JPH09129898A - センサおよびセンサの製造方法 - Google Patents

センサおよびセンサの製造方法

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JPH09129898A
JPH09129898A JP8240583A JP24058396A JPH09129898A JP H09129898 A JPH09129898 A JP H09129898A JP 8240583 A JP8240583 A JP 8240583A JP 24058396 A JP24058396 A JP 24058396A JP H09129898 A JPH09129898 A JP H09129898A
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substrate
sensor
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silicon
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Juergen Kurle
クルレ ユルゲン
Karsten Dipl Ing Funk
フンク カールステン
Franz Dr Laermer
レールマー フランツ
Michael Dr Ing Dr Offenberg
オッフェンベルク ミヒャエル
Andrea Schilp
シルプ アンドレア
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Robert Bosch GmbH
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 導電層によってセンサ素子のとくに有利な接
触接続を確実にすることのできるセンサ、およびそのセ
ンサの製造方法を提供する。 【解決手段】 基板（１０）とシリコン層（６）との間
に導電層（３）が設けられており、該導電層は絶縁層
（２）によってシリコン層（６）の部分に対して絶縁さ
れている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板と、シリコン
層とを有するセンサ、例えば加速度センサであって、シ
リコン層から可動素子が形成されており、該可動素子は
基板と接続されている形式のセンサ、およびこのセンサ
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＤＥ４３１８４６６からすでに、基板に
シリコン層の設けられたセンサの製造方法が公知であ
る。このシリコン層からセンサに対する可動素子が形成
される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、導電
層によってセンサ素子のとくに有利な接触接続を確実に
することのできるセンサ、およびそのセンサの製造方法
を提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題は本発明によ
り、基板とシリコン層との間に導電層が設けられてお
り、該導電層は絶縁層によってシリコン層の部分に対し
て絶縁されているように構成して解決される。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明では導電層が、誘電性の絶
縁体によってシリコン層に対して絶縁されている。この
絶縁体は不所望の電気接触に対してとくに大きな値を有
する。
【０００６】従属請求項に記載された手段によって、本
発明のセンサおよびセンサの製造方法の有利な改善が可
能である。熱膨張が適合されていれば、シリコンは基板
材料としてとくに適する。なぜなら、センサの特性曲線
に影響を与え得る熱による緊張が回避されるからであ
る。第１と第２の絶縁層を用いることによって、導体路
を環境に対して完全に誘電絶縁することができる。可動
素子はこの場合、フレームにより完全に取り囲むことが
できる。これによって、可動素子の配置されている領域
を接触接続領域から良好に分離することができる。カバ
ーによって可動素子を熱的に環境から分離することがで
きる。可動素子が加速度によって撓むように構成されて
いれば、センサ素子を加速度センサとして使用すること
ができる。この場合、多数の固定電極および可動電極を
使用すれば、大きな有用信号を得ることができる。この
電極を対称配置することによって、センサ信号の測定性
が改善される。本発明の方法により、センサ素子の簡単
な製造が可能であり、その際には半導体技術から周知の
方法ステップを適用すればよいだけである。さらに本発
明の方法はわずかなリソグラフ・ステップを必要とする
だけである。
【０００７】
【実施例】図１にはシリコン基板１０が示されている。
この上には絶縁層１が、さらにそのうえには導電層３が
被着されている。第１の絶縁層１はここでは厚さ約２．
５μｍの熱酸化物である。この上に被着された導電層３
は厚さ約０．５μｍのポリシリコンからなる。しかし他
の層材料も考えられる。例えば絶縁層１は、他の酸化
物、窒化ケイ素または他の絶縁層とすることもできる。
導電層３に対しては、ポリシリコンの他に金属層も適す
る。その場合は、例えばタングステンのように後続の高
温ステップに対してクリティカルでない材料を選択す
る。導電層３（ここではポリシリコンからなる）は気相
（ＰＯＣｌ３）からのドーピングによってドープされ
る。この場合できるだけ大きな導電性が得られるように
努める。その他、十分に強くドープされたポリシリコン
を形成するための他のすべてのプロセスを適用すること
ができる。
【０００８】フォトリソグラフ・プロセスによって、導
電層３の構造が形成される。これは図２に示してある。
導電層３は相互に絶縁された個々の領域に分散される。
これらの領域は例えば導電路または電極として用いるこ
とができる。
【０００９】次に図２の基板には第２の絶縁層２がデポ
ジットされる。この層のデポジットのためには、半導体
技術から公知の、誘電層をデポジットするための公知の
デポジットプロセスを利用することができる。二酸化ケ
イ素の他に窒化ケイ素、種々のガラスまたは他のセラミ
ック層をデポジットすることができる。以下の説明で
は、第１の誘電層１は酸化ケイ素からなり、シリコン基
板１０の熱酸化により形成されることとする。第２の誘
電層２は同様に酸化ケイ素からなる。しかしこの酸化ケ
イ素は気相から例えばシランのスパッタリングにより形
成される。ここでは、熱酸化ケイ素層１は、気相からデ
ポジットされた酸化ケイ素層２よりも厚いことが前提と
される。このことにより、両方の層の化学エッチングの
際に上側の酸化ケイ素層２が下側の酸化ケイ素層１より
も迅速にエッチングされる。フォトリソグラフ・プロセ
スでは、上側絶縁層２の構造が形成され、その際に接触
穴４が上側絶縁層２に設けられる。この接触穴によって
下側にある導電層３を接触接続することができる。導電
層３から導体路が形成されるならば、導体路を接触穴４
により貫通して接触接続することができる。
【００１０】図３の基板の表面には、ポリシリコン層５
が被着されている。ポリシリコン層５は第２の絶縁層２
の表面を覆い、後で行うデポジットのための胚として用
いる。相応のデポジットプロセスによって、例えば埋め
込みまたは気相からのドーピング物質の打ち込みによ
り、ポリシリコン層の強いドーピングが保証される。ポ
リシリコン層をデポジットするためには、薄いポリシリ
コン層を誘電層にデポジットするための、半導体技術で
慣用のすべての手段が適する。
【００１１】更なるプロセスステップでは厚いシリコン
層のデポジットが行われる。このデポジットはエピタキ
シャル炉で行われる。この種のエピタクシャル炉はシリ
コン層をデポジットするための装置であり、半導体技術
で単結晶シリコン層を単結晶シリコン基板に形成するた
めに使用されるものである。この種の層のデポジットは
通常、１０００℃以上の温度で行われ、数１０μｍのオ
ーダーで層を形成することができる。このプロセスで
は、エピタキシャル炉でのデポジットが単結晶シリコン
基板に行われるのではなく、多結晶シリコン層に行われ
るから、単結晶シリコン層は形成されず、厚い多結晶シ
リコン層６が形成される。この厚い多結晶シリコン層を
以下、厚いシリコン層６と称する。多結晶シリコン層５
が形成されるデポジット条件により、厚いシリコン層６
の結晶特性が制御される。さらに多結晶シリコン層５を
強くドーピングすることによって、厚いシリコン層６の
ドーピングが下側から始まる。さらに厚いシリコン層６
の成長中および成長後の後続のドーピングプロセスで厚
いシリコン層６がさらにドーピングされる。厚いシリコ
ン層６の後続のドーピングも埋め込み、気相からのデポ
ジット、または半導体技術から公知の他のドーピングプ
ロセスで行うことができる。多結晶シリコン層５はこの
プロセスで、厚いシリコン層６の一部となる。接触穴４
の領域に厚いシリコン層６は導電層３と直接接触接続す
る。
【００１２】厚いシリコン層６の表面にはさらに構造の
形成された金属層７が被着される。金属層は例えば、全
面で被着され、引き続き構造が形成される。
【００１３】次にさらなるフォトリソグラフ・プロセス
では、厚いシリコン層６の構造が形成される。これは図
６に示されている。ここでは層６の表面にマスク、例え
ばフォトマスクが被着されており、このマスクも後続の
エッチングでの金属層７の保護に作用する。フォトラッ
カーマスクの開口部を通して、厚いシリコン層６の乾燥
エッチング（プラズマエッチング）が行われる。ここで
は溝９が設けられる。プラズマエッチングプロセス９に
よって溝９を大きな縦横比で、すなわち非常に深く、横
方向に小さな寸法で形成することができる。
【００１４】デポジットの後、厚いシリコン層６はま
ず、比較的に粗い表面を有する。この表面の粗さを平坦
にするために、フォトラッカーが塗布され、エッチング
プロセスが例えばＳＦ６／Ｏ２プラズマで実行される。
エッチングプロセスはラッカーおよびポリシリコンを同
じエッチング率でエッチングする。フォトラッカーはま
ず液体状態で塗布され、その際に平坦な表面が形成され
から、層６の表面の粗さは低減する。
【００１５】溝９は厚いシリコン層６の表面から第２の
絶縁層２まで延在している。層６は、相互に絶縁される
ように個々の領域に分散されており、導電層３を介して
相互に接続される。
【００１６】溝９を通してエッチング媒体は第２の絶縁
層２に導入される。その際にエッチング媒体は絶縁層２
のエッチングに作用する。溝９から始まって、絶縁層２
のエッチングが行われる。この場合、エッチングは溝９
の直下だけでなく、エッチング時間に依存して層６の下
で横方向のアンダーエッチングも行われる。これは図７
に示されている。シリコン層６の下のアンダーエッチン
グは図９にさらに詳細に示されている。図７には、絶縁
層２のエッチング後の状態が示されている。ここではも
ちろん、絶縁層１も浸食される。しかしこの浸食は、材
料の密度が比較的大きく、エッチング時間がわずかであ
るため小さい。しかし製造されるセンサ素子の機能の点
で所望されるなら、下側絶縁層１のエッチングをエッチ
ング時間の延長によって行うこともできる。
【００１７】図７は、センサ素子の横断面の例を示す。
層６から種々異なる機能領域が形成される。金属部の下
には接続領域２０の構造が形成されている。この接続領
域は溝９によって完全に取り囲まれている。したがって
この接続領域２０は溝９によって、層６の他の部分から
完全に絶縁されている。しかし接続領域２０は導電層３
に直接接触しているから、導電層３によって層６の他の
領域に接続することができる。この導電層はこの場合、
導体路として構成されている。接続領域２０とこの上に
設けられた金属部７はボンドワイヤの固定のために用い
られ、このボンドワイヤによってセンサ構造体への電気
接触接続が形成される。導体路として構成された導電層
３によって接続領域２０とアンカー領域２２との電気接
続が可能である。アンカー領域２２は同じように導電層
３の上に設けられており、導電層３と電気接続してい
る。さらにアンカー領域２２はこの接続によって基板に
固定されている。アンカー領域２２は自由領域２３へ移
行する。自由領域２３の下側では絶縁層２が除去されて
いる。したがって自由領域は基板１０に対して運動する
ことができる。さらに図７にはフレーム２１が示されて
おり、このフレームは同じように溝９によって完全に取
り囲まれている。溝９によってフレーム２１はシリコン
層６の他の領域に対して絶縁されている。さらにフレー
ム２１は絶縁層の上に設けられており、したがって図７
の導電層３に対して絶縁されている。
【００１８】フレーム２１の機能を図８で説明する。製
造方法のさらなるステップで、フレーム２１にカバー１
３が固定される。このカバーはセンサを気密に封鎖す
る。このようにしてセンサ素子を気密に封鎖することが
できる。カバー１３をフレーム２１と接合するため、ガ
ラスハンダ層８が設けられている。このガラスハンダ層
は溶解して、フレーム２１とカバー１３を接合する。ガ
ラスハンダ層は例えば、カバーへの圧によって塗布する
ことができる。基板１０が１つのセンサ素子を有するだ
けでなく、多数のセンサ素子が基板に１０に平行に作製
されるならば、カバープレート１４を設けることができ
る。このカバープレートは相応する数のカバー１３を有
する。この場合、多数のセンサ素子を有する基板１０と
相応する数のカバー１３を有するカバープレートとは相
互に接合され、個々のセンサ素子は分割線１５に沿った
分割によって個々のセンサに分けられる。多数のセンサ
を平行に作製することによって、各個々のセンサ素子に
対するコストが低減する。
【００１９】図９は、図１から図８の方法に従って作製
された加速度センサの平面図である。見やすくするため
に、例としてそれぞれ３つの電極セットが示されてい
る。実際の構成素子ではそれより格段に多い数とするこ
とができる。図９の平面図は、図６と図７の製造ステッ
プ後の構造体の平面図に相当する。しかし金属層７は簡
単にするため図示されていない。したがって図９の平面
図は、構造の形成された厚いシリコン層６の平面図であ
る。しかし図６と図７は、図９に示された構造体の断面
ではなく、図９の加速度センサで示されているような重
要な素子すべての概略図である。図９からわかるよう
に、フレーム２１は矩形フレームとして構成されてお
り、１つの領域を完全に取り囲んでいる。このフレーム
内には、加速度センシング素子が配置されている。この
加速度センシング素子は基板と固定接続された領域と、
基板から分離された領域を有する。基板と固定接続され
ているのはアンカー領域２２と接続素子２５である。基
板から分離されているのは、プレスバー３０、撓み素子
３１、粘性質量３２、可動電極３３および固定電極３
４、３５である。製造時に、層６の下に時間制限された
エッチングステップによってアンダーエッチングが行わ
れる。ここでのエッチングは時間的に、横方の広がりの
少ない構造体がアンダーエッチングされ、広がりの大き
な構造体はアンダーエッチングされないように制限して
行う。アンカー領域２２と接続素子２５はそれぞれ大き
な横方向寸法を有している。したがって、アンカー領域
２２と接続素子２５はそれぞれ大きな横方向寸法を有
し、これによりこの構造体の下にある絶縁層１，２は完
全にはアンダーエッチングされない。撓み素子、可動素
子および固定電極はわずかな横方向寸法しか有しない。
これによりこの構造体の下の絶縁層は急速にアンダーエ
ッチングされる。粘性質量３２とプレスバー３０は比較
的大きく構成されている。しかしこれらは多数のエッチ
ング穴３６を有し、これによりプレスバー３０と粘性質
量３２もわずかな横方向寸法しか有しない。
【００２０】エッチング穴３６はそれぞれシリコン層６
の上側から厚いシリコン層の下側まで延在し、媒体が妨
げられずにその下にある絶縁層１，２に達することがで
きる。この絶縁層はダミー層として用いられる。接触穴
に対しては、図７の参照符号４で示したように、または
図９に参照符号４０から４９で示したように、横方向寸
法に関する制限が当てはまらない。というのは、これら
ではシリコン層６が直接導電層３と接続されているから
である。この場合、層２の下をアンダーエッチングする
ことはできない。したがって、この領域での導電層３の
横方向寸法が十分に大きければ、そのうえにある厚いシ
リコン層６の構造も非常に小さな横方向寸法で実現する
ことができる。ここで導電層３の横方向寸法は、下側絶
縁層１のエッチング性が小さので、相応に小さくするこ
とができる。
【００２１】センサの個々の構成部材の相互電気接続を
説明するために、図９にはさらに接続穴４０〜４９が示
されている。しかしこの接続穴は層６の平面図では見る
ことができない。図１０には、図９の接続穴と導電層３
に作製された接続穴相互の接続が別個に示されている。
図９からわかるように、各可動素子３３は２つの固定電
極の間に配置されている。ここで固定電極３４は、所属
の可動電極３３のＹ方向で負方向に、固定電極３５は正
方向にそれぞれ配置されている。図９には３つの接触穴
４０が示されている。この接触穴によって、３つの固定
電極３４への電気接触接続が図９に図示のセンサ素子の
左側で行われる。図１０からわかるように、接触穴４０
は導体路として構造の形成された導電層３によって相互
に、かつ別の接触穴４１と接続される。接触穴４１は接
続素子２５への接触接続を行う。この接続素子４１はセ
ンサ素子の左側と右側との電気接続を行う。右側ではこ
の接続素子２５が同じように固定電極３４および別に接
続穴４６と電気接続されている。図１０が示すように、
接続穴４６は導体路として構造の形成された導電層３に
よって別の接触穴４９と接続されている。この接続穴は
フレーム２１外にある接続領域２０への電気接触接続を
行う。この接続領域２０によって、すべての固定電極３
４への電気接触接続が行われ、この電極から容量性信号
を取り出すことができる。相応することがセンサ素子の
右側に設けられている接触穴４２にも当てはまる。この
接触穴は導体路によって接触穴４３と接続されている。
接触穴４２も、固定電極３５への接触接続を行う。接続
素子２５によって、左側にある固定電極３５と接触穴４
４への接続が行われる。図１０からわかるように、接続
穴４４と、導電層から形成された導体路３によって、接
続穴４７および相応の接続領域への接触接続が行われ
る。したがってこの接続領域で、固定電極３５の信号を
測定することができる。接続穴４５によってプレスバー
３０、撓み素子３１および粘性質量３２を介して、可動
電極３３への電気接続が行われる。接触穴４５は導電層
３から形成された導体路によって接触穴４８および相応
する接続領域２０と接続される。この接続領域からは可
動電極の容量性信号を取り出すことができる。
【００２２】正または負の加速度がＹ方向に発生する
と、粘性質量３２およびこれに懸架された可動電極３３
がＹ方向で正または負に摺動する。なぜならこの構造体
は薄い撓み素子３１に懸架されているだけだからであ
る。この撓み素子は、その薄い構成によって容易にＹ方
向に変形する。曲折によって可動電極３３と固定電極３
４と３５に対する相対的間隔が変化する。したがって固
定電極と可動電極との間の容量を測定することにより、
曲折を知ることができる。
【００２３】図９にはシリコン層６の平面図が示されて
いる。ここには金属部７は図示されていない。各接続領
域２０には金属層７が設けられている。この金属層にボ
ンドワイヤを固定することができる。フレーム２１には
ガラスハンダ層８が設けられており、これによりカバー
１３を固定することができる。
【００２４】図７の断面図からわかるように、フレーム
２１は導電層３から形成された導体路に対して完全に絶
縁されている。さらに図１０からわかるように、導電層
３から形成された個々の導体路も相互に絶縁されてい
る。
【００２５】プレスバー３０は基板３０から離れ、基板
に対して膨張したり収縮したりすることができ。これに
より、厚いシリコン層６の製造プロセスで発生する熱に
よる緊張が撓み素子３１の緊張状態に作用を及ぼすこと
がなくなる。この緊張は平行に配置されたプレスバー３
０によって補償される。
【００２６】第１および第２の絶縁層１、２の厚さは数
μｍのオーダーである。導電層３の層は通常、１μｍ以
下であり、シリコン層６の厚さは数１０μｍのオーダー
である。導電層３といくつかの領域にある層６（例えば
フレーム２１の下）は数μｍの厚さの第２の絶縁層２に
よって分離されているだけであるから、比較的大きな寄
生容量が発生する。したがって図９に示したセンサのレ
イアウトは、固定電極３４と３５の両方の群に対する容
量がほぼ等しくなるように選定されている。さらに導電
層３の導電率は通常、厚いシリコン層６よりも悪い。し
たがってこのレイアウトは、第１の群の６つの固定電極
３４からそれぞれ３つが導電層３により、他の３つの電
極が層６により接続されているように選定されている。
相応することが固定電極３５の第２の群に対しても当て
はまる。したがって個々の電極への寄生導出抵抗は固定
電極３４、３５の２つの群に対してほぼ等しい。
【００２７】図１１には、本発明のセンサの別の実施例
が示されている。ここで図１１の横断面は実質的に図７
の横断面に相応する。また図７と同じ対象物に対しては
同じ参照符号が付してある。図７と相違するのは、エッ
チングのない領域２３の下に垂直電極６０が設けられて
いることである。この垂直電極は同じように導電層３に
形成されている。垂直電極によって、例えばエッチング
のない領域２３の運動を基板に対して垂直方向で検出す
ることができる。さらにこの種の垂直電極をシールド電
極として用いることもできる。このシールド電極は本来
のセンサ構造体を環境からの影響に対して遮蔽する。
【００２８】図１２には、センサの別の実施例の横断面
が示されている。この横断面も図７に相応する。ここで
も同じ参照符号が付してある。図７との相違点は、溝９
によって層６に対して絶縁されている接続領域２０が設
けられていないことである。電気的接触接続は、金属部
７の下に設けられた２つの接続拡散部によって行われ
る。この接続拡散部は障壁層６２まで伸長している。障
壁層６２は導体路として構成された導電層３と接続され
ている。導電層６の他の部分に対する絶縁はこの場合、
絶縁拡散部６３によって行われる。絶縁拡散部の下の基
板はこの場合、ｐドープされている。シリコン層６、接
続拡散部６４および障壁層６２はしたがってｎドープさ
れている。この構造体はとくに、センサ素子と共に回路
に集積化する場合に使用すると有利である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の製造方法を説明するための図である。
【図２】本発明の製造方法を説明するための図である。
【図３】本発明の製造方法を説明するための図である。
【図４】本発明の製造方法を説明するための図である。
【図５】本発明の製造方法を説明するための図である。
【図６】本発明の製造方法を説明するための図である。
【図７】本発明の製造方法を説明するための図である。
【図８】本発明の製造方法を説明するための図である。
【図９】本発明の方法で製造された加速度センサの平面
図である。
【図１０】図９のセンサの導電層の構成を示す図であ
る。
【図１１】本発明のセンサの別の実施例の図である。
【図１２】本発明のセンサの別の実施例の図である。
【符号の説明】
１ 絶縁層 ２ 絶縁層 ３ 導電層 ４ 接触穴 ５ ポリシリコン層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 カールステン フンク ドイツ連邦共和国 シュツットガルト レ ハールシュトラーセ 12 (72)発明者 フランツ レールマー ドイツ連邦共和国 シュツットガルト ヴ ィティコヴェーク ９ (72)発明者 ミヒャエル オッフェンベルク ドイツ連邦共和国 テュービンゲン オプ デア グラーフェンハルデ 17 (72)発明者 アンドレア シルプ ドイツ連邦共和国 シュヴェービシュ グ ミュント ゼーレンバッハヴェーク 15

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板（１０）と、シリコン層（６）とを
    有するセンサ、例えば加速度センサであって、シリコン
    層（６）から可動素子が形成されており、該可動素子は
    基板（１０）と接続されている形式のセンサにおいて、 基板（１０）とシリコン層（６）との間に導電層（３）
    が設けられており、 該導電層は絶縁層（２）によってシリコン層（６）の部
    分に対して絶縁されている、ことを特徴とするセンサ。
  2. 【請求項２】 基板(１０)はシリコンからなる、請求項
    １記載のセンサ。
  3. 【請求項３】 導電層（３）と基板（１０）との間に第
    １の絶縁層が設けられており、 導電層（３）とシリコン層（６）との間の絶縁層は第２
    の絶縁層として構成されており、 導電層（３）から導体路が形成され、 該導体路は可動素子を電気的に接触接続する、請求項１
    または２記載のセンサ。
  4. 【請求項４】 可動素子にはフレーム（２１）が設けら
    れており、 導電層（３）から形成された導体路は接触領域（２０）
    と接続されており、 該接触領域はフレームの外に配置されている、請求項３
    記載のセンサ。
  5. 【請求項５】 カバー（１３）がフレーム（２１）と結
    合されており、これにより可動素子は中空空間に封鎖さ
    れ、 該中空空間はカバー（１３）、フレーム（２１）および
    基板（１０）によって形成される、請求項４記載のセン
    サ。
  6. 【請求項６】 可動素子は粘性質量（２２）を有し、該
    粘性質量には可動電極（３３）が懸架されており、 粘性質量（３２）と可動電極（３３）は加速度によって
    基板に対して平行に摺動し、 可動電極（３３）は固定電極（３４、３５）の間に配置
    されており、 固定電極は導電層（３）から形成された導体路によって
    接続されており、 固定電極（３４、３５）は接続構造体（２５）によって
    接続されており、 該接続構造体はシリコン層（６）から形成されている、
    請求項１から５までのいずれか１項記載のセンサ。
  7. 【請求項７】 固定電極（３４、３５）は、固定電極の
    第１の群（３４）と第２の群（３５）を有し、 可動電極（３３）と第１の群（３４）との間の間隔は、
    可動電極（３３）と第２の群（３５）との間の間隔が拡
    大するときに縮小し、 固定電極（３４、３５）の両方の群は、導電層（３）か
    ら形成された導体路およびシリコン層（６）から形成さ
    れた接続構造体（２５）によって接続されており、 ここに発生する寄生抵抗と寄生容量はほぼ等しい大きさ
    である、請求項６記載のセンサ。
  8. 【請求項８】 基板（１０）に導電層（３）、第２の絶
    縁層（２）およんびシリコン層（６）を被着し、 導電層（３）および第２の絶縁層（２）を後続の層デポ
    ジットの前に形成し、 溝（９）をシリコン層（６）に埋め込み、前記溝がシリ
    コン層（６）の上側から第２の絶縁層まで達するように
    し、 溝（９）を通ってエッチング媒体が第２の絶縁層（２）
    に塗布されるようにする、ことを特徴とするセンサの製
    造方法。
  9. 【請求項９】 基板に対してシリコン基板を使用し、 導電層（３）のデポジットの前に、絶縁層を基板（１
    ０）に形成する、請求項８記載の方法。
  10. 【請求項１０】 第１の絶縁層（１）および第２の絶縁
    層（２）は酸化シリコンからなる、請求項９記載の方
    法。
  11. 【請求項１１】 シリコン層（６）はエピタキシャル炉
    で形成される、請求項８から１０までのいずれか１項記
    載の方法。
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