JP2009074979A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】中空に支持された構造のMEMSデバイス24を内部に含み、MEMSデバイスと電気的に接続される第1パッド27および第1接合領域28を上面に有する第1チップ20と、MEMSデバイスと電気的に接続される半導体デバイス14を内部に含み、半導体デバイスと電気的に接続される第2パッド17および第2接合領域18を上面に有し、第2パッドおよび第2接合領域が第1パッドおよび第1接合領域にそれぞれ対向するように第1チップと対向して配置される第2チップ10と、第1パッドと第2パッドとを電気的に接続する電気接続部37と、第1接合領域と、この第1接合領域に対向する第2接合領域との間に設けられ第1チップと第2チップとを接合する接合部38と、を備えている。
【選択図】図1
Description
以上説明したように、本実施形態によれば、MEMSデバイスが形成されたSOI基板の支持基板22aがMEMSデバイスのキャップとなり、MEMSデバイスを保護する保護部が不要となり、かつMEMSチップと半導体チップとの直接的な電気的接続とシーリングを実施することから、実装部品点数、および実装体積の低減を図ることができる。また電気配線長を短くすることが可能となり、配線部に起因するノイズも低減することができ、システムの機能を向上させることが可能になる。これにより、低コスト、低サイズ、高性能な半導体装置を得ることができる。
次に、本発明の第1実施例として、MEMSデバイス24が振動型角速度センサである半導体装置を図8および図9に示す。図8および図9は本実施例の半導体装置の断面図であって、図8は図9に示す切断線B−Bで切断した断面を示し、図9は図8に示す切断線A−Aで切断した断面を示す。
次に、本発明の第2実施例による半導体装置を図10に示す。本実施例の半導体装置は、MEMSデバイスが振動型角速度センサであって、第1実施例の図8に対応する断面図を図10に示す。本実施例においては、MEMSデバイスとして、第1実施例で説明した角速度センサを2つ備えた構成となっている。すなわち、2つのセンサ質量24a1、24a2と、センサ質量24a1の両側に接続された櫛形の可動電極24b1と、センサ質量24a2の両側に接続された櫛形の可動電極24b2と、センサ質量24a1、24a2間に設けられた櫛形の共通の固定電極24c1と、センサ質量24a1に対して固定電極24c1と反対側に設けられた櫛形の固定電極24c2と、センサ質量24a2に対して固定電極24c1と反対側に設けられた櫛形の固定電極24c3とを備えている。
12 SOI基板
12a 支持基板
12b 埋め込み絶縁膜
12c SOI層
14 半導体デバイス
16 層間絶縁膜
17 パッド
18 接合領域
20 MEMSチップ
22 SOI基板
22a 支持基板
22b 埋め込み絶縁膜
22c SOI層
24 MEMSデバイス
25 支持部
26 層間絶縁膜
27 パッド
28 接合領域
37 メタルバンプ
38 シール材
38a メタルバンプ
100 半導体ウェハ
200 MEMSウェハ
Claims (6)
- 中空に支持された構造のMEMSデバイスを内部に含み、前記MEMSデバイスと電気的に接続される第1パッドおよび第1接合領域を上面に有する第1チップと、
前記MEMSデバイスと電気的に接続される半導体デバイスを内部に含み、前記半導体デバイスと電気的に接続される第2パッドおよび第2接合領域を上面に有し、前記第2パッドおよび前記第2接合領域が前記第1パッドおよび前記第1接合領域にそれぞれ対向するように前記第1チップと対向して配置される第2チップと、
前記第1パッドと前記第2パッドとを電気的に接続する電気接続部と、
前記第1接合領域と、この第1接合領域に対向する前記第2接合領域との間に設けられ前記第1チップと前記第2チップとを接合する接合部と、
を備えていることを特徴とする半導体装置。 - 前記第1接合領域は前記MEMSデバイスと前記第1パッドとを取り囲み、前記第2接合領域は前記半導体デバイスと前記第2パッドとを取り囲むことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記第1パッドは前記MEMSデバイスと前記第1接合領域との間に位置し、前記第2パッドは前記半導体デバイスと前記第2接合領域との間に位置していることを特徴とする請求項2記載の半導体装置。
- 前記接合部はシーリング材で形成され、前記MEMSデバイスは前記接合部によって封止されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記MEMSデバイスは少なくとも1個の振動型角速度センサを有し、この振動型角速度センサは真空封止されていることを特徴とする請求項4記載の半導体装置。
- 前記半導体デバイスは、前記振動型角速度センサからの出力信号に基づいて角速度を検出する検出回路を備えていることを特徴とする請求項5記載の半導体装置。
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