FI100918B - Pintamikromekaaninen, symmetrinen paine-eroanturi - Google Patents
Pintamikromekaaninen, symmetrinen paine-eroanturi Download PDFInfo
- Publication number
- FI100918B FI100918B FI950715A FI950715A FI100918B FI 100918 B FI100918 B FI 100918B FI 950715 A FI950715 A FI 950715A FI 950715 A FI950715 A FI 950715A FI 100918 B FI100918 B FI 100918B
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- sensor
- counter electrodes
- film
- structure according
- silicon
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0072—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance
- G01L9/0073—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance using a semiconductive diaphragm
Description
100918
PINTAMIKROMEKAANINEN, SYMMETRINEN PAINE-EROANTURI
Keksinnön kohteena on patenttivaatimuksen 1 johdannon mukainen pintamikromekaaninen, symmetrinen paine-eroanturi.
5
Kaksi merkittävintä piimikromekaniikan valmistustekniikkaa ovat bulk-mikromekaniikka, jolla yksikiteiseen piihin syövyttämällä valmistetaan mekaanisia rakenteita, ja pinta-mikromekaniikka, jossa piikiekon päälle kasvatetaan melo kaanisia rakenteita monikiteisistä piiohutkalvoista. Perinteisiä metallikalvoista valmistettuja paine-eroanturi-rakenteita on valmistettu symmetrisesti siten, että paine-herkän kalvon kummallakin puolella on kiinteät vastaelekt-rodit.
15
Kaikissa tunnetuissa symmetrisissä paineanturiratkaisuissa symmetrinen anturirakenne on toteutettu siten, että joustavan anturikalvon molemmilla puolilla olevat elektrodit ovat osa massiivista, jäykkää anturirakennetta.
.. 20
Tunnetun tekniikan haittoina ovat mm. mittausviiveet, jotka aiheutuvat massiivisen rakenteen pitkistä, kapeista paineporteista. Kapeat paineportit aiheuttavat myös likaantumisongelmia. Tunnetun tekniikan heikkoja kohtia ovat 25 myös lämpötilan aiheuttamat virheet.
Tämän keksinnön tarkoituksena on poistaa edellä kuvatun tekniikan puutteellisuudet ja aikaansaada aivan uudentyyppinen pintamikromekaaninen, symmetrinen paine-eroanturi.
30
Keksintö perustuu siihen, että anturirakenne käsittää kolme ainakin osittain sähköisesti johtavaa monikiteisestä piiohutkalvoa, joiden välissä oleva alue on tyypillisesti ilmaeristeinen mahdollistaen kalvojen keskinäisen liik-35 keen, jolloin ulommat kalvot on kuvioitu reiällisiksi siten, että ne läpäisevät kaasu- tai nestemäisiä väliaineita. Keskimmäinen kalvo on yhtenäinen siten, että se ei läpäise kaasumaisia väliaineita ja niin ollen taipuu kalvon eri puolille vaikuttavien kaasun paineiden vaikutuk- 100918 2 sesta. Tarvittaessa reiällisten kalvojen ja yhtenäisen kalvon välillä vaikuttavien sähköisten potentiaalierojen avulla voidaan ohjata kalvojen asemaa ja liikettä. Ideaalisesti rei'itetyt kalvot ovat huomattavasti jäykempiä 5 kuin keskimmäinen kalvo. Tähän voidaan vaikuttaa jossakin määrin kalvojen paksuuksien suhteella ja toisaalta merkittävästi kalvojen jännitystilalla. Takaisinkytketyssä mit-tausmoodissa anturin keskimmäisen kalvon ja ulompien kalvojen välisten kapasitanssien erotusta pyritään pitämään 10 vakiona, jolloin anturin paineherkän kalvon asema rei'- itettyihin kalvoihin nähden on likipitäin vakio eli kalvo on likipitäin taipumattomassa tilassa ulompien kalvojen välissä. Anturin kaksi erillistä kondensaattoria muodostavat kapasitanssisillan, joka mahdollistaa useita eri 15 siirtofunktioita, kuten (C!-C2) / (Cj+C;,) Täsmällisemmin sanottuna keksinnön mukaiselle anturiraken-teelle on tunnusomaista se, mikä on esitetty patenttivaa-timuksen 1 tunnusmerkkiosassa.
20
Keksinnön avulla saavutetaan huomattavia etuja.
Symmetrinen rakenne sisältää useita etuja erityisesti yksipuoliseen epäsymmetriseen rakenteeseen nähden: 25 - Anturirakenteessa on vähintään kaksi mitattavaa kapasitanssia, joiden erotusta voidaan ilmaista helposti mittauselektroniikassa, eikä ulkoista referenssikonden-saattoria tarvita.
30 - Paineherkän kalvon asemaa voidaan ohjata sen ja revitettyjen kalvojen välisten sähköisten potentiaalierojen avulla kumpaankin suuntaan (takaisinkytkennällä voidaan kalvon asema pitää vakiona revitettyjen kalvojen välis- 35 sä). Lisäksi symmetrisyys mahdollistaa lineaarisuuden paine-erosignaalin ja ulostulosignaalin välillä käytettäessä jatkuvaa takaisinkytkentäjännitettä.
3 100918 -Symmetrinen rakenne on lämpötila-riippuvuuden kannalta edullinen.
Lisäksi perinteiseen symmetriseen rakenteeseen nähden saa-5 vutetaan seuraavat edut: - Rei'itetyt kalvot toimivat suodattimena pölyhiukkasille estäen partikkelien pääsyn kondensaattoriaukkoon.
10 - Rakenne on valmistusteknisesti edullinen ja uhrautuvien piidioksidikerrosten syövytys tapahtuu nopeasti piikalvo-jen reikien kautta.
- Anturin aikavaste on tiheän reikärakenteen ansiosta ly-15 hyt.
- Öljytäytetyssä anturissa aikavastetta voidaan säätää muuttamalla aukkojen kokoa.
' · * 20 - Rei'itetyt kalvot toimivat ylipainesuojina paineherkäl- le kalvolle.
Keksintöä ryhdytään seuraavassa lähemmin tarkastelemaan oheisten kuvioiden mukaisten suoritusesimerkkien avulla.
. 25
Kuvio l esittää yläkuvantona yhtä keksinnön mukaista antu-rirakennetta.
Kuvio 2 esittää leikkausta A-A kluvion 1 anturirakentees-30 ta.
Kuvio 3 esittää yläkuvantona vaihtoehtoista keksinnön mukaista anturirakennetta.
35 Kuvio 4 esittää graafisesti kuvion 3 mukaisen rakenteen kapasitanssit paineen funktiona.
Kuvio 5 esittää graafisesti maksimimittausalueen ja bias- 4 100918 jännitteen välistä riippuvuutta, kun kondensaattoriaukot ovat 2 μια leveitä.
Kuvio 6 esittää graafisesti maksimimittausalueen ja kon-5 densaattoriaukon leveyden välistä riippuvuutta, kun käytössä on ± 5 V biasjännitteet.
Kuvion 1 mukaisesti anturielementit valmistetaan pii-kiekolle puolijohdeteknologiaan perustuvan pintamikrome-10 kaniikan menetelmin. Anturielementtien 16 välille muodostetaan sahausurat 17, jotka ovat tyypillisesti 150 μτα leveitä. Ylimmän elektrodin 7 rei'itykset 12 ovat tässä tapauksessa muodostetut neliön muotoisiksi. Rei1ityskuviolla varustettu yläelektrodi 7 toimii näin myös anturin toisena 15 paineporttina 13. Eristekerros 8 suojaa anturirakennetta prosessin alkuvaiheissa. Metallikontakteilta 9, 10 ja 11 saadaan mittaussignaalit ja/tai ohjataan elektrodeja halutulla tavalla.
« · 20 Kuvion 2 mukaisesti anturirakenne on muodostettu yksikiteiselle piikiekolle 1, jonka päälle puolestaan on muodostettu eristekerros 2 suojaamaan yläpuolelle muodostettavia rakenteita prosessin myöhäisemmissä vaiheissa. Alempi rei'itetty elektrodi 3 kasvatetaan monikiteisestä piistä 25 rakenteen päälle seuraavaksi. Reikäkuvio 12 muodostetaan joko lift-off menetelmällä tai vaihtoehtoisesti syövyttämällä fotoresistin avulla aukot 12 jälkikäteen kerrokseen 3. Tämän jälkeen seuraa ensimmäinen uhrautuva piidioksidi-ohutkalvo 4 sekä tämän jälkeen monikiteistä piitä oleva 30 keskielektrodirakenne 5. Mikäli kerros 5 halutaan tasomaiseksi, tulee kerros 4 planarisoida, sillä alemman elektrodin 3 aukkorakenteet 12 aiheuttavat vastaavat painaumat kerrokseen 4. Planarisointi ei kuitenkaan ole anturin toiminnan kannalta välttämätön toimenpide. Kerroksen 5 päälle 35 kasvatetaan toinen uhrautuva piidioksidi-ohutkalvo 6 ja tämän päälle puolestaan ylempi elektrodi 7 monikiteisestä piistä ja tämä rakenne rei'itetään kuten elektrodi 3. Reikien 12 sivu on tyypillisesti 1 - 100 μτα, tyypillisesti n.
5 100918 10 μιη. Reiät 12 voivat olla esitetyn suorakaidemuodon sijasta esimerkiksi pyöreitä. Koko rakenteen päälle muodostetaan eristekerros 8 suojaamaan anturirakennetta alemman paineportin 14 syövytyksen ajaksi. Anturikalvon efektiivi-5 sellä leveydellä tarkoitetaan tässä viitenumerolla 15 esitettyä mittaa, jonka käytännössä määräävät paineportin 14 yläleveys sekä reikäkuvioinnin 12 leveys. Kuvion oikean reunan syvennys sekä vasemman reunan syvennus kontaktoin-teja 9 ja 11 varten on toteutettu joko jättämällä ylemmät 10 kerrokset kasvattamatta näissä syvennyksissä maskauksen avulla tai vaihtoehtoisesti syövyttämällä syvennykset jälkikäteen. Metalloinnit 9, 10 ja 11 muodostetaan aivan prosessin loppuvaiheessa. Keskielektrodin 5 paksuus on tyypillisesti 0,5-1 jtxm ja reunaelektrodien 3 ja 7 paksuudet 15 vastaavasti 1-2 μια. Näin keskielektrodi 3 on tyypillisesti 1-4 kertaa paksumpi kuin reunaelektrodit 3 ja 7.
:· Anturi valmistetaan siis seuraavassa työvaihejärjestyk- 20 sessä: 1 2
Piikiekon 1 pinnalle kasvatetaan ja kuvioidaan tarvittavat monikiteiset piiohutkalvot 3, 5 ja 7, eristekerroksien ohutkalvot 2 ja 8 ja uh- 25 rautuvat piidioksidikalvot 4 ja 6, jotka syövy tetään pois myöhemmin. Kerrosrakenteen alimmainen 2 ja ylimmäinen kalvo 8, jotka ovat esimerkiksi piinitridiä, suojaavat ohutkalvoja piitä syövyttäviltä materiaaleilta kuten KOH tai TMAH. 30 2
Syövytetään yksikiteiseen piikiekkoon 1 reikä 14, joka on kiekon puhkaistuaan likipitäin anturin paineherkän kalvonosan suuruinen, siis efektiivisen leveyden 15 mittainen. Paineporttina 35 toimiva reikä 14 on suorakaiteen muotoinen. Muo to määräytyy piin kidesuunnista epäisotroop-pisessa syövytyksessä.
6 100918 3) Puhkaistaan esimerkiksi plasmasyövytyksellä kuvioidut aukot eristekerrokseen 8 anturin yläpinnalle ja eristekerrokseen 2 yksikiteisen piin reiän 14 sisäpuolelle. Tällöin molemmilta puo- 5 liitä kiekkoa ovat näkyvissä rei'itetyt moniki- teiset piiohutkalvot 3 ja 7.
4) Poistetaan syövyttämällä piikalvojen 3 ja 7 reikien 12 kautta uhrautuvat piidioksidikalvot 4 10 ja 6 piikalvojen 3 ja 7 revitettyjen alueiden välistä.
5) Kuivataan rakenne esimerkiksi käyttämällä sublimoituvaa t-butanolia, jolla estetään kalvo- 15 jen 3, 5 ja 7 tarttuminen toisiinsa.
Rakenteen kasvatuksen yhteydessä joudutaan mahdollisesti tekemään yksi planarisointi ensimmäisen rei'itetyn pii-: ohutkalvon 3 päälle kasvatettuun oksidikalvoon 4. Muutoin 20 rei'itetty rakenne heijastuu aaltomaisesti yhtenäisessä polypiikalvossa ja kaikissa muissa päällimmäisissä kalvoissa. Työvaihe ei ole kuitenkaan välttämätön.
Edullisesti elektrodeina toimiviin kalvoihin 3 ja 7 muo-25 dostetaan vetojännitys, joka on voimakkaampi kuin anturi-kalvon 5 vetojännitys. Jännitystilaa voidaan hallita lämpökäsittelyllä ja seostuksella.
Kuvion 3 mukaisesti voidaan anturirakenteen 20 uloimmat 30 elektrodit jakaa kahteen osaan kuvioimalla aluksi eriste-materiaalia oleva yläelektrodirakenne kahdeksi toisistaan eristetyksi johtavaksi alueeksi 21 ja 22, joita ohjataan kontaktialueilla 23. Alaelektrodirakenne kuvioidaan vastaavalla tavalla ja alueita ohjataan kontakteilla 26. Kes-35 kielektrodin sähköiselle kytkennälle on varattu kontakti-alue 25. Yhdessä edullisessa tapauksessa elektrodialueet 21 ja 23 ovat pinta-aloiltaan ainakin likimain yhtä suuria.
100918
Kuviossa 4 on esitetty graafisesti kuvion 3 mukaisen anturin neljän eri elektrodin kapasitanssit keskielektrodiin (= paineherkkä kalvo) nähden. Kuvion tapauksessa anturi on 5 ideaalisesti symmetrinen. Paineherkän kalvon sivun pituus on 0,5 mm, kondensaattoriaukon syvyys (= kalvojen välinen matka) on 1 μτα ja paineherkän kalvon paksuus on 1 μια. Lisäksi paineherkkä kalvo on jännityksetön. Sekä yläelekt-rodit 21 ja 22 että alaelektrodit ovat pinta-aloiltaan 10 yhtä suuret. Kuten kuviosta käy ilmi, nollapaine-erolla kaikkien elektrodien ja paineherkän kalvon väliset kapasitanssit ovat yhtä suuria eli kapasitanssisilta on tasapainossa.
15 Uhrautuvien piidioksidikerrosten 4 ja 6 paksuuksien tulee olla mahdollisimman pieni, että kalvojen välisten sähköisten potentiaalierojen voimavaikutus on riittävä. Tyypillisesti noin 0,5 Mm. Tällöin ± 5 V bias jännitteet kalvon eri puolilla riittävät aikaansaamaan noin ± 1800 Pa mit-20 tausalueen. Kuviossa 5 on esitetty biasjännitteen ja mak-simimittausalueen välinen suhde ja kuviossa 6 vastaava riippuvuus kondensaattoriaukosta. Kondensaattoriaukon leveydellä tarkoitetaan siis elektrodirakenteiden 3 ja 5 ja vastaavasti 5 ja 7 välistä etäisyyttä.
. 25
Anturin kalvon ihanteellinen sivunpituus, mitta 15 on noin 0,5 mm. Tällöin käytettäessä 0,5 mm paksuisia piikiekkoja syövytysreiän sivun maksimileveys on noin 1,2 mm. Sa-hausurineen 17 ja riittävän kestävän tukirakenteen aikaan-30 saaminen johtaa tällöin noin 2x2 mm2 kokonaisanturikokoon.
Tällaisia antureita voidaan valmistaa yhdeltä neljän tuuman kiekolta noin 1400 kappaletta.
Rakenteeseen liittyy myös vähäisiä haittoja:
Anturipalan koko tulee jossakin määrin suuremmaksi kuin muissa perinteisissä rakenteissa, koska piikiekon läpi tuotu aukko vie paljon pinta-alaa.
35 8 100918
Anturin ulommat kalvot eivät ole ideaalisen jäykkiä. Sähköisessä ohjauksessa ulommat kalvot pääsevät taipumaan. Takaisinkytketyssä elektroniikassa tämä tarkoittaa epä-lineaarisuusvirhettä.
5 • ·
Claims (11)
1. Symmetrinen paine-eroanturi, joka on muodostettu kerrostamalla alustalle (1) puolijohdeteknologiaan perustuvan 5 pintamikromekaniikan keinoin, joka anturi käsittää seuraa- vat toisistaan sähköisesti eristetyt ohutkalvokerrokset: - monikiteisestä piistä valmistetun anturikalvon (5), joka on ainakin osittain sähköisesti johta- 10 va, sekä - anturikalvon (5) molemmille puolille sovitetut sähköisesti johtavat vastaelektrodit (3, ja 7), 15 tunnettu siitä, että - vastaelektrodit (3 ja 7) on valmistettu monikiteisestä piiohutkalvosta, ja ne käsittävät ainakin yhden sähköisesti johtavan alueen. 20
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen anturirakenne, tunnettu siitä, että vastaelektrodit (3 ja 7) on tuettu jäykkään alustaan (1) ainoastaan reunoiltaan.
3. Patenttivaatimuksen 1 tai 2 mukainen anturirakenne, tunnettu siitä, että vastaelektrodit (3 ja 7) on varustettu reikäkuvioinnilla (12) paineporttien (13 ja 14) muodostamiseksi anturikäIvolie (5).
4. Patenttivaatimuksen 1 tai 2 mukainen anturirakenne, .· tunnettu siitä, että vastaelektrodit (3 ja 7) ovat ·’ korkeintaan 5 kertaa anturikalvoa (5) paksumpia.
5. Patenttivaatimuksen 1 tai 2 mukainen anturirakenne, 35 tunnettu siitä, että vastaelektrodeihin (3 ja 7) on muodostettu huomattavasti voimakkaampi vetojännitys kuin anturikalvoon (5). 100918
6. Patenttivaatimuksen 1, 2 tai 3 mukainen anturirakenne, tunnettu siitä, että reiät (12) ovat suorakaiteen muotoisia.
7. Patenttivaatimuksen 1, 2 tai 3 mukainen anturirakenne, tunnettu siitä, että reiät (12) ovat ympyrän muotoisia.
8. Patenttivaatimuksen 1, 2 tai 3 mukainen anturirakenne, 10 tunnettu siitä, että reikien (12) sivun pituus on 1 - 100 μια, sopivimmin n. 10 μια.
9. Patenttivaatimuksen 1 mukainen anturirakenne, tunnettu siitä, että alusta (1) on piitä. 15
9 100918
10. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen anturi-rakenne, tunnettu siitä, että ainakin yksi ulommista elektrodeista (3, 7) on jaettu kuvioimalla vähintään kahteen toisistaan sähköisesti eristettyyn johtavaan 20 alueeseen (21, 22).
11 100918
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FI950715A FI100918B (fi) | 1995-02-17 | 1995-02-17 | Pintamikromekaaninen, symmetrinen paine-eroanturi |
US08/600,182 US5679902A (en) | 1995-02-17 | 1996-02-12 | Surface-micromachined symmetrical differential pressure sensor with electrodes patterned into multiple conducting areas |
EP96301002A EP0727650B1 (en) | 1995-02-17 | 1996-02-14 | Surface-micromachined symmetrical differential pressure sensor with polysilicon |
DE69612576T DE69612576T2 (de) | 1995-02-17 | 1996-02-14 | Mikrobearbeiteter symmetrischer Differentialdrucksensor mit Polysilizium |
NO960617A NO960617L (no) | 1995-02-17 | 1996-02-16 | Symmetrisk differensialtrykkföler med mikrostrukturert overflate |
JP8030510A JPH08247878A (ja) | 1995-02-17 | 1996-02-19 | 表面マイクロ加工された対称形差圧センサー |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FI950715A FI100918B (fi) | 1995-02-17 | 1995-02-17 | Pintamikromekaaninen, symmetrinen paine-eroanturi |
FI950715 | 1995-02-17 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FI950715A0 FI950715A0 (fi) | 1995-02-17 |
FI950715A FI950715A (fi) | 1996-08-18 |
FI100918B true FI100918B (fi) | 1998-03-13 |
Family
ID=8542876
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FI950715A FI100918B (fi) | 1995-02-17 | 1995-02-17 | Pintamikromekaaninen, symmetrinen paine-eroanturi |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5679902A (fi) |
EP (1) | EP0727650B1 (fi) |
JP (1) | JPH08247878A (fi) |
DE (1) | DE69612576T2 (fi) |
FI (1) | FI100918B (fi) |
NO (1) | NO960617L (fi) |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6012336A (en) * | 1995-09-06 | 2000-01-11 | Sandia Corporation | Capacitance pressure sensor |
DE19648424C1 (de) * | 1996-11-22 | 1998-06-25 | Siemens Ag | Mikromechanischer Sensor |
JP2001504995A (ja) * | 1996-11-28 | 2001-04-10 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | マイクロメカニカルセンサの製造方法 |
EP0863392B1 (en) | 1997-03-04 | 2000-08-09 | STMicroelectronics S.r.l. | A method of manufacturing pressure microsensors |
WO2000011444A1 (en) | 1998-08-19 | 2000-03-02 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Sealed capacitive pressure sensors |
FI20000339A (fi) | 2000-02-16 | 2001-08-16 | Nokia Mobile Phones Ltd | Mikromekaaninen säädettävä kondensaattori ja integroitu säädettävä resonaattori |
FI115500B (fi) | 2000-03-21 | 2005-05-13 | Nokia Oyj | Menetelmä kalvoanturin valmistamiseksi |
FI112644B (fi) | 2000-11-10 | 2003-12-31 | Vaisala Oyj | Pintamikromekaaninen absoluuttipaineanturi ja menetelmä sen valmistamiseksi |
EP1223420A3 (en) * | 2001-01-16 | 2003-07-09 | Fujikura Ltd. | Pressure sensor and manufacturing method thereof |
JP4296728B2 (ja) | 2001-07-06 | 2009-07-15 | 株式会社デンソー | 静電容量型圧力センサおよびその製造方法並びに静電容量型圧力センサに用いるセンサ用構造体 |
US6774457B2 (en) * | 2001-09-13 | 2004-08-10 | Texas Instruments Incorporated | Rectangular contact used as a low voltage fuse element |
EP1359402B1 (en) * | 2002-05-01 | 2014-10-01 | Infineon Technologies AG | Pressure sensor |
US6575026B1 (en) | 2002-06-28 | 2003-06-10 | Eastman Kodak Company | Measuring absolute static pressure at one or more positions along a microfluidic device |
US6790699B2 (en) | 2002-07-10 | 2004-09-14 | Robert Bosch Gmbh | Method for manufacturing a semiconductor device |
US6843121B1 (en) | 2003-08-25 | 2005-01-18 | Eastman Kodak Company | Measuring absolute static pressure at one or more positions along a microfluidic device |
US6901807B1 (en) * | 2003-12-30 | 2005-06-07 | Honeywell International Inc. | Positive and negative pressure sensor |
US7100453B2 (en) * | 2003-12-30 | 2006-09-05 | Honeywell International Inc. | Modified dual diaphragm pressure sensor |
US7231832B2 (en) * | 2004-09-13 | 2007-06-19 | United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | System and method for detecting cracks and their location |
DE102005004877A1 (de) * | 2005-02-03 | 2006-08-10 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanisches Bauelement und entsprechendes Herstellungsverfahren |
US7231829B2 (en) * | 2005-03-31 | 2007-06-19 | Medtronic, Inc. | Monolithic integrated circuit/pressure sensor on pacing lead |
JP4535046B2 (ja) * | 2006-08-22 | 2010-09-01 | ヤマハ株式会社 | 静電容量センサ及びその製造方法 |
US9616223B2 (en) | 2005-12-30 | 2017-04-11 | Medtronic, Inc. | Media-exposed interconnects for transducers |
FR2947629B1 (fr) * | 2009-07-06 | 2012-03-30 | Tronic S Microsystems | Dispositif de mesure de pression et son procede de fabrication |
US8617960B2 (en) * | 2009-12-31 | 2013-12-31 | Texas Instruments Incorporated | Silicon microphone transducer |
JP2011193342A (ja) * | 2010-03-16 | 2011-09-29 | Panasonic Corp | Memsデバイス |
US10485435B2 (en) | 2012-03-26 | 2019-11-26 | Medtronic, Inc. | Pass-through implantable medical device delivery catheter with removeable distal tip |
US8904876B2 (en) * | 2012-09-29 | 2014-12-09 | Stryker Corporation | Flexible piezocapacitive and piezoresistive force and pressure sensors |
CN105067178B (zh) | 2015-05-29 | 2018-01-19 | 歌尔股份有限公司 | 一种差分电容式mems压力传感器及其制造方法 |
JP6582273B2 (ja) * | 2015-08-27 | 2019-10-02 | 新日本無線株式会社 | Mems素子の製造方法 |
US20230098186A1 (en) * | 2021-09-24 | 2023-03-30 | Apple Inc. | Gap-increasing capacitive pressure sensor for increased range |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3310643C2 (de) * | 1983-03-24 | 1986-04-10 | Karlheinz Dr. 7801 Schallstadt Ziegler | Drucksensor |
US5177661A (en) * | 1989-01-13 | 1993-01-05 | Kopin Corporation | SOI diaphgram sensor |
US5490034A (en) * | 1989-01-13 | 1996-02-06 | Kopin Corporation | SOI actuators and microsensors |
US5431057A (en) * | 1990-02-12 | 1995-07-11 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. | Integratable capacitative pressure sensor |
US5188983A (en) * | 1990-04-11 | 1993-02-23 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Polysilicon resonating beam transducers and method of producing the same |
EP0543901B1 (en) * | 1990-08-17 | 1995-10-04 | Analog Devices, Inc. | Monolithic accelerometer |
DE4227819C2 (de) * | 1991-08-22 | 1996-10-17 | Yamatake Honeywell Co Ltd | Kapazitiver Drucksensor |
US5332469A (en) * | 1992-11-12 | 1994-07-26 | Ford Motor Company | Capacitive surface micromachined differential pressure sensor |
JPH06213747A (ja) * | 1993-01-14 | 1994-08-05 | Toyota Motor Corp | 容量型半導体センサ |
US5316619A (en) * | 1993-02-05 | 1994-05-31 | Ford Motor Company | Capacitive surface micromachine absolute pressure sensor and method for processing |
-
1995
- 1995-02-17 FI FI950715A patent/FI100918B/fi active
-
1996
- 1996-02-12 US US08/600,182 patent/US5679902A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-02-14 EP EP96301002A patent/EP0727650B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-02-14 DE DE69612576T patent/DE69612576T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-02-16 NO NO960617A patent/NO960617L/no not_active Application Discontinuation
- 1996-02-19 JP JP8030510A patent/JPH08247878A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH08247878A (ja) | 1996-09-27 |
EP0727650A2 (en) | 1996-08-21 |
DE69612576D1 (de) | 2001-05-31 |
NO960617L (no) | 1996-08-19 |
US5679902A (en) | 1997-10-21 |
FI950715A (fi) | 1996-08-18 |
EP0727650B1 (en) | 2001-04-25 |
EP0727650A3 (en) | 1996-12-11 |
DE69612576T2 (de) | 2002-05-29 |
NO960617D0 (no) | 1996-02-16 |
FI950715A0 (fi) | 1995-02-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
FI100918B (fi) | Pintamikromekaaninen, symmetrinen paine-eroanturi | |
EP0995094B1 (en) | Method of manufacturing a semiconductor component | |
US5490034A (en) | SOI actuators and microsensors | |
EP0629286B1 (en) | Soi actuators and microsensors | |
US6445053B1 (en) | Micro-machined absolute pressure sensor | |
EP0616688B1 (en) | Piezoresistive silicon pressure sensor design | |
EP0854358B1 (en) | Asymmetrical transducer structure | |
JP3114570B2 (ja) | 静電容量型圧力センサ | |
US6225140B1 (en) | CMOS compatable surface machined pressure sensor and method of fabricating the same | |
JP2000214035A (ja) | 静電容量型圧力センサおよびその製造方法 | |
US5172205A (en) | Piezoresistive semiconductor device suitable for use in a pressure sensor | |
JP2002250665A (ja) | 静電容量式センサ及びその製造方法 | |
FI111993B (fi) | Kapasitiivinen absoluuttisen paineen mittausilmaisin ja menetelmä useiden tällaisten ilmaisimien valmistamiseksi | |
JP4918140B2 (ja) | 半導体圧力センサ | |
JPH0727646A (ja) | 容量式差圧センサ | |
KR20010074906A (ko) | 마이크로 기계 부품 및 그의 제조 방법 | |
US5744725A (en) | Capacitive pressure sensor and method of fabricating same | |
JP2003332586A (ja) | 外力センサ及びその製造方法 | |
JPH0554709B2 (fi) | ||
JP4174853B2 (ja) | 半導体力学量センサの製造方法及び半導体圧力センサの製造方法 | |
Goericke et al. | Experimentally validated aluminum nitride based pressure, temperature and 3-axis acceleration sensors integrated on a single chip | |
JP2896728B2 (ja) | 静電容量式圧力センサ | |
US11879800B2 (en) | MEMS strain gauge pressure sensor with mechanical symmetries | |
JP3021905B2 (ja) | 半導体加速度センサの製造方法 | |
JPH0758347A (ja) | 半導体圧力センサおよびその製造方法 |