JP2002301695A - 精密機械的な構造要素、及びその製造方法 - Google Patents

精密機械的な構造要素、及びその製造方法

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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 重大な結果を招く幾つかの欠点を有さずにフ
ッ化水素ガスエッチング法による犠牲層除去を行う。 【解決手段】 僅かな層及びホトリソグラフィー工程し
か必要としない自由可動な構造下に埋設された導体路と
同様に犠牲層も同じ層からなる精密機械的な構成素子及
び製造方法を提供する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板の上方で可動
に懸垂された機能構成要素を有する精密機械的な構造要
素、特に加速度センサ又は回転速度センサ並びに相応の
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】任意の精密機械的な構造要素及び構造、
特にセンサ及びアクチュエータに応用できるにもかかわ
らず、本発明並びにその基礎をなす、ケイ素表面精密機
械的な技術で製造可能な精密機械的な加速度センサに関
する問題点を説明する。
【０００３】面積精密機械もしくは体積精密機械におけ
る加速度センサ、特に精密機械的な加速度センサはます
ます自動車装備の分野の大きな市場部分を獲得し、従来
慣用の圧電加速度センサと交代されてきている。
【０００４】公知の精密機械的加速度センサは通常、少
なくとも一方向への外部の加速度によって偏位可能なバ
ネ弾性の様相の振動質量装置（seismisch Masseneinric
htung）がそこに接続された差動コンデンサ装置の加速
度の尺度である容量変化に偏位する際に惹起するように
機能する。
【０００５】ＤＥ１９５３７８１４Ａ１号において、表
面精密機械センサの製造が記載されている。
【０００６】そこでは先ずケイ素基板上に熱酸化物から
なる第１の絶縁層（約２．５μｍ厚）を堆積させる。そ
の絶縁層上に薄いのポリシリコン層（約０．５μｍ厚）
を堆積させる。これを引き続き気相（ＰＯＣｌ３）を用
いてドーピングし、ホトリソグラフィー法で構造化す
る。この埋設すべき導電性ポリシリコン層をこうして幾
つかの互いに絶縁された領域に分割し、これらは導体路
又は垂直な状態にある表面電極として用いられる。
【０００７】今まで適用された層上に第２の絶縁層を堆
積させる。これは気相から生じる酸化物からなる。ホト
リソグラフィー法で上方の絶縁層の構造化を実施する。
これによって、上方の絶縁層中にコンタクトホールをも
たらし、それによって、その下にある導電性ポリシリコ
ン層に接触可能である。
【０００８】引き続き、後続のシリコン堆積のための核
として用いられる薄いポリシリコン層を適用する。更な
るプロセス工程において、次いで厚い多結晶シリコン層
の堆積、平坦化及びドーピングを実施する。この堆積は
エピタキシャル成長反応器中で実施する。この厚いシリ
コン層上に、次いで構造化された金属層を施与する。
【０００９】更なるホトリソグラフィー法で厚いシリコ
ン層の構造化を実施する。そのために、該層の上側にホ
トマスクを施すが、これはまた後続のエッチングにおい
て金属層の保護をもたらす。ホトレジストマスクの開口
部を通して、引き続き厚いシリコン層のプラズマエッチ
ングをＤＥ４２４１０４５号に開示される方法に従って
実施し、その際、厚いシリコン層に高いアスペクト比の
トレンチがもたらされる。これらのトレンチは厚いシリ
コン層の上側から第２の絶縁層にまで延びている。該層
はこうして、埋設された導電層を介して互いに接続され
ていない場合に互いに絶縁されているいくつかの領域に
分割される。
【００１０】トレンチを通じて、両者の犠牲層の除去
を、自由可動なセンサの構造の領域で実施する。酸化物
層の除去は、フッ化水素酸含有媒体でのガスエッチング
法によってＤＥ４３１７２７４号もしくはＤＥ１９７０
４４５号に開示された方法に従って実施する。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらフッ化水
素ガスエッチング法による犠牲層除去は、重大な結果を
招く幾つかの欠点を有する。このエッチング法によっ
て、規定のアンダーエッチングは困難を伴ってのみ可能
である、すなわち酸化物は機能的なセンサ構造もしくは
自由可動なセンサ構造下で除去されるだけでなく、埋設
されたポリシリコン導体路を介して及びその下では除去
できない。それによって非常に広い導体路が必要であ
る。それというのも側方のアンダーエッチングが保持さ
れねばならないからである。そのアンダーエッチングに
基づいて、導体路を機能的構造の下方に導くことはでき
ない。更なる欠点は蒸気状のフッ化水素酸による金属層
の腐蝕である。
【００１２】気相中の水の割合が高すぎる場合には付着
の問題が生じる、すなわち自由可動なセンサ素子が基板
に固着する。制限された絶縁層の酸化物厚（堆積法によ
って依存して）は機能的構造と基板との間の間隔を制限
する。
【００１３】フッ化水素酸蒸気法はＣＭＯＳ技術の材料
と相容性であるので、センサ素子と評価回路の集積を行
えない。
【００１４】
【課題を解決するための手段】請求項１の特徴を有する
本発明による精密機械的な構成素子及び請求項７記載の
相応の製造方法は、自由可動な構造下に埋設された導体
路と同様に犠牲層も同じ層からなるという利点を有す
る。従って僅かな層及びホトリソグラフィー工程しか必
要としない。
【００１５】本発明の基礎をなす概念は、側方の感度を
有する層構造及び精密機械的な構成素子、例えば加速度
センサを、犠牲層領域はそれ自体の材料、例えば埋設さ
れた導体路領域と同じ材料、例えばポリシリコンから構
成することによって提供することにある。該方法では、
ポリシリコン−犠牲層領域の定義されたエッチングを達
成し、それによって埋設された導体路領域のアンダーエ
ッチングを回避する。
【００１６】本発明による方法は、センサ素子の容易な
製造を可能にし、その際、半導体技術からよく知られて
いるプロセス工程のみが使用される。更に本発明による
方法では層及びホトリソグラフィー工程を殆ど必要とし
ない。
【００１７】従属形式請求項において、本発明のそれぞ
れの対象の有利な実施形態及び改善が見られる。
【００１８】有利な実施形態によれば、第１の精密機械
的な機能層及び第２の精密機械的な機能層はポリシリコ
ン層である。
【００１９】更なる有利な実施形態によれば、第１ない
し第４の絶縁層は酸化物層である。
【００２０】犠牲層の除去において、第１の精密機械的
な機能層がポリシリコンからなり、絶縁層が酸化物層で
ある場合にはフッ素化合物をベースとするエッチング媒
体（例えばＸｅＦ２、ＣｌＦ３、ＢｒＦ３、…）を使用
してよい。エッチング媒体は二酸化ケイ素、アルミニウ
ム及びホトレジストに対して非常に高い選択性を有す
る。この高い選択性に基づいて、ポリシリコン−犠牲層
とは異なってエッチングされるべきでないポリシリコン
−導体路領域は二酸化ケイ素で覆われてよい。これによ
ってポリシリコン−導体路領域のエッチングもしくはア
ンダーエッチングが回避される。
【００２１】これは自由可動な構造の下方に導体路を導
くことを可能にする。埋設されたポリシリコン−導体路
領域はもはやアンダーエッチングされないので、これら
は狭くしてよい。前記のポリシリコン−犠牲層技術によ
って、側方及び垂直に定義された再現可能なポリシリコ
ン−犠牲層領域の除去を達成することができる。エッチ
ング媒体の二酸化ケイ素に対する高い選択性に基づい
て、ポリシリコン導体路及び絶縁層からなる多層系を実
現でき、その際、線路が交差してもよい。犠牲層エッチ
ングにおいて大きな側方のアンダーエッチング幅が達成
されるので、エッチング孔の数を振動の程度において減
らすか、又は省くことができる。これによって振動の程
度の増加が達成される。
【００２２】ポリシリコン犠牲層を除去するためのエッ
チングプロセスを気相中で実施するので、腐蝕及び付着
に関する問題は生じない。シリコン犠牲層技術はＣＭＯ
Ｓ技術の材料に相容性であり、それによって、センサ素
子及び評価回路の集積が可能である。層順序及び層厚の
選択によって、絶縁層をドライエッチング法を介して構
造化することができ、それによって、ウェットエッチン
グ法を省き、改善されたプロセス許容性が達成される。
自由可動な構造及びシリコン基板層の間の間隔は選択的
にポリシリコン層の厚さによって調節できる。
【００２３】他の有利な実施形態によれば、伝導領域及
び犠牲層領域は局所的な注入及び引き続いてのホトリソ
グラフィーによる構造化を行う。
【００２４】更に有利な実施形態によれば、第２及び第
３の絶縁層中に第２の精密機械的な機能層を導体路領域
と接続させるためのコンタクトホールが設けられてい
る。
【００２５】更に有利な実施形態によれば、第１、第２
及び第３の絶縁層においてコンタクトホールを、第２の
精密機械的な機能層と基板とを接続させるために設けら
れている。
【００２６】図面 本発明の実施例を図面において説明し、以下の記載にお
いて詳細に説明する。
【００２７】図１〜１１は本発明の実施形による加速度
センサのための製造プロセスの断面概略図を示してい
る。
【００２８】
【実施例】これらの図において、同じ関連記号は同じ又
は機能が同じ構成要素を示している。
【００２９】図１〜１１は本発明の実施形による加速度
センサのための製造プロセスの断面概略図を示してい
る。
【００３０】図１においてはシリコン基板１が示されて
おり、そこには第１の絶縁層２及びその上にポリシリコ
ン層３が施されている。第１の絶縁層２の堆積のため
に、誘電性層の堆積のための半導体技術から公知の堆積
プロセスを用いてよい。二酸化ケイ素の他に、従ってま
た窒化ケイ素、二酸化ケイ素より低い誘電率を有する誘
電性層、種々のガラス又は別の層を堆積させることがで
きる。更なる記載のために、第１の誘電性層２は二酸化
ケイ素からなり、これはシリコン基板１の熱的酸化によ
って形成し、かつ１０ｎｍから２．５μｍの厚さを有す
ることから出発する。
【００３１】ポリシリコン層３は０．５μｍ〜５μｍの
厚さを有する。ポリシリコン層３から後の構造化の後
に、埋設されたポリシリコン導体路領域４と同様にポリ
シリコン−犠牲層領域５も生じる。
【００３２】埋設されたポリシリコン−導体路領域４の
ために大きな導電性が必要なので、ポリシリコン層３を
気相（ＰＯＣｌ３）によって全面にドーピングする。ま
た十分に強力にドーピングされたポリシリコン層の発生
のために全ての別のプロセスを使用可能である。ポリシ
リコン層３のドーピングはポリシリコン−導体路領域４
にのみ望ましいので、高い導電性をその領域において局
所的な注入によって生じさせるが、その際、更なるホト
リソグラフィープロセスが必要である。
【００３３】ホトリソグラフィープロセスによって次い
でドーピングされたもしくは部分的にドーピングされた
ポリシリコン層３の構造化を、例えば図２に示されるよ
うに実施する。このポリシリコン層３の構造化は、ドラ
イエッチング（プラズマエッチング）によって実施す
る。ポリシリコン層３は幾つかの互いに絶縁された領域
４，５に分割され、これらの領域は埋設されたポリシリ
コン−導体路領域もしくはポリシリコン−犠牲層領域５
として使用される。
【００３４】図３に示されるように、図２による構造の
上に次いで第２の絶縁層６を堆積させ、かつ構造化させ
る。この第２の絶縁層６はこの例においては同様に気相
によって、例えばシランの分解によって生じる二酸化ケ
イ素からなる。第２の絶縁層６の厚さは第１の絶縁層２
より大きくすべきである。
【００３５】更なるホトリソグラフィー法において、第
２の絶縁層６の構造化を実施する。更に第２の絶縁層６
の酸化物をポリシリコン−犠牲層領域５の上方の領域７
において、かつ基板接触の領域８において除去する。第
２の絶縁層６の構造化は、同様にドライエッチング（プ
ラズマエッチング）によって実施する。
【００３６】図４に示されるように、図３の構造の上に
第３の絶縁層９を堆積させる。絶縁層９は、のちに自由
可動にすべき構造２５（図１１参照）を犠牲層エッチン
グで使用されるエッチング媒体に対して保護もしくは不
動態化すべき機能を有する。第３の絶縁層９は有利には
同様に気相により、例えばシランの分解によって生じる
二酸化ケイ素からなる。絶縁層９は、ポリシリコン−犠
牲層領域５の上の第２の絶縁層６が除去されている領域
７にのみ必要である。
【００３７】従って、第３の絶縁層９は局所的な熱的酸
化によって単に領域７にのみ作成してもよい。第３の絶
縁層９の層厚は、目的に応じて５ｎｍ〜５００ｎｍにあ
る。
【００３８】図４による構造の表面上に、次いでポリシ
リコン出発層１０を図５に示されるように堆積させる。
ポリシリコン出発層１０は第３の絶縁層９を覆ってお
り、かつ後続のポリシリコン−堆積のための核として使
用される。ポリシリコン出発層１０の堆積のために、誘
電性層の上に薄いポリシリコン層を堆積させるための半
導体技術で使用される全ての方法が適当である。
【００３９】引き続いてのプロセス工程において、ポリ
シリコン出発層１０及びその下に存在する絶縁層２，
６，９もしくは６，９のホトリソグラフィーによる構造
化をドライエッチング（プラズマエッチング）によって
実施する。
【００４０】埋設されたポリシリコン−導体路領域４の
上の領域において、コンタクトホール１１をポリシリコ
ン層１０及び第２及び第３の絶縁層６，９中にもたら
し、これによってその下に存在するポリシリコン−導体
路領域４に接触することができる。
【００４１】基板コンタクトホール１２を作成すべき領
域において、ポリシリコン出発層１０及び第１、第２及
び第３の絶縁層２，６，９の構造化を実施する。
【００４２】図６に示されるように、更なるプロセス工
程において、厚いシリコン層１３の堆積を実施する。堆
積は公知のエピタキシャル成長反応器中で実施する。か
かるエピタキシャル成長反応器は、半導体技術で単結晶
シリコン基板上に単結晶シリコン層を作成するために使
用されるシリコン層の堆積のための装置である。本願の
プロセスにおいてエピタキシャル成長反応器中での堆積
を単結晶シリコン基板上でなく、多結晶シリコン層１０
上に実施するので、単結晶シリコン層が形成しないが、
厚い多結晶シリコン層１３が形成する。ポリシリコン出
発層１０はこのプロセス工程においては厚い多結晶シリ
コン層１３の一部になる。
【００４３】多結晶シリコン層１３は堆積の後に粗い表
面を有するので、これを引き続き平坦化する。厚い多結
晶シリコン層１３上に、埋設されたポリシリコン−導体
路領域４への電気的接続を製造するので、厚い多結晶シ
リコン層１３のドーピングを実施する。
【００４４】厚い多結晶シリコン層１３の上側に次いで
構造化された金属層１４を設ける。金属層１４はこのた
めに、例えば全面に施し、引き続き構造化してよい。
【００４５】後続のプロセス工程において、二酸化ケイ
素層１５の堆積を気相により、例えばシランの分解によ
って図７に示されるように実施する。二酸化ケイ素層１
５はこの場合、０．５μｍ〜５．０μｍの厚さを有す
る。二酸化ケイ素層１５の層厚は、絶縁層９の層厚より
大きいほうがよい。二酸化ケイ素層１５は引き続いての
ホトリソグラフィー法によって構造化される。この二酸
化ケイ素層１５の構造化は、同様にドライエッチング法
（プラズマエッチング）によって実施する。二酸化ケイ
素層１５は、厚い多結晶シリコン層１３の構造化のため
に引き続いてのエッチング法のためのマスクとして用い
られる。これは後続のエッチングの間の金属層１４の保
護としても役立つ。マスクとして使用される二酸化ケイ
素層１５の開口部１６を通じて、例えば厚い多結晶シリ
コン層１３のドライエッチング（プラズマエッチング）
を実施し、その際、トレンチ１７、１８がもたらされ
る。
【００４６】このエッチングプロセスは第３の絶縁層９
に達したときにほぼ完全に停止する。それというのもこ
れは二酸化ケイ素に対してケイ素に非常に高い選択性を
有するからである。それによって、トレンチ１７、１８
の底に露出する領域１９、２０が得られる。異方性エッ
チング法によって、トレンチ１７、１８を高いアスペク
ト比で、すなわち大きい深さ及び僅かな側方の寸法を作
成することができる。トレンチ１７、１８は厚い多結晶
シリコン層１３から第３の絶縁層９にまで延びている。
多結晶シリコン層１３はこのように、埋設されたポリシ
リコン−導体路領域４を介さずに互いに接続されている
場合に互いに絶縁されている幾つかの領域に分割され
る。
【００４７】ポリシリコン犠牲層領域５にわたって存在
するトレンチ１７によって、機能的な構造もしくはその
下に存在するポリシリコン−犠牲層５の除去の後に自由
可動な構造２５（図１１参照）が作成される。トレンチ
１８によって接続領域が定義され、もしくは絶縁され
る。
【００４８】図８に示されるように、トレンチ２２の側
壁を犠牲層エッチングの際に使用されるエッチング媒体
に対して保護もしくは不動態化する第４の絶縁層２１を
堆積させる。側壁不動態化として使用される第４の絶縁
層２１は、有利には気相により、例えばシランの分解に
よって生じる二酸化ケイ素から構成される。絶縁層２１
はトレンチ１７、１８の側壁２２にのみ必要なので、こ
れは局所的な熱的酸化又は酸素プラズマ中で形成される
酸化物によっても作成できる。絶縁層２１の層厚は、有
利には５ｎｍ〜５００ｎｍである。
【００４９】ポリシリコン−犠牲層領域５の除去のため
のエッチング媒体をトレンチ１７を通してポリシリコン
−犠牲層５に到達させられるように、トレンチ１９、２
０の底の第３及び第４の絶縁層９，２１が除去される。
それによって、ポリシリコン−犠牲層領域５の露出した
領域２３を有するトレンチ１７が得られる。
【００５０】図９はトレンチ１９、２０の底の第３及び
第４の絶縁層９、２１の除去後の結果を示している。絶
縁層９、２１の除去は、例えば垂直に向けられたプラズ
マエッチングプロセスによって実施できる。このエッチ
ング工程においては、第４の絶縁層２１はトレンチ１
７、１８の底でのみ除去されるが、図８のような構造の
表面２４でも除去される。第４の絶縁層２１は従ってト
レンチ１７、１８の側壁２２にのみ残留する。
【００５１】二酸化ケイ素層１５をエッチングプロセス
において同様に部分的に除去することができる。この理
由から、この二酸化ケイ素層１５は第３の絶縁層９より
も大きな層厚を有さねばならない。トレンチ１８と埋設
されたポリシリコン−導体路領域４との間に第２の絶縁
層６が存在するので、トレンチ１８の底の第３及び第４
の絶縁層９、２１の除去後に、埋設されたポリシリコン
−導体路領域４に露出した領域は得られない。それによ
って埋設されたポリシリコン−導体路領域４は絶縁層９
によって完全に包囲されたままである。
【００５２】トレンチ１７、１８の底の第３及び第４の
絶縁層９、２１の開口の後に、図１０のようにポリシリ
コン−犠牲層領域５の除去のための異方性エッチングを
実施する。トレンチ１７を通して、エッチング媒体、例
えば二フッ化キセノン、三フッ化塩素又は三フッ化臭素
をポリシリコン犠牲層領域５に到達させる。これらのエ
ッチング媒体は非ケイ素、例えば二酸化ケイ素に対して
非常に高い選択性を有する。
【００５３】ポリシリコン−犠牲層領域５の除去によっ
て、予め定義された側方及び垂直の寸法を有する中空室
２６が作成され、その上にこうして製造された自由可動
なセンサの構造２５が存在する。自由可動な構造２５、
埋設されたポリシリコン−導体路領域４並びに厚いポリ
シリコン層１３の別の領域はエッチング媒体によってエ
ッチングしない。それというのもこれらは酸化物によっ
て周りが保護されていないからである。
【００５４】図１１はフッ化水素酸含有媒体でのガスエ
ッチングによるトレンチ１７、１８の側壁の第４の絶縁
層２１の除去、自由可動な構造２５の下側の第２の絶縁
層９の除去並びに二酸化ケイ素層１５の除去の後の層の
構成を示している。自由可動な構造２５の下側の第１の
絶縁層２は望ましくは場合により完全に除去されていて
よい。
【００５５】従って図１１はセンサ素子の断面を例示し
ている。厚いポリシリコン層１３から、種々の機能領域
を構造化させる。金属層１４の下に、トレンチ１８によ
って完全に囲まれている接続領域２７、２８を構造化す
る。この接続領域２７、２８は従ってトレンチ１８によ
って完全に厚いポリシリコン層１３の残分に対して絶縁
されている。接続領域２７は、厚いポリシリコン層１３
の別の領域への接触を製造できる埋設されたポリシリコ
ン−導体路領域４への直接接触しており、すなわちこの
図では右側の隣の隣の隣接領域に接触している。接続領
域２８はシリコン基板１に対して直接接触しており、そ
れによって基板接触が実現されている。中空室２６上
に、自由可動な構造２５、例えばインターデジタルコン
デンサの部分が存在する。
【００５６】本発明を前記に有利な実施例をもとに記載
したが、本発明はそれに制限されるものではなく、多様
の様式に変更することができる。
【００５７】特に、層材料の前記の選択は例として示し
ただけであり、任意に変更可能である。また本発明は加
速度センサ及び回転速度センサに限定されない。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は第１の絶縁層２及びその上にポリシリコ
ン層３が施されているシリコン基板１を示している。
【図２】図２は図１のポリシリコン層３が構造化された
結果を示している。
【図３】図３は図２による構造の上に次いで第２の絶縁
層６堆積させ、構造化した結果を示している。
【図４】図４は図３の構造の上に第３の絶縁層９を堆積
させた結果を示している。
【図５】図５は図４による構造の表面上に、次いでポリ
シリコン出発層１０を堆積させた結果を示している。
【図６】図６は図５による構造の上に厚いシリコン層１
３を堆積した結果を示している。
【図７】図７は図６による構造の上に二酸化ケイ素層１
５を堆積させた結果を示している。
【図８】図８は図７による構造の上にトレンチ２２の側
壁を犠牲層エッチングの際に使用されるエッチング媒体
に対して保護もしくは不動態化する第４の絶縁層２１を
堆積させた結果を示している。
【図９】図９はトレンチ１９、２０の底の第３及び第４
の絶縁層９、２１の除去後の結果を示している。
【図１０】図１０はトレンチ１７、１８の底の第３及び
第４の絶縁層９、２１の開口の後に、図１０のようにポ
リシリコン−犠牲層領域５の除去のための異方性エッチ
ングを実施した後の結果を示している。
【図１１】図１１は本願による自由可動な構造２５を示
している。
【符号の説明】
１ 基板、 ２ 第１の絶縁層、 ３ 第１の精密機械
的な機能層、 ４ 導体路領域、 ５ 犠牲層領域、
６ 第２の絶縁層、 ７ ポリシリコン犠牲層領域の上
方の領域、 ８ 基板接触の領域、 ９ 第３の絶縁
層、 １０ ポリシリコン出発層、 １１ コンタクト
ホール、 １２ コンタクトホール、 １３ 第２の精
密機械的な機能層、 １４ 金属層、 １５ 二酸化ケ
イ素層、１６ 開口部、 １７ 第１のトレンチ、 １
８ 第２のトレンチ、 １９ トレンチ、 ２０ トレ
ンチ、 ２１ 第４の絶縁層、 ２２ トレンチ、 ２
３露出した領域、 ２４ 構造の表面、 ２５ 可動に
懸垂された機能構成部分、 ２６ 中空室、 ２７ 接
続領域、 ２８ 接続領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ラルス メッツガー ドイツ連邦共和国 アルプシュタット ロ ルツィングシュトラーセ 48 Ｆターム(参考） 4M112 AA02 BA07 CA23 CA26 DA03 DA06 DA07 DA10 DA11 EA03 EA04 EA06 EA07 EA10 EA11 FA20

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板（１）の上方で可動に懸垂された機
    能構成部分を有し、基板（１）；基板（１）の上に設け
    られた第１の絶縁層（２）；第１の絶縁層（２）の上に
    設けられた、導体路領域（４）を有する第１の精密機械
    的な機能層（３）；導体路領域（４）及び第１の絶縁層
    （２）の上に設けられた第２の絶縁層（６）；第２の絶
    縁層（６）の上に設けられた第３の絶縁層（９）；第３
    の絶縁層（９）の上に設けられた、第１及び第２のトレ
    ンチ（１７，１８）を有する第２の精密機械的な機能層
    （１３）を有し、その際、第１のトレンチ（１７）は第
    ２の精密機械的な機能層（１３）中の機能構成部分（２
    ５）及び可動に懸垂された機能構成部分（２５）に隣接
    して少なくとも第３の絶縁層（９）にまで達し、第２の
    トレンチ（１８）は導体路領域（４）の上の第３の絶縁
    層（９）にまで達する、精密機械的な構成素子。
  2. 【請求項２】 第１の精密機械的な機能層（３）及び第
    ２の精密機械的な機能層（１３）がポリシリコン層であ
    る、請求項１記載の精密機械的な構成素子。
  3. 【請求項３】 第１ないし第３の絶縁層（２，６，９）
    が酸化物層である、請求項１又は２記載の精密機械的な
    構成素子。
  4. 【請求項４】 第２の精密機械的な機能層（１３）の内
    部で可動でない接続領域（２７，２８）が設けられてお
    り、これらは可動に懸垂された機能構成部分（２５）と
    電気的に接続されている、請求項１から３までのいずれ
    か１項記載の精密機械的な構成素子。
  5. 【請求項５】 第２及び第３の絶縁層（６，９）中にコ
    ンタクトホール（１１）が第２の精密機械的な機能層
    （１３）と導体路領域（４）との接続のために設けられ
    ている、請求項１から４までのいずれか１項記載の精密
    機械的な構成素子。
  6. 【請求項６】 第１、第２及び第３の絶縁層（２，６，
    ９）中にコンタクトホール（１２）が第２の精密機械的
    な機能層（１３）と基板（１）との接続のために設けら
    れている、請求項１から５までのいずれか１項記載の精
    密機械的な構成素子。
  7. 【請求項７】 基板（１）の上方で可動に懸垂された機
    能構成部分（２５）を有する精密機械的な構成素子を、
    工程：基板（１）を準備する工程；基板（１）の上に第
    １の絶縁層（２）を設ける工程；第１の絶縁層（２）の
    上に第１の精密機械的な機能層（３）を設ける工程；第
    １の精密機械的な機能層（３）を導体路領域（４）及び
    犠牲層領域（５）に構造化させる工程；得られた構造の
    上に第２の絶縁層（６）を設ける工程；犠牲層領域の表
    面の部分的な露出のために第２の絶縁層（６）を構造化
    する工程；得られた構造の上に第３の絶縁層（９）を設
    ける工程；得られた構造の上に第２の精密機械的な機能
    層（１３）を設ける工程；第１及び第２のトレンチ（１
    ７，１８）の形成のために第２の精密機械的な機能層
    （１３）を構造化し、その際、第１のトレンチ（１７）
    が少なくとも犠牲層領域（５）の上の第３の絶縁層
    （９）にまで達し、かつ第２のトレンチ（１８）が少な
    くとも導体路領域（４）の上の第３の絶縁層（９）にま
    で達する工程；得られた構造の上に第４の絶縁層（２
    １）を設ける工程；少なくとも第１のトレンチ（１７）
    の底から第３及び第４の絶縁層（９，２１）を除去する
    工程；第２の精密機械的な機能層（１３）において可動
    に懸垂された機能構成部分（２５）の形成のために第１
    のトレンチ（１７）を通して犠牲層領域（５）を選択的
    にエッチングする工程によって製造するための方法。
  8. 【請求項８】 第１の精密機械的な機能層（３）及び第
    ２の精密機械的な機能層（１３）がポリシリコン層であ
    る、請求項７記載の方法。
  9. 【請求項９】 第１ないし第４の絶縁層（２，６，９，
    ２１）が酸化物層である、請求項７又は８記載の方法。
  10. 【請求項１０】 導体路領域（４）及び犠牲層領域
    （５）を局所的な注入及び引き続いてのホトリソグラフ
    ィーによる構造化によって設ける、請求項７から９まで
    のいずれか１項記載の方法。
  11. 【請求項１１】 第２及び第３の絶縁層（６，９）中に
    コンタクトホール（１１）を、第２の精密機械的な機能
    層（１３）と導体路領域（４）との接続のために設け
    る、請求項７から１０までのいずれか１項記載の方法。
  12. 【請求項１２】 第１、第２及び第３の絶縁層（２，
    ６，９）中にコンタクトホール（１２）を第２の精密機
    械的な機能層（１３）と基板（１）との接続のために設
    ける、請求項７から１１までのいずれか１項記載の方
    法。
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