JP4063272B2 - 半導体力学量センサ - Google Patents
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Description
以下、この発明を具体化した一実施例を図面に従って説明する。
次に、第2実施例を第1実施例との相違点を中心に説明する。
102 片持ち梁
103〜105 第2の対向電極を構成する突起
110 シリコン基板
111 絶縁膜としてのSiO2膜
112 第1の対向電極を構成する可動電極
114 第1の対向電極を構成する励振用電極
115 溝を構成する凹部
116 溝を構成するトレンチ
117 n+拡散層
119 充填材としてのポリシコン膜
122 n+ポリシリコン膜
133〜138 第2の対向電極を構成する固定電極
139 錘
Claims (3)
- シリコン基板よりなる第1の層(110)と、前記第1の層上に配置された絶縁層からなる第2の層(111、123)と、前記第2の層上に配置されたシリコン層よりなる第3の層(122)と、前記第3の層上に配置された絶縁層よりなる第4の層(120)と、前記第4の層上に配置されたシリコン層よりなる第5の層(101)とからなる半導体力学量センサであって、
前記第5の層には、力学量の作用により変位可能な錘(139)と、前記錘に形成された可動電極(103〜105)、及び前記錘から絶縁分離されて前記第1の層に垂直な方向に延びる電気経路が形成され、
前記第3の層は、前記第1の層に平行な方向かつ前記錘の下方に形成され、高濃度の不純物を含むポリシリコン層(122)からなり、
前記ポリシリコン層と前記電気経路とが、該電気経路の下部に形成された電気的接続用の下部コンタクト(121)を介して電気的に接続され、
前記第5の層の主表面上に金属よりなる複数の配線層を略同一表面上に形成し、前記配線層の1つを前記電気経路に接続したことを特徴とする半導体力学量センサ。 - 前記第5の層には、前記可動電極に対向配置された固定電極(133〜138)が備えられることを特徴とする請求項1に記載の半導体力学量センサ。
- 前記第3の層は、ポリシリコンからなるシールド層を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体力学量センサ。
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