１と機能素子４とが電気的に接続されている。また、接続部５５を介して、配線５１と金属層７１とが電気的に接続されている。また、各接続部５６を介して、配線５２と機能素子４とが電気的に接続されている。また、各接続部５７を介して、配線５３と機能素子４とが電気的に接続されている。
なお、図示しないが、配線５１上に設けられた接続部５５と同様、配線５２上には、金属層７２と配線５２とを電気的に接続する接続部が設けられ、配線５３上には、金属層７３と配線５３とを電気的に接続する接続部が設けられている。
このような接続部５４、５５、５６、５７の構成材料としては、それぞれ、導電性を有するものであれば、特に限定されず、各種電極材料を用いることができるが、例えば、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）等の金属単体またはこれらを含む合金等の金属が好適に用いられる。このような金属を用いて接続部５４、５５、５６、５７を構成することにより、配線５１、５２、５３と機能素子４との間の接点抵抗、配線５１と金属層７１との間の接点抵抗等を小さくすることができる。
このような接続部５４、５５、５６、５７の構成材料としては、それぞれ、導電性を有するものであれば、特に限定されず、各種電極材料を用いることができるが、例えば、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）等の金属単体またはこれらを含む合金等の金属が好適に用いられる。このような金属を用いて接続部５４、５５、５６、５７を構成することにより、配線５１、５２、５３と機能素子４との間の接点抵抗、配線５１と金属層７１との間の接点抵抗等を小さくすることができる。
また、図３に示すように、配線５１上には、前述した接続部５４、５５の形成領域とは異なる領域（接続部５４、５５の形成領域を除く領域）に、絶縁層９１が設けられている。
この絶縁層９１は、配線５１と他の部位との不本意な電気的接続（短絡）を防止する。
なお、図示しないが、配線５１上に設けられた絶縁層９１と同様、配線５２上には、接続部５６と異なる領域に、絶縁層が設けられ、配線５３上には、接続部５７と異なる領域に、絶縁層が設けられている。
この絶縁層９１は、配線５１と他の部位との不本意な電気的接続（短絡）を防止する。
なお、図示しないが、配線５１上に設けられた絶縁層９１と同様、配線５２上には、接続部５６と異なる領域に、絶縁層が設けられ、配線５３上には、接続部５７と異なる領域に、絶縁層が設けられている。
また、絶縁層９１は、蓋体３の下面の外周部（凹部３１よりも外側の部分）との間に隙間Ｓ１を形成するように厚さが設定されている。この隙間Ｓ１は、前述した空間Ｓに連通している。また、隙間Ｓ１は、後述する電子部品１の製造時における封止材８１による貫通孔３２の封止前の状態において、貫通孔３２を介して外部に連通する。したがって、電子部品１の製造時に、この隙間Ｓ１を介して、空間Ｓ内を減圧したり、空間Ｓ内に不活性ガスを充填したりすることができる。
なお、絶縁層９１と蓋体３の下面の外周部との間に隙間が形成されていなくても、配線５１の幅を溝２２の幅よりも小さくすることによって、配線５１の側面と溝２２の側面との間に前述した隙間Ｓ１と同様の機能を有する隙間を形成することもできる。
このような絶縁層９１の構成材料としては、特に限定されず、絶縁性を有する各種材料を用いることができ、例えば、絶縁層９１は、シリコン酸化膜で構成することができる。
なお、絶縁層９１は、溝２２の深さや幅等によっては、省略することができる。この場合、配線５１と蓋体３の下面との間に隙間Ｓ１を形成することができる。
このような絶縁層９１の構成材料としては、特に限定されず、絶縁性を有する各種材料を用いることができ、例えば、絶縁層９１は、シリコン酸化膜で構成することができる。
なお、絶縁層９１は、溝２２の深さや幅等によっては、省略することができる。この場合、配線５１と蓋体３の下面との間に隙間Ｓ１を形成することができる。
（機能素子）
機能素子４は、前述したベース基板２と蓋体３との間に形成されている空間Ｓ内に配置されている。
この機能素子４は、固定部４１、４２と、可動部４３と、１対の連結部４４および１対の連結部４５と、複数の可動電極部４６と、複数の固定電極部４７および複数の固定電極部４８とを有する。
機能素子４は、前述したベース基板２と蓋体３との間に形成されている空間Ｓ内に配置されている。
この機能素子４は、固定部４１、４２と、可動部４３と、１対の連結部４４および１対の連結部４５と、複数の可動電極部４６と、複数の固定電極部４７および複数の固定電極部４８とを有する。
この機能素子４では、Ｘ軸方向での加速度の変化に応じて、可動部４３が、連結部４４、４５を弾性変形させながら、Ｘ軸方向（＋Ｘ方向または−Ｘ方向）に変位する。このような変位に伴って、可動電極部４６と固定電極部４７との間の隙間、および、可動電極部４６と固定電極部４８との間の隙間の大きさがそれぞれ変化する。そのため、このような変位に伴って、可動電極部４６と固定電極部４７との間の静電容量、および、可動電極部４６と固定電極部４８との間の静電容量の大きさがそれぞれ変化する。したがって、これらの静電容量に基づいて、Ｘ軸方向での加速度を検出することできる。
以下、機能素子４の各部を順次詳細に説明する。
固定部４１、４２は、それぞれ、前述したベース基板２の上面に接合されている。より具体的には、固定部４１は、ベース基板２の上面の凹部２１に対して−Ｘ側（図２中左側）の部分に接合され、また、固定部４２は、ベース基板２の上面の凹部２１に対して＋Ｘ側（図２中右側）の部分に接合されている。これにより、固定部４１、４２は、平面視したときに、凹部２１を跨ぐように設けられている。
固定部４１、４２は、それぞれ、前述したベース基板２の上面に接合されている。より具体的には、固定部４１は、ベース基板２の上面の凹部２１に対して−Ｘ側（図２中左側）の部分に接合され、また、固定部４２は、ベース基板２の上面の凹部２１に対して＋Ｘ側（図２中右側）の部分に接合されている。これにより、固定部４１、４２は、平面視したときに、凹部２１を跨ぐように設けられている。
また、固定部４１は、平面視にて、前述したベース基板２の溝２２の一端部（凹部２１側の端部）に重なるように設けられている。そして、固定部４１は、導電性を有する接続部５４を介して、溝２２内の配線５１に接続されている。これにより、固定部４１は、配線５１に電気的に接続されている。
可動部４３は、前述した固定部４１、４２の間に設けられている。
可動部４３は、前述した固定部４１、４２の間に設けられている。
本実施形態では、可動部４３は、Ｘ軸方向に延びる長手形状をなしている。
この可動部４３は、固定部４１に対して１対の連結部４４を介して支持されるとともに、固定部４２に対して１対の連結部４５を介して支持されている。
各連結部４４は、可動部４３と固定部４１とを連結し、各連結部４５は、可動部４３と固定部４２とを連結している。
この可動部４３は、固定部４１に対して１対の連結部４４を介して支持されるとともに、固定部４２に対して１対の連結部４５を介して支持されている。
各連結部４４は、可動部４３と固定部４１とを連結し、各連結部４５は、可動部４３と固定部４２とを連結している。
そして、各連結部４４、４５は、可動部４３が固定部４１、４２に対してＸ軸方向（＋Ｘ方向または−Ｘ方向）に変位し得るように、弾性変形可能に構成されている。
より具体的には、各連結部４４、４５は、Ｙ軸方向に蛇行しながらＸ軸方向に延びる形状をなしている。言い換えると、各連結部４４、４５は、Ｙ軸方向に複数回（本実施形態では３回）折り返された形状をなしている。なお、各連結部４４、４５の形状は、可動部４３がＸ軸方向に変位可能であれば、上述したものに限定されず、例えば、可動部４３の端部からＹ軸方向に延びる棒状であってもよい。
より具体的には、各連結部４４、４５は、Ｙ軸方向に蛇行しながらＸ軸方向に延びる形状をなしている。言い換えると、各連結部４４、４５は、Ｙ軸方向に複数回（本実施形態では３回）折り返された形状をなしている。なお、各連結部４４、４５の形状は、可動部４３がＸ軸方向に変位可能であれば、上述したものに限定されず、例えば、可動部４３の端部からＹ軸方向に延びる棒状であってもよい。
このように固定部４１、４２に対してＸ軸方向に変位可能に支持された可動部４３には、複数の可動電極部４６が接続されている。
複数の可動電極部４６は、可動部４３から＋Ｙ側および−Ｙ側にそれぞれ突出するとともに、櫛歯状をなすようにＸ軸方向に並んでいる。
このような固定部４１、４２、可動部４３、連結部４４、４５および可動電極部４６は、一体的に形成されている。そのため、これらは、互いに同電位となる。
複数の可動電極部４６は、可動部４３から＋Ｙ側および−Ｙ側にそれぞれ突出するとともに、櫛歯状をなすようにＸ軸方向に並んでいる。
このような固定部４１、４２、可動部４３、連結部４４、４５および可動電極部４６は、一体的に形成されている。そのため、これらは、互いに同電位となる。
一方、複数の固定電極部４７および複数の固定電極部４８は、固定部４１、４２、可動部４３、連結部４４、４５および可動電極部４６に対して分離して配置されている。
各固定電極部４７および各固定電極部４８は、それぞれ、Ｙ軸方向に延びる長手形状をなし、一端部が凹部２１の外側にてベース基板２の上面に接合（固定）され、他端部が可動部４３側に延びている。
複数の固定電極部４７は、櫛歯状をなす複数の可動電極部４６に対して間隔（静電ギャップ）を隔てて噛み合う櫛歯状をなすようにＸ軸方向に並んでいる。同様に、複数の固定電極部４８は、櫛歯状をなす複数の可動電極部４６に対して間隔を隔てて噛み合う櫛歯状をなすようにＸ軸方向に並んでいる。
各固定電極部４７および各固定電極部４８は、それぞれ、Ｙ軸方向に延びる長手形状をなし、一端部が凹部２１の外側にてベース基板２の上面に接合（固定）され、他端部が可動部４３側に延びている。
複数の固定電極部４７は、櫛歯状をなす複数の可動電極部４６に対して間隔（静電ギャップ）を隔てて噛み合う櫛歯状をなすようにＸ軸方向に並んでいる。同様に、複数の固定電極部４８は、櫛歯状をなす複数の可動電極部４６に対して間隔を隔てて噛み合う櫛歯状をなすようにＸ軸方向に並んでいる。
ここで、複数の固定電極部４７および複数の固定電極部４８は、Ｘ軸方向に交互に並んでいる。そして、各固定電極部４７（第１固定電極部）は、可動電極部４６の幅方向での一方（−Ｘ側）の側面との間に静電ギャップを形成して配置され、各固定電極部４８（第２固定電極部）は、可動電極部４６の幅方向での他方（＋Ｘ側）の側面との間に静電ギャップを形成して配置されている。
また、各固定電極部４７の固定側の端部は、平面視にて、前述したベース基板２の溝２３に重なるように設けられている。そして、各固定電極部４７は、導電性を有する接続部５６を介して、溝２３内の配線５２に接続されている。これにより、各固定電極部４７は、配線５２に電気的に接続されている。
また、各固定電極部４７の固定側の端部は、平面視にて、前述したベース基板２の溝２３に重なるように設けられている。そして、各固定電極部４７は、導電性を有する接続部５６を介して、溝２３内の配線５２に接続されている。これにより、各固定電極部４７は、配線５２に電気的に接続されている。
同様に、各固定電極部４８の固定側の端部は、平面視にて、前述したベース基板２の溝２４に重なるように設けられている。そして、各固定電極部４８は、導電性を有する接続部５７を介して、溝２４内の配線５３に接続されている。これにより、各固定電極部４８は、配線５３に電気的に接続されている。
このような固定部４１、４２、可動部４３、１対の連結部４４、１対の連結部４５、複数の可動電極部４６、複数の固定電極部４７および複数の固定電極部４８を有する機能素子４は、１つの基板をエッチングすることより形成することができる。
このような固定部４１、４２、可動部４３、１対の連結部４４、１対の連結部４５、複数の可動電極部４６、複数の固定電極部４７および複数の固定電極部４８を有する機能素子４は、１つの基板をエッチングすることより形成することができる。
１つの基板をエッチングすることより機能素子４を形成すると、固定部４１、４２、可動部４３、１対の連結部４４、１対の連結部４５、複数の可動電極部４６、複数の固定電極部４７および複数の固定電極部４８の厚さを簡単かつ高精度に揃えることができる。その結果、電子部品１の高感度化を図ることができる。
また、機能素子４の構成材料としては、特に限定されないが、半導体が好ましく、具体的には、例えば、単結晶シリコン、ポリシリコン等のシリコン材料を用いるのが好ましい。
また、機能素子４の構成材料としては、特に限定されないが、半導体が好ましく、具体的には、例えば、単結晶シリコン、ポリシリコン等のシリコン材料を用いるのが好ましい。
シリコンはエッチングにより高精度に加工することができる。そのため、シリコンを主材料として機能素子４を構成することにより、機能素子４の寸法精度を優れたものとし、その結果、電子部品１の高感度化を図ることができる。また、シリコンは疲労が少ないため、電子部品１の耐久性を向上させることもできる。
また、機能素子４を構成するシリコン材料には、リン、ボロン等の不純物がドープされているのが好ましい。これにより、機能素子４の導電性を優れたものとすることができる。
また、機能素子４を構成するシリコン材料には、リン、ボロン等の不純物がドープされているのが好ましい。これにより、機能素子４の導電性を優れたものとすることができる。
また、機能素子４は、前述したように、ベース基板２の上面に固定部４１、４２および固定電極部４７、４８が接合されることにより、ベース基板２に支持されている。
このような機能素子４（具体的には、前述した固定部４１、４２および固定電極部４７、４８）とベース基板２との接合方法は、特に限定されないが、ベース基板２がガラス材料で構成され、かつ、機能素子４がシリコン材料で構成されている場合、陽極接合法を用いるのが好ましい。これにより、固定部４１、４２および固定電極部４７、４８をベース基板２に強固に接合することができる。そのため、電子部品１の耐衝撃性を向上させることができる。また、固定部４１、４２および固定電極部４７、４８をベース基板２の所望の位置に高精度に接合することができる。そのため、加速度センサーである電子部品１の高感度化を図ることができる。
このような機能素子４（具体的には、前述した固定部４１、４２および固定電極部４７、４８）とベース基板２との接合方法は、特に限定されないが、ベース基板２がガラス材料で構成され、かつ、機能素子４がシリコン材料で構成されている場合、陽極接合法を用いるのが好ましい。これにより、固定部４１、４２および固定電極部４７、４８をベース基板２に強固に接合することができる。そのため、電子部品１の耐衝撃性を向上させることができる。また、固定部４１、４２および固定電極部４７、４８をベース基板２の所望の位置に高精度に接合することができる。そのため、加速度センサーである電子部品１の高感度化を図ることができる。
（蓋体）
蓋体３は、前述したベース基板２の一方の面側（機能素子４が配置されている面側）に配置されている。
この蓋体３は、前述した機能素子４を保護する機能を有する。
この蓋体３は、前述したベース基板２に接合され、ベース基板２との間に機能素子４を収納する空間Ｓを形成する。
蓋体３は、前述したベース基板２の一方の面側（機能素子４が配置されている面側）に配置されている。
この蓋体３は、前述した機能素子４を保護する機能を有する。
この蓋体３は、前述したベース基板２に接合され、ベース基板２との間に機能素子４を収納する空間Ｓを形成する。
具体的に説明すると、この蓋体３は、板状をなし、その一方の面（下面）、すなわち蓋体３のベース基板２側の面には、凹部３１が設けられている。この凹部３１は、前述したベース基板２の凹部２１と同様、機能素子４が蓋体３に接触するのを防止するように構成されている。ここで、蓋体３の凹部３１の底壁部が薄肉部を構成し、蓋体３の凹部３１に対し外側の部分が厚肉部を構成する。
そして、蓋体３の下面の凹部３１よりも外側の部分は、前述したベース基板２の上面に接合されている。
そして、蓋体３の下面の凹部３１よりも外側の部分は、前述したベース基板２の上面に接合されている。
ここで、蓋体３とベース基板２との接合部は、平面視にて、蓋体３およびベース基板２の外周縁に沿った枠状をなしている。そして、前述したように、ベース基板２の溝２２、２３、２４は、かかる接合部の外周縁に対して内側に配置されている。すなわち、かかる接合部よりも外側には、溝２２、２３、２４が形成されていない。そのため、ベース基板２と蓋体３とをこれらの外周部にて周方向での全域に亘って確実に接合することができる。
ベース基板２と蓋体３との接合方法としては、特に限定されず、例えば、接着剤を用いた接合方法、陽極接合法、直接接合法等を用いることができるが、ベース基板２がガラス材料で構成され、かつ、蓋体３がシリコンで構成されている場合、陽極接合法を用いることが好ましい。
これにより、ベース基板２と蓋体３とを強固に接合することができる。そのため、電子部品１の信頼性（例えば耐衝撃性）を優れたものとすることができる。また、ベース基板２と蓋体３との接合しろを小さくすることができることから、電子部品１の小型化を図ることもできる。また、ベース基板２と蓋体３とを気密的に接合することができることから、機能素子４を収納する空間Ｓの気密性を優れたものとすることができる。
これにより、ベース基板２と蓋体３とを強固に接合することができる。そのため、電子部品１の信頼性（例えば耐衝撃性）を優れたものとすることができる。また、ベース基板２と蓋体３との接合しろを小さくすることができることから、電子部品１の小型化を図ることもできる。また、ベース基板２と蓋体３とを気密的に接合することができることから、機能素子４を収納する空間Ｓの気密性を優れたものとすることができる。
また、蓋体３の構成材料としては、特に限定されず、例えば、シリコン材料、ガラス材料等を用いることができるが、前述したように蓋体３をベース基板２に対して陽極接合法により接合できることから、シリコン材料を用いることが好ましい。
また、蓋体３には、その厚さ方向に貫通する貫通孔３２、３３、３４が設けられている。
また、蓋体３には、その厚さ方向に貫通する貫通孔３２、３３、３４が設けられている。
より具体的には、貫通孔３２、３３、３４は、それぞれ、蓋体３をＺ軸方向に貫通し、一端が蓋体３の上面に開口し、他端が蓋体３の下面に開口している。
また、貫通孔３２は、平面視にて、前述したベース基板２の溝２２と重なる位置に設けられている。また、貫通孔３３は、平面視にて、前述したベース基板２の溝２３と重なる位置に設けられている。また、貫通孔３４は、平面視にて、前述したベース基板２の溝２４と重なる位置に設けられている。
すなわち、貫通孔３２は、平面視にて、前述した配線５１と重なる位置に設けられている。また、貫通孔３３は、平面視にて、前述した配線５２と重なる位置に設けられている。また、貫通孔３４は、平面視にて、前述した配線５３と重なる位置に設けられている。
また、貫通孔３２は、平面視にて、前述したベース基板２の溝２２と重なる位置に設けられている。また、貫通孔３３は、平面視にて、前述したベース基板２の溝２３と重なる位置に設けられている。また、貫通孔３４は、平面視にて、前述したベース基板２の溝２４と重なる位置に設けられている。
すなわち、貫通孔３２は、平面視にて、前述した配線５１と重なる位置に設けられている。また、貫通孔３３は、平面視にて、前述した配線５２と重なる位置に設けられている。また、貫通孔３４は、平面視にて、前述した配線５３と重なる位置に設けられている。
以下、貫通孔３２について詳述する。なお、貫通孔３３、３４は、貫通孔３２と同様であるため、その説明を省略する。
貫通孔３２は、平面視にて、凹部３１よりも外側で溝２２に重なっている。すなわち、貫通孔３２は、前述した蓋体３の厚肉部に設けられている。これにより、貫通孔３２の開口（ベース基板２側の開口）と溝２２内の配線５１との間の距離を小さくすることができる。そのため、電子部品１の製造時において、金属層７１を形成する際、金属層７１を貫通孔３２の内壁面だけでなく配線５１上（より具体的には接続部５５上）にも形成することができる。そのため、金属層７１と配線５１との電気的接続を容易に行える。
貫通孔３２は、平面視にて、凹部３１よりも外側で溝２２に重なっている。すなわち、貫通孔３２は、前述した蓋体３の厚肉部に設けられている。これにより、貫通孔３２の開口（ベース基板２側の開口）と溝２２内の配線５１との間の距離を小さくすることができる。そのため、電子部品１の製造時において、金属層７１を形成する際、金属層７１を貫通孔３２の内壁面だけでなく配線５１上（より具体的には接続部５５上）にも形成することができる。そのため、金属層７１と配線５１との電気的接続を容易に行える。
また、貫通孔３２は、蓋体３の上面側から下面側に向けて、横断面積が漸次減少する形状をなしている。これにより、貫通孔３２を封止材８１により簡単かつ確実に封止することができる。
また、貫通孔３２は、ベース基板２側に向けて（蓋体３の上面側から下面側に向けて）横断面積が漸次減少する形状（テーパー形状）をなしている。これにより、電子部品１の製造時において、貫通孔３２の内壁面に気相成膜法を用いて金属層７１を容易に形成することができる。
また、貫通孔３２は、ベース基板２側に向けて（蓋体３の上面側から下面側に向けて）横断面積が漸次減少する形状（テーパー形状）をなしている。これにより、電子部品１の製造時において、貫通孔３２の内壁面に気相成膜法を用いて金属層７１を容易に形成することができる。
本実施形態では、貫通孔３２の横断面形状は、四角形をなしている。このような貫通孔３２の内壁面は、例えば、蓋体３を（１００）シリコン基板をウェットエッチングすることにより形成する場合、シリコンの（１１１）面またはこの面と等価な面で構成することができる。なお、貫通孔３２の横断面形状は、四角形に限定されず、例えば、円形、四角形以外の他の多角形等であってもよい。
また、貫通孔３２の下端部は、周方向での一部に外側に拡がる部分３６を有することが好ましい。これにより、貫通孔３２の内壁面に気相成膜法により金属層７１を形成する際、金属層７１が貫通孔３２と空間Ｓとの間を塞いでしまうのを防止することができる。貫通孔３２の下端部の周方向での一部に外側に拡がる部分３６を有しない場合は、接続部５５を貫通孔３２より小さく形成することで金属層７１が貫通孔３２と空間Ｓとの間を塞いでしまうことを防止することができる。具体的には接続部５５の大きさをa、貫通孔３２の大きさをｂ、金属層７１の膜厚をｃとすれば、ａ+２ｃ＜ｂなる関係を満たすよう形成すれば良い。
また、蓋体３の上面および下面には、それぞれ、絶縁層３５が形成されている。これにより、蓋体３の本体が導電性を有する場合であっても、端子６１、６２、６３間および金属層７１、７２、７３間の短絡を防止することができる。絶縁層３５は蓋体３の下面にはなくても良く、絶縁層３５が蓋体の下面にない場合はベース基板２と蓋体３を陽極接合法で接合する場合により強固に接合することが期待できる。
この絶縁層３５の構成材料としては、特に限定されず、絶縁性を有する各種材料を用いることができ、例えば、絶縁層３５は、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜で構成することができる。
なお、蓋体３が絶縁性が高い材料で構成されている場合、絶縁層３５を省略することができる。
なお、蓋体３が絶縁性が高い材料で構成されている場合、絶縁層３５を省略することができる。
（金属層）
金属層７１は、前述した貫通孔３２の内壁面に設けられている。同様に、金属層７２は、前述した貫通孔３３の内壁面に設けられている。また、金属層７３は、前述した貫通孔３４の内壁面に設けられている。
図２に示すように、金属層７１は、配線５１に電気的に接続されている。同様に、金属層７２は、配線５２に電気的に接続されている。また、金属層７３は、配線５３に電気的に接続されている。
金属層７１は、前述した貫通孔３２の内壁面に設けられている。同様に、金属層７２は、前述した貫通孔３３の内壁面に設けられている。また、金属層７３は、前述した貫通孔３４の内壁面に設けられている。
図２に示すように、金属層７１は、配線５１に電気的に接続されている。同様に、金属層７２は、配線５２に電気的に接続されている。また、金属層７３は、配線５３に電気的に接続されている。
以下、金属層７１について詳細に説明する。なお、金属層７２、７３については、金属層７１と同様であるため、その説明を省略する。
図２に示すように、金属層７１は、導電性を有する接続部５５を介して配線５１に接続されている。これにより、金属層７１は、配線５１に電気的に接続されている。
ここで、接続部５５が配線５１上に設けられていることにより、電子部品１の製造時に、金属層７１を形成する際、貫通孔３２の内壁面上だけでなく接続部５５上にも一体的に金属層７１を形成することができる。そのため、接続部５５を介して、金属層７１を配線５１に確実に電気的に接続することができる。
図２に示すように、金属層７１は、導電性を有する接続部５５を介して配線５１に接続されている。これにより、金属層７１は、配線５１に電気的に接続されている。
ここで、接続部５５が配線５１上に設けられていることにより、電子部品１の製造時に、金属層７１を形成する際、貫通孔３２の内壁面上だけでなく接続部５５上にも一体的に金属層７１を形成することができる。そのため、接続部５５を介して、金属層７１を配線５１に確実に電気的に接続することができる。
なお、金属層７１は、配線５１または接続部５５と直接的に接続されていなくてもよい。この場合、例えば、導電性を有する封止材８１を介して、金属層７１と配線５１を電気的に接続することができる。
また、金属層７１は、前述した貫通孔３２の部分３６に対応する部分が欠損している。すなわち、金属層７１は、溝２２と連通している隙間Ｓ２（図５（ａ）参照）を形成する欠損部を有する。これにより、電子部品１の製造時において、金属層７１の形成後かつ封止材８１の形成前に、ベース基板２と蓋体３との間における機能素子４が配置された空間Ｓを欠損部（隙間Ｓ２）を介して外部に連通させることができる。そのため、金属層７１の形成後かつ封止材８１の形成前に、空間Ｓ内の雰囲気を調整することができる。
また、金属層７１は、前述した貫通孔３２の部分３６に対応する部分が欠損している。すなわち、金属層７１は、溝２２と連通している隙間Ｓ２（図５（ａ）参照）を形成する欠損部を有する。これにより、電子部品１の製造時において、金属層７１の形成後かつ封止材８１の形成前に、ベース基板２と蓋体３との間における機能素子４が配置された空間Ｓを欠損部（隙間Ｓ２）を介して外部に連通させることができる。そのため、金属層７１の形成後かつ封止材８１の形成前に、空間Ｓ内の雰囲気を調整することができる。
また、金属層７１は、封止材８１により貫通孔３２を封止する際、封止材８１に対する貫通孔３２の内壁面の濡れ性を高める機能をも有する。そのため、貫通孔３２を封止材８１により簡単かつ確実に封止することができる。
本実施形態では、金属層７１は、貫通孔３２の内壁面の略全域に亘って形成されている。これにより、封止材８１により貫通孔３２を封止する際、金属層７１による封止材８１に対する貫通孔３２の内壁面の濡れ性を好適に高めることができる。
このような金属層７１は、例えば、タングステン（Ｗ）を用いてメタライズし、その表面にニッケル（Ｎｉ）および金（Ａｕ）をメッキすることにより形成することができる。
本実施形態では、金属層７１は、貫通孔３２の内壁面の略全域に亘って形成されている。これにより、封止材８１により貫通孔３２を封止する際、金属層７１による封止材８１に対する貫通孔３２の内壁面の濡れ性を好適に高めることができる。
このような金属層７１は、例えば、タングステン（Ｗ）を用いてメタライズし、その表面にニッケル（Ｎｉ）および金（Ａｕ）をメッキすることにより形成することができる。
（封止材）
封止材８１は、貫通孔３２内に充填されている。これにより、貫通孔３２が封止材８１により封止されている。同様に、貫通孔３３は、封止材８２により封止されている。また、貫通孔３４は、封止材８３により封止されている。
このように、貫通孔３２、３３、３４を封止材８１、８２、８３により封止することにより、空間Ｓの気密性を優れたものとすることができる。
封止材８１の構成材料としては、特に限定されないが、金属材料が好適に用いられ、特に、銀ロウ、Ａｕ／Ｓｎ合金、Ａｕ／Ｇｅ合金等の金属を用いることが好ましい。
封止材８１は、貫通孔３２内に充填されている。これにより、貫通孔３２が封止材８１により封止されている。同様に、貫通孔３３は、封止材８２により封止されている。また、貫通孔３４は、封止材８３により封止されている。
このように、貫通孔３２、３３、３４を封止材８１、８２、８３により封止することにより、空間Ｓの気密性を優れたものとすることができる。
封止材８１の構成材料としては、特に限定されないが、金属材料が好適に用いられ、特に、銀ロウ、Ａｕ／Ｓｎ合金、Ａｕ／Ｇｅ合金等の金属を用いることが好ましい。
（端子）
端子６１、６２、６３は、蓋体３の上面（外表面）、すなわち、蓋体３のベース基板２と反対側の面に設けられている。
端子６１は、貫通孔３２近傍に配置されている。また、端子６２は、貫通孔３３近傍に配置されている。また、端子６３は、貫通孔３４近傍に設けられている。
そして、端子６１は、前述した金属層７１に電気的に接続されている。これにより、端子６１は、金属層７１を介して配線５１に電気的に接続されている。同様に、端子６２は、前述した金属層７２を介して配線５２に電気的に接続されている。また、端子６３は、前述した金属層７３を介して配線５３に電気的に接続されている。
端子６１、６２、６３は、蓋体３の上面（外表面）、すなわち、蓋体３のベース基板２と反対側の面に設けられている。
端子６１は、貫通孔３２近傍に配置されている。また、端子６２は、貫通孔３３近傍に配置されている。また、端子６３は、貫通孔３４近傍に設けられている。
そして、端子６１は、前述した金属層７１に電気的に接続されている。これにより、端子６１は、金属層７１を介して配線５１に電気的に接続されている。同様に、端子６２は、前述した金属層７２を介して配線５２に電気的に接続されている。また、端子６３は、前述した金属層７３を介して配線５３に電気的に接続されている。
本実施形態では、端子６１は、金属層７１と一体で形成されている。また、端子６２は、金属層７２と一体で形成されている。また、端子６３は、金属層７３と一体で形成されている。
このような端子６１、６２、６３は、後述するように、金属層７１、７２、７３と同一の工程で一括して形成することができる。
このような端子６１、６２、６３の構成材料としては、それぞれ、金属層７１、７２、７３と同一の材料を用いることができる。
このような端子６１、６２、６３は、後述するように、金属層７１、７２、７３と同一の工程で一括して形成することができる。
このような端子６１、６２、６３の構成材料としては、それぞれ、金属層７１、７２、７３と同一の材料を用いることができる。
以上説明したように構成された電子部品１によれば、貫通孔３２、３３、３４の内周面に設けられた金属層７１、７２、７３を介して、端子６１、６２、６３と配線５１、５２、５３とを電気的に接続しているため、ベース基板２と蓋体３との接合部を跨る（横断する）ように配線５１、５２、５３を形成する必要がない。そのため、かかる接合部をベース基板２および蓋体３の外周部の全周に亘って確実に形成することができる。よって、空間Ｓの気密性を優れたものとすることができる。
また、貫通孔３２、３３、３４を平面視にて溝２２、２３、２４に重なる位置に設けることによって、封止材８１、８２、８３の形成前に、空間Ｓ内の雰囲気の調整を可能としつつ、貫通孔３２、３３、３４を封止材８１、８２、８３により封止することにより、気密封止された空間Ｓを容易に得ることができる。
また、端子６１、６２、６３は、蓋体３の外表面に設けられているので、端子６１、６２、６３を設置する部分を別途設ける必要がなく、その結果、電子部品１の小型化を図ることができる。
また、端子６１、６２、６３は、蓋体３の外表面に設けられているので、端子６１、６２、６３を設置する部分を別途設ける必要がなく、その結果、電子部品１の小型化を図ることができる。
（電子部品の製造方法（第１例））
次に、本発明の電子部品の製造方法を説明する。なお、以下では、前述した電子部品１を製造する場合を例（第１例）として説明する。
図４〜図６は、図１に示す電子部品の製造方法を説明するための図である。なお、図４は、図２に対応する断面を示し、図５および図６は、それぞれ、図３に対応する断面を示している。
次に、本発明の電子部品の製造方法を説明する。なお、以下では、前述した電子部品１を製造する場合を例（第１例）として説明する。
図４〜図６は、図１に示す電子部品の製造方法を説明するための図である。なお、図４は、図２に対応する断面を示し、図５および図６は、それぞれ、図３に対応する断面を示している。
電子部品１の製造方法は、［１］凹部２１および溝２２、２３、２４が設けられた基板１０２（第１基板）に、配線５１、５２、５３および機能素子４を形成する工程と、［２］凹部３１および貫通孔３２、３３、３４が設けられた基板１０３（第２基板）を基板１０２に接合する工程と、［３］金属層７１、７２、７３および封止材８１、８２、８３を形成する工程とを有する。
以下、各工程を順次詳細に説明する。
なお、以下では、ベース基板２がガラス材料で構成され、かつ、蓋体３および機能素子４がそれぞれシリコンで構成されている場合を例に説明する。
［１］
１−１
まず、図４（ａ）に示すように、一方の面（第１面）に凹部２１および溝２２、２３、２４を有する基板１０２（第１基板）を用意する。
なお、以下では、ベース基板２がガラス材料で構成され、かつ、蓋体３および機能素子４がそれぞれシリコンで構成されている場合を例に説明する。
［１］
１−１
まず、図４（ａ）に示すように、一方の面（第１面）に凹部２１および溝２２、２３、２４を有する基板１０２（第１基板）を用意する。
この基板１０２は、後述する工程（ダイシング）を経てベース基板２となるものである。
また、基板１０２は、アルカリ金属を含むガラス材料で構成されている。
この基板１０２は、例えば、ガラス基板をエッチングすることにより得られる。
かかるエッチング方法としては、特に限定されないが、例えば、プラズマエッチング、ビームエッチング等の物理的エッチング法、リアクティブイオンエッチング、光アシストエッチング、ウェットエッチング等の化学的エッチング法等のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。なお、以下の各工程におけるエッチングにおいても、同様の方法を用いることができる。
また、上述したようなエッチングに際しては、例えば、フォトリソグラフィー法により形成されたマスクを用いることができる。
また、基板１０２は、アルカリ金属を含むガラス材料で構成されている。
この基板１０２は、例えば、ガラス基板をエッチングすることにより得られる。
かかるエッチング方法としては、特に限定されないが、例えば、プラズマエッチング、ビームエッチング等の物理的エッチング法、リアクティブイオンエッチング、光アシストエッチング、ウェットエッチング等の化学的エッチング法等のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。なお、以下の各工程におけるエッチングにおいても、同様の方法を用いることができる。
また、上述したようなエッチングに際しては、例えば、フォトリソグラフィー法により形成されたマスクを用いることができる。
１−２
次に、図４（ｂ）に示すように、配線５１、５２、５３、接続部５４、５５および絶縁層９１を形成する。
より具体的に説明すると、まず、溝２２内に配線５１、溝２３内に配線５２、溝２４内に配線５３を形成する。
次に、図４（ｂ）に示すように、配線５１、５２、５３、接続部５４、５５および絶縁層９１を形成する。
より具体的に説明すると、まず、溝２２内に配線５１、溝２３内に配線５２、溝２４内に配線５３を形成する。
配線５１、５２、５３の形成方法（成膜方法）としては、特に限定されないが、例えば、真空蒸着、スパッタリング（低温スパッタリング）、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、電解メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、薄膜の接合等が挙げられる。なお、以下の各工程における成膜においても、同様の方法を用いることができる。
また、上述したような成膜に際しては、前述したようなエッチングおよびフォトリソグラフィ法を用いてパターニングを行うことができる。
また、上述したような成膜に際しては、前述したようなエッチングおよびフォトリソグラフィ法を用いてパターニングを行うことができる。
次いで、配線５１上に接続部５４、５５を形成する。このとき、図示しないが、配線５２、５３上に、接続部５６、５７、および、金属層７２、７３との接続のための接続部を形成する。
接続部５４、５５、５６、５７等の形成方法としては、前述した配線５１、５２、５３の形成方法と同様の方法を用いることができる。
その後、配線５１上に絶縁層９１を形成する。このとき、図示しないが、配線５２、５３上にも絶縁層を形成する。
絶縁層９１等の形成方法としては、前述した配線５１、５２、５３の形成方法と同様の方法を用いることができる。
接続部５４、５５、５６、５７等の形成方法としては、前述した配線５１、５２、５３の形成方法と同様の方法を用いることができる。
その後、配線５１上に絶縁層９１を形成する。このとき、図示しないが、配線５２、５３上にも絶縁層を形成する。
絶縁層９１等の形成方法としては、前述した配線５１、５２、５３の形成方法と同様の方法を用いることができる。
１−３
次に、図４（ｃ）に示すように、基板１０２の上面側に、機能素子４を形成する。
より具体的に説明すると、まず、基板１０２の上面にシリコン基板を陽極接合法により接合する。そして、かかるシリコン基板を、必要に応じて薄肉化した後、エッチングすることにより、配線５１、５２、５３に電気的に接続される機能素子４を形成する。
シリコン基板の薄肉化方法は、特に限定されないが、例えば、ＣＭＰ法、ドライポリッシュ法を好適に用いることができる。
次に、図４（ｃ）に示すように、基板１０２の上面側に、機能素子４を形成する。
より具体的に説明すると、まず、基板１０２の上面にシリコン基板を陽極接合法により接合する。そして、かかるシリコン基板を、必要に応じて薄肉化した後、エッチングすることにより、配線５１、５２、５３に電気的に接続される機能素子４を形成する。
シリコン基板の薄肉化方法は、特に限定されないが、例えば、ＣＭＰ法、ドライポリッシュ法を好適に用いることができる。
［２］
２−２
次に、図４（ｄ）に示すように、基板１０２に基板１０３（第２基板）を接合する。
この基板１０３は、後述する工程（ダイシング）を経て蓋体３となるものである。
また、基板１０３は、凹部３１および貫通孔３２、３３、３４を有する。
２−２
次に、図４（ｄ）に示すように、基板１０２に基板１０３（第２基板）を接合する。
この基板１０３は、後述する工程（ダイシング）を経て蓋体３となるものである。
また、基板１０３は、凹部３１および貫通孔３２、３３、３４を有する。
また、基板１０３は、シリコンで構成されている。
また、基板１０３の上面および下面には、絶縁層３５が形成されている。
このような基板１０３は、例えば、シリコン基板をエッチングすることにより凹部３１および貫通孔３２、３３、３４を形成した後、気相成膜法または熱酸化法により絶縁層３５を形成することにより得られる。
また、基板１０３の上面および下面には、絶縁層３５が形成されている。
このような基板１０３は、例えば、シリコン基板をエッチングすることにより凹部３１および貫通孔３２、３３、３４を形成した後、気相成膜法または熱酸化法により絶縁層３５を形成することにより得られる。
そして、基板１０３の凹部３１側の面と、基板１０２の機能素子４側の面とを陽極接合法により接合する。このとき、かかる接合は、貫通孔３２、３３、３４が基板１０２の厚さ方向からみた平面視にて溝２２、２３、２４に重なるように行う。
このようにして接合された基板１０２と基板１０３との間には、機能素子４を収納する空間Ｓが形成される。
このとき、空間Ｓは、溝２２、２３、２４を介して貫通孔３２、３３、３４に連通している。
このようにして接合された基板１０２と基板１０３との間には、機能素子４を収納する空間Ｓが形成される。
このとき、空間Ｓは、溝２２、２３、２４を介して貫通孔３２、３３、３４に連通している。
［３］
３−１
次に、図５（ａ）に示すように、基板１０３の基板１０２と反対側の面（貫通孔３２、３３、３４の内壁面を含む）に金属層２００を形成する。
この金属層２００は、後述する工程（エッチング）を経て金属層７１、７２、７３および端子６１、６２、６３となるものである。
３−１
次に、図５（ａ）に示すように、基板１０３の基板１０２と反対側の面（貫通孔３２、３３、３４の内壁面を含む）に金属層２００を形成する。
この金属層２００は、後述する工程（エッチング）を経て金属層７１、７２、７３および端子６１、６２、６３となるものである。
また、金属層２００は、配線５１、５２、５３に電気的に接続される。
金属層２００の形成方法としては、前述した成膜方法を用いることができるが、乾式メッキ法、特に、スパッタリング（低温スパッタリング）を好適に用いることができる。
このように乾式メッキ法を用いて金属層２００を形成すると、金属層２００は、貫通孔３２の欠損した部分３６（図３参照）に対応した部分が欠損し、隙間Ｓ２を形成することができる。
そのため、空間Ｓは、溝２２による隙間Ｓ１そして隙間Ｓ２を介して貫通孔３２に連通している。なお、貫通孔３２と同様、貫通孔３３、３４も、空間Ｓに連通している。
金属層２００の形成方法としては、前述した成膜方法を用いることができるが、乾式メッキ法、特に、スパッタリング（低温スパッタリング）を好適に用いることができる。
このように乾式メッキ法を用いて金属層２００を形成すると、金属層２００は、貫通孔３２の欠損した部分３６（図３参照）に対応した部分が欠損し、隙間Ｓ２を形成することができる。
そのため、空間Ｓは、溝２２による隙間Ｓ１そして隙間Ｓ２を介して貫通孔３２に連通している。なお、貫通孔３２と同様、貫通孔３３、３４も、空間Ｓに連通している。
３−２
次に、図５（ｂ）に示すように、封止材８１を形成する。
より具体的に説明すると、例えば、貫通孔３２内に球状の半田ボール（図示せず）を配置し、その半田ボールをレーザーにより溶融した後に固化することにより、封止材８１を貫通孔３２内に充填する。また、図示しないが、封止材８１と同様に、封止材８２、８３も形成する。
これにより、貫通孔３２、３３、３４が封止材８１、８２、８３により封止され、空間Ｓが密閉空間となる。
次に、図５（ｂ）に示すように、封止材８１を形成する。
より具体的に説明すると、例えば、貫通孔３２内に球状の半田ボール（図示せず）を配置し、その半田ボールをレーザーにより溶融した後に固化することにより、封止材８１を貫通孔３２内に充填する。また、図示しないが、封止材８１と同様に、封止材８２、８３も形成する。
これにより、貫通孔３２、３３、３４が封止材８１、８２、８３により封止され、空間Ｓが密閉空間となる。
３−３
次に、金属層２００をエッチングすることにより、図６（ａ）に示すように、金属層７１および端子６１を形成する。また、図示しないが、かかるエッチングにより、金属層７２、７３および端子６２、６３も形成される。
このとき、貫通孔３２、３３、３４が封止材８１、８２、８３により封止されているため、エッチングにより生じる異物が空間Ｓ内に侵入するのを防止することができる。
次に、金属層２００をエッチングすることにより、図６（ａ）に示すように、金属層７１および端子６１を形成する。また、図示しないが、かかるエッチングにより、金属層７２、７３および端子６２、６３も形成される。
このとき、貫通孔３２、３３、３４が封止材８１、８２、８３により封止されているため、エッチングにより生じる異物が空間Ｓ内に侵入するのを防止することができる。
３−４
次に、図６（ｂ）に示すように、ダイシングにより、電子部品１を得る。
このとき、貫通孔３２、３３、３４が封止材８１、８２、８３により封止されているため、ダイシングにより生じる異物が空間Ｓ内に侵入するのを防止することができる。
以上説明したような電子部品１の製造方法によれば、電子部品１の小型化を図るとともに、機能素子４を収納する気密性の高い空間Ｓを容易に形成することができる。
次に、図６（ｂ）に示すように、ダイシングにより、電子部品１を得る。
このとき、貫通孔３２、３３、３４が封止材８１、８２、８３により封止されているため、ダイシングにより生じる異物が空間Ｓ内に侵入するのを防止することができる。
以上説明したような電子部品１の製造方法によれば、電子部品１の小型化を図るとともに、機能素子４を収納する気密性の高い空間Ｓを容易に形成することができる。
なお、前述した製造方法では、工程３−１において、基板１０３の基板１０２と反対側の面に一様な金属層２００を形成したが、金属層２００に代えて、マスクを用いた気相成膜法により金属層７１、７２、７３および端子６１、６２、６３を形成し、工程３−３を省略してもよい。また、工程３−３と工程３−２との順序を逆にしてもよい。この場合、工程３−３においてエッチングにより生じる異物が空間Ｓ内に侵入するのを防止する観点から、工程３−１において金属層７１、７２、７３により貫通孔３２、３３、３４を封止するのが好ましい。
＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
図７は、本発明の第２実施形態に係る電子部品を示す平面図、図８は、図７中のＡ−Ａ線断面図、図９は、図８の部分拡大図である。なお、図７では、説明の便宜上、蓋体、金属層、封止材および端子の図示を省略している。
本実施形態にかかる電子部品は、スペーサーを介して蓋体とベース基板とを接合した以外は、前述した第１実施形態にかかる電子部品と同様である。
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
図７は、本発明の第２実施形態に係る電子部品を示す平面図、図８は、図７中のＡ−Ａ線断面図、図９は、図８の部分拡大図である。なお、図７では、説明の便宜上、蓋体、金属層、封止材および端子の図示を省略している。
本実施形態にかかる電子部品は、スペーサーを介して蓋体とベース基板とを接合した以外は、前述した第１実施形態にかかる電子部品と同様である。
なお、以下の説明では、第２実施形態の電子部品に関し、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図７〜９では、前述した第１実施形態と同様の構成について、同一符号を付している。
図７に示す電子部品１Ａは、ベース基板２と、蓋体３Ａと、機能素子４と、配線５１、５２、５３と、スペーサー１０、１１、１２、１３とを有する。
図７に示す電子部品１Ａは、ベース基板２と、蓋体３Ａと、機能素子４と、配線５１、５２、５３と、スペーサー１０、１１、１２、１３とを有する。
この電子部品１Ａでは、機能素子４がベース基板２に設置され、ベース基板２、蓋体３Ａおよびスペーサー１０が機能素子４を収納する空間Ｓを形成するパッケージを構成する。
また、図８に示すように、電子部品１Ａは、端子６１Ａと、金属層７１Ａと、封止材８１Ａとを有する。
また、図８に示すように、電子部品１Ａは、端子６１Ａと、金属層７１Ａと、封止材８１Ａとを有する。
ここで、蓋体３Ａには、スペーサー１１の貫通孔に連通する貫通孔３２Ａが形成されており、貫通孔３２Ａには、封止材８１Ａが充填され、これにより、貫通孔３２Ａが封止されている。
また、端子６１Ａは、蓋体３Ａの外表面に設けられ、配線５１および金属層７１Ａを介して機能素子４に電気的に接続されている。
なお、図示しないが、蓋体３Ａには、スペーサー１１に対応する貫通孔３２Ａと同様に、スペーサー１２、１３に対応する貫通孔がそれぞれ形成されている。また、電子部品１Ａは、配線５１に対応する端子６１Ａ、金属層７１Ａおよび封止材８１Ａと同様に、配線５２、５３に対応する端子、金属層および封止材がそれぞれ設けられている。
また、端子６１Ａは、蓋体３Ａの外表面に設けられ、配線５１および金属層７１Ａを介して機能素子４に電気的に接続されている。
なお、図示しないが、蓋体３Ａには、スペーサー１１に対応する貫通孔３２Ａと同様に、スペーサー１２、１３に対応する貫通孔がそれぞれ形成されている。また、電子部品１Ａは、配線５１に対応する端子６１Ａ、金属層７１Ａおよび封止材８１Ａと同様に、配線５２、５３に対応する端子、金属層および封止材がそれぞれ設けられている。
以下、蓋体３Ａ、スペーサー１０、１１、１２、１３、端子６１Ａ、金属層７１Ａ、封止材８１Ａについて順次説明する。
（蓋体）
蓋体３Ａは、板状をなし、その一方の面（下面）に凹部３１Ａが設けられている。
そして、蓋体３Ａの下面の凹部３１Ａよりも外側の部分は、前述したベース基板２の上面に接合されている。
（蓋体）
蓋体３Ａは、板状をなし、その一方の面（下面）に凹部３１Ａが設けられている。
そして、蓋体３Ａの下面の凹部３１Ａよりも外側の部分は、前述したベース基板２の上面に接合されている。
また、蓋体３Ａの構成材料としては、特に限定されず、例えば、シリコン材料、ガラス材料等を用いることができるが、スペーサー１０がシリコン材料で構成されている場合に蓋体３Ａをスペーサー１０に対して陽極接合法により接合できることから、シリコン材料を用いることが好ましい。
また、蓋体３Ａには、その厚さ方向に貫通する貫通孔３２Ａが設けられている。
また、蓋体３Ａには、その厚さ方向に貫通する貫通孔３２Ａが設けられている。
貫通孔３２Ａは、平面視にて、ベース基板２の溝２２と重なる位置に設けられている。なお、図示しないが、蓋体３Ａには、溝２２に対応する貫通孔３２Ａと同様に、溝２３、２４に対応する貫通孔がそれぞれ設けられている。
このような蓋体３Ａは、スペーサー１０を介してベース基板２の上面に接合されている。
このような蓋体３Ａは、スペーサー１０を介してベース基板２の上面に接合されている。
（スペーサー）
スペーサー１０、１１、１２、１３は、ベース基板２と蓋体３との間に配置されている。
スペーサー１０は、ベース基板２および蓋体３の外周に沿った枠状をなしている。
そして、スペーサー１０は、その下面が周方向での全域に亘ってベース基板２の上面に接合されているとともに、上面が周方向での全域に亘って蓋体３の下面に接合されている。
スペーサー１０、１１、１２、１３は、ベース基板２と蓋体３との間に配置されている。
スペーサー１０は、ベース基板２および蓋体３の外周に沿った枠状をなしている。
そして、スペーサー１０は、その下面が周方向での全域に亘ってベース基板２の上面に接合されているとともに、上面が周方向での全域に亘って蓋体３の下面に接合されている。
スペーサー１０とベース基板２との接合方法、および、スペーサー１０と蓋体３Ａとの接合方法としては、それぞれ、特に限定されず、例えば、接着剤を用いた接合方法、陽極接合法、直接接合法等を用いることができるが、ベース基板２および蓋体３Ａがガラス材料で構成され、かつ、スペーサー１０がシリコンで構成されている場合、陽極接合法を用いることが好ましい。これにより、簡単かつ確実に、スペーサー１０とベース基板２との接合、および、スペーサー１０と蓋体３Ａとの接合を気密的でかつ強固なものとすることができる。
スペーサー１１は、Ｚ軸方向に貫通する貫通孔１１１を有する。この貫通孔１１１は、上端開口が貫通孔３２Ａの下端開口に接続し、下端開口が溝２２上に位置している。すなわち、貫通孔３２Ａのベース基板２側の開口部の周縁が、スペーサー１１の一部（貫通孔１１１の内壁）によって囲まれている。これにより、前述した第１実施形態のように貫通孔３２の開口と溝２２内の配線５１との間の距離を小さくした場合と同様、金属層７１Ａと配線５１との電気的接続を容易に行える。
そして、スペーサー１１は、その下面がベース基板２の上面に接合されている。かかる接合方法は、前述したスペーサー１０とベース基板２との接合方法と同様である。なお、スペーサー１１の上面は、蓋体３Ａの下面に対し、接合されていてもよいし、接合されていなくてもよい。
また、スペーサー１１の貫通孔１１１の内壁面の一部は、平面視にて、貫通孔３２Ａの下端開口よりも外側に位置している。これにより、貫通孔３２Ａの内壁面に気相成膜法により金属層７１Ａを形成する際、金属層７１Ａが貫通孔３２Ａと空間Ｓとの間を塞いでしまうのを防止することができる。
また、スペーサー１１の貫通孔１１１の内壁面の一部は、平面視にて、貫通孔３２Ａの下端開口よりも外側に位置している。これにより、貫通孔３２Ａの内壁面に気相成膜法により金属層７１Ａを形成する際、金属層７１Ａが貫通孔３２Ａと空間Ｓとの間を塞いでしまうのを防止することができる。
スペーサー１２、１３は、スペーサー１１と同様である。
スペーサー１０、１１、１２、１３の構成材料は、機能素子４の構成材料と同一であることが好ましい。これにより、後に詳述するように、同一の基板からスペーサー１０、１１、１２、１３および機能素子４を形成することができる。
また、スペーサー１０、１１、１２、１３の構成材料は、シリコン材料であることが好ましい。これにより、ベース基板２および蓋体３Ａがガラス材料で構成されている場合、スペーサー１０、１１、１２、１３をベース基板２および蓋体３Ａに対し陽極接合法により接合することができる。
スペーサー１０、１１、１２、１３の構成材料は、機能素子４の構成材料と同一であることが好ましい。これにより、後に詳述するように、同一の基板からスペーサー１０、１１、１２、１３および機能素子４を形成することができる。
また、スペーサー１０、１１、１２、１３の構成材料は、シリコン材料であることが好ましい。これにより、ベース基板２および蓋体３Ａがガラス材料で構成されている場合、スペーサー１０、１１、１２、１３をベース基板２および蓋体３Ａに対し陽極接合法により接合することができる。
このようにベース基板２および蓋体３Ａがそれぞれスペーサー１０に対して陽極接合されていることにより、ベース基板２とスペーサー１０とを強固に接合するとともに、蓋体３Ａとスペーサー１０とを強固に接合することができる。そのため、電子部品１Ａの信頼性（例えば耐衝撃性）を優れたものとすることができる。また、ベース基板２とスペーサー１０との接合しろ、および、蓋体３Ａとスペーサー１０との接合しろをそれぞれ小さくすることができることから、電子部品１Ａの小型化を図ることもできる。また、ベース基板２とスペーサー１０とを気密的に接合するとともに、蓋体３Ａとスペーサー１０とを気密的に接合することができることから、機能素子４を収納する空間Ｓの気密性を優れたものとすることができる。
ここで、機能素子４がシリコンで構成され、ベース基板２と機能素子４とを陽極接合する場合であっても、蓋体３Ａとスペーサー１０との陽極接合は、一度も陽極接合に供されていない蓋体３Ａ中の可動イオン（アルカリ金属イオン）を用いるものであるため、接合強度が優れたものとなる。
したがって、機能素子４がシリコンで構成され、スペーサー１０および機能素子４（シリコンで構成された構造体）が同一のシリコン基板から形成されたものである場合、ベース基板２とスペーサー１０との陽極接合と同時に、ベース基板２と機能素子４とを陽極接合することができる。そのため、ベース基板２とスペーサー１０との陽極接合、および、ベース基板２と機能素子４との陽極接合は、それぞれ、接合強度が優れたものとなる。
したがって、機能素子４がシリコンで構成され、スペーサー１０および機能素子４（シリコンで構成された構造体）が同一のシリコン基板から形成されたものである場合、ベース基板２とスペーサー１０との陽極接合と同時に、ベース基板２と機能素子４とを陽極接合することができる。そのため、ベース基板２とスペーサー１０との陽極接合、および、ベース基板２と機能素子４との陽極接合は、それぞれ、接合強度が優れたものとなる。
（電子部品の製造方法（第２例））
次に、本発明の電子部品の製造方法を説明する。なお、以下では、前述した電子部品１Ａを製造する場合を例（第２例）として説明する。
図１０〜図１２は、図７に示す電子部品の製造方法を説明するための図である。なお、図１０は、図８に対応する断面を示し、図１１および図１２は、それぞれ、図９に対応する断面を示している。
次に、本発明の電子部品の製造方法を説明する。なお、以下では、前述した電子部品１Ａを製造する場合を例（第２例）として説明する。
図１０〜図１２は、図７に示す電子部品の製造方法を説明するための図である。なお、図１０は、図８に対応する断面を示し、図１１および図１２は、それぞれ、図９に対応する断面を示している。
電子部品１Ａの製造方法は、［１Ａ］凹部２１および溝２２、２３、２４を有する基板１０２に、配線５１、５２、５３、機能素子４およびスペーサー１０、１１、１２、１３を形成する工程と、［２Ａ］凹部３１Ａおよび貫通孔３２Ａを有する基板１０３Ａを基板１０２に接合する工程と、［３Ａ］金属層７１Ａおよび封止材８１Ａを形成する工程とを有する。
以下、各工程を順次詳細に説明する。
なお、以下では、ベース基板２および蓋体３Ａがそれぞれガラス材料で構成され、かつ、機能素子４およびスペーサー１０、１１、１２、１３がそれぞれシリコンで構成されている場合を例に説明する。
なお、以下では、ベース基板２および蓋体３Ａがそれぞれガラス材料で構成され、かつ、機能素子４およびスペーサー１０、１１、１２、１３がそれぞれシリコンで構成されている場合を例に説明する。
［１Ａ］
１Ａ−１
まず、図１０（ａ）に示すように、一方の面（第１面）に凹部２１および溝２２、２３、２４を有する基板１０２（第１基板）を用意する。
本工程１Ａ−１は、前述した第１実施形態における工程１−１と同様にして行うことができる。
１Ａ−１
まず、図１０（ａ）に示すように、一方の面（第１面）に凹部２１および溝２２、２３、２４を有する基板１０２（第１基板）を用意する。
本工程１Ａ−１は、前述した第１実施形態における工程１−１と同様にして行うことができる。
１Ａ−２
次に、図１０（ｂ）に示すように、配線５１、５２、５３、接続部５４Ａ、５５Ａおよび絶縁層９１Ａを形成する。
本工程１Ａ−２は、前述した第１実施形態における工程１−２と同様にして行うことができる。
次に、図１０（ｂ）に示すように、配線５１、５２、５３、接続部５４Ａ、５５Ａおよび絶縁層９１Ａを形成する。
本工程１Ａ−２は、前述した第１実施形態における工程１−２と同様にして行うことができる。
１Ａ−３
次に、図１０（ｃ）に示すように、機能素子４およびスペーサー１１０を形成する。
より具体的に説明すると、まず、基板１０２の上面にシリコン基板を陽極接合法により接合する。そして、かかるシリコン基板を、必要に応じて薄肉化した後、エッチングすることにより、機能素子４およびスペーサー１１０を形成する。
スペーサー１１０は、スペーサー１１、１２、１３を有する。
また、スペーサー１１０は、スペーサー１１、１２、１３を除く部分（機能素子４を囲む部分）が後述する工程（ダイシング）を経てスペーサー１０となるものである。
次に、図１０（ｃ）に示すように、機能素子４およびスペーサー１１０を形成する。
より具体的に説明すると、まず、基板１０２の上面にシリコン基板を陽極接合法により接合する。そして、かかるシリコン基板を、必要に応じて薄肉化した後、エッチングすることにより、機能素子４およびスペーサー１１０を形成する。
スペーサー１１０は、スペーサー１１、１２、１３を有する。
また、スペーサー１１０は、スペーサー１１、１２、１３を除く部分（機能素子４を囲む部分）が後述する工程（ダイシング）を経てスペーサー１０となるものである。
［２Ａ］
２Ａ−２
次に、図１０（ｄ）に示すように、スペーサー１１０に基板１０３Ａ（第２基板）を接合する。
この基板１０３Ａは、後述する工程（ダイシング）を経て蓋体３Ａとなるものである。
また、基板１０３Ａは、凹部３１Ａおよび貫通孔３２Ａを有する。
また、基板１０３Ａは、ガラス材料で構成されている。
このような基板１０３Ａは、例えば、ガラス基板をエッチングにより凹部３１Ａおよび貫通孔３２Ａを形成することにより得られる。
２Ａ−２
次に、図１０（ｄ）に示すように、スペーサー１１０に基板１０３Ａ（第２基板）を接合する。
この基板１０３Ａは、後述する工程（ダイシング）を経て蓋体３Ａとなるものである。
また、基板１０３Ａは、凹部３１Ａおよび貫通孔３２Ａを有する。
また、基板１０３Ａは、ガラス材料で構成されている。
このような基板１０３Ａは、例えば、ガラス基板をエッチングにより凹部３１Ａおよび貫通孔３２Ａを形成することにより得られる。
そして、基板１０３Ａの凹部３１Ａ側の面と、スペーサー１０の基板１０２と反対側の面とを陽極接合法により接合する。このとき、かかる接合は、貫通孔３２Ａが基板１０２の厚さ方向からみた平面視にて溝２２に重なるように行う。
このような接合後の基板１０２と基板１０３Ａとの間には、機能素子４を収納する空間Ｓが形成される。
このとき、空間Ｓは、溝２２（隙間Ｓ４）を介して貫通孔３２Ａに連通している。
このような接合後の基板１０２と基板１０３Ａとの間には、機能素子４を収納する空間Ｓが形成される。
このとき、空間Ｓは、溝２２（隙間Ｓ４）を介して貫通孔３２Ａに連通している。
［３Ａ］
３Ａ−１
次に、図１１（ａ）に示すように、基板１０３Ａ上に金属層２００Ａを形成する。
この金属層２００Ａは、後述する工程（エッチング）を経て金属層７１Ａおよび端子６１Ａとなるものである。
３Ａ−１
次に、図１１（ａ）に示すように、基板１０３Ａ上に金属層２００Ａを形成する。
この金属層２００Ａは、後述する工程（エッチング）を経て金属層７１Ａおよび端子６１Ａとなるものである。
本工程３Ａ−１は、前述した第１実施形態における工程３−１と同様にして行うことができる。
ここで、スペーサー１１の貫通孔１１１の内壁面の一部が平面視にて貫通孔３２Ａの下端開口よりも外側に位置しているので、金属層２００Ａは、スペーサー１１の貫通孔１１１の内壁面の一部に対応する部分が欠損し、隙間Ｓ５を形成することができる。
そのため、空間Ｓは、隙間Ｓ４および隙間Ｓ５を介して貫通孔３２Ａに連通している。
ここで、スペーサー１１の貫通孔１１１の内壁面の一部が平面視にて貫通孔３２Ａの下端開口よりも外側に位置しているので、金属層２００Ａは、スペーサー１１の貫通孔１１１の内壁面の一部に対応する部分が欠損し、隙間Ｓ５を形成することができる。
そのため、空間Ｓは、隙間Ｓ４および隙間Ｓ５を介して貫通孔３２Ａに連通している。
３Ａ−２
次に、図１１（ｂ）に示すように、封止材８１Ａを形成する。
本工程３Ａ−２は、前述した第１実施形態における工程３−２と同様にして行うことができる。
３Ａ−３
次に、金属層２００Ａをエッチングすることにより、図１２（ａ）に示すように、金属層７１Ａおよび端子６１Ａを形成する。
本工程３Ａ−３は、前述した第１実施形態における工程３−３と同様にして行うことができる。
３Ａ−４
次に、図１２（ｂ）に示すように、ダイシングにより、電子部品１Ａを得る。
以上説明したような電子部品１Ａの製造方法によれば、電子部品１Ａの小型化を図るとともに、機能素子４を収納する気密性の高い空間Ｓを容易に形成することができる。
次に、図１１（ｂ）に示すように、封止材８１Ａを形成する。
本工程３Ａ−２は、前述した第１実施形態における工程３−２と同様にして行うことができる。
３Ａ−３
次に、金属層２００Ａをエッチングすることにより、図１２（ａ）に示すように、金属層７１Ａおよび端子６１Ａを形成する。
本工程３Ａ−３は、前述した第１実施形態における工程３−３と同様にして行うことができる。
３Ａ−４
次に、図１２（ｂ）に示すように、ダイシングにより、電子部品１Ａを得る。
以上説明したような電子部品１Ａの製造方法によれば、電子部品１Ａの小型化を図るとともに、機能素子４を収納する気密性の高い空間Ｓを容易に形成することができる。
４．電子機器
次に、本発明の電子機器を説明する。
図１３は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。
この図において、パーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このようなパーソナルコンピューター１１００には、電子部品１が内蔵されている。
次に、本発明の電子機器を説明する。
図１３は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。
この図において、パーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このようなパーソナルコンピューター１１００には、電子部品１が内蔵されている。
図１４は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、アンテナ（図示せず）、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部が配置されている。
このような携帯電話機１２００には、電子部品１が内蔵されている。
この図において、携帯電話機１２００は、アンテナ（図示せず）、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部が配置されている。
このような携帯電話機１２００には、電子部品１が内蔵されている。
図１５は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部は、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
また、ケース１３０２の正面側（図中裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリ１３０８に転送・格納される。
また、ケース１３０２の正面側（図中裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリ１３０８に転送・格納される。
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示されるように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピューター１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリ１３０８に格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピューター１４４０に出力される構成になっている。
このようなディジタルスチルカメラ１３００には、電子部品１が内蔵されている。
このようなディジタルスチルカメラ１３００には、電子部品１が内蔵されている。
このような電子機器は、電子部品１を備えるので、優れた信頼性を有する。
なお、本発明の電子機器は、図１３のパーソナルコンピューター（モバイル型パーソナルコンピューター）、図１４の携帯電話機、図１５のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンタ）、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ等に適用することができる。
なお、本発明の電子機器は、図１３のパーソナルコンピューター（モバイル型パーソナルコンピューター）、図１４の携帯電話機、図１５のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンタ）、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ等に適用することができる。
以上、本発明の電子部品、電子部品の製造方法および電子機器について図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものでない。
例えば、前述した実施形態では、機能素子が加速度センサー素子である場合を例に説明したが、機能素子としては、パッケージ内に収納して用いるものであれば、これに限定されず、例えば、各種ジャイロセンサー素子、各種圧力センサー素子、各種発振子等を用いることができる。
また、機能素子が加速度センサー素子である場合、機能素子の構成は、前述した実施形態のものに限定されず、各種加速度センサー素子を機能素子として用いることができる。
例えば、前述した実施形態では、機能素子が加速度センサー素子である場合を例に説明したが、機能素子としては、パッケージ内に収納して用いるものであれば、これに限定されず、例えば、各種ジャイロセンサー素子、各種圧力センサー素子、各種発振子等を用いることができる。
また、機能素子が加速度センサー素子である場合、機能素子の構成は、前述した実施形態のものに限定されず、各種加速度センサー素子を機能素子として用いることができる。
１‥‥電子部品 １Ａ‥‥電子部品 ２‥‥ベース基板 ３‥‥蓋体 ３Ａ‥‥蓋体 ４‥‥機能素子 １０‥‥スペーサー １１‥‥スペーサー １２‥‥スペーサー １３‥‥スペーサー ２１‥‥凹部 ２２‥‥溝 ２３‥‥溝 ２４‥‥溝 ３１‥‥凹部 ３１Ａ‥‥凹部 ３２‥‥貫通孔 ３２Ａ‥‥貫通孔 ３３‥‥貫通孔 ３４‥‥貫通孔 ３５‥‥絶縁層 ３６‥‥部分 ４１‥‥固定部 ４２‥‥固定部 ４３‥‥可動部 ４４‥‥連結部 ４５‥‥連結部 ４６‥‥可動電極部 ４７‥‥固定電極部 ４８‥‥固定電極部 ５１‥‥配線 ５２‥‥配線 ５３‥‥配線 ５４‥‥接続部 ５４Ａ‥‥接続部 ５５‥‥接続部 ５５Ａ‥‥接続部 ５６‥‥接続部 ５７‥‥接続部 ６１‥‥端子 ６１Ａ‥‥端子 ６２‥‥端子 ６３‥‥端子 ７１‥‥金属層 ７１Ａ‥‥金属層 ７２‥‥金属層 ７３‥‥金属層 ８１‥‥封止材 ８１Ａ‥‥封止材 ８２‥‥封止材 ８３‥‥封止材 ９１‥‥絶縁層 ９１Ａ‥‥絶縁層 １０２‥‥基板（第１基板） １０３‥‥基板（第２基板） １０３Ａ‥‥基板（第２基板） １１０‥‥スペーサー １１１‥‥貫通孔 ２００‥‥金属層 ２００Ａ‥‥金属層 １１００‥‥パーソナルコンピューター １１０２‥‥キーボード １１０４‥‥本体部 １１０６‥‥表示ユニット １２００‥‥携帯電話機 １２０２‥‥操作ボタン １２０４‥‥受話口 １２０６‥‥送話口 １３００‥‥ディジタルスチルカメラ １３０２‥‥ケース １３０４‥‥受光ユニット １３０６‥‥シャッタボタン １３０８‥‥メモリ １３１２‥‥ビデオ信号出力端子 １３１４‥‥入出力端子 １４３０‥‥テレビモニタ １４４０‥‥パーソナルコンピューター Ｓ‥‥空間 Ｓ１‥‥隙間 Ｓ２‥‥隙間 Ｓ４‥‥隙間 Ｓ５‥‥隙間
Claims (12)
- 第１面に溝を備えたベース基板と、
前記ベース基板の前記第１面側に配置されている蓋体と、
前記ベース基板と前記蓋体とで形成される空間内に配置されている機能素子と、
前記機能素子に電気的に接続され、前記溝内に設けられた配線と、
前記配線に電気的に接続され、前記蓋体の外表面に設けられた端子と、を備え、
前記蓋体には、前記ベース基板の厚さ方向からみた平面視にて前記配線に重なる位置に、貫通孔が設けられ、
前記貫通孔の内壁面には、前記配線に電気的に接続されている金属層が設けられ、
前記端子は、前記金属層を介して前記配線に電気的に接続され、
前記貫通孔内には、封止材が充填されていることを特徴とする電子部品。 - 前記金属層は、前記溝と連通している隙間を有する請求項１に記載の電子部品。
- 前記蓋体は厚肉部と薄肉部とを備え、
前記貫通孔は、前記厚肉部に設けられている請求項１または２に記載の電子部品。 - 前記貫通孔は、前記ベース基板側に向けて横断面積が漸次減少する形状をなしている請求項１ないし３のいずれか一項に記載の電子部品。
- 前記ベース基板の構成材料は、ガラスであり、
前記蓋体の構成材料は、シリコンであり、
前記ベース基板と前記蓋体とが陽極接合されている請求項１ないし４のいずれか一項に記載の電子部品。 - 前記ベース基板と前記蓋体との間に配置されたスペーサーをさらに備える請求項１ないし５のいずれか一項に記載の電子部品。
- 前記ベース基板の構成材料は、ガラスであり、
前記蓋体の構成材料は、ガラスであり、
前記スペーサーの構成材料は、シリコンであり、
前記ベース基板および前記蓋体は、それぞれ、前記スペーサーに対して陽極接合されている請求項６に記載の電子部品。 - 前記貫通孔の前記ベース基板側の開口部の周縁が、前記スペーサーの一部によって囲まれている請求項６または７に記載の電子部品。
- 前記機能素子は、シリコンで構成された構造体を有し、
前記スペーサーおよび前記構造体は、同一のシリコン基板から形成されたものである請求項８に記載の電子部品。 - 第１面に溝が設けられた第１基板を用意し、前記溝内に配線を形成し、前記第１基板の前記第１面側に、前記配線に電気的に接続される機能素子を設ける工程と、
前記第１基板の前記第１面に、貫通孔が設けられた第２基板を、前記貫通孔が前記第１基板の厚さ方向からみた平面視にて前記溝に重なるように接合して、前記第１基板と前記第２基板との間に前記機能素子を収納する空間を形成する工程と、
前記貫通孔の内壁面に、前記配線に電気的に接続される金属層を形成し、前記貫通孔内に封止材を充填する工程とを有することを特徴とする電子部品の製造方法。 - 第１面に溝が設けられた第１基板を用意し、前記溝内に配線を形成し、前記第１基板の前記第１面側に、前記配線に電気的に接続される機能素子と、前記機能素子を囲むスペーサーとを設ける工程と、
前記スペーサーの前記第１基板と反対側の面に、貫通孔が設けられた第２基板を、前記貫通孔が前記第１基板の厚さ方向からみた平面視にて前記溝に重なるように接合して、前記第１基板と前記第２基板との間に前記機能素子を収納する空間を形成する工程と、
前記貫通孔の内壁面に、前記配線に電気的に接続される金属層を形成し、前記貫通孔内に封止材を充填する工程とを有することを特徴とする電子部品の製造方法。 - 請求項１ないし９のいずれか一項に記載の電子部品を備えることを特徴とする電子機器。
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