JP2008157969A - 半導体力学量センサおよび半導体力学量センサの製造方法 - Google Patents
半導体力学量センサおよび半導体力学量センサの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008157969A JP2008157969A JP2008074381A JP2008074381A JP2008157969A JP 2008157969 A JP2008157969 A JP 2008157969A JP 2008074381 A JP2008074381 A JP 2008074381A JP 2008074381 A JP2008074381 A JP 2008074381A JP 2008157969 A JP2008157969 A JP 2008157969A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- single crystal
- crystal silicon
- silicon substrate
- insulating member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
【解決手段】シリコン材料から形成された第1層と、該第1層の下面側に絶縁部材を介して配置された第2層とを備え、第1層は、力学量に応じて水平方向に変位する可動電極を有し、絶縁部材を介して前記第2層に固定された支持梁と、支持梁を形成するために第1層を貫通して設けられた絶縁溝と、絶縁溝を挟んで支持梁の側方に設けられ、絶縁部材を介して第2層に固定された固定電極とから構成され、第1層の上面から下面に対する方向の可動電極の厚みは、前記固定電極の厚みよりも薄い。
【選択図】図34
Description
以下、この発明を具体化した一実施例を図面に従って説明する。
次に、第2実施例を第1実施例との相違点を中心に説明する。
次に、第3実施例を第1実施例との相違点を中心に説明する。
次に、第4実施例を第3実施例との相違点を中心に説明する。
2 SiO2膜(絶縁膜)
3 トレンチ(溝)
6 ポリシリコン膜
8 単結晶シリコン基板
9 SiO2膜(絶縁膜)
10 信号処理回路
13 片持ち梁
Claims (8)
- シリコン材料から形成された第1層と、該第1層の下面側に絶縁部材を介して配置された第2層とを備え、
前記第1層は、
力学量に応じて水平方向に変位する可動電極を有し、前記絶縁部材を介して前記第2層に固定された支持梁と、
前記支持梁を形成するために前記第1層を貫通して設けられた絶縁溝と、
前記絶縁溝を挟んで前記支持梁の側方に設けられ、前記絶縁部材を介して前記第2層に固定された固定電極とから構成され、
前記第1層の上面から下面に対する方向の前記可動電極の厚みは、前記固定電極の厚みよりも薄いことを特徴とする半導体力学量センサ。 - シリコン材料から形成された第1層(42)と、該第1層の下面側に絶縁部材(41)を介して配置された第2層(40)とを備え、
前記第1層は、
力学量に応じて水平方向に変位する可動電極を有し、前記絶縁部材を介して前記第2層に固定された支持梁(13)と、
前記支持梁を形成するために前記第1層を貫通して設けられた絶縁溝(35、45)と、
前記絶縁溝を挟んで前記支持梁の側方に設けられ、前記絶縁部材を介して前記第2層に固定された固定電極(14、15、16、17)とから構成され、
前記第1層と前記絶縁部材との間において、前記絶縁溝に至る箇所には凹部(31、47)が設けられることを特徴とする半導体力学量センサ。 - 前記第1層と前記第2層とは前記絶縁部材により互いに電気的に絶縁されており、
前記第1層は、前記固定電極および前記支持梁の周囲に前記絶縁部材を介して前記第2層に固定された周縁部(10)を有することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体力学量センサ。 - 前記可動電極の下方には、前記絶縁部材が配置されることを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の半導体力学量センサ。
- 前記絶縁部材は、SiO2であることを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の半導体力学量センサ。
- 前記絶縁溝は、前記支持梁の全周に設けられていることを特徴とする請求項1ないし5のいずれかに記載の半導体力学量センサ。
- 第1層の主表面に凹部(47)を形成する第1工程と、
絶縁部材を有する第2層の該絶縁部材側と、前記第1層の前記凹部が形成された側とを接合する第2工程と、
前記第1層をエッチングして前記凹部(47)に至るトレンチを形成し、支持梁を画定する第3工程とを備えたことを特徴とする半導体力学量センサの製造方法。 - 前記第3工程の後、さらに前記トレンチを充填物で充填するとともに該充填物を平滑化する第4工程と、
前記第1層に回路を形成する第5工程と、
前記充填物を除去する第6工程とを有することを特徴とする請求項7に記載の半導体力学量センサの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008074381A JP4783914B2 (ja) | 2008-03-21 | 2008-03-21 | 半導体力学量センサおよび半導体力学量センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008074381A JP4783914B2 (ja) | 2008-03-21 | 2008-03-21 | 半導体力学量センサおよび半導体力学量センサの製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004249999A Division JP4175309B2 (ja) | 2004-08-30 | 2004-08-30 | 半導体力学量センサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008157969A true JP2008157969A (ja) | 2008-07-10 |
JP4783914B2 JP4783914B2 (ja) | 2011-09-28 |
Family
ID=39658982
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008074381A Expired - Lifetime JP4783914B2 (ja) | 2008-03-21 | 2008-03-21 | 半導体力学量センサおよび半導体力学量センサの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4783914B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2579057A (en) * | 2018-11-16 | 2020-06-10 | Atlantic Inertial Systems Ltd | Accelerometer |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05304303A (ja) * | 1992-04-27 | 1993-11-16 | Nippondenso Co Ltd | 加速度センサ及びその製造方法 |
JP2002289875A (ja) * | 2001-12-25 | 2002-10-04 | Denso Corp | 半導体力学量センサ及びその製造方法 |
JP2005031092A (ja) * | 2004-08-30 | 2005-02-03 | Denso Corp | 半導体力学量センサ |
-
2008
- 2008-03-21 JP JP2008074381A patent/JP4783914B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05304303A (ja) * | 1992-04-27 | 1993-11-16 | Nippondenso Co Ltd | 加速度センサ及びその製造方法 |
JP2002289875A (ja) * | 2001-12-25 | 2002-10-04 | Denso Corp | 半導体力学量センサ及びその製造方法 |
JP2005031092A (ja) * | 2004-08-30 | 2005-02-03 | Denso Corp | 半導体力学量センサ |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2579057A (en) * | 2018-11-16 | 2020-06-10 | Atlantic Inertial Systems Ltd | Accelerometer |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4783914B2 (ja) | 2011-09-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3367113B2 (ja) | 加速度センサ | |
US9145292B2 (en) | Cavity structures for MEMS devices | |
US5616514A (en) | Method of fabricating a micromechanical sensor | |
US9840410B2 (en) | Micromechanical component | |
JP3638290B2 (ja) | 半導体力学センサ | |
JP2009272477A (ja) | Memsセンサおよびその製造方法 | |
US6319729B1 (en) | Method for manufacturing an angular rate sensor | |
JP3633555B2 (ja) | 半導体力学量センサ | |
JP4783914B2 (ja) | 半導体力学量センサおよび半導体力学量センサの製造方法 | |
JP4175309B2 (ja) | 半導体力学量センサ | |
JP4783915B2 (ja) | 半導体力学量センサ | |
JP3638469B2 (ja) | 半導体加速度センサ | |
JP3309827B2 (ja) | 可動部を有する基板の製造方法及び力学量センサの製造方法 | |
JP3638470B2 (ja) | 半導体加速度センサ | |
JP3580285B2 (ja) | 半導体力学量センサの製造方法 | |
JP3725059B2 (ja) | 半導体力学量センサ | |
JP4530050B2 (ja) | 半導体力学量センサ | |
JP4752078B2 (ja) | 半導体力学量センサ | |
JP4063272B2 (ja) | 半導体力学量センサ | |
JP3725078B2 (ja) | 半導体力学量センサの製造方法 | |
JP4122572B2 (ja) | 半導体力学量センサの製造方法 | |
JP2002289876A (ja) | 半導体力学量センサ及びその製造方法 | |
JPH11345983A (ja) | 半導体力学量センサ | |
JPH11220140A (ja) | 半導体力学量センサおよびその製造方法 | |
JP2002181551A (ja) | 半導体力学量センサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20100511 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100706 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110607 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110620 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 1 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120722 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120722 Year of fee payment: 1 |