JPH11201984A - 半導体力学量センサ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 信号取出のための配線膜部分での寄生容量を
大幅に低減できて検出信頼性の向上を実現すること、並
びにこのような効果を奏する半導体力学量センサを確実
且つ容易に製造できるようにすること。 【解決手段】 第１の信号取出部１４は、第１の固定電
極１０の基端部に対してエアブリッジ構造の配線膜１５
により接続される。第２の信号取出部１６は、第２の固
定電極１２の基端部に対して同じくエアブリッジ構造の
配線膜１５により接続される。各配線膜１５は、Ｎ型ポ
リシリコンのみより成るもので、犠牲層エッチング手段
を用いて製造されることにより、その途中部分が空中に
完全に浮いた状態とされる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、力学量の作用に応
じた梁構造体の変位をセンサ出力として取り出すように
した容量式の半導体力学量センサ及びその製造方法に関
する。

【０００２】

【発明が解決しようとする課題】例えば特開平７−３３
３０７８号公報には、シリコン基板より成る支持基板上
に絶縁分離膜及びアンカー部を介して支持されたシリコ
ン材料製の梁構造体と、この梁構造体と一体に設けられ
た可動電極と、上記支持基板上に絶縁分離膜を介して支
持されたシリコン材料製の固定電極とを備えた容量式の
半導体加速度センサが記載されている。

【０００３】しかしながら、このものでは、固定電極か
ら信号を取り出すための配線パターンが、誘電体より成
る表面分離膜上に形成された構成となっているため、そ
の配線パターンについての寄生容量が比較的大きくなる
という事情がある。つまり、上記公報の例において、表
面分離膜が最も一般的なシリコン酸化膜（Ｓi Ｏ2 ）に
より形成されていると考えた場合、寄生容量の比誘電率
が３．８程度になるため、その寄生容量を無視すること
ができず、これが加速度検出精度の低下に繋がるという
問題点があった。

【０００４】このような寄生容量の低減を図るために、
従来では、例えば特開平５−３０４３０３号公報に見ら
れるように、エアブリッジ配線構造を採用するという手
段も考えられている。しかしなながら、このものでは、
エアブリッジ構造を採用した配線部（アルミニウム或い
はポリシリコン）が絶縁物（シリコン酸化膜）により覆
われた構造となっているため、その配線部での寄生容量
の比誘電率が３．８程度存在することになり、その寄生
容量を前述同様に無視できなくなるという問題点があ
る。

【０００５】本発明は上記のような事情に鑑みてなされ
たものであり、第１の目的は、信号取出のための配線膜
部分での寄生容量を大幅に低減できて検出信頼性の向上
を実現できるようになる半導体力学量センサを提供する
ことにあり、第２の目的は、斯様な効果を奏する半導体
力学量センサを確実且つ容易に製造できる半導体力学量
センサの製造方法を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記第１の目的を達成す
るために、請求項１に記載した手段を採用できる。この
手段によれば、固定電極と信号取出部との間を、多結晶
半導体材料のみより成るエアブリッジ構造の配線膜によ
り接続する構成となっているから、その配線膜での寄生
容量の比誘電率は１になる。この結果、配線膜部分での
寄生容量を、従来に比べて大幅に低減できることにな
り、力学量の検出信頼性を向上させ得るようになる。

【０００７】前記第２の目的を達成するために、請求項
３に記載した製造方法を採用できる。この製造方法によ
れば、補助犠牲層形成工程で形成した所定膜厚の補助犠
牲層用薄膜に対して、コンタクトホール形成工程におい
て、最終的に固定電極及び信号取出部となる各部分まで
達するコンタクトホールを形成した後に、配線膜形成工
程において、補助犠牲層用薄膜上に上記コンタクトホー
ルを埋めた状態の多結晶半導体薄膜を所定形状となるよ
うに形成し、さらに、補助犠牲層エッチング工程におい
て、上記補助犠牲層用薄膜をエッチングすることによ
り、前記固定電極及び信号取出部間を接続した状態のエ
アブリッジ構造の配線膜を形成することになる。

【０００８】このように形成された配線膜は、多結晶半
導体材料のみより成るエアブリッジ構造となるから、そ
の配線膜部分での寄生容量を大幅に低減できることにな
り、しかも、斯様な配線膜の形成のために、補助犠牲層
形成工程、コンタクトホール形成工程、配線膜形成工程
及び補助犠牲用エッチング工程を順次行うだけで良いか
ら、半導体力学量センサの製造を確実且つ容易に行い得
るようになる。

【０００９】この場合、請求項４記載の製造方法のよう
に、前記梁構造体、固定電極及び信号取出部をそれぞれ
支持するためのアンカー部を前記犠牲層用薄膜を利用し
て形成するなどの構成とすれば、それらアンカー部を形
成するための工程を簡略化できるようになって、前記半
導体力学量センサを一段と容易に製造できるようにな
る。

【００１０】また、請求項７記載の製造方法のように、
前記補助犠牲層用薄膜及び犠牲層用薄膜のエッチングを
同一のエッチング工程で行うなどの構成とすれば、必要
となる工程数が減ることになるから、さらに容易に製造
できるようになる。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、本発明を半導体加速度セン
サに適用した一実施例について図面を参照しながら説明
する。図１及び図２には、半導体力学量センサとしての
半導体加速度センサ１の要部の外観及び全体の平面構造
が示されている（但し、図２中のハッチングは断面を示
すものではなく、各構造要素の区別を容易にするための
ものである）。

【００１２】これら図１及び図２において、単結晶シリ
コンより成る矩形状の支持基板２の上面には、例えばＮ
型単結晶シリコン（半導体材料）より成る梁構造体３が
配置されている。この梁構造体３は、支持基板２に対し
合計４個のアンカー部４ａ〜４ｄにより支持され、以て
支持基板２との間に所定ギャップを存するように設けら
れている。この場合、上記アンカー部４ａ〜４ｄは、例
えばシリコン酸化膜より成るもので、これにより梁構造
体３は、支持基板２と電気的に絶縁された状態とされて
いる。

【００１３】梁構造体３にあっては、互いに平行した２
本の梁部５及び６をアンカー部４ａ・４ｂ間及びアンカ
ー部４ｃ・４ｄ間に架設した形態となっており、それら
梁部５及び６の各中央部間には、矩形状をなすマス部７
が当該梁部５及び６と直交する形態で一体的に設けられ
ている。また、マス部７の両側面からは、例えば２個ず
つの可動電極８ａ及び８ｂが梁部５及び６と平行した方
向へ一体に突出形成されている。尚、これら可動電極８
ａ及び８ｂは、断面矩形の棒状に形成されている。

【００１４】支持基板２上には、一端側がアンカー部９
ａ及び１０ａにより支持された状態の２個ずつの第１の
固定電極９及び１０が、それぞれ可動電極８ａ及び８ｂ
の一方の側面と所定間隔を存して平行した状態で配置さ
れていると共に、同じく一端側がアンカー部１１ａ及び
１２ａにより支持された状態の２個ずつの第２の固定電
極１１及び１２が、それぞれ可動電極８ａ及び８ｂの他
方の側面と所定間隔を存して平行した状態で配置されて
いる。尚、これらの第１の固定電極９、１０及び第２の
固定電極１１、１２は、Ｎ型単結晶シリコンにより断面
矩形の棒状に形成されている。また、上記アンカー部９
ａ〜１２ａは、例えばシリコン酸化膜より成るもので、
これにより各固定電極９〜１２は、支持基板２と電気的
に絶縁された状態とされている。

【００１５】支持基板２上に複数のアンカー部１３ａに
より支持された状態で設けられた共通信号取出部１３
は、Ｎ型単結晶シリコンより成るもので、一端が梁構造
体３に対しアンカー部４ｂ部分で一体に連結されてい
る。また、この共通信号取出部１３は、その他端側に形
成された矩形状端子部１３ｂが支持基板２の縁部に位置
されており、この端子部１３ｂ上にボンディングパッド
１３ｃが形成されている。支持基板２上に複数のアンカ
ー部１４ａにより支持された状態で設けられた第１の信
号取出部１４は、Ｎ型単結晶シリコンより成るもので、
前記第１の固定電極９、１０の各基端部に対してエアブ
リッジ構造の配線膜１５により接続されるコ字形状の配
線パターン部１４ｂと、支持基板２の縁部に位置された
矩形状の端子部１４ｃとを備え、それら配線パターン部
１４ｂ及び端子部１４ｃ間をエアブリッジ構造の配線膜
１５により電気的に接続した構造となっている。この場
合、上記端子部１４ｃ上にボンディングパッド１４ｄが
形成されている。

【００１６】支持基板２上に複数のアンカー部１６ａに
より支持された状態で設けられた第２の信号取出部１６
は、Ｎ型単結晶シリコンより成るもので、前記第２の固
定電極１１の基端部に対してエアブリッジ構造の配線膜
１５により接続される直線形状の配線パターン部１６ｂ
と、前記第２の固定電極１２の基端部に対してエアブリ
ッジ構造の配線膜１５により接続されるＬ字形状の配線
パターン部１６ｃと、この配線パターン部１６ｃと接続
された状態にて支持基板２の縁部に位置された矩形状の
端子部１６ｄとを備え、上記配線パターン部１６ｂ及び
１６ｃ間をエアブリッジ構造の配線膜１５により電気的
に接続した構造となっている。この場合、上記端子部１
６ｄ上にボンディングパッド１６ｅが形成されている。

【００１７】この場合、第１の信号取出部１４におい
て、配線パターン部１４ｂ及び第１の固定電極９間を接
続する配線膜１５は、第２の信号取出部１６の配線パタ
ーン部１６ｂを跨いだ状態とされ、配線パターン部１４
ｂ及び端子部１４ｃ間を接続する配線膜１５は、第２の
信号取出部１６の配線パターン部１６ｃを跨いだ状態と
される。また、第２の信号取出部１６において、配線パ
ターン部１６ｃ及び第２の固定電極１２間を接続する配
線膜１５、並びに配線パターン部１６ｂ及び１６ｃ間を
接続する配線膜１５は、それぞれ第１の信号取出部１４
の配線パターン部１４ｂを跨いだ状態とされる。

【００１８】尚、上記アンカー部１３ａ、１４ａ及び１
６ａは、例えばシリコン酸化膜より成るもので、これに
より共通信号取出部１３、第１の信号取出部１４及び第
２の信号取出部１６は、支持基板２と電気的に絶縁され
た状態とされている。

【００１９】上記各配線膜１５は、例えばＮ型の不純物
が導入されたポリシリコン（多結晶半導体材料）のみよ
り成るもので、図１に示すように、その途中部分が空中
に完全に浮いた状態とされている。

【００２０】上記のように構成された半導体加速度セン
サ１においては、梁構造体３の可動電極８ａ及び８ｂと
第１の固定電極９及び１０との間に第１のコンデンサが
形成される。また、上記可動電極８ａ及び８ｂと第２の
固定電極１１及び１２との間に第２のコンデンサが形成
される。これら第１及び第２のコンデンサの各静電容量
は、梁構造体３に加速度が作用したときの可動電極８ａ
及び８ｂの変位に応じて差動的に変化するものであり、
斯様な静電容量の変化をボンディングパッド部１３ｃ、
１４ｄ及び１６ｅを通じて取り出すことによって加速度
を検出できることになる。

【００２１】図３には上記のような半導体加速度センサ
１の製造工程例が示されており、以下これについて説明
する。尚、図３は半導体加速度センサ１の断面構造の要
部を摸式的に示したものである。

【００２２】まず、図３（ａ）に示すようなＳＯＩ基板
１７を用意する。このＳＯＩ基板１７のベースとなる単
結晶シリコン基板１７ａが前記支持基板２となるもので
あり、また、絶縁分離膜として設けられたシリコン酸化
膜１７ｂが本発明でいう犠牲層用薄膜として機能するも
のである。さらに、シリコン酸化膜１７ｂ上に形成され
たＮ型のＳＯＩシリコン１７ｃ（本発明でいう半導体薄
膜に相当）が、前記梁構造体３や第１の固定電極９、１
０及び第２の固定電極１１、１２などの材料となるもの
である。尚、ＳＯＩシリコン１７ｃの膜厚は例えば５〜
２０μｍ程度に設定される。また、単結晶シリコン基板
１７ａの伝導型は、Ｐ型及びＮ型のどちらでも良い。

【００２３】次に、図３（ｂ）に示すようなパターン構
造形成工程を実行する。この工程では、ＳＯＩシリコン
１７ｃにおける梁構造体３などのための絶縁分離領域
に、例えばドライエッチングを施すことによってシリコ
ン酸化膜１７ｂまで達するトレンチ１８を形成し、以て
梁構造体３、第１の固定電極９、１０及び第２の固定電
極１１、１２、共通信号取出部１３、第１の信号取出部
１４、第２の信号取出部１６（いずれも図２参照）のた
めのパターン構造１９を形成する。尚、上記トレンチ１
８の幅は、０．５〜６μｍ程度に設定される。

【００２４】次に、図３（ｃ）に示す補助犠牲層形成工
程を実行する。この工程では、ＳＯＩシリコン１７ｃ上
に所定膜厚（数μｍ程度）のシリコン酸化膜２０を補助
犠牲層薄膜として形成するものであり、これに応じてト
レンチ１８を埋め戻した状態とする。

【００２５】次に、図３（ｄ）に示すコンタクトホール
形成工程を実行する。この工程では、前記シリコン酸化
膜２０に対しエッチング処理を施すことにより、前記パ
ターン構造１９における前記複数の配線膜１５の基部形
成部分（第１及び第２の固定電極９、１０及び１１、１
２、共通信号取出部１３、第１の信号取出部１４、第２
の信号取出部１６に相当する各部分）まで達するコンタ
クトホール２１を形成する。

【００２６】次に、図３（ｅ）に示す配線膜形成工程を
実行する。この工程では、シリコン酸化膜２０上に、例
えば、ポリシリコン材料を前記コンタクトホール２１を
埋めた状態で所定の膜厚（数μｍ程度）まで堆積した後
に、当該堆積膜をパターニングすることによって、前記
配線膜１５に対応した形状のポリシリコン薄膜２２（本
発明でいう多結晶半導体薄膜に相当）を形成する。尚、
このポリシリコン薄膜２２に対するＮ型不純物の導入
は、例えば上記ポリシリコン堆積膜の形成時において同
時に行うことができる。

【００２７】次に、図３（ｆ）に示すエッチング工程
（本発明でいう補助犠牲層エッチング工程及び犠牲層エ
ッチング工程を兼用）を実行する。この工程では、例え
ばフッ酸系のエッチング液を使用したエッチングによ
り、前記シリコン酸化膜２０の全部を除去して前記エア
ブリッジ構造の配線膜１５を形成すると共に、前記シリ
コン酸化膜１７ａを前記アンカー部４ａ〜４ｂ、９ａ〜
１２ａ、１３ａ、１４ａ、１６ａを残して除去すること
によって、それらアンカー部４ａ〜４ｂ、９ａ〜１２
ａ、１３ａ、１４ａ、１６ａにより支持された状態の前
記梁構造体３、第１の固定電極９及び１０、第２の固定
電極１１及び１２、共通信号取出部１３、第１の信号取
出部１４、第２の信号取出部１６を形成する。これによ
り、図１及び図２に示した半導体加速度センサ１の基本
構造が完成する。

【００２８】上記のように製造される半導体加速度セン
サ１にあっては、第１の固定電極９、１０と第１の信号
取出部１４との間並びに第２の固定電極１１、１２と第
２の信号取出部１６との間を、エアブリッジ構造の配線
膜１５によりそれぞれ接続する構成となっているから、
各配線膜１５での寄生容量を抑制できるものである。し
かも、上記配線膜１５は、ポリシリコンのみより成るも
のであるから寄生容量の比誘電率は１になり、従って、
当該配線膜１５部分での寄生容量を従来構成に比べて大
幅に低減できることになり、結果的に力学量の検出信頼
性を向上させ得るようになる。

【００２９】また、上記のようなエアブリッジ構造の配
線膜１５を形成するために、補助犠牲層形成工程、コン
タクトホール形成工程、配線膜形成工程及び補助犠牲用
エッチング工程を順次行うだけで良いから、半導体力学
量センサ１の製造を確実且つ容易に行い得るようにな
る。

【００３０】この場合、梁構造体３、第１の固定電極９
及び１０、第２の固定電極１１及び１２、共通信号取出
部１３、第１の信号取出部１４、第２の信号取出部１６
をそれぞれ支持するためのアンカー部４ａ〜４ｂ、９ａ
〜１２ａ、１３ａ、１４ａ、１６ａを、ＳＯＩ基板１７
のシリコン酸化膜１７ｂを利用して形成する構成となっ
ているから、それらアンカー部４ａ〜４ｂ、９ａ〜１２
ａ、１３ａ、１４ａ、１６ａを形成するための工程を簡
略化できるようになって、半導体力学量センサ１を一段
と容易に製造できるようになる。

【００３１】しかも、補助犠牲層用薄膜及び犠牲層用薄
膜を同一の材料（シリコン酸化膜１７ｂ及び２０）によ
り形成すると共に、それらのエッチングを同一のエッチ
ング工程で行う構成としたから、必要となる工程数が減
ることになって、さらに容易に製造できるようになる。

【００３２】尚、本発明は上記した実施例に限定される
ものではなく、次のような変形または拡張が可能であ
る。支持基板２の材料としては、ＳＯＩ基板１７のベー
スである単結晶シリコン基板１７ａに限らず、他の半導
体基板或いは絶縁性を有するセラミック基板やガラス基
板などを用いることができる。この場合、支持基板の材
料そのものが絶縁性を有するものであれば、ＳＯＩ構造
を採用する必要がなくなる。

【００３３】アンカー部４ａ〜４ｂ、９ａ〜１２ａ、１
３ａ、１４ａ、１６ａを、ＳＯＩ基板１７のシリコン酸
化膜１７ａにより形成する構成としたが、別途に成膜し
た材料によりアンカー部を形成する構成としても良く、
例えば、ポリシリコン薄膜により形成する場合には、ア
ンカー部を利用した内部配線パターン構造を採用するこ
とができるようになる。また、ＳＯＩ基板１７のシリコ
ン酸化膜１７ｂを犠牲層用薄膜としても兼用する構成と
したが、別途に犠牲層用薄膜を成膜する構成も可能であ
る。半導体加速度センサに限らず、ヨーレートセンサや
角速度センサなどような他の半導体力学量センサにも応
用できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例で適用した半導体加速度セン
サの要部の斜視図

【図２】半導体加速度センサの平面図

【図３】半導体加速度センサの製造工程を示す摸式的断
面図

【符号の説明】

１は半導体加速度センサ（半導体力学量センサ）、２は
支持基板、３は梁構造体、４ａ〜４ｄはアンカー部、
５、６は梁部、７はマス部、８ａ、８ｂは可動電極、
９、１０は第１の固定電極、１１、１２は第２の固定電
極、９ａ〜１２ａはアンカー部、１３は共通信号取出
部、１３ａはアンカー部、１４は第１の信号取出部、１
４ａはアンカー部、１５は配線膜、１６は第２の信号取
出部、１６ａはアンカー部、１７はＳＯＩ基板、１７ａ
は単結晶シリコン基板、１７ｂはシリコン酸化膜（犠牲
層用薄膜）、１７ｃはＳＯＩシリコン（半導体薄膜）、
１８はトレンチ、１９はパターン構造、２０はシリコン
酸化膜（補助犠牲層用薄膜）、２１はコンタクトホー
ル、２２はポリシリコン薄膜（多結晶半導体薄膜）を示
す。

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 支持基板と、 この支持基板上に当該支持基板と電気的に絶縁された状
   態で支持され、力学量の作用に応じて変位する半導体材
   料製の梁構造体と、 この梁構造体と一体に設けられた可動電極と、 前記支持基板上に当該支持基板と電気的に絶縁された状
   態で支持された半導体材料製の固定電極とを備え、 前記梁構造体の変位に伴う前記可動電極及び固定電極間
   の静電容量の変化に基づいて当該梁構造体に作用する力
   学量を検出するように構成された半導体力学量センサに
   おいて、 前記支持基板上に当該支持基板と電気的に絶縁された状
   態で設けられた信号取出部を有し、この信号取出部と前
   記固定電極との間を、多結晶半導体材料のみより成るエ
   アブリッジ構造の配線膜により接続したことを特徴とす
   る半導体力学量センサ。
2. 【請求項２】 複数個の可動電極と、 各可動電極に両側から近接対向するように設けられた複
   数個ずつの第１の固定電極及び第２の固定電極と、 前記支持基板上に当該支持基板と電気的に絶縁された状
   態で設けられた第１の信号取出部及び第２の信号取出部
   とを備え、 前記配線膜は、前記第１の固定電極と第１の信号取出部
   との間、並びに前記第２の固定電極と第２の信号取出部
   との間をそれぞれ接続するように設けられることを特徴
   とする請求項１記載の半導体力学量センサ。
3. 【請求項３】 請求項１記載の半導体力学量センサを製
   造するための方法において、 支持基板上に犠牲層用薄膜を介して設けられた半導体薄
   膜にトレンチを形成することにより、可動電極を一体に
   有した梁構造体、固定電極及び信号取出部のためのパタ
   ーン構造を形成するパターン構造形成工程と、 前記半導体薄膜上に所定膜厚の補助犠牲層用薄膜を形成
   する補助犠牲層形成工程と、 前記補助犠牲層用薄膜に対し、前記パターン構造におけ
   る固定電極及び信号取出部に相当する各部分まで達する
   コンタクトホールを形成するコンタクトホール形成工程
   と、 前記補助犠牲層用薄膜上に前記コンタクトホールを埋め
   た状態の多結晶半導体薄膜を所定形状となるように形成
   する配線膜形成工程と、 前記補助犠牲層用薄膜をエッチングすることにより、前
   記固定電極及び信号取出部間を接続した状態のエアブリ
   ッジ構造の配線膜を形成する補助犠牲層エッチング工程
   と、 前記犠牲層用薄膜をエッチングすることにより、前記支
   持基板上に当該支持基板と電気的に絶縁された状態で支
   持された前記梁構造体、固定電極及び信号取出部を形成
   する犠牲層エッチング工程とを実行することを特徴とす
   る半導体力学量センサの製造方法。
4. 【請求項４】 前記支持基板上に前記梁構造体、固定電
   極、信号取出部をそれぞれ支持するためのアンカー部を
   前記犠牲層用薄膜を利用して形成するように構成され、 前記犠牲層エッチング工程では、前記犠牲層用薄膜を前
   記アンカー部対応領域を残して除去することを特徴とす
   る請求項３記載の半導体力学量センサの製造方法。
5. 【請求項５】 前記パターン構造形成工程では、前記半
   導体薄膜にトレンチを形成することにより、複数の可動
   電極を一体に有した梁構造体、各可動電極に両側から近
   接対向するように設けられた複数個ずつの第１の固定電
   極及び第２の固定電極、並びに各固定電極からそれぞれ
   信号を取り出すための第１の信号取出部及び第２の信号
   取出部を含むパターン構造を形成し、 前記コンタクトホール形成工程では、前記パターン構造
   における第１及び第２の信号取出部並びに第１及び第２
   の固定電極に相当する各部分まで達するコンタクトホー
   ルを形成し、 前記配線膜形成工程では、前記補助犠牲層用薄膜上に前
   記コンタクトホールを埋めた状態の多結晶半導体薄膜
   を、第１の固定電極と第１の信号取出部との間及び第２
   の固定電極と第２の信号取出部との間をそれぞれ繋いだ
   形状となるように形成し、 前記補助犠牲層エッチング工程では、前記補助犠牲層用
   薄膜をエッチングすることにより、第１の固定電極と第
   １の信号取出部との間及び第２の固定電極と第２の信号
   取出部との間をそれぞれ接続した状態のエアブリッジ構
   造の配線膜を形成し、 前記犠牲層エッチング工程では、前記犠牲層用薄膜をエ
   ッチングすることにより、前記支持基板上に当該支持基
   板と電気的に絶縁された状態で支持された前記梁構造
   体、第１及び第２の固定電極、第１及び第２の信号取出
   部を形成することを特徴とする請求項３記載の半導体力
   学量センサの製造方法。
6. 【請求項６】 前記支持基板上に前記梁構造体、第１及
   び第２の固定電極、第１及び第２の信号取出部をそれぞ
   れ支持するためのアンカー部を前記犠牲層用薄膜を利用
   して形成するように構成され、 前記犠牲層エッチング工程では、前記犠牲層用薄膜を前
   記アンカー部対応領域を残して除去することを特徴とす
   る請求項５記載の半導体力学量センサの製造方法。
7. 【請求項７】 前記犠牲層用薄膜及び補助犠牲層用薄膜
   は同一材料により形成され、前記補助犠牲層用薄膜及び
   犠牲層用薄膜のエッチングを同一のエッチング工程で行
   うことを特徴とする請求項３ないし６のいずれかに記載
   の半導体力学量センサの製造方法。