KR100622372B1 - 복수개의 구성유닛을 포함하는 자이로센서 및 그 제조방법 - Google Patents

복수개의 구성유닛을 포함하는 자이로센서 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

복수개의 구성유닛을 포함하는 자이로센서가 개시된다. 본 자이로센서는, 기판, 일표면 상의 소정 영역에 공동부가 형성되며, 상기 기판 상부에 결합하여 외부 회전력에 비례하는 진동신호를 출력하는 멤스 구조물, 및 상기 공동부 내에 위치하며, 상기 진동신호를 회전 각속도에 비례하는 소정의 전기적신호로 변환하여 출력하는 회로유닛을 포함한다. 이에 따라, 회로유닛의 크기만큼 전체 크기가 감소하게 되므로, 소형의 자이로센서를 구현할 수 있게 된다.
자이로센서, 공동부, MEMS

Description

복수개의 구성유닛을 포함하는 자이로센서 및 그 제조방법 { Gyro-sensor comprising plural component unit, and fabricating method thereof }
도 1은 복수개의 구조물이 평면으로 배치된 종래의 단일칩의 구성을 나타내는 모식도,
도 2는 복수개의 구조물이 적층되어 형성된 종래의 단일칩의 구성을 나타내는 모식도,
도 3은 본 발명에 따른 단일칩의 구성을 나타내는 단면도,
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 자이로센서의 구성을 나타내는 단면도,
도 5는 본 발명의 또다른 실시예에 따른 자이로센서의 구성을 나타내는 단면도,
도 6A 내지 도 6C는 도 4의 자이로센서를 제조하는 방법에 대한 일실시예를 나타내는 공정도, 그리고,
도 7A 내지 도 7C는 도 4의 자이로센서를 제조하는 방법에 대한 또다른 실시예를 나타내는 공정도이다.
* 도면 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
210, 310 : 기판 220, 320 : 연결부
230, 330 : 회로유닛 240, 340 : MEMS 구조물
본 발명은 복수개의 소자를 포함하는 단일칩 및 그 제조방법에 관한 것으로써, 보다 상세하게는 복수개의 소자 중 하나에 대해서 일정한 공동부를 제작한 후, 다른 소자가 공동부내에 위치하도록 함으로써 단일 기판 상에 초소형으로 제작할 수 있는 단일칩 및 그 제조방법에 관한 것이다.
전자기술이 발전함에 따라 최근의 전자기기들은 다양하고 우수한 기능을 구비하면서도 동시에 점점 소형화, 경량화되는 추세이다. 특히, 최근에는 MEMS(Micro Electro Mechanical System)기술에 대한 연구가 진행되어 이러한 소형화, 경량화 추세를 더욱더 가속화하고 있다. MEMS 기술이란, 전기와 기계 부품을 초소형으로 일체화하여 만드는 기술로 마이크로 스케일(Micro Scale)의 기계적, 전기적 구조체를 결합하여 새로운 기능을 하는 시스템을 제작하는 기술을 의미한다.
이러한 MEMS 기술을 이용하여 제작된 구조물 및 회로유닛을 복수개 이상 연결하여 다양한 단일칩을 개발할 수 있다.
도 1에서는 이러한 단일칩의 일예로써, 복수개의 구조물 및 회로유닛이 평면적으로 배치된 자이로센서의 구성을 도시하고 있다. 도 1의 (a)는 자이로센서의 평면도, 도 1의 (b)는 단면도를 나타낸다.
자이로 센서는 제 1축 방향으로 일정하게 진동하는 질량체(mass)에 대해 수직한 제 2축 방향으로 일정 각속도의 회전력을 받으면 제 1축 및 제 2축에 대해 직 교하는 제 3축 방향으로 코리올리의 힘(Coriolis force)이 발생하는 원리를 이용하여 회전각속도를 검출하는 기기이다. 즉, 코리올리 힘에 의해 질량체가 제 3축 방향으로 회전이동되면 회전이동된 변위를 정전용량(Capacitance)의 변화로 변경하여 회전 각속도를 검출한다. 따라서, 자이로 센서는 코리올리 힘을 발생시키고 또한 이를 감지하기 위해, 그 내부에 소정방향으로 진동가능한 질량체 및 감지전극을 필요로 한다. 이러한 질량체 및 감지전극은 MEMS 기술을 이용하여 제조할 수 있다.
도 1의 (a)에 따르면, 자이로센서는 기판(10)상에 MEMS 구조물(11), 아날로그 ASIC(Application Specific Integrated Circuit)(12), 및 디지털 ASIC(13)이 일정형태로 배치되어 구현된다. MEMS 구조물(11)은 질량체 및 감지전극 등을 포함하는 부분이다. 한편, 아날로그 ASIC(12)는 MEMS 구조물(11)로부터 커패시턴스의 변화를 검출하여 회전각속도에 비례하는 전압 신호로 변환하게 된다. 이에 따라, 디지털 ASIC(13)는 아날로그 ASIC(12)로부터 나오는 아날로그 전압 신호를 디지털 신호로 변환하여 외부로 출력하게 된다.
도 1의 (b)는 도 1의 (a)의 자이로 센서에 대한 단면도이다. 도 1의 (b)에 따르면, MEMS 구조물(11) 및 아날로그 ASIC(12)는 도전물질(14)을 통해 전기적으로 연결되게 된다.
한편, 도 1에 도시된 자이로 센서는 각종 구조물 및 회로유닛이 평면적으로 배치되므로, 전체 단일칩의 면적이 커지게 된다는 문제점이 있다. 따라서, 최근의 소형화 추세에 맞지 않다는 문제점이 있다.
도 2는 MEMS 구조물(21), 아날로그 ASIC(22), 디지털 ASIC(23) 등이 적층된 구조로 형성된 종래의 자이로센서의 구성을 나타내는 모식도이다. 도 2의 (a)에 따르면, 기판(21)상에 MEMS 구조물(21)이 형성되고, MEMS 구조물(21)상부에 각종 ASIC(22, 23)등의 회로유닛이 형성된 후, 와이어(24)를 통해 전기적으로 연결되게 된다. 도 2의 (b)는 도 2의 (a)에 도시된 자이로 센서에 대한 단면도이다.
도 2의 (a) 및 도 2의 (b)에 따르면, 평면적으로 배치된 경우보다 전체 면적은 줄어 들수 있으나, 복수개의 소자가 적층된 후 와이어 본딩까지 이루어지므로 체적은 마찬가지로 증가한다는 문제점이 있다. 이에 따라, 최근의 소형, 경량의 전자기기에 사용되기에 어려움이 있다. 또한, 와이어 본딩이 발생하면 와이어 부분에서 손실이 발생할 수 있다는 문제점도 있다.
본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로써, 본 발명의 목적은 복수개의 소자를 단일 기판상에 초소형으로 연결하여 패키징함으로써 전체 체적을 줄일 수 있는 단일칩 및 그 제조방법을 제공함에 있다.
이상과 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일실시예에 따른 자이로센서는, 기판, 일표면 상의 소정 영역에 공동부가 형성되며, 상기 기판 상부에 결합하여 외부 회전력에 비례하는 진동신호를 출력하는 멤스 구조물, 및 상기 공동부 내에 위치하며, 상기 진동신호를 회전 각속도에 비례하는 소정의 전기적신호로 변환하여 출력하는 회로유닛을 포함한다.
이 경우, 상기 회로유닛은 상기 진동신호를 소정의 아날로그 신호로 변환하 는 아날로그 ASIC 및 상기 아날로그 신호를 디지털 신호로 변환하는 디지털 ASIC을 포함할 수 있다.
바람직하게는, 상기 멤스 구조물은, 상기 공동부가 형성된 표면이 상기 기판 방향을 향하도록 상기 기판 상부에 결합될 수 있다. 이 경우, 상기 멤스 구조물 및 상기 회로유닛을 각각 상기 기판과 전기적으로 연결하는 연결부를 더 포함하는 것이 바람직하다. 상기 연결부는 범핑방식으로 제조된 도전성 범프가 될 수 있다.
또한 바람직하게는, 상기 멤스 구조물은, 상기 공동부가 형성된 표면이 상기 기판 반대 방향을 향하도록 상기 기판 상부표면에 결합될 수 있다. 이 경우, 상기 공동부 내에서 상기 멤스 구조물 및 상기 회로유닛을 전기적으로 연결시키는 연결부를 더 포함할 수 있다. 마찬가지로 연결부는 도전성 범프를 사용할 수 있다.
보다 바람직하게는, 본 실시예에 따른 자이로센서를 구성하는 멤스 구조물은, 일표면 상의 소정영역에 상기 공동부가 형성된 하위 유리기판, 상기 하위 유리기판 상에서 상기 공동부가 형성된 표면의 반대 방향의 표면에 결합하며, 소정의 진동구조체 형태로 패터닝된 실리콘막, 상기 하위 유리기판 상에 형성되어 상기 실리콘막과 연결되는 도전체막, 및 상기 하위 유리기판과 결합된 반대 방향으로 상기 실리콘막에 결합한 상위 유리기판을 포함할 수 있다.
한편, 본 발명의 내용은 자이로센서 뿐만 아니라 단일칩으로 이루어지는 다른 전자부품에도 적용될 수 있다. 이 경우, 단일칩은, 일표면 상의 소정영역에 공동부가 형성된 제1소자, 상기 제1소자의 공동부 내에 위치하는 제2소자, 및 상기 제1소자 및 상기 제2소자와 각각 도전성 물질을 통해 연결되어 각 소자를 지지하는 기판을 포함할 수 있다.
한편, 본 발명의 일실시예에 따른 자이로센서의 제조방법은, (a) 외부 회전력에 비례하는 진동신호를 출력하는 멤스 구조물을 제작하는 단계, (b) 상기 멤스 구조물의 일표면 상의 소정영역을 식각하여 공동부를 제작하는 단계, (c) 상기 진동신호를 회전 각속도에 비례하는 소정의 전기적신호로 변환하여 출력하는 회로유닛을 기판 상부 표면에 결합하는 단계, 및 (d) 상기 공동부 내에 상기 회로유닛이 위치하도록 상기 멤스 구조물을 상기 기판 상부표면에 결합하는 단계를 포함한다.
한편, 본 발명의 또다른 실시예에 따른 자이로센서의 제조방법은, (a) 외부 회전력에 비례하는 진동신호를 출력하는 멤스 구조물을 제작하는 단계, (b) 상기 멤스 구조물의 일표면 상의 소정영역을 식각하여 공동부를 제작하는 단계, (c) 상기 진동신호를 회전 각속도에 비례하는 소정의 전기적신호로 변환하여 출력하는 회로유닛을 상기 공동부 내에 접합하는 단계, 및 (d) 상기 멤스 구조물을 기판 상부표면에 결합하는 단계를 포함한다.
이상과 같은 제조방법에 있어서 멤스 구조물을 제작하는 단계는, 표면상의 소정영역이 식각된 제1 유리기판 상에 실리콘막을 접합하는 단계, 상기 실리콘막의 소정 영역을 식각하여 소정의 진동구조체 형태로 패터닝하는 단계, 상기 진동구조체가 진동할 수 있는 공간이 확보된 제2 유리기판을 상기 실리콘막에 접합하는 단계, 및 상기 실리콘막과 외부단자를 전기적으로 연결시키기 위한 도전체막을 적층하는 단계를 포함하는 것이 바람직하다.
이하에서 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 대하여 자세하게 설명한다.
도 3은 본 발명에 따른 단일칩의 구성을 나타내는 단면도이다. 도 3에 따르면, 본 단일칩은 기판(110), 제1소자(130), 제2소자(120), 및, 연결부(140)를 포함한다.
기판(110)은 일반적인 PCB(Printed Curcuit Board) 기판을 의미한다. 제1소자(130)는 일정영역이 식각되어 공동부(cavity)를 형성하게 된다. 한편, 공동부 내에는 제2소자(120)가 위치한다. 제1소자(130) 및 제2소자(120)는 각각 연결부(140)를 통해 기판(110)에 전기적으로 연결된다. 따라서, 제1소자(130) 및 제2소자(120)는 기판(110) 내부에 형성된 전기적 배선(미도시)에 의해 상호 연결되게 된다.
연결부(140)는 기판(110)상에 형성된 패드(미도시)상에 금(gold), 솔더(solder), 혹은 기타 금속 등의 소재로 수십 μm 크기에서 수백 μm 크기의 돌기 형태의 외부접속단자, 즉, 도전성 범프(Bump) 형태로 구현할 수 있다. 도전성 범프 형태로 연결부(140)를 제조하게 되면, 전기선로의 경로가 단축됨으로써 전기저항 및 전기적 잡음을 감소시켜 전기적 성능이 향상되는 효과가 있다.
자이로 센서를 구현하고자 하는 경우, 제1소자(130)는 회전각속도에 따라서 진동하는 질량체 및 감지전극 등을 포함하는 구조물이 될 수 있고, 제2소자(120)는 제1소자(130)의 동작으로부터 회전각속도를 검출하는 아날로그 ASIC(Application Specific Integrated Circuit) 또는 디지털 ASIC 등이 될 수 있다.
또한, 한편으로는 제1소자(130)가 아날로그 ASIC 또는 디지털 ASIC이 되고, 제2소자(120)가 질량체 및 감지전극 등을 포함하는 구조물이 될 수도 있다. 이러한 구조는 제작자의 의도에 따라 임의로 결정될 수 있다. 도 3에 따르면, 제2소자(120)가 제1소자(130) 내부의 공동부에 위치하게 되므로, 전체 단일칩의 크기가 제2소자(120)의 크기만큼 감소하게 됨을 알 수 있다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 자이로센서의 구성을 나타내는 단면도이다. 도 4에 따르면, 기판(210) 상에 소정의 회로유닛(230)이 연결부(220)를 통해 연결되어 있으며, 회로유닛(230) 상부에는 자이로센서에 필요한 MEMS 구조물(240)이 위치한다. MEMS 구조물(240)은 외부로부터 인가되는 회전력에 따라 코리올리 힘이 발생하면 이에 따라 진동하는 질량체(245)와, 그 진동을 감지하는 감지전극(미도시) 등을 포함하는 부분이다.
MEMS 구조물(240)은 상하부 유리기판(244, 242)과, 그 사이에 형성되는 실리콘막(243), 실리콘막(243)과 연결부(220)를 연결하는 전기적 통로인 도전막(241)등을 포함한다. 실리콘막(243)은 외부 회전력에 의해 진동하는 질량체(245), 질량체를 구동하는 구동전극 및 진동을 감지하는 감지전극 등을 형성하기 위해 일정 형태로 패터닝되어 있다. 또한, 상하부 유리기판(244, 242)은 질량체(245)가 진동할 수 있는 일정 공간을 확보하기 위하여 질량체(245)가 형성된 부분이 일정영역 식각되어 있다.
한편, 하부 유리기판(242)은 일정 영역이 식각되어 공동부를 형성함으로써, 회로유닛(230)이 공동부내에 위치할 수 있도록 한다. 이에 따라, 회로유닛(230)의 체적만큼 전체 단일칩의 체적을 감소시킬 수 있게 된다.
이 경우, 회로유닛(230) 하부를 식각하여 일정영역을 확보한 후, 그 영역 내 에 MEMS 구조물(240)이 위치하도록 구현할 수도 있다.
한편, 도 5는 본 발명의 또다른 실시예에 따른 자이로 센서의 구성을 나타내는 단면도이다. 도 5에 따르면, 자이로 센서는 기판(310), MEMS 구조물(340), 및 회로유닛(330)을 포함한다. 도 4에 도시된 실시예와 달리, 도 5의 실시예에 따르면, MEMS 구조물(340)의 상부 유리기판(344)이 에폭시(epoxy)등의 접합물질(350)을 통해 기판(310)상에 접합된다. 그리고, MEMS 구조물(340)의 하부 유리기판(342) 부분에 형성된 공동부 내에 회로유닛(330)이 연결부(320)를 통해 연결된다. MEMS 구조물(340)은 상술한 바와 같이 질량체(345) 및 감지전극 등으로 패터닝된 실리콘막(343)을 포함한다. 실리콘막(343)은 도전막(341)과 전기적으로 연결되며, 도전막(341)은 다시 연결부(320)에 연결됨으로써 MEMS 구조물(340)의 커패시턴스 변화를 회로유닛(330)으로 전달할 수 있도록 한다.
도 6A 내지 도 6C는 도 4에 도시된 자이로센서의 제조방법의 일실시예를 설명하기 위한 공정도이다. 도 6A에 따르면, 먼저, 자이로센서의 질량체 및 구동전극, 감지전극 등을 포함하는 MEMS 구조물(240)을 제작한다. MEMS 구조물(240)의 제작방법을 세부적으로 살펴보면, 상부유리기판(244)의 일표면 상에서 일정 영역을 식각한다. 다음으로 일정 영역이 식각된 표면 상에 실리콘막(243)을 에폭시 등의 접합물질을 이용하여 접합한다. 그리고 나서, 포토레지스트막을 일정패턴으로 적층한 후, 실리콘막(243)을 에칭함으로써 질량체(245) 등의 패턴을 형성하게 된다.
한편, 별도로 하부 유리기판(242)의 일표면을 식각하여 복수개의 영역에서 공동부(246, 247)를 제작한다. 공동부 중 회로유닛(230)이 위치할 제1공동부(246) 는 회로유닛(230)의 크기를 고려하여 적당한 깊이 및 면적으로 제작한다. 그외의 공동부(247)는 실리콘막(243)이 노출될 수 있을 정도의 깊이로 제작한다. 다음으로, 도전막(241)을 적층하여 실리콘막(243)에 전기적으로 연결될 수 있도록 한다.
다음으로 도 6B에 도시된 바와 같이, 기판(210) 상에 회로유닛(230)을 전기적으로 연결시킨다. 이 경우, 범핑 방법에 의해 도전체 범프로 이루어진 연결부(220)를 제작하여, 회로유닛(230)을 연결할 수 있다.
최종적으로, 도 6C에 도시된 바와 같이, MEMS 구조물(240)을 기판(210)에 연결하여 자이로 센서를 완성하게 된다. 이 경우, 기판(210) 상에 형성된 회로유닛(230)이 MEMS 구조물(240)의 하부 유리기판(242)에 형성된 공동부(246)내에 위치하도록 연결한다. 이에 따라, 전체 단일칩의 체적을 줄일 수 있게 된다.
한편, 도 7A 내지 도 7C는 도 4의 자이로센서의 제조 방법의 또다른 실시예를 설명하기 위한 공정도이다. 먼저, 도 7A에서는 상술한 방법으로 MEMS 구조물(240)을 제작한다.
다음으로, 도 7B에서는 MEMS 구조물(240)의 하부 유리기판(242)에 형성된 공동부(246)내에 접합물질을 이용하여 회로유닛(230)을 접합하게 된다.
다음으로, 도 7C에서와 같이 회로유닛(230)이 접합된 MEMS 구조물(240)을 기판(210) 상에 전기적으로 연결시킨다. 도 7A 내지 도 7C에 도시된 공정을 이용하면, 도 6C에서와 같이 MEMS 구조물(240)을 연결함에 있어, 회로유닛(230)의 위치 및 공동부(246)의 위치를 고려하여야 하는 번거로움이 없어지게 된다.
이상과 같은 방법으로, 회로유닛(230) 및 MEMS 구조물(240)을 포함하는 자이 로센서를 제작할 수 있다. 이 경우, 회로유닛(230)은 상술한 바와 같은 아날로그 ASIC 또는 디지털 ASIC 등이 될 수 있다.
한편, 회로유닛(230) 자체도 실리콘 기판 상에 제조된 것이므로, 그 기판 하부에 일정크기의 공동부를 제작한 후, 그 공동부 내에 MEMS 구조물(240)이 위치하도록 제조할 수 있다. 이 경우에는 MEMS 구조물(240)의 크기만큼 전체 크기가 감소될 수 있다.
한편, 도 4 및 도 5에 도시된 실시예는, 하나의 MEMS 구조물(240, 340) 및 하나의 회로유닛(230, 330)만을 도시하고 있으나, 복수개의 MEMS 구조물 및 회로유닛을 실장하여 하나의 단일칩을 구현할 수도 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 복수개의 회로소자를 입체적으로 배치함으로써 초소형으로 패키징할 수 있게 된다. 이에 따라, 전체 단일칩의 체적을 감소시킬 수 있다. 또한, 각 소자를 범핑 방식을 이용하여 전기적으로 연결함으로써 전기적 손실을 줄일 수도 있다.
또한, 이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안될 것이다.

Claims (12)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 기판;
    일 표면 상의 소정 영역에 공동부가 형성되며 상기 공동부가 형성된 표면의 반대면이 상기 기판을 향하는 방향으로 상기 기판과 결합하여, 외부 회전력에 비례하는 진동신호를 출력하는 멤스 구조물; 및
    상기 공동부 내에 위치하며, 상기 진동신호를 회전 각속도에 비례하는 소정의 전기적 신호로 변환하여 출력하는 회로 유닛;을 포함하는 것을 특징으로 하는 자이로 센서.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 공동부 내에서 상기 멤스 구조물 및 상기 회로유닛을 전기적으로 연결시키는 연결부;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자이로센서.
  6. 제4항 또는 제5항에 있어서,
    상기 회로유닛은,
    상기 진동신호를 회전각속도에 비례하는 소정의 아날로그 신호로 변환하는 아날로그 ASIC; 및
    상기 아날로그 신호를 디지털 신호로 변환하는 디지털 ASIC;를 포함하는 것을 특징으로 하는 자이로센서.
  7. 제4항 또는 제5항에 있어서,
    상기 멤스 구조물은,
    일표면 상의 소정영역에 상기 공동부가 형성된 하위 유리기판;
    상기 하위 유리기판 상에서 상기 공동부가 형성된 표면의 반대 방향의 표면에 결합하며, 소정의 진동구조체 형태로 패터닝된 실리콘막;
    상기 하위 유리기판 상에 형성되어 상기 실리콘막과 연결되는 도전체막; 및
    상기 하위 유리기판과 결합된 반대 방향으로 상기 실리콘막에 결합한 상위 유리기판;을 포함하는 것을 특징으로 하는 자이로센서.
  8. 복수개의 소자로 구성된 단일칩에 있어서,
    일표면 상의 소정영역에 공동부가 형성된 제1소자;
    상기 제1소자의 공동부 내에 위치하는 제2소자; 및
    상기 제1소자 및 상기 제2소자와 각각 도전성 물질을 통해 연결되어 각 소자를 지지하는 기판;을 포함하며,
    상기 제1 소자는 상기 공동부가 형성된 면의 반대 면이 상기 기판을 향하는 방향으로 상기 기판과 결합한 것을 특징으로 하는 단일칩.
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. (a) 외부 회전력에 비례하는 진동신호를 출력하는 멤스 구조물을 제작하는 단계;
    (b) 상기 멤스 구조물의 일표면 상의 소정영역을 식각하여 공동부를 제작하는 단계;
    (c) 상기 진동신호를 회전 각속도에 비례하는 소정의 전기적신호로 변환하여 출력하는 회로유닛을 상기 공동부 내에 접합하는 단계; 및
    (d) 상기 공동부가 형성된 표면의 반대면이 상기 기판 상부 표면을 향하는 방향으로 상기 멤스 구조물을 상기 기판에 결합하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 자이로센서의 제조방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 (a)단계는,
    표면상의 소정영역이 식각된 제1 유리기판 상에 실리콘막을 접합하는 단계;
    상기 실리콘막의 소정 영역을 식각하여 소정의 진동구조체 형태로 패터닝하는 단계;
    상기 진동구조체가 진동할 수 있는 공간이 확보된 제2 유리기판을 상기 실리콘막에 접합하는 단계; 및
    상기 실리콘막과 외부단자를 전기적으로 연결시키기 위한 도전체막을 적층하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 자이로센서의 제조방법.
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