JP2000046563A

JP2000046563A - 半導体力学量センサ

Info

Publication number: JP2000046563A
Application number: JP11216803A
Authority: JP
Inventors: Tetsuo Fujii; 哲夫藤井; Masato Imai; 正人今井
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 1999-07-30
Filing date: 1999-07-30
Publication date: 2000-02-18

Abstract

(57)【要約】【目的】可動部に作用する力学量を検出する半導体力
学量センサにおいて、可動部の可動状態を検出するこ
と。【構成】単結晶シリコン基板１０１をエッチングする
ことによって形成された可動電極１１２は錘１３９と３
つの突起１０３，１０４，１０５を含んでいる。錘１３
９の下には、ポリシリコンからなるセンス用電極１１３
と励振用電極１１４とが形成されている。励振電極１１
４には交流電力が加えられて静電気により錘１３９を励
振させる。センス電極１１３は錘１３９の励振を検知し
て錘１３９の励振に伴う出力信号に基づいてフィードバ
ック制御により所定の錘励振を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は半導体力学センサに関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】本願出願人はすでに、平成４年特許願第
２２３０７２号にて、容量式半導体力学量センサとして
を提案している。これは、図１７に示すように、半導体
基板の一部に当該基板と離間した梁構造を形成し、その
梁の先端に形成された錘（可動部）の一面と同錘面と対
向する基板壁面に交流電力を加えて静電気により錘を励
振させ、当該錘の励振方向に対し直交する軸方向におい
て錘の一面と同錘面と対向する基板壁面に電極を対向配
置して当該対向電極間の容量の変化を電気的に検出して
同方向に働くヨーレイトを検出するようにしたものであ
る。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】この種の容量式半導体
力学量センサでは、可動部に力学量が作用したときに該
可動部が正常に可動しなければ、力学量を正確に検出す
ることができない。ところが、上記の半導体力学センサ
においては、錘が正常に可動するか否かを監視すること
については何ら触れられておらず今後の課題となってい
る。

【０００４】そこで、この発明の目的は、可動部の可動
状態を検出することができる半導体力学量センサを提供
することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の半導体力
学量センサは、半導体層から成る可動部に作用する力学
量を検出するものであって、前記可動部と対向する位置
に形成され、前記可動部を励振させ、その励振状態を検
出する励振状態検出手段を備えることを特徴とする。

【０００６】請求項８記載の半導体力学量センサは、１
つの可動部に電気的に一体に形成された第１の領域、第
２の領域及び第３の領域と、前記第１の領域と対向する
位置に形成され、前記可動部を励振させる第１の電極
と、前記第２の領域と対向する位置に形成され、前記可
動部の励振状態を検知する第２の電極と、前記第３の領
域と対向する位置に形成され、前記可動部に作用する力
学量を検知する第３の電極とを備えることを特徴とす
る。

【０００７】

【作用及び発明の効果】請求項１記載の発明では、励振
状態検出手段が、可動部を励振させ、その励振状態を検
出するので、励振している可動部の検出に基づき可動部
が正常に可動するか否かを監視することができる。

【０００８】請求項８記載の発明では、第１の電極が可
動部を励振させ、第２の電極にてその励振状態を検出す
るので、励振している可動部の検出に基づき可動部が正
常に可動するか否かを監視することができる。また、第
１乃至第３の電極と各々対向する第１乃至第３の領域が
１つの可動部に一体に形成されているので、第１乃至第
３の領域を一つ一つ製造することなく、同一工程にて製
造することが可能となり、製造プロセスを簡便化するこ
とが可能となる。

【０００９】

【実施例】（第１実施例）以下、この発明を具体化した
一実施例を図面に従って説明する。

【００１０】図２には、本実施例における半導体ヨーレ
イトセンサの概略平面図を示す。つまり、本センサは単
結晶シリコン基板１０１に片持ち梁１０２が形成され、
その先端に錘１３９が形成されている。又、錘１３９の
先端部には梁の延設方向に３つの突起１０３，１０４，
１０５が離間して延設されている。又、片持ち梁１０２
（錘１３９）の先端面に対向する単結晶シリコン基板１
側には、突起１０３と１０４との間において２つの突起
１０６，１０７が離間して突起１０３，１０４の延設方
向に平行状態にて延設されている。同様に、片持ち梁１
０２（錘１３９）の先端面に対向するシリコン基板１０
１側には、突起１０４と１０５との間において２つの突
起１０８，１０９が離間して突起１０４，１０５の延設
方向に平行状態にて延設されている。

【００１１】又、図３には、電極を含めた半導体ヨーレ
イトセンサの平面図を示す。さらに、図１には、図３の
Ａ−Ａ断面図を示す。尚、ＳＯＩ回路に形成するＩＣ回
路、配線等は省略し、本センサにおける容量を取り出す
電極および振動電極等のみに関して外部取り出し用のア
ルミ電極のみを示してある。つまり、全ての電極取り出
し部が単結晶シリコン基板１０１の主表面上に形成され
ている。

【００１２】図１に示すように、単結晶シリコン基板１
１０上にＳｉＯ₂膜１１１を介して単結晶シリコン基板
１０１が接合され、この単結晶シリコン基板１０１に前
述した梁構造が形成されている。

【００１３】図１，３において、片持ち梁１０２の錘１
３９の表面には可動電極１１２が形成されている。この
可動電極１１２は、錘１３９の３つの突起１０３，１０
４，１０５を含むものである。又、錘１３９の下方に
は、２つの電極１１３，１１４が並設されている。励振
用電極１１４は、交流電力を加えて静電気により錘１３
９を励振させるためのものである。つまり、可動電極１
１２と励振用電極１１４とにより励振用対向電極が形成
されている。

【００１４】一方、センス用電極１１３は錘１３９の励
振を検知するためのものであり、錘１３９の励振に伴う
出力信号に基づいてフィードバック制御により所定の錘
１３９の励振が行われる。つまり、可動電極１１２とセ
ンス用電極１１３とにより励振のフィードバック用対向
電極が形成されている。

【００１５】又、図３に示すように、片持ち梁１０２の
突起１０３を挟んで固定電極１３３と１３４（突起１０
６）が形成されるとともに、突起１０４を挟んで固定電
極１３５（突起１０７）と１３６（突起１０８）が形成
されている。さらに、突起１０５を挟んで固定電極１３
７（突起１０９）と１３８が形成されている。つまり、
突起１０３（可動電極１１２）と固定電極１３３，１３
４とにより対向電極が、又、突起１０４（可動電極１１
２）と固定電極１３５，１３６とにより対向電極が形成
されている。さらに、突起１０５（可動電極１１２）と
固定電極１３７，１３８とにより対向電極が形成されて
いる。

【００１６】図４〜図８にはその製造工程を示す。以
下、製造工程を説明する。図４に示すように、１〜２０
Ω・ｃｍのｎ型（１００）単結晶シリコン基板１０１を
用意し、単結晶シリコン基板１０１の主表面にドライエ
ッチング又はウェットエッチングにより凹部１１５を所
定の深さ、例えば、０．１〜５μｍの深さで形成する。
そして、単結晶シリコン基板１０１の主表面にＳｉＯ₂
膜を形成し、フォトリソグラフィー手法によりパターン
を形成する。続いて、凹部１１５の底部を含む単結晶シ
リコン基板１０１の主表面にドライエッチング等により
０．１〜３０μｍ程度のトレンチ１１６を形成する。

【００１７】本実施例では、この凹部１１５とトレンチ
１１６とにより溝が構成されている。そして、トレンチ
１１６の内壁を含む単結晶シリコン基板１０１の主表面
に、ｎ⁺拡散層１１７を形成するとともに、その表面に
熱酸化によりＳｉＯ₂膜１１８を形成する。

【００１８】その後、図５に示すように、凹部１１５、
トレンチ１１６内にＬＰＣＶＤ法によりポリシリコン膜
１１９を埋め込む。引き続き、ＳｉＯ₂膜１１８をスト
ッパーとしてポリシリコン膜１１９の表面を研摩し、表
面を平滑にする。この時、ポリシリコン膜１１９とＳｉ
Ｏ₂膜１１８の表面が平滑になることが望ましい。

【００１９】続いて、表面に例えばＣＶＤ法等により
０．３〜２μｍ程度の厚さのＳｉＯ₂膜１２０を形成
し、ｎ⁺拡散層１１７との電気的接続用の下部コンタク
ト１２１を所定の位置に形成する。

【００２０】さらに、Ａｓ，Ｐ（リン）を不純物とした
ｎ⁺ポリシリコン１２２を０．２〜１μｍの厚さで形成
して、これを所定の電極パターン及びシールド層とす
る。次に、表面に、例えば絶縁膜であるＢＧＳＰ膜１２
３を０．２〜１μｍの厚さで形成する。そして、このＢ
ＧＳＰ膜１２３の表面を平坦化研摩する。

【００２１】一方、図６に示すように、シリコン基板１
１０を用意し、その表面に熱酸化により０．２〜１μｍ
のＳｉＯ₂膜１１１を形成する。引き続き、図７に示す
ように、シリコン基板１０１及び１１０を、ＳｉＯ₂膜
１１１を介して、例えば１０００℃、Ｎ₂中で接合す
る。そして、単結晶シリコン基板１０１の裏面を、Ｓｉ
Ｏ₂膜１１８をストッパとして選択研摩する。この研摩
によりポリシリコン１１９とそれにより分離されたシリ
コン基板１０１領域を表面に露出させる。

【００２２】続いて、単結晶シリコン基板１０１領域に
公知の方法でＩＣ基板その他のデバイス（図示せず）を
作製するとともに、アルミ配線，パッシベーション膜，
パッド窓（いずれも図示せず）を形成する。

【００２３】続いて、図８に示すように、所定領域のＳ
ｉＯ₂膜１１８を除去し、図３に示すエッチング用孔１
２４を用いて所定領域のポリシリコン膜１１９を除去す
る。一例として、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウム
ハイドロオキサイド）エッチング液を用いる。このエッ
チングにより、可動電極（梁部）が形成される。

【００２４】このようにして製造された半導体ヨーレイ
トセンサにおいては、シリコン基板１１０上にＳｉＯ₂
膜１１１を介して薄膜化された単結晶シリコン基板１０
１が接合され、単結晶シリコン基板１０１には先端に錘
１３９を有する片持ち梁１０２が形成されている。又、
錘１３９の一面（図１の下面）にはｎ⁺拡散層１１７
が、又、同錘面と対向する単結晶シリコン基板１０１の
下面にｎ⁺ポリシリコン１２２（励振用電極１１４）が
形成され、ｎ⁺拡散層１１７とｎ⁺ポリシリコン１２２と
により励振用対向電極が形成される。そして、この励振
用対向電極に交流電力を加えて静電気により錘１３９が
励振する。さらに、錘１３９の励振方向に対し直交する
軸方向において、錘１３９の一面にはｎ⁺拡散層１１７
が、又、同錘面と対向する単結晶シリコン基板１０１の
壁面にｎ⁺拡散層１１７が形成され、錘１３９側のｎ⁺拡
散層１１７と単結晶シリコン基板１０１の壁面側のｎ⁺
拡散層１１７とによりヨーレイト検出用電極が形成され
る。このヨーレイト検出用電極により電気容量の変化を
検出して同方向に働くヨーレイトが検出される。

【００２５】つまり、励振用対向電極（ｎ⁺拡散層１１
７とｎ⁺ポリシリコン１２２）に交流電力を加えて静電
気により錘１３９を励振させる。この状態で、ヨーレイ
ト検出用電極（錘１３９側のｎ⁺拡散層１１７と、単結
晶シリコン基板１０１の壁面側のｎ⁺拡散層１１７）に
より錘１３９の励振方向に対し直交する軸方向において
電気容量の変化が検出されて同方向に働くヨーレイトが
検出される。

【００２６】このように本実施例では、単結晶シリコン
基板１０１の主表面に、錘１３９を有する片持ち梁１０
２を形成するための所定深さの溝としての凹部１１５，
トレンチ１１６を形成し（第１工程）、錘１３９となる
基板表面領域及びこの錘１３９を囲む凹部１１５，トレ
ンチ１１６の内壁において基板面方向（図４の左右方
向）にトレンチ１１６を挟んで一対の対向電極としての
ｎ⁺拡散層１１７を形成するとともに、錘１３９となる
基板表面領域において基板面方向に直交する方向（図５
の上下方向；シリコン基板１０１の厚さ方向）にｎ⁺拡
散層１１７（第１電極）を形成する（第２工程）。そし
て、凹部１１５，トレンチ１１６を充填材としてのポリ
シリコン膜１１９にて充填するとともにポリシリコン膜
１１９を挟んでｎ⁺拡散層１１７（第１電極）に対し対
向するｎ⁺ポリシリコン膜１２２（電極）を形成し、さ
らに、単結晶シリコン基板１０１の主表面を平滑化し
（第３工程）、単結晶シリコン基板１０１の主表面とシ
リコン基板１１０とを接合する（第４工程）。さらに、
単結晶シリコン基板１０１の裏面側を所定量研摩して単
結晶シリコン基板１０１を薄膜化し（第５工程）、単結
晶シリコン基板１０１の裏面側からポリシリコン膜１１
９をエッチング除去して錘１３９を有する片持ち梁１０
２を形成する（第６工程）。

【００２７】その結果、シリコン基板１１０上にＳｉＯ
₂膜１１１（絶縁膜）を介して接合され、かつ薄膜化さ
れた単結晶シリコン基板１０１と、単結晶シリコン基板
１０１に形成され、錘１３９を有する梁１０２と、錘１
３９の一面および同錘面と対応する壁面に形成された可
動電極１１２，励振用電極１１４（第１の対向電極）
と、錘１３９の可動電極１１２，励振用電極１１４に対
して直交する軸方向において錘１３９の一面および同錘
面と対向する壁面に形成された突起１０３〜１０５，固
定電極１３３〜１３８（第２の対向電極）とを備えるこ
ととなる。

【００２８】又、対向電極のどちらか１つ、即ち、可動
電極１１２，励振用電極１１４は単結晶シリコン基板１
０１の主表面に平行に形成されている。さらに、全ての
電極取り出し部を薄膜化された単結晶シリコン基板１０
１の同一面上に形成した。

【００２９】このように、シリコン基板１１０上にＳｉ
Ｏ₂膜１１１を介して接合され、かつ、薄膜化された単
結晶シリコン基板１０１と、単結晶シリコン基板１０１
に形成され、先端に錘１３９を有する片持ち梁１０２
と、錘１３９の一面および同錘面と対向する単結晶シリ
コン基板１０１の壁面に形成され、交流電力を加えて静
電気により錘１３９を励振させる励振用対向電極と、錘
１３９の励振方向に対し直交する軸方向において、錘１
３９の一面および同錘面と対向する単結晶シリコン基板
１０１の壁面に形成され、電気容量の変化を検出して同
方向に働くヨーレイトを検出するためのヨーレイト検出
用電極とを備えた半導体ヨーレイトセンサとなる。

【００３０】このようにして表面マイクロマシーニング
技術を用いて、ウェハプロセス途中、特にＩＣ回路作製
時、ウェハ凹部、貫通孔等のある状態での熱処理、フォ
トリソグラフィー処理等は行わず、プロセスの安定化、
コンタミネーションを防ぎデバイスの安定化、高精度化
を図ることができることとなる。

【００３１】尚、本実施例の応用としては、上記実施例
では励振用電極、センス電極を基板内部に埋め込んだ構
造で説明したが、コスト低減化のためセンス電極を省略
してもよい。この場合、上記構造の他にシリコン基板を
励振用電極としてそのまま利用することもできる。

【００３２】又、本実施例ではウェハ面と平行に形成し
た電極をセンス用電極、励振用電極とし、垂直方向の電
極をコリオリの力を検出するための固定電極として用い
たが、逆に利用することもできる。即ち、シリコン基板
１０１に垂直方向に形成した固定電極の一方を励振用電
極とし、もう一方の垂直方向の電極をフィードバックを
かけるためのセンス用電極として用い、ウェハ面に水平
な電極をコリオリの力を検出するための電極としてもよ
い。

【００３３】さらに、凹部１１５とトレンチ１１６を充
填するためのポリシリコン膜１１９（即ち、多結晶シリ
コン膜）は、非晶質又は多結晶と非晶質の混在したシリ
コン膜を用いてもよい。

【００３４】（第２実施例）次に、第２実施例を第１実
施例との相違点を中心に説明する。

【００３５】本実施例は、第１実施例に対し出力をさら
に増大し、かつ、過剰な衝撃等に対して梁の破壊を防止
しようとするものである。図９〜図１５にはセンサの製
造工程を示す。以下、製造工程を説明する。

【００３６】第１実施例の図４において、図９に示すよ
うに、ＳｉＯ₂膜１１８の形成後、ＬＰＣＶＤ法により
２００〜２０００ÅのＳｉ₃Ｎ₄膜１２５を形成する。本
実施例ではＳｉ₃Ｎ₄膜１２５の膜厚を５００Åとしてい
る。

【００３７】第１実施例と同様なプロセスで第１実施例
の図７に示すような表面平坦化研摩を行う。続いて、フ
ォトリソグラフィーにより図９のレジスト１２６で所定
のパターンを形成する。そして、図１０に示すように、
ドライエッチング等により単結晶シリコン基板１０１の
センサ部になる領域を部分的に除去する。

【００３８】次に、レジスト１２６をマスクとして、例
えばフッ酸を主体とするウェットエッチングによりＳｉ
Ｏ₂膜１１８を除去する。続いて、レジスト１２６を除
去する。

【００３９】以後、説明を分かりやすくするため図１０
のセンサ部Ｂの拡大図を用いて説明していく。図１１は
その拡大部分である。

【００４０】図１２に示すように、Ｓｉ₃Ｎ₄膜１２５を
熱酸化のマスクとしてＳｉＯ₂膜１２７を５００〜１０
０００Å形成する。本実施例では、ＳｉＯ₂膜１２７の
厚さを１０００Åとしている。

【００４１】続いて、図１３に示すように、熱酸化時の
マスクとして用いたＳｉ₃Ｎ₄膜１２５をプラズマエッチ
ングまたは熱リン酸のエッチングにて除去する。続い
て、ＬＰＣＶＤ法等によりポリシリコン１２８を表面に
形成し、ポリシリコン１２８の表面を選択研摩によりＳ
ｉＯ₂膜１２７をストッパとして除去する。

【００４２】さらに、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニ
ウムハイドロオキサイド）液にて表面の仕上げを行う。
ここで、周辺部にＩＣ回路等形成のプロセスを行う（図
示せず）。

【００４３】そして、図１４に示すように、表面にＳｉ
₃Ｎ₄膜１２９を５００〜２０００Å形成し、電極層およ
びセンサの過度の振幅に対するストッパとしてｎ⁺ポリ
シリコン層１３０を形成する。続いて、表面保護膜とし
てＢＰＳＧ膜１３１を形する。尚、この膜はＳｉ₃Ｎ₄膜
等で形成することも可能である。続いて、窓部１３２を
明ける。

【００４４】続いて、図１５に示すように、ＴＭＡＨ液
にてポリシリコン１１９，ポリシリコン１２８をこの窓
部１３２よりエッチング除去する。このようにして、全
周を電極及びストッパで包囲された可動部（片持ち梁）
を持つセンサが形成される。又、この構造においては、
基板と垂直方向に錘部分を励振させた場合、図１５に示
すように、ａ＞ｂかつａの範囲内にｂがあるので励振に
よるヨーレイトを検出する場合の容量の変化はほとんど
ない。又、このようにａとｂの関係は第１実施例に作り
込むこともできる。

【００４５】尚、図１６は全体の様子がより詳しく分か
るようにした図である。このように本実施例では、片持
ち梁１０２の上方にストッパ部材を配置したので、第１
実施例に対し出力をさらに増大、かつ、過剰な衝撃等に
対して片持ち梁１０２の破壊が防止できる。

【００４６】尚、この発明は上記各実施例に限定される
ものではなく、例えばセンサユニットを互いに直交する
方向に２組配置して２軸方向でのヨーレイトを検出する
ようにしてもよい。又、片持ち梁に限定されるものでも
ない。さらに、ヨーレイト検出に限らず、例えば、上述
の実施例において励振用電極としたものを、上下方向に
おける変位を容量検出する電極とし、２方向における変
位検出を可能とした力学センサに用いることも可能であ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施例における半導体ヨーレイトセンサの
断面図である。

【図２】第１実施例における半導体ヨーレイトセンサの
概略平面図である。

【図３】電極を含めた半導体ヨーレイトセンサの平面図
である。

【図４】製造工程を示す断面図である。

【図５】製造工程を示す断面図である。

【図６】製造工程を示す断面図である。

【図７】製造工程を示す断面図である。

【図８】製造工程を示す断面図である。

【図９】第２実施例の半導体ヨーレイトセンサの製造工
程を示す断面図である。

【図１０】製造工程を示す断面図である。

【図１１】製造工程を示す断面図である。

【図１２】製造工程を示す断面図である。

【図１３】製造工程を示す断面図である。

【図１４】製造工程を示す断面図である。

【図１５】製造工程を示す断面図である。

【図１６】製造工程を示す断面図である。

【図１７】センサの原理を説明するための説明図であ
る。

【符号の説明】１０１単結晶シリコン基板１０２片持ち梁１０３〜１０５第２の対向電極を構成する突起１１０シリコン基板１１１絶縁膜としてのＳｉＯ₂膜１１２第１の対向電極を構成する可動電極１１４第１の対向電極を構成する励振用電極１１５溝を構成する凹部１１６溝を構成するトレンチ１１７ｎ⁺拡散層１１９充填材としてのポリシコン膜１２２ｎ⁺ポリシリコン膜１３３〜１３８第２の対向電極を構成する固定電極１３９錘

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体層から成る可動部に作用する力学
量を検出する半導体力学量センサにおいて、前記可動部と対向する位置に形成され、前記可動部を励
振させ、その励振状態を検出する励振状態検出手段を備
えることを特徴とする半導体力学量センサ。
【請求項２】前記励振状態検出手段は、交流電力が印
加されて静電気力を発生して前記可動部を励振させるこ
とを特徴とする請求項１記載の半導体力学量センサ。
【請求項３】前記励振状態検出手段は、前記可動部に
力学量が作用したときに前記可動部の可動によって形成
される面と平行な面に形成されていることを特徴とする
請求項１または２記載の半導体力学量センサ。
【請求項４】前記励振状態検出手段は、前記可動部の
下に形成されていることを特徴とする請求項１乃至３い
ずれか１つに記載の半導体力学量センサ。
【請求項５】前記励振状態検出手段は、第１の電極を
有し、該第１の電極と前記可動部との間の容量変化を検
知することで、前記可動部の励振状態を検出することを
特徴とする請求項１乃至４いずれか１つに記載の半導体
力学量センサ。
【請求項６】前記励振状態検出手段は、第２の電極を
有し、該第２の電極に交流電力が印加されて静電気力を
発生することを特徴とする請求項５記載の半導体力学量
センサ。
【請求項７】前記可動部と対向する位置に形成された
容量検出電極を備え、前記可動部と前記容量検出電極と
の間の容量変化を検知することで、前記可動部に作用す
る力学量を検出することを特徴とする請求項１乃至６何
れか１つに記載の半導体力学量センサ。
【請求項８】１つの可動部に電気的に一体に形成され
た第１の領域、第２の領域及び第３の領域と、前記第１の領域と対向する位置に形成され、前記可動部
を励振させる第１の電極と、前記第２の領域と対向する位置に形成され、前記可動部
の励振状態を検知する第２の電極と、前記第３の領域と対向する位置に形成され、前記可動部
に作用する力学量を検知する第３の電極と、を備えることを特徴とする半導体力学量センサ。
【請求項９】前記第１の電極は、交流電力が印加され
て静電気力を発生し、この静電気力を前記第１の領域に
作用させて前記可動部を励振させることを特徴とする請
求項８記載の半導体力学量センサ。
【請求項１０】前記可動部は半導体層から成ることを
特徴とする請求項８または９記載の半導体力学量セン
サ。
【請求項１１】前記第１の電極及び第２の電極は同一
材料の半導体層から成ることを特徴とする請求項６また
は９記載の半導体力学量センサ。
【請求項１２】前記第１の電極及び第２の電極は同一
平面に形成されていることを特徴とする請求項１１記載
の半導体力学量センサ。
【請求項１３】互いに平行に形成され、前記第１の電
極及び第２の電極に各々接続された配線を備えることを
特徴とする請求項６または９記載の半導体力学量セン
サ。