JP4989037B2 - 容量型力学量センサおよび半導体装置 - Google Patents
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Description
「微細加工とマイクロマシン」、江刺正喜著、電気学会論文A、114巻7/8号、平成6年
第一の絶縁体上の電極を第二の絶縁体上の電極に電気接続を可能とするように半導体に柱構造を形成し、かつ柱構造の上側は、機械的には分割されてなく、電気的には絶縁されている構造にした。
絶縁体(ガラス)630には、電極635が配置されており、この電極は撮像素子の電極とシリコン柱を電気的に接続している。
11、31、511、531 容量検出電極
12a、12b、32a、32b スルーホール
13、22d、26、26a、33a AL電極
14、34 N型シリコン基板
35 外部基板接続用電極
2a、2b、2c、2d、502 シリコン板
21、21a、21b、521 錘
221、222、223、522 シリコン柱
22a シリコン柱上
22b シリコン柱下
22c 絶縁体
22d 導電体
22e スリット上
22f スリット下
22g スリット上
22h スリット下
22i 絶縁体
23 梁
26c 不純物半導体接続電極
28 絶縁体
29 不純物半導体
3、503 上部ガラス板
7a、7b、7c、507 容量型力学量センサ
62a 撮像素子
62b、72a,72b 回路素子
Claims (13)
- 2枚のシリコン板の一方のシリコン板に力学量により変位する錘が形成された、前記2枚のシリコン板の間に第1の絶縁層を持つ基板と、
前記一方のシリコン板に積層された、第一の電極が設けられた第一の絶縁体と、
他方のシリコン板に積層された、第二の電極が設けられた第二の絶縁体と、
からなる、前記錘の変位による、前記錘と前記第一の電極との間の容量値変化から前記力学量を測定する容量型力学量センサであって、
前記一方のシリコン板から分離して形成された、前記一方のシリコン板の残りの部分とは絶縁されている、前記第一の電極がその一端に接続されたシリコンの柱と、
前記錘と前記シリコンの柱とを前記第1の絶縁層を介して保持している、分離されていない前記他方のシリコン板と、
前記他方のシリコン板および前記第1の絶縁層に設けられた接続穴を介して、前記柱の他端と前記第二の電極とを電気的に接続するための接続手段と、
を有する容量型力学量センサ。 - 前記接続手段は導電体からなり、前記接続穴の周囲に設けられた第2の絶縁層により前記他方のシリコン板と電気的に絶縁されている請求項1記載の容量型力学量センサ。
- 前記接続手段は導電体と前記他方のシリコン板の一部からなり、前記導電体は前記他方のシリコン板の一部と前記柱の他端とを接続しており、前記他方のシリコン板の一部は前記他方のシリコン板の残りの部分と電気的に絶縁されている請求項1記載の容量型力学量センサ。
- 前記他方のシリコン板の一部と前記他方のシリコン板の残りの部分との電気的な絶縁は、前記他方のシリコン板の一部を異種の不純物領域により囲むことで、空乏層を前記他方のシリコン板の一部の周囲に形成することによりなされる請求項3記載の容量型力学量センサ。
- 前記他方のシリコン板の一部と前記異種の不純物領域とには、逆バイアスとなるような電圧が印加されている請求項4記載の容量型力学量センサ。
- 2枚のシリコン板の一方のシリコン板に力学量により変位する錘が形成された、前記2枚のシリコン板の間に第1の絶縁層を持つ基板と、
前記一方のシリコン板に積層された、第一の電極が設けられた第一の絶縁体と、
他方のシリコン板に積層された、第二の電極が設けられた第二の絶縁体と、
からなる、前記錘の変位による、前記錘と前記第一の電極との間の容量値変化から前記力学量を測定する容量型力学量センサであって、
前記一方のシリコン板から分離して形成された、前記一方のシリコン板の残りの部分とは絶縁されている、前記第一の電極がその一端に接続されたシリコンの柱と、
前記錘と前記シリコンの柱とを保持している、分離されていない前記第1の絶縁層と、
前記他方のシリコン板および前記第1の絶縁層に設けられた接続穴を介して、前記柱の他端と前記第二の電極とを電気的に接続するための接続手段と、
を有し、
前記接続手段は導電体と前記他方のシリコン板の一部からなり、前記導電体は前記他方のシリコン板の一部と前記柱の他端とを接続しており、前記他方のシリコン板の一部は前記他方のシリコン板の一部と前記他方のシリコン板の残りの部分との間に設けられた前記第1の絶縁層に達するスリットにより前記他方のシリコン板の残りの部分と電気的に絶縁されている容量型力学量センサ。 - 前記スリットは、前記柱を形成するために、前記柱の周囲の前記一方のシリコン板に設けられたスリットとは異なる位置に設けられている請求項6記載の容量型力学量センサ。
- 前記スリットは、前記他方のシリコン板の一部を四方から取り囲むように配置されている請求項6記載の容量型力学量センサ。
- 前記スリットは、その内部が絶縁物により埋め込まれている請求項6記載の容量型力学量センサ。
- 第1の半導体基板と第2の半導体基板の間に絶縁体がはさまれて積層された基板と、
前記第1の半導体基板の表面に設けられた第1の回路と、
前記第2の半導体基板の表面に設けられた第2の回路と、
前記第1の半導体基板の表面から前記絶縁体までの間に設けられた、前記第1の半導体基板から分離して形成されたシリコンの柱と、
前記第1の半導体基板の表面に設けられた、前記シリコンの柱の表面側である一端と前記第1の回路とを接続する電極と、
前記シリコンの柱の絶縁体側である他端と前記第2の回路とを前記第2の半導体基板および前記絶縁体に設けられた接続穴を介して、電気的に接続するための接続手段と、
を有する半導体装置。 - 前記接続手段は導電体からなり、前記接続穴の周囲に設けられた絶縁層により前記第2の半導体基板と電気的に絶縁されている請求項10記載の半導体装置。
- 前記第1の回路は撮像素子を含み、さらに、前記第1の半導体基板の表面に積層されたガラスを有し、前記電極は、前記ガラスと前記第1の半導体基板との接合部分に配置されている請求項10または11に記載の半導体装置。
- 前記第1の半導体基板は回路パターンが形成された絶縁体基板に実装されていて、前記第1の回路と前記回路パターンとが接続されている請求項10または11に記載の半導体装置。
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