JP4783915B2 - 半導体力学量センサ - Google Patents
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以下、この発明を具体化した一実施例を図面に従って説明する。
次に、第2実施例を第1実施例との相違点を中心に説明する。
次に、第3実施例を第1実施例との相違点を中心に説明する。
次に、第4実施例を第3実施例との相違点を中心に説明する。
2 SiO2膜(絶縁膜)
3 トレンチ(溝)
6 ポリシリコン膜
8 単結晶シリコン基板
9 SiO2膜(絶縁膜)
10 信号処理回路
13 片持ち梁
Claims (5)
- 絶縁物を表面に有するシリコン基板上に配置されたシリコン層からエッチングにより形成された構造を有し、力学量によりシリコン基板に平行な方向に可動する可動電極部と、前記可動電極部に第1の溝部をはさんで対向する固定電極部とからなり、前記可動電極部と前記固定電極部がコンデンサ装置を形成する半導体力学量センサにおいて、
前記可動電極部及び前記固定電極部が前記シリコン層からなる周辺部から第2の溝部により電気的に分離されており、
前記可動電極部または前記固定電極部の少なくとも一つと前記周辺部との間における前記第2の溝部の側面が絶縁体により覆われるとともに、前記第2の溝部には充填体が充填されており、
コンデンサ装置のためのリード線として働く配線層が前記第2の溝部を越えて前記可動電極部または前記固定電極部よりなるコンデンサ装置の少なくとも一つの端子まで延びておりかつ該端子にて接触していることを特徴とする半導体力学量センサ。 - 前記第2の溝部が充填体の下に絶縁層を有する請求項1記載の力学量センサ。
- 充填体が多結晶材料からなる請求項2記載の半導体力学量センサ。
- 前記配線層を金属の配線層により形成する請求項1乃至3何れかに記載の半導体力学量センサ。
- 前記配線層をポリシリコンにより形成する請求項1乃至4何れかに記載の半導体力学量センサ。
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