JP4650843B2 - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
基板の主面の一部を覆う配線が形成される。基板上に、配線を覆う第1の部分と、配線から露出した主面を覆う第2の部分とを有し、配線の膜厚と同じ膜厚を有する絶縁膜が形成される。第2の部分を覆い、第1の部分を露出する第1のマスク層が形成される。等方性エッチングにより、第1のマスク層から露出した絶縁膜が除去される。絶縁膜を除去する工程は、絶縁膜の第1の部分が除去され、かつ絶縁膜の第2の部分の配線に接する端部の表面が端部以外の第2の部分の表面よりも低くなる段差形状を有するように行われる。絶縁膜を除去する工程の後に、基板上に設けられかつ配線と電気的に接続された素子と、基板との間に配線および絶縁膜の各々を挟む部分を有しかつ基板上において素子を囲む部材とが形成される。基板上の部材に囲まれた領域上に空洞が形成されるように部材上にキャップが形成される。
(実施の形態1)
はじめに本実施の形態の半導体装置としての加速度センサの構成について説明する。
図11を参照して、上記の本実施の形態の加速度センサは1つの加速度検出部ELを有しているが、本変形例の加速度センサは複数の加速度検出部EL(図示せず)を有している。各加速度検出部ELの可動電極6Mは、共通の電極パッド9Mに電気的に接続されている。このような接続を行なうためには、配線PMが分岐されて各加速度検出部ELに接続されればよい。このためにドープトポリシリコン層13から分岐されたドープトポリシリコン層13vが形成されている。
図13〜図24は、本発明の実施の形態1における半導体装置としての加速度センサの製造方法を工程順に示す概略的な部分断面図である。なお図13〜図24の各々の断面位置は、図9の断面位置に対応している。
図24を参照して、犠牲層20が除去される工程(リリース工程)が行なわれる。この際、層間絶縁膜4は窒化膜5により保護される。
はじめに本実施の形態の半導体装置としての加速度センサの構成について説明する。
図30〜図33は、本発明の実施の形態2における半導体装置としての加速度センサの製造方法を工程順に概略的に示す部分断面図である。なお図30〜図33の各々の断面位置は、図28の断面位置に対応している。
(実施の形態3)
はじめに本実施の形態の半導体装置としての加速度センサの構成について説明する。
図37〜図39は、本発明の実施の形態3における半導体装置としての加速度センサの製造方法を工程順に示す概略的な部分断面図である。なお図37〜図39の各々の断面位置は、図35の断面位置に対応している。
図40および図41のそれぞれは、比較例における加速度センサの構成を概略的に示す部分断面図である。なお、図40の断面位置は図35の断面位置に対応している。また図41の断面位置は図36の断面位置に沿っている。
はじめに本実施の形態の半導体装置としての加速度センサの構成について説明する。
図47〜図52は、本発明の実施の形態4における半導体装置としての加速度センサの製造方法を工程順に概略的に示す部分断面図である。なお図47〜図52の各々の断面位置は、図45の断面位置に対応している。
はじめに本実施の形態の半導体装置としての加速度センサの構成について説明する。
図56および図57は、本発明の実施の形態5における半導体装置としての加速度センサの製造方法の第1工程を概略的に示す部分断面図である。また図58および図59は、本発明の実施の形態5における半導体装置としての加速度センサの製造方法の第2工程を概略的に示す部分断面図である。なお図56および図58の各々の断面位置は、図54の断面位置に対応している。また図57および図59の各々の断面位置は、図55の断面位置に対応している。
はじめに本実施の形態の半導体装置としての加速度センサの構成について説明する。
Claims (15)
- 溝部を有する基板と、
前記溝部に沿って前記溝部の底面上に設けられ、前記溝部の深さと同じ第1の膜厚を有する第1の配線と、
前記基板上に設けられ、前記第1の配線に電気的に接続され、前記第1の膜厚よりも厚い第2の膜厚を有する第2の配線と、
前記基板上に設けられ、前記第2の配線と電気的に接続された素子と、
前記基板との間に前記第1の配線を挟む部分を有し、前記基板上において前記第2の配線および前記素子を囲む部材と、
前記基板上の前記部材に囲まれた領域上に空洞が形成されるように前記部材上に設けられたキャップとを備えた、半導体装置。 - 前記素子および前記部材の各々がドープされたポリシリコンからなる、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記素子は前記基板に対して変位可能に設けられている部分を含む、請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記第1および第2の配線は前記基板上において互いに交差する部分を有し、
前記交差する部分において前記第1および第2の配線を隔てる層間絶縁膜をさらに備えた、請求項1〜3のいずれかに記載の半導体装置。 - 前記基板は、前記溝部の底面をなす基材部と、前記溝部の側面をなす絶縁膜とを含む、請求項1〜4のいずれかに記載の半導体装置。
- 溝部を有する基板と、
前記溝部の深さと同じ膜厚を有し、前記溝部の側面との間に凹部が形成されるように、前記溝部に沿って前記溝部の底面上に設けられた配線と、
一の材質からなり、前記基板の上面と、前記配線の上面と、前記凹部の内面とを被覆する被覆膜と、
前記一の材質と異なる材質からなり、前記被覆膜に被覆された前記凹部を充填する充填部と、
前記基板上に設けられ、前記配線と電気的に接続された素子と、
前記基板との間に前記配線および前記充填部の各々を挟む部分を有し、前記基板上において前記素子を囲む部材と、
前記基板上の前記部材に囲まれた領域上に空洞が形成されるように前記部材上に設けられたキャップとを備えた、半導体装置。 - 前記素子および前記部材の各々がドープされたポリシリコンからなる、請求項6に記載の半導体装置。
- 前記素子は前記基板に対して変位可能に設けられている部分を含む、請求項6または7に記載の半導体装置。
- 基板と、
前記基板上に設けられた配線と、
前記配線と同じ材質からなり、前記配線の膜厚と同じ膜厚を有し、前記基板上に設けられ、平面視において前記配線と間隔を空けて前記配線を挟むパターンと、
前記基板上に設けられ、前記パターンと電気的に分離され、前記配線と電気的に接続された素子と、
前記基板との間に前記配線および前記パターンの各々を挟む部分を有し、前記基板上において前記素子を囲む部材と、
前記基板上の前記部材に囲まれた領域上に空洞が形成されるように前記部材上に設けられたキャップとを備えた、半導体装置。 - 前記素子および前記部材の各々がドープされたポリシリコンからなる、請求項9に記載の半導体装置。
- 前記素子は前記基板に対して変位可能に設けられている部分を含む、請求項9または10に記載の半導体装置。
- 前記パターンの一部は前記変位可能に設けられている部分に面している、請求項11に記載の半導体装置。
- 基板の主面の一部を覆う配線を形成する工程と、
前記基板上に、前記配線を覆う第1の部分と、前記配線から露出した前記主面を覆う第2の部分とを有し、前記配線の膜厚と同じ膜厚を有する絶縁膜を形成する工程と、
前記第2の部分を覆い、前記第1の部分を露出する第1のマスク層を形成する工程と、
等方性エッチングにより、前記第1のマスク層から露出した前記絶縁膜を除去する工程とを備え、
前記除去する工程は、前記絶縁膜の前記第1の部分が除去され、かつ前記絶縁膜の前記第2の部分の前記配線に接する端部の表面が前記端部以外の前記第2の部分の表面よりも低くなる段差形状を有するように行われ、さらに
前記絶縁膜を除去する工程の後に、前記基板上に設けられかつ前記配線と電気的に接続された素子と、前記基板との間に前記配線および前記絶縁膜の各々を挟む部分を有しかつ前記基板上において前記素子を囲む部材とを形成する工程と、
前記基板上の前記部材に囲まれた領域上に空洞が形成されるように前記部材上にキャップを形成する工程とを備えた、半導体装置の製造方法。 - 前記部材および前記素子を形成する工程は、
ドープされたポリシリコン層を形成する工程と、
前記素子および前記部材が形成されるように前記ポリシリコン層をパターニングする工程とを含む、請求項13に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記部材および前記素子を形成する工程は、
前記ポリシリコン層を形成する工程の前に、前記基板上の前記素子が形成される領域の一部に犠牲層を形成する工程と、
前記ポリシリコン層を形成する工程の後に、前記犠牲層を除去する工程とを含む、請求項14に記載の半導体装置の製造方法。
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