JPH06163939A - 半導体圧力センサ及びその製造方法 - Google Patents
半導体圧力センサ及びその製造方法Info
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- JPH06163939A JPH06163939A JP31207992A JP31207992A JPH06163939A JP H06163939 A JPH06163939 A JP H06163939A JP 31207992 A JP31207992 A JP 31207992A JP 31207992 A JP31207992 A JP 31207992A JP H06163939 A JPH06163939 A JP H06163939A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 単一のダイアフラムに、ピエゾ抵抗型半導体
圧力センサと容量型半導体圧力センサの感圧機能を持た
せることにより、ピエゾ抵抗部分での広範囲の圧力測定
と、容量部分での、特定圧力範囲の微細な圧力変化の高
精度の測定ができる、コンパクトな半導体圧力センサを
提供する。 【構成】 単一の薄肉ダイアフラム109上に、ピエゾ抵
抗型半導体圧力センサの感圧部となるピエゾ抵抗（図示
されていない）及びそれらを接続する低抵抗領域104b
と、容量型半導体圧力センサの平板コンデンサの可動電
極114となる低抵抗領域104aとを設け、ダイアフラム119
上の空隙110を介して、平板コンデンサの固定電極113と
なるポリシリコン電極106aを設けたものである。
圧力センサと容量型半導体圧力センサの感圧機能を持た
せることにより、ピエゾ抵抗部分での広範囲の圧力測定
と、容量部分での、特定圧力範囲の微細な圧力変化の高
精度の測定ができる、コンパクトな半導体圧力センサを
提供する。 【構成】 単一の薄肉ダイアフラム109上に、ピエゾ抵
抗型半導体圧力センサの感圧部となるピエゾ抵抗（図示
されていない）及びそれらを接続する低抵抗領域104b
と、容量型半導体圧力センサの平板コンデンサの可動電
極114となる低抵抗領域104aとを設け、ダイアフラム119
上の空隙110を介して、平板コンデンサの固定電極113と
なるポリシリコン電極106aを設けたものである。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、可動ダイアフラムを
有する半導体圧力センサの構造と、その製造方法に関す
るものである。
有する半導体圧力センサの構造と、その製造方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来技術】従来から存在する、可動ダイアフラムを有
する半導体圧力センサは、容量型とピエゾ抵抗型とに大
別できる。
する半導体圧力センサは、容量型とピエゾ抵抗型とに大
別できる。
【０００３】従来の容量型半導体圧力センサとしては、
例えば、C.S.Sander, J.M.Knuttl,J.D.Meindl; "A Mono
lithic Capacitive Pressure Sensor With Pulse-Perio
d Output"; IEEE Transactions on Electron Devices.
Vol.ED-27, No.5, May 1980, pp927-930 等の文献や、
特開平２−１７７５６７号公報「半導体容量型圧力セン
サ」に示されるようなものが知られている。
例えば、C.S.Sander, J.M.Knuttl,J.D.Meindl; "A Mono
lithic Capacitive Pressure Sensor With Pulse-Perio
d Output"; IEEE Transactions on Electron Devices.
Vol.ED-27, No.5, May 1980, pp927-930 等の文献や、
特開平２−１７７５６７号公報「半導体容量型圧力セン
サ」に示されるようなものが知られている。
【０００４】これらの容量型半導体圧力センサは、ｎ型
エピタキシャル層を可動電極とし、ガラスに蒸着したア
ルミ膜を固定電極とした構造となっている。
エピタキシャル層を可動電極とし、ガラスに蒸着したア
ルミ膜を固定電極とした構造となっている。
【０００５】より詳細には、図３にその断面図を示す通
り、Ｐ型の単結晶シリコン基板103には、その下面側の
一部に圧力を導入するための圧力導入孔209が設けら
れ、その上面にダイアフラム109が形成されている。こ
の半導体基板103の上面側のダイアフラム109に対応する
位置に凹欠部210が設けられている。そして、このダイ
アフラム109と凹欠部210に挟まれた部分に形成されたエ
ピタキシャル層104cが、圧力に応じて変形するコンデン
サの可動電極114となる。このエピタキシャル層104cの
上方には透明なパイレックスガラスによって構成された
絶縁キャップ211が配置され、エピタキシャル層104cと
陽極接合されている。絶縁キャップ211の、凹欠部210に
対応した位置には、アルミ電極108cが蒸着されており、
コンデンサの固定電極113を構成する。
り、Ｐ型の単結晶シリコン基板103には、その下面側の
一部に圧力を導入するための圧力導入孔209が設けら
れ、その上面にダイアフラム109が形成されている。こ
の半導体基板103の上面側のダイアフラム109に対応する
位置に凹欠部210が設けられている。そして、このダイ
アフラム109と凹欠部210に挟まれた部分に形成されたエ
ピタキシャル層104cが、圧力に応じて変形するコンデン
サの可動電極114となる。このエピタキシャル層104cの
上方には透明なパイレックスガラスによって構成された
絶縁キャップ211が配置され、エピタキシャル層104cと
陽極接合されている。絶縁キャップ211の、凹欠部210に
対応した位置には、アルミ電極108cが蒸着されており、
コンデンサの固定電極113を構成する。
【０００６】そしてこの容量型半導体圧力センサでは、
圧力導入孔から導入される圧力の変動によって、ダイア
フラム109の固定電極113と、可動電極114によって構成
されたコンデンサの容量値が変化し、この変化量を増幅
器によって電気信号に変換することによって、圧力を電
気信号として検出することができる。
圧力導入孔から導入される圧力の変動によって、ダイア
フラム109の固定電極113と、可動電極114によって構成
されたコンデンサの容量値が変化し、この変化量を増幅
器によって電気信号に変換することによって、圧力を電
気信号として検出することができる。
【０００７】一方、従来のピエゾ抵抗型半導体圧力セン
サとしては、例えば、特開昭５１−６９６７８号公報
「圧力ゲージ」等に示されるようなものが知られてい
る。
サとしては、例えば、特開昭５１−６９６７８号公報
「圧力ゲージ」等に示されるようなものが知られてい
る。
【０００８】このピエゾ抵抗型半導体圧力センサは、バ
ンド構造が複雑な異方性をもっている半導体であるＳｉ
やＧｅの結晶に、適当な軸方向に引っ張ったり縮めたり
する一軸性の応力を加えると、異方的な抵抗変化が生じ
ることを利用して、圧力を測定するものである。
ンド構造が複雑な異方性をもっている半導体であるＳｉ
やＧｅの結晶に、適当な軸方向に引っ張ったり縮めたり
する一軸性の応力を加えると、異方的な抵抗変化が生じ
ることを利用して、圧力を測定するものである。
【０００９】より詳細には、図４にその平面図を示す通
り、単結晶シリコン基板103上面側に不純物拡散が行わ
れ、複数のピエゾ抵抗112が形成されている。そして、
これらのピエゾ抵抗112は、導体108dで電気的に接続さ
れ、ホイートストンブリッジを形成する。このピエゾ抵
抗112の下部の単結晶シリコン基板103には、下面側よ
り、点線で示す領域に、同心円状にダイアフラム109が
形成されている。
り、単結晶シリコン基板103上面側に不純物拡散が行わ
れ、複数のピエゾ抵抗112が形成されている。そして、
これらのピエゾ抵抗112は、導体108dで電気的に接続さ
れ、ホイートストンブリッジを形成する。このピエゾ抵
抗112の下部の単結晶シリコン基板103には、下面側よ
り、点線で示す領域に、同心円状にダイアフラム109が
形成されている。
【００１０】そしてこのピエゾ抵抗型半導体圧力センサ
では、ダイアフラム109に加えられた圧力の変動によっ
て、ピエゾ抵抗112の抵抗値が変化するので、圧力の変
化を抵抗値の変化として検出することができる。
では、ダイアフラム109に加えられた圧力の変動によっ
て、ピエゾ抵抗112の抵抗値が変化するので、圧力の変
化を抵抗値の変化として検出することができる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体圧力センサでは、 容量型半導体圧力センサの場合、微細な圧力変化が
検出でき、さらに温度による特性変化が非常に小さい一
方、圧力測定範囲が非常に狭い。 ピエゾ抵抗型半導体圧力センサの場合、広範囲な圧
力測定が可能な一方、測定値のばらつきが大きかった
り、温度による特性変化が大きいため、微細な圧力変化
を測定するには不向きである。 といった特徴があり、それぞれ使用に一長一短がある。
半導体圧力センサでは、 容量型半導体圧力センサの場合、微細な圧力変化が
検出でき、さらに温度による特性変化が非常に小さい一
方、圧力測定範囲が非常に狭い。 ピエゾ抵抗型半導体圧力センサの場合、広範囲な圧
力測定が可能な一方、測定値のばらつきが大きかった
り、温度による特性変化が大きいため、微細な圧力変化
を測定するには不向きである。 といった特徴があり、それぞれ使用に一長一短がある。
【００１２】例えば、自動車のエンジン制御に用いられ
る吸気圧測定用圧力センサの場合、実用領域である低圧
側は、微細な圧力レベルの測定が可能であることを要求
されるが、高圧側は、アイドリング状態であることか
ら、測定精度が低圧側に比べ多少低下しても、問題とは
ならない。
る吸気圧測定用圧力センサの場合、実用領域である低圧
側は、微細な圧力レベルの測定が可能であることを要求
されるが、高圧側は、アイドリング状態であることか
ら、測定精度が低圧側に比べ多少低下しても、問題とは
ならない。
【００１３】この条件に基づいて、従来の半導体圧力セ
ンサについて考えてみると、容量型半導体圧力センサで
は、低圧から高圧までの、広範囲の圧力変化を測定する
ことができず、ピエゾ抵抗型半導体圧力センサでは、実
使用領域である低圧側の要求する測定精度で、使用する
圧力センサを選別すると、製品歩留まりが悪くなるとい
った問題が発生する。
ンサについて考えてみると、容量型半導体圧力センサで
は、低圧から高圧までの、広範囲の圧力変化を測定する
ことができず、ピエゾ抵抗型半導体圧力センサでは、実
使用領域である低圧側の要求する測定精度で、使用する
圧力センサを選別すると、製品歩留まりが悪くなるとい
った問題が発生する。
【００１４】これらの問題を解決するには、容量型半導
体圧力センサとピエゾ抵抗型半導体圧力センサの、両方
の特性を兼ね備えた圧力センサがあれば良いが、今まで
は、容量型半導体圧力センサとピエゾ抵抗型半導体圧力
センサをそれぞれ用意しなければならず、単一の半導体
圧力センサ（ダイアフラム）で、上記機能を満足するも
のは存在しなかった。
体圧力センサとピエゾ抵抗型半導体圧力センサの、両方
の特性を兼ね備えた圧力センサがあれば良いが、今まで
は、容量型半導体圧力センサとピエゾ抵抗型半導体圧力
センサをそれぞれ用意しなければならず、単一の半導体
圧力センサ（ダイアフラム）で、上記機能を満足するも
のは存在しなかった。
【００１５】この発明は、上記した問題点を解決するた
めに、単一のダイアフラムで構成され、高精度な測定を
必要とする圧力範囲は容量型半導体圧力センサにより測
定し、精度をあまり必要としない広い圧力範囲の測定
は、ピエゾ抵抗型半導体圧力センサによって測定する半
導体圧力センサを、提供することを目的とする。
めに、単一のダイアフラムで構成され、高精度な測定を
必要とする圧力範囲は容量型半導体圧力センサにより測
定し、精度をあまり必要としない広い圧力範囲の測定
は、ピエゾ抵抗型半導体圧力センサによって測定する半
導体圧力センサを、提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】この発明は、半導体圧力
センサにおいて、同一の薄肉ダイアフラム上にピエゾ抵
抗と、平板コンデンサの一方の電極を同時に設け、ダイ
アフラム上に、所定の距離を置いて、平板コンデンサの
他方の電極を設けたものである。
センサにおいて、同一の薄肉ダイアフラム上にピエゾ抵
抗と、平板コンデンサの一方の電極を同時に設け、ダイ
アフラム上に、所定の距離を置いて、平板コンデンサの
他方の電極を設けたものである。
【００１７】より詳細には、単一の半導体圧力センサ
に、半導体基板と、前記基板に形成されたダイアフラム
と、前記ダイアフラムに形成されたピエゾ抵抗型半導体
圧力センサのピエゾ抵抗と、前記ダイアフラムに形成さ
れた容量形半導体圧力センサのコンデンサの可動電極
と、前記コンデンサの可動電極と電気的に絶縁して形成
された前記容量形半導体圧力センサのコンデンサの固定
電極とを設けたものである。
に、半導体基板と、前記基板に形成されたダイアフラム
と、前記ダイアフラムに形成されたピエゾ抵抗型半導体
圧力センサのピエゾ抵抗と、前記ダイアフラムに形成さ
れた容量形半導体圧力センサのコンデンサの可動電極
と、前記コンデンサの可動電極と電気的に絶縁して形成
された前記容量形半導体圧力センサのコンデンサの固定
電極とを設けたものである。
【００１８】あるいは半導体圧力センサの製造方法とし
て、シリコン半導体基板に、不純物拡散技術を用い、不
純物を選択的に拡散させ、容量型半導体圧力センサのコ
ンデンサの可動電極となる第１の低抵抗領域と、ピエゾ
抵抗型半導体圧力センサのピエゾ抵抗及び前記ピエゾ抵
抗を外部端子と接続するための拡散リードとなる第２の
低抵抗領域を同時に形成する工程と、前記シリコン半導
体基板表面に窒化シリコン膜を形成する工程と、前記シ
リコン半導体基板の上側表面の前記シリコン窒化膜上
に、ＣＶＤ技術を用いて第１の酸化シリコン膜を形成
し、ホトリソグラフィー技術を用いて、前記第１の酸化
シリコン膜を選択的除去する工程と、残存した前記第１
の酸化シリコン膜の上面にポリシリコン膜を形成し、前
記第１の酸化シリコン膜を覆う工程と、前記ポリシリコ
ン膜に、不純物拡散技術を用いて不純物を拡散し、前記
ポリシリコン膜を低抵抗化して、前記容量型半導体圧力
センサのコンデンサの固定電極を形成する工程と、前記
シリコン半導体基板の下側表面の前記窒化シリコン膜
を、ホトリソグラフィー技術を用いて、少なくとも前記
第１の酸化シリコン膜と対応した領域を選択的に除去
し、残った前記窒化シリコン膜パターンをマスクとし
て、異方性エッチングを行い、前記シリコン半導体基板
の前記第１及び第２の低抵抗領域がある領域下に、ダイ
アフラムを形成する工程と、ホトリソグラフィー技術を
用いて、前記第１の酸化シリコン膜上の前記ポリシリコ
ン膜を一部除去し、エッチング液を用いて前記第１の酸
化シリコン膜を除去し、空隙を形成する工程とを行うも
のである。
て、シリコン半導体基板に、不純物拡散技術を用い、不
純物を選択的に拡散させ、容量型半導体圧力センサのコ
ンデンサの可動電極となる第１の低抵抗領域と、ピエゾ
抵抗型半導体圧力センサのピエゾ抵抗及び前記ピエゾ抵
抗を外部端子と接続するための拡散リードとなる第２の
低抵抗領域を同時に形成する工程と、前記シリコン半導
体基板表面に窒化シリコン膜を形成する工程と、前記シ
リコン半導体基板の上側表面の前記シリコン窒化膜上
に、ＣＶＤ技術を用いて第１の酸化シリコン膜を形成
し、ホトリソグラフィー技術を用いて、前記第１の酸化
シリコン膜を選択的除去する工程と、残存した前記第１
の酸化シリコン膜の上面にポリシリコン膜を形成し、前
記第１の酸化シリコン膜を覆う工程と、前記ポリシリコ
ン膜に、不純物拡散技術を用いて不純物を拡散し、前記
ポリシリコン膜を低抵抗化して、前記容量型半導体圧力
センサのコンデンサの固定電極を形成する工程と、前記
シリコン半導体基板の下側表面の前記窒化シリコン膜
を、ホトリソグラフィー技術を用いて、少なくとも前記
第１の酸化シリコン膜と対応した領域を選択的に除去
し、残った前記窒化シリコン膜パターンをマスクとし
て、異方性エッチングを行い、前記シリコン半導体基板
の前記第１及び第２の低抵抗領域がある領域下に、ダイ
アフラムを形成する工程と、ホトリソグラフィー技術を
用いて、前記第１の酸化シリコン膜上の前記ポリシリコ
ン膜を一部除去し、エッチング液を用いて前記第１の酸
化シリコン膜を除去し、空隙を形成する工程とを行うも
のである。
【００１９】あるいは半導体圧力センサの製造方法とし
て、半導体基板に、不純物拡散技術を用い、不純物を選
択的に拡散させ、ピエゾ抵抗型圧力センサのピエゾ抵抗
となる第１の低抵抗領域を形成する工程と、前記第１の
低抵抗領域上に、前記第１の低抵抗領域と絶縁して、容
量型半導体圧力センサのコンデンサの可動電極となる第
１の導電性膜を形成する工程と、前記第１の導電性膜と
電気的に絶縁して、前記容量型半導体圧力センサのコン
デンサの固定電極となる第２の導電性膜を形成する工程
と、前記半導体基板の前記第１の低抵抗領域及び前記第
１の導電性膜がある領域下に、ダイアフラムを形成する
工程とを行うものである。
て、半導体基板に、不純物拡散技術を用い、不純物を選
択的に拡散させ、ピエゾ抵抗型圧力センサのピエゾ抵抗
となる第１の低抵抗領域を形成する工程と、前記第１の
低抵抗領域上に、前記第１の低抵抗領域と絶縁して、容
量型半導体圧力センサのコンデンサの可動電極となる第
１の導電性膜を形成する工程と、前記第１の導電性膜と
電気的に絶縁して、前記容量型半導体圧力センサのコン
デンサの固定電極となる第２の導電性膜を形成する工程
と、前記半導体基板の前記第１の低抵抗領域及び前記第
１の導電性膜がある領域下に、ダイアフラムを形成する
工程とを行うものである。
【００２０】
【作用】この発明の半導体圧力センサは、一つのダイア
フラムに、ピエゾ抵抗型半導体圧力センサと容量型半導
体圧力センサの感圧機能を持たせることにより、単一の
半導体圧力センサの、同一のダイアフラムの容量変化と
抵抗変化によって、圧力の変化を感知し、ピエゾ抵抗部
分での広範囲の圧力測定と、容量部分での特定圧力範囲
の高精度な圧力測定を行う。
フラムに、ピエゾ抵抗型半導体圧力センサと容量型半導
体圧力センサの感圧機能を持たせることにより、単一の
半導体圧力センサの、同一のダイアフラムの容量変化と
抵抗変化によって、圧力の変化を感知し、ピエゾ抵抗部
分での広範囲の圧力測定と、容量部分での特定圧力範囲
の高精度な圧力測定を行う。
【００２１】そして、この発明の半導体圧力センサの製
造方法は、容量型半導体圧力センサのコンデンサの可動
電極となる低抵抗領域と、ピエゾ抵抗型半導体圧力セン
サのピエゾ抵抗及び前記ピエゾ抵抗を外部端子と接続す
るための拡散リードとなる低抵抗領域を同時に形成する
ので、工程数を削減できる。
造方法は、容量型半導体圧力センサのコンデンサの可動
電極となる低抵抗領域と、ピエゾ抵抗型半導体圧力セン
サのピエゾ抵抗及び前記ピエゾ抵抗を外部端子と接続す
るための拡散リードとなる低抵抗領域を同時に形成する
ので、工程数を削減できる。
【００２２】また、この発明の半導体圧力センサの製造
方法は、基板上に容量形半導体圧力センサの可動電極と
なる導電性膜を設けているので、導電性膜のシート抵抗
の値をピエゾ抵抗よりも小さくすることができる。
方法は、基板上に容量形半導体圧力センサの可動電極と
なる導電性膜を設けているので、導電性膜のシート抵抗
の値をピエゾ抵抗よりも小さくすることができる。
【００２３】
【実施例】図１及び図２に、この発明の第１の実施例で
ある、半導体圧力センサの構造と、その製造方法を示
す。図１は、第１の実施例の半導体圧力センサの、シリ
コンチップにおけるシリコン・ダイアフラム周辺部の構
造を示した平面図であり、図２（ａ）〜（ｅ）は、その
製造方法を図１中のA-A'断面で示した、工程断面図であ
る。
ある、半導体圧力センサの構造と、その製造方法を示
す。図１は、第１の実施例の半導体圧力センサの、シリ
コンチップにおけるシリコン・ダイアフラム周辺部の構
造を示した平面図であり、図２（ａ）〜（ｅ）は、その
製造方法を図１中のA-A'断面で示した、工程断面図であ
る。
【００２４】図１に示す半導体圧力センサは、裏面に点
線で示すダイアフラム109を有する、（１００）の結晶
方向の単結晶シリコン基板103平面上に、Ｐ型不純物で
あるボロンを、2.0×1020程度拡散した低抵抗領域104
a，104bを有する。低抵抗領域104aは、容量型圧力セン
サのコンデンサの可動電極114であり、低抵抗領域104b
は、これらの低抵抗領域と同時に形成されたピエゾ抵抗
112を、アルミ電極108と接続するためのリードである。
そして、これら構成の上部には、空隙110を介して、網
掛けで示された、容量型圧力センサのコンデンサの他方
の固定電極113となるポリシリコン電極106が形成されて
いる。
線で示すダイアフラム109を有する、（１００）の結晶
方向の単結晶シリコン基板103平面上に、Ｐ型不純物で
あるボロンを、2.0×1020程度拡散した低抵抗領域104
a，104bを有する。低抵抗領域104aは、容量型圧力セン
サのコンデンサの可動電極114であり、低抵抗領域104b
は、これらの低抵抗領域と同時に形成されたピエゾ抵抗
112を、アルミ電極108と接続するためのリードである。
そして、これら構成の上部には、空隙110を介して、網
掛けで示された、容量型圧力センサのコンデンサの他方
の固定電極113となるポリシリコン電極106が形成されて
いる。
【００２５】この図１に示した半導体圧力センサは、以
下の工程によって製造される。まず図２（ａ）に示すよ
うに、（１００）の結晶方向を有する、Ｎ型の単結晶シ
リコン基板103に、公知の不純物拡散技術を用い、Ｐ型
不純物であるボロンを2.0×1020程度、選択的に拡散さ
せ、容量型圧力センサのコンデンサの可動電極114とな
る低抵抗領域104a，ピエゾ抵抗112，及びこのピエゾ抵
抗112を外部端子と接続するための拡散リードとなる低
抵抗領域104bを、同時に形成する。この後、単結晶シリ
コン基板103表面に酸化シリコン膜102を形成し、更にそ
の表面上に、化学気相成長法（ＣＶＤ）技術を用いて窒
化シリコン膜101を形成する。
下の工程によって製造される。まず図２（ａ）に示すよ
うに、（１００）の結晶方向を有する、Ｎ型の単結晶シ
リコン基板103に、公知の不純物拡散技術を用い、Ｐ型
不純物であるボロンを2.0×1020程度、選択的に拡散さ
せ、容量型圧力センサのコンデンサの可動電極114とな
る低抵抗領域104a，ピエゾ抵抗112，及びこのピエゾ抵
抗112を外部端子と接続するための拡散リードとなる低
抵抗領域104bを、同時に形成する。この後、単結晶シリ
コン基板103表面に酸化シリコン膜102を形成し、更にそ
の表面上に、化学気相成長法（ＣＶＤ）技術を用いて窒
化シリコン膜101を形成する。
【００２６】次に図２（ｂ）に示すように、単結晶シリ
コン基板103上面のシリコン窒化膜101上に、ＣＶＤ技術
を用いて酸化シリコン膜105を所定の膜厚で形成し、ホ
トリソグラフィー技術を用いて、後工程の処理によって
薄肉ダイアフラムが形成される領域をカバーする部分の
みを、選択的に残存させる。この残存した酸化シリコン
膜105の膜厚が、容量型圧力センサのコンデンサの、電
極間の空隙となる。
コン基板103上面のシリコン窒化膜101上に、ＣＶＤ技術
を用いて酸化シリコン膜105を所定の膜厚で形成し、ホ
トリソグラフィー技術を用いて、後工程の処理によって
薄肉ダイアフラムが形成される領域をカバーする部分の
みを、選択的に残存させる。この残存した酸化シリコン
膜105の膜厚が、容量型圧力センサのコンデンサの、電
極間の空隙となる。
【００２７】更に、酸化シリコン膜105の上面にポリシ
リコン膜106を形成し、酸化シリコン膜105を覆う。そし
て、このポリシリコン膜106に、不純物拡散技術を用い
て、リン等の不純物を高濃度に拡散し、ポリシリコン膜
106を低抵抗化する。
リコン膜106を形成し、酸化シリコン膜105を覆う。そし
て、このポリシリコン膜106に、不純物拡散技術を用い
て、リン等の不純物を高濃度に拡散し、ポリシリコン膜
106を低抵抗化する。
【００２８】次に図２（ｃ）に示すように、通常のコン
タクトホール形成技術を用いて、基板上側の窒化シリコ
ン膜101と酸化シリコン膜102に、単結晶シリコン基板10
3に達するコンタクトホール111を形成する。この後、こ
の基板の上側表面にアルミ膜を蒸着し、このアルミ膜を
パターニングして、コンタクトホール111底部で単結晶
シリコン基板と電気的に接続されたアルミ電極108aと、
同じくポリシリコン膜106と電気的に接続されたアルミ
電極108bを形成する。
タクトホール形成技術を用いて、基板上側の窒化シリコ
ン膜101と酸化シリコン膜102に、単結晶シリコン基板10
3に達するコンタクトホール111を形成する。この後、こ
の基板の上側表面にアルミ膜を蒸着し、このアルミ膜を
パターニングして、コンタクトホール111底部で単結晶
シリコン基板と電気的に接続されたアルミ電極108aと、
同じくポリシリコン膜106と電気的に接続されたアルミ
電極108bを形成する。
【００２９】更に、このアルミ電極108a，108bを形成し
た基板の上側表面全体に、ＣＶＤ技術を用いて、窒化シ
リコン膜107を形成する。
た基板の上側表面全体に、ＣＶＤ技術を用いて、窒化シ
リコン膜107を形成する。
【００３０】次に図２（ｄ）に示すように、この基板の
下側表面の窒化シリコン膜101を、ホトリソグラフィー
技術を用いて選択的に除去し、残った窒化シリコン膜10
1パターンをマスクとして、ＫＯＨ水溶液を用いたアル
カリ異方性エッチングを行い、厚さが２０〜３０μｍ程
度の薄肉ダイアフラム109を形成する。
下側表面の窒化シリコン膜101を、ホトリソグラフィー
技術を用いて選択的に除去し、残った窒化シリコン膜10
1パターンをマスクとして、ＫＯＨ水溶液を用いたアル
カリ異方性エッチングを行い、厚さが２０〜３０μｍ程
度の薄肉ダイアフラム109を形成する。
【００３１】次に図２（ｅ）に示すように、ホトリソグ
ラフィー技術を用いて、酸化シリコン膜105上の窒化シ
リコン膜107とポリシリコン膜106を一部除去し、弗酸系
のエッチング液を用いて酸化シリコン膜105を除去し、
空隙110を形成する。この図では、容量型圧力センサの
コンデンサの他方の固定電極113となるポリシリコン電
極106aは、シリコン窒化膜101に両側で接するポリシリ
コン膜106の片側を除去した、片持梁の構造に見える
が、図１の網掛け領域で示される通り、方形のポリシリ
コン膜106を各辺の中央付近に設けた梁で支える構造と
なっている。 なお、この断面図中に記された低抵抗領
域104aは容量型半導体圧力センサの可動電極114であ
り、低抵抗領域104bはピエゾ抵抗112およびピエゾ抵抗1
12をブリッジ接続するために形成された拡散リードであ
る。
ラフィー技術を用いて、酸化シリコン膜105上の窒化シ
リコン膜107とポリシリコン膜106を一部除去し、弗酸系
のエッチング液を用いて酸化シリコン膜105を除去し、
空隙110を形成する。この図では、容量型圧力センサの
コンデンサの他方の固定電極113となるポリシリコン電
極106aは、シリコン窒化膜101に両側で接するポリシリ
コン膜106の片側を除去した、片持梁の構造に見える
が、図１の網掛け領域で示される通り、方形のポリシリ
コン膜106を各辺の中央付近に設けた梁で支える構造と
なっている。 なお、この断面図中に記された低抵抗領
域104aは容量型半導体圧力センサの可動電極114であ
り、低抵抗領域104bはピエゾ抵抗112およびピエゾ抵抗1
12をブリッジ接続するために形成された拡散リードであ
る。
【００３２】この実施例では、容量型半導体圧力センサ
の動作領域を低圧側と限定したが、ダイアフラム厚ある
いは、固定電極と可動電極であるダイアフラムの間隔の
設定を変えることにより、前記容量型半導体圧力センサ
の動作領域を、高圧側等、任意に設定することができ
る。
の動作領域を低圧側と限定したが、ダイアフラム厚ある
いは、固定電極と可動電極であるダイアフラムの間隔の
設定を変えることにより、前記容量型半導体圧力センサ
の動作領域を、高圧側等、任意に設定することができ
る。
【００３３】そして、この実施例では、容量型半導体圧
力センサの可動電極部を、ピエゾ抵抗と同時に形成して
いるが、別途形成してもよい。例えば、ピエゾ抵抗を形
成したシリコン基板上に多結晶シリコンなどの導電性膜
を設け、ｎ型不純物を高濃度に拡散すれば、ピエゾ抵抗
よりもシート抵抗が低下する。さらに絶縁膜を介して、
固定電極である多結晶シリコン層を設けるようにすれ
ば、本実施例よりも容量型半導体圧力センサの性能が向
上する。
力センサの可動電極部を、ピエゾ抵抗と同時に形成して
いるが、別途形成してもよい。例えば、ピエゾ抵抗を形
成したシリコン基板上に多結晶シリコンなどの導電性膜
を設け、ｎ型不純物を高濃度に拡散すれば、ピエゾ抵抗
よりもシート抵抗が低下する。さらに絶縁膜を介して、
固定電極である多結晶シリコン層を設けるようにすれ
ば、本実施例よりも容量型半導体圧力センサの性能が向
上する。
【００３４】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、同一のダイ
アフラムに、ピエゾ抵抗型半導体圧力センサと容量型半
導体圧力センサの感圧機能を持たせることにより、ピエ
ゾ抵抗部分で広範囲の圧力測定ができるとともに、容量
部分で、特定圧力範囲の微細な圧力変化を精度よく測定
できる。
アフラムに、ピエゾ抵抗型半導体圧力センサと容量型半
導体圧力センサの感圧機能を持たせることにより、ピエ
ゾ抵抗部分で広範囲の圧力測定ができるとともに、容量
部分で、特定圧力範囲の微細な圧力変化を精度よく測定
できる。
【００３５】更に、容量型半導体圧力センサの圧力検出
パターンと、ピエゾ抵抗型半導体圧力センサの圧力検出
パターンを持っているために、容量型半導体圧力センサ
の動作圧力範囲内では、圧力の測定結果を、ピエゾ抵抗
型半導体圧力センサによるアナログの電圧レベルと、容
量型半導体圧力センサによる周波数とで、同時に出力す
ることができるために、多次元の制御信号として利用で
きる。
パターンと、ピエゾ抵抗型半導体圧力センサの圧力検出
パターンを持っているために、容量型半導体圧力センサ
の動作圧力範囲内では、圧力の測定結果を、ピエゾ抵抗
型半導体圧力センサによるアナログの電圧レベルと、容
量型半導体圧力センサによる周波数とで、同時に出力す
ることができるために、多次元の制御信号として利用で
きる。
【００３６】しかし、上記の効果は、容量型と抵抗型の
２種類のセンサを併用すれば得ることができる性質のも
のであるが、この発明は更に以下の効果を有する。
２種類のセンサを併用すれば得ることができる性質のも
のであるが、この発明は更に以下の効果を有する。
【００３７】第１に、容量型半導体圧力センサと抵抗型
半導体圧力センサで同一の圧力を測定する際に、同一の
ダイアフラムの容量変化と抵抗変化によって圧力の変化
を感知するので、従来の容量型と抵抗型の２種類のセン
サを併用した場合には生じる、個々のダイアフラム形状
のばらつきからくる温度特性、感度ばらつきの影響を全
く受けることがない。
半導体圧力センサで同一の圧力を測定する際に、同一の
ダイアフラムの容量変化と抵抗変化によって圧力の変化
を感知するので、従来の容量型と抵抗型の２種類のセン
サを併用した場合には生じる、個々のダイアフラム形状
のばらつきからくる温度特性、感度ばらつきの影響を全
く受けることがない。
【００３８】第２に、単一のダイアフラムに二種類の圧
力センサの機能を持たせたので、パッケージを小型化す
ることができる。
力センサの機能を持たせたので、パッケージを小型化す
ることができる。
【００３９】第３に、部品点数を少なくすることができ
るので、安価で故障率の小さいセンサを提供することが
できる。
るので、安価で故障率の小さいセンサを提供することが
できる。
【図１】この発明の第１の実施例の構造を示した、平面
図である。
図である。
【図２】この発明の第１の実施例の製造方法を示した、
工程断面図である。
工程断面図である。
【図３】従来の容量型半導体圧力センサの構造を示した
断面図である。
断面図である。
【図４】従来のピエゾ抵抗型半導体圧力センサの構造を
示した平面図である。
示した平面図である。
101，107 窒化シリコン膜 102，105 酸化シリコン膜 103 単結晶シリコン基板 104a，104b 低抵抗領域 106 ポリシリコン膜 106a ポリシリコン電極 108a，108b アルミ電極 109 ダイアフラム 110 空隙 111 コンタクトホール 112 ピエゾ抵抗 113 コンデンサの固定電極 114 コンデンサの可動電極
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基板と、前記基板に形成されたダ
イアフラムと、前記ダイアフラムに形成されたピエゾ抵
抗型半導体圧力センサのピエゾ抵抗と、前記ダイアフラ
ムに形成された容量形半導体圧力センサのコンデンサの
可動電極と、前記コンデンサの可動電極と電気的に絶縁
して形成された前記容量形半導体圧力センサのコンデン
サの固定電極とを有することを特徴とする半導体圧力セ
ンサ。 - 【請求項２】 （ａ）シリコン半導体基板に、不純物拡
散技術を用い、不純物を選択的に拡散させ、容量型半導
体圧力センサのコンデンサの可動電極となる第１の低抵
抗領域と、ピエゾ抵抗型半導体圧力センサのピエゾ抵抗
及び前記ピエゾ抵抗を外部端子と接続するための拡散リ
ードとなる第２の低抵抗領域を同時に形成する工程と、
（ｂ）前記シリコン半導体基板表面に窒化シリコン膜を
形成する工程と、（ｃ）前記シリコン半導体基板の上側
表面の前記シリコン窒化膜上に、ＣＶＤ技術を用いて第
１の酸化シリコン膜を形成し、ホトリソグラフィー技術
を用いて、前記第１の酸化シリコン膜を選択的除去する
工程と、（ｄ）残存した前記第１の酸化シリコン膜の上
面にポリシリコン膜を形成し、前記第１の酸化シリコン
膜を覆う工程と、（ｅ）前記ポリシリコン膜に、不純物
拡散技術を用いて不純物を拡散し、前記ポリシリコン膜
を低抵抗化して、前記容量型半導体圧力センサのコンデ
ンサの固定電極を形成する工程と、（ｆ）前記シリコン
半導体基板の下側表面の前記窒化シリコン膜を、ホトリ
ソグラフィー技術を用いて、少なくとも前記第１の酸化
シリコン膜と対応した領域を選択的に除去し、残った前
記窒化シリコン膜パターンをマスクとして、異方性エッ
チングを行い、前記シリコン半導体基板の前記第１及び
第２の低抵抗領域がある領域下に、ダイアフラムを形成
する工程と、（ｇ）ホトリソグラフィー技術を用いて、
前記第１の酸化シリコン膜上の前記ポリシリコン膜を一
部除去し、エッチング液を用いて前記第１の酸化シリコ
ン膜を除去し、空隙を形成する工程とを有することを特
徴とする半導体圧力センサの製造方法。 - 【請求項３】 （ａ）半導体基板に、不純物拡散技術を
用い、不純物を選択的に拡散させ、ピエゾ抵抗型圧力セ
ンサのピエゾ抵抗となる第１の低抵抗領域を形成する工
程と、（ｂ）前記第１の低抵抗領域上に、前記第１の低
抵抗領域と絶縁して、容量型半導体圧力センサのコンデ
ンサの可動電極となる第１の導電性膜を形成する工程
と、（ｃ）前記第１の導電性膜と電気的に絶縁して、前
記容量型半導体圧力センサのコンデンサの固定電極とな
る第２の導電性膜を形成する工程と、（ｄ）前記半導体
基板の前記第１の低抵抗領域及び前記第１の導電性膜が
ある領域下に、ダイアフラムを形成する工程とを有する
ことを特徴とする半導体圧力センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31207992A JPH06163939A (ja) | 1992-11-20 | 1992-11-20 | 半導体圧力センサ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31207992A JPH06163939A (ja) | 1992-11-20 | 1992-11-20 | 半導体圧力センサ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06163939A true JPH06163939A (ja) | 1994-06-10 |
Family
ID=18024988
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31207992A Pending JPH06163939A (ja) | 1992-11-20 | 1992-11-20 | 半導体圧力センサ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06163939A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6184561B1 (en) * | 1998-05-29 | 2001-02-06 | Denso Corporation | Semiconductor pressure sensor having strain gauges and stress balance film |
| KR100404904B1 (ko) * | 2001-06-09 | 2003-11-07 | 전자부품연구원 | 차동 용량형 압력센서 및 그 제조방법 |
| US7181972B2 (en) * | 2004-12-27 | 2007-02-27 | General Electric Company | Static and dynamic pressure sensor |
-
1992
- 1992-11-20 JP JP31207992A patent/JPH06163939A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6184561B1 (en) * | 1998-05-29 | 2001-02-06 | Denso Corporation | Semiconductor pressure sensor having strain gauges and stress balance film |
| KR100404904B1 (ko) * | 2001-06-09 | 2003-11-07 | 전자부품연구원 | 차동 용량형 압력센서 및 그 제조방법 |
| US7181972B2 (en) * | 2004-12-27 | 2007-02-27 | General Electric Company | Static and dynamic pressure sensor |
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