JPH10142254A - 半導体集積型容量加速度センサおよびその製法 - Google Patents
半導体集積型容量加速度センサおよびその製法Info
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- JPH10142254A JPH10142254A JP9205088A JP20508897A JPH10142254A JP H10142254 A JPH10142254 A JP H10142254A JP 9205088 A JP9205088 A JP 9205088A JP 20508897 A JP20508897 A JP 20508897A JP H10142254 A JPH10142254 A JP H10142254A
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- G01P2015/0808—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining in-plane movement of the mass, i.e. movement of the mass in the plane of the substrate
- G01P2015/0811—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining in-plane movement of the mass, i.e. movement of the mass in the plane of the substrate for one single degree of freedom of movement of the mass
- G01P2015/0814—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining in-plane movement of the mass, i.e. movement of the mass in the plane of the substrate for one single degree of freedom of movement of the mass for translational movement of the mass, e.g. shuttle type
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 製造時破損の少ない、高感度の集積型加速度
センサを提供する。 【解決手段】 加速度センサは、空隙(3)を有する絶
縁層(2)によって隔てられた第1(1)および第2
(4)の単結晶シリコンウエハーを有する分離されたS
OI基板(50)の一部中に形成される。空隙(3)上
の第2のウエハー(4)中にウエル(15)が形成さ
れ、次に対応する2つの固定電極(29a、29b)に
対向する2つの可動電極(28a、28b)を有するセ
ンサの可動質量(24)を形成する単結晶シリコン質量
(23)を切り離すために空隙まで溝を形成する。無負
荷状態において、各可動電極(28)は、可動電極に対
向する2つの固定電極(29)から異なった距離離され
る。
センサを提供する。 【解決手段】 加速度センサは、空隙(3)を有する絶
縁層(2)によって隔てられた第1(1)および第2
(4)の単結晶シリコンウエハーを有する分離されたS
OI基板(50)の一部中に形成される。空隙(3)上
の第2のウエハー(4)中にウエル(15)が形成さ
れ、次に対応する2つの固定電極(29a、29b)に
対向する2つの可動電極(28a、28b)を有するセ
ンサの可動質量(24)を形成する単結晶シリコン質量
(23)を切り離すために空隙まで溝を形成する。無負
荷状態において、各可動電極(28)は、可動電極に対
向する2つの固定電極(29)から異なった距離離され
る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積型容量
加速度センサおよびその製法に関する。
加速度センサおよびその製法に関する。
【0002】
【従来の技術】周知のように、加速度センサは自動車産
業において、エアバッグ、ABS、アクティブサスペン
ション、エンジン制御およびASR(スリップ回転防
止)に広く使用されている。最近、従来の微小慣性機械
スイッチと比較して、低価格、高性能および高信頼性、
よりよい信号/雑音比、インテリジェントセンサおよび
オンライン自己試験システムを構成するためのメモリと
の一体化、並びにより優れた再現性および感度など多く
の利点を有する観点から、マイクロエレクトロニクス技
術を使用して組み立てられた電子機械的シリコン構造を
加速度センサとして使用することが提案されている。
業において、エアバッグ、ABS、アクティブサスペン
ション、エンジン制御およびASR(スリップ回転防
止)に広く使用されている。最近、従来の微小慣性機械
スイッチと比較して、低価格、高性能および高信頼性、
よりよい信号/雑音比、インテリジェントセンサおよび
オンライン自己試験システムを構成するためのメモリと
の一体化、並びにより優れた再現性および感度など多く
の利点を有する観点から、マイクロエレクトロニクス技
術を使用して組み立てられた電子機械的シリコン構造を
加速度センサとして使用することが提案されている。
【0003】試作品であるシリコン一体型加速度センサ
が、最近動作において本質的に相違する6つの形式で組
み立てられた。 −ピエゾ電子型:加速度によって動かされる質量がピエ
ゾ電子材料の薄い膜を圧縮ないし伸長し、その膜の両端
の電圧が検出される。 −ピエゾ抵抗型:シリコンダイヤフラムの質量変位が、
ダイヤフラム中に拡散されたピエゾ抵抗素子で構成され
たホイーストーンブリッジを不平衡とする。
が、最近動作において本質的に相違する6つの形式で組
み立てられた。 −ピエゾ電子型:加速度によって動かされる質量がピエ
ゾ電子材料の薄い膜を圧縮ないし伸長し、その膜の両端
の電圧が検出される。 −ピエゾ抵抗型:シリコンダイヤフラムの質量変位が、
ダイヤフラム中に拡散されたピエゾ抵抗素子で構成され
たホイーストーンブリッジを不平衡とする。
【0004】−容量型:加速度が、1つのキャパシター
の可動電極を形成する振動重りの変位を引き起こす(容
量の絶対変化)、あるいは反対側に2つの容量が変化す
るように電気的に接続された2つのキャパシターに共通
の1つの電極の変位を引き起こす(容量の相対変化)。 −しきい値型:加速度によって引き起こされるシリコン
マイクロビームの屈折が電子回路を閉じる。
の可動電極を形成する振動重りの変位を引き起こす(容
量の絶対変化)、あるいは反対側に2つの容量が変化す
るように電気的に接続された2つのキャパシターに共通
の1つの電極の変位を引き起こす(容量の相対変化)。 −しきい値型:加速度によって引き起こされるシリコン
マイクロビームの屈折が電子回路を閉じる。
【0005】−共振型:加速度が、振動され支持された
マイクロメカニカル構造の本質的な周波数を偏倚する。 −トンネル効果型:加速度が一方が可動である2つの電
極の距離を変動させ、量子的トンネル電流が発生する。
本発明は、差動型容量加速度センサに関する。
マイクロメカニカル構造の本質的な周波数を偏倚する。 −トンネル効果型:加速度が一方が可動である2つの電
極の距離を変動させ、量子的トンネル電流が発生する。
本発明は、差動型容量加速度センサに関する。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】従来、一体型マイクロ
構造はバルクマイクロマシニング技術を使用して組み立
てられることが好ましかったが、これにおいては単結晶
シリコンの優れた機械的特性を利用するためにシリコン
ウエハーは両面が処理されていた。しかしながら、両面
処理およびウエハーの特別な取扱の必要性は、バルクマ
イクロマシニングを現在の一体型回路組立技術と両立し
がたいものとする。
構造はバルクマイクロマシニング技術を使用して組み立
てられることが好ましかったが、これにおいては単結晶
シリコンの優れた機械的特性を利用するためにシリコン
ウエハーは両面が処理されていた。しかしながら、両面
処理およびウエハーの特別な取扱の必要性は、バルクマ
イクロマシニングを現在の一体型回路組立技術と両立し
がたいものとする。
【0007】80年代中頃、表面マイクロマシニングが
提案されたが、これにおいては感応素子は多結晶シリコ
ンで形成され、支持された構造はデポシットし、次に削
り代層を除去することによって形成される。この詳細
は、例えば、センサとアクチュエータ A 45 (1
994)7−16頁の W. Kuehnel 、S.Sherman 著「ワ
ンチップ検出回路を有する表面マイクロマシンされたシ
リコン加速度計」という論文中に、あるいは Analog De
vices 社出願の特許EP−A−O 543 901中に
見出される。プレナーマイクロ電子技術と比較しても、
支持された構造の解放(即ち、構造を半導体の残りから
切り離す)時に毛管現象および付随するファンデルワー
ルス力の結果としてマイクロ構造が破損し易いために、
上述した解決策は種々の問題を発生する。(この詳細
は、センサとアクチュエータ A 43 (1994)
230−238頁の R. Legtenberg、H.A.C. Tilmans著
「洗浄および乾燥後のマイクロマシンされた構造の状
態:付着メカニズムのモデルと調査」という論文中に見
出される。) 「ウエハーディゾルビング」のような他の特化された技
術は、標準のプレナーマイクロ電子技術と全体的には両
立しない特有のプロセスによってシリコンマイクロ構造
を形成するために提供される。ある意味では、これら
「特別な」処理は、単に他の材料を使用した実際に処理
されるシリコン上への移転からなっており、分離したチ
ップ上に処理・制御回路が形成されるような感応部分の
組み立てを提供するだけである。
提案されたが、これにおいては感応素子は多結晶シリコ
ンで形成され、支持された構造はデポシットし、次に削
り代層を除去することによって形成される。この詳細
は、例えば、センサとアクチュエータ A 45 (1
994)7−16頁の W. Kuehnel 、S.Sherman 著「ワ
ンチップ検出回路を有する表面マイクロマシンされたシ
リコン加速度計」という論文中に、あるいは Analog De
vices 社出願の特許EP−A−O 543 901中に
見出される。プレナーマイクロ電子技術と比較しても、
支持された構造の解放(即ち、構造を半導体の残りから
切り離す)時に毛管現象および付随するファンデルワー
ルス力の結果としてマイクロ構造が破損し易いために、
上述した解決策は種々の問題を発生する。(この詳細
は、センサとアクチュエータ A 43 (1994)
230−238頁の R. Legtenberg、H.A.C. Tilmans著
「洗浄および乾燥後のマイクロマシンされた構造の状
態:付着メカニズムのモデルと調査」という論文中に見
出される。) 「ウエハーディゾルビング」のような他の特化された技
術は、標準のプレナーマイクロ電子技術と全体的には両
立しない特有のプロセスによってシリコンマイクロ構造
を形成するために提供される。ある意味では、これら
「特別な」処理は、単に他の材料を使用した実際に処理
されるシリコン上への移転からなっており、分離したチ
ップ上に処理・制御回路が形成されるような感応部分の
組み立てを提供するだけである。
【0008】異なる形式のセンサに対しては、最初のウ
エハーが空隙を形成するためにセンサ領域において選択
的に除去された酸化物を有するシリコン−シリコン酸化
物−シリコン層からなる専用SOI(シリコン−オン−
インシュレータ)構造が提案されている。ウエハーの前
面から空隙に到達するように形成された溝は、支持され
た構造の形成を提供する。せん断応力センサに関するこ
の詳細は、例えば、マイクロエレクトロメカニカルシス
テムジャーナル、巻1、N.2、1992年7月89−
94頁、J Shajii、Kay-Yip Ngおよび M.A. Schidt著
「ウエハーボンディング技術を使用したマイクロ組立さ
れた浮遊体せん断応力センサ」という論文中に見出され
る。(空隙の形成を除く)ボンディング技術は、日本応
用物理ーナル、巻28、N.8、1989年8月、14
26−1443頁、J. Hausman、G.A. Spierings、U.K.
P. Biermanおよび J.A. Pals著「シリコン−オン−イン
シュレータボンディングウエハー薄化技術の評価」とい
う論文に見出される。
エハーが空隙を形成するためにセンサ領域において選択
的に除去された酸化物を有するシリコン−シリコン酸化
物−シリコン層からなる専用SOI(シリコン−オン−
インシュレータ)構造が提案されている。ウエハーの前
面から空隙に到達するように形成された溝は、支持され
た構造の形成を提供する。せん断応力センサに関するこ
の詳細は、例えば、マイクロエレクトロメカニカルシス
テムジャーナル、巻1、N.2、1992年7月89−
94頁、J Shajii、Kay-Yip Ngおよび M.A. Schidt著
「ウエハーボンディング技術を使用したマイクロ組立さ
れた浮遊体せん断応力センサ」という論文中に見出され
る。(空隙の形成を除く)ボンディング技術は、日本応
用物理ーナル、巻28、N.8、1989年8月、14
26−1443頁、J. Hausman、G.A. Spierings、U.K.
P. Biermanおよび J.A. Pals著「シリコン−オン−イン
シュレータボンディングウエハー薄化技術の評価」とい
う論文に見出される。
【0009】現在提案されている解決策に付随する典型
的な欠点を克服するために設計された加速度センサおよ
びその組立方法を提供することが、本発明の目的であ
る。
的な欠点を克服するために設計された加速度センサおよ
びその組立方法を提供することが、本発明の目的であ
る。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、対応す
る固定電極(29a、29b)と対向する可動電極(2
8a、28b)を有する半導体可動質量(50)を有す
る集積型容量加速度センサであって、前記半導体可動質
量(50)が、前記可動質量並びに前記可動及び固定端
子を形成する単結晶センサ領域(15)を具備すること
を特徴とする集積型容量加速度センサ、およびその組み
立て方法が提供される。
る固定電極(29a、29b)と対向する可動電極(2
8a、28b)を有する半導体可動質量(50)を有す
る集積型容量加速度センサであって、前記半導体可動質
量(50)が、前記可動質量並びに前記可動及び固定端
子を形成する単結晶センサ領域(15)を具備すること
を特徴とする集積型容量加速度センサ、およびその組み
立て方法が提供される。
【0011】実際本発明によれば、加速度センサは専用
SOI基板の一部を形成する単結晶シリコンウエハー中
に形成され、ウエハーの表面から形成された溝はキャパ
シター群の慣性電極を形成する単結晶シリコン質量を分
離する。
SOI基板の一部を形成する単結晶シリコンウエハー中
に形成され、ウエハーの表面から形成された溝はキャパ
シター群の慣性電極を形成する単結晶シリコン質量を分
離する。
【0012】
【発明の実施の形態】望ましいがそれには限定されない
本発明の実施例は添付図示を参照して説明される。単結
晶シリコンの第1のウエハー1上に温度的に育成される
シリコン酸化層2が形成される(図1)。
本発明の実施例は添付図示を参照して説明される。単結
晶シリコンの第1のウエハー1上に温度的に育成される
シリコン酸化層2が形成される(図1)。
【0013】選択的に一部を除去し、「空隙」を形成す
るための開口3を形成するために酸化層2がマスクさ
れ、エッチングされる(図2)。空隙3が第2のウエハ
ー4の上面と第1のウエハー1の底面との間で垂直に酸
化層2によって隔てられている専用SOI構造50を形
成するために、例えば、上記J. Hausman、G.A. Spierin
gs、U.K.P. Biermanおよび J.A. Pals著の論文に記述さ
れている方法を使用して、例としてP型で示されている
単結晶シリコンの第2のウエハー4が酸化層上に接着さ
れる。
るための開口3を形成するために酸化層2がマスクさ
れ、エッチングされる(図2)。空隙3が第2のウエハ
ー4の上面と第1のウエハー1の底面との間で垂直に酸
化層2によって隔てられている専用SOI構造50を形
成するために、例えば、上記J. Hausman、G.A. Spierin
gs、U.K.P. Biermanおよび J.A. Pals著の論文に記述さ
れている方法を使用して、例としてP型で示されている
単結晶シリコンの第2のウエハー4が酸化層上に接着さ
れる。
【0014】ここで、SOI基板50は、集積回路のバ
イポーラおよびMOS電子素子を形成する通常の方法で
処理される。より特別には(図4)、第2のウエハー4
は第2のウエハー4の上面6から酸化層2に延びる接合
あるいは誘電絶縁体5と、N型ウエル10内に形成さ
れ、P型ソース及びドレン領域11並びにゲート酸化領
域14によって第2のウエハーから絶縁された制御ゲー
ト領域12を含むMOSトランジスタとを有している。
電子素子を形成するときに、N型ウエル10は、また空
隙3に到達し空隙3全体を実際上覆うように形成され
る。実際、ウエル15は、第2のウエハー4の残部
(4’)および底面において空隙3によって垂直に隔て
られる(センサを格納することを意図する)領域を定義
し、適当にパターンの形成されたマスクを使用してN型
あるいはP型ウエル打ち込みステップ(例においてはウ
エル10の打ち込みステップ)と同時に形成されること
が望ましい。
イポーラおよびMOS電子素子を形成する通常の方法で
処理される。より特別には(図4)、第2のウエハー4
は第2のウエハー4の上面6から酸化層2に延びる接合
あるいは誘電絶縁体5と、N型ウエル10内に形成さ
れ、P型ソース及びドレン領域11並びにゲート酸化領
域14によって第2のウエハーから絶縁された制御ゲー
ト領域12を含むMOSトランジスタとを有している。
電子素子を形成するときに、N型ウエル10は、また空
隙3に到達し空隙3全体を実際上覆うように形成され
る。実際、ウエル15は、第2のウエハー4の残部
(4’)および底面において空隙3によって垂直に隔て
られる(センサを格納することを意図する)領域を定義
し、適当にパターンの形成されたマスクを使用してN型
あるいはP型ウエル打ち込みステップ(例においてはウ
エル10の打ち込みステップ)と同時に形成されること
が望ましい。
【0015】誘電性保護層16(即ち、窒化シリコンあ
るいはBPSGーボロン燐シリコンガラス)はデポジッ
トされ、接触は開放され、金属層はデポジットされ、第
2のウエハー上に接触電極を形成するために定義され、
そして図4に示す中間構造を得る。この点で、加速度計
の可動質量を開放し、可動電極から固定電極を分離し、
誘電層16および空隙3上の第2のウエハーの部分を切
り離す光化学的および化学的エッチングステップによっ
て異なるポテンシャル領域を分離し、溝20を形成す
る。
るいはBPSGーボロン燐シリコンガラス)はデポジッ
トされ、接触は開放され、金属層はデポジットされ、第
2のウエハー上に接触電極を形成するために定義され、
そして図4に示す中間構造を得る。この点で、加速度計
の可動質量を開放し、可動電極から固定電極を分離し、
誘電層16および空隙3上の第2のウエハーの部分を切
り離す光化学的および化学的エッチングステップによっ
て異なるポテンシャル領域を分離し、溝20を形成す
る。
【0016】実際の溝20の形は、斜視図6および平面
図7に示されている。より特別には、第1および第2の
溝20a、20bはセンサの固定電極から可動部分を分
離するジグザグの電気的に絶縁された溝を定義し、第3
および第4の溝20c、20dは、23によって全体が
示されている可動構造を分離するための開放溝を定義し
ており、溝20c、20dの場合には厳密には必要のな
いものであるけれども電極の効果的な絶縁を確保するた
めに(含まれている)誘電層16から空隙3(図5)ま
での厚さおよび第2のウエハー4の外壁4’までの長さ
でPN接合を越えて、全ての溝20はN型ウエル15中
に伸びている。
図7に示されている。より特別には、第1および第2の
溝20a、20bはセンサの固定電極から可動部分を分
離するジグザグの電気的に絶縁された溝を定義し、第3
および第4の溝20c、20dは、23によって全体が
示されている可動構造を分離するための開放溝を定義し
ており、溝20c、20dの場合には厳密には必要のな
いものであるけれども電極の効果的な絶縁を確保するた
めに(含まれている)誘電層16から空隙3(図5)ま
での厚さおよび第2のウエハー4の外壁4’までの長さ
でPN接合を越えて、全ての溝20はN型ウエル15中
に伸びている。
【0017】さらに特別には、可動構造23はH型であ
り、梁状の可動質量24と可動質量24を構造50に固
定する一対の横断アーム25から構成されている。横断
アーム25−可動質量24を平衡位置に復元するバネと
して働く−は、図7において矢印27によって示される
垂直端側面において構造50に固定されるが、この垂直
側面は可動構造23の固定具を定義し、素子表面の上面
と空隙3の底面において溝20によって垂直に境界が定
められる。複数の横断面28a、28bは可動質量24
の各端面から伸び、キャパシターセンサの可動電極を定
義し、横断面に対応する交互櫛型29a、29bは固定
電極を定義する。
り、梁状の可動質量24と可動質量24を構造50に固
定する一対の横断アーム25から構成されている。横断
アーム25−可動質量24を平衡位置に復元するバネと
して働く−は、図7において矢印27によって示される
垂直端側面において構造50に固定されるが、この垂直
側面は可動構造23の固定具を定義し、素子表面の上面
と空隙3の底面において溝20によって垂直に境界が定
められる。複数の横断面28a、28bは可動質量24
の各端面から伸び、キャパシターセンサの可動電極を定
義し、横断面に対応する交互櫛型29a、29bは固定
電極を定義する。
【0018】固定電極29a、29bは、対応する接点
17a、17bによって2つの異なる電圧V+ およびV
- でバイアスされており、一方可動電極28a、28b
は横断アーム25の端点近傍において4つの接点17c
において電圧Vでバイアスされる。ここで、V- <V<
V+ である。各可動電極28a、28bは、2つの固定
対向電極29a、29bから異なる距離によって隔てら
れている。図8の基本セルの拡大された詳細に示すよう
に、平衡条件において、一方の可動電極28aは、矢印
Aによって示される第1(上方)の方向、および第1の
方向と反対方向でそれぞれ可動電極28aと対向する
(図8)2つの固定電極29aから距離d1、d2(d
1>d2)によって隔てられ、他方の電極28bは(他
方の電極28bと第1および第2の方向で対向する)対
応する固定電極29bから距離d1、d2によって隔て
られている。
17a、17bによって2つの異なる電圧V+ およびV
- でバイアスされており、一方可動電極28a、28b
は横断アーム25の端点近傍において4つの接点17c
において電圧Vでバイアスされる。ここで、V- <V<
V+ である。各可動電極28a、28bは、2つの固定
対向電極29a、29bから異なる距離によって隔てら
れている。図8の基本セルの拡大された詳細に示すよう
に、平衡条件において、一方の可動電極28aは、矢印
Aによって示される第1(上方)の方向、および第1の
方向と反対方向でそれぞれ可動電極28aと対向する
(図8)2つの固定電極29aから距離d1、d2(d
1>d2)によって隔てられ、他方の電極28bは(他
方の電極28bと第1および第2の方向で対向する)対
応する固定電極29bから距離d1、d2によって隔て
られている。
【0019】従って、各可動電極28a、28bは、距
離d1、d2でそれと対向する2つの固定電極29a、
29bとともに2つの並列キャパシターを形成し、2つ
の距離の差を考えると、各可動電極28a、28bに対
する有効キャパシターは、距離d2における固定電極2
9a、29bで定義されるものとなる(図8において左
側C1と右側C2)。このように、センサは端子17a
および17bの間で直列に接続され共通端子17cを有
する2つのキャパシターを具備し、各キャパシターは複
数の基本キャパシターC1、C2の(静止した時)距離
d1を隔てられた電極に関し並列接続を構成する。
離d1、d2でそれと対向する2つの固定電極29a、
29bとともに2つの並列キャパシターを形成し、2つ
の距離の差を考えると、各可動電極28a、28bに対
する有効キャパシターは、距離d2における固定電極2
9a、29bで定義されるものとなる(図8において左
側C1と右側C2)。このように、センサは端子17a
および17bの間で直列に接続され共通端子17cを有
する2つのキャパシターを具備し、各キャパシターは複
数の基本キャパシターC1、C2の(静止した時)距離
d1を隔てられた電極に関し並列接続を構成する。
【0020】(図8に矢印で示される)可動質量と平行
な加速度Aが存在すると、それは実線で表された理想位
置から破線で表された位置に動かされ、キャパシターC
1の距離d1は減少し、キャパシターC2の距離d1は
増加し、従ってC1の容量は増加し、C2の容量は減少
し、容量の変動は同じチップ内に集積された周知の信号
処理回路によって検出され、応用に応じたさらなる処理
のために電圧に変換される。
な加速度Aが存在すると、それは実線で表された理想位
置から破線で表された位置に動かされ、キャパシターC
1の距離d1は減少し、キャパシターC2の距離d1は
増加し、従ってC1の容量は増加し、C2の容量は減少
し、容量の変動は同じチップ内に集積された周知の信号
処理回路によって検出され、応用に応じたさらなる処理
のために電圧に変換される。
【0021】
【発明の効果】本発明に係る加速度センサと組み立て方
法の利点は、以下の通りである。単結晶シリコンによる
可動質量の形成は、デポジットされた、即ち多結晶シリ
コンフィルムの場合にはセンサが典型的に受け易い引っ
張り応力および圧縮応力を除去し、単結晶シリコンウエ
ハー内に形成された可変質量は、デポジットされたフィ
ルムと比較して厚く、従って、センサはより大きい容量
を有し、より感度がよく、信号処理の問題は少ない。
法の利点は、以下の通りである。単結晶シリコンによる
可動質量の形成は、デポジットされた、即ち多結晶シリ
コンフィルムの場合にはセンサが典型的に受け易い引っ
張り応力および圧縮応力を除去し、単結晶シリコンウエ
ハー内に形成された可変質量は、デポジットされたフィ
ルムと比較して厚く、従って、センサはより大きい容量
を有し、より感度がよく、信号処理の問題は少ない。
【0022】上記の構造は、高い曲げ硬さを有し、削り
代層を除去することによって形成される構造と異なり、
溝の形成に引き続く乾燥ステップにおいて基板を破損す
るおそれはすくない。センサの組み立ては、プレナーマ
イクロエレクトロニクス技術と同様であり、信頼性およ
び再現性について同様の利点の開発を提供し、加速度セ
ンサと信号処理および制御回路は1つのチップ上にモノ
リシック的に集積され、現在使用されているアナログ/
ディジタル組み立てプロセスと比較して、その方法は
(空隙を定義し、溝を形成するための)2つの付加的な
マスクを必要とするだけである。
代層を除去することによって形成される構造と異なり、
溝の形成に引き続く乾燥ステップにおいて基板を破損す
るおそれはすくない。センサの組み立ては、プレナーマ
イクロエレクトロニクス技術と同様であり、信頼性およ
び再現性について同様の利点の開発を提供し、加速度セ
ンサと信号処理および制御回路は1つのチップ上にモノ
リシック的に集積され、現在使用されているアナログ/
ディジタル組み立てプロセスと比較して、その方法は
(空隙を定義し、溝を形成するための)2つの付加的な
マスクを必要とするだけである。
【0023】明らかに、しかしながら、本発明の範囲を
逸脱することなく、記述され、描かれたセンサおよび組
み立て方法を変更し得る。特に、同じチップ上に集積さ
れる電子回路は、バイポーラおよびMOSのいずれであ
ってもよく、各領域の導電性は図示したもの以外であっ
てもよい。
逸脱することなく、記述され、描かれたセンサおよび組
み立て方法を変更し得る。特に、同じチップ上に集積さ
れる電子回路は、バイポーラおよびMOSのいずれであ
ってもよく、各領域の導電性は図示したもの以外であっ
てもよい。
【図1】本発明に係る組立方法の第1ステップにおける
半導体ウエハーの断面図である。
半導体ウエハーの断面図である。
【図2】本発明に係る組立方法の第2ステップにおける
半導体ウエハーの断面図である。
半導体ウエハーの断面図である。
【図3】本発明に係る組立方法の第3ステップにおける
半導体ウエハーの断面図である。
半導体ウエハーの断面図である。
【図4】本発明に係る組立方法の第4ステップにおける
半導体ウエハーの断面図である。
半導体ウエハーの断面図である。
【図5】本発明に係る組立方法の第5ステップにおける
半導体ウエハーの断面図である。
半導体ウエハーの断面図である。
【図6】本発明に係るセンサを組み込んだウエハーの斜
視図である。
視図である。
【図7】本発明に係るセンサの拡大部分上面図である。
【図8】図7の拡大詳細図である。
1…第1のウエハー 2…絶縁材料層 3…空隙 4…第2のウエハー 4’…外壁 15…ウエル 20a、20b、20c、20d…溝 23…可動構造 24…可動質量 25…横断アーム 28a、28b…可動電極 29a、29b…固定電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ベネデット ビグナ イタリア国,85100 ポテンザ,ビア ア ンジオ 20 (72)発明者 フラビオ ビーラ イタリア国,20159 ミラノ,ビア ピ. ランベルテンギ 23
Claims (16)
- 【請求項1】 対応する固定電極(29a、29b)と
対向する可動電極(28a、28b)を有する半導体可
動質量(50)を有する集積型容量加速度センサであっ
て、 前記半導体可動質量(50)が、前記可動質量並びに前
記可動及び固定端子を形成する単結晶センサ領域(1
5)を具備することを特徴とする集積型容量加速度セン
サ。 - 【請求項2】 前記半導体可動質量が、単結晶シリコン
の第1のウエハー(1)、前記第1のウエハーを覆う絶
縁材料層(2)及び前記絶縁材料層(2)を覆う単結晶
シリコンの第2のウエハー(4)から構成され、前記絶
縁材料層(2)が前記第1及び第2のウエハー(1、
4)並びに前記絶縁材料層(2)によって定義される空
隙(3)で切り離されている、専用SOI基板を具備し
ている請求項1に記載の集積型容量加速度センサ。 - 【請求項3】 前記第2のウエハーが第1の導電性を有
し、前記センサ領域(15)が、第2の導電性を有し、
前記第2のウエハーの上面(6)と前記空隙(3)との
間で前記第2のウエハー中に伸び、前記第2のウエハー
の外壁(4’)によって垂直に境界が設定されたウエル
(15)を具備する請求項2に記載の集積型容量加速度
センサ。 - 【請求項4】 複数の絶縁並びに開放溝(20a、20
b、20c、20d)が前記ウエルを通って前記上面
(6)から前記空隙(3)に伸びる請求項3に記載の集
積型容量加速度センサ。 - 【請求項5】 前記絶縁溝(20a、20b)が、前記
第2のウエハー(4)の前記外壁(4’)中に形成され
る端を有する請求項4に記載の集積型容量加速度セン
サ。 - 【請求項6】 前記可動質量(24)が、垂直に前記絶
縁並びに開放溝(20a、20b、20c、20d)に
よって隔てられており、端側面(27)でモノリシック
的に接続された弾性のあるアーム(25)によって前記
ウエル(15)に固定されている請求項4又は5に記載
の集積型容量加速度センサ。 - 【請求項7】 固定及び可動電極(28a、28b、2
9a、29b)が櫛型に配置された半導体材料壁を具備
し、無負荷時、各可動電極(28a、28b)が前記可
動電極(28a、28b)に対向する2つの固定電極
(29a、29b)から2つの異なる距離(d1、d
2)に位置する請求項1から6のいずれか1項に記載の
集積型容量加速度センサ。 - 【請求項8】 前記可動質量(24)が梁形状であり、
前記可動電極を形成し、前記固定電極を形成する複数の
固定半導体材料の壁と櫛型に配置される第1(28a)
及び第2(28b)の複数の可動半導体材料の壁をそれ
ぞれ含む第1及び第2の側面を有し、前記第1の複数の
壁中の一方の可動壁(28a)が第1の方向(A)で前
記一方の可動壁(28a)に対向する固定壁(29a)
から第1の距離(d1)を、第1の方向と逆向きの第2
の方向で前記一方の可動壁(28a)に対向する固定壁
(29a)から第2の距離(d2)を有しており、前記
第2の複数の壁中の他の一方の可動壁(28b)が第1
の方向(A)で前記他の一方の可動壁(28b)に対向
する固定壁(29b)から第2の距離(d2)を、第1
の方向と逆向きの第2の方向で前記他の一方の可動壁
(28b)に対向する固定壁(29b)から第1の距離
(d1)を有している請求項1から6のいずれか1項に
記載の集積型容量加速度センサ。 - 【請求項9】 前記複数の固定壁の一方(29a)が第
1の電圧(V- )でバイアスされ、前記第1及び第2の
可動電極(28a、28b)が第1の電圧より高い第2
の電圧(V)でバイアスされ、前記複数の固定壁の他の
一方(29b)が第2の電圧より高い第3の電圧
(V+ )でバイアスされる請求項8に記載の集積型容量
加速度センサ。 - 【請求項10】 前記半導体材料がシリコンである請求
項1から9のいずれか1項に記載の集積型容量加速度セ
ンサ。 - 【請求項11】 対応する固定端子(29a、29b)
にそれぞれ対向する可動端子(28a、28b)を有す
る可動質量(24)を定義する半導体材料体を形成する
段階を有する集積型容量加速度センサの組み立て方法で
あって、単結晶センサ領域(15)を形成するステップ
と、前記可動質量、前記可動電極および前記固定電極を
定義するために前記センサ領域中に溝(20)を形成す
るステップと、を特徴とする集積型容量加速度センサの
組み立て方法。 - 【請求項12】 前記センサ領域を形成するステップ
が、 単結晶半導体材料の第1のウエハー上に絶縁材料層
(2)を形成するステップと、 前記第1のウエハーおよび前記絶縁材料層(2)と共に
空隙を定義するように前記絶縁材料層(2)上に単結晶
半導体材料の第2のウエハーをボンディングするステッ
プとを含む請求項11に記載の集積型容量加速度センサ
の組み立て方法。 - 【請求項13】 前記第2のウエハーが第1の導電性を
有し、前記センサ領域を形成するステップが、 前記第2のウエハー中に第2の導電性のウエルを形成す
るステップと、 前記ウエルを前記第2のウエハーの上面から前記空隙ま
で伸長するステップと、 前記第2のウエハーの外壁で垂直に分離されるステップ
と、からなる請求項12に記載の集積型容量加速度セン
サの組み立て方法。 - 【請求項14】 前記ウエルを形成するステップが、前
記第2のウエハー(4)の表面から前記空隙に伸長する
複数の絶縁及び開放溝(20)を形成するために前記ウ
エルの部分を選択的に除去するステップによって引き続
かれる請求項13に記載の集積型容量加速度センサの組
み立て方法。 - 【請求項15】 前記溝(20a、20b)が前記第2
のウエハー(4)の前記外壁(4’)中に形成された端
面を有し、前記可動質量が端側面(27)においてモノ
リシック的に接続された弾性アーム(25)によって前
記ウエル(15)に固定される請求項14に記載の集積
型容量加速度センサの組み立て方法。 - 【請求項16】 前記半導体材料がシリコンである請求
項11から15のいずれか1項に記載の集積型容量加速
度センサの組み立て方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
IT96830438:6 | 1996-07-31 | ||
EP96830438A EP0822415B1 (en) | 1996-07-31 | 1996-07-31 | Semiconductor integrated capacitive acceleration sensor and relative fabrication method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10142254A true JPH10142254A (ja) | 1998-05-29 |
Family
ID=8225989
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9205088A Pending JPH10142254A (ja) | 1996-07-31 | 1997-07-30 | 半導体集積型容量加速度センサおよびその製法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6104073A (ja) |
EP (1) | EP0822415B1 (ja) |
JP (1) | JPH10142254A (ja) |
CN (1) | CN1126173C (ja) |
DE (1) | DE69626972T2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010214584A (ja) * | 2009-03-16 | 2010-09-30 | Kavlico Corp | 共組み込み型memsセンサおよびその方法 |
CN111198282A (zh) * | 2018-11-16 | 2020-05-26 | 西门子工业软件公司 | 用于校准扬声器的集成体积加速度传感器的方法和系统 |
Families Citing this family (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19990072936A (ko) * | 1998-02-27 | 1999-09-27 | 가나이 쓰도무 | 아이솔레이터및그것을사용하는모뎀장치 |
KR100703140B1 (ko) | 1998-04-08 | 2007-04-05 | 이리다임 디스플레이 코포레이션 | 간섭 변조기 및 그 제조 방법 |
US8928967B2 (en) * | 1998-04-08 | 2015-01-06 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for modulating light |
US7335965B2 (en) * | 1999-08-25 | 2008-02-26 | Micron Technology, Inc. | Packaging of electronic chips with air-bridge structures |
US6677209B2 (en) * | 2000-02-14 | 2004-01-13 | Micron Technology, Inc. | Low dielectric constant STI with SOI devices |
DE10007868B4 (de) * | 2000-02-21 | 2010-02-18 | Robert Bosch Gmbh | Elektronische Steuerschaltung |
US6890847B1 (en) * | 2000-02-22 | 2005-05-10 | Micron Technology, Inc. | Polynorbornene foam insulation for integrated circuits |
JP3606164B2 (ja) * | 2000-06-02 | 2005-01-05 | 株式会社村田製作所 | 静電容量型外力検出装置 |
US6792804B2 (en) | 2001-10-19 | 2004-09-21 | Kionix, Inc. | Sensor for measuring out-of-plane acceleration |
KR100477103B1 (ko) | 2001-12-19 | 2005-03-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 금속유도화 측면결정화방법을 이용한 멀티플 게이트 박막트랜지스터 및 그의 제조방법 |
ATE352517T1 (de) * | 2003-02-11 | 2007-02-15 | Koninkl Philips Electronics Nv | Verfahren zur herstellung einer elektronischen vorrichtung und elektronische vorrichtung |
AU2003901914A0 (en) * | 2003-04-22 | 2003-05-08 | Quantum Precision Instruments Pty Ltd | Quantum tunnelling transducer device |
JP4367165B2 (ja) * | 2004-02-13 | 2009-11-18 | 株式会社デンソー | 半導体力学量センサの検査方法 |
US7038150B1 (en) * | 2004-07-06 | 2006-05-02 | Sandia Corporation | Micro environmental sensing device |
CN1332205C (zh) * | 2004-07-19 | 2007-08-15 | 西北工业大学 | 单质量平板三轴微机械加速度计 |
ATE492510T1 (de) | 2005-01-31 | 2011-01-15 | Freescale Semiconductor Inc | Verfahren zur herstellung einer soi-struktur |
FI121539B (fi) | 2005-06-03 | 2010-12-31 | Valtion Teknillinen | Menetelmä mikromekaanisten komponenttien valmistamiseksi sekä tällaisella menetelmällä valmistettu piimikromekaaninen rakenne ja sen käyttö |
JP2007178420A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-07-12 | Denso Corp | 容量式物理量センサおよびその診断方法 |
US7916980B2 (en) * | 2006-01-13 | 2011-03-29 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interconnect structure for MEMS device |
JP4787648B2 (ja) * | 2006-03-29 | 2011-10-05 | パナソニック株式会社 | コンデンサマイクロホンの製造方法およびコンデンサマイクロホン |
US7412892B1 (en) | 2007-06-06 | 2008-08-19 | Measurement Specialties, Inc. | Method of making pressure transducer and apparatus |
KR100937599B1 (ko) * | 2007-12-17 | 2010-01-20 | 한국전자통신연구원 | 반도체 장치 및 그 형성 방법 |
US8266962B2 (en) | 2009-01-28 | 2012-09-18 | Infineon Technologies Ag | Acceleration sensor |
US20100248424A1 (en) * | 2009-03-27 | 2010-09-30 | Intellectual Business Machines Corporation | Self-Aligned Chip Stacking |
CN101861051B (zh) * | 2009-04-13 | 2012-05-16 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 软性电路板 |
US8569092B2 (en) * | 2009-12-28 | 2013-10-29 | General Electric Company | Method for fabricating a microelectromechanical sensor with a piezoresistive type readout |
CN102130063B (zh) * | 2010-01-13 | 2014-03-12 | 中国科学院微电子研究所 | 半导体器件及其制作方法 |
US8530985B2 (en) * | 2010-03-18 | 2013-09-10 | Chia-Ming Cheng | Chip package and method for forming the same |
JP5974425B2 (ja) * | 2010-05-20 | 2016-08-23 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法並びに電子機器 |
US8975106B2 (en) * | 2010-07-09 | 2015-03-10 | Chien-Hung Liu | Chip package and method for forming the same |
FR2964789A1 (fr) * | 2010-09-10 | 2012-03-16 | Commissariat Energie Atomique | Circuit intégré comportant un dispositif a élément mobile vertical intégré dans un substrat de support et procédé de réalisation du dispositif a élément mobile |
DE102010062056B4 (de) * | 2010-11-26 | 2018-09-27 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanisches Bauteil |
CN102156203B (zh) * | 2011-03-15 | 2013-07-24 | 迈尔森电子(天津)有限公司 | Mems惯性传感器及其形成方法 |
DE112012005609T5 (de) * | 2012-04-30 | 2014-09-25 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Steuersignal basierend auf einem durch einen Benutzer geklopften Befehl |
WO2013165346A1 (en) * | 2012-04-30 | 2013-11-07 | Hewlett-Packard Development Company | Notification based on an event identified from vibration data |
US9010200B2 (en) | 2012-08-06 | 2015-04-21 | Amphenol Thermometrics, Inc. | Device for measuring forces and method of making the same |
DE102012217133A1 (de) * | 2012-09-24 | 2014-03-27 | Robert Bosch Gmbh | Mikroelektronisches Bauelement und entsprechendes Herstellungsverfahren |
CN104118845B (zh) * | 2014-07-17 | 2016-02-03 | 华中科技大学 | 一种在soi硅片上制备微机械悬空结构的方法 |
CN108020687B (zh) * | 2018-02-06 | 2024-03-19 | 深迪半导体(绍兴)有限公司 | 一种mems加速度计 |
CN109490575B (zh) * | 2018-11-01 | 2020-10-16 | 杭州电子科技大学 | 一种低阻尼电容式加速度传感器及其制备方法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2580389B2 (fr) * | 1985-04-16 | 1989-03-03 | Sfena | Accelerometre micro-usine a rappel electrostatique |
DE3727142C2 (de) * | 1987-08-14 | 1994-02-24 | Kernforschungsz Karlsruhe | Verfahren zur Herstellung von Mikrosensoren mit integrierter Signalverarbeitung |
US5473945A (en) * | 1990-02-14 | 1995-12-12 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Micromechanical angular accelerometer with auxiliary linear accelerometer |
US5677560A (en) * | 1990-05-29 | 1997-10-14 | Fraunhofer Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. | Micromechanical component and process for the fabrication thereof |
US5620931A (en) * | 1990-08-17 | 1997-04-15 | Analog Devices, Inc. | Methods for fabricating monolithic device containing circuitry and suspended microstructure |
DE69113632T2 (de) | 1990-08-17 | 1996-03-21 | Analog Devices Inc | Monolithischer beschleunigungsmesser. |
US5408112A (en) * | 1991-06-03 | 1995-04-18 | Nippondenso Co., Ltd. | Semiconductor strain sensor having improved resistance to bonding strain effects |
JPH05102494A (ja) * | 1991-06-14 | 1993-04-23 | Miyazaki Oki Electric Co Ltd | シリコンダイアフラム圧力センサの製造方法 |
US5349855A (en) * | 1992-04-07 | 1994-09-27 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Comb drive micromechanical tuning fork gyro |
JP3367113B2 (ja) * | 1992-04-27 | 2003-01-14 | 株式会社デンソー | 加速度センサ |
FR2700012B1 (fr) * | 1992-12-28 | 1995-03-03 | Commissariat Energie Atomique | Accéléromètre intégré à axe sensible parallèle au substrat. |
DE4309206C1 (de) * | 1993-03-22 | 1994-09-15 | Texas Instruments Deutschland | Halbleitervorrichtung mit einem Kraft- und/oder Beschleunigungssensor |
US5610335A (en) * | 1993-05-26 | 1997-03-11 | Cornell Research Foundation | Microelectromechanical lateral accelerometer |
US5616514A (en) * | 1993-06-03 | 1997-04-01 | Robert Bosch Gmbh | Method of fabricating a micromechanical sensor |
US5770883A (en) * | 1995-09-19 | 1998-06-23 | Nippondenso Co., Ltd. | Semiconductor sensor with a built-in amplification circuit |
US5747353A (en) * | 1996-04-16 | 1998-05-05 | National Semiconductor Corporation | Method of making surface micro-machined accelerometer using silicon-on-insulator technology |
-
1996
- 1996-07-31 DE DE69626972T patent/DE69626972T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-07-31 EP EP96830438A patent/EP0822415B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-07-30 US US08/903,511 patent/US6104073A/en not_active Expired - Lifetime
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1999
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2010214584A (ja) * | 2009-03-16 | 2010-09-30 | Kavlico Corp | 共組み込み型memsセンサおよびその方法 |
JP2013056415A (ja) * | 2009-03-16 | 2013-03-28 | Kavlico Corp | 共組み込み型memsセンサおよびその方法 |
JP2014014927A (ja) * | 2009-03-16 | 2014-01-30 | Kavlico Corp | 共組み込み型memsセンサおよびその方法 |
CN111198282A (zh) * | 2018-11-16 | 2020-05-26 | 西门子工业软件公司 | 用于校准扬声器的集成体积加速度传感器的方法和系统 |
CN111198282B (zh) * | 2018-11-16 | 2022-05-27 | 西门子工业软件公司 | 用于校准扬声器的集成体积加速度传感器的方法和系统 |
Also Published As
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