FI112644B

FI112644B - Pintamikromekaaninen absoluuttipaineanturi ja menetelmä sen valmistamiseksi

Info

Publication number: FI112644B
Application number: FI20002472A
Authority: FI
Inventors: Martti Blomberg
Original assignee: Vaisala Oyj; Valtion Teknillinen
Priority date: 2000-11-10
Filing date: 2000-11-10
Publication date: 2003-12-31
Also published as: CN1225400C; JP3857231B2; CN1486277A; AU2002214074A1; EP1337458A1; FI20002472A0; RU2258914C2; US6931935B2; FI20002472A; EP1337458B1; WO2002038491A1; JP2004513356A; ATE514652T1; US20040020303A1

Description

112644

Pintamikromekaaninen absoluuttipaineanturi ja menetelmä sen valmistamiseksi

Keksinnön kohteena on patenttivaatimuksen 1 mukainen kapasitiivinen paineanturi sekä 5 menetelmä sen valmistamiseksi.

Mikromekaaniset paineanturit jaetaan perinteisesti kahteen eri luokkaan riippuen niiden valmistusmenetelmästä. Anturi luokitellaan pintamikromekaaniseksi anturiksi jos sen valmistus perustuu pintamikromekaniikan käyttöön tai bulk-mikromekaaniseksi jos 10 valmistus perustuu vanhemman bulk-mikromekaniikan käyttöön.

Rakenteellisista eroista johtuen jaotellaan anturit myös kahteen eri luokkaan riippuen siitä mittaako anturi differentiaalista paine-eroa vai absoluuttista painetta. Tässä patenttihakemuksessa esitetään uusi pintamikromekaaninen absoluuttipaine- 15 anturirakenne ja menetelmä sen valmistamiseksi.

Aikaisemmin tunnettuja ratkaisuja on esitetty mm. julkaisussa K Kasten et ah; Sensors and Actuators A, Voi. 85 (2000) 147-152. Estetyssä paineanturirakenteessa on alaelektrodi muodostettu SIMOX substraatin päällä olevasta yksikiteisestä piikalvosta.

: 20 Rakenteen yläelektrodi on muodostettu monikiteisestä piistä. Rakenteen valmistuksen aikainen ns. uhrautuva kerros on poistettu kauttaaltaan elektrodien reunoilla olevien kanavien kautta. Uhrautuvan oksidi syövytyksessä käytetyt aukot on . ‘ ·, · valmistusprosessissa kasvatettu umpeen käyttäen PECVD-piinitridiä, jolloin ; kapasitiivisten elektrodien väliin on saatu alipaine joka on verrannollinen PECVD- : ”: 25 kasvatuksen prosessipaineeseen.

_ t · Kastenin esittämän rakenteen haittapuolet ovat ilmeisiä. Koska uhrautuva kerros ,,, · etsataan kokonaan rakenteen sisältä pois, tulee taipuvaan kalvoon porras uhrautuvan ; *1 · kerroksen reunoille. Tämän vuoksi joudutaan taipuvan kalvon vetojännitys säätämään : · * · 30 hyvin pieneksi, jotta se ei taipuisi oman vetojännityksensä vuoksi kiinni alaelektrodiin.

, ·. Tästä seuraa myös, että kapasitiiviset elementit joudutaan tekemään hyvin pieniksi.

Koska käytännön ratkaisussa vaaditaan noin luokkaa 10 pikofaradin suuruinen 2 112644 kapasitanssi, tarvitaan kapasitiivisia elementtejä paljon. Tästä on seurauksena se, että muuttuvan kapasitanssin suhteellinen osuus kokonaiskapasitanssissa jää pieneksi, koska suuressa määrässä pieniä elementtejä on elementtien reunarakenteista johtuen suhteellisesti suurempi hajakapasitanssi verrattuna suuremman elementtikoon 5 mahdollistavaan rakenteeseen.

Kastenin esittämän absoluuttipaineanturirakenteen referenssirakenne on myös ongelmallinen. Referenssielektrodin jäykistäminen on siinä ratkaistu jättämällä valmistusprosessissa kasvatettu paksu kerros LPCVD-oksidia referenssielementtien 10 päälle. Koska piin ja oksidin lämpölaajenemiskertoimet poikkeavat toisistaan, voidaan esitetyn rakenteen olettaa aiheuttavan ylimääräistä lämpötilariippuvuutta referenssirakenteessa. Yleensä ottaen mittaavan ja referenssinä käytetyn rakenteen kapasitanssin lämpö-/kosteusriippuvuuksien tulisi olla mahdollisimman samankaltaisia.

15 Tämän keksinnön tarkoituksena on poistaa tunnetun tekniikan ongelmat ja aikaansaada aivan uudentyyppinen absoluuttinen paineanturi.

Keksintö perustuu siihen, että anturi rakenteen taipuvan membraanin osana käytetään reikäistä monikiteistä piikalvoa.

: 20 ;·, Täsmällisemmin sanottuna keksinnön mukaiselle absoluuttiselle paineanturille on tunnusomaista se, mikä on esitetty patenttivaatimuksen 1 tunnusmerkkiosassa.

* * » ♦ ;"'; Keksinnön mukaiselle menetelmälle puolestaan on tunnusomaista se, mikä on esitetty ; “i 25 patenttivaatimuksen 10 tunnusmerkkiosassa.

; ^: Keksinnöllä saavutetaan huomattavia etuja.

: I Voidaan toteuttaa paineantureita barometriselta alueelta satojen baarien paineisiin.

30 Yksittäisten elementtien koko riittävän suuri myös barometrisella alueella, jolloin ,···, hajakapasitanssit jäävä kohtuullisiksi. Uhrautuvan kerroksen vapaaksi etsattava alue ,,,,: voidaan määritellä litografisesti, jolloin valmistustoleranssit parantuvat. Osa 112644 3 uhrautuvana kerroksena käytetystä oksidista voidaan jättää etsaamatta. Tällöin taipuvan kalvon muoto reunoilta jää suoraksi. Tämän vuoksi sen sisäinen jännitys voidaan säätää suureksi, mikä mahdollistaa suuremman elementtikoon käytön. Keksinnön mukainen referenssirakenne reagoi ympäristön lämpötilaan ja esimerkiksi kosteuden muutoksiin 5 samalla tavoin kuin varsinainen paineelle herkkä rakennekin. Tämän vuoksi kokonaisrakenteesta voidaan tehdä hyvin stabiili ja ylimääräiset lämpötilaryöminnät / kosteusriippuvuudet voidaan helposti kompensoida pois.

Keksintöä ryhdytään seuraavassa tarkastelemaan oheisten kuvioiden mukaisten 10 suoritusesimerkkien avulla.

Kuvio 1 esittää yhden keksinnön mukaisen anturielementin poikkileikkausta.

Kuvio 2 esittää yläkuvantona kuvion 1 mukaisista elementeistä (25 kpl) koostuvaa 15 kapasitiivista paineanturia.

Kuvio 3 esittää yhden keksinnön mukaisen referenssianturielementin poikkileikkausta.

Kuvio 4 esittää yhden keksinnön mukaisen paineanturin referenssialuetta päältä * : 20 katsottuna.

» I * ·

Kuviossa 5 on esitetty täydellisen keksinnön mukaisen kapasitiivisen paineanturin ;f · kaaviollinen kuva päältä päin katsottuna.

;25 Kuviossa 6 on esitetty vaihtoehtoisen keksinnön mukaisen anturielementin poikkileikkaus.

i

Kuviossa 7 on esitetty toisen keksinnön mukaisen anturielementin poikkileikkaus.

. ! t I # ; · ·: 30 Kuviossa 8 on kaavallisesti esitetty keksinnön mukainen anturin valmistusmenetelmä.

i ; | · I » 4 112644

Keksinnön mukaisen absoluuttipaineanturin elementti muodostuu kuvion 2 mukaisesti piisubstraatin 1 päälle tehdyn eristekalvon 2 päälle tehdystä johtavaksi seostetusta monikiteisestä piikalvosta 3, jonka päällä on uusi eristekerros 4. Tämän päällä on 5 monikiteinen piikerros 5, jonka päällä on runsaasti pieniä reikiä sisältävä monikiteinen piikalvo 6. Kerros 5 on rakenteessa optionaalinen. Se voidaan jättää rakenteesta pois, mikäli uhrautuvan kerroksen määrittely tapahtuu reikäisen piikerroksen kasvatuksen jälkeen litografisesti. Kerros 5 voi ulottua myös alueen 10 yläpuoliselle alueelle. Tällöin siinä on yksi tai useampia reikiä, joiden kautta kerros 6 on yhteydessä alueeseen 10. 10 Reikäisen piikerroksen päällä on uusi yhtenäinen piikalvo 7 jonka päällä metallointi 8 on. Eristekerros 4 ja monikiteinen piikalvo 5 on poistettu elementin keski- ja reuna-alueelta. Reuna-alueella on metallikerros 9 johtavan monikiteisen piikalvon päällä. Anturirakenteessa päällimmäisenä lukuun ottamatta kontaktialueita ja taipuvaa membraania alueen 10 päällä on passivointikerros 11.

15

Eristekerros 2 on parhaiten piidioksidia, jonka paksuus on tyypillisesti 500 - 2000 nm. Monikiteinen piikalvo 3 on tehty johtavaksi seostamalla se esimerkiksi fosforilla tai boorilla. Kerros 4 on eristettä, edullisimmin piidioksidia. Kerros 5 on parhaiten seostettua monikiteistä piitä. Kerros 6 on tiheästi reikäinen seostettu monikiteinen noin ; 20 100 nm paksu piikalvo. Kerroksen 6 päällä oleva johtava monikiteinen piikalvo 7 on tyypillisesti paksuudeltaan 100 nm - 5000 nm. Kalvon 7 paksuudella yhdessä sen sisäisen vetojännityksen kanssa on oleellinen merkitys anturi elementin mitoituksessa.

;' _ · Esimerkki tiheästi reikäisen piikerroksen 6 muodostamisesta on kuvattu mm. julkaisussa i Y. Kageyama, T. Tsuchiya, H. Fuanbashi, and J. Sakata: ’’Polycrystalline silicon thin 25 films with hydrofluoric acid permeability for underlying oxide etching and vacuum encapsulation” J. Vac. Sci Technol. A 18(4), Jul/Aug 2000. Oleellista kerrokselle 6 on, että siinä olevat reiät ovat kooltaan hyvin pieniä (keskimääräiseltä suuruudeltaan alle 10 y nm kokoisia pienimmältä läpimitaltaan).

; * 30 Metallointi 8 ja 9 tekee sähköisen kontaktin kerroksiin 3 ja 7. Parhaiten metalloinniksi 8 ja 9 sopii noin 1000 nm:n paksuinen sputteroitu alumiinikalvo. Alue 10 komponentin keskialueella on alipaineinen. Paine-ero alueen 10 ja ympäristön välillä vaikuttaa 5 112644 kalvojen 6 ja 7 taipuman suuruuteen. Alueen 10 muotoja koko yhdessä kalvojen 6 ja 7 paksuuden ja vetojännityksen suuruuden kanssa määräävät anturin käytännöllisen painealueen.

5 Rakenteessa päällimmäisenä oleva passivointikerros 11 on parhaiten piinitridiä tai piinitridistä ja piidioksidista koostuva monikerrosrakenne. Tyypillinen paksuus passivoinnille 11 on noin 500 nm.

Kuvion 2 paineanturissa on oikeassa alareunassa olevaan kontaktialueeseen kytketty 10 kaikkien anturielementtien alaelektrodit rinnan. Vastaavasti kaikki yläelektrodit on kytketty metalloinnilla vasemman ylälaidan kontaktialueeseen. Näin kyseisten alaelektrodikontaktin ja yläelektrodikontaktin välillä näkyy kaikkien elementtien kokonaiskapasitanssi, jonka arvo riippuu ympäröivän väliaineen ja anturin sisäisen alipaineisen alueen paine-erosta. Mitatun kapasitanssin avulla voidaan siten määrittää 15 vallitseva ympäristön paine kun anturin kalibrointitiedot tunnetaan.

Anturista mitattava kapasitanssi riippuu aktiivisen alueen muuttuvan kapasitanssin lisäksi myös rakenteessa välttämättä olevasta ns. hajakapasitanssista. Yleisesti ottaen rakenteesta mitatun hajakapasitanssin arvo riippuu komponentin lämpötilasta ja 20 esimerkiksi ympäristön kosteudesta. Koska yksittäisen komponentin mittauksessa ei yleensä ottaen voida erottaa hyötykapasitanssin arvoa hajakapasitanssista, on edullista ‘ integroida samalle piipalalle myös erillinen rakenne, jonka avulla hajakapasitanssien t' . ( vaikutus mitattuun paineeseen saadaan eliminoitua. Tällaiseksi ns. referenssirakenteeksi , · ·, käy parhaiten mittaavan anturin kanssa rakenteellisesti mahdollisimman samankaltainen 25 paineesta riippumaton rakenne, jonka kapasitanssi riippuu ympäristöolosuhteista (esim. lämpötila j a kosteus) muuten samalla tavalla kuin painetta mittaava rakenne.

I « · ' . Alan asiantuntijalle on luonnollisesti selvää että referenssikapasitanssi voidaan tehdä myös erilliselle piipalalle, jolloin täydellisen referenssin sisältävän painetta mittaavan ,;, 30 anturin integrointi voidaan hoitaa pakkausteknisesti.

6 112644

Kuviossa 3 on esitetty keksinnön mukaisen referenssirakenne-elementin poikkileikkaus. Kuvan mukaisesti on uhrautuvasta kerroksesta jätetty alueelle 10 saarekkeita 14, jotka koostuvat kerroksista 4 ja 5. Saarekkeiden tarkoituksena on poistaa referenssianturin kapasitanssin paineriippuvuus jäykistämällä niiden avulla yläelektrodia. Tyypillisesti 5 vaadittavien esimerkiksi poikkileikkaukseltaan ympyrän muotoisten saarekkeiden koko on halkaisijaltaan 1 pm -10 pm. Määrältään kerroksista 6 ja 7 koostuvan yläelektrodin jäykkyyttä (paineherkkyyttä pienentäviä) saarekkeita voi olla 1-100/elementti. Mitoituksellisesti on oleellista, että yksittäisen referenssianturielementin alueeseen 10 muodostettujen saarekkeiden pinta-ala on oleellisesti pienempi kuin anturielementin 10 kokonaispinta-ala, jolloin referenssianturielementin on mahdollisimman samankaltainen varsinaisen painetta mittaavan elementin kanssa lukuun ottamatta sen inerttisyyttä paineen vaihteluille.

Muita keinoja vähentää referenssianturin paineherkkyyttä ovat kerroksen 6 paksuuden 15 kasvattaminen ja kalvojen 6 ja 7 sisäisen vetojännitysten kasvattaminen suhteessa painetta mittaaviin elementteihin.

Kuviossa 4 on esitetty paineanturin referenssialue päältä katsottuna. Kuvan referenssielementeissä on uhrautuvan kerroksen vapaaksi etsatulla alueella (10) 16 20 tukipylvästä jäykistämässä kerroksista 6 ja 7 muodostettua membraania.

' ". Asiantuntijalle on itsestään selvää, että rakenteeseen voidaan lisätä myös ylä- ja alaelektrodien välille myös ns. quard elektrodi jota voidaan käyttää esimerkiksi ···, pintavuotovirroista aiheutuvien epätarkkuuksien eliminointiin. Asiantuntijalle on myös 25 itsestään selvää että, alimmainen monikiteinen piikalvo (alaelektrodi) 3 ja eristekalvo 2 , ·. voidaan jättää rakenteesta pois, mikäli alaelektrodina halutaan käyttää pelkkää •' ”. piisubstraattia.

7 112644

VAIHTOEHTOINEN RAKENNE

Muuttuvan kapasitanssin osuutta kokonaiskapasitansissa voidaan lisätä tekemällä elementit paksummaksi keskialueeltaan. Ulkoisen paineen vaikutuksesta taipuva kalvo 5 taipuu rakenteessa enemmän reunoilta kuin keskialueelta. Keskialue pysyy paineesta riippumatta lähes laattamaisena koko painealueella, jolloin muuttuvan kapasitanssin osuus kokonaiskapasitanssista kasvaa. Kuvion 6 paksunnos 12 on (kuten kerros 7) käytännön komponentissa edullisimmin monikiteistä piitä.

10 Taipuvan kalvon paksunnos voidaan tehdä myös ennen reikäisen polypiikalvon kasvatusta. Tällöin se on kuitenkin kuvioitava reikäiseksi, jotta uhrautuva kerros saataisiin tehokkaasti syövytettyä sen alta pois.

Perusrakennetta (kuvio 3) voidaan myös parantaa ulottamalla kerros 5 koko taipuvan 15 membraanin alueelle. Kuviossa 7 on esitetty poikkileikkaus kyseisestä rakennevariaatiosta. Rakenteessa on lisätty membraanin jäykkyyttä kerroksella 5, joka on edullisimmillaan samaa ainetta kerroksen 7 kanssa (monikiteistä piitä). Jotta uhrautuvan kerroksen etsaus onnistuisi tässä rakenteessa, on kerrokseen 5 tehtävä yksi tai useampia reikiä 13.

• 20 • , Vaihtoehtoiseksi rakenteeksi voidaan tulkita myös rakenne, jossa alimmainen monikiteinen piikalvo (alaelektrodi) 3 ja eristekalvo 2 jätetään pois. Tällöin alaelektrodina voidaan käyttää johtavaksi seostettua piisubstraattia 1.

25 ANTURIN MITOITUKSESTA

· . Anturin mitoitus voidaan suorittaa (kalvojen paksuudet geometria ja jännitykset) käyttäen hyväksi markkinoilla olevia kaupallisia fem-ohjelmistoja. Yksinkertaisessa . tapauksessa, joissa taipuvat alueet anturi elementeissä ovat rakenteeltaan ympyrän 30 muotoisia, voidaan mitoituksessa käyttää alla olevia analyyttisia ratkaisuja [3].

8 112644

Ympyränmuotoisen kalvon taipuma (rumpukalvo): Z(r) = 1 — —γ 4-a-h\_ R2 5 missä p = paine R = vapaaksi etsatun alueen säde σ = kalvon vetojännitys h = taipuvan kalvon paksuus r = etäisyys kalvon keskipisteestä 10

Esim. P = l*105Pa h = 1 pm (taipuvan polypiikalvon paksuus) σ ( 3000 ppm:n venymällä) = 0.03*160 *109 Pa (kalvon vetojännitys, kun polypii lämpökäsitelty 700 C, lh) 15 => Z(0) = 0.5 pm kun R= 98 pm (eli kalvon taipuma puolet ilmaraosta kun paine on 1*105 Paja uhrautuvan kerroksen paksuus d,, on lpm).

. t · Esimerkin mukaisesti neliömillin pinta-alalle mahtuu n. 25 elementtiä :· 20

Anturin kapasitanssi (nelementtiä) paineen funktiona: ^ *f Ι-Ν-ε-π-r ^ •=I—p-ru

1-TJ

“ Α-σ-hy R2) 9 112644

Valmistusprosessia kuvataan kuvion 8 pohjalta luettelemalla menetelmävaiheet suoritusj ärj estyksessä: 1. Oksidin kasvatus 2. Amorfisen piin kasvatus (esimerkiksi in situ booriseostus) 3. Lämpökäsittely 4. Polypiin kuviointi 5. Uhrautuvan kerroksen kasvatus (LTO) 6. Amorfisen piin kasvatus ( esimerkiksi in situ booriseostus) 7. Amorfisen piin kuviointi 8. Amorfisen piin kasvatus (booriseostus, reikäinen/huokoinen, 100 nm) 9. Lämpökäsittely 10. Uhrautuvan kerroksen etsaus 11. Polypiin kasvatus (esimerkiksi in situ booriseostus) 12. Polypiin kuviointi 13. LTO:n kuviointi 14. Metallointi 15. Metallin kuviointi . . 16. PECVD- nitridin kasvatus .! ' 17. PECVD- nitridin kuviointi • · · Viitteet: • · ’ 1. K Kasten et ai.; Sensors and Actuators A, Voi. 85 (2000) 147-152 2. Y. Kageyama, T. Tsuchiya, H. Fuanbashi, and J. Sakata: ’’Polycrystalline silicon thin films with hydrofluoric acid permeability for underlying oxide etching and : vacuum encapsulation” J. Vac. Sci Technol. A 18(4), Jul/Aug 2000 L 3. George S. K. Wong et ai, AIP Handbook of Condenser Microphones, Theory,

Calibration and Measuremets; AIP Press, New York, 1995, pp 41-42.

Claims

1. Kapasitiivinen paineanturirakenne erityisesti absoluuttipaineen mittausta varten, joka anturi käsittää ainakin yhden kiinteän elektrodin (3), - ainakin yhden kiinteästä elektrodista (3) sähköisesti eristetyn liikkuvan elektrodin (6, 7), joka on sijoitettu välimatkan (10) päähän kiinteästä elektrodista (3), tunnettu siitä, että - osa liikkuvasta elektrodista (6, 7) on muodostettu huokoisesta monikiteisestä piikalvosta (6), joka jää valmiissa komponentissa osaksi taipuvaa elektrodia (6, 7), jolloin piikalvon (6) huokoset ovat keskimääräiseltä suuruudeltaan alle 10 nm kokoisia pienimmältä läpimitaltaan.

2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen absoluuttipaineanturirakenne, tunnettu siitä, että alipaineisen alueen (10) reunoille on jätetty uhrautuvan kerroksen materiaalia (4), jolloin materiaalin poistoa ei viedä lateraalisessa suunnassa loppuun.

3. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen anturirakenne, tunnettu siitä, että , ‘ huokoisen monikiteisen piikalvon (6) alla on rakennetta jäykistämässä yhtenäinen '/ * piikalvo (5), jossa on reikiä (13).

4. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen anturirakenne, tunnettu siitä, että referenssinä toimivan elementin alipaineiselle alueelle (10) on jätetty uhrautuvaa ‘ ’ kerrosta poistamatta saarekkeisilta alueilta (14).

5. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen anturirakenne, tunnettu siitä, että taipuvan kalvon (6, 7) keskelle on tehty paksunnos (12), joka jäykistää rakennetta keskialueelta. 112644

6. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen anturirakenne, tunnettu siitä, että taipuvan huokoisen monikiteisen piikalvon kalvon (6) päällä on monikiteinen piikalvo (7) siten, että syntyvä kerrosrakenne on kaasua läpäisemätön.

7. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen anturirakenne, tunnettu siitä, että anturirakenne muodostuu useista yksittäisistä anturielementeistä, jotka on kytketty rinnan tai sarjaan keskenään.

8. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen anturirakenne, tunnettu siitä, että anturirakenne on valmistettu piimikromekaanisin menetelmin.

9. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen anturirakenne, tunnettu siitä, että anturirakenne on absoluuttipaineanturi.

10. Menetelmä sellaisen kapasitiivinen paineanturirakenteen, erityisesti absoluuttipaineen mittausta varten tarkoitetun anturin valmistamiseksi, joka anturi käsittää , ; - ainakin yhden kiinteän elektrodin (3), - ainakin yhden kiinteästä elektrodista (3) sähköisesti eristetyn liikkuvan : · elektrodin (6, 7), joka on sijoitettu välimatkan (10) päähän kiinteästä elektrodista Oi (3), :: tunnettu siitä, että t t ’ · · ’ - osa liikkuvasta elektrodista (6, 7) on muodostetaan huokoisesta monikiteisestä piikalvosta (6), joka jää valmiissa komponentissa osaksi taipuvaa elektrodia (6, 7), jolloin piikalvon (6) huokoset ovat keskimääräiseltä suuruudeltaan alle 10 nm kokoisia pienimmältä läpimitaltaan.

11. Patenttivaatimuksen 10 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että alipaineisen alueen (10) reunoille on jätetään uhrautuvan kerroksen materiaalia (4), jolloin materiaalin poistoa ei viedä lateraalisessa suunnassa loppuun. 112644 n

12. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että 1'· huokoisem monikiteisen piikalvon (6) alle on muodostettu rakennetta jäykistämään yhtenäinen piikalvo (5), jossa on reikiä (13).

13. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että referenssinä toimivan elementin alipaineiselle alueelle (10) jätetään uhrautuvaa kerrosta poistamatta saarekkeisilta alueilta (14).

14. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että taipuvan kalvon (6, 7) keskelle tehdään paksunnos (12), joka jäykistää rakennetta keskialueelta.

15. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että taipuvan huokoisen monikiteisen piikalvon kalvon (6) päälle muodostetaan monikiteinen piikalvo (7) siten, että syntyvä kerrosrakenne on kaasua läpäisemätön.

16. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että ; anturirakenne muodostetaan useista yksittäisistä anturielementeistä, jotka on kytketty rinnan tai sarjaan keskenään.

; : 17. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että ; : anturirakenne valmistetaan piimikromekaanisin menetelmin.

18. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että valmiin komponentin alipaineisen alueen kiinteä aine (4) (uhrautuva kerros) poistetaan huokoisen monikiteisen piikalvon (6) lävitse.

’ 19. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että : ; elementin suljenta on suoritettu kasvattamalla monikiteisen huokoisen piikalvon (6) :‘ päälle uhrautuvan kerroksen syövytyksen jälkeen monikiteistä piitä (7), siten että anturielementin sisään jää kasvatuksen aikainen alipaine. 112644