JP2002190608A - 半導体力学量センサ及びその製造方法 - Google Patents
半導体力学量センサ及びその製造方法Info
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- G01P2015/0811—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining in-plane movement of the mass, i.e. movement of the mass in the plane of the substrate for one single degree of freedom of movement of the mass
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- G01P2015/0825—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass
- G01P2015/0828—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass the mass being of the paddle type being suspended at one of its longitudinal ends
Abstract
(57)【要約】
【課題】 感度を向上させた半導体力学量センサ及びそ
の製造方法を提供する。 【解決手段】 ＳＯＩ基板１を用意し、活性層１ａのう
ち構造体３となる部位において、活性層１ａの表面から
酸化膜１ｂまで達する溝４を形成する。そして、支持層
１ｃ、酸化膜１ｂ及び応力層１ｄを除去することにより
開口部２を形成して構造体３を形成する。この開口部２
において応力層１ｄは厚さｔ０．４μｍ以上除去されて
いる。この際、酸化膜１ｂを除去する場合のエッチング
条件と応力層１ｄを除去する場合のエッチング条件を変
える。
の製造方法を提供する。 【解決手段】 ＳＯＩ基板１を用意し、活性層１ａのう
ち構造体３となる部位において、活性層１ａの表面から
酸化膜１ｂまで達する溝４を形成する。そして、支持層
１ｃ、酸化膜１ｂ及び応力層１ｄを除去することにより
開口部２を形成して構造体３を形成する。この開口部２
において応力層１ｄは厚さｔ０．４μｍ以上除去されて
いる。この際、酸化膜１ｂを除去する場合のエッチング
条件と応力層１ｄを除去する場合のエッチング条件を変
える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、力学量に応じて変
位する構造体を用いた加速度センサや角速度センサ等の
半導体力学量センサ及びその製造方法に関する。
位する構造体を用いた加速度センサや角速度センサ等の
半導体力学量センサ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、加速度や圧力等の力学量を測定す
る半導体力学量センサは、ＳＯＩ基板等の貼り合わせ基
板を用いてマイクロマシニングにより製造している。図
５は、従来の半導体力学量センサ１００を示す概略断面
図である。図５に示すように、第１の半導体基板１１１
と第２の半導体基板１１２との間に酸化膜１１３が積層
された貼り合わせ基板１１０を有し、第１の半導体基板
１１１には構造体１０１が形成されている。
る半導体力学量センサは、ＳＯＩ基板等の貼り合わせ基
板を用いてマイクロマシニングにより製造している。図
５は、従来の半導体力学量センサ１００を示す概略断面
図である。図５に示すように、第１の半導体基板１１１
と第２の半導体基板１１２との間に酸化膜１１３が積層
された貼り合わせ基板１１０を有し、第１の半導体基板
１１１には構造体１０１が形成されている。
【０００３】また、この構造体１０１と対応する部位の
酸化膜１１３及び第２の半導体基板１１２がエッチング
除去されて開口部１０２となっており、構造体１０１は
例えばダイヤフラム構造となっている。なお、センサの
種類によっては構造体１０１が片持ち梁構造となる場合
もある。
酸化膜１１３及び第２の半導体基板１１２がエッチング
除去されて開口部１０２となっており、構造体１０１は
例えばダイヤフラム構造となっている。なお、センサの
種類によっては構造体１０１が片持ち梁構造となる場合
もある。
【０００４】この様な半導体力学量センサ１００は、貼
り合わせ基板１１０を用意し、第１の半導体基板１１１
の表面に回路等を作製した後、第２の半導体基板１１２
の所望の領域をエッチング除去して開口部１０２を形成
する。そして、第２の半導体基板１１２の開口部に合わ
せて酸化膜１１３を除去することにより、開口部上の第
１の半導体基板１１１が構造体１０１となる。
り合わせ基板１１０を用意し、第１の半導体基板１１１
の表面に回路等を作製した後、第２の半導体基板１１２
の所望の領域をエッチング除去して開口部１０２を形成
する。そして、第２の半導体基板１１２の開口部に合わ
せて酸化膜１１３を除去することにより、開口部上の第
１の半導体基板１１１が構造体１０１となる。
【０００５】このように、半導体力学量センサ１００に
貼り合わせ基板を用いるのは、微細な構造体１０１を作
る過程で酸化膜１１３をエッチング除去する犠牲層とし
て利用し、非常に微細で且つ狭いギャップを持つ構造体
１０１を作製したり、構造体１０１の厚さを正確に制御
したりすることができるためである。
貼り合わせ基板を用いるのは、微細な構造体１０１を作
る過程で酸化膜１１３をエッチング除去する犠牲層とし
て利用し、非常に微細で且つ狭いギャップを持つ構造体
１０１を作製したり、構造体１０１の厚さを正確に制御
したりすることができるためである。
【０００６】この様な半導体力学量センサ１００に力学
量が加わった場合、ダイヤフラム構造や片持ち梁構造に
なっている構造体１０１が微小に歪んだり移動したりし
て力学量を検出することができるようになっている。そ
して、半導体力学量センサ１００では、より高精度に力
学量を検出するために構造体１０１のより微小な変位を
検出することが求められている。
量が加わった場合、ダイヤフラム構造や片持ち梁構造に
なっている構造体１０１が微小に歪んだり移動したりし
て力学量を検出することができるようになっている。そ
して、半導体力学量センサ１００では、より高精度に力
学量を検出するために構造体１０１のより微小な変位を
検出することが求められている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来、
半導体力学量センサ１００の高精度化は達成できていな
い。図６は、構造体１０１が片持ち梁構造となっている
従来の半導体力学量センサ１００の概略断面図である。
図６に示すように、構造体１０１が開口部１０２とは反
対側に持ち上がるように反っている。
半導体力学量センサ１００の高精度化は達成できていな
い。図６は、構造体１０１が片持ち梁構造となっている
従来の半導体力学量センサ１００の概略断面図である。
図６に示すように、構造体１０１が開口部１０２とは反
対側に持ち上がるように反っている。
【０００８】例えば、加速度センサにおいては、加速度
がセンサに加わった際の構造体１０１における固定電極
と可動電極との距離の変化による容量の変化を検出して
加速度を測定する。そのため、構造体１０１が反ってし
まうと固定電極と可動電極を適切に対向させることが困
難になり、感度良く加速度の検出を行うことができな
い。
がセンサに加わった際の構造体１０１における固定電極
と可動電極との距離の変化による容量の変化を検出して
加速度を測定する。そのため、構造体１０１が反ってし
まうと固定電極と可動電極を適切に対向させることが困
難になり、感度良く加速度の検出を行うことができな
い。
【０００９】このように構造体１０１が反る原因とし
て、発明者らは構造体１０１のうちの開口部１０２側に
面している面（以下、裏面とする）に応力層１１４が形
成されているためではないかと考えた。この応力層１１
４は、第１及び第２の半導体基板１１１、１１２と酸化
膜１１３とを貼り合わせる工程等において、酸化膜１１
３から第１の半導体基板１１１に酸素が拡散することに
より形成されるものと思われる。そして、応力層１１４
では酸素の拡散により格子歪みが発生しているものと考
えられる。
て、発明者らは構造体１０１のうちの開口部１０２側に
面している面（以下、裏面とする）に応力層１１４が形
成されているためではないかと考えた。この応力層１１
４は、第１及び第２の半導体基板１１１、１１２と酸化
膜１１３とを貼り合わせる工程等において、酸化膜１１
３から第１の半導体基板１１１に酸素が拡散することに
より形成されるものと思われる。そして、応力層１１４
では酸素の拡散により格子歪みが発生しているものと考
えられる。
【００１０】また、構造体１０１が片持ち梁構造である
半導体力学量センサに限らず、ダイヤフラム構造である
圧力センサ等でも、この応力層の存在が問題となる。何
故なら、近年の半導体装置の微細化により圧力センサの
サイズが小さくなってきているため、より小さな歪みを
検出して圧力を測定する必要があるが、上述のような応
力層１１４が存在することにより正確な歪みを測定し難
くなってしまうためである。
半導体力学量センサに限らず、ダイヤフラム構造である
圧力センサ等でも、この応力層の存在が問題となる。何
故なら、近年の半導体装置の微細化により圧力センサの
サイズが小さくなってきているため、より小さな歪みを
検出して圧力を測定する必要があるが、上述のような応
力層１１４が存在することにより正確な歪みを測定し難
くなってしまうためである。
【００１１】本発明は、上記問題点に鑑み、感度を向上
させた半導体力学量センサ及びその製造方法を提供する
ことを目的とする。
させた半導体力学量センサ及びその製造方法を提供する
ことを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】発明者らは、図６に示す
半導体力学量センサ１００の高感度化を阻害する要因
が、構造体１０１の裏面に形成されている応力層１１４
であることを確認した。以下に、その方法と結果を示
す。半導体力学量センサ１００の一例として、片持ち梁
を有する半導体力学量センサを用意し、構造体１０１の
裏面をエッチング除去し、その際の構造体１０１の反り
量を測定した。
半導体力学量センサ１００の高感度化を阻害する要因
が、構造体１０１の裏面に形成されている応力層１１４
であることを確認した。以下に、その方法と結果を示
す。半導体力学量センサ１００の一例として、片持ち梁
を有する半導体力学量センサを用意し、構造体１０１の
裏面をエッチング除去し、その際の構造体１０１の反り
量を測定した。
【００１３】この測定に用いた半導体力学量センサ１０
０は、図６を参照すると、梁の長さＬが５．２ｍｍであ
り第１の半導体基板１１１の厚さｓが１５μｍであるも
のである。そして、構造体１０１の裏面をエッチング量
を変えて除去した場合の構造体１０１の反り量δを測定
した。この構造体１０１の反り量δとは、第１の半導体
基板１１１の法線方向における第１の半導体基板１１１
の表面と反った構造体１０１の先端部との差である。
０は、図６を参照すると、梁の長さＬが５．２ｍｍであ
り第１の半導体基板１１１の厚さｓが１５μｍであるも
のである。そして、構造体１０１の裏面をエッチング量
を変えて除去した場合の構造体１０１の反り量δを測定
した。この構造体１０１の反り量δとは、第１の半導体
基板１１１の法線方向における第１の半導体基板１１１
の表面と反った構造体１０１の先端部との差である。
【００１４】図７に、この測定結果を示す。図７に示す
ように、０．２μｍエッチングすると反り量δが低減
し、更にエッチング量を多くするに連れ反り量δが減少
した。そして、エッチング量が０．４μｍ以上になると
反り量δ低減効果が大きく現われ、高感度の半導体力学
量センサを得るのに十分な程度の小さな反り量δになっ
た。従って、応力層１１４を低減すれば高感度の半導体
力学量センサを得ることができることが判った。
ように、０．２μｍエッチングすると反り量δが低減
し、更にエッチング量を多くするに連れ反り量δが減少
した。そして、エッチング量が０．４μｍ以上になると
反り量δ低減効果が大きく現われ、高感度の半導体力学
量センサを得るのに十分な程度の小さな反り量δになっ
た。従って、応力層１１４を低減すれば高感度の半導体
力学量センサを得ることができることが判った。
【００１５】更に、この応力層１１４が酸化膜１１３に
含まれる酸素に起因して形成されるものであることを確
かめるために、酸化膜１１３と第１の半導体基板１１１
とを貼り合わせた後、酸化膜１１３を除去し、酸化膜１
１３と第１の半導体基板１１１との界面であった面から
徐々に第１の半導体基板１１１を削り取りながら基板中
に含まれる酸素を測定した。
含まれる酸素に起因して形成されるものであることを確
かめるために、酸化膜１１３と第１の半導体基板１１１
とを貼り合わせた後、酸化膜１１３を除去し、酸化膜１
１３と第１の半導体基板１１１との界面であった面から
徐々に第１の半導体基板１１１を削り取りながら基板中
に含まれる酸素を測定した。
【００１６】その結果、第１の半導体基板１１１におけ
る酸化膜１１３との界面において最も酸素濃度が高く、
第１の半導体基板１１１の内部に行くに連れて酸素濃度
が小さくなることが判った。また、エッチング量に対す
る酸素濃度の依存性も、上述の図７に示したエッチング
量に対する反り量の依存性と同様であり、酸素濃度の大
きさに略比例して反り量が大きくなることが判った。従
って、第１の半導体基板１１１のうち酸素が含まれてい
る応力層１１４を除去することにより構造体１０１の反
り量δを低減できると考えた。
る酸化膜１１３との界面において最も酸素濃度が高く、
第１の半導体基板１１１の内部に行くに連れて酸素濃度
が小さくなることが判った。また、エッチング量に対す
る酸素濃度の依存性も、上述の図７に示したエッチング
量に対する反り量の依存性と同様であり、酸素濃度の大
きさに略比例して反り量が大きくなることが判った。従
って、第１の半導体基板１１１のうち酸素が含まれてい
る応力層１１４を除去することにより構造体１０１の反
り量δを低減できると考えた。
【００１７】そこで、請求項１に記載の発明では、第１
の半導体基板（１ａ）と第２の半導体基板（１ｃ）とを
酸化膜（１ｂ）を介して貼り合わせてなる貼り合わせ基
板（１）を用意し、第１の半導体基板を残して第２の半
導体基板と酸化膜とを除去することにより開口部（２）
を形成して、第１の半導体基板のうち開口部に対応する
領域に構造体（３）を形成する半導体力学量センサの製
造方法において、酸化膜を除去した後に、第１の半導体
基板のうち開口部に面し酸素が含まれている領域（１
ｄ）を除去することを特徴としている。
の半導体基板（１ａ）と第２の半導体基板（１ｃ）とを
酸化膜（１ｂ）を介して貼り合わせてなる貼り合わせ基
板（１）を用意し、第１の半導体基板を残して第２の半
導体基板と酸化膜とを除去することにより開口部（２）
を形成して、第１の半導体基板のうち開口部に対応する
領域に構造体（３）を形成する半導体力学量センサの製
造方法において、酸化膜を除去した後に、第１の半導体
基板のうち開口部に面し酸素が含まれている領域（１
ｄ）を除去することを特徴としている。
【００１８】このように、本発明では、高感度化を阻害
する要因である開口部に面する第１の半導体基板におけ
る酸素が含まれている領域を除去するようにしており、
感度を向上させた半導体力学量センサの製造方法を提供
することができる。
する要因である開口部に面する第１の半導体基板におけ
る酸素が含まれている領域を除去するようにしており、
感度を向上させた半導体力学量センサの製造方法を提供
することができる。
【００１９】また、請求項２に記載の発明では、請求項
１の発明において、酸素が含まれている領域を厚さ０．
２μｍ以上除去することを特徴としている。
１の発明において、酸素が含まれている領域を厚さ０．
２μｍ以上除去することを特徴としている。
【００２０】第１の半導体基板に対して酸素が拡散する
深さは、半導体力学量センサの寸法には関係なく、第１
の半導体基板と酸化膜とを貼り合わせる際の条件等に依
存する。従って、上記図７に示した測定結果に基づい
て、本発明のように酸素が含まれている領域を０．２μ
ｍ以上除去することにより、半導体力学量センサの感度
を向上させることができる。
深さは、半導体力学量センサの寸法には関係なく、第１
の半導体基板と酸化膜とを貼り合わせる際の条件等に依
存する。従って、上記図７に示した測定結果に基づい
て、本発明のように酸素が含まれている領域を０．２μ
ｍ以上除去することにより、半導体力学量センサの感度
を向上させることができる。
【００２１】また、請求項３に記載の発明のように、酸
素が含まれている領域を厚さ０．４μｍ以上除去するこ
とにより、更に確実に半導体力学量センサの感度を向上
させることができる。
素が含まれている領域を厚さ０．４μｍ以上除去するこ
とにより、更に確実に半導体力学量センサの感度を向上
させることができる。
【００２２】また、請求項４に記載の発明のように、請
求項１〜３の発明において、酸化膜の除去と酸素が含ま
れている領域の除去とを異なる条件でエッチングすると
好適である。
求項１〜３の発明において、酸化膜の除去と酸素が含ま
れている領域の除去とを異なる条件でエッチングすると
好適である。
【００２３】また、請求項１〜４の発明における酸素が
含まれている領域の除去は、請求項５に記載の発明のよ
うに、ドライエッチングによっても行うことができる。
含まれている領域の除去は、請求項５に記載の発明のよ
うに、ドライエッチングによっても行うことができる。
【００２４】また、請求項６に記載の発明のように、請
求項１〜５の発明の半導体力学量センサの製造方法を角
速度センサに適用すると好適である。
求項１〜５の発明の半導体力学量センサの製造方法を角
速度センサに適用すると好適である。
【００２５】請求項７に記載の発明は、第１の半導体基
板（１ａ）と第２の半導体基板（１ｃ）とを酸化膜（１
ｂ）を介して貼り合わせてなる貼り合わせ基板（１）
と、第１の半導体基板を残して第２の半導体基板と酸化
膜とを除去することにより形成した開口部（２）と、第
１の半導体基板のうち開口部に対応する領域に形成した
構造体（３）とを有する半導体力学量センサにおいて、
構造体は第１の半導体基板のうち開口部に面し酸素が含
まれている領域（１ｄ）が除去されてなることを特徴と
している。
板（１ａ）と第２の半導体基板（１ｃ）とを酸化膜（１
ｂ）を介して貼り合わせてなる貼り合わせ基板（１）
と、第１の半導体基板を残して第２の半導体基板と酸化
膜とを除去することにより形成した開口部（２）と、第
１の半導体基板のうち開口部に対応する領域に形成した
構造体（３）とを有する半導体力学量センサにおいて、
構造体は第１の半導体基板のうち開口部に面し酸素が含
まれている領域（１ｄ）が除去されてなることを特徴と
している。
【００２６】これにより請求項１の発明と同様に感度を
向上させた半導体力学量センサを提供することができ
る。
向上させた半導体力学量センサを提供することができ
る。
【００２７】また、請求項７の発明において、請求項８
に記載の発明では、酸素が含まれている領域が厚さ０．
２μｍ以上除去されていることを特徴としており、請求
項９に記載の発明では、０．４μｍ以上除去されている
ことを特徴としている。
に記載の発明では、酸素が含まれている領域が厚さ０．
２μｍ以上除去されていることを特徴としており、請求
項９に記載の発明では、０．４μｍ以上除去されている
ことを特徴としている。
【００２８】これにより、各々請求項２及び３の発明と
同様の効果を発揮することができる。
同様の効果を発揮することができる。
【００２９】また、請求項７〜９の発明において、例え
ば、請求項１０に記載の発明のように角速度センサを適
用することができる。
ば、請求項１０に記載の発明のように角速度センサを適
用することができる。
【００３０】なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述
する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すも
のである。
する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すも
のである。
【００３１】
【発明の実施の形態】（第１実施形態）以下、本発明を
図に示す実施形態について説明する。図１は、本発明の
半導体力学量センサとしての加速度センサ１０の一実施
形態を示す模式的な断面図である。
図に示す実施形態について説明する。図１は、本発明の
半導体力学量センサとしての加速度センサ１０の一実施
形態を示す模式的な断面図である。
【００３２】加速度センサ１００は図１に示すように、
第１の半導体基板としての活性層１ａと第２の半導体基
板としての支持層１ｃとが酸化膜１ｂを介して貼り合わ
された貼り合わせ基板１から構成されている。この活性
層１ａと支持層１ｃはＳｉ（シリコン）からなり、酸化
膜１ｂはシリコン酸化膜からなり、貼り合わせ基板はＳ
ＯＩ（シリコンオンインシュレータ）基板１となってい
る。
第１の半導体基板としての活性層１ａと第２の半導体基
板としての支持層１ｃとが酸化膜１ｂを介して貼り合わ
された貼り合わせ基板１から構成されている。この活性
層１ａと支持層１ｃはＳｉ（シリコン）からなり、酸化
膜１ｂはシリコン酸化膜からなり、貼り合わせ基板はＳ
ＯＩ（シリコンオンインシュレータ）基板１となってい
る。
【００３３】この様なＳＯＩ基板１では酸化膜１ｂと活
性層１ａとの間に応力層１ｄが形成されている。この応
力層１ｄは活性層１ａのうち酸素が含まれている領域で
あり、ＳＯＩ基板１を作製するとき等において酸化膜１
ｂから活性層１ａに酸素が拡散することにより形成され
ると考えられる。この応力層１ｄにおいては酸素の拡散
により結晶格子に歪み（格子歪み）が生じているものと
思われる。
性層１ａとの間に応力層１ｄが形成されている。この応
力層１ｄは活性層１ａのうち酸素が含まれている領域で
あり、ＳＯＩ基板１を作製するとき等において酸化膜１
ｂから活性層１ａに酸素が拡散することにより形成され
ると考えられる。この応力層１ｄにおいては酸素の拡散
により結晶格子に歪み（格子歪み）が生じているものと
思われる。
【００３４】また、支持層１ｃ及び酸化膜１ｂに渡って
開口部２が形成されており、活性層１ａの裏面（開口部
側の面）が露出している。そして、活性層１ａの裏面の
うち開口部２に面して露出した部位の応力層１ｄが除去
されている。
開口部２が形成されており、活性層１ａの裏面（開口部
側の面）が露出している。そして、活性層１ａの裏面の
うち開口部２に面して露出した部位の応力層１ｄが除去
されている。
【００３５】具体的には、開口部２に面する応力層１ｄ
が厚さｔ０．２μｍ以上除去されている。この厚さｔと
は、開口部２における活性層１ａと酸化膜１ｂとの界面
を延長した面から活性層１ａまでの距離である。そし
て、活性層１ａのうち開口部２に対応する位置において
構造体３が形成されている。
が厚さｔ０．２μｍ以上除去されている。この厚さｔと
は、開口部２における活性層１ａと酸化膜１ｂとの界面
を延長した面から活性層１ａまでの距離である。そし
て、活性層１ａのうち開口部２に対応する位置において
構造体３が形成されている。
【００３６】この様に、活性層１ａの裏面（応力層１
ｄ）を厚さｔ０．２μｍ以上除去することにより、図７
を参照して上述したように、構造体３の反り量を低減さ
せることができる。また、望ましくは、応力層１ｄを厚
さｔ０．４μｍ以上除去することにより、確実に構造体
３の反り量を低減することができる。
ｄ）を厚さｔ０．２μｍ以上除去することにより、図７
を参照して上述したように、構造体３の反り量を低減さ
せることができる。また、望ましくは、応力層１ｄを厚
さｔ０．４μｍ以上除去することにより、確実に構造体
３の反り量を低減することができる。
【００３７】この構造体３では、活性層１ａの表面（開
口部２とは反対側の面）から開口部２に達するまで溝４
が形成されており、図示していないが、この溝４により
一端が活性層１ａに支持された片持ち梁構造の固定電極
部と可動電極部とが形成されている。また、活性層１ａ
の表面には図示しない回路が形成され、回路の所定位置
に例えばアルミニウム等により電極パッド５が形成され
ている。
口部２とは反対側の面）から開口部２に達するまで溝４
が形成されており、図示していないが、この溝４により
一端が活性層１ａに支持された片持ち梁構造の固定電極
部と可動電極部とが形成されている。また、活性層１ａ
の表面には図示しない回路が形成され、回路の所定位置
に例えばアルミニウム等により電極パッド５が形成され
ている。
【００３８】この様に構成された加速度センサ１０にあ
っては、加速度センサ１０が加速度を受けると、可動電
極部の検出面と固定電極部の検出面との間の距離が変位
する。可動電極部と固定電極部とによってコンデンサが
形成されているため、このコンデンサの静電容量は、可
動電極部に加速度が作用した時の可動電極部の変位に応
じて変化する。この様な静電容量の変化を電極パッド５
を通じて取り出すことにより加速度を検出することがで
きる。
っては、加速度センサ１０が加速度を受けると、可動電
極部の検出面と固定電極部の検出面との間の距離が変位
する。可動電極部と固定電極部とによってコンデンサが
形成されているため、このコンデンサの静電容量は、可
動電極部に加速度が作用した時の可動電極部の変位に応
じて変化する。この様な静電容量の変化を電極パッド５
を通じて取り出すことにより加速度を検出することがで
きる。
【００３９】次に、上記構成に基づき、本実施形態に係
る加速度センサの製造方法を説明する。図２に、上記の
ような加速度センサ１０の製造工程を模式的な断面図と
して示す。
る加速度センサの製造方法を説明する。図２に、上記の
ような加速度センサ１０の製造工程を模式的な断面図と
して示す。
【００４０】まず、図２（ａ）に示すようにＳＯＩ基板
１を用意する。このＳＯＩ基板１は、単結晶シリコンウ
ェハである支持層１ｃ上に犠牲層としてのシリコン酸化
膜１ｂを介して単結晶シリコン薄膜である活性層１ａを
設けた構造となっている。
１を用意する。このＳＯＩ基板１は、単結晶シリコンウ
ェハである支持層１ｃ上に犠牲層としてのシリコン酸化
膜１ｂを介して単結晶シリコン薄膜である活性層１ａを
設けた構造となっている。
【００４１】なお、支持層１ｃは、表面の面方位が（１
００）に設定されたもので、少なくとも３００μｍ程度
以上の厚さ寸法を備えた低不純物濃度のものを使用する
ことができる。また、活性層１ａも、表面の面方位が
（１００）のもので、例えば１μｍ前後の膜厚に設定さ
れている。また、この活性層１ａには、その抵抗率を下
げ、且つ上記電極パッド５との間でオーミックコンタク
トを取るために、例えばリンを高濃度（１×１０19／ｃ
ｍ3 程度以上）に拡散した状態としている。
００）に設定されたもので、少なくとも３００μｍ程度
以上の厚さ寸法を備えた低不純物濃度のものを使用する
ことができる。また、活性層１ａも、表面の面方位が
（１００）のもので、例えば１μｍ前後の膜厚に設定さ
れている。また、この活性層１ａには、その抵抗率を下
げ、且つ上記電極パッド５との間でオーミックコンタク
トを取るために、例えばリンを高濃度（１×１０19／ｃ
ｍ3 程度以上）に拡散した状態としている。
【００４２】次に、図２（ｂ）に示す電極パッド形成工
程を実行する。この工程では、活性層１ａ上の全面にア
ルミニウムを例えば１μｍ程度の膜厚となるように蒸着
した後に、そのアルミニウム膜をフォトリソグラフィ技
術及びエッチング技術を利用してパターニングすること
により電極パッド５を形成する。なお、この電極パッド
形成工程では、電極パッド５のオーミックコンタクトを
得るための周知の熱処理（シンタ）を必要に応じて行
う。
程を実行する。この工程では、活性層１ａ上の全面にア
ルミニウムを例えば１μｍ程度の膜厚となるように蒸着
した後に、そのアルミニウム膜をフォトリソグラフィ技
術及びエッチング技術を利用してパターニングすること
により電極パッド５を形成する。なお、この電極パッド
形成工程では、電極パッド５のオーミックコンタクトを
得るための周知の熱処理（シンタ）を必要に応じて行
う。
【００４３】この状態から、図２（ｃ）に示す寸法調整
工程を実行する。この工程では、支持層１ｃの裏面（酸
化膜１ｂと反対側の面）側に切削・研磨加工を施すこと
によって、支持層１ｃの厚さ寸法が例えば３００μｍと
なるように調整し、その加工面に鏡面仕上げを施す。
工程を実行する。この工程では、支持層１ｃの裏面（酸
化膜１ｂと反対側の面）側に切削・研磨加工を施すこと
によって、支持層１ｃの厚さ寸法が例えば３００μｍと
なるように調整し、その加工面に鏡面仕上げを施す。
【００４４】次に、図２（ｄ）に示すマスク形成工程を
実行する。この工程では、支持層１ｃの裏面（鏡面加工
面）の全面に、シリコン窒化膜を例えばプラズマＣＶＤ
法によって０．５μｍ程度の膜厚となるように堆積した
後、そのシリコン窒化膜をフォトリソグラフィ技術及び
エッチング技術を利用してパターニングすることによ
り、開口部２をエッチングによって形成する際のマスク
１１を形成する。
実行する。この工程では、支持層１ｃの裏面（鏡面加工
面）の全面に、シリコン窒化膜を例えばプラズマＣＶＤ
法によって０．５μｍ程度の膜厚となるように堆積した
後、そのシリコン窒化膜をフォトリソグラフィ技術及び
エッチング技術を利用してパターニングすることによ
り、開口部２をエッチングによって形成する際のマスク
１１を形成する。
【００４５】この後、図２（ｅ）に示す溝（トレンチ）
形成工程を実行する。この工程では、活性層１ａ及び電
極パッド５上にドライエッチ耐性があるレジスト（図示
せず）をマスクとして形成し、ドライエッチング装置に
より異方性ドライエッチングを実行することにより、活
性層１ａ中に酸化膜１ｂに達する溝４を形成する。
形成工程を実行する。この工程では、活性層１ａ及び電
極パッド５上にドライエッチ耐性があるレジスト（図示
せず）をマスクとして形成し、ドライエッチング装置に
より異方性ドライエッチングを実行することにより、活
性層１ａ中に酸化膜１ｂに達する溝４を形成する。
【００４６】この状態から、図２（ｆ）に示す第１のエ
ッチング工程を実行する。この第１のエッチング工程で
は、支持層１ｃを、マスク１１を使用し且つ例えばＫＯ
Ｈ水溶液を利用して裏面（酸化膜１ｂと反対側の面）側
から選択エッチングする。その結果、酸化膜１ｂの裏面
（活性層１ａと反対側の面）が露出し、開口部２の一部
が形成される。その後、マスクを除去する。
ッチング工程を実行する。この第１のエッチング工程で
は、支持層１ｃを、マスク１１を使用し且つ例えばＫＯ
Ｈ水溶液を利用して裏面（酸化膜１ｂと反対側の面）側
から選択エッチングする。その結果、酸化膜１ｂの裏面
（活性層１ａと反対側の面）が露出し、開口部２の一部
が形成される。その後、マスクを除去する。
【００４７】なお、具体的には図示しなかったが、この
第１のエッチング工程の実行前には、ＳＯＩ基板１の表
面側をレジストにより覆っておくものであり、このレジ
ストは、例えば第１のエッチング工程終了後に除去する
ようにしている。
第１のエッチング工程の実行前には、ＳＯＩ基板１の表
面側をレジストにより覆っておくものであり、このレジ
ストは、例えば第１のエッチング工程終了後に除去する
ようにしている。
【００４８】そして、図２（ｇ）に示す第２のエッチン
グ工程（リリース工程）を実行する。この第２のエッチ
ング工程では酸化膜１ｂをエッチングにより除去する。
この際のエッチングガスとしては水素を含むＣＨＦ3を
用いることができる。このような第２のエッチング工程
を行うことにより、開口部２が形成されるとともに、可
動電極部や固定電極部がリリースされた状態となる。但
し、この状態では、開口部２に面する構造体３の裏面に
応力層１ｄが形成されている。
グ工程（リリース工程）を実行する。この第２のエッチ
ング工程では酸化膜１ｂをエッチングにより除去する。
この際のエッチングガスとしては水素を含むＣＨＦ3を
用いることができる。このような第２のエッチング工程
を行うことにより、開口部２が形成されるとともに、可
動電極部や固定電極部がリリースされた状態となる。但
し、この状態では、開口部２に面する構造体３の裏面に
応力層１ｄが形成されている。
【００４９】そこで、図２（ｈ）に示す第３のエッチン
グ工程を実行する。この第３のエッチング工程では、開
口部２側からエッチングを行うことにより応力層１ｄを
除去する。この第３のエッチング工程は、第２のエッチ
ング工程とは異なる条件で行い、例えば、エッチングガ
スとしてＣＦ4＋Ｏ2を用いて、ＳｉとＳｉＯ2（酸化
膜）の選択比を大きくするようにＯ2分圧を調節したド
ライエッチングを行う。従って、第２のエッチングであ
る酸化膜１ｂの除去の延長で開口部２に面する活性層１
ａの裏面をエッチングするのではなく、意図的に応力層
１ｄをエッチングする。
グ工程を実行する。この第３のエッチング工程では、開
口部２側からエッチングを行うことにより応力層１ｄを
除去する。この第３のエッチング工程は、第２のエッチ
ング工程とは異なる条件で行い、例えば、エッチングガ
スとしてＣＦ4＋Ｏ2を用いて、ＳｉとＳｉＯ2（酸化
膜）の選択比を大きくするようにＯ2分圧を調節したド
ライエッチングを行う。従って、第２のエッチングであ
る酸化膜１ｂの除去の延長で開口部２に面する活性層１
ａの裏面をエッチングするのではなく、意図的に応力層
１ｄをエッチングする。
【００５０】この場合、予め、エッチングガスのエッチ
ングレート等に基づいて求めておいたエッチング時間を
管理して所望の寸法をエッチングできるようにする。こ
の様にして、開口部２上に構造体３が形成される。
ングレート等に基づいて求めておいたエッチング時間を
管理して所望の寸法をエッチングできるようにする。こ
の様にして、開口部２上に構造体３が形成される。
【００５１】そして、このような第３のエッチング工程
の実行後に、構造体３を超純水等の液体に浸漬してエッ
チング液を十分に置換させ、常温で乾燥蒸発させる蒸発
工程を行う。最後に、ＳＯＩ基板１を所定のセンサチッ
プ形状に切断するというダイシング工程を行うことによ
り、半導体加速度センサ１０を完成させる。
の実行後に、構造体３を超純水等の液体に浸漬してエッ
チング液を十分に置換させ、常温で乾燥蒸発させる蒸発
工程を行う。最後に、ＳＯＩ基板１を所定のセンサチッ
プ形状に切断するというダイシング工程を行うことによ
り、半導体加速度センサ１０を完成させる。
【００５２】このように、本実施形態では、開口部２に
面する活性層１ａの裏面側をエッチングして応力層１ｄ
を除去することにより、片持ち梁構造の固定電極部や可
動電極部からなる構造体３の反りを低減することができ
る。その結果、固定電極部と可動電極部とを確実に対向
させ、可動電極部に加速度が作用した場合、可動電極部
と固定電極部の距離の変化を敏感に感知することができ
る。その結果、加速度センサ１０の感度を向上させるこ
とができる。
面する活性層１ａの裏面側をエッチングして応力層１ｄ
を除去することにより、片持ち梁構造の固定電極部や可
動電極部からなる構造体３の反りを低減することができ
る。その結果、固定電極部と可動電極部とを確実に対向
させ、可動電極部に加速度が作用した場合、可動電極部
と固定電極部の距離の変化を敏感に感知することができ
る。その結果、加速度センサ１０の感度を向上させるこ
とができる。
【００５３】（第２実施形態）本実施形態は、本発明の
半導体力学量センサとして角速度センサ２０を適用した
ものである。図３は、角速度センサ２０の概略図であ
り、（ａ）は平面構成を示し、（ｂ）は（ａ）における
Ａ−Ａ断面を示す。図３に示すように、ＳＯＩ基板１に
対して支持層１ｃ（第２の半導体基板）、酸化膜１ｂ、
活性層１ａ（第１の半導体基板）の一部（応力層）１ｄ
が除去された開口部２が形成されている。
半導体力学量センサとして角速度センサ２０を適用した
ものである。図３は、角速度センサ２０の概略図であ
り、（ａ）は平面構成を示し、（ｂ）は（ａ）における
Ａ−Ａ断面を示す。図３に示すように、ＳＯＩ基板１に
対して支持層１ｃ（第２の半導体基板）、酸化膜１ｂ、
活性層１ａ（第１の半導体基板）の一部（応力層）１ｄ
が除去された開口部２が形成されている。
【００５４】この様に、本実施形態でも、第１実施形態
と同様にして開口部２において応力層１ｄが除去されて
いる。この応力層１ｄの除去量は、上記第１実施形態と
同様に、厚さｔ０．２μｍ以上、望ましくは０．４μｍ
以上となっている。
と同様にして開口部２において応力層１ｄが除去されて
いる。この応力層１ｄの除去量は、上記第１実施形態と
同様に、厚さｔ０．２μｍ以上、望ましくは０．４μｍ
以上となっている。
【００５５】この開口部２上の活性層１ａはエッチング
等により溝４が形成されることにより、開口部２上に位
置する可動部としての振動子２１と、開口部２の縁部に
て酸化膜１ｂを介して支持層１ｃに支持されている固定
部２２とよりなる構造体（梁構造体）３が形成されてい
る。
等により溝４が形成されることにより、開口部２上に位
置する可動部としての振動子２１と、開口部２の縁部に
て酸化膜１ｂを介して支持層１ｃに支持されている固定
部２２とよりなる構造体（梁構造体）３が形成されてい
る。
【００５６】本実施形態の振動子２１は内側の略矩形状
の内側振動子２１ａと、内側振動子２１ａの外側に位置
する略Ｈ字形状の外側振動子２１ｂと、内側振動子２１
ａと外側振動子２１ｂとを連結する折り返し形状の駆動
梁２１ｃとより構成されている。
の内側振動子２１ａと、内側振動子２１ａの外側に位置
する略Ｈ字形状の外側振動子２１ｂと、内側振動子２１
ａと外側振動子２１ｂとを連結する折り返し形状の駆動
梁２１ｃとより構成されている。
【００５７】この振動子２１は、開口部２の縁部におい
て酸化膜１ｂを介して支持層１ｃに支持されたアンカー
部２２ａに対して、矩形枠状の検出梁２３によって連結
されている。この駆動梁２１ｃは内側振動子２１ａをｘ
軸方向に振動させるバネ機能を有する。また、検出梁２
３は振動子２１をｘ軸と直交するｙ軸方向に振動させる
バネ機能を有する。
て酸化膜１ｂを介して支持層１ｃに支持されたアンカー
部２２ａに対して、矩形枠状の検出梁２３によって連結
されている。この駆動梁２１ｃは内側振動子２１ａをｘ
軸方向に振動させるバネ機能を有する。また、検出梁２
３は振動子２１をｘ軸と直交するｙ軸方向に振動させる
バネ機能を有する。
【００５８】また、外側振動子２１ｂにおけるｘ方向に
沿った両側（図において振動子の左右両側）に櫛歯状に
突出した櫛歯電極２１ｄを有する。一方、固定部２２側
にも外側振動子２１ｂの櫛歯電極２１ｄに対向するよう
に櫛歯電極２２ｂが形成されている。そして、両櫛歯電
極２１ｄ、２２ｂによって検出電極が構成されており、
両櫛歯電極２１ｄ、２２ｂによってコンデンサが形成さ
れている。
沿った両側（図において振動子の左右両側）に櫛歯状に
突出した櫛歯電極２１ｄを有する。一方、固定部２２側
にも外側振動子２１ｂの櫛歯電極２１ｄに対向するよう
に櫛歯電極２２ｂが形成されている。そして、両櫛歯電
極２１ｄ、２２ｂによって検出電極が構成されており、
両櫛歯電極２１ｄ、２２ｂによってコンデンサが形成さ
れている。
【００５９】次に、この様な構成の角速度センサを用い
たヨーレートの検出方法を述べる。まず、図示しない励
振手段により、内側振動子２１ａをｘ軸方向に駆動振動
させる。そして、駆動振動した状態で、ｘ軸及びｙ軸と
直交するｚ軸回りに角速度Ωが印加されると振動子２１
にコリオリ力が作用し、振動子２１がｙ軸方向に振動す
る（検出振動）。
たヨーレートの検出方法を述べる。まず、図示しない励
振手段により、内側振動子２１ａをｘ軸方向に駆動振動
させる。そして、駆動振動した状態で、ｘ軸及びｙ軸と
直交するｚ軸回りに角速度Ωが印加されると振動子２１
にコリオリ力が作用し、振動子２１がｙ軸方向に振動す
る（検出振動）。
【００６０】この検出振動により検出電極２１ｄ、２２
ｂにおける互いの間隔が変化する。この間隔の変化によ
りコンデンサの静電容量が変化するため、この容量変化
を電圧等に変換することにより角速度を求めることがで
きる。
ｂにおける互いの間隔が変化する。この間隔の変化によ
りコンデンサの静電容量が変化するため、この容量変化
を電圧等に変換することにより角速度を求めることがで
きる。
【００６１】なお、製造方法は第１実施形態と同様であ
り、図２に示す各工程を行って、第１〜第３のエッチン
グ工程によって開口部２に面する応力層１ｄを除去する
ようにする。
り、図２に示す各工程を行って、第１〜第３のエッチン
グ工程によって開口部２に面する応力層１ｄを除去する
ようにする。
【００６２】角速度センサ２０では、より感度を向上さ
せるために構造体３における櫛歯電極２１ｄ、２２ｂの
数を多くする。そのため、図３における片持ち梁構造の
ｙ方向の長さが長くなる。その結果、角速度センサ２０
では特に構造体３が反り易くなる。
せるために構造体３における櫛歯電極２１ｄ、２２ｂの
数を多くする。そのため、図３における片持ち梁構造の
ｙ方向の長さが長くなる。その結果、角速度センサ２０
では特に構造体３が反り易くなる。
【００６３】しかしながら、本実施形態のように開口部
２に面する応力層１ｄを除去することにより、構造体３
の反りを低減して検出電極２１ｄ、２２ｂにおける互い
の間隔の変化を敏感に検出し、角速度センサ２０の感度
を向上させることができる。
２に面する応力層１ｄを除去することにより、構造体３
の反りを低減して検出電極２１ｄ、２２ｂにおける互い
の間隔の変化を敏感に検出し、角速度センサ２０の感度
を向上させることができる。
【００６４】（第３実施形態）本実施形態は、本発明の
半導体力学量センサとして圧力センサを適用したもので
ある。図４は、本実施形態の圧力センサ３０の模式的な
断面図である。以下、主として第１実施形態と異なる部
分について述べ、図４中、図１と同一部分は同一符号を
付して説明を省略する。
半導体力学量センサとして圧力センサを適用したもので
ある。図４は、本実施形態の圧力センサ３０の模式的な
断面図である。以下、主として第１実施形態と異なる部
分について述べ、図４中、図１と同一部分は同一符号を
付して説明を省略する。
【００６５】図４に示すようにＳＯＩ基板１を用いてお
り、支持層１ｃ、酸化膜１ｂ、活性層１ａの一部（応力
層）１ｄが除去されて開口部２が形成されている。そし
て、開口部２上に構造体３が形成されている。
り、支持層１ｃ、酸化膜１ｂ、活性層１ａの一部（応力
層）１ｄが除去されて開口部２が形成されている。そし
て、開口部２上に構造体３が形成されている。
【００６６】本実施形態では構造体３はダイアフラム構
造になっている。また、活性層１ａの表面における開口
部２の端部上に位置する部位には歪みゲージ３１が形成
されている。また、開口部２に面する活性層１ａの裏面
において上記第１及び第２実施形態と同様に応力層１ｄ
が除去されている。
造になっている。また、活性層１ａの表面における開口
部２の端部上に位置する部位には歪みゲージ３１が形成
されている。また、開口部２に面する活性層１ａの裏面
において上記第１及び第２実施形態と同様に応力層１ｄ
が除去されている。
【００６７】この様な圧力センサ３０は、まず、活性層
１ａの表面に図示しない回路や歪みゲージ３１等を形成
した後、第１実施形態の図２（ｃ）に示す工程以降、第
１実施形態と同様の製造方法により製造することができ
る。
１ａの表面に図示しない回路や歪みゲージ３１等を形成
した後、第１実施形態の図２（ｃ）に示す工程以降、第
１実施形態と同様の製造方法により製造することができ
る。
【００６８】また、この様な圧力センサ３０では、構造
体３が圧力を受けて変形することにより生じる歪みを歪
みゲージ３１が検出することにより、この圧力を検出す
ることができるようになっている。
体３が圧力を受けて変形することにより生じる歪みを歪
みゲージ３１が検出することにより、この圧力を検出す
ることができるようになっている。
【００６９】圧力センサ３０の構造体３はダイアフラム
構造になっているため、加速度センサや角速度センサの
ように、構造体の裏面側に応力層１ｄが存在することに
より構造体が反ることはない。但し、近年、圧力センサ
自身の大きさが微小になる傾向があり構造体の部分も微
小になるため、より小さい歪みを測定する必要がある。
構造になっているため、加速度センサや角速度センサの
ように、構造体の裏面側に応力層１ｄが存在することに
より構造体が反ることはない。但し、近年、圧力センサ
自身の大きさが微小になる傾向があり構造体の部分も微
小になるため、より小さい歪みを測定する必要がある。
【００７０】そのため、構造体に応力層１ｄが存在する
と、応力層１ｄの残留応力のバランスによって圧力セン
サ３０に作用した圧力を正確に検出できなかったり、雰
囲気の温度が変化することにより応力層１ｄの残留応力
が変化したりする等して、応力層１ｄの存在により圧力
センサの検出感度が低下することが考えられる。
と、応力層１ｄの残留応力のバランスによって圧力セン
サ３０に作用した圧力を正確に検出できなかったり、雰
囲気の温度が変化することにより応力層１ｄの残留応力
が変化したりする等して、応力層１ｄの存在により圧力
センサの検出感度が低下することが考えられる。
【００７１】従って、本実施形態のように応力層１ｄを
除去した構造体３を用いることにより、圧力センサ３０
の感度を向上させることができる。
除去した構造体３を用いることにより、圧力センサ３０
の感度を向上させることができる。
【図１】第１実施形態に係る加速度センサの模式的な断
面図である。
面図である。
【図２】第１実施形態に係る加速度センサの製造方法を
示す工程図である。
示す工程図である。
【図３】第２実施形態に係る角速度センサの模式的な断
面図である。
面図である。
【図４】第３実施形態に係る圧力センサの模式的な断面
図である。
図である。
【図５】従来の半導体力学量センサの模式的な断面図で
ある。
ある。
【図６】従来の半導体力学量センサの問題点を示す模式
的な断面図である。
的な断面図である。
【図７】半導体力学量センサの構造体における開口部側
からのエッチング量と構造体の反りとの関係を示すグラ
フである。
からのエッチング量と構造体の反りとの関係を示すグラ
フである。
【符号の説明】 １…ＳＯＩ基板（貼り合わせ基板）、１ａ…活性層（第
１の半導体基板）、１ｂ…酸化膜、１ｃ…支持層（第２
の半導体基板）、１ｄ…応力層（第１の半導体基板のう
ち酸素が含まれている領域）、２…開口部、３…構造
体。
１の半導体基板）、１ｂ…酸化膜、１ｃ…支持層（第２
の半導体基板）、１ｄ…応力層（第１の半導体基板のう
ち酸素が含まれている領域）、２…開口部、３…構造
体。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 浅海 一志 愛知県西尾市下羽角町岩谷14番地 株式会 社日本自動車部品総合研究所内 (72)発明者 深田 毅 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会 社デンソー内 (72)発明者 樋口 祐史 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会 社デンソー内 Ｆターム(参考） 2F055 AA40 BB20 CC02 DD05 EE14 FF15 GG01 GG15 2F105 BB02 BB04 BB12 CC04 CD03 CD05 CD13 4M112 AA02 BA07 CA25 DA03 DA16 EA03 EA06 FA09
Claims (10)
- 【請求項１】 第１の半導体基板（１ａ）と第２の半導
体基板（１ｃ）とを酸化膜（１ｂ）を介して貼り合わせ
てなる貼り合わせ基板（１）を用意し、前記第１の半導
体基板を残して前記第２の半導体基板と前記酸化膜とを
除去することにより開口部（２）を形成して、前記第１
の半導体基板のうち前記開口部に対応する領域に構造体
（３）を形成する半導体力学量センサの製造方法におい
て、 前記酸化膜を除去した後に、前記第１の半導体基板のう
ち前記開口部に面し酸素が含まれている領域（１ｄ）を
除去することを特徴とする半導体力学量センサの製造方
法。 - 【請求項２】 前記酸素が含まれている領域を厚さ０．
２μｍ以上除去することを特徴とする請求項１に記載の
半導体力学量センサの製造方法。 - 【請求項３】 前記酸素が含まれている領域を厚さ０．
４μｍ以上除去することを特徴とする請求項１に記載の
半導体力学量センサの製造方法。 - 【請求項４】 前記酸化膜の除去と前記酸素が含まれて
いる領域の除去とを、異なる条件でエッチングすること
により行うことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか
１つに記載の半導体力学量センサの製造方法。 - 【請求項５】 前記酸素が含まれている領域を除去する
際に、ドライエッチングにより行うことを特徴とする請
求項１乃至４のいずれか１つに記載の半導体力学量セン
サの製造方法。 - 【請求項６】 前記半導体力学量センサは、角速度セン
サとして用いられるものであることを特徴とする請求項
１乃至５のいずれか１つに記載の半導体力学量センサの
製造方法。 - 【請求項７】 第１の半導体基板（１ａ）と第２の半導
体基板（１ｃ）とを酸化膜（１ｂ）を介して貼り合わせ
てなる貼り合わせ基板（１）と、前記第１の半導体基板
を残して前記第２の半導体基板と前記酸化膜とを除去す
ることにより形成された開口部（２）と、前記第１の半
導体基板のうち前記開口部に対応する領域に形成された
構造体（３）とを有する半導体力学量センサにおいて、
前記構造体は前記第１の半導体基板のうち前記開口部に
面し酸素が含まれている領域（１ｄ）が除去されてなる
ことを特徴とする半導体力学量センサ。 - 【請求項８】 前記酸素が含まれている領域は厚さ０．
２μｍ以上除去されていることを特徴とする請求項７に
記載の半導体力学量センサ。 - 【請求項９】 前記酸素が含まれている領域は厚さ０．
４μｍ以上除去されていることを特徴とする請求項７に
記載の半導体力学量センサ。 - 【請求項１０】 前記半導体力学量センサが角速度セン
サであることを特徴とする請求項７乃至９のいずれか１
つに記載の半導体力学量センサ。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000387622A JP3536817B2 (ja) | 2000-12-20 | 2000-12-20 | 半導体力学量センサ及びその製造方法 |
| US10/013,508 US6718824B2 (en) | 2000-12-20 | 2001-12-13 | Semiconductor dynamic quantity detecting sensor and manufacturing method of the same |
| DE10161921A DE10161921A1 (de) | 2000-12-20 | 2001-12-17 | Halbleitersensor zum Erfassen einer dynamischen Grösse und Verfahren zum Herstellen desselben |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000387622A JP3536817B2 (ja) | 2000-12-20 | 2000-12-20 | 半導体力学量センサ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002190608A true JP2002190608A (ja) | 2002-07-05 |
| JP3536817B2 JP3536817B2 (ja) | 2004-06-14 |
Family
ID=18854514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000387622A Expired - Fee Related JP3536817B2 (ja) | 2000-12-20 | 2000-12-20 | 半導体力学量センサ及びその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6718824B2 (ja) |
| JP (1) | JP3536817B2 (ja) |
| DE (1) | DE10161921A1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2010078327A (ja) * | 2008-09-24 | 2010-04-08 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 半導体力学量検出素子及びその製造方法 |
| JP2010122028A (ja) * | 2008-11-19 | 2010-06-03 | Alps Electric Co Ltd | 物理量センサ及びその製造方法 |
| JP2011192485A (ja) * | 2010-03-12 | 2011-09-29 | Fujitsu Ltd | Ｍｅｍｓデバイスの製造方法および基板 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030077754A (ko) * | 2002-03-27 | 2003-10-04 | 삼성전기주식회사 | 마이크로 관성센서 및 그 제조 방법 |
| US6939809B2 (en) * | 2002-12-30 | 2005-09-06 | Robert Bosch Gmbh | Method for release of surface micromachined structures in an epitaxial reactor |
| US7229901B2 (en) * | 2004-12-16 | 2007-06-12 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Fabrication of strained heterojunction structures |
| US20070020794A1 (en) * | 2005-07-22 | 2007-01-25 | Debar Michael J | Method of strengthening a microscale chamber formed over a sacrificial layer |
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| JP5286153B2 (ja) * | 2009-04-28 | 2013-09-11 | アズビル株式会社 | 圧力センサの製造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH05343705A (ja) | 1992-06-04 | 1993-12-24 | Yokogawa Electric Corp | Ｓｏｉ基板を用いた圧力センサ |
| JPH09257564A (ja) | 1996-03-27 | 1997-10-03 | Nissan Motor Co Ltd | 赤外線検知素子の製造方法 |
| DE19632060B4 (de) * | 1996-08-09 | 2012-05-03 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Drehratensensors |
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-
2000
- 2000-12-20 JP JP2000387622A patent/JP3536817B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-12-13 US US10/013,508 patent/US6718824B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-12-17 DE DE10161921A patent/DE10161921A1/de not_active Ceased
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE10161921A1 (de) | 2002-06-27 |
| US20020073779A1 (en) | 2002-06-20 |
| JP3536817B2 (ja) | 2004-06-14 |
| US6718824B2 (en) | 2004-04-13 |
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