JP2001349732A - マイクロマシンデバイスおよび角加速度センサおよび加速度センサ - Google Patents
マイクロマシンデバイスおよび角加速度センサおよび加速度センサInfo
- Publication number
- JP2001349732A JP2001349732A JP2000168542A JP2000168542A JP2001349732A JP 2001349732 A JP2001349732 A JP 2001349732A JP 2000168542 A JP2000168542 A JP 2000168542A JP 2000168542 A JP2000168542 A JP 2000168542A JP 2001349732 A JP2001349732 A JP 2001349732A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- active layer
- substrate
- acceleration sensor
- micromachine device
- island
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P2015/0805—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
- G01P2015/0808—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining in-plane movement of the mass, i.e. movement of the mass in the plane of the substrate
- G01P2015/0811—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining in-plane movement of the mass, i.e. movement of the mass in the plane of the substrate for one single degree of freedom of movement of the mass
- G01P2015/0814—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining in-plane movement of the mass, i.e. movement of the mass in the plane of the substrate for one single degree of freedom of movement of the mass for translational movement of the mass, e.g. shuttle type
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P2015/0805—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
- G01P2015/0822—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass
- G01P2015/0825—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass
- G01P2015/0828—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass the mass being of the paddle type being suspended at one of its longitudinal ends
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＳＯＩ型角速度センサ及び加速度センサの回
路基板上への高密度表面実装実現。 【解決手段】 ＳＯＩ基板の支持層側に接続穴を設け、
バンプや異方性導電膜を用いて、裏面から活性層の端子
部と回路基板上のランドを接続することにより、ワイヤ
ーボンディングに要するスペースを不要とする。上記の
対策により、センサの回路基板への高密度表面実装を実
現し、機器の小型化に寄与せしめる。
路基板上への高密度表面実装実現。 【解決手段】 ＳＯＩ基板の支持層側に接続穴を設け、
バンプや異方性導電膜を用いて、裏面から活性層の端子
部と回路基板上のランドを接続することにより、ワイヤ
ーボンディングに要するスペースを不要とする。上記の
対策により、センサの回路基板への高密度表面実装を実
現し、機器の小型化に寄与せしめる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば車両の姿勢
制御、進行方向の算出、ハンドカメラの手ぶれ防止、携
帯電話の移動方向算出などに用いられる角速度センサ及
び加速度センサに関するものである。
制御、進行方向の算出、ハンドカメラの手ぶれ防止、携
帯電話の移動方向算出などに用いられる角速度センサ及
び加速度センサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、角速度を検出するセンサとして様
々なジャイロスコープ（以下、ジャイロと称す）が開発
されている。その種類を大別すると、機械式のコマジャ
イロ、光学式の光ファイバージャイロ、流体式のガスレ
ートジャイロ、音叉等の振動ジャイロがある。
々なジャイロスコープ（以下、ジャイロと称す）が開発
されている。その種類を大別すると、機械式のコマジャ
イロ、光学式の光ファイバージャイロ、流体式のガスレ
ートジャイロ、音叉等の振動ジャイロがある。
【０００３】近年は、製品の小型化・省電力化・低コス
ト化の要求に対し、単結晶シリコンや水晶などの素材に
マイクロマシニング微細加工技術を適用して形成した超
小型な角速度センサの開発も進められている。マイクロ
マシンによる角速度センサの大半は振動ジャイロに属す
る。検出原理は以下の通りである。
ト化の要求に対し、単結晶シリコンや水晶などの素材に
マイクロマシニング微細加工技術を適用して形成した超
小型な角速度センサの開発も進められている。マイクロ
マシンによる角速度センサの大半は振動ジャイロに属す
る。検出原理は以下の通りである。
【０００４】振動している錘が振動方向と垂直な軸周り
に錘を回転すると、振動方向と回転の軸の互いに垂直な
方向の力が錘に働く。この力による錘の力方向の変位を
検出し、そこから角速度を算出するのである。このセン
サには振動を励起する駆動力と、錘の変位を検出する機
構が必要である。センサの材料が圧電体もしくは一部に
圧電体部分を設けたものでは、圧電体への電圧印加によ
る歪みを駆動に利用したり、圧電体に加わる歪みにより
発生する電荷を検出したりする。
に錘を回転すると、振動方向と回転の軸の互いに垂直な
方向の力が錘に働く。この力による錘の力方向の変位を
検出し、そこから角速度を算出するのである。このセン
サには振動を励起する駆動力と、錘の変位を検出する機
構が必要である。センサの材料が圧電体もしくは一部に
圧電体部分を設けたものでは、圧電体への電圧印加によ
る歪みを駆動に利用したり、圧電体に加わる歪みにより
発生する電荷を検出したりする。
【０００５】別の方法では、磁気を用いたり、静電気力
を用いたりする。これらの中で圧電体を用いるものは、
バルクの圧電体を用いると微細加工が困難なことや、例
えばシリコン上に圧電体を形成する場合、形成自体に多
大な労力を必要とする。磁気の利用では、マグネットの
使用による周辺回路への影響や高効率な微細コイルの形
成が困難なことなど、実用に向けて越えなければならな
いハードルは高い。これらの意味から、材料にはシリコ
ンウエハを用い、駆動・検出両方に静電気力を用いるタ
イプのものの開発が、実用段階にまできている。静電気
力の利用した駆動とは、異なる電荷を蓄えた平行平板電
極が互いに引き合う力を応用する。従って、電極の総面
積が大きいほど有利である。
を用いたりする。これらの中で圧電体を用いるものは、
バルクの圧電体を用いると微細加工が困難なことや、例
えばシリコン上に圧電体を形成する場合、形成自体に多
大な労力を必要とする。磁気の利用では、マグネットの
使用による周辺回路への影響や高効率な微細コイルの形
成が困難なことなど、実用に向けて越えなければならな
いハードルは高い。これらの意味から、材料にはシリコ
ンウエハを用い、駆動・検出両方に静電気力を用いるタ
イプのものの開発が、実用段階にまできている。静電気
力の利用した駆動とは、異なる電荷を蓄えた平行平板電
極が互いに引き合う力を応用する。従って、電極の総面
積が大きいほど有利である。
【０００６】一方、検出は一定の電荷を蓄えた平行平板
コンデンサにおいて、その電極間距離が変化による電極
間電圧の変化を検出することにより、変位量を求める。
やはり検出側でも電極の総面積が大きいほど有利であ
る。特に、検出側の変位量は、駆動振動の変位量に比し
て、遙かに小さい（二桁〜三桁小さい）ため、より高精
度加工と検出効率向上が必要である。この種のマイクロ
マシン角速度センサでは、例えば、P.Greiff他により発
表された論文（Silicon monolithic micromechanical g
yroscope, Transducers'99, P966-969）や、近年では村
田製作所から発表された論文（MEMS'99）が一例であ
る。また。特開平５−３１２５７６号公報「角速度セン
サ」にも一例が記載されている。
コンデンサにおいて、その電極間距離が変化による電極
間電圧の変化を検出することにより、変位量を求める。
やはり検出側でも電極の総面積が大きいほど有利であ
る。特に、検出側の変位量は、駆動振動の変位量に比し
て、遙かに小さい（二桁〜三桁小さい）ため、より高精
度加工と検出効率向上が必要である。この種のマイクロ
マシン角速度センサでは、例えば、P.Greiff他により発
表された論文（Silicon monolithic micromechanical g
yroscope, Transducers'99, P966-969）や、近年では村
田製作所から発表された論文（MEMS'99）が一例であ
る。また。特開平５−３１２５７６号公報「角速度セン
サ」にも一例が記載されている。
【０００７】上記のように、振動型マイクロマシンジャ
イロでは、駆動効率・検出効率を高めるには電極面積を
増やす必要がある。そこで、錘の表面全体を電極として
用いたり、空間効率を高めるため、櫛形や梯子型、フィ
ッシュボーンなどの構造が採用されている。効率を向上
するためには、電極面積増加と共に電極間距離を小さく
構成精度加工することも重要である。これらの要求に対
応するため、最近では半導体プロセスであり、プラズマ
エッチングの一種である、反応性イオンエッチング（以
下ＲＩＥと称す）を用いる。この技術による超微細加工
により、数ミクロンピッチのシリコンによる構造物の作
製が可能である。
イロでは、駆動効率・検出効率を高めるには電極面積を
増やす必要がある。そこで、錘の表面全体を電極として
用いたり、空間効率を高めるため、櫛形や梯子型、フィ
ッシュボーンなどの構造が採用されている。効率を向上
するためには、電極面積増加と共に電極間距離を小さく
構成精度加工することも重要である。これらの要求に対
応するため、最近では半導体プロセスであり、プラズマ
エッチングの一種である、反応性イオンエッチング（以
下ＲＩＥと称す）を用いる。この技術による超微細加工
により、数ミクロンピッチのシリコンによる構造物の作
製が可能である。
【０００８】また、振動型マイクロマシンジャイロで
は、感度向上において電極面積のほか錘の質量を大きく
することも重要である。そこで、構造体を形成するシリ
コン基板に、厚みが例えば３０〜７０μｍ程度の基板を
採用するものが多く見られる。しかし、この様な薄型基
板をそのままハンドリングする事は困難なため、活性層
が３０〜７０μｍであるＳＯＩ基板が多用される。
は、感度向上において電極面積のほか錘の質量を大きく
することも重要である。そこで、構造体を形成するシリ
コン基板に、厚みが例えば３０〜７０μｍ程度の基板を
採用するものが多く見られる。しかし、この様な薄型基
板をそのままハンドリングする事は困難なため、活性層
が３０〜７０μｍであるＳＯＩ基板が多用される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】マイクロマシンジャイ
ロを基板に表面実装する場合、構造体が形成されている
活性層を基板に直付けする事は、構造体に影響を及ぼす
ため出来ず、支持層側を回路基板に固定し、活性層面か
らワイヤーボンディングで取り出される。しかし、携帯
端末やハンディーカメラの小型化が著しい中、ボンディ
ングパットの占める面積やワイヤーを張るスペースが、
機器の小型化において問題となってきた。
ロを基板に表面実装する場合、構造体が形成されている
活性層を基板に直付けする事は、構造体に影響を及ぼす
ため出来ず、支持層側を回路基板に固定し、活性層面か
らワイヤーボンディングで取り出される。しかし、携帯
端末やハンディーカメラの小型化が著しい中、ボンディ
ングパットの占める面積やワイヤーを張るスペースが、
機器の小型化において問題となってきた。
【００１０】本発明は、このような問題点を鑑みて、表
面実装技術をＳＯＩ基板型マイクロマシンデバイスに導
入し、機器の小型化に寄与する実装方法を提供すること
を目的とする。
面実装技術をＳＯＩ基板型マイクロマシンデバイスに導
入し、機器の小型化に寄与する実装方法を提供すること
を目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本願の請求項１の発明
は、金属薄膜パターンを有する絶縁体基板と、ＳｉＯ2
絶縁層の片側が導電性を示すＳｉ活性層であり、他方が
Ｓｉ支持層より構成されるＳＯＩ基板よりなり、前記活
性層に構造体が形成され、前記絶縁体基板の一部と前記
活性層の一部が接合された接合面を有するマイクロマシ
ンデバイスにおいて、活性層側の前記接合面に形成さ
れ、活性層の他の部分と絶縁された島状部と、前記金属
パターンのうちガラス側接合面上に形成された部分とが
接合状態で電気的に接続され、前記支持層側より前記島
状部、または前記構造体と接続されている活性層部分の
裏面に空けられた接続穴を通して、前記島状部または前
記活性層部分と外部が電気的に接続されていることを特
徴とするものである。
は、金属薄膜パターンを有する絶縁体基板と、ＳｉＯ2
絶縁層の片側が導電性を示すＳｉ活性層であり、他方が
Ｓｉ支持層より構成されるＳＯＩ基板よりなり、前記活
性層に構造体が形成され、前記絶縁体基板の一部と前記
活性層の一部が接合された接合面を有するマイクロマシ
ンデバイスにおいて、活性層側の前記接合面に形成さ
れ、活性層の他の部分と絶縁された島状部と、前記金属
パターンのうちガラス側接合面上に形成された部分とが
接合状態で電気的に接続され、前記支持層側より前記島
状部、または前記構造体と接続されている活性層部分の
裏面に空けられた接続穴を通して、前記島状部または前
記活性層部分と外部が電気的に接続されていることを特
徴とするものである。
【００１２】本願の請求項２の発明は、前記構造体の一
部または前記島状部と外部との電気的接続が、外部基板
上に構成されたバンプを介して行われることを特徴とす
るものである。
部または前記島状部と外部との電気的接続が、外部基板
上に構成されたバンプを介して行われることを特徴とす
るものである。
【００１３】本願の請求項３の発明は、前記接続穴の内
側及び接続穴口周辺と穴口に接続されたリード部として
金属膜を形成したことを特徴とするするものである。
側及び接続穴口周辺と穴口に接続されたリード部として
金属膜を形成したことを特徴とするするものである。
【００１４】本願の請求項４の発明は、前記構造体の一
部または前記島状部と外部との電気的接続が、外部基板
上と前記支持層間に配された異方性導電膜により行われ
ることを特徴とするものである。
部または前記島状部と外部との電気的接続が、外部基板
上と前記支持層間に配された異方性導電膜により行われ
ることを特徴とするものである。
【００１５】本願の請求項５の発明は、絶縁体基板がガ
ラス基板で構成されていることを特徴とするものであ
る。
ラス基板で構成されていることを特徴とするものであ
る。
【００１６】本願の請求項６の発明は、絶縁体基板が表
面にＳｉＯ２層を有するシリコン基板により構成されて
いることを特徴とするものである。
面にＳｉＯ２層を有するシリコン基板により構成されて
いることを特徴とするものである。
【００１７】本願の請求項７の発明は、絶縁体基板と活
性層の接合が陽極接合であることを特徴とするものであ
る。
性層の接合が陽極接合であることを特徴とするものであ
る。
【００１８】本願の請求項８の発明は、請求項１から請
求項７記載のマイクロマシンデバイスが、角速度センサ
であることを特徴とするものである。
求項７記載のマイクロマシンデバイスが、角速度センサ
であることを特徴とするものである。
【００１９】本願の請求項９の発明は、請求項１から請
求項７記載のマイクロマシンデバイスが、加速度センサ
であることを特徴とするものである。
求項７記載のマイクロマシンデバイスが、加速度センサ
であることを特徴とするものである。
【００２０】
【発明の実施の形態】（実施の形態１）本発明の実施の
形態１である単結晶シリコンＳＯＩウェハとガラスから
なる角速度センサについて、図１を用いて説明する。
形態１である単結晶シリコンＳＯＩウェハとガラスから
なる角速度センサについて、図１を用いて説明する。
【００２１】図１は実施の形態１における角速度センサ
の分解斜視図である。センサはＳＯＩ基板１０１とガラ
ス基板１２０からなる。ＳＯＩ基板１０１は電導性の高
い活性層１０２と絶縁性を示す非ドープＳｉの支持層１
０４と活性層１０２と支持層１０４の間に挟まれ両者を
絶縁する絶縁層１０３の３層構造をなす。絶縁層１０３
はＳｉＯ2よりなる。
の分解斜視図である。センサはＳＯＩ基板１０１とガラ
ス基板１２０からなる。ＳＯＩ基板１０１は電導性の高
い活性層１０２と絶縁性を示す非ドープＳｉの支持層１
０４と活性層１０２と支持層１０４の間に挟まれ両者を
絶縁する絶縁層１０３の３層構造をなす。絶縁層１０３
はＳｉＯ2よりなる。
【００２２】活性層１０２の中央には、プラズマエッチ
ングの一種であるＲＩＥにより、振動体１１０が構成さ
れている。振動体１１０の中央には角速度を検出するた
めの錘１０５があり、その周囲には振動体１１０を駆動
するための駆動電極１０７，１０８が配されている。駆
動電極は左側部１０７と右側部１０８に別れ、それぞれ
スリットの開いた簀の子上の構造である。錘１０５は厚
みの薄い４本の片持ち梁状の検出梁１０６を介して、駆
動電極１０７，１０８により支持され、錘１０５は基板
厚み方向にのみ自由度を持っている。
ングの一種であるＲＩＥにより、振動体１１０が構成さ
れている。振動体１１０の中央には角速度を検出するた
めの錘１０５があり、その周囲には振動体１１０を駆動
するための駆動電極１０７，１０８が配されている。駆
動電極は左側部１０７と右側部１０８に別れ、それぞれ
スリットの開いた簀の子上の構造である。錘１０５は厚
みの薄い４本の片持ち梁状の検出梁１０６を介して、駆
動電極１０７，１０８により支持され、錘１０５は基板
厚み方向にのみ自由度を持っている。
【００２３】また、駆動電極１０７，１０８は両端支持
梁状の２本の駆動梁１０９を介してフレーム１１７に支
持され、振動体の左右方向にのみ自由度を持っている。
また、駆動梁１０９外側にはフレーム１１７と電気的に
絶縁されたモニタ電極１１１が構成され、駆動梁１０９
の中央部付近を対向電極とする平行平板コンデンサを構
成している。活性層１０２にはフレーム１１７と電気的
に絶縁された島状部１１３が形成され、支持層１０４側
よりエッチングによる接続穴１４０が開けられ、この部
分の絶縁層１０３も除かれている。更に、この島状部１
１３にはフレーム１１７上面よりエッチングされ窪んだ
コンタクト部１１４と、このコンタクト部１１４周囲に
は更に深くエッチングされた溝部１１５が形成されてい
る。
梁状の２本の駆動梁１０９を介してフレーム１１７に支
持され、振動体の左右方向にのみ自由度を持っている。
また、駆動梁１０９外側にはフレーム１１７と電気的に
絶縁されたモニタ電極１１１が構成され、駆動梁１０９
の中央部付近を対向電極とする平行平板コンデンサを構
成している。活性層１０２にはフレーム１１７と電気的
に絶縁された島状部１１３が形成され、支持層１０４側
よりエッチングによる接続穴１４０が開けられ、この部
分の絶縁層１０３も除かれている。更に、この島状部１
１３にはフレーム１１７上面よりエッチングされ窪んだ
コンタクト部１１４と、このコンタクト部１１４周囲に
は更に深くエッチングされた溝部１１５が形成されてい
る。
【００２４】活性層１０２の上方（支持層１０４とは反
対側）には絶縁基板であるところのガラス基板１２０が
配され、Ｓｉ側のフレーム１１７の一部であるＳｉ側接
合面１１２と対応するガラス側接合面１２５は、陽極接
合にて強固に固定されている。陽極接合とはガラス基板
とＳｉ基板の清浄でフラットな面同士を接触させ、高温
下で高電圧を印加することで、接触面間に静電気力を発
生させ固定する技術である。ガラス側の接合面１２５の
内側は、エッチングにより窪んだギャップ部１２６が構
成され、ギャップ部１２６の底面には金属薄膜により構
成された電極パターンが形成されている。
対側）には絶縁基板であるところのガラス基板１２０が
配され、Ｓｉ側のフレーム１１７の一部であるＳｉ側接
合面１１２と対応するガラス側接合面１２５は、陽極接
合にて強固に固定されている。陽極接合とはガラス基板
とＳｉ基板の清浄でフラットな面同士を接触させ、高温
下で高電圧を印加することで、接触面間に静電気力を発
生させ固定する技術である。ガラス側の接合面１２５の
内側は、エッチングにより窪んだギャップ部１２６が構
成され、ギャップ部１２６の底面には金属薄膜により構
成された電極パターンが形成されている。
【００２５】電極パターンの中央には検出電極１２３が
錘１０５と対向するように配され、検出電極１２３の周
囲にはガラス側駆動電極１２１，１２２が配されてい
る。ガラス側駆動電極１２１，１２２は、それぞれＳｉ
側の左側駆動電極１０７，右側駆動電極１０８に対応し
ている。ガラス側の電極パターンからそれぞれリード線
部１２４が、ガラス側接合面１２５まで引き出され、Ｓ
ｉ側のコンタクト部と電気的に接続されている。
錘１０５と対向するように配され、検出電極１２３の周
囲にはガラス側駆動電極１２１，１２２が配されてい
る。ガラス側駆動電極１２１，１２２は、それぞれＳｉ
側の左側駆動電極１０７，右側駆動電極１０８に対応し
ている。ガラス側の電極パターンからそれぞれリード線
部１２４が、ガラス側接合面１２５まで引き出され、Ｓ
ｉ側のコンタクト部と電気的に接続されている。
【００２６】ここで、コンタクト部１１４の詳細な構造
を、図２を用いて説明する。Ｓｉ基板側の島状部１１３
中央に配されたコンタクト部１１４は、接合面１１２よ
りｔ２だけエッチングされ低くなっている。ここで、ガ
ラス基板１２０上の金属薄膜によるリード線部１２４の
膜厚をｔ１とすると、ｔ１＞ｔ２の関係が成り立つよう
に、それぞれｔ１，ｔ２を決める。このとき、ｔ１−ｔ
２だけ押さえ代が発生し、ガラス側の接合面１２５とＳ
ｉ側の接合面１１２の間に透き間が空くことになるが、
陽極接合が高温下で行われるので、ガラスが僅かに軟化
するため、リード線部１２４周囲にスロープが発生し、
接合面１１２と１２５は正常に接合される。コンタクト
部１１４周囲の溝部１１５の幅内で、このスロープ幅が
収まるように溝部１１５の幅を設定することにより、接
合面１１２，１２５間にくさび形隙間の発生を防止で
き、接合面の強度を向上させることが出来る。
を、図２を用いて説明する。Ｓｉ基板側の島状部１１３
中央に配されたコンタクト部１１４は、接合面１１２よ
りｔ２だけエッチングされ低くなっている。ここで、ガ
ラス基板１２０上の金属薄膜によるリード線部１２４の
膜厚をｔ１とすると、ｔ１＞ｔ２の関係が成り立つよう
に、それぞれｔ１，ｔ２を決める。このとき、ｔ１−ｔ
２だけ押さえ代が発生し、ガラス側の接合面１２５とＳ
ｉ側の接合面１１２の間に透き間が空くことになるが、
陽極接合が高温下で行われるので、ガラスが僅かに軟化
するため、リード線部１２４周囲にスロープが発生し、
接合面１１２と１２５は正常に接合される。コンタクト
部１１４周囲の溝部１１５の幅内で、このスロープ幅が
収まるように溝部１１５の幅を設定することにより、接
合面１１２，１２５間にくさび形隙間の発生を防止で
き、接合面の強度を向上させることが出来る。
【００２７】図３（ａ）に実施の形態１における角速度
センサを回路基板に実装した場合の断面図を示す。島状
部１１３には支持層１０４側から接続穴１４０が開けら
れ、支持層１０４側にむき出しになっている。センサを
実装すべき回路基板３０１上には配線を行うランド３０
２が設けてあり、センサへの電圧印加や検出信号の取り
出しは、このランド３０２を通して行う。ランド３０２
上には金で構成されたバンプ３０３が取り付けられ、そ
の頂点は島状部１１３に接触している。
センサを回路基板に実装した場合の断面図を示す。島状
部１１３には支持層１０４側から接続穴１４０が開けら
れ、支持層１０４側にむき出しになっている。センサを
実装すべき回路基板３０１上には配線を行うランド３０
２が設けてあり、センサへの電圧印加や検出信号の取り
出しは、このランド３０２を通して行う。ランド３０２
上には金で構成されたバンプ３０３が取り付けられ、そ
の頂点は島状部１１３に接触している。
【００２８】支持層１０４の下面周囲は絶縁性の高い接
着剤３０４が塗布され、センサは回路基板３０１に固定
されているため、島状部１１３とバンプ３０３頂点との
接触が保障される。通常、接着剤にはＵＶ硬化型のもの
が用いられる。この時、バンプ３０３が支持層１０４と
接触しても、支持層１０４が絶縁体であるため、他の部
分と短絡することはない。図３（ａ）では検出電極３０
５の端子取り出しに用いるバンプ３０３のみ示したが、
活性層１０２と回路側ＧＮＤの接続や、駆動電極１０
７，１０８への電圧印加にも同様の方法を用いる。
着剤３０４が塗布され、センサは回路基板３０１に固定
されているため、島状部１１３とバンプ３０３頂点との
接触が保障される。通常、接着剤にはＵＶ硬化型のもの
が用いられる。この時、バンプ３０３が支持層１０４と
接触しても、支持層１０４が絶縁体であるため、他の部
分と短絡することはない。図３（ａ）では検出電極３０
５の端子取り出しに用いるバンプ３０３のみ示したが、
活性層１０２と回路側ＧＮＤの接続や、駆動電極１０
７，１０８への電圧印加にも同様の方法を用いる。
【００２９】この様に、島状部１１３裏面に接続穴１４
０を設け、回路基板３０１上に配されたバンプ３０３を
介して、センサ側各電極端子と回路側端子と接続するこ
とにより、ワイヤーボンディングに伴う面積が不要とな
る。このため、回路基板３０１上に占める面積がほぼチ
ップサイズとなり、高密度実装による機器小型化に大き
く貢献する。
０を設け、回路基板３０１上に配されたバンプ３０３を
介して、センサ側各電極端子と回路側端子と接続するこ
とにより、ワイヤーボンディングに伴う面積が不要とな
る。このため、回路基板３０１上に占める面積がほぼチ
ップサイズとなり、高密度実装による機器小型化に大き
く貢献する。
【００３０】図３（ｂ）は島状部１１３裏面に開けられ
た接続穴１４０に金属薄膜４０２を形成した例である。
この処理を行うことにより、バンプ３０３がやや平たく
なり、その頂点が島状部１１３に届かないような場合で
も、島状部１１３と回路基板３０１上のランド３０２の
導通が保障する事が出来る。
た接続穴１４０に金属薄膜４０２を形成した例である。
この処理を行うことにより、バンプ３０３がやや平たく
なり、その頂点が島状部１１３に届かないような場合で
も、島状部１１３と回路基板３０１上のランド３０２の
導通が保障する事が出来る。
【００３１】次に、実施の形態１における角速度センサ
の動作について説明する。活性層１０２には、例えばＳ
ｂやＡｓ等の元素をドープさせることで導電性を持た
せ、その電位をＧＮＤとしている。回路基板３０１のＧ
ＮＤとは、島状部１１３裏面に設けたと同様の接続穴を
フレーム１１７部分の裏面に設け、バンプ３０３と介し
て接続されている。
の動作について説明する。活性層１０２には、例えばＳ
ｂやＡｓ等の元素をドープさせることで導電性を持た
せ、その電位をＧＮＤとしている。回路基板３０１のＧ
ＮＤとは、島状部１１３裏面に設けたと同様の接続穴を
フレーム１１７部分の裏面に設け、バンプ３０３と介し
て接続されている。
【００３２】また、ガラス側の駆動電極１２１，１２２
には、バンプ３０３，コンタクト部１１４を介して、そ
れぞれバイアス電圧Ｖｂの掛かった振幅Ｖａ，周波数ｆ
の交流電圧が印加されている。交流電圧のバイアス分Ｖ
ｂと交流振幅Ｖａの関係は、Ｖｂ＞Ｖａの関係があり、
駆動電極１２１に印加されている駆動信号がＶｂ＋Ｖａ
・Ｓｉｎ（２πｆｔ）の時、駆動電極１２２に印加され
る駆動信号はＶｂ−Ｖａ・Ｓｉｎ（２πｆｔ）となる。
には、バンプ３０３，コンタクト部１１４を介して、そ
れぞれバイアス電圧Ｖｂの掛かった振幅Ｖａ，周波数ｆ
の交流電圧が印加されている。交流電圧のバイアス分Ｖ
ｂと交流振幅Ｖａの関係は、Ｖｂ＞Ｖａの関係があり、
駆動電極１２１に印加されている駆動信号がＶｂ＋Ｖａ
・Ｓｉｎ（２πｆｔ）の時、駆動電極１２２に印加され
る駆動信号はＶｂ−Ｖａ・Ｓｉｎ（２πｆｔ）となる。
【００３３】従って、駆動電極１２１−１０７の間と、
駆動電極１２２−１０８の間に働く静電気力は、位相が
１８０°異なった振動的な引力となるため、振動体１１
０は図１の１３０の方向に振動する。このとき１３１の
方向を軸とする回転運動が振動体１１０に加わると、１
３２の方向にコリオリ力が発生する。駆動梁１０９は１
３０の方向には軟らかいが、１３２の方向には堅いた
め、１３２の方向に軟らかい検出梁１０６が変形し、振
動体１１０の中で錘１０５のみが１３２の方向に移動す
る。
駆動電極１２２−１０８の間に働く静電気力は、位相が
１８０°異なった振動的な引力となるため、振動体１１
０は図１の１３０の方向に振動する。このとき１３１の
方向を軸とする回転運動が振動体１１０に加わると、１
３２の方向にコリオリ力が発生する。駆動梁１０９は１
３０の方向には軟らかいが、１３２の方向には堅いた
め、１３２の方向に軟らかい検出梁１０６が変形し、振
動体１１０の中で錘１０５のみが１３２の方向に移動す
る。
【００３４】すると、錘１０５と検出電極１２３で構成
される平板コンデンサの静電容量が変化するため、この
容量変化をＣＶ変換回路（図示せず）により検出し、コ
リオリ力を算出する事により振動体１１０に加わった回
転速度を検知する。この際、振動体１１０の１３０方向
の駆動振動を制御するため、モニタ電極１１１の信号を
用いる。モニタ電極１１１が振動体１１０の振動を検出
する原理も、検出電極１２３による錘１０５の移動量検
出と同様静電方式である。
される平板コンデンサの静電容量が変化するため、この
容量変化をＣＶ変換回路（図示せず）により検出し、コ
リオリ力を算出する事により振動体１１０に加わった回
転速度を検知する。この際、振動体１１０の１３０方向
の駆動振動を制御するため、モニタ電極１１１の信号を
用いる。モニタ電極１１１が振動体１１０の振動を検出
する原理も、検出電極１２３による錘１０５の移動量検
出と同様静電方式である。
【００３５】尚、実施の形態１では、ＳＯＩ基板の支持
層に絶縁体Ｓｉを用いたが、電導性基板の場合も、活性
層で行った様に接続穴周囲のＳｉを島状部とすることに
より、本発明を実施できる。
層に絶縁体Ｓｉを用いたが、電導性基板の場合も、活性
層で行った様に接続穴周囲のＳｉを島状部とすることに
より、本発明を実施できる。
【００３６】（実施の形態２）本発明の実施の形態２で
ある単結晶シリコンとガラスからなる角速度センサにつ
いて、図４を用いて説明する。構造的には図１に示した
実施の形態１の角速度センサと同様、ＳＯＩ基板１０１
とガラス基板１２０を、接合面１１２と１２５で陽極接
合することにより構成されている。さらに、ＳＯＩ基板
１０１の活性層１０２に、錘１０５、検出梁１０６、駆
動電極１０７，１０８、駆動梁１０９からなる振動体１
１０が形成されているのも図１に示す実施の形態１と同
様であり、駆動梁１０９の横にはモニタ電極１１１も形
成されている。また、ＳＯＩ基板１０１に接合されてい
るガラス基板１２０には、実施の形態１と同様ギャップ
部１２６がエッチングされ、ギャップ部１２６の底面に
は実施の形態１で説明したのと同様の電極パターン１２
７が構成されている。実施の形態２が実施の形態１と異
なる点は、島状部１１３の裏面からの端子取り出し方法
にある。実施の形態２における角速度センサでは、常に
島状部１１３裏面の接続穴１４０壁面には金属膜４０２
を形成する。金属膜４０２は支持層１０４裏面の接続穴
１４０縁から、若干外側まで形成する。
ある単結晶シリコンとガラスからなる角速度センサにつ
いて、図４を用いて説明する。構造的には図１に示した
実施の形態１の角速度センサと同様、ＳＯＩ基板１０１
とガラス基板１２０を、接合面１１２と１２５で陽極接
合することにより構成されている。さらに、ＳＯＩ基板
１０１の活性層１０２に、錘１０５、検出梁１０６、駆
動電極１０７，１０８、駆動梁１０９からなる振動体１
１０が形成されているのも図１に示す実施の形態１と同
様であり、駆動梁１０９の横にはモニタ電極１１１も形
成されている。また、ＳＯＩ基板１０１に接合されてい
るガラス基板１２０には、実施の形態１と同様ギャップ
部１２６がエッチングされ、ギャップ部１２６の底面に
は実施の形態１で説明したのと同様の電極パターン１２
７が構成されている。実施の形態２が実施の形態１と異
なる点は、島状部１１３の裏面からの端子取り出し方法
にある。実施の形態２における角速度センサでは、常に
島状部１１３裏面の接続穴１４０壁面には金属膜４０２
を形成する。金属膜４０２は支持層１０４裏面の接続穴
１４０縁から、若干外側まで形成する。
【００３７】一方回路基板３０１上ではランド３０２の
有無に関わらず、支持層１０４が接触する部分全体に異
方性導電膜４０１が配されている。異方性導電膜とは接
着剤シート中に導体微粒子４０３を分散させたシートで
あり、シート中の隣り合う導体微粒子４０３は接触しな
い密度が保証されている。この異方性導電膜４０１上に
角速度センサを押し付けると、ランド３０２と金属膜４
０２に挟まれた導体微粒子４０４は、ランド３０２と金
属膜４０２に接触するため、ランド３０２と金属膜４０
２は電気的に接続される。
有無に関わらず、支持層１０４が接触する部分全体に異
方性導電膜４０１が配されている。異方性導電膜とは接
着剤シート中に導体微粒子４０３を分散させたシートで
あり、シート中の隣り合う導体微粒子４０３は接触しな
い密度が保証されている。この異方性導電膜４０１上に
角速度センサを押し付けると、ランド３０２と金属膜４
０２に挟まれた導体微粒子４０４は、ランド３０２と金
属膜４０２に接触するため、ランド３０２と金属膜４０
２は電気的に接続される。
【００３８】しかし、片側だけが導体の場合や導体に全
く接触していない導体微粒子４０３は、電気的に孤立状
態であるため、不要な端子の短絡は発生しない。異方性
導電膜４０１上に角速度センサを押し付けた状態で、異
方性導電膜４０１に加熱処理等を施すと、異方性導電膜
４０１中の接着剤が軟化後硬化し、回路基板３０１と支
持層１０４が接着固定される。この場合、図３に示した
接着剤３０４は必須ではないが、もちろん補強のための
接着剤を塗布することも可能である。異方性導電膜４０
１を用いた実装の場合、各ランド３０２にバンプを配す
る必要が無いため、生産工数的には実施の形態１よりも
更に少ないため、高密度実装とコスト削減の両方の効果
が期待できる。
く接触していない導体微粒子４０３は、電気的に孤立状
態であるため、不要な端子の短絡は発生しない。異方性
導電膜４０１上に角速度センサを押し付けた状態で、異
方性導電膜４０１に加熱処理等を施すと、異方性導電膜
４０１中の接着剤が軟化後硬化し、回路基板３０１と支
持層１０４が接着固定される。この場合、図３に示した
接着剤３０４は必須ではないが、もちろん補強のための
接着剤を塗布することも可能である。異方性導電膜４０
１を用いた実装の場合、各ランド３０２にバンプを配す
る必要が無いため、生産工数的には実施の形態１よりも
更に少ないため、高密度実装とコスト削減の両方の効果
が期待できる。
【００３９】実施の形態２における角速度センサの動き
についてであるが、振動体１１０の動きや駆動電極への
電圧印加方法まで、全く同様であるため、説明を割愛す
る。
についてであるが、振動体１１０の動きや駆動電極への
電圧印加方法まで、全く同様であるため、説明を割愛す
る。
【００４０】（実施の形態３）本発明の実施の形態３で
ある単結晶シリコンとガラスからなる加速度センサにつ
いて、図５を用いて説明する。実施の形態１の角速度セ
ンサと同様、ＳＯＩ基板１０１の活性層１０２とガラス
基板１２０とから構成されている。活性層１２０には片
持ち梁型の検出梁５０２と、その先端に取り付けられた
錘５０１がエッチングにより加工されている。
ある単結晶シリコンとガラスからなる加速度センサにつ
いて、図５を用いて説明する。実施の形態１の角速度セ
ンサと同様、ＳＯＩ基板１０１の活性層１０２とガラス
基板１２０とから構成されている。活性層１２０には片
持ち梁型の検出梁５０２と、その先端に取り付けられた
錘５０１がエッチングにより加工されている。
【００４１】活性層１０２に対向してガラス基板１２０
が陽極接合で取り付けられ、ガラス基板１２０にはギャ
ップ部１２６が設けてある。ギャップ部１２６底面に
は、金属膜による検出電極３０５が錘５０１に対向する
位置に配され、錘５０１と検出電極３０５間で平板コン
デンサを構成している。検出電極３０５の一部はリード
線部となり、ガラス基板側の接合面１２５に延び、陽極
接合により接合面１２５と１１２間に挟まれ、島状部１
１３に電気的に接続されている。島状部１１３の裏面に
は、接続穴１４０が支持層１０４側から開けられてい
る。支持層１０４下面には回路基板３０１があり、回路
基板３０１上のランド３０２上にはバンプ３０２が設け
てある。
が陽極接合で取り付けられ、ガラス基板１２０にはギャ
ップ部１２６が設けてある。ギャップ部１２６底面に
は、金属膜による検出電極３０５が錘５０１に対向する
位置に配され、錘５０１と検出電極３０５間で平板コン
デンサを構成している。検出電極３０５の一部はリード
線部となり、ガラス基板側の接合面１２５に延び、陽極
接合により接合面１２５と１１２間に挟まれ、島状部１
１３に電気的に接続されている。島状部１１３の裏面に
は、接続穴１４０が支持層１０４側から開けられてい
る。支持層１０４下面には回路基板３０１があり、回路
基板３０１上のランド３０２上にはバンプ３０２が設け
てある。
【００４２】加速度センサを回路基板３０１上に実装す
る際は、接続穴１４０内にバンプ３０３が挿入され、島
状部１１３の下面とバンプ３０３が接触するように位置
合わせされた後、回路基板３０１に加速度センサを押し
付けながら、支持層下面周囲に接着剤を塗布・硬化させ
る。これで、加速度センサは回路基板３０１に固定さ
れ、バンプ３０３と島状部１１３の接続は保証される。
図５では検出電極３０５の端子取り出しに用いるバンプ
３０３のみ示したが、活性層１０２と回路側ＧＮＤの接
続にも同様の方法を用いる。
る際は、接続穴１４０内にバンプ３０３が挿入され、島
状部１１３の下面とバンプ３０３が接触するように位置
合わせされた後、回路基板３０１に加速度センサを押し
付けながら、支持層下面周囲に接着剤を塗布・硬化させ
る。これで、加速度センサは回路基板３０１に固定さ
れ、バンプ３０３と島状部１１３の接続は保証される。
図５では検出電極３０５の端子取り出しに用いるバンプ
３０３のみ示したが、活性層１０２と回路側ＧＮＤの接
続にも同様の方法を用いる。
【００４３】この様に、島状部１１３裏面に接続穴１４
０を設け、回路基板３０１上に配されたバンプ３０３を
介して、センサ側各電極端子と回路側端子と接続するこ
とにより、ワイヤーボンディングに伴う面積が不要とな
る。このため、回路基板３０１上に占める面積がほぼチ
ップサイズとなり、高密度実装による機器小型化に大き
く貢献する。
０を設け、回路基板３０１上に配されたバンプ３０３を
介して、センサ側各電極端子と回路側端子と接続するこ
とにより、ワイヤーボンディングに伴う面積が不要とな
る。このため、回路基板３０１上に占める面積がほぼチ
ップサイズとなり、高密度実装による機器小型化に大き
く貢献する。
【００４４】次に、実施の形態３における加速度センサ
の動きを説明する。前述のように、ＧＮＤ電位の錘５０
１と検出電極３０５は平板コンデンサを形成する。錘５
０１に５１０方向の加速度が加わると、検出梁５０２が
たわみ、錘５０１と検出電極３０５の間隔が変化し、静
電容量が変化する。この容量変化は検出電極３０５に接
合された島状部１１３、バンプ３０３を介して、回路基
板３０１上の検出回路（図示せず）にて検出され、加速
度が算出される。
の動きを説明する。前述のように、ＧＮＤ電位の錘５０
１と検出電極３０５は平板コンデンサを形成する。錘５
０１に５１０方向の加速度が加わると、検出梁５０２が
たわみ、錘５０１と検出電極３０５の間隔が変化し、静
電容量が変化する。この容量変化は検出電極３０５に接
合された島状部１１３、バンプ３０３を介して、回路基
板３０１上の検出回路（図示せず）にて検出され、加速
度が算出される。
【００４５】尚、実施の形態３ではバンプによる端子取
り出しを行っているが、実施の形態２で述べたように、
異方性導電膜により端子取り出しを行っても同様の効果
が得られる。
り出しを行っているが、実施の形態２で述べたように、
異方性導電膜により端子取り出しを行っても同様の効果
が得られる。
【００４６】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、振動型角
速度センサ及び加速度センサを回路基板上に直接表面実
装でき、部品実装の高密度かが可能なため、搭載機器の
小型化に大きく寄与する。
速度センサ及び加速度センサを回路基板上に直接表面実
装でき、部品実装の高密度かが可能なため、搭載機器の
小型化に大きく寄与する。
【図１】実施の形態１における角速度センサの斜視図
【図２】実施の形態１における角速度センサのリード線
部拡大断面図
部拡大断面図
【図３】実施の形態１における角速度センサの端子取り
出し部断面図
出し部断面図
【図４】実施の形態２における角速度センサの端子取り
出し部断面図
出し部断面図
【図５】実施の形態３における加速度センサの端子取り
出し部断面図
出し部断面図
１０１ ＳＯＩ基板 １０２ 活性層 １０３ 絶縁層（ＳｉＯ2層） １０４ 支持層 １０５ 錘 １０６ 検出梁 １０７ 左駆動電極 １０８ 右駆動電極 １０９ 駆動梁 １１０ 振動体 １１１ モニタ電極 １１２ 接合面（シリコン側） １１３ 島状部 １１４ コンタクト部 １１５ 溝部 １１７ フレーム １２０ ガラス基板 １２１ ガラス側駆動電極（右側） １２２ ガラス側駆動電極（左側） １２３ 検出電極 １２４ リード線部 １２５ 接合面（ガラス基板側） １２６ ギャップ部 １３０ 振動体振動方向 １３１ 回転軸方向 １３２ 錘の移動方向 １４０ 接続穴 ３０１ 回路基板 ３０２ ランド ３０３ バンプ ３０４ 接着剤 ４０１ 異方性導電膜 ４０２ 金属薄膜 ４０３，４０４ 導体微粒子 ５０１ 錘 ５０２ 検出梁 ５１０ 加速度印加方向
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2F105 AA02 AA08 AA10 BB13 CC04 CD03 CD05 CD13 4M112 AA02 BA07 CA24 CA26 CA31 CA33 DA03 DA18 EA03 EA13
Claims (9)
- 【請求項１】 金属薄膜パターンを有する絶縁体基板
と、ＳｉＯ2絶縁層の片側が導電性を示すＳｉ活性層で
あり、他方がＳｉ支持層より構成されるＳＯＩ基板より
なり、前記活性層に構造体が形成され、前記絶縁体基板
の一部と前記活性層の一部が接合された接合面を有する
マイクロマシンデバイスにおいて、 活性層側の前記接合面に形成され、活性層の他の部分と
絶縁された島状部と、前記金属パターンのうちガラス側
接合面上に形成された部分とが接合状態で電気的に接続
され、前記支持層側より前記島状部、または前記構造体
と接続されている活性層部分の裏面に空けられた接続穴
を通して、前記島状部または前記活性層部分と外部が電
気的に接続されていることを特徴とするマイクロマシン
デバイス。 - 【請求項２】 構造体の一部または前記島状部と外部と
の電気的接続が、外部基板上に構成されたバンプを介し
て行われることを特徴とする請求項１記載のマイクロマ
シンデバイス。 - 【請求項３】 前記接続穴の内側及び接続穴口周辺と穴
口に接続されたリード部として金属膜を形成したことを
特徴とする請求項１または２に記載のマイクロマシンデ
バイス。 - 【請求項４】 前記構造体の一部または前記島状部と外
部との電気的接続が、外部基板上と前記支持層間に配さ
れた異方性導電膜により行われることを特徴とする請求
項３記載のマイクロマシンデバイス。 - 【請求項５】 絶縁体基板がガラス基板で構成されてい
ることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の
マイクロマシンデバイス。 - 【請求項６】 絶縁体基板が表面にＳｉＯ2層を有する
シリコン基板により構成されていることを特徴とする請
求項１から請求項４のいずれかに記載のマイクロマシン
デバイス。 - 【請求項７】 絶縁体基板と活性層の接合が陽極接合で
あることを特徴とする請求項か１から６のいずれかに記
載のマイクロマシンデバイス。 - 【請求項８】 請求項１から請求項７記載のマイクロマ
シンデバイスが、角速度センサであることを特徴とする
角速度センサ。 - 【請求項９】 請求項１から請求項７記載のマイクロマ
シンデバイスが、加速度センサであることを特徴とする
加速度センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000168542A JP2001349732A (ja) | 2000-06-06 | 2000-06-06 | マイクロマシンデバイスおよび角加速度センサおよび加速度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000168542A JP2001349732A (ja) | 2000-06-06 | 2000-06-06 | マイクロマシンデバイスおよび角加速度センサおよび加速度センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001349732A true JP2001349732A (ja) | 2001-12-21 |
Family
ID=18671532
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000168542A Pending JP2001349732A (ja) | 2000-06-06 | 2000-06-06 | マイクロマシンデバイスおよび角加速度センサおよび加速度センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001349732A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005010149A (ja) * | 2003-05-22 | 2005-01-13 | Seiko Instruments Inc | 容量型力学量センサとその製造方法 |
| JP2006017524A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Denso Corp | 角速度センサ |
| JP2007532338A (ja) * | 2004-04-19 | 2007-11-15 | アナログ デバイシス， インコーポレイテッド | 基板を介する導電経路を備えたｍｅｍｓデバイス |
| EP1757556A3 (en) * | 2005-08-22 | 2008-05-21 | Sony Corporation | Packaging a semiconductor device |
| JP2009014762A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-01-22 | Olympus Corp | マイクロミラーデバイス |
| JP2009097918A (ja) * | 2007-10-15 | 2009-05-07 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 静電容量型センサ、および、その製造方法 |
| JP2009229349A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Oki Semiconductor Co Ltd | 加速度センサパッケージ |
| US7878060B2 (en) | 2006-04-21 | 2011-02-01 | Sony Corporation | Motion sensor and method of manufacturing the same |
| JP2011097661A (ja) * | 2009-10-27 | 2011-05-12 | Stanley Electric Co Ltd | 圧電振動発電機及びこれを用いた発電装置 |
| DE10351761B4 (de) * | 2002-11-07 | 2012-08-09 | Denso Corporation | Sensor für eine dynamische Grösse |
| CN112978670A (zh) * | 2021-02-19 | 2021-06-18 | 上海交通大学 | 扭转式仿生纤毛流速传感器装置 |
-
2000
- 2000-06-06 JP JP2000168542A patent/JP2001349732A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10351761B4 (de) * | 2002-11-07 | 2012-08-09 | Denso Corporation | Sensor für eine dynamische Grösse |
| JP2005010149A (ja) * | 2003-05-22 | 2005-01-13 | Seiko Instruments Inc | 容量型力学量センサとその製造方法 |
| JP4628018B2 (ja) * | 2003-05-22 | 2011-02-09 | セイコーインスツル株式会社 | 容量型力学量センサとその製造方法 |
| JP2007532338A (ja) * | 2004-04-19 | 2007-11-15 | アナログ デバイシス， インコーポレイテッド | 基板を介する導電経路を備えたｍｅｍｓデバイス |
| JP4732445B2 (ja) * | 2004-04-19 | 2011-07-27 | アナログ デバイシス， インコーポレイテッド | 基板を介する導電経路を備えたｍｅｍｓデバイス |
| JP2006017524A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Denso Corp | 角速度センサ |
| DE102005029175B4 (de) * | 2004-06-30 | 2013-10-02 | Denso Corporation | Winkelgeschwindigkeitssensor mit einer Leiterplatte und einem Gehäuse |
| EP1757556A3 (en) * | 2005-08-22 | 2008-05-21 | Sony Corporation | Packaging a semiconductor device |
| US7878060B2 (en) | 2006-04-21 | 2011-02-01 | Sony Corporation | Motion sensor and method of manufacturing the same |
| JP2009014762A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-01-22 | Olympus Corp | マイクロミラーデバイス |
| JP2009097918A (ja) * | 2007-10-15 | 2009-05-07 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 静電容量型センサ、および、その製造方法 |
| JP2009229349A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Oki Semiconductor Co Ltd | 加速度センサパッケージ |
| JP2011097661A (ja) * | 2009-10-27 | 2011-05-12 | Stanley Electric Co Ltd | 圧電振動発電機及びこれを用いた発電装置 |
| CN112978670A (zh) * | 2021-02-19 | 2021-06-18 | 上海交通大学 | 扭转式仿生纤毛流速传感器装置 |
| CN112978670B (zh) * | 2021-02-19 | 2023-12-26 | 上海交通大学 | 扭转式仿生纤毛流速传感器装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6952965B2 (en) | Vertical MEMS gyroscope by horizontal driving | |
| US6557414B2 (en) | Inertia sensor and method of fabricating the same | |
| JP5450451B2 (ja) | 垂直方向に集積した電子回路およびウェハスケール密封包装を含むｘ−ｙ軸二重質量音叉ジャイロスコープ | |
| JPH07502592A (ja) | マイクロメカニカル音叉角速度センサー | |
| JPH10239347A (ja) | 運動センサ | |
| JP3263113B2 (ja) | 慣性センサー | |
| US7155976B2 (en) | Rotation sensing apparatus and method for manufacturing the same | |
| JP2001194153A (ja) | 角速度センサ、加速度センサおよび製造方法 | |
| JP2001349732A (ja) | マイクロマシンデバイスおよび角加速度センサおよび加速度センサ | |
| US11112247B2 (en) | Angular velocity sensor, sensor element, and multi-axis angular velocity sensor | |
| JPH06123632A (ja) | 力学量センサ | |
| JP4362877B2 (ja) | 角速度センサ | |
| JP2001349731A (ja) | マイクロマシンデバイスおよび角加速度センサおよび加速度センサ | |
| JP3449130B2 (ja) | 力学量センサおよびそれを用いた集積回路 | |
| JP3489505B2 (ja) | 半導体センサ | |
| JP2006105698A (ja) | 加速度角速度複合センサ | |
| JP4466283B2 (ja) | ジャイロセンサ | |
| JP3729192B2 (ja) | 半導体センサ及び同半導体センサの製造方法 | |
| WO2015075899A1 (ja) | 角速度センサ素子および角速度センサ | |
| JP4362739B2 (ja) | 振動型角速度センサ | |
| JP2006153481A (ja) | 力学量センサ | |
| JP4367111B2 (ja) | 半導体力学量センサ | |
| WO2020241629A1 (ja) | 角速度センサ及びセンサ素子 | |
| JP6987623B2 (ja) | 圧電素子、圧電デバイスおよび圧電素子の製造方法 | |
| JPH05322578A (ja) | ジャイロ装置 |