JP2004361394A - 容量型力学量センサ - Google Patents
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Abstract
【課題】 低コストで小型な容量型力学量センサの提供。
【解決手段】 下ガラス板の容量検出電極を、上ガラス板に設けたスルーホールと半田ボールを用いて、上ガラス板外面まで導通することにより、外部基板に接続するための電極を上ガラス板の外面上に集約し、外部基板に直接実装できるようにする。
【選択図】 図1
【解決手段】 下ガラス板の容量検出電極を、上ガラス板に設けたスルーホールと半田ボールを用いて、上ガラス板外面まで導通することにより、外部基板に接続するための電極を上ガラス板の外面上に集約し、外部基板に直接実装できるようにする。
【選択図】 図1
Description
本発明は、自動車などの角速度や加速度を検出する容量型力学量センサに関する。
従来の半導体容量式加速度センサを図11に示す。半導体容量式加速度センサ507は、加速度を受けて変位する錘521を有したシリコン板502と加速度による錘521の変位を容量変化として検出する電極531を有した上部ガラス板503、同じく加速度による錘521の変位を容量変化として検出する電極511を有した下部ガラス501が外部基板に実装するためのパッケージ504の内部に積層され収納されている。下部ガラス板501に設けられた電極511はスルーホール512を介してベースプレート506上に設けられた電極配線パターン561に接続される。電極配線パターン561は任意の電極ピン505と接続し外部回路に接続する。上部ガラス板503に設けられた電極531はスルーホール532を介して上部ガラス板503上に設けられた電極パッド533に接続される。電極パッド533からAu線551により任意の電極ピン505と接続し外部回路に接続する。(例えば、特許文献1 参照。)。
特開平9−243654号公報(第6頁、第2図)
しかしながら上記のように、複数の電極が複数の面上に配置されていると外部装置などの基板への接続にはワイヤー等が必要になり、低コスト化とはならない。また、ワイヤーを保護するためにはパッケージが必要になり、小型化、低コスト化にはならない。パッケージ台座には電極パターンを有した基板が必要であり低コスト化にはならない。
本発明はこのような事情に鑑み、小型かつ低コストな容量型力学量センサを提供する。
本発明はこのような事情に鑑み、小型かつ低コストな容量型力学量センサを提供する。
本願発明にかかる容量型力学量センサは、加速度などの力学量をうけて変位する錘を有したシリコン板と、前記シリコン基板を前記錘が形成された下面側から支持するための第一の板と、前記シリコン基板を上面から支持するための第二の板と、静電容量変動差により前記錘の変位を検出するため前記第一の板に形成された第一の容量検出電極と、を有する。さらに、静電容量変動差により前記錘の変位を検出するため前記第二の板に形成された第二の容量検出電極と、前記第二の板を上下に貫通するように形成された第1の電極と、前記第二の板を上下に貫通するように形成され、前記第二の容量検出電極と接続された第2の電極と、前記第1の電極と前記第1の容量検出電極とを電気的に接続するための半田と、を有することを特徴とする。
さらに、本願発明にかかる容量型力学量センサは、前記第一および第二の板がガラス板であることを特徴とする。
さらに、本願発明にかかる容量型力学量センサは、前記第一の電極に接続され前記第二の板の上面に形成された第一の電極パターンと、前記第二の電極に接続され前記第二の板の上面に形成された第二の電極パターンと、を有することを特徴とする。
以上のように、本発明による容量型力学量センサは、電極が一面に集約されているためワイヤーボンディングを必要とせず、直接基板に実装することが可能なため低コスト化が図れた。また、外部のパッケージも不要となり、小型化や低コスト化が図れた。
本発明の容量型力学量センサは、加速度などにより変位する錘を有したシリコン板と、第一の板である下部ガラス板と、第二の板である上部ガラス板からなる。また、下部ガラス板の第一の容量検出電極はボール状の半田を介して上部ガラス板の第一の電極と電気的に結合している。上部ガラス板の外面には外部基板に直接実装できるように電極が配置されている。
基本的な製法としてはまず、下部ガラス板を用意し、シリコン板を下部ガラス板に接合する。接合後に下部ガラス板の容量検出電極と上部ガラス板の電極の一部を接続するための半田ボールを下部ガラス板の容量検出電極の所定の位置に配置する。その後上部ガラス板をシリコン板に接合する。
以下、実施例1に容量型加速度サンサを、実施例2は容量型角速度センサの実施例を説明する。
図1(A)は、本発明の容量型加速度センサを示す平面図である。図1(B)は、本発明の容量型加速度センサを示す側面断面図である。図1(A)におけるA−A’の側面断面図である。
容量型加速度セン7は、容量検出電極11を有す下部ガラス板1、加速度を受けて変位する錘21をもつシリコン板2、容量検出電極31と直接外部基板に実装する外部電極35を有す上部ガラス板3が積層された構造となっている。また、下部ガラス板1上の容量検出電極11の一部には半田ボール14が配置されている。この半田ボール14は上部ガラス板3の電極33と接触が可能となる高さを有しており、これにより下部ガラス板1の容量検出電極11と上部ガラス板3の電極33を電気接続することができる。
図2(A)は、本発明の容量型加速度センサの下部ガラス板の平面図である。図2(B)は、本発明の容量型加速度センサの下部ガラス板の透過側面図である。
下部ガラス板1は主にSiO2から構成されているが、シリコン板2との熱膨張係数をあわせたものを使用している。また、下部ガラス板1の厚みは約500μm以上となっている。シリコン板2との接合面側には、厚さ約1μm以下のAlなどからなる容量検出用の電極11がスパッタなどにより4個設けられている。これらの電極は半田ボール14により上部ガラス板3の電極33に接続され電気接合が可能となる。
下部ガラス板1は主にSiO2から構成されているが、シリコン板2との熱膨張係数をあわせたものを使用している。また、下部ガラス板1の厚みは約500μm以上となっている。シリコン板2との接合面側には、厚さ約1μm以下のAlなどからなる容量検出用の電極11がスパッタなどにより4個設けられている。これらの電極は半田ボール14により上部ガラス板3の電極33に接続され電気接合が可能となる。
図3(A)は、本発明の容量型加速度センサの上部ガラス板の平面図である。図3(B)は、本発明の容量型加速度センサの上部ガラス板の底面図である。図3(C)は、本発明の容量型加速度センサの上部ガラス板の側面断面図である。図3(B)におけるB−B’の側面断面図である。
上部ガラス板3も下部ガラス板1と同様に主成分はSiO2から構成され、シリコン板2との熱膨張係数をあわせたものを使用している。また、上部ガラス板3の厚みは約100μm以上となっている。シリコン板2との接合面から数μm凹んだ位置には、厚さ約1μm以下のAlなどからなる容量検出用の電極31が配置されている。この容量検出用の電極31は、同じくAlをスパッタにて成膜されたスルーホール32aにより、上部ガラス板3外面に接合されたN型のシリコン34に接続される。また、シリコン板2との接合面には半田ボール14との接続に使用する電極33と、シリコン板2の錘21の電位を取るための電極33aがスパッタなどにより設けられている。同じくAlをスパッタにて成膜されたスルーホール32bにより上部ガラス板3外面に接合されたN型のシリコン34に接続される。このN型のシリコン34の外面にはAlをスパッタにより成膜してあり、このAlによる電極パッド35は外部の基板に直接実装することを可能する。
図4(A)は、本発明の容量型加速度センサのシリコン板の平面図である。図4(B)は、本発明の容量型加速度センサのシリコン板の側面断面図である。図4(A)におけるC−C’の側面断面図である。
シリコン板2は、錘21形成の加工を簡易にするためにシリコン板2の中に絶縁層28を持つSOI基板を使用している。シリコン板2の中心部には、外部から与えられる加速度により変位する錘21をエッチングにより形成している。この錘21の電位は、電極26aによって上部ガラス板3の電極33aを経由して外部端子35に接続されている。従って、錘21を外部から制御することが可能となる。
このときのAl電極33とAl電極26aが圧着されて電気結合を得る概念図を図5(A)および図5(B)に示す。図に示されるようにAl電極はお互いにつぶれて電気結合を得るが、シリコン板2に形成された凹み24に収まるようになっている。
また、図5(C)に錘の上下のシリコンの導通をとる電極の概略図を示す。錘21を形成するシリコン基板2は、絶縁層28によって下のシリコン22aと上のシリコン22bに絶縁されている。従って、錘21の上下のシリコンを同電位とするため、上のシリコン22bと絶縁層28に下のシリコン22aまで達するように階段状の凹み27を形成し、その上にスパッタによりAlの電極26を形成する。
更にシリコン板2には、錘21を支える役目として梁23の部分と、下部のガラス板1や上部ガラス板3と陽極接合する部分がある。
容量型加速度センサ7の基本的な製法としては、下部ガラス板1とシリコン板2の位置を任意の位置に合わせたあとに接合させる。接合には雰囲気温度約300℃において電圧約400Vを印加する陽極接合を用いる。
次に、下部ガラス板1の電極の所定の位置に半田ボールを実装する。その後に、上部ガラス板3と下部ガラス1と接合されたシリコン板2の任意の位置にあわせて陽極接合を行う。また、このときの熱により半田ボール14も変形し、上下の電極の電気結合を得ることができる。
以上、本発明の容量型加速度センサは上述したような構造を採用しているので、電極が一面に集約されているためワイヤーボンディングを必要とせず、直接基板に実装することが可能なため低コスト化が可能である。また、外部のパッケージも不要となり、小型化や低コスト化が可能である。
また、本発明の容量型加速度センサの実施例を説明したが、本発明の容量型加速度センサは上述のものに限定されるものではない。
図6は、本発明の容量型角速度センサ207の側面断面図である。図1と同様の側面断面図である。図7は、本発明の容量型角速度センサの下部ガラス板の平面図である。下部ガラス板1の容量検出側に配置された電極を表している。図8は、本発明の容量型角速度センサのシリコン板の平面図である。シリコン板2の中央にある錘21とそれを支える梁23の構成を表している。図9(A)は、本発明の容量型角速度センサの上部ガラス板の平面図である。上部ガラス板3に配置された外部基板接続用電極235の構成を表している。図9(B)は、本発明の容量型角速度センサの上部ガラス板の底面図である。上部ガラス板3の容量検出側に配置された錘加振用電極231と容量検出電極31の構成を表している。
図10(A)および(B)は、本発明の容量型角速度センサに角速度が印加された時の錘の動きの概念図である。外部から角速度が印加されたときに、錘に発生するコリオリ力を概念的に示したものである。上下のガラス板中央部に配置された電極211および電極231は、シリコン板2中央にある錘21をZ方向に励振させるための電極である。この電極に位相が180度ずれた正弦波を印加すると、錘21はZ方向に振動する。このときに、外部から図中のX軸周りに角速度を受けるとZ方向の振動に比例したコリオリ力が図中のY軸方向に発生する。このコリオリ力により錘21は変位する。その結果、各電極の静電容量も変動する。この変動値は角速度が加わっていないZ方向の振動のみの静電容量変動とはことなる。この静電容量変動差を電極から検出することで容量型角速度センサを実現することができる。
以上、本発明の容量型角速度センサも実施例1に記載した容量型加速度センサと同様の構造を採用しているので、電極が一面に集約されているためワイヤーボンディングを必要とせず、直接基板に実装することが可能なため低コスト化が可能である。また、外部のパッケージも不要となり、小型化や低コスト化が可能である。
また、本発明の容量型角速度センサの実施例を説明したが、本発明の容量型加速度センサは上述のものに限定されるものではない。
1、201、501・・・下部ガラス板
11、31、511、531・・・容量検出電極
14・・・半田ボール
32a、32b、212、232、512、532・・・スルーホール
26a、26b、33、33a・・・Al電極
2、202、502・・・シリコン板
21、22a、22b、521・・・錘
211、231・・・錘加振用電極
23・・・梁
24、27・・・シリコン凹み部
28・・・絶縁体
3、503・・・上部ガラス板
34、234・・・N型シリコン基板
35、235、522、533・・・外部基板接続用電極
504・・・パッケージ
505・・・外部基板接続用電極ピン
506・・・ベースプレート
551・・・Auワイヤー
561・・・電極配線パターン
7・・・容量型角速度センサ
207・・・容量型角速度センサ
507・・・半導体容量型加速度センサ
11、31、511、531・・・容量検出電極
14・・・半田ボール
32a、32b、212、232、512、532・・・スルーホール
26a、26b、33、33a・・・Al電極
2、202、502・・・シリコン板
21、22a、22b、521・・・錘
211、231・・・錘加振用電極
23・・・梁
24、27・・・シリコン凹み部
28・・・絶縁体
3、503・・・上部ガラス板
34、234・・・N型シリコン基板
35、235、522、533・・・外部基板接続用電極
504・・・パッケージ
505・・・外部基板接続用電極ピン
506・・・ベースプレート
551・・・Auワイヤー
561・・・電極配線パターン
7・・・容量型角速度センサ
207・・・容量型角速度センサ
507・・・半導体容量型加速度センサ
Claims (5)
- 力学量をうけて変位する錘を有したシリコン板と、
前記シリコン基板を前記錘が形成された下面側から支持するための第一の板と、
前記シリコン基板を上面から支持するための第二の板と
静電容量変動差により前記錘の変位を検出するため前記第一の板に形成された第一の容量検出電極と、
静電容量変動差により前記錘の変位を検出するため前記第二の板に形成された第二の容量検出電極と、
前記第二の板を上下に貫通するように形成された第1の電極と、
前記第二の板を上下に貫通するように形成され、前記第二の容量検出電極と接続された第2の電極と、
前記第1の電極と前記第1の容量検出電極とを電気的に接続するための半田と、を有することを特徴とする容量型力学量センサ。 - 前記第一および第二の板がガラス板であることを特徴とする請求項1に記載の容量型力学量センサ。
- 前記第一の電極に接続され前記第二の板の上面に形成された第一の電極パターンと、
前記第二の電極に接続され前記第二の板の上面に形成された第二の電極パターンと、を有することを特徴とする請求項1に記載の容量型力学量センサ。 - 前記力学量は、加速度である請求項1に記載の容量型力学量センサ。
- 前記力学量は、角速度である請求項1に記載の容量型力学量センサ。
Priority Applications (5)
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