JP2000004028A - 半導体力学量センサの製造方法及び半導体圧力センサの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 低コストで寸法制御精度の良好な半導体力学
量センサの製造方法及び半導体圧力センサの製造方法を
提供する。 【解決手段】 ｐ形シリコンから成る支持基板３上の表
面において、梁構造体４のアンカー部４ａ並びに固定電
極１０及び１２を形成する部分に選択的にｎ形層１６を
形成してから、陽極化成を施すことによりポーラスシリ
コン層３ａを形成する。そして、ポーラスシリコン層３
ａ上に対してＬＴＳｉＮ膜１７でパターニングしてシリ
コン層１８を形成してから、梁構造体４並びに固定電極
１０及び１２の形状にエッチングを施し、ＬＴＳｉＮ膜
１７をマスクとして、ポーラスシリコン層３ａを酸化さ
せた酸化層３ｂを犠牲層としてエッチングすることで梁
構造体４並びに固定電極１０及び１２を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、支持基板上に支持
されたセンシング用構造体と支持基板上に固定された固
定電極とによって、センシング用構造体に印加される力
学量を検出する半導体力学量センサの製造方法、及び支
持基板上に形成されているダイヤフラムの裏面内部に減
圧された圧力基準室を備えて、ダイヤフラムに作用する
圧力を検出するようにした半導体圧力センサの製造方法
に関する。

【０００２】

【従来技術】この様な半導体力学量センサを製造する従
来技術として、マイクロマシニング技術を適用して加速
度センサを製造するものが特開平６−３４９８０６号公
報に開示されている。この従来技術では、ＳＯＩ基板を
用いて、単結晶シリコンからなる上層に酸化膜まで達す
る溝を形成して、この溝部分から酸化膜をエッチングす
ることで構造体を形成するものである。

【０００３】また、半導体圧力センサを製造する従来技
術として、特開平７−１７６７７０号公報に開示されて
いるものがある。これは、シリコン基板を３層接合させ
るものであり、その中間層となるシリコン基板をポーラ
ス（多孔質）シリコンとすることでメンブレン構造体を
形成するものである。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】特開平６−３４９８０
６号公報においてＳＯＩ基板を形成する方法としては、 シリコン基板に例えばＯ_２などの異種原子を埋め込
み、高温で熱処理して絶縁層（ＳｉＯ_２）を形成する。 単結晶シリコン同士を絶縁膜を介してボンディングプ
ロセスにより接合する。が開示されている。

【０００５】しかしながら、の方法では、異種原子を
埋め込むためには高価な専用設備を必要とする。また、
埋め込みは現実的にはイオン注入で行うしかないため、
埋め込み層は単結晶シリコン基板の表面から１μｍ以下
にしか形成することができない。従って、たわみ舌片の
厚みも１μｍ以下にならざるを得ず、加速度センサのよ
うにセンシング部の重さがある程度必要なものには適用
することができない。

【０００６】また、の方法では、シリコン基板が２枚
必要であり、張り合わせ加工を行うためコストアップし
てしまう。加えて、何れの場合も酸化膜で単結晶シリコ
ン梁を支持する構造であり、その酸化膜の寸法制御が困
難であるという問題がある。一方、特開平７−１７６７
７０号公報の技術では、シリコン基板を２回接合する必
要があるため、やはりコストアップしてしまうという問
題がある。

【０００７】本発明は上記事情に鑑みてなされたもので
あり、その目的は、低コストで且つ寸法制御精度の良好
な半導体力学量センサの製造方法及び半導体圧力センサ
の製造方法を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】請求項１または２記載の
半導体力学量センサの製造方法によれば、支持基板上の
表面に形成されているｐ形またはｎ形半導体層中におい
て、半導体力学量センサを構成するセンシング用構造体
の支持部及び固定電極を形成する部分にｎ形半導体層を
選択的に形成し、またはセンシング用構造体の非支持部
を形成する部分にｐ形半導体層を選択的に形成してから
支持基板上の表面部分に陽極化成を施すことにより多孔
質シリコン層を形成し、その多孔質シリコン層の上に所
定のパターニングを施した後シリコン層を形成して、セ
ンシング用構造体及び固定電極の形状にエッチングを施
す。そして、多孔質シリコン層を犠牲層としてエッチン
グすることにより、センシング用構造体及び固定電極を
形成する。

【０００９】ｐ形半導体層は陽極化成により多孔質化
（ポーラス化）し易く、逆に、ｎ形半導体層は多孔質化
し難い傾向にあり、多孔質化した半導体層は構造的にエ
ッチングされ易くなる。故に、ｐ形半導体層中において
エッチング除去の対象とならないセンシング用構造体の
支持部や固定電極を形成する部分には選択的にｎ形半導
体層を形成し、または、ｎ形半導体層中においてエッチ
ング除去の対象となるセンシング用構造体の非支持部な
どには選択的にｎ形半導体層を形成して陽極化成を施す
ことで、半導体力学量センサのセンシング構造体及び固
定電極を所期の形状に形成することが可能となる。

【００１０】従って、従来とは異なり、２枚のシリコン
基板を張り合わせる必要がない。また、異種原子を埋め
込むための特殊で且つ高価な製造設備を必要とすること
なく半導体力学量センサを製造することができる。そし
て、多孔質シリコン層の上にシリコン層を形成すること
で、センシングを行うためのセンシング用構造体及び固
定電極を安定で工業的に使用実績のある単結晶シリコン
で構成することができる。加えて、センシング用構造体
及び固定電極の厚さ寸法を任意の値に設計することが可
能となる。

【００１１】請求項３記載の半導体圧力センサの製造方
法によれば、支持基板上の表面に形成されているｎ形半
導体層中における圧力基準室を形成する部分に選択的に
ｐ形半導体層を形成し、支持基板上の表面部分に陽極化
成を施すことにより多孔質シリコン層を形成する。そし
て、多孔質シリコン層の上にシリコン層を形成してか
ら、当該シリコン層に前記多孔質シリコン層に達する溝
を形成し、その溝を介して多孔質シリコン層を犠牲層と
してエッチングすることで圧力基準室を形成する。従っ
て、従来とは異なり、シリコン基板を２回接合する必要
はなく、１枚の支持基板で半導体圧力センサを簡単に製
造することができる。

【００１２】

【発明の実施の形態】（第１実施例）以下、本発明を加
速度センサに適用した場合の第１実施例について図１乃
至図５を参照して説明する。図３は、容量式の半導体加
速度センサ（半導体力学量センサ）１の平面図である。
図３において、素子形成用薄膜２は、単結晶シリコンよ
りなる矩形状の支持基板（外形のみ符号３を付して示
す）の上面全体に絶縁分離膜（図示せず）を介して形成
されたものであり、例えばｎ形単結晶シリコンよりな
る。この素子形成用薄膜２には、分離用のトレンチ加工
などを施すことにより、夫々ｎ形単結晶シリコンよりな
る以下のような各構造体が形成されている。

【００１３】即ち、梁構造体（センシング用構造体）４
は、支持基板３上（実際には絶縁分離膜上）に２か所の
アンカー部（支持部）４ａ，４ｂを介して支持されてお
り、以て支持基板３との間に所定ギャップを存するよう
に設けられている。尚、上記アンカー部４ａ，４ｂは、
梁構造体４と一体に構成されている。

【００１４】この梁構造体４は、矩形状のマス部５の両
端を、夫々矩形枠状をなす梁部６及び７を介して前記ア
ンカー部４ａ及び４ｂに支持した形態となっており、マ
ス部５の両側面からは、例えば２個ずつの可動電極８ａ
及び８ｂが当該マス部５と直交した方向へ一体的に突出
形成されている。尚、これら可動電極８ａ及び８ｂは、
断面矩形の棒状に形成されている。

【００１５】２個ずつの第１の固定電極９及び１０は、
支持基板３上に夫々可動電極８ａ及び８ｂの一方の側面
と所定間隔を存して平行した状態で固定されている。ま
た、同じく２個ずつの第２の固定電極１１及び１２は、
支持基板３上に夫々可動電極８ａ及び８ｂの他方の側面
と所定間隔を存して平行した状態で固定されている。
尚、これらの第１の固定電極９，１０及び第２の固定電
極１２，１３は、断面矩形の棒状に形成されている。

【００１６】第１の固定電極９及び１０に電気的に接続
される第１の配線パターン１３は、第１の固定電極９の
端部に連結された分岐配線パターン１３ａ及び第１の固
定電極１０の端部に連結された分岐配線パターン１３ｂ
と、支持基板３の縁部に配置された矩形状端子部１３ｃ
とを有する。尚、この端子部１３ｃ上には、ボンディン
グパッド１３ｄが形成されている。

【００１７】第２の固定電極１１及び１２に電気的に接
続される第２の配線パターン１４は、第２の固定電極１
１の端部に連結された分岐配線パターン１４ａ及び第２
の固定電極１２の端部に連結された分岐配線パターン１
４ｂと、支持基板３の縁部に配置された矩形状端子部１
４ｃとを有する。尚、この端子部１４ｃ上には、ボンデ
ィングパッド１４ｄが形成されている。

【００１８】可動固定電極８ａ及び８ｂに電気的に接続
される第３の配線パターン１５は、一端が前記アンカー
部４ｂに一体に連結され、他端側には、支持基板３の縁
部に配置された矩形状端子部１５ｂを有する。尚、この
端子部１５ｂ上には、ボンディングパッド１５ｃが形成
されている。

【００１９】この場合、第２の配線パターン１４及び第
３の配線パターン１５は、２箇所で交差している。具体
的には、一方の交差箇所を示す図４のように、第３の配
線パターン１５は、第２の配線パターン１４との交差部
分を下部配線パターン１５ｄによって繋いだ形状となっ
ており、第２の配線パターン１４側には、下部配線パタ
ーン１５ｄを跨いだ形状のブリッジ部１４ｅが形成され
ている。

【００２０】また、第１の配線パターン１３は、分岐配
線パターン１３ａにおける第１の固定電極９との連結部
分を下部配線パターン１３ｅにより構成すると共に、分
岐配線パターン１３ｂにおける第１の固定電極１０との
連結部分を下部配線パターン１３ｆにより構成してい
る。特に、一方の下部配線パターン１３ｆは、第２の固
定電極１２と交差するように配置されている。具体的に
は、図５に示すように、第２の固定電極１２側には、下
部配線パターン１３ｆを跨いだ形状のブリッジ部１２ｅ
が形成されている。

【００２１】更に、第２の配線パターン１４は、分岐配
線パターン１４ａにおける第２の固定電極１１との連結
部分を下部配線パターン１４ｆにより構成すると共に、
分岐配線パターン１４ｂにおける第２の固定電極１２と
の連結部分を下部配線パターン１４ｇにより構成してい
る。特に、一方の下部配線パターン１４ｆは、第１の固
定電極９と交差するように配置されている。この場合、
具体的には図示しないが、第１の固定電極９側には、下
部配線パターン１４ｆを跨いだ形状のブリッジ部１２ｅ
が前記第２の固定電極１２におけるブリッジ部１２ｅ
（図５参照）と同様に形成されている。

【００２２】例えば、梁部６及び固定電極９乃至１２の
幅寸法は、４μ〜１０μｍ程度、可動電極８ｂ，８ｂと
固定電極９乃至１２との間隔は、０．５μ〜３μｍ程
度、可動電極８ｂ，８ｂの長さ寸法は５０μ〜５００μ
ｍ程度に設定される。

【００２３】以上のように構成された半導体加速度セン
サ１においては、梁構造体４に作用する加速度を、可動
電極８ａ及び８ｂ，第１の固定電極９及び１０，第２の
固定電極１１及び１２により構成されたトランスデュー
サによって電気信号に変換できるようになる。具体的に
は、可動電極８ａ及び８ｂと第１の固定電極９及び１０
との間に第１のコンデンサが形成される。また、可動電
極８ａ及び８ｂと第２の固定電極１１及び１２との間に
第２のコンデンサが形成される。

【００２４】これら第１及び第２のコンデンサの各静電
容量は、梁構造体４に加速度が作用した時に、可動電極
８ａ及び８ｂと第１の固定電極９及び１０並びに第２の
固定電極１１及び１２との各間の距離が変化するのに応
じて差動的に変化するものであり、斯様な静電容量の変
化を、ボンディングパッド１３ｄ，１４ｄ及び１５ｃを
通じて電気的な信号として取り出すことにより、加速度
を検出することができる。

【００２５】図１及び図２は、上記の半導体加速度セン
サ１の製造工程例を示すものであり、以下これについて
説明する。尚、図１及び図２は、半導体加速度センサ１
の破線Ａで示す部分的な断面構造を模式的に示したもの
である。

【００２６】先ず、ｐ形のシリコンから成る支持基板
（ｐ形半導体層）３を用意し、梁構造体４のアンカー部
４ａ，固定電極１０及び１２を形成する部分に例えば砒
素（Ａｓ）をイオン注入して、ｎ形層（ｎ形半導体層）
１６を形成する（図１（ａ）参照）。次に、支持基板３
に対して陽極化成処理を施す。陽極化成は、具体的には
図示しないが、フッ酸系溶液を満たした溶液槽中に配置
された一対の電極間に、表面側以外の部分をマスクした
支持基板３を浸漬させた状態で前記電極間に所定時間通
電することにより行う。通電電流密度は、例えば数１０
０ｍＡ／ｃｍ^２程度とする。

【００２７】陽極化成を行うことによって、支持基板３
の表面部分にあるシリコンがポーラス（多孔質）化して
ポーラスシリコン層（多孔質シリコン層）３ａが形成さ
れる（図１（ｂ）参照）。この場合、ｎ形層１６は、ｐ
形シリコンに比較してポーラス化し難い傾向を有してい
るため、殆どポーラス化されない状態となっている。次
に、ポーラスシリコン層３ａ及びｎ形層１６の全面に例
えば減圧ＣＶＤ法などによりＬＴ（Low Temperature:低
温）ＳｉＮ膜１７を形成してから、フォトレジストＲに
よりパターニングしてアンカー部４ａ，固定電極１０及
び１２を形成する部分を開口する（図１（ｃ）参照）。

【００２８】それから、エピタキシャル成長装置中にお
いてシリコン層１８を１０μｍ程度堆積させる（図２
（ｄ）参照）。この時、ポーラスシリコン層３ａ上にお
いて成長するシリコン層１８は、ポーラスシリコン層３
ａが単結晶の結晶性を維持しているため単結晶シリコン
層１８ａとして形成され、ＬＴＳｉＮ膜１７上において
成長するシリコン層１８は多結晶シリコン層１８ｂとし
て形成される。

【００２９】次に、垂直エッチングにより主に多結晶シ
リコン層１８ｂ部分を除去して、単結晶シリコン層１８
ａ部分をアンカー部４ａ，固定電極１０及び１２の形状
に形成してから（図２（ｅ）参照）、低温酸化雰囲気中
に晒してポーラスシリコン層３ａを酸化させ酸化層（Ｓ
ｉＯ_２）３ｂを形成する（図２（ｆ）参照）。

【００３０】そして、酸化層３ｂを犠牲層としてＨＦ蒸
気中でエッチングすると、ＬＴＳｉＮ膜１７でマスクさ
れている部分以外の酸化層３ｂがエッチングされる。ま
た、ポーラス化されていないｎ形層１６部分は殆どエッ
チングされない。その結果、梁部６及び可動電極８ｂの
下方に存在した酸化層３ｂが除去されて、図３乃至図５
に示す半導体加速度センサ１が形成される（図２（ｇ）
参照）。

【００３１】以上のように本実施例によれば、ｐ形シリ
コンから成る支持基板３の表面において、梁構造体４の
アンカー部４ａ並びに固定電極１０及び１２を形成する
部分に選択的にｎ形層１６を形成してから、陽極化成を
施すことによりポーラスシリコン層３ａを形成する。そ
して、ポーラスシリコン層３ａ上に対してＬＴＳｉＮ膜
１７でパターニングしてシリコン層１８を形成してか
ら、梁構造体４並びに固定電極１０及び１２の形状にエ
ッチングを施し、ＬＴＳｉＮ膜１７をマスクとして、ポ
ーラスシリコン層３ａを酸化させた酸化層３ｂを犠牲層
としてエッチングすることで梁構造体４並びに固定電極
１０及び１２を形成するようにした。

【００３２】従って、従来とは異なり、２枚のシリコン
基板を張り合わせ加工する必要はない。また、Ｏ_２など
の異種原子を埋め込むための特殊で且つ高価な製造設備
を要することなしに１枚の支持基板３で加速度センサ１
を製造することができる。そして、ポーラスシリコン層
３ａの上にシリコン層１８を形成することで、センシン
グを行うための梁構造体４及び固定電極１０及び１２を
安定で工業的に使用実績のある単結晶シリコン層１８ａ
で構成することができる。加えて、梁構造体４及び固定
電極１０等の厚さ寸法を任意の値に設計することが可能
となる。

【００３３】（第２実施例）図６及び図７は本発明を半
導体圧力センサに適用した場合の第２実施例を示すもの
であり、半導体圧力センサ１９の模式的な断面によりそ
の製造工程を示す図である。最終的な完成状態を示す図
６（ｈ）において、ｐ形シリコンから成る支持基板２０
内部の表面側近くには、圧力基準室（キャビティ）２１
が外部と隔絶された状態に形成されており、その内部は
略真空と成るようにガスが排気されている。圧力基準室
２１の容積は、例えば、０．００１〜０．１μｍｍ^３程
度に設定される。

【００３４】圧力基準室２１の上面は、ダイヤフラム２
２として設けられている。このダイヤフラム２２は、外
部の圧力に応じて変位する程度の厚さ寸法（例えば、２
〜１０μｍ）に設定されており、ダイヤフラム２２には
ピエゾ抵抗効果を有する４つの抵抗体２３（図５におい
ては２つの図示）が形成されている。支持基板１９の全
面には、４つの抵抗体（ゲージ）２３をブリッジ接続す
ると共に、外部回路と必要な接続を行うためのアルミニ
ュウム電極パターン２４が形成されている。これによ
り、抵抗体２３のブリッジ回路に外部から電圧が印加さ
れると共に、検出出力が外部に導出できるようになって
いる。

【００３５】そして、圧力センサ１９を圧力測定の環境
下に晒すと、ダイヤフラム２２が外部から受ける圧力で
圧力基準室２１内の圧力との差により生ずる応力で変位
するので、抵抗体２３はピエゾ抵抗効果でその抵抗値が
変化するようになる。この抵抗値の変化を検出出力とし
て圧力に応じた電圧信号を得ることができるようになっ
ている。

【００３６】以下、圧力センサ１９の製造工程を図順に
従って説明する。先ず、支持基板２０の上に、ｎ形シリ
コン層（ｎ形半導体層）２５をエピタキシャル成長させ
る（図５（ａ）参照）。次に、後にダイヤフラム２２を
形成する部分に選択的にボロンをイオン注入してｐ形層
（ｐ形半導体層）２６を形成する（図５（ｂ）参照）。
そして、ＬＴＳｉＮ膜２７をパターニングしてｐ形層２
６以外を保護してから陽極化成を行う（図５（ｃ）参
照）。すると、ｐ形層２６はポーラス化してポーラスシ
リコン層（多孔質シリコン層）２６ａとなる。

【００３７】次に、ＬＴＳｉＮ膜２７を除去してから、
支持基板２０の全面に再びｎ形シリコン層２８をエピタ
キシャル成長させて、抵抗体２３をフォトリソグラフィ
により作成する（図５（ｄ）参照）。ここでのｎ形シリ
コン層２８の厚さ寸法はダイヤフラム２２の厚さ寸法と
なるので、圧力センサ１９の使用圧力レンジに応じて決
定する。尚、ダイヤフラム２２部分以外のｎ形シリコン
層２８の厚さ寸法は、周辺部にその他の回路などを形成
するような集積化センサを構成する場合には、そのため
に必要となる厚みをｎ形シリコン層２５と２７との厚さ
寸法の和によって得るように設定する。

【００３８】次に、ｎ形シリコン層２８の一部（抵抗体
２３の両側）を加工して、下層のポーラスシリコン層２
６ａに達するように溝２９を形成してから、酸化雰囲気
中においてポーラスシリコン層２６ａを酸化させ、酸化
層（ＳｉＯ_２）２６ｂを形成する（図６（ｅ）参照）。

【００３９】それから、酸化層２６ｂを犠牲層として、
溝２９を介してＨＦ蒸気中においてエッチングを行う。
すると、ポーラス化してエッチングレートが高くなって
いる酸化層２６ｂ部分が速く除去されるので、その時点
でエッチングを停止させる。その結果、圧力基準室２１
が形成される（図６（ｆ）参照）。

【００４０】次に、溝２９を、酸化シリコン３０などに
より埋め戻す（図６（ｇ）参照）。この時点で、圧力基
準室２１の圧力が決定されるため、埋め戻し工程は減圧
下で行うようにする。最後に、前述のアルミニュウム電
極パターン２４を形成すると共に、その上に保護膜３１
を形成して完了する（図６（ｆ）参照）。

【００４１】以上のように第２実施例によれば、支持基
板１９上の表面に形成されているｎ形シリコン層２５中
に、圧力基準室２１を形成する部分にｐ形層２６を選択
的に形成し、支持基板１９上の表面部分に陽極化成を施
すことによりポーラスシリコン層２６ａを形成する。そ
して、ポーラスシリコン層２６ａ上にｎ形シリコン層２
８を形成してから、当該ｎ形シリコン層２８に、ポーラ
スシリコン層２６ａに達する溝２９を形成し、その溝２
９を介してポーラスシリコン層２６ａを酸化させた酸化
層２６ｂを犠牲層としてエッチングすることで圧力基準
室２１を形成するようにした。

【００４２】従って、従来とは異なり、シリコン基板を
２回接合するような複雑な加工を行う必要はなく、１枚
の支持基板２０で半導体圧力センサ１９を簡単に製造す
ることができる。

【００４３】本発明は上記し且つ図面に記載した実施例
にのみ限定されるものではなく、次のような変形または
拡張が可能である。ポーラスシリコン層３ａまたは２６
ａは、必ずしも酸化させて酸化層３ｂまたは２６ｂを形
成してからエッチングの犠牲層とする必要はない。ポー
ラス化されたことのみでエッチングレートが高くなって
いるので、ポーラスシリコン層３ａまたは２６ａをその
まま犠牲層として用いても良い。

【００４４】第１実施例のように、ｐ形シリコンから成
る支持基板３をベースとして、梁構造体４のアンカー部
４ａや固定電極１０等のようにエッチング後に残留させ
る構造部分にｎ形層１６を選択的に形成するものに限ら
ず、ｎ形シリコンから成る支持基板をベースとして、梁
構造体４の可動電極８ａ，８ｂのようにエッチングによ
り除去する構造部分にｐ形層を選択的に形成して陽極化
成を行うようにしても良い。

【００４５】第１実施例の製造方法については、半導体
加速度センサに限らずヨーレートセンサや角速度センサ
などの半導体力学量センサに適用しても良い。また、セ
ンシング用構造体としてダイヤフラムを備え、そのダイ
ヤフラムを可動電極とした容量式の（第２実施例に示す
ものとは異なる方式の）半導体圧力センサに適用するこ
ともできる。更に、可動電極，固定電極間の接触を検知
する接点式センサに適用しても良い。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例における半導体加速度セン
サの製造工程を示す模式的断面図（その１）

【図２】半導体加速度センサの製造工程を示す模式的断
面図（その２）

【図３】半導体加速度センサの平面図

【図４】半導体加速度センサの要部の斜視図

【図５】半導体加速度センサの図４とは異なる要部の斜
視図

【図６】本発明の第２実施例における半導体圧力センサ
の製造工程を示す模式的断面図（その１）

【図７】半導体圧力センサの製造工程を示す模式的断面
図（その２）

【符号の説明】

１は半導体加速度センサ（半導体力学量センサ）、３は
支持基板（ｐ形半導体層）、３ａはポーラスシリコン層
（多孔質シリコン層）、４は梁構造体（センシング用構
造体）、４ａ，４ｂはアンカー部（支持部）、８ａ及び
８ｂは可動電極、９乃至１２は固定電極、１６はｎ形層
（ｎ形半導体層）、１９は半導体圧力センサ、２０は支
持基板、２１は圧力基準室、２２はダイヤフラム、２５
はｎ形シリコン層（ｎ形半導体層）、２６はｐ形層（ｐ
形半導体層）、２６ａはポーラスシリコン層（多孔質シ
リコン層）、２８はｎ形シリコン層（シリコン層）、２
９は溝を示す。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 支持基板上に電気的に絶縁された状態で
   支持され、力学量の印加に応じて変位する可動電極を一
   体的に有した半導体材料製のセンシング用構造体と、前
   記支持基板上に電気的に絶縁された状態で固定され、前
   記可動電極の変位に応じて当該可動電極との間の距離が
   変化するように設けられた半導体材料製の固定電極とを
   備え、前記可動電極及び固定電極間の距離変化に基づい
   て印加力学量を検出する半導体力学量センサを製造する
   方法において、 前記支持基板上の表面に形成されているｐ形半導体層中
   における前記センシング用構造体の支持部及び前記固定
   電極を形成する部分にｎ形半導体層を選択的に形成する
   工程と、 前記支持基板上の表面部分に陽極化成を施すことにより
   多孔質シリコン層を形成する工程と、 前記多孔質シリコン層の上に所定のパターニングを施し
   た後シリコン層を形成して前記センシング構造体及び前
   記固定電極の形状にエッチングを施す工程と、 前記多孔質シリコン層を犠牲層としてエッチングするこ
   とにより、前記センシング構造体び前記固定電極を形成
   する工程とからなることを特徴とする半導体力学量セン
   サの製造方法。
2. 【請求項２】 支持基板上に電気的に絶縁された状態で
   支持され、力学量の印加に応じて変位する可動電極を一
   体的に有した半導体材料製のセンシング用構造体と、前
   記支持基板上に電気的に絶縁された状態で固定され、前
   記可動電極の変位に応じて当該可動電極との間の距離が
   変化するように設けられた半導体材料製の固定電極とを
   備え、前記可動電極及び固定電極間の距離変化に基づい
   て印加力学量を検出する半導体力学量センサを製造する
   方法において、 前記支持基板上の表面に形成されているｎ形半導体層中
   における前記センシング用構造体の非支持部を形成する
   部分にｐ形半導体層を選択的に形成する工程と、 前記支持基板上の表面部分に陽極化成を施すことにより
   多孔質シリコン層を形成する工程と、 前記多孔質シリコン層の上に所定のパターニングを施し
   た後シリコン層を形成して、前記センシング用構造体及
   び前記固定電極の形状にエッチングを施す工程と、 前記多孔質シリコン層を犠牲層としてエッチングするこ
   とにより、前記センシング用構造体及び前記固定電極を
   形成する工程とからなることを特徴とする半導体力学量
   センサの製造方法。
3. 【請求項３】 支持基板上に形成されているダイヤフラ
   ムの裏面内部に減圧された圧力基準室を備え、前記ダイ
   ヤフラムに作用する圧力を、その圧力に応じた撓み量に
   基づいて検出するようにした半導体圧力センサを製造す
   る方法において、 前記支持基板上の表面に形成されているｎ形半導体層中
   における前記圧力基準室を形成する部分にｐ形半導体層
   を選択的に形成する工程と、 前記支持基板上の表面部分に陽極化成を施すことにより
   多孔質シリコン層を形成する工程と、 前記多孔質シリコン層の上にシリコン層を形成した後、
   当該シリコン層に前記多孔質シリコン層に達する溝を形
   成する工程と、 前記多孔質シリコン層を犠牲層として前記溝を介してエ
   ッチングすることにより、前記圧力基準室を形成する工
   程とからなることを特徴とする半導体圧力センサの製造
   方法。