JP2006053125A - 容量型力学量センサおよび半導体装置 - Google Patents
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Abstract
小型で信頼性や量産性が高い容量型力学量センサを提供すること。
【解決手段】
下側電極から上側電極への信号伝達に、電気的には絶縁され機械的には一部分しか分割されていないシリコン柱を用いる。
【選択図】図1
Description
「微細加工とマイクロマシン」、江刺正喜著、電気学会論文A、114巻7/8号、平成6年
第一の絶縁体上の電極を第二の絶縁体上の電極に電気接続を可能とするように半導体に柱構造を形成し、かつ柱構造の上側は、機械的には分割されてなく、電気的には絶縁されている構造にした。
絶縁体(ガラス)630には、電極635が配置されており、この電極は撮像素子の電極とシリコン柱を電気的に接続している。
11、31、511、531 容量検出電極
12a、12b、32a、32b スルーホール
13、22d、26、26a、33a AL電極
14、34 N型シリコン基板
35 外部基板接続用電極
2a、2b、2c、2d、502 シリコン板
21、21a、21b、521 錘
221、222、223、522 シリコン柱
22a シリコン柱上
22b シリコン柱下
22c 絶縁体
22d 導電体
22e スリット上
22f スリット下
22g スリット上
22h スリット下
22i 絶縁体
23 梁
26c 不純物半導体接続電極
28 絶縁体
29 不純物半導体
3、503 上部ガラス板
7a、7b、7c、507 容量型力学量センサ
62a 撮像素子
62b、72a,72b 回路素子
Claims (15)
- 第一の電極が設けられた第一の絶縁体と第二の電極が設けられた第二の絶縁体と、力学量により変位する錘が形成された半導体とからなり、前記第一の絶縁体と前記第二の絶縁体は前記半導体をはさんで積層されており、前記錘の変位による、前記錘と前記第一の電極との間の容量値変化から前記力学量を測定する容量型力学量センサにおいて、前記第一の電極が前記第二の電極に電気的な接続することを可能とするように前記半導体に柱を形成し、前記柱は導電性の上部と絶縁性の中部と導電性の下部から構成され、前記導電性の上部には前記導電性の下部と電気的に接続された電気的接続手段を有し、前記柱の上部は、他の柱と機械的に分離されてなく、前記電気的接続手段は他の柱の上部に設けられた電気的接続手段とは電気的に分離されていることを特徴とする容量型力学量センサ。
- 前記柱の上部と他の柱の上部の電気的分離は、前記半導体中にある絶縁層と前記柱の上部に成膜した絶縁層により行う請求項1記載の容量型力学量センサ。
- 第一の電極が設けられた第一の絶縁体と第二の電極が設けられた第二の絶縁体と、力学量により変位する錘が形成された第一導電型の半導体とからなり、前記第一の絶縁体と前記第二の絶縁体は前記第一導電型の半導体をはさんで積層されており、前記錘の変位による、前記錘と前記第一の電極パターンとの間の容量値変化から前記力学量を測定する容量型力学量センサにおいて、前記第一の電極を前記第二の電極に電気的な接続を可能とするように前記第一導電型の半導体に柱を形成し、前記柱は導電性の上部と絶縁性の中部と導電性の下部から構成され、前記導電性の上部には前記導電性の下部と電気的に接続された電気的接続手段を有し、前記柱の上部は、他の柱と機械的に分離されてなく、かつ前記柱の上部の一部領域は、第二導電型の半導体で形成され、前記柱の上部は導電型の異なる半導体の接合による空乏層により他の柱と電気的に絶縁されている容量型力学量センサ。
- 前記第一導電型の半導体はP型であり、前記柱の上側の一部に形成された第二導電型の半導体はN型である請求項3に記載された容量型力学量センサ。
- 前記柱の上側の一部に形成されたN型の半導体は前記第一の電極もしくは前記第二の電極により前記容量型力学量センサに印加される最大電圧以上の電圧に接続されている請求項4に記載された容量型力学量センサ。
- 前記第一導電型の半導体はN型であり、前記柱の上側の一部に形成された第二導電型の半導体はP型である請求項3に記載された容量型力学量センサ。
- 前記柱の上側の一部に形成されたP型の半導体は前記第一の電極もしくは前記第二の電極により前記容量型力学量センサに印加される最小電圧以下の電圧に接続されている請求項6に記載された容量型力学量センサ。
- 第一の電極が設けられた第一の絶縁体と第二の電極が設けられた第二の絶縁体と、力学量により変位する錘と前記第一の電極を前記第二の電極に電気接続を可能とするように複数の柱を形成した半導体とからなり、前記第一の絶縁体と前記半導体と前記第二の絶縁体は積層されており、前記半導体に形成された錘の変位による、前記錘と前記電極パターンとの間の容量値変化から前記力学量を測定する容量型力学量センサにおいて、前記柱は導電性の上部と絶縁性の中部と導電性の下部から構成され、前記導電性の上部には前記導電性の下部と電気的に接続された電気的接続手段を有し、前記柱の導電性の上部および下部には機械的に分離するようにスリットを設けることで電気的にも分離し、前記柱の絶縁性の中部は機械的に分離されていないことを特徴とする容量型力学量センサ。
- 前記柱の上部に形成されたスリットは、前記柱の下部に形成されたスリット位置からずらして配置している請求項8に記載された容量型力学量センサ容量型力学量センサ。
- 前記柱の上部に形成されたスリットは、前期柱の上部を四方から囲うように形成され、また前記柱の下部に形成されたスリットは、前期柱の下部を四方から囲うように形成されている請求項8または請求項9に記載された容量型力学量センサ。
- 前記柱の上部に形成されたスリット内に、絶縁物を埋めこんであることを特徴とする、請求項8から10に記載された容量型力学量センサ。
- 電極パターンが設けられた第一の絶縁体と、撮像素子が設けられた第一の半導体と電気回路素子が設けられた第二の半導体と前記第一の半導体と前記第二の半導体の間に挟まれて配置された第二の絶縁体とからなる基板とが積層されており、前記撮像素子による信号と前記電気回路素子による信号で画像処理をおこなう半導体装置において、前記第一の半導体の電極を第二の半導体の電極に電気接続を可能にするように、前記第一の半導体と前記第二の半導体に柱を形成し、前記柱は導電性の上部と絶縁性の中部と導電性の下部から構成され、かつ前記柱の下部は他の柱とは機械的には分割されてなく電気的には絶縁されていることを特徴とする半導体装置
- 前記柱の下部と前記第二の半導体の電気的絶縁には、前記第一と第二の半導体に挟まれて配置された前記絶縁体と前記柱の下部に成膜した絶縁層により行うことを特徴とする請求項12記載の半導体装置
- 第一の電気回路素子が設けられた第一の半導体と、第二の電気回路素子が設けられた第二の半導体と前記第一の半導体と前記第二の半導体の間に挟まれて配置された絶縁体とからなる基板からなり、前記第一の電気回路素子による信号と前記第二の電気回路素子による信号で動作する半導体電気回路部品において、前記第一の半導体の電極を第二の半導体の電極に電気接続を可能にするように、前記第一の半導体と前記第二の半導体に柱を形成し、前記柱は導電性の上部と絶縁性の中部と導電性の下部から構成され、かつ前記柱の上部は他の柱と機械的には分割されてなく電気的には絶縁されていることを特徴とする半導体装置
- 前記柱の下部と前記第二の半導体の電気的絶縁には、前記第一と第二の半導体に挟まれて配置された前記絶縁体と前記柱の上部に成膜した絶縁層により行うことを特徴とする請求項14記載の半導体装置。
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