JP5975457B2 - 三次元構造体及びセンサ - Google Patents
三次元構造体及びセンサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP5975457B2 JP5975457B2 JP2011122592A JP2011122592A JP5975457B2 JP 5975457 B2 JP5975457 B2 JP 5975457B2 JP 2011122592 A JP2011122592 A JP 2011122592A JP 2011122592 A JP2011122592 A JP 2011122592A JP 5975457 B2 JP5975457 B2 JP 5975457B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- layer
- insulator layer
- dimensional structure
- electrode layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 179
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 64
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 15
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 14
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 10
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 9
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 37
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 30
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 27
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 26
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 19
- 230000008859 change Effects 0.000 description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 15
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 244000126211 Hericium coralloides Species 0.000 description 12
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000009623 Bosch process Methods 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000708 deep reactive-ion etching Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229960002050 hydrofluoric acid Drugs 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
- 238000009279 wet oxidation reaction Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Micromachines (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Measuring Volume Flow (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Description
以下、図1〜図4を参照しながら、本発明の第1実施形態に係る三次元構造体について説明する。
図1(a),(b)に示すように、三次元構造体100は、第1の基板1と、多孔層(絶縁体層)2と、第2の基板3と、を備えているものである。なお、図1(a)においては、説明の都合上、多孔層2の外形を第2の基板3において多孔層2が形成されている側の面と反対側の面から透視した仮想線(点線)によって表している。
次に、三次元構造体100の製造方法の一例について、図2〜図4を用いて説明する。
(2)デボステップ−コイル電源;1500W、デボステップ時間;1.5秒、C4F8(クタフルオロシクロブタン)の流量;400sccm(standard cc/min)、デボステップ時の圧力;10Pa、プラテン電源;0W
なお、上記sccm(standard
cc/min)は、1気圧、0℃に換算した場合の流量を示している。
以上確保することが可能である。また、残しパターン幅の寸法、及び、アスペクト比等を考慮すれば、上記レシピ(1),(2)以外にも、コイル電源;1000W〜2500W、エッチステップ時間又はデボステップ時間;1秒〜8秒、エッチステップ時又はデボステップ時の圧力;3Pa〜15Pa、プラテン電源;15W〜150W(duty
5%〜30%、60Hz〜100Hz)でのレシピを使用できる。
Mechanical Polishing)等による研磨加工を施し、前駆体層5の不要な厚さ部分を取り除くことにより、第2の基板3を作成する(図2(e)参照)。
次に、図5〜図7を用いて、本発明の第2実施形態に係るセンサについて説明する。なお、第1実施形態の部位1〜3と、本実施形態の部位201〜203とは、順に同様のものであるので、説明を省略することがある。
本実施形態に係る静電容量型センサ1000は、図5に示すように、第1実施形態と同様の三次元構造体200と、固定電極層204と、可動電極層205と、検知部206とを備えているものである。
次に、静電容量型センサ1000の製造方法の一例について、図7を用いて説明する。
次に、図8を用いて、本発明の第3実施形態に係るセンサについて説明する。なお、第1実施形態の部位1〜3と、本実施形態の部位301〜303とは、順に同様のものであるので、説明を省略することがある。なお、図8(a)は、保護膜308を除去して、発熱用ヒータ304及びサーモパイル305,306を露出させた状態を示している。また、図8(a)中の矢印は、流体の流れる方向を示している。なお、図8(a)においては、説明の都合上、キャビティ302bの外形を第2の基板303において多孔層302が形成されている側の面と反対側の面から透視した仮想線(一点鎖線)によって表している。
本実施形態に係るMEMSフローセンサ2000は、図8に示すように、第1実施形態と同様の三次元構造体300と、発熱用ヒータ304と、一対のサーモパイル(測温体)305,306と、検知部307とを備えているものである。
次に、図9を用いて、本発明の第4実施形態に係るセンサについて説明する。なお、第1実施形態の部位1〜3と、本実施形態の部位401〜403とは、順に同様のものであるので、説明を省略することがある。なお、図9(a)においては、説明の都合上、キャビティ402bの外形を第2の基板403において多孔層402が形成されている側の面と反対側の面から透視した仮想線(点線)によって表している。同様に、図9(a)においては、説明の都合上、蓋部材404の各内壁面404bを蓋部材404において第1の固定電極層405が形成されている側の面から透視した仮想線(破線)によって表している。
本実施形態に係る静電容量型センサ3000は、図9(a),(b)に示すように、第1実施形態と同様の三次元構造体400と、蓋部材404と、第1の固定電極層405と、第2の固定電極層406と、検知部407とを備えているものである。
2、202、302、402 多孔層(絶縁体層)
2a、202a、302a、402a 孔
3、203、303、403 第2の基板
4、5、209 前駆体層
100、200、300、400 三次元構造体
202b、302b、402b キャビティ
204 固定電極層
204a、205a、309〜311 電極パッド
204b、205b 櫛歯電極部
205 可動電極層
206、307、407 検知部
207 可動部
207 錘部
207b 梁部
207c アンカ部
207d、208b 櫛歯部
208 固定部
208a 基部
303a 橋架部
304 発熱用ヒータ
305、306 サーモパイル(測温体)
305a、305b 第1の細線
305c、306c 温接点
305d、306d 冷接点
306a、306b 第2の細線
308 保護膜
404 蓋部材
404a 連通孔
404b 内壁面
405 第1の固定電極層
406 第2の固定電極層
1000、3000 静電容量型センサ(センサ)
2000 MEMSフローセンサ(センサ)
Claims (7)
- 第1の基板と、
前記第1の基板の一方の面に形成された絶縁体層と、
前記絶縁体層において前記第1の基板が形成されている側の面と反対側の面に形成された第2の基板とを備え、
前記絶縁体層は多孔層として形成されており、
前記絶縁体層の厚さが、10μmよりも大きいことを特徴とする三次元構造体。 - 第1の基板と、
前記第1の基板の一方の面に形成された絶縁体層と、
前記絶縁体層において前記第1の基板が形成されている側の面と反対側の面に形成された第2の基板とを備え、
前記絶縁体層の厚さが、1μmよりも大きいものであり、
前記絶縁体層は多孔層として形成されており、
前記多孔層における各孔の積層方向に対する断面形状が、多角形状又は円形状であることを特徴とする三次元構造体。 - 前記多角形状が、三角形状、四角形状、及び、六角形状のいずれかであることを特徴とする請求項2に記載の三次元構造体。
- 前記第1の基板と前記第2の基板とで前記孔のそれぞれを真空状態で封止していることを特徴とする請求項2又は3に記載の三次元構造体。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載の三次元構造体、可動電極層、及び、固定電極層を備えたセンサであって、
前記第2の基板が、
外部からの加速度に応じて弾性変形可能な梁部と、該梁部を介して前記絶縁体層に支持された錘部とを有し、前記絶縁体層が形成されている側の面と反対側の面に前記可動電極層が形成された可動部と、
前記可動部と所定間隔をおいて対向する位置に設けられ、前記絶縁体層が形成されている側の面と反対側の面に前記固定電極層が形成された固定部とを備え、
前記絶縁体層の積層方向をZ軸とした際、前記絶縁体層が、
前記可動部及び前記可動電極層をX、Y、Z軸方向へ移動可能とする凹状のキャビティを備えていることを特徴とするセンサ。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載の三次元構造体、発熱用ヒータ、及び、前記発熱用ヒータを挟んで流体の上流側及び下流側にそれぞれ配置された一対の測温体を備えたセンサであって、
前記絶縁体層が、
前記第2の基板が形成されている側の面に形成された凹状のキャビティを備え、
前記第2の基板が、
前記キャビティの開口端を覆う位置に形成され、前記キャビティが形成されている側の面と反対側の面に前記発熱用ヒータが配置される橋架部を備え、
前記測温体のそれぞれが、前記第2の基板において前記絶縁体層が形成されている側の面と反対側の面に配置されるとともに、
前記三次元構造体の積層方向から見た場合に、前記橋架部の内側に配置された温接点と、前記橋架部よりも外側に配置された冷接点とを備えていることを特徴とするセンサ。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載の三次元構造体、半導体材料からなる蓋部材、第1の固定電極層、及び、第2の固定電極層を備えたセンサであって、
前記絶縁体層が、
前記第2の基板が形成されている側の面に形成された凹状のキャビティを備え、
前記第2の基板が、
前記キャビティの開口端を覆う位置に形成された橋架部を備え、
前記蓋部材が、
前記第2の基板における前記絶縁体層が形成されている側の面と反対側の面において凹状に形成され、且つ、前記三次元構造体の積層方向から見た場合に、少なくとも前記橋架部の全体を覆うように配置されるとともに、少なくとも外部と連通する連通孔を有しており、
前記第1の固定電極層が、
前記蓋部材において前記第2の基板が形成されている側の面と反対側の面に形成され、
前記第2の固定電極層が、
前記第2の基板において前記絶縁体層が形成されている側の面と反対側の面に形成されるとともに、前記三次元構造体の積層方向から見た場合に、前記蓋部材よりも外側に配置されていることを特徴とするセンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011122592A JP5975457B2 (ja) | 2011-05-31 | 2011-05-31 | 三次元構造体及びセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011122592A JP5975457B2 (ja) | 2011-05-31 | 2011-05-31 | 三次元構造体及びセンサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012253082A JP2012253082A (ja) | 2012-12-20 |
JP5975457B2 true JP5975457B2 (ja) | 2016-08-23 |
Family
ID=47525656
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011122592A Expired - Fee Related JP5975457B2 (ja) | 2011-05-31 | 2011-05-31 | 三次元構造体及びセンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5975457B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104793013A (zh) * | 2015-04-12 | 2015-07-22 | 吉林大学 | 蜂窝管在分子-电子感应式加速度计上的应用 |
CN104807452B (zh) * | 2015-04-29 | 2017-07-18 | 东南大学 | 蜂窝式mems谐振硅微陀螺仪及其加工方法 |
US20160370336A1 (en) * | 2015-06-18 | 2016-12-22 | Point Engineering Co., Ltd. | Micro Heater and Micro Sensor |
KR101808239B1 (ko) | 2015-09-04 | 2017-12-13 | (주)포인트엔지니어링 | 마이크로 히터 및 마이크로 센서 |
KR101805784B1 (ko) | 2015-11-11 | 2017-12-07 | (주)포인트엔지니어링 | 마이크로 히터 및 마이크로 센서 및 마이크로 센서 제조방법 |
JP7460388B2 (ja) * | 2020-02-19 | 2024-04-02 | アズビル株式会社 | 圧力センサ |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006300578A (ja) * | 2005-04-18 | 2006-11-02 | Matsushita Electric Works Ltd | 静電容量型圧力センサ及びその真空室の真空度評価方法 |
JP4792143B2 (ja) * | 2007-02-22 | 2011-10-12 | 株式会社デンソー | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2010078421A (ja) * | 2008-09-25 | 2010-04-08 | Mitsubishi Electric Corp | 加速度センサ |
JP5000625B2 (ja) * | 2008-11-13 | 2012-08-15 | アルプス電気株式会社 | Memsセンサ及びその製造方法 |
JP2012127692A (ja) * | 2010-12-13 | 2012-07-05 | Rohm Co Ltd | Memsセンサおよびその製造方法、ならびにmemsパッケージ |
-
2011
- 2011-05-31 JP JP2011122592A patent/JP5975457B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012253082A (ja) | 2012-12-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5975457B2 (ja) | 三次元構造体及びセンサ | |
JP4603740B2 (ja) | 精密機械的な構造要素、及びその製造方法 | |
Zhang et al. | A high-sensitive ultra-thin MEMS capacitive pressure sensor | |
US7262071B2 (en) | Micromechanical component and suitable method for its manufacture | |
EP1417151B1 (en) | Method for the fabrication of suspended porous silicon microstructures and application in gas sensors | |
FI100918B (fi) | Pintamikromekaaninen, symmetrinen paine-eroanturi | |
US8481400B2 (en) | Semiconductor manufacturing and semiconductor device with semiconductor structure | |
JP2001519915A (ja) | 半導体部材を製造する方法 | |
US6906392B2 (en) | Micromechanical component | |
JP5129456B2 (ja) | 梁部を備えた構造体の製造方法およびmemsデバイス | |
TW201431775A (zh) | 用於精確局部溫度測量的具有嵌入式熱阻器的感測器 | |
US6761829B2 (en) | Method for fabricating an isolated microelectromechanical system (MEMS) device using an internal void | |
KR102163052B1 (ko) | 압력 센서 소자 및 그 제조 방법 | |
CN106276776B (zh) | Mems双层悬浮微结构的制作方法和mems红外探测器 | |
JP5950226B2 (ja) | 静電容量型圧力センサおよびその製造方法、圧力センサパッケージ | |
JP2001004658A (ja) | 2軸半導体加速度センサおよびその製造方法 | |
JPH07167885A (ja) | 半導体加速度センサ及びその製造方法、ならびに当該半導体加速度センサによる加速度検出方式 | |
EP3228583B1 (en) | Method for manufacturing mems double-layer suspension microstructure, and mems infrared detector | |
JP4174853B2 (ja) | 半導体力学量センサの製造方法及び半導体圧力センサの製造方法 | |
Goericke et al. | Experimentally validated aluminum nitride based pressure, temperature and 3-axis acceleration sensors integrated on a single chip | |
JP2012181050A (ja) | センサ用構造体、容量式センサ、圧電式センサ、容量式アクチュエータ、及び、圧電式アクチュエータ | |
JP5446365B2 (ja) | 機能素子の寸法の測定方法、機能素子付き基板の製造方法、機能素子付き基板および電子装置 | |
JP2010032389A (ja) | 物理量センサ及びその製造方法 | |
JP2015194443A (ja) | 差圧検出素子の製造方法 | |
Fragiacomo et al. | Intrinsic low hysteresis touch mode capacitive pressure sensor |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110624 |
|
A625 | Written request for application examination (by other person) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A625 Effective date: 20140508 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140616 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150828 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151027 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160120 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160317 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160614 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160712 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5975457 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |