JP4530050B2 - 半導体力学量センサ - Google Patents
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Description
以下、この発明を具体化した一実施例を図面に従って説明する。
次に、第2実施例を第1実施例との相違点を中心に説明する。
102 片持ち梁
103〜105 第2の対向電極を構成する突起
110 シリコン基板
111 絶縁膜としてのSiO2膜
112 第1の対向電極を構成する可動電極
114 第1の対向電極を構成する励振用電極
115 溝を構成する凹部
116 溝を構成するトレンチ
117 n+拡散層
119 充填材としてのポリシコン膜
122 n+ポリシリコン膜
133〜138 第2の対向電極を構成する固定電極
139 錘
Claims (1)
- 基板上に絶縁膜を介して形成されたシリコン層と、
前記シリコン層に形成された、互いに直交関係にある第1面および第2面を有する可動部と、
前記基板と絶縁分離されて前記シリコン層の主表面に平行に配置され、前記可動部の第1面に対向する第1の対向電極と、
前記基板と絶縁分離され前記可動部の第2面に対向する第2の対向電極とを有し、
前記第1の対向電極に電気的に接続された電極取り出し部と、
前記シリコン層に形成され、空隙を含む絶縁体を介して前記可動部から分離され、前記絶縁膜を介して前記基板に固定された固定部分とを有する半導体力学量センサであって、
前記シリコン層と前記基板との間に、前記基板と絶縁分離されて部分的に配置されたポリシリコン膜を更に有し、
前記第1の対向電極から前記電極取り出し部への電気経路は、
前記シリコン層の前記固定部分の前記空隙に隣接する一部を用いて形成され、前記電極取り出し部と電気的に接続された第1の部位と、
前記空隙の下部に配置された前記ポリシリコン膜の一部を用いて形成され、前記第1の対向電極及び前記第1の部位を電気的に接続する第2の部位とを備えることを特徴とする半導体力学量センサ。
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JP3725059B2 (ja) * | 2001-10-05 | 2005-12-07 | 株式会社デンソー | 半導体力学量センサ |
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2008
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Patent Citations (3)
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JP3638290B2 (ja) * | 1992-10-12 | 2005-04-13 | 株式会社デンソー | 半導体力学センサ |
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JP3725078B2 (ja) * | 2002-01-18 | 2005-12-07 | 株式会社デンソー | 半導体力学量センサの製造方法 |
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