JP2003156509A - 半導体加速度センサおよびその製造方法 - Google Patents
半導体加速度センサおよびその製造方法Info
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- JP2003156509A JP2003156509A JP2001357824A JP2001357824A JP2003156509A JP 2003156509 A JP2003156509 A JP 2003156509A JP 2001357824 A JP2001357824 A JP 2001357824A JP 2001357824 A JP2001357824 A JP 2001357824A JP 2003156509 A JP2003156509 A JP 2003156509A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 耐衝撃性に優れた半導体加速度センサおよび
その製造方法を提供する。 【解決手段】 センサ本体１は、ｎ形シリコン層からな
る支持層１０１上の埋込絶縁層１０２上にｎ形シリコン
層からなる活性層１０３が形成されたＳＯＩ基板１０
０’を用いて形成される。撓み部１３は、延長方向の両
端部が中央部よりも幅広になるように撓み部１３の両側
面と支持枠１１の内周面および重り部１２の外周面との
間に面取り部２６が形成され、上記両端部を除いた部位
にゲージ抵抗１５が形成されている。面取り部２６は、
重り部１２と支持枠１１との間のスリット１４を形成す
る際にあたって、支持層１０１においてスリット１４に
対応する部位を埋込絶縁層１０２に達するまでエッチン
グした後で、シリコン窒化膜１９ａをマスクとして、活
性層１０３をＴＭＡＨにより異方性エッチングし、その
後、埋込絶縁層１０２を除去することによって形成され
ている。
その製造方法を提供する。 【解決手段】 センサ本体１は、ｎ形シリコン層からな
る支持層１０１上の埋込絶縁層１０２上にｎ形シリコン
層からなる活性層１０３が形成されたＳＯＩ基板１０
０’を用いて形成される。撓み部１３は、延長方向の両
端部が中央部よりも幅広になるように撓み部１３の両側
面と支持枠１１の内周面および重り部１２の外周面との
間に面取り部２６が形成され、上記両端部を除いた部位
にゲージ抵抗１５が形成されている。面取り部２６は、
重り部１２と支持枠１１との間のスリット１４を形成す
る際にあたって、支持層１０１においてスリット１４に
対応する部位を埋込絶縁層１０２に達するまでエッチン
グした後で、シリコン窒化膜１９ａをマスクとして、活
性層１０３をＴＭＡＨにより異方性エッチングし、その
後、埋込絶縁層１０２を除去することによって形成され
ている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、自動車、航空機、
家電製品などに用いられる半導体加速度センサおよびそ
の製造方法に関するものである。
家電製品などに用いられる半導体加速度センサおよびそ
の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から、加速度センサとして、機械的
な歪みを電気抵抗の変化として検出するものと、静電容
量の変化として検出するものが知られており、機械的な
歪みを電気抵抗の変化として検出する加速度センサとし
て、半導体製造技術を用いて形成された半導体加速度セ
ンサが提供されている。
な歪みを電気抵抗の変化として検出するものと、静電容
量の変化として検出するものが知られており、機械的な
歪みを電気抵抗の変化として検出する加速度センサとし
て、半導体製造技術を用いて形成された半導体加速度セ
ンサが提供されている。
【０００３】この種の半導体加速度センサとしては、例
えば図２８（ａ）に示すように、厚み方向の中間部にシ
リコン酸化膜からなる埋込絶縁層１０２を有するＳＯＩ
（Silicon On Insulator）基板１００’を用いて形成
したセンサ本体１の厚み方向の両面にガラス製のカバー
２，３を積層した構造を有するものがある。なお、ＳＯ
Ｉ基板１００’としては表面が（１００）面からなる
（１００）基板が用いられており、表面側のｎ形シリコ
ン層（以下、活性層と称す）１０３の厚さが数μｍ〜１
０μｍ程度の範囲で設定され、裏面側のｎ形シリコン層
（以下、支持層と称す）１０２の厚さが数１００μｍ程
度で設定され、埋込絶縁層１０２が数μｍ以下で設定さ
れている。また、ＳＯＩ基板１００’は支持層１０１と
活性層１０３との間に埋込絶縁層１０２が形成されたＳ
ＯＩウェハの一部により構成される。
えば図２８（ａ）に示すように、厚み方向の中間部にシ
リコン酸化膜からなる埋込絶縁層１０２を有するＳＯＩ
（Silicon On Insulator）基板１００’を用いて形成
したセンサ本体１の厚み方向の両面にガラス製のカバー
２，３を積層した構造を有するものがある。なお、ＳＯ
Ｉ基板１００’としては表面が（１００）面からなる
（１００）基板が用いられており、表面側のｎ形シリコ
ン層（以下、活性層と称す）１０３の厚さが数μｍ〜１
０μｍ程度の範囲で設定され、裏面側のｎ形シリコン層
（以下、支持層と称す）１０２の厚さが数１００μｍ程
度で設定され、埋込絶縁層１０２が数μｍ以下で設定さ
れている。また、ＳＯＩ基板１００’は支持層１０１と
活性層１０３との間に埋込絶縁層１０２が形成されたＳ
ＯＩウェハの一部により構成される。
【０００４】センサ本体１は、図２８に示すように、矩
形枠状の支持枠１１を備え、支持枠１１の中央に厚み方
向の表裏に貫通する形で形成された開口窓１１ａの中に
重り部１２が配置されるとともに、重り部１２の周囲の
一辺が他の部位よりも薄肉である撓み部１３を介して支
持枠１１に連続一体に連結された構造を有する。したが
って、重り部１２の周囲には撓み部１３を除いて支持枠
１１との間にスリット１４が形成されている。また、撓
み部１３は重り部１２の一辺に沿う方向に離間して２箇
所に形成されている。各撓み部１３には、それぞれ歪検
出素子として２個ずつのゲージ抵抗１５が形成されてい
る。ゲージ抵抗１５はピエゾ抵抗であり、ブリッジ回路
を構成するように拡散配線１７によって接続されてい
る。また、ブリッジ回路の各端子となるパッド１６は支
持枠１１に形成されている。
形枠状の支持枠１１を備え、支持枠１１の中央に厚み方
向の表裏に貫通する形で形成された開口窓１１ａの中に
重り部１２が配置されるとともに、重り部１２の周囲の
一辺が他の部位よりも薄肉である撓み部１３を介して支
持枠１１に連続一体に連結された構造を有する。したが
って、重り部１２の周囲には撓み部１３を除いて支持枠
１１との間にスリット１４が形成されている。また、撓
み部１３は重り部１２の一辺に沿う方向に離間して２箇
所に形成されている。各撓み部１３には、それぞれ歪検
出素子として２個ずつのゲージ抵抗１５が形成されてい
る。ゲージ抵抗１５はピエゾ抵抗であり、ブリッジ回路
を構成するように拡散配線１７によって接続されてい
る。また、ブリッジ回路の各端子となるパッド１６は支
持枠１１に形成されている。
【０００５】したがって、センサ本体１の厚み方向の成
分を含む外力（すなわち、加速度）が作用すると、重り
部１２の慣性によって支持枠１１と重り部１２とがセン
サ本体１の厚み方向に相対的に変位し、結果的に撓み部
１３が撓んでゲージ抵抗１５の抵抗値が変化することに
なる。つまり、ゲージ抵抗１５の抵抗値の変化を検出す
ることによりセンサ本体１に作用した加速度を検出する
ことができる。このセンサ本体１は、重り部１２が片持
ち梁としての撓み部１３を介して支持枠１１に結合され
ている。ここにおいて、図２８（ａ）の半導体加速度セ
ンサは、いわゆる片持ち梁式の半導体加速度センサを構
成しているが、両持ち梁式の半導体加速度センサも知ら
れている。
分を含む外力（すなわち、加速度）が作用すると、重り
部１２の慣性によって支持枠１１と重り部１２とがセン
サ本体１の厚み方向に相対的に変位し、結果的に撓み部
１３が撓んでゲージ抵抗１５の抵抗値が変化することに
なる。つまり、ゲージ抵抗１５の抵抗値の変化を検出す
ることによりセンサ本体１に作用した加速度を検出する
ことができる。このセンサ本体１は、重り部１２が片持
ち梁としての撓み部１３を介して支持枠１１に結合され
ている。ここにおいて、図２８（ａ）の半導体加速度セ
ンサは、いわゆる片持ち梁式の半導体加速度センサを構
成しているが、両持ち梁式の半導体加速度センサも知ら
れている。
【０００６】センサ本体１の厚み方向の裏面側（図２８
（ａ）の下面側）にはガラス製のカバー２が積層され、
またセンサ本体１の厚み方向の表面側（図２８（ａ）の
上面側）にはカバー２とともに重り部１２を囲む空間を
形成するガラス製のカバー３が積層されている。カバー
２とカバー３との間に形成される空間は密封する必要は
ないが、重り部１２が支持枠１１に対して相対的に移動
する際に、重り部１２に対して空気による制動力（いわ
ゆるエアダンプ）が作用し、過度の加速度（例えば数千
Ｇの加速度）がかかった際に重り部１２の移動量を規制
することによって撓み部１３の折損が防止されるように
構成してある。両カバー２，３において重り部１２との
対向面にはそれぞれ重り部１２の移動範囲を確保するた
めの凹所２ａ，３ａが形成されている。
（ａ）の下面側）にはガラス製のカバー２が積層され、
またセンサ本体１の厚み方向の表面側（図２８（ａ）の
上面側）にはカバー２とともに重り部１２を囲む空間を
形成するガラス製のカバー３が積層されている。カバー
２とカバー３との間に形成される空間は密封する必要は
ないが、重り部１２が支持枠１１に対して相対的に移動
する際に、重り部１２に対して空気による制動力（いわ
ゆるエアダンプ）が作用し、過度の加速度（例えば数千
Ｇの加速度）がかかった際に重り部１２の移動量を規制
することによって撓み部１３の折損が防止されるように
構成してある。両カバー２，３において重り部１２との
対向面にはそれぞれ重り部１２の移動範囲を確保するた
めの凹所２ａ，３ａが形成されている。
【０００７】ところで、センサ本体１は、活性層１０３
の表面にシリコン酸化膜１８ａが形成されるとともに、
シリコン酸化膜１８ａ上にシリコン窒化膜１９ａが形成
されており、上述のパッド１６は、コンタクト部２０を
介して、或いは、Ａｉ−Ｓｉよりなる金属配線２１およ
びコンタクト部２０を介して拡散配線１７に接続されて
いる。
の表面にシリコン酸化膜１８ａが形成されるとともに、
シリコン酸化膜１８ａ上にシリコン窒化膜１９ａが形成
されており、上述のパッド１６は、コンタクト部２０を
介して、或いは、Ａｉ−Ｓｉよりなる金属配線２１およ
びコンタクト部２０を介して拡散配線１７に接続されて
いる。
【０００８】支持枠１１とカバー３とを接合するために
センサ本体１における支持枠１１の表面にはＡｌ−Ｓｉ
よりなる接合用金属層２２が形成されている。ここにお
いて、センサ本体１と各カバー２，３とは陽極接合によ
り接合される。
センサ本体１における支持枠１１の表面にはＡｌ−Ｓｉ
よりなる接合用金属層２２が形成されている。ここにお
いて、センサ本体１と各カバー２，３とは陽極接合によ
り接合される。
【０００９】以下、図２８（ａ）の半導体加速度センサ
の製造方法について図２９を参照しながら簡単に説明す
る。なお、以下に説明するＳＯＩウェハ１００（図２９
（ａ）参照）にはセンサ本体１が多数形成され、第１の
ガラス基板にはカバー３が多数形成され、第２のガラス
基板にはカバー２が多数形成される。
の製造方法について図２９を参照しながら簡単に説明す
る。なお、以下に説明するＳＯＩウェハ１００（図２９
（ａ）参照）にはセンサ本体１が多数形成され、第１の
ガラス基板にはカバー３が多数形成され、第２のガラス
基板にはカバー２が多数形成される。
【００１０】まず、ＳＯＩウェハ１００の表面および裏
面それぞれの全面にシリコン酸化膜１８ａ，１８ｂ（図
２９（ａ）参照）を形成した後、ＳＯＩウェハ１００の
活性層１０３に拡散抵抗１７、ゲージ抵抗１５を順次形
成し、その後、ＳＯＩウェハ１００の表面側および裏面
側それぞれの全面にシリコン窒化膜１９ａ，１９ｂを形
成する。次に、ＳＯＩウェハ１００においてスリット１
４および撓み部１３に対応する部位を他の部位に比べて
薄くするためにＳＯＩウェハ１００の裏面側のシリコン
窒化膜１９ｂおよびシリコン酸化膜１８ｂをパターニン
グする。続いて、シリコン窒化膜１９ａ，１９ｂをマス
クとして、ＳＯＩウェハ１００においてスリット１４お
よび撓み部１３それぞれに対応する部位の厚さをパッド
１６が形成されるまでＳＯＩウェハ１００の破損を防止
できる程度に設定した所定厚さ（ＳＯＩウェハ１００の
活性層１０３の厚さと埋込絶縁層１０２の厚さとを加算
した厚さよりも大きく、例えば、２０μｍ程度に設定さ
れている）になるようにＫＯＨのようなアルカリ系溶液
を用いてＳＯＩウェハ１００の裏面から支持層１０１を
異方性エッチングする。その後、ＳＯＩウェハ１００の
表面側にパッド１６および金属配線２１および接合用金
属層２２を形成し、続いて、フォトリソグラフィ技術を
利用して、ＳＯＩウェハの表面側に上述のスリットを形
成するためにパターニングされたレジスト層３１（図２
９（ａ）参照）を形成し、レジスト層３１をマスクとし
てＳＯＩウェハ１００の表面側のシリコン窒化膜１９ａ
およびシリコン酸化膜１８ａをドライエッチングするこ
とによって、図２９（ａ）に示す構造が得られる。
面それぞれの全面にシリコン酸化膜１８ａ，１８ｂ（図
２９（ａ）参照）を形成した後、ＳＯＩウェハ１００の
活性層１０３に拡散抵抗１７、ゲージ抵抗１５を順次形
成し、その後、ＳＯＩウェハ１００の表面側および裏面
側それぞれの全面にシリコン窒化膜１９ａ，１９ｂを形
成する。次に、ＳＯＩウェハ１００においてスリット１
４および撓み部１３に対応する部位を他の部位に比べて
薄くするためにＳＯＩウェハ１００の裏面側のシリコン
窒化膜１９ｂおよびシリコン酸化膜１８ｂをパターニン
グする。続いて、シリコン窒化膜１９ａ，１９ｂをマス
クとして、ＳＯＩウェハ１００においてスリット１４お
よび撓み部１３それぞれに対応する部位の厚さをパッド
１６が形成されるまでＳＯＩウェハ１００の破損を防止
できる程度に設定した所定厚さ（ＳＯＩウェハ１００の
活性層１０３の厚さと埋込絶縁層１０２の厚さとを加算
した厚さよりも大きく、例えば、２０μｍ程度に設定さ
れている）になるようにＫＯＨのようなアルカリ系溶液
を用いてＳＯＩウェハ１００の裏面から支持層１０１を
異方性エッチングする。その後、ＳＯＩウェハ１００の
表面側にパッド１６および金属配線２１および接合用金
属層２２を形成し、続いて、フォトリソグラフィ技術を
利用して、ＳＯＩウェハの表面側に上述のスリットを形
成するためにパターニングされたレジスト層３１（図２
９（ａ）参照）を形成し、レジスト層３１をマスクとし
てＳＯＩウェハ１００の表面側のシリコン窒化膜１９ａ
およびシリコン酸化膜１８ａをドライエッチングするこ
とによって、図２９（ａ）に示す構造が得られる。
【００１１】その後、ＳＯＩウェハ１００の裏面側のシ
リコン窒化膜１９ｂの全部と裏面側のシリコン酸化膜１
８ｂの大部分をエッチングすることによって、図２９
（ｂ）に示す構造が得られる。なお、このエッチング前
のシリコン酸化膜１８ｂの膜厚は１μｍ程度に設定され
ており、このエッチング後のシリコン酸化膜１８ｂの膜
厚は１０００Å程度に設定されている。
リコン窒化膜１９ｂの全部と裏面側のシリコン酸化膜１
８ｂの大部分をエッチングすることによって、図２９
（ｂ）に示す構造が得られる。なお、このエッチング前
のシリコン酸化膜１８ｂの膜厚は１μｍ程度に設定され
ており、このエッチング後のシリコン酸化膜１８ｂの膜
厚は１０００Å程度に設定されている。
【００１２】次に、ＳＯＩウェハ１００の表面側のレジ
スト層３１および裏面側のシリコン酸化膜１８ｂをマス
クとして、ＳＯＩウェハ１００の表裏両側から埋込絶縁
層１０２に達するまでＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニ
ウムハイドロオキサイド）のようなアルカリ系溶液を用
いて異方性エッチングすることによって、図２９（ｄ）
に示す構造が得られる。ここにおいて、ＴＭＡＨによる
エッチング前、スリット１４に対応する部分では埋込絶
縁層１０２よりも表面側の活性層１０３の厚さに比べて
埋込絶縁層１０２よりも裏面側の支持層１０１の厚さが
厚くなっており、ＳＯＩウェハ１００の表面側において
埋込絶縁層１０２が露出した時点（つまり、活性層１０
３をいわゆるジャストエッチングした時点）でスリット
１４に対応する溝１４ａの断面形状は図２９（ｃ）に示
すような逆台形状の形状となっている。また、図３０に
示すセンサ本体１の概略平面図において撓み部１３に対
応する部位でのシリコン窒化膜１９ａの平面形状は図３
１（ａ）に示すように撓み部１３の延長方向（図３１
（ａ）の左右方向）の両端に近づくほど幅が徐々に広く
なるような形状に形成され、活性層１０３がジャストエ
ッチングされた時点（つまり、図２９（ｃ）の状態）で
の撓み部１３に対応する部位は図３１（ｂ）および図３
２に示すようになっており、エッチング終了後（つま
り、図２９（ｄ）の状態）での撓み部１３の平面形状は
図３１（ｃ）のようになっている。要するに、活性層１
０３がジャストエッチングされた時点では、撓み部１３
の延長方向の両端部が中央部よりも幅広になるように形
成されているが、ＳＯＩウェハ１００の表面側ではオー
バーエッチングされることになり、エッチング終了時点
では、撓み部１３の延長方向の両端部と中央部との幅が
略同じになって撓み部１３の両側面と支持枠１１の内周
面および重り部１２の外周面とのなす角度が略９０度に
なっている。なお、図３２において、撓み部１３の両側
面１３ａ、支持枠１１の内周面１１ｂ、重り部１２の外
周面１２ｂはいずれも（１１１）面となっており、撓み
部１３の両側面１３ｂと支持枠１１の内周面１１ｂおよ
び重り部１２の外周面１２ｂとの間の連結面２５はいず
れも（１１０）面となっている。
スト層３１および裏面側のシリコン酸化膜１８ｂをマス
クとして、ＳＯＩウェハ１００の表裏両側から埋込絶縁
層１０２に達するまでＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニ
ウムハイドロオキサイド）のようなアルカリ系溶液を用
いて異方性エッチングすることによって、図２９（ｄ）
に示す構造が得られる。ここにおいて、ＴＭＡＨによる
エッチング前、スリット１４に対応する部分では埋込絶
縁層１０２よりも表面側の活性層１０３の厚さに比べて
埋込絶縁層１０２よりも裏面側の支持層１０１の厚さが
厚くなっており、ＳＯＩウェハ１００の表面側において
埋込絶縁層１０２が露出した時点（つまり、活性層１０
３をいわゆるジャストエッチングした時点）でスリット
１４に対応する溝１４ａの断面形状は図２９（ｃ）に示
すような逆台形状の形状となっている。また、図３０に
示すセンサ本体１の概略平面図において撓み部１３に対
応する部位でのシリコン窒化膜１９ａの平面形状は図３
１（ａ）に示すように撓み部１３の延長方向（図３１
（ａ）の左右方向）の両端に近づくほど幅が徐々に広く
なるような形状に形成され、活性層１０３がジャストエ
ッチングされた時点（つまり、図２９（ｃ）の状態）で
の撓み部１３に対応する部位は図３１（ｂ）および図３
２に示すようになっており、エッチング終了後（つま
り、図２９（ｄ）の状態）での撓み部１３の平面形状は
図３１（ｃ）のようになっている。要するに、活性層１
０３がジャストエッチングされた時点では、撓み部１３
の延長方向の両端部が中央部よりも幅広になるように形
成されているが、ＳＯＩウェハ１００の表面側ではオー
バーエッチングされることになり、エッチング終了時点
では、撓み部１３の延長方向の両端部と中央部との幅が
略同じになって撓み部１３の両側面と支持枠１１の内周
面および重り部１２の外周面とのなす角度が略９０度に
なっている。なお、図３２において、撓み部１３の両側
面１３ａ、支持枠１１の内周面１１ｂ、重り部１２の外
周面１２ｂはいずれも（１１１）面となっており、撓み
部１３の両側面１３ｂと支持枠１１の内周面１１ｂおよ
び重り部１２の外周面１２ｂとの間の連結面２５はいず
れも（１１０）面となっている。
【００１３】上述の図２９（ｄ）に示す構造を得た後、
埋込絶縁層１０２の露出した部分をフッ酸系の水溶液で
エッチングしてスリット１４を形成することによって、
図２９（ｅ）に示す構造が得られる。
埋込絶縁層１０２の露出した部分をフッ酸系の水溶液で
エッチングしてスリット１４を形成することによって、
図２９（ｅ）に示す構造が得られる。
【００１４】次に、ＳＯＩウェハ１００の表面側に、あ
らかじめ多数のカバー３が形成された第１のガラス基板
を陽極接合により接合し、続いて、ＳＯＩウェハ１００
の裏面側に、あらかじめ多数のカバー２が形成された第
２のガラス基板を陽極接合により接合し、その後、ダイ
シングを行うことによって、上述の図２８（ａ）に示す
ようなセンサ本体１および一対のカバー２，３からなる
半導体加速度センサが得られる。
らかじめ多数のカバー３が形成された第１のガラス基板
を陽極接合により接合し、続いて、ＳＯＩウェハ１００
の裏面側に、あらかじめ多数のカバー２が形成された第
２のガラス基板を陽極接合により接合し、その後、ダイ
シングを行うことによって、上述の図２８（ａ）に示す
ようなセンサ本体１および一対のカバー２，３からなる
半導体加速度センサが得られる。
【００１５】ところで、図２８（ａ）に示した半導体加
速度センサにおけるセンサ本体１はＳＯＩ基板１００’
を用いて形成したものであるが、特開平８−１８０６６
号公報には、ｐ形シリコン基板上にｎ形シリコン層をエ
ピタキシャル成長させた半導体基板を用いてセンサ本体
を形成したものも提案されている。この公報に開示され
た半導体加速度センサのセンサ本体では、ｎ形シリコン
層の厚さが撓み部の厚さの２倍程度の厚さに設定されて
おり、支持枠と重り部との間のスリットを形成するにあ
たって、半導体基板の裏面にマスクを設けて半導体基板
の裏面（つまり、ｐ形シリコン基板の裏面）からｎ形シ
リコン層に達するまで１回目のエッチングを行った後、
半導体基板の表裏から２回目のエッチングを行いスリッ
トに対応する部位が貫通するタイミングで２回目のエッ
チングを終了させている。したがって、このセンサ本体
では、ｎ形シリコン層の厚さの半分程度の厚さの撓み部
が形成されることになる。
速度センサにおけるセンサ本体１はＳＯＩ基板１００’
を用いて形成したものであるが、特開平８−１８０６６
号公報には、ｐ形シリコン基板上にｎ形シリコン層をエ
ピタキシャル成長させた半導体基板を用いてセンサ本体
を形成したものも提案されている。この公報に開示され
た半導体加速度センサのセンサ本体では、ｎ形シリコン
層の厚さが撓み部の厚さの２倍程度の厚さに設定されて
おり、支持枠と重り部との間のスリットを形成するにあ
たって、半導体基板の裏面にマスクを設けて半導体基板
の裏面（つまり、ｐ形シリコン基板の裏面）からｎ形シ
リコン層に達するまで１回目のエッチングを行った後、
半導体基板の表裏から２回目のエッチングを行いスリッ
トに対応する部位が貫通するタイミングで２回目のエッ
チングを終了させている。したがって、このセンサ本体
では、ｎ形シリコン層の厚さの半分程度の厚さの撓み部
が形成されることになる。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】上述の図２８（ａ）に
示した半導体加速度センサにおいて感度を向上させるた
めの手段としては、撓み部１３の撓み量が大きくなるよ
うに撓み部１３の厚さをさらに薄膜化することや重り部
１２の重量をさらに増加させることが考えられる。しか
しながら、このような手段によって感度を向上させる場
合、製造工程において、真空チャックによるＳＯＩウェ
ハ１００の吸着の際、液体による洗浄工程やエッチング
工程を行う際、ＳＯＩウェハ１００を保管用のカセット
へ収納するハンドリングの際、ＳＯＩウェハ１００の搬
送などの際に、撓み部１３が機械的振動や衝撃により破
損しやすくなって、収率が著しく低下したり、破損した
ＳＯＩウェハ１００の破片などによる製造装置の汚染や
故障などが発生してしまうことが考えられる。特に、パ
ッド１６および金属配線２１および接合用金属層２２を
構成する金属薄膜の成膜装置における真空吸着や搬送に
よる衝撃や振動、当該金属膜をパターニングするための
スピナーによるレジスト塗布工程での塗布時の遠心力、
吸着や搬送による衝撃や振動、マスクアライナを用いた
フォトリソグラフィ工程での吸着や搬送による衝撃や振
動、レジストのベークや現像、乾燥などの搬送工程での
衝撃や振動などによりＳＯＩウェハ１００が破損してし
まう恐れがある。そこで、上述の製造方法では、ＳＯＩ
ウェハ１００の裏面からＫＯＨを用いて異方性エッチン
グする際に撓み部１３およびスリット１４それぞれに対
応する部位の厚さを上述の所定厚さに設定している。
示した半導体加速度センサにおいて感度を向上させるた
めの手段としては、撓み部１３の撓み量が大きくなるよ
うに撓み部１３の厚さをさらに薄膜化することや重り部
１２の重量をさらに増加させることが考えられる。しか
しながら、このような手段によって感度を向上させる場
合、製造工程において、真空チャックによるＳＯＩウェ
ハ１００の吸着の際、液体による洗浄工程やエッチング
工程を行う際、ＳＯＩウェハ１００を保管用のカセット
へ収納するハンドリングの際、ＳＯＩウェハ１００の搬
送などの際に、撓み部１３が機械的振動や衝撃により破
損しやすくなって、収率が著しく低下したり、破損した
ＳＯＩウェハ１００の破片などによる製造装置の汚染や
故障などが発生してしまうことが考えられる。特に、パ
ッド１６および金属配線２１および接合用金属層２２を
構成する金属薄膜の成膜装置における真空吸着や搬送に
よる衝撃や振動、当該金属膜をパターニングするための
スピナーによるレジスト塗布工程での塗布時の遠心力、
吸着や搬送による衝撃や振動、マスクアライナを用いた
フォトリソグラフィ工程での吸着や搬送による衝撃や振
動、レジストのベークや現像、乾燥などの搬送工程での
衝撃や振動などによりＳＯＩウェハ１００が破損してし
まう恐れがある。そこで、上述の製造方法では、ＳＯＩ
ウェハ１００の裏面からＫＯＨを用いて異方性エッチン
グする際に撓み部１３およびスリット１４それぞれに対
応する部位の厚さを上述の所定厚さに設定している。
【００１７】しかしながら、上述の半導体加速度センサ
では、ＫＯＨ、ＴＭＡＨなどのアルカリ系溶液を用いた
異方性エッチングを利用して撓み部１３を形成している
にもかかわらず、撓み部１３の両側面１３ｂと支持枠１
１の内周面１１ｂとのなす角度および撓み部１３の両側
面１３ｂと重り部１２の外周面１２ｂとのなす角度がい
ずれも９０度になっており、しかも撓み部１３の両端部
の形状が不安定であり、撓み部１３の付根の部分でクラ
ックが発生しやすく、１０００Ｇを超える耐衝撃性を得
ることができないという不具合があった。なお、車載用
の半導体加速度センサでは過度の加速度（数千Ｇ以上の
加速度）が加わる場合があり、数千Ｇの加速度での撓み
部１３の破損を防止して品質を保証しなければならな
い。
では、ＫＯＨ、ＴＭＡＨなどのアルカリ系溶液を用いた
異方性エッチングを利用して撓み部１３を形成している
にもかかわらず、撓み部１３の両側面１３ｂと支持枠１
１の内周面１１ｂとのなす角度および撓み部１３の両側
面１３ｂと重り部１２の外周面１２ｂとのなす角度がい
ずれも９０度になっており、しかも撓み部１３の両端部
の形状が不安定であり、撓み部１３の付根の部分でクラ
ックが発生しやすく、１０００Ｇを超える耐衝撃性を得
ることができないという不具合があった。なお、車載用
の半導体加速度センサでは過度の加速度（数千Ｇ以上の
加速度）が加わる場合があり、数千Ｇの加速度での撓み
部１３の破損を防止して品質を保証しなければならな
い。
【００１８】また、特開平８−１８０６６号に開示され
た半導体加速度センサでは、支持枠と重り部との間のス
リットを形成するにあたって、１回目のエッチングをｐ
ｎ接合界面付近で終了させるものであり、ｐ形シリコン
基板の厚さは数百μｍ程度に設定されているので、ｎ形
シリコン層の厚さを数μｍ〜１０μｍ程度に設定する
と、１回目のエッチング終了後のウェハ面内において撓
み部に相当する部位の厚みのばらつきが大きくなり、結
果的に製品ごとの感度のばらつきが大きくなってしまう
という不具合があった。
た半導体加速度センサでは、支持枠と重り部との間のス
リットを形成するにあたって、１回目のエッチングをｐ
ｎ接合界面付近で終了させるものであり、ｐ形シリコン
基板の厚さは数百μｍ程度に設定されているので、ｎ形
シリコン層の厚さを数μｍ〜１０μｍ程度に設定する
と、１回目のエッチング終了後のウェハ面内において撓
み部に相当する部位の厚みのばらつきが大きくなり、結
果的に製品ごとの感度のばらつきが大きくなってしまう
という不具合があった。
【００１９】しかも、特開平８−１８０６６号に開示さ
れた半導体加速度センサの製造方法では、上述の１回目
のエッチング終了時において撓み部に相当する部位の厚
さが撓み部の所望の厚さの２倍程度の厚さしかないの
で、後の工程でウェハが破損してしまう可能性が高くな
って歩留まりが低下し、コストが高くなってしまうとい
う不具合があった。
れた半導体加速度センサの製造方法では、上述の１回目
のエッチング終了時において撓み部に相当する部位の厚
さが撓み部の所望の厚さの２倍程度の厚さしかないの
で、後の工程でウェハが破損してしまう可能性が高くな
って歩留まりが低下し、コストが高くなってしまうとい
う不具合があった。
【００２０】本発明は上記事由に鑑みて為されたもので
あり、その目的は、耐衝撃性に優れた半導体加速度セン
サおよびその製造方法を提供することにある。
あり、その目的は、耐衝撃性に優れた半導体加速度セン
サおよびその製造方法を提供することにある。
【００２１】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、上記
目的を達成するために、矩形枠状の支持枠の表裏に貫通
する開口窓内に配置した重り部が可撓性を有する撓み部
を介して支持枠に一体に連結され、かつ重り部への加速
度の作用により撓み部に生じる応力を検出するゲージ抵
抗が撓み部に設けられ入出力用の電極が支持枠の表面側
に設けられたセンサ本体と、センサ本体の表面側におい
て前記開口窓を覆うように支持枠に接合された第１のカ
バーと、センサ本体の裏面側において前記開口窓を覆う
ように支持枠に接合された第２のカバーとを備え、撓み
部は、センサ本体の表面側に設けられ、延長方向の両端
部が中央部よりも幅広になるように撓み部の両側面と支
持枠の内周面および重り部の外周面との間に面取り部が
形成されてなることを特徴とするものであり、撓み部の
延長方向の両端部が中央部よりも幅広になるように撓み
部の両側面と支持枠の内周面および重り部の外周面との
間に面取り部が形成されているので、撓み部の耐衝撃性
が向上し、半導体加速度センサとしての耐衝撃性も向上
する。
目的を達成するために、矩形枠状の支持枠の表裏に貫通
する開口窓内に配置した重り部が可撓性を有する撓み部
を介して支持枠に一体に連結され、かつ重り部への加速
度の作用により撓み部に生じる応力を検出するゲージ抵
抗が撓み部に設けられ入出力用の電極が支持枠の表面側
に設けられたセンサ本体と、センサ本体の表面側におい
て前記開口窓を覆うように支持枠に接合された第１のカ
バーと、センサ本体の裏面側において前記開口窓を覆う
ように支持枠に接合された第２のカバーとを備え、撓み
部は、センサ本体の表面側に設けられ、延長方向の両端
部が中央部よりも幅広になるように撓み部の両側面と支
持枠の内周面および重り部の外周面との間に面取り部が
形成されてなることを特徴とするものであり、撓み部の
延長方向の両端部が中央部よりも幅広になるように撓み
部の両側面と支持枠の内周面および重り部の外周面との
間に面取り部が形成されているので、撓み部の耐衝撃性
が向上し、半導体加速度センサとしての耐衝撃性も向上
する。
【００２２】請求項２の発明は、請求項１の発明におい
て、前記ゲージ抵抗は前記撓み部において前記両端部を
除いた部位に形成されているので、出力特性への前記面
取り部の影響を少なくすることができる。
て、前記ゲージ抵抗は前記撓み部において前記両端部を
除いた部位に形成されているので、出力特性への前記面
取り部の影響を少なくすることができる。
【００２３】請求項３の発明は、請求項１または請求項
２の発明において、前記撓み部を２つ備え、前記各撓み
部が前記重り部の一辺に沿う方向に離間して形成され、
前記各撓み部は前記一辺に沿う方向において互いに対向
する側面側の面取り部よりも反対の側面側の面取り部の
サイズを大きくしてあるので、前記重り部の先端部が上
記一辺に沿う方向に振れたり前記重り部が前記撓み部の
延長方向に平行な中心線に対してねじれた場合に応力が
集中して撓み部が折損するのを防止することができる。
２の発明において、前記撓み部を２つ備え、前記各撓み
部が前記重り部の一辺に沿う方向に離間して形成され、
前記各撓み部は前記一辺に沿う方向において互いに対向
する側面側の面取り部よりも反対の側面側の面取り部の
サイズを大きくしてあるので、前記重り部の先端部が上
記一辺に沿う方向に振れたり前記重り部が前記撓み部の
延長方向に平行な中心線に対してねじれた場合に応力が
集中して撓み部が折損するのを防止することができる。
【００２４】請求項４の発明は、請求項１ないし請求項
３の発明において、前記センサ本体は、裏面側の第１の
シリコン層と表面側の第２のシリコン層との間に絶縁層
を介在させたＳＯＩ基板を用いて形成され、前記撓み部
が第２のシリコン層の一部からなることを特徴とし、実
施態様である。
３の発明において、前記センサ本体は、裏面側の第１の
シリコン層と表面側の第２のシリコン層との間に絶縁層
を介在させたＳＯＩ基板を用いて形成され、前記撓み部
が第２のシリコン層の一部からなることを特徴とし、実
施態様である。
【００２５】請求項５の発明は、請求項４の発明におい
て、前記ＳＯＩ基板の表面は（１００）面からなること
を特徴とし、実施態様である。
て、前記ＳＯＩ基板の表面は（１００）面からなること
を特徴とし、実施態様である。
【００２６】請求項６の発明は、請求項５記載の半導体
加速度センサの製造方法であって、ＳＯＩウェハにおい
て前記重り部と前記支持枠との間に前記撓み部を除いて
形成されるスリットおよび前記撓み部それぞれに対応す
る部位の厚さが前記第２のシリコン層と前記埋込絶縁層
の厚さとを加算した厚さよりも大きく、且つ、前記電極
が形成されるまでＳＯＩウェハの破損を防止できる程度
に設定した所定厚さになるように第１のアルカリ系溶液
を用いてＳＯＩウェハの裏面から異方性エッチングする
第１のエッチング工程と、前記電極を形成した後にＳＯ
Ｉウェハにおいて前記スリットおよび前記撓み部それぞ
れに対応する部位を前記埋込絶縁層に達するまで第２の
アルカリ系溶液を用いてＳＯＩウェハの裏面側から異方
性エッチングする第２のエッチング工程と、ＳＯＩウェ
ハにおいて前記スリットに対応する部位を前記埋込絶縁
層に達するまで第３のアルカリ系溶液を用いてＳＯＩウ
ェハの表面から異方性エッチングする第３のエッチング
工程と、ＳＯＩウェハにおいて前記スリットおよび前記
撓み部に対応する部位の前記埋込絶縁層を除去する第４
のエッチング工程とを備え、前記第３のエッチング工程
では、前記スリットに対応する部位が開口され且つ前記
撓み部および前記支持枠および前記重り部および前記面
取り部に対応する部位を保護するようにＳＯＩウェハの
表面側を覆うマスクを用いることを特徴とする。
加速度センサの製造方法であって、ＳＯＩウェハにおい
て前記重り部と前記支持枠との間に前記撓み部を除いて
形成されるスリットおよび前記撓み部それぞれに対応す
る部位の厚さが前記第２のシリコン層と前記埋込絶縁層
の厚さとを加算した厚さよりも大きく、且つ、前記電極
が形成されるまでＳＯＩウェハの破損を防止できる程度
に設定した所定厚さになるように第１のアルカリ系溶液
を用いてＳＯＩウェハの裏面から異方性エッチングする
第１のエッチング工程と、前記電極を形成した後にＳＯ
Ｉウェハにおいて前記スリットおよび前記撓み部それぞ
れに対応する部位を前記埋込絶縁層に達するまで第２の
アルカリ系溶液を用いてＳＯＩウェハの裏面側から異方
性エッチングする第２のエッチング工程と、ＳＯＩウェ
ハにおいて前記スリットに対応する部位を前記埋込絶縁
層に達するまで第３のアルカリ系溶液を用いてＳＯＩウ
ェハの表面から異方性エッチングする第３のエッチング
工程と、ＳＯＩウェハにおいて前記スリットおよび前記
撓み部に対応する部位の前記埋込絶縁層を除去する第４
のエッチング工程とを備え、前記第３のエッチング工程
では、前記スリットに対応する部位が開口され且つ前記
撓み部および前記支持枠および前記重り部および前記面
取り部に対応する部位を保護するようにＳＯＩウェハの
表面側を覆うマスクを用いることを特徴とする。
【００２７】この製造方法によれば、前記所定厚さを、
前記電極が形成されるまでＳＯＩウェハの破損を防止で
きる程度に設定してあるので、製造工程の途中でＳＯＩ
ウェハが破壊されるのを防止することができ、収率が高
くなって低コスト化を図れ、さらに、前記撓み部の破損
が防止されることで、収率を悪くすることなしに前記撓
み部の厚さを薄くすることが可能となるので、半導体加
速度センサの高感度化を図ることができ、しかも、ＳＯ
Ｉウェハにおいて前記スリットに対応する部位をあらか
じめ裏面側から前記埋込絶縁層に達するまで異方性エッ
チングした後に前記スリットに対応する部位を前記埋込
絶縁層に達するまで第３のアルカリ系溶液を用いてＳＯ
Ｉウェハの表面から異方性エッチングしているので、ジ
ャストエッチング時点からのオーバーエッチング時間を
短くすることができて前記面取り部が形成されるから、
耐衝撃性の高い半導体加速度センサを提供することがで
きる。
前記電極が形成されるまでＳＯＩウェハの破損を防止で
きる程度に設定してあるので、製造工程の途中でＳＯＩ
ウェハが破壊されるのを防止することができ、収率が高
くなって低コスト化を図れ、さらに、前記撓み部の破損
が防止されることで、収率を悪くすることなしに前記撓
み部の厚さを薄くすることが可能となるので、半導体加
速度センサの高感度化を図ることができ、しかも、ＳＯ
Ｉウェハにおいて前記スリットに対応する部位をあらか
じめ裏面側から前記埋込絶縁層に達するまで異方性エッ
チングした後に前記スリットに対応する部位を前記埋込
絶縁層に達するまで第３のアルカリ系溶液を用いてＳＯ
Ｉウェハの表面から異方性エッチングしているので、ジ
ャストエッチング時点からのオーバーエッチング時間を
短くすることができて前記面取り部が形成されるから、
耐衝撃性の高い半導体加速度センサを提供することがで
きる。
【００２８】請求項７の発明は、請求項５記載の半導体
加速度センサの製造方法であって、ＳＯＩウェハにおい
て前記重り部と前記支持枠との間に前記撓み部を除いて
形成されるスリットおよび前記撓み部それぞれに対応す
る部位の厚さが前記第２のシリコン層と前記埋込絶縁層
の厚さとを加算した厚さよりも大きく、且つ、前記電極
が形成されるまでＳＯＩウェハの破損を防止できる程度
に設定した所定厚さになるように第１のアルカリ系溶液
を用いてＳＯＩウェハの裏面から異方性エッチングする
第１のエッチング工程と、前記電極を形成した後にＳＯ
Ｉウェハにおいて前記スリットおよび前記撓み部それぞ
れに対応する部位を前記埋込絶縁層に達するまで第２の
アルカリ系溶液を用いてＳＯＩウェハの裏面側から異方
性エッチングする第２のエッチング工程と、第２のエッ
チング工程の後に露出した前記埋込絶縁層を途中までエ
ッチングする第３のエッチング工程と、ＳＯＩウェハに
おいて前記スリットに対応する部位を前記埋込絶縁層に
達するまで第３のアルカリ系溶液を用いてＳＯＩウェハ
の表面から異方性エッチングする第４のエッチング工程
と、ＳＯＩウェハにおいて前記スリットおよび前記撓み
部に対応する部位の前記埋込絶縁層を除去する第５のエ
ッチング工程とを備え、前記第４のエッチング工程で
は、前記スリットに対応する部位が開口され且つ前記撓
み部および前記支持枠および前記重り部および前記面取
り部に対応する部位を保護するようにＳＯＩウェハの表
面側を覆うマスクを用いることを特徴とする。
加速度センサの製造方法であって、ＳＯＩウェハにおい
て前記重り部と前記支持枠との間に前記撓み部を除いて
形成されるスリットおよび前記撓み部それぞれに対応す
る部位の厚さが前記第２のシリコン層と前記埋込絶縁層
の厚さとを加算した厚さよりも大きく、且つ、前記電極
が形成されるまでＳＯＩウェハの破損を防止できる程度
に設定した所定厚さになるように第１のアルカリ系溶液
を用いてＳＯＩウェハの裏面から異方性エッチングする
第１のエッチング工程と、前記電極を形成した後にＳＯ
Ｉウェハにおいて前記スリットおよび前記撓み部それぞ
れに対応する部位を前記埋込絶縁層に達するまで第２の
アルカリ系溶液を用いてＳＯＩウェハの裏面側から異方
性エッチングする第２のエッチング工程と、第２のエッ
チング工程の後に露出した前記埋込絶縁層を途中までエ
ッチングする第３のエッチング工程と、ＳＯＩウェハに
おいて前記スリットに対応する部位を前記埋込絶縁層に
達するまで第３のアルカリ系溶液を用いてＳＯＩウェハ
の表面から異方性エッチングする第４のエッチング工程
と、ＳＯＩウェハにおいて前記スリットおよび前記撓み
部に対応する部位の前記埋込絶縁層を除去する第５のエ
ッチング工程とを備え、前記第４のエッチング工程で
は、前記スリットに対応する部位が開口され且つ前記撓
み部および前記支持枠および前記重り部および前記面取
り部に対応する部位を保護するようにＳＯＩウェハの表
面側を覆うマスクを用いることを特徴とする。
【００２９】この製造方法によれば、前記所定厚さを、
前記電極が形成されるまでＳＯＩウェハの破損を防止で
きる程度に設定してあるので、製造工程の途中でＳＯＩ
ウェハが破壊されるのを防止することができ、収率が高
くなって低コスト化を図れ、さらに、前記撓み部の破損
が防止されることで、収率を悪くすることなしに前記撓
み部の厚さを薄くすることが可能となるので、半導体加
速度センサの高感度化を図ることができ、しかも、ＳＯ
Ｉウェハにおいて前記スリットに対応する部位をあらか
じめ裏面側から前記埋込絶縁層の途中までエッチングし
た後に前記スリットに対応する部位を前記埋込絶縁層に
達するまで第３のアルカリ系溶液を用いてＳＯＩウェハ
の表面から異方性エッチングしているので、ジャストエ
ッチング時点からのオーバーエッチング時間を短くする
ことができて前記面取り部が形成されるから、耐衝撃性
の高い半導体加速度センサを提供することができる。
前記電極が形成されるまでＳＯＩウェハの破損を防止で
きる程度に設定してあるので、製造工程の途中でＳＯＩ
ウェハが破壊されるのを防止することができ、収率が高
くなって低コスト化を図れ、さらに、前記撓み部の破損
が防止されることで、収率を悪くすることなしに前記撓
み部の厚さを薄くすることが可能となるので、半導体加
速度センサの高感度化を図ることができ、しかも、ＳＯ
Ｉウェハにおいて前記スリットに対応する部位をあらか
じめ裏面側から前記埋込絶縁層の途中までエッチングし
た後に前記スリットに対応する部位を前記埋込絶縁層に
達するまで第３のアルカリ系溶液を用いてＳＯＩウェハ
の表面から異方性エッチングしているので、ジャストエ
ッチング時点からのオーバーエッチング時間を短くする
ことができて前記面取り部が形成されるから、耐衝撃性
の高い半導体加速度センサを提供することができる。
【００３０】請求項８の発明は、請求項５記載の半導体
加速度センサの製造方法であって、ＳＯＩウェハにおい
て前記重り部と前記支持枠との間に前記撓み部を除いて
形成されるスリットおよび前記撓み部それぞれに対応す
る部位の厚さが前記第２のシリコン層と前記埋込絶縁層
の厚さとを加算した厚さよりも大きく、且つ、前記電極
が形成されるまでＳＯＩウェハの破損を防止できる程度
に設定した所定厚さになるように第１のアルカリ系溶液
を用いてＳＯＩウェハの裏面から異方性エッチングする
第１のエッチング工程と、前記電極を形成した後にＳＯ
Ｉウェハにおいて前記スリットおよび前記撓み部それぞ
れに対応する部位を前記埋込絶縁層に達するまで第２の
アルカリ系溶液を用いてＳＯＩウェハの裏面側から異方
性エッチングする第２のエッチング工程と、ＳＯＩウェ
ハにおいて前記スリットに対応する部位を前記埋込絶縁
層に達するまで第３のアルカリ系溶液を用いてＳＯＩウ
ェハの表面から異方性エッチングする第３のエッチング
工程と、前記各エッチング工程で用いたマスクを利用し
てＳＯＩウェハの表裏両側から前記各シリコン層の等方
性エッチングを行う第４のエッチング工程と、ＳＯＩウ
ェハにおいて前記スリットおよび前記撓み部に対応する
部位の前記埋込絶縁層を除去する第５のエッチング工程
とを備え、前記第３のエッチング工程では、前記スリッ
トに対応する部位が開口され且つ前記撓み部および前記
支持枠および前記重り部および前記面取り部に対応する
部位を保護するようにＳＯＩウェハの表面側を覆うマス
クを用いることを特徴とする。
加速度センサの製造方法であって、ＳＯＩウェハにおい
て前記重り部と前記支持枠との間に前記撓み部を除いて
形成されるスリットおよび前記撓み部それぞれに対応す
る部位の厚さが前記第２のシリコン層と前記埋込絶縁層
の厚さとを加算した厚さよりも大きく、且つ、前記電極
が形成されるまでＳＯＩウェハの破損を防止できる程度
に設定した所定厚さになるように第１のアルカリ系溶液
を用いてＳＯＩウェハの裏面から異方性エッチングする
第１のエッチング工程と、前記電極を形成した後にＳＯ
Ｉウェハにおいて前記スリットおよび前記撓み部それぞ
れに対応する部位を前記埋込絶縁層に達するまで第２の
アルカリ系溶液を用いてＳＯＩウェハの裏面側から異方
性エッチングする第２のエッチング工程と、ＳＯＩウェ
ハにおいて前記スリットに対応する部位を前記埋込絶縁
層に達するまで第３のアルカリ系溶液を用いてＳＯＩウ
ェハの表面から異方性エッチングする第３のエッチング
工程と、前記各エッチング工程で用いたマスクを利用し
てＳＯＩウェハの表裏両側から前記各シリコン層の等方
性エッチングを行う第４のエッチング工程と、ＳＯＩウ
ェハにおいて前記スリットおよび前記撓み部に対応する
部位の前記埋込絶縁層を除去する第５のエッチング工程
とを備え、前記第３のエッチング工程では、前記スリッ
トに対応する部位が開口され且つ前記撓み部および前記
支持枠および前記重り部および前記面取り部に対応する
部位を保護するようにＳＯＩウェハの表面側を覆うマス
クを用いることを特徴とする。
【００３１】この製造方法によれば、前記所定厚さを、
前記電極が形成されるまでＳＯＩウェハの破損を防止で
きる程度に設定してあるので、製造工程の途中でＳＯＩ
ウェハが破壊されるのを防止することができ、収率が高
くなって低コスト化を図れ、さらに、前記撓み部の破損
が防止されることで、収率を悪くすることなしに前記撓
み部の厚さを薄くすることが可能となるので、半導体加
速度センサの高感度化を図ることができ、しかも、ＳＯ
Ｉウェハの表裏両側から前記各シリコン層の等方性エッ
チングを行う第４のエッチング工程を備えているので、
製造工程の途中で前記埋込絶縁層と前記支持枠および前
記重り部との境界部分に集中する応力を緩和することが
できてＳＯＩウェハの破損を防止でき、その上、ＳＯＩ
ウェハにおいて前記スリットに対応する部位をあらかじ
め裏面側から前記埋込絶縁層に達するまで異方性エッチ
ングした後に前記スリットに対応する部位を前記埋込絶
縁層に達するまで第３のアルカリ系溶液を用いてＳＯＩ
ウェハの表面から異方性エッチングしているので、ジャ
ストエッチング時点からのオーバーエッチング時間を短
くすることができて前記面取り部が形成されるから、耐
衝撃性の高い半導体加速度センサを提供することができ
る。
前記電極が形成されるまでＳＯＩウェハの破損を防止で
きる程度に設定してあるので、製造工程の途中でＳＯＩ
ウェハが破壊されるのを防止することができ、収率が高
くなって低コスト化を図れ、さらに、前記撓み部の破損
が防止されることで、収率を悪くすることなしに前記撓
み部の厚さを薄くすることが可能となるので、半導体加
速度センサの高感度化を図ることができ、しかも、ＳＯ
Ｉウェハの表裏両側から前記各シリコン層の等方性エッ
チングを行う第４のエッチング工程を備えているので、
製造工程の途中で前記埋込絶縁層と前記支持枠および前
記重り部との境界部分に集中する応力を緩和することが
できてＳＯＩウェハの破損を防止でき、その上、ＳＯＩ
ウェハにおいて前記スリットに対応する部位をあらかじ
め裏面側から前記埋込絶縁層に達するまで異方性エッチ
ングした後に前記スリットに対応する部位を前記埋込絶
縁層に達するまで第３のアルカリ系溶液を用いてＳＯＩ
ウェハの表面から異方性エッチングしているので、ジャ
ストエッチング時点からのオーバーエッチング時間を短
くすることができて前記面取り部が形成されるから、耐
衝撃性の高い半導体加速度センサを提供することができ
る。
【００３２】請求項９の発明は、請求項５記載の半導体
加速度センサの製造方法であって、ＳＯＩウェハにおい
て前記重り部と前記支持枠との間に前記撓み部を除いて
形成されるスリットおよび前記撓み部それぞれに対応す
る部位の厚さが前記第２のシリコン層と前記埋込絶縁層
の厚さとを加算した厚さよりも大きく、且つ、前記電極
が形成されるまでＳＯＩウェハの破損を防止できる程度
に設定した所定厚さになるように第１のアルカリ系溶液
を用いてＳＯＩウェハの裏面から異方性エッチングする
第１のエッチング工程と、前記電極を形成した後にＳＯ
Ｉウェハにおいて前記スリットおよび前記撓み部それぞ
れに対応する部位を前記埋込絶縁層に達するまで第２の
アルカリ系溶液を用いてＳＯＩウェハの裏面側から異方
性エッチングする第２のエッチング工程と、ＳＯＩウェ
ハにおいて前記スリットに対応する部位を前記埋込絶縁
層に達するまで第３のアルカリ系溶液を用いてＳＯＩウ
ェハの表面から異方性エッチングする第３のエッチング
工程と、ＳＯＩウェハにおいて前記スリットおよび前記
撓み部に対応する部位の前記埋込絶縁層をＳＯＩウェハ
の裏面側からドライエッチングにより除去する第４のエ
ッチング工程とを備え、前記第３のエッチング工程で
は、前記スリットに対応する部位が開口され且つ前記撓
み部および前記支持枠および前記重り部および前記面取
り部に対応する部位を保護するようにＳＯＩウェハの表
面側を覆うマスクを用いることを特徴とする。
加速度センサの製造方法であって、ＳＯＩウェハにおい
て前記重り部と前記支持枠との間に前記撓み部を除いて
形成されるスリットおよび前記撓み部それぞれに対応す
る部位の厚さが前記第２のシリコン層と前記埋込絶縁層
の厚さとを加算した厚さよりも大きく、且つ、前記電極
が形成されるまでＳＯＩウェハの破損を防止できる程度
に設定した所定厚さになるように第１のアルカリ系溶液
を用いてＳＯＩウェハの裏面から異方性エッチングする
第１のエッチング工程と、前記電極を形成した後にＳＯ
Ｉウェハにおいて前記スリットおよび前記撓み部それぞ
れに対応する部位を前記埋込絶縁層に達するまで第２の
アルカリ系溶液を用いてＳＯＩウェハの裏面側から異方
性エッチングする第２のエッチング工程と、ＳＯＩウェ
ハにおいて前記スリットに対応する部位を前記埋込絶縁
層に達するまで第３のアルカリ系溶液を用いてＳＯＩウ
ェハの表面から異方性エッチングする第３のエッチング
工程と、ＳＯＩウェハにおいて前記スリットおよび前記
撓み部に対応する部位の前記埋込絶縁層をＳＯＩウェハ
の裏面側からドライエッチングにより除去する第４のエ
ッチング工程とを備え、前記第３のエッチング工程で
は、前記スリットに対応する部位が開口され且つ前記撓
み部および前記支持枠および前記重り部および前記面取
り部に対応する部位を保護するようにＳＯＩウェハの表
面側を覆うマスクを用いることを特徴とする。
【００３３】この製造方法によれば、前記所定厚さを、
前記電極が形成されるまでＳＯＩウェハの破損を防止で
きる程度に設定してあるので、製造工程の途中でＳＯＩ
ウェハが破壊されるのを防止することができ、収率が高
くなって低コスト化を図れ、さらに、前記撓み部の破損
が防止されることで、収率を悪くすることなしに前記撓
み部の厚さを薄くすることが可能となるので、半導体加
速度センサの高感度化を図ることができ、しかも、ＳＯ
Ｉウェハにおいて前記スリットに対応する部位をあらか
じめ裏面側から前記埋込絶縁層に達するまで異方性エッ
チングした後に前記スリットに対応する部位を前記埋込
絶縁層に達するまで第３のアルカリ系溶液を用いてＳＯ
Ｉウェハの表面から異方性エッチングしているので、ジ
ャストエッチング時点からのオーバーエッチング時間を
短くすることができて前記面取り部が形成されるから、
耐衝撃性の高い半導体加速度センサを提供することがで
きる。また、ＳＯＩウェハにおいて前記スリットおよび
前記撓み部に対応する部位の前記埋込絶縁層をＳＯＩウ
ェハの裏面側からドライエッチングにより除去している
ので、ＳＯＩウェハの表面側にエッチングダメージを与
えることなく前記埋込絶縁層を除去することができる。
前記電極が形成されるまでＳＯＩウェハの破損を防止で
きる程度に設定してあるので、製造工程の途中でＳＯＩ
ウェハが破壊されるのを防止することができ、収率が高
くなって低コスト化を図れ、さらに、前記撓み部の破損
が防止されることで、収率を悪くすることなしに前記撓
み部の厚さを薄くすることが可能となるので、半導体加
速度センサの高感度化を図ることができ、しかも、ＳＯ
Ｉウェハにおいて前記スリットに対応する部位をあらか
じめ裏面側から前記埋込絶縁層に達するまで異方性エッ
チングした後に前記スリットに対応する部位を前記埋込
絶縁層に達するまで第３のアルカリ系溶液を用いてＳＯ
Ｉウェハの表面から異方性エッチングしているので、ジ
ャストエッチング時点からのオーバーエッチング時間を
短くすることができて前記面取り部が形成されるから、
耐衝撃性の高い半導体加速度センサを提供することがで
きる。また、ＳＯＩウェハにおいて前記スリットおよび
前記撓み部に対応する部位の前記埋込絶縁層をＳＯＩウ
ェハの裏面側からドライエッチングにより除去している
ので、ＳＯＩウェハの表面側にエッチングダメージを与
えることなく前記埋込絶縁層を除去することができる。
【００３４】請求項１０の発明は、請求項５記載の半導
体加速度センサの製造方法であって、ＳＯＩウェハにお
いて前記重り部と前記支持枠との間に前記撓み部を除い
て形成されるスリットおよび前記撓み部それぞれに対応
する部位の厚さが前記第２のシリコン層と前記埋込絶縁
層の厚さとを加算した厚さよりも大きく、且つ、前記電
極が形成されるまでＳＯＩウェハの破損を防止できる程
度に設定した所定厚さになるように第１のアルカリ系溶
液を用いてＳＯＩウェハの裏面から異方性エッチングす
る第１のエッチング工程と、前記電極を形成した後にＳ
ＯＩウェハにおいて前記スリットおよび前記撓み部それ
ぞれに対応する部位を前記埋込絶縁層に達するまで第２
のアルカリ系溶液を用いてＳＯＩウェハの裏面側から異
方性エッチングする第２のエッチング工程と、ＳＯＩウ
ェハにおいて前記スリットに対応する部位を前記埋込絶
縁層に達するまで第３のアルカリ系溶液を用いてＳＯＩ
ウェハの表面から異方性エッチングする第３のエッチン
グ工程と、ＳＯＩウェハの表面側をレジスト層にて覆っ
た状態でＳＯＩウェハにおいて前記スリットおよび前記
撓み部に対応する部位の前記埋込絶縁層を除去する第４
のエッチング工程と、前記レジスト層を除去するレジス
ト除去工程とを備え、前記第３のエッチング工程では、
前記スリットに対応する部位が開口され且つ前記撓み部
および前記支持枠および前記重り部および前記面取り部
に対応する部位を保護するようにＳＯＩウェハの表面側
を覆うマスクを用いることを特徴とする。
体加速度センサの製造方法であって、ＳＯＩウェハにお
いて前記重り部と前記支持枠との間に前記撓み部を除い
て形成されるスリットおよび前記撓み部それぞれに対応
する部位の厚さが前記第２のシリコン層と前記埋込絶縁
層の厚さとを加算した厚さよりも大きく、且つ、前記電
極が形成されるまでＳＯＩウェハの破損を防止できる程
度に設定した所定厚さになるように第１のアルカリ系溶
液を用いてＳＯＩウェハの裏面から異方性エッチングす
る第１のエッチング工程と、前記電極を形成した後にＳ
ＯＩウェハにおいて前記スリットおよび前記撓み部それ
ぞれに対応する部位を前記埋込絶縁層に達するまで第２
のアルカリ系溶液を用いてＳＯＩウェハの裏面側から異
方性エッチングする第２のエッチング工程と、ＳＯＩウ
ェハにおいて前記スリットに対応する部位を前記埋込絶
縁層に達するまで第３のアルカリ系溶液を用いてＳＯＩ
ウェハの表面から異方性エッチングする第３のエッチン
グ工程と、ＳＯＩウェハの表面側をレジスト層にて覆っ
た状態でＳＯＩウェハにおいて前記スリットおよび前記
撓み部に対応する部位の前記埋込絶縁層を除去する第４
のエッチング工程と、前記レジスト層を除去するレジス
ト除去工程とを備え、前記第３のエッチング工程では、
前記スリットに対応する部位が開口され且つ前記撓み部
および前記支持枠および前記重り部および前記面取り部
に対応する部位を保護するようにＳＯＩウェハの表面側
を覆うマスクを用いることを特徴とする。
【００３５】この製造方法によれば、前記所定厚さを、
前記電極が形成されるまでＳＯＩウェハの破損を防止で
きる程度に設定してあるので、製造工程の途中でＳＯＩ
ウェハが破壊されるのを防止することができ、収率が高
くなって低コスト化を図れ、さらに、前記撓み部の破損
が防止されることで、収率を悪くすることなしに前記撓
み部の厚さを薄くすることが可能となるので、半導体加
速度センサの高感度化を図ることができ、しかも、ＳＯ
Ｉウェハにおいて前記スリットに対応する部位をあらか
じめ裏面側から前記埋込絶縁層に達するまで異方性エッ
チングした後に前記スリットに対応する部位を前記埋込
絶縁層に達するまで第３のアルカリ系溶液を用いてＳＯ
Ｉウェハの表面から異方性エッチングしているので、ジ
ャストエッチング時点からのオーバーエッチング時間を
短くすることができて前記面取り部が形成されるから、
耐衝撃性の高い半導体加速度センサを提供することがで
きる。また、ＳＯＩウェハの表面側をレジスト層にて覆
った状態でＳＯＩウェハにおいて前記スリットおよび前
記撓み部に対応する部位の前記埋込絶縁層を除去するの
で、前記埋込絶縁層を除去する際にＳＯＩウェハの表面
側を保護することができる。
前記電極が形成されるまでＳＯＩウェハの破損を防止で
きる程度に設定してあるので、製造工程の途中でＳＯＩ
ウェハが破壊されるのを防止することができ、収率が高
くなって低コスト化を図れ、さらに、前記撓み部の破損
が防止されることで、収率を悪くすることなしに前記撓
み部の厚さを薄くすることが可能となるので、半導体加
速度センサの高感度化を図ることができ、しかも、ＳＯ
Ｉウェハにおいて前記スリットに対応する部位をあらか
じめ裏面側から前記埋込絶縁層に達するまで異方性エッ
チングした後に前記スリットに対応する部位を前記埋込
絶縁層に達するまで第３のアルカリ系溶液を用いてＳＯ
Ｉウェハの表面から異方性エッチングしているので、ジ
ャストエッチング時点からのオーバーエッチング時間を
短くすることができて前記面取り部が形成されるから、
耐衝撃性の高い半導体加速度センサを提供することがで
きる。また、ＳＯＩウェハの表面側をレジスト層にて覆
った状態でＳＯＩウェハにおいて前記スリットおよび前
記撓み部に対応する部位の前記埋込絶縁層を除去するの
で、前記埋込絶縁層を除去する際にＳＯＩウェハの表面
側を保護することができる。
【００３６】請求項１１の発明は、請求項５記載の半導
体加速度センサの製造方法であって、ＳＯＩウェハにお
いて前記重り部と前記支持枠との間に前記撓み部を除い
て形成されるスリットおよび前記撓み部それぞれに対応
する部位の厚さが前記第２のシリコン層と前記埋込絶縁
層の厚さとを加算した厚さよりも大きく、且つ、前記電
極が形成されるまでＳＯＩウェハの破損を防止できる程
度に設定した所定厚さになるように第１のアルカリ系溶
液を用いてＳＯＩウェハの裏面から異方性エッチングす
る第１のエッチング工程と、前記電極を形成した後にＳ
ＯＩウェハの裏面側の全面を第１のレジスト層で覆った
状態でＳＯＩウェハにおいて前記スリットに対応する部
位を前記埋込絶縁層に達するまで第２のアルカリ系溶液
を用いてＳＯＩウェハの表面から異方性エッチングする
第２のエッチング工程と、第１のレジスト層を除去する
第１のレジスト除去工程と、第１のレジスト除去工程の
後にＳＯＩウェハの表面側を第２のレジスト層にて覆っ
た状態でＳＯＩウェハにおいて前記スリットおよび前記
撓み部に対応する部位を前記埋込絶縁層に達するまで第
３のアルカリ系溶液を用いてＳＯＩウェハの裏面側から
異方性エッチングする第３のエッチング工程と、第２の
レジスト層を除去する第２のレジスト除去工程と、第２
のレジスト除去工程の後にＳＯＩウェハにおいて前記ス
リットおよび前記撓み部に対応する部位の前記埋込絶縁
層を除去する第４のエッチング工程とを備え、前記第３
のエッチング工程では、前記スリットに対応する部位が
開口され且つ前記撓み部および前記支持枠および前記重
り部および前記面取り部に対応する部位を保護するよう
にＳＯＩウェハの表面側を覆うマスクを用いることを特
徴とする。
体加速度センサの製造方法であって、ＳＯＩウェハにお
いて前記重り部と前記支持枠との間に前記撓み部を除い
て形成されるスリットおよび前記撓み部それぞれに対応
する部位の厚さが前記第２のシリコン層と前記埋込絶縁
層の厚さとを加算した厚さよりも大きく、且つ、前記電
極が形成されるまでＳＯＩウェハの破損を防止できる程
度に設定した所定厚さになるように第１のアルカリ系溶
液を用いてＳＯＩウェハの裏面から異方性エッチングす
る第１のエッチング工程と、前記電極を形成した後にＳ
ＯＩウェハの裏面側の全面を第１のレジスト層で覆った
状態でＳＯＩウェハにおいて前記スリットに対応する部
位を前記埋込絶縁層に達するまで第２のアルカリ系溶液
を用いてＳＯＩウェハの表面から異方性エッチングする
第２のエッチング工程と、第１のレジスト層を除去する
第１のレジスト除去工程と、第１のレジスト除去工程の
後にＳＯＩウェハの表面側を第２のレジスト層にて覆っ
た状態でＳＯＩウェハにおいて前記スリットおよび前記
撓み部に対応する部位を前記埋込絶縁層に達するまで第
３のアルカリ系溶液を用いてＳＯＩウェハの裏面側から
異方性エッチングする第３のエッチング工程と、第２の
レジスト層を除去する第２のレジスト除去工程と、第２
のレジスト除去工程の後にＳＯＩウェハにおいて前記ス
リットおよび前記撓み部に対応する部位の前記埋込絶縁
層を除去する第４のエッチング工程とを備え、前記第３
のエッチング工程では、前記スリットに対応する部位が
開口され且つ前記撓み部および前記支持枠および前記重
り部および前記面取り部に対応する部位を保護するよう
にＳＯＩウェハの表面側を覆うマスクを用いることを特
徴とする。
【００３７】この製造方法によれば、前記所定厚さを、
前記電極が形成されるまでＳＯＩウェハの破損を防止で
きる程度に設定してあるので、製造工程の途中でＳＯＩ
ウェハが破壊されるのを防止することができ、収率が高
くなって低コスト化を図れ、さらに、前記撓み部の破損
が防止されることで、収率を悪くすることなしに前記撓
み部の厚さを薄くすることが可能となるので、半導体加
速度センサの高感度化を図ることができ、しかも、ＳＯ
Ｉウェハの裏面側の全面を第１のレジスト層で覆った状
態で前記スリットに対応する部位を前記埋込絶縁層に達
するまで第２のアルカリ系溶液を用いてＳＯＩウェハの
表面から異方性エッチングしているので、ジャストエッ
チング時点からのオーバーエッチング時間を短くするこ
とができて前記面取り部が形成されるから、耐衝撃性の
高い半導体加速度センサを提供することができる。
前記電極が形成されるまでＳＯＩウェハの破損を防止で
きる程度に設定してあるので、製造工程の途中でＳＯＩ
ウェハが破壊されるのを防止することができ、収率が高
くなって低コスト化を図れ、さらに、前記撓み部の破損
が防止されることで、収率を悪くすることなしに前記撓
み部の厚さを薄くすることが可能となるので、半導体加
速度センサの高感度化を図ることができ、しかも、ＳＯ
Ｉウェハの裏面側の全面を第１のレジスト層で覆った状
態で前記スリットに対応する部位を前記埋込絶縁層に達
するまで第２のアルカリ系溶液を用いてＳＯＩウェハの
表面から異方性エッチングしているので、ジャストエッ
チング時点からのオーバーエッチング時間を短くするこ
とができて前記面取り部が形成されるから、耐衝撃性の
高い半導体加速度センサを提供することができる。
【００３８】請求項１２の発明は、請求項６ないし請求
項１１の発明において、前記マスクにおいて前記面取り
部に対応する部位の周縁は、前記面取り部に対応する部
位の両端を結ぶ直線と前記撓み部の側縁に対応する直線
とのなす４５度の内角を一方の底角とする仮想直角二等
辺三角形の斜辺に沿って形成されてなることを特徴と
し、実施態様である。
項１１の発明において、前記マスクにおいて前記面取り
部に対応する部位の周縁は、前記面取り部に対応する部
位の両端を結ぶ直線と前記撓み部の側縁に対応する直線
とのなす４５度の内角を一方の底角とする仮想直角二等
辺三角形の斜辺に沿って形成されてなることを特徴と
し、実施態様である。
【００３９】請求項１３の発明は、請求項６ないし請求
項１１の発明において、前記マスクにおいて前記面取り
部に対応する部位の周縁は、前記面取り部に対応する部
位の両端を結ぶ直線と前記撓み部の側縁に対応する直線
とのなす４５度の内角を一方の底角とする仮想直角二等
辺三角形の斜辺を頂点側に凹ませた形状に形成されてな
ることを特徴とし、実施態様である。
項１１の発明において、前記マスクにおいて前記面取り
部に対応する部位の周縁は、前記面取り部に対応する部
位の両端を結ぶ直線と前記撓み部の側縁に対応する直線
とのなす４５度の内角を一方の底角とする仮想直角二等
辺三角形の斜辺を頂点側に凹ませた形状に形成されてな
ることを特徴とし、実施態様である。
【００４０】請求項１４の発明は、請求項６ないし請求
項１１の発明において、前記マスクにおいて前記面取り
部に対応する部位の周縁は、前記面取り部に対応する部
位の両端を結ぶ直線と前記撓み部の側縁に対応する直線
とのなす４５度の内角を一方の底角とする仮想二等辺三
角形の斜辺が頂点とは反対側に膨らんだ形状に形成され
てなることを特徴とし、実施態様である。
項１１の発明において、前記マスクにおいて前記面取り
部に対応する部位の周縁は、前記面取り部に対応する部
位の両端を結ぶ直線と前記撓み部の側縁に対応する直線
とのなす４５度の内角を一方の底角とする仮想二等辺三
角形の斜辺が頂点とは反対側に膨らんだ形状に形成され
てなることを特徴とし、実施態様である。
【００４１】請求項１５の発明は、請求項６ないし請求
項１１の発明において、前記マスクにおいて前記面取り
部に対応する部位の周縁は、前記面取り部に対応する部
位の両端を結ぶ直線と前記撓み部の側縁に対応する直線
とのなす４５度よりも大きな内角を一方の底角とする仮
想直角三角形の斜辺に沿って形成されてなることを特徴
とし、実施態様である。
項１１の発明において、前記マスクにおいて前記面取り
部に対応する部位の周縁は、前記面取り部に対応する部
位の両端を結ぶ直線と前記撓み部の側縁に対応する直線
とのなす４５度よりも大きな内角を一方の底角とする仮
想直角三角形の斜辺に沿って形成されてなることを特徴
とし、実施態様である。
【００４２】請求項１６の発明は、請求項６ないし請求
項１１の発明において、前記マスクにおいて前記面取り
部に対応する部位の周縁は、前記撓み部の長さ寸法を直
径とし前記撓み部の側縁に対応する部位に接するような
仮想円の円周に沿って形成されてなることを特徴とし、
実施態様である。
項１１の発明において、前記マスクにおいて前記面取り
部に対応する部位の周縁は、前記撓み部の長さ寸法を直
径とし前記撓み部の側縁に対応する部位に接するような
仮想円の円周に沿って形成されてなることを特徴とし、
実施態様である。
【００４３】
【発明の実施の形態】（実施形態１）本実施形態の半導
体加速度センサの基本構成は従来構成と略同じであっ
て、図１（ａ）に示すように、厚み方向の中間部にシリ
コン酸化膜からなる埋込絶縁層１０２を有するＳＯＩ基
板１００’を用いて形成したセンサ本体１の厚み方向の
両面にガラス製のカバー２，３を積層した構造を有する
ものがある。なお、ＳＯＩ基板１００’としては表面が
（１００）面からなる（１００）基板が用いられてお
り、表面側のｎ形シリコン層（以下、活性層と称す）１
０３の厚さが数μｍ〜１０μｍ程度の範囲で設定され、
裏面側のｎ形シリコン層（以下、支持層と称す）１０１
の厚さが数１００μｍ程度で設定され、埋込絶縁層１０
２が数μｍ以下で設定されている。また、本実施形態で
は、支持層１０１が第１のシリコン層を構成し、活性層
１０３が第２のシリコン層を構成している。
体加速度センサの基本構成は従来構成と略同じであっ
て、図１（ａ）に示すように、厚み方向の中間部にシリ
コン酸化膜からなる埋込絶縁層１０２を有するＳＯＩ基
板１００’を用いて形成したセンサ本体１の厚み方向の
両面にガラス製のカバー２，３を積層した構造を有する
ものがある。なお、ＳＯＩ基板１００’としては表面が
（１００）面からなる（１００）基板が用いられてお
り、表面側のｎ形シリコン層（以下、活性層と称す）１
０３の厚さが数μｍ〜１０μｍ程度の範囲で設定され、
裏面側のｎ形シリコン層（以下、支持層と称す）１０１
の厚さが数１００μｍ程度で設定され、埋込絶縁層１０
２が数μｍ以下で設定されている。また、本実施形態で
は、支持層１０１が第１のシリコン層を構成し、活性層
１０３が第２のシリコン層を構成している。
【００４４】センサ本体１は、図１に示すように、矩形
枠状の支持枠１１を備え、支持枠１１の中央に厚み方向
の表裏に貫通する形で形成された開口窓１１ａの中に重
り部１２が配置されるとともに、重り部１２の周囲の一
辺が他の部位よりも薄肉である撓み部１３を介して支持
枠１１に連続一体に連結された構造を有する。したがっ
て、重り部１２の周囲には撓み部１３を除いて支持枠１
１との間にスリット１４が形成されている。また、撓み
部１３は重り部１２の一辺に沿う方向に離間して２箇所
に形成されている。各撓み部１３には、それぞれ歪検出
素子として２個ずつのゲージ抵抗１５が形成されてい
る。ゲージ抵抗１５はピエゾ抵抗であり、ブリッジ回路
を構成するように拡散配線１７によって接続されてい
る。また、ブリッジ回路の各端子となるパッド１６は支
持枠１１に形成されている。なお、上述のＳＯＩ基板１
００’の活性層１０３の導電形はｎ形であって、ゲージ
抵抗１５および拡散配線１７は活性層１０３の表面側に
ｐ形不純物を導入することによって形成されており、ゲ
ージ抵抗１５の不純物濃度が１０18／ｃｍ3程度、拡散
配線１７の不純物濃度が１０20／ｃｍ3程度に設定され
ている。また、本実施形態では、パッド１６が電極を構
成している。
枠状の支持枠１１を備え、支持枠１１の中央に厚み方向
の表裏に貫通する形で形成された開口窓１１ａの中に重
り部１２が配置されるとともに、重り部１２の周囲の一
辺が他の部位よりも薄肉である撓み部１３を介して支持
枠１１に連続一体に連結された構造を有する。したがっ
て、重り部１２の周囲には撓み部１３を除いて支持枠１
１との間にスリット１４が形成されている。また、撓み
部１３は重り部１２の一辺に沿う方向に離間して２箇所
に形成されている。各撓み部１３には、それぞれ歪検出
素子として２個ずつのゲージ抵抗１５が形成されてい
る。ゲージ抵抗１５はピエゾ抵抗であり、ブリッジ回路
を構成するように拡散配線１７によって接続されてい
る。また、ブリッジ回路の各端子となるパッド１６は支
持枠１１に形成されている。なお、上述のＳＯＩ基板１
００’の活性層１０３の導電形はｎ形であって、ゲージ
抵抗１５および拡散配線１７は活性層１０３の表面側に
ｐ形不純物を導入することによって形成されており、ゲ
ージ抵抗１５の不純物濃度が１０18／ｃｍ3程度、拡散
配線１７の不純物濃度が１０20／ｃｍ3程度に設定され
ている。また、本実施形態では、パッド１６が電極を構
成している。
【００４５】したがって、センサ本体１の厚み方向の成
分を含む外力（すなわち、加速度）が作用すると、重り
部１２の慣性によって支持枠１１と重り部１２とがセン
サ本体１の厚み方向に相対的に変位し、結果的に撓み部
１３が撓んでゲージ抵抗１５の抵抗値が変化することに
なる。つまり、ゲージ抵抗１５の抵抗値の変化を検出す
ることによりセンサ本体１に作用した加速度を検出する
ことができる。このセンサ本体１は、重り部１２が片持
ち梁としての撓み部１３を介して支持枠１１に結合され
ている。ここにおいて、図１（ａ）の半導体加速度セン
サは、いわゆる片持ち梁式の半導体加速度センサを構成
しているが、本発明の技術思想は両持ち梁式の半導体加
速度センサにも適用することができる。
分を含む外力（すなわち、加速度）が作用すると、重り
部１２の慣性によって支持枠１１と重り部１２とがセン
サ本体１の厚み方向に相対的に変位し、結果的に撓み部
１３が撓んでゲージ抵抗１５の抵抗値が変化することに
なる。つまり、ゲージ抵抗１５の抵抗値の変化を検出す
ることによりセンサ本体１に作用した加速度を検出する
ことができる。このセンサ本体１は、重り部１２が片持
ち梁としての撓み部１３を介して支持枠１１に結合され
ている。ここにおいて、図１（ａ）の半導体加速度セン
サは、いわゆる片持ち梁式の半導体加速度センサを構成
しているが、本発明の技術思想は両持ち梁式の半導体加
速度センサにも適用することができる。
【００４６】センサ本体１の厚み方向の裏面側（図１
（ａ）の下面側）にはガラス製のカバー２が積層され、
またセンサ本体１の厚み方向の表面側（図１（ａ）の上
面側）にはカバー２とともに重り部１２を囲む空間を形
成するガラス製のカバー３が積層されている。カバー２
とカバー３との間に形成される空間は密封する必要はな
いが、重り部１２が支持枠１１に対して相対的に移動す
る際に、重り部１２に対して空気による制動力（いわゆ
るエアダンプ）が作用し、過度の加速度（例えば数千Ｇ
の加速度）がかかった際に重り部１２の移動量を規制す
ることによって撓み部１３の折損が防止されるように構
成してある。両カバー２，３において重り部１２との対
向面にはそれぞれ重り部１２の移動範囲を確保するため
の凹所２ａ，３ａが形成されている。
（ａ）の下面側）にはガラス製のカバー２が積層され、
またセンサ本体１の厚み方向の表面側（図１（ａ）の上
面側）にはカバー２とともに重り部１２を囲む空間を形
成するガラス製のカバー３が積層されている。カバー２
とカバー３との間に形成される空間は密封する必要はな
いが、重り部１２が支持枠１１に対して相対的に移動す
る際に、重り部１２に対して空気による制動力（いわゆ
るエアダンプ）が作用し、過度の加速度（例えば数千Ｇ
の加速度）がかかった際に重り部１２の移動量を規制す
ることによって撓み部１３の折損が防止されるように構
成してある。両カバー２，３において重り部１２との対
向面にはそれぞれ重り部１２の移動範囲を確保するため
の凹所２ａ，３ａが形成されている。
【００４７】ところで、センサ本体１は、活性層１０３
の表面にシリコン酸化膜１８ａが形成されるとともに、
シリコン酸化膜１８ａ上にシリコン窒化膜１９ａが形成
されており、上述のパッド１６は、コンタクト部２０を
介して、或いは、Ａｉ−Ｓｉよりなる金属配線２１およ
びコンタクト部２０を介して拡散配線１７に接続されて
いる。
の表面にシリコン酸化膜１８ａが形成されるとともに、
シリコン酸化膜１８ａ上にシリコン窒化膜１９ａが形成
されており、上述のパッド１６は、コンタクト部２０を
介して、或いは、Ａｉ−Ｓｉよりなる金属配線２１およ
びコンタクト部２０を介して拡散配線１７に接続されて
いる。
【００４８】支持枠１１とカバー３とを接合するために
センサ本体１における支持枠１１の表面にはＡｌ−Ｓｉ
よりなる接合用金属層２２が形成されている。ここにお
いて、センサ本体１と各カバー２，３とは陽極接合によ
り接合される。
センサ本体１における支持枠１１の表面にはＡｌ−Ｓｉ
よりなる接合用金属層２２が形成されている。ここにお
いて、センサ本体１と各カバー２，３とは陽極接合によ
り接合される。
【００４９】ところで、本実施形態の半導体加速度セン
サにおける撓み部１３の厚さは活性層１０３の厚さと略
同じであり、撓み部１３は、センサ本体１の表面側に設
けられ、図１〜図４に示すように、延長方向（図１
（ｂ）における左右方向）の両端部が中央部よりも幅広
になるように撓み部１３の両側面１３ｂと支持枠１１の
内周面１１ｂおよび重り部１２の外周面１２ｂとの間に
面取り部２６が形成されており、上記両端部を除いた部
位にゲージ抵抗１５が形成されている。ここにおいて、
撓み部１３の両側面１３ａ、支持枠１１の内周面１１
ｂ、重り部１２の外周面１２ｂはいずれも（１１１）面
に沿って形成されており、撓み部１３の両側面１３ｂと
支持枠１１の内周面１１ｂおよび重り部１２の外周面１
２ｂとの間の面取り部２６はいずれも（１１０）面に沿
って形成されている。
サにおける撓み部１３の厚さは活性層１０３の厚さと略
同じであり、撓み部１３は、センサ本体１の表面側に設
けられ、図１〜図４に示すように、延長方向（図１
（ｂ）における左右方向）の両端部が中央部よりも幅広
になるように撓み部１３の両側面１３ｂと支持枠１１の
内周面１１ｂおよび重り部１２の外周面１２ｂとの間に
面取り部２６が形成されており、上記両端部を除いた部
位にゲージ抵抗１５が形成されている。ここにおいて、
撓み部１３の両側面１３ａ、支持枠１１の内周面１１
ｂ、重り部１２の外周面１２ｂはいずれも（１１１）面
に沿って形成されており、撓み部１３の両側面１３ｂと
支持枠１１の内周面１１ｂおよび重り部１２の外周面１
２ｂとの間の面取り部２６はいずれも（１１０）面に沿
って形成されている。
【００５０】しかして、本実施形態の半導体加速度セン
サでは、センサ本体１における撓み部１３の延長方向
（図１（ｂ）の左右方向）の両端部が中央部よりも幅広
になるように撓み部１３の両側面１３ｂと支持枠１１の
内周面１１ｂおよび重り部１２の外周面１２ｂとの間に
面取り部２６が形成されているので、図２８（ａ）に示
した従来の半導体加速度センサに比べて撓み部１３の耐
衝撃性が向上し、半導体加速度センサとしての耐衝撃性
も向上する。なお、従来構成の半導体加速度センサでは
１０００Ｇ程度の耐衝撃性しか得られなかったのに対し
て、本実施形態の半導体加速度センサでは５０００Ｇの
耐衝撃性を得ることができた。
サでは、センサ本体１における撓み部１３の延長方向
（図１（ｂ）の左右方向）の両端部が中央部よりも幅広
になるように撓み部１３の両側面１３ｂと支持枠１１の
内周面１１ｂおよび重り部１２の外周面１２ｂとの間に
面取り部２６が形成されているので、図２８（ａ）に示
した従来の半導体加速度センサに比べて撓み部１３の耐
衝撃性が向上し、半導体加速度センサとしての耐衝撃性
も向上する。なお、従来構成の半導体加速度センサでは
１０００Ｇ程度の耐衝撃性しか得られなかったのに対し
て、本実施形態の半導体加速度センサでは５０００Ｇの
耐衝撃性を得ることができた。
【００５１】また、撓み部１３の両側面１３ｂと支持枠
１１の内周面１１ｂおよび重り部１２の外周面１２ｂと
の間に面取り部２６が形成されていることにより、ゲー
ジ抵抗１５を撓み部１３の中間部と端部とに跨って形成
すると、撓み部１３の撓みによる応力がゲージ抵抗１５
に不均一にかかってしまい出力特性が悪くなってしまう
が、本実施形態では、ゲージ抵抗１５が撓み部１３にお
いて上記両端部を除いた部位に形成されているので、出
力特性への面取り部２６の影響を少なくすることができ
る。
１１の内周面１１ｂおよび重り部１２の外周面１２ｂと
の間に面取り部２６が形成されていることにより、ゲー
ジ抵抗１５を撓み部１３の中間部と端部とに跨って形成
すると、撓み部１３の撓みによる応力がゲージ抵抗１５
に不均一にかかってしまい出力特性が悪くなってしまう
が、本実施形態では、ゲージ抵抗１５が撓み部１３にお
いて上記両端部を除いた部位に形成されているので、出
力特性への面取り部２６の影響を少なくすることができ
る。
【００５２】以下、本実施形態の半導体加速度センサの
製造方法について図５〜図１０を参照しながら説明す
る。なお、以下に説明するＳＯＩウェハ１００にはセン
サ本体１が多数形成され、第１のガラス基板３００には
カバー３が多数形成され、第２のガラス基板２００には
カバー２が多数形成される。
製造方法について図５〜図１０を参照しながら説明す
る。なお、以下に説明するＳＯＩウェハ１００にはセン
サ本体１が多数形成され、第１のガラス基板３００には
カバー３が多数形成され、第２のガラス基板２００には
カバー２が多数形成される。
【００５３】まず、ＳＯＩウェハ１００の表面および裏
面それぞれの全面にシリコン酸化膜１８ａ，１８ｂを形
成し、その後、フォトリソグラフィ技術を利用して、Ｓ
ＯＩウェハ１００の表面側のシリコン酸化膜１８ａ上に
拡散配線１７を形成するためにパターニングされたレジ
スト層（図示せず）を形成し、ＳＯＩウェハ１００の活
性層１０３に拡散配線１７を形成し、上記レジスト層を
除去することによって図５（ａ）に示す構造が得られ
る。ここにおいて、拡散配線１７の不純物濃度は上述の
ように１０20／ｃｍ3程度に設定されており、拡散配線
１７の形成にあたっては、イオン注入によって活性層１
０１の表面へｐ形不純物（例えば、ボロン）のプレデポ
ジションを行った後にドライブインを行う。なお、プレ
デポジションは１０００℃程度、ドライブインは１１０
０℃程度の温度条件で行われる。
面それぞれの全面にシリコン酸化膜１８ａ，１８ｂを形
成し、その後、フォトリソグラフィ技術を利用して、Ｓ
ＯＩウェハ１００の表面側のシリコン酸化膜１８ａ上に
拡散配線１７を形成するためにパターニングされたレジ
スト層（図示せず）を形成し、ＳＯＩウェハ１００の活
性層１０３に拡散配線１７を形成し、上記レジスト層を
除去することによって図５（ａ）に示す構造が得られ
る。ここにおいて、拡散配線１７の不純物濃度は上述の
ように１０20／ｃｍ3程度に設定されており、拡散配線
１７の形成にあたっては、イオン注入によって活性層１
０１の表面へｐ形不純物（例えば、ボロン）のプレデポ
ジションを行った後にドライブインを行う。なお、プレ
デポジションは１０００℃程度、ドライブインは１１０
０℃程度の温度条件で行われる。
【００５４】次に、ＳＯＩウェハ１００の表面側のシリ
コン酸化膜１８ａ上にゲージ抵抗１５を形成するために
パターニングされたレジスト層４１を形成することによ
って、図５（ｂ）に示す構造が得られる。なお、レジス
ト層はネガ型のフォトレジストにより形成されている。
コン酸化膜１８ａ上にゲージ抵抗１５を形成するために
パターニングされたレジスト層４１を形成することによ
って、図５（ｂ）に示す構造が得られる。なお、レジス
ト層はネガ型のフォトレジストにより形成されている。
【００５５】上述のレジスト層４１を形成した後、レジ
スト層４１をマスクとしてシリコン酸化膜１８ａをエッ
チングしてから、イオン注入によりゲージ抵抗１５を形
成し、その後、レジスト層４１を除去し、続いて、ＳＯ
Ｉウェハ１００の表面側および裏面側それぞれの全面に
シリコン窒化膜１９ａ，１９ｂを形成することによっ
て、図５（ｃ）に示す構造が得られる。なお、ゲージ抵
抗１５の不純物濃度は上述のように１０18／ｃｍ3程度
に設定されている。また、シリコン窒化膜の膜厚は１０
００〜２０００Åの範囲で設定されている。
スト層４１をマスクとしてシリコン酸化膜１８ａをエッ
チングしてから、イオン注入によりゲージ抵抗１５を形
成し、その後、レジスト層４１を除去し、続いて、ＳＯ
Ｉウェハ１００の表面側および裏面側それぞれの全面に
シリコン窒化膜１９ａ，１９ｂを形成することによっ
て、図５（ｃ）に示す構造が得られる。なお、ゲージ抵
抗１５の不純物濃度は上述のように１０18／ｃｍ3程度
に設定されている。また、シリコン窒化膜の膜厚は１０
００〜２０００Åの範囲で設定されている。
【００５６】次に、ＳＯＩウェハ１００の表面側の全面
にレジスト層４２を形成するとともに、裏面側に重り部
１２を形成するためにパターニングされたレジスト層４
３を形成することによって、図５（ｄ）に示す構造が得
られる。なお、レジスト層４２，４３はネガ型のフォト
レジストにより形成されている。
にレジスト層４２を形成するとともに、裏面側に重り部
１２を形成するためにパターニングされたレジスト層４
３を形成することによって、図５（ｄ）に示す構造が得
られる。なお、レジスト層４２，４３はネガ型のフォト
レジストにより形成されている。
【００５７】その後、レジスト層４３をマスクとしてＳ
ＯＩウェハ１００の裏面側のシリコン窒化膜１９ｂをド
ライエッチングすることによって、図６（ａ）に示す構
造が得られ、さらにレジスト層４２，４３をマスクとし
てＳＯＩウェハ１００の裏面側のシリコン酸化膜１８ｂ
をフッ酸系水溶液（例えば、ＢＨＦ：フッ化アンモニウ
ム入りフッ酸水溶液）でウェットエッチングすることに
よって、図６（ｂ）に示す構造が得られる。
ＯＩウェハ１００の裏面側のシリコン窒化膜１９ｂをド
ライエッチングすることによって、図６（ａ）に示す構
造が得られ、さらにレジスト層４２，４３をマスクとし
てＳＯＩウェハ１００の裏面側のシリコン酸化膜１８ｂ
をフッ酸系水溶液（例えば、ＢＨＦ：フッ化アンモニウ
ム入りフッ酸水溶液）でウェットエッチングすることに
よって、図６（ｂ）に示す構造が得られる。
【００５８】次に、レジスト層４２，４３を除去した
後、ＳＯＩウェハ１００の裏面側のシリコン窒化膜１９
ｂをマスクとして、ＳＯＩウェハ１００においてスリッ
ト１４および撓み部１３それぞれに対応する部位の厚さ
をパッド１６が形成されるまでＳＯＩウェハ１００の破
損を防止できる程度に設定した所定厚さ（ＳＯＩウェハ
１００の活性層１０３の厚さと埋込絶縁層１０２の厚さ
とを加算した厚さよりも大きく、例えば、２０μｍ程度
に設定されている）になるようにアルカリ系溶液（例え
ば、ＫＯＨとアルコールとの混合液）を用いてＳＯＩウ
ェハ１００の裏面から異方性エッチングすることによっ
て、図６（ｃ）に示す構造が得られる。すなわち、図６
（ｃ）の状態では、ＳＯＩウェハ１００において撓み部
１３に対応する部位は最終的な撓み部１３の厚さよりも
厚くなっている。
後、ＳＯＩウェハ１００の裏面側のシリコン窒化膜１９
ｂをマスクとして、ＳＯＩウェハ１００においてスリッ
ト１４および撓み部１３それぞれに対応する部位の厚さ
をパッド１６が形成されるまでＳＯＩウェハ１００の破
損を防止できる程度に設定した所定厚さ（ＳＯＩウェハ
１００の活性層１０３の厚さと埋込絶縁層１０２の厚さ
とを加算した厚さよりも大きく、例えば、２０μｍ程度
に設定されている）になるようにアルカリ系溶液（例え
ば、ＫＯＨとアルコールとの混合液）を用いてＳＯＩウ
ェハ１００の裏面から異方性エッチングすることによっ
て、図６（ｃ）に示す構造が得られる。すなわち、図６
（ｃ）の状態では、ＳＯＩウェハ１００において撓み部
１３に対応する部位は最終的な撓み部１３の厚さよりも
厚くなっている。
【００５９】その後、ＳＯＩウェハ１００の表面側に後
述のコンタクトホール４５（図７（ｂ）参照）を形成す
るためにパターニングされたレジスト層４４を形成する
ことによって、図６（ｄ）に示す構造が得られ、レジス
ト層４４をマスクとして、ＳＯＩウェハ１００の表面側
のシリコン窒化膜１９ａをドライエッチングすることに
よって、図７（ａ）に示す構造が得られる。なお、エッ
チングガスとしては、例えばＣＦ4ガスなどが用いられ
る。
述のコンタクトホール４５（図７（ｂ）参照）を形成す
るためにパターニングされたレジスト層４４を形成する
ことによって、図６（ｄ）に示す構造が得られ、レジス
ト層４４をマスクとして、ＳＯＩウェハ１００の表面側
のシリコン窒化膜１９ａをドライエッチングすることに
よって、図７（ａ）に示す構造が得られる。なお、エッ
チングガスとしては、例えばＣＦ4ガスなどが用いられ
る。
【００６０】次に、レジスト層４４をマスクとして、Ｓ
ＯＩウェハ１００の表面側のシリコン酸化膜１８ａをフ
ッ酸系水溶液（例えば、ＢＨＦ）でウェットエッチング
することで上述のコンタクトホール４５が形成され、図
７（ｂ）に示す構造が得られる。
ＯＩウェハ１００の表面側のシリコン酸化膜１８ａをフ
ッ酸系水溶液（例えば、ＢＨＦ）でウェットエッチング
することで上述のコンタクトホール４５が形成され、図
７（ｂ）に示す構造が得られる。
【００６１】その後、レジスト層４４を除去してから、
ＳＯＩウェハ１００の表面側の全面にＡｉ−Ｓｉ（Ｓｉ
の含有率は約１％程度）よりなる金属薄膜４６をコンタ
クトホール４５が埋め込まれるようにスパッタ法ないし
蒸着法により堆積させることによって、図７（ｃ）に示
す構造が得られる。なお、金属薄膜４６の膜厚は数μｍ
程度に設定されている。
ＳＯＩウェハ１００の表面側の全面にＡｉ−Ｓｉ（Ｓｉ
の含有率は約１％程度）よりなる金属薄膜４６をコンタ
クトホール４５が埋め込まれるようにスパッタ法ないし
蒸着法により堆積させることによって、図７（ｃ）に示
す構造が得られる。なお、金属薄膜４６の膜厚は数μｍ
程度に設定されている。
【００６２】続いて、ＳＯＩウェハ１００の表面側にパ
ッド１６および金属配線２１および接合用金属層２２を
形成するためにパターニングされたレジスト層４７を形
成することによって、図８（ａ）に示す構造が得られ
る。なお、レジスト層４７にはネガ型のフォトレジスト
を用いている。
ッド１６および金属配線２１および接合用金属層２２を
形成するためにパターニングされたレジスト層４７を形
成することによって、図８（ａ）に示す構造が得られ
る。なお、レジスト層４７にはネガ型のフォトレジスト
を用いている。
【００６３】その後、レジスト層４７をマスクとして金
属薄膜４６をリン酸と硝酸との混合液でウェットエッチ
ングすることによってそれぞれ金属薄膜４６の一部から
なるパッド１６および金属配線２１および接合用電極１
７が形成され、図８（ｂ）に示す構造が得られる。
属薄膜４６をリン酸と硝酸との混合液でウェットエッチ
ングすることによってそれぞれ金属薄膜４６の一部から
なるパッド１６および金属配線２１および接合用電極１
７が形成され、図８（ｂ）に示す構造が得られる。
【００６４】次に、上述のレジスト層４７を除去してか
ら、ＳＯＩウェハ１００の表面側に上述のスリット１４
を形成するためにパターニングされたレジスト層４８を
形成することによって、図８（ｃ）に示す構造が得ら
れ、レジスト層４８をマスクとしてＳＯＩウェハ１００
の表面側のシリコン窒化膜１９ａおよびシリコン酸化膜
１８ａをドライエッチングすることによって、図８
（ｄ）に示す構造が得られる。なお、エッチングガスと
しては、例えば、シリコン窒化膜１９ａのエッチングガ
スとしてＣＦ4ガスを用いればよく、シリコン酸化膜１
８ａのエッチングガスとしてＣＦ4ガスとＣＨＦ3ガスと
ＡｒガスとＯ2ガスとを用いればよいが、エッチングガ
スは特に限定するものではない。
ら、ＳＯＩウェハ１００の表面側に上述のスリット１４
を形成するためにパターニングされたレジスト層４８を
形成することによって、図８（ｃ）に示す構造が得ら
れ、レジスト層４８をマスクとしてＳＯＩウェハ１００
の表面側のシリコン窒化膜１９ａおよびシリコン酸化膜
１８ａをドライエッチングすることによって、図８
（ｄ）に示す構造が得られる。なお、エッチングガスと
しては、例えば、シリコン窒化膜１９ａのエッチングガ
スとしてＣＦ4ガスを用いればよく、シリコン酸化膜１
８ａのエッチングガスとしてＣＦ4ガスとＣＨＦ3ガスと
ＡｒガスとＯ2ガスとを用いればよいが、エッチングガ
スは特に限定するものではない。
【００６５】その後、ＳＯＩウェハ１００の裏面側のシ
リコン窒化膜１９ｂの全部と裏面側のシリコン酸化膜１
８ｂの大部分をドライエッチングすることによって、図
９（ａ）に示す構造が得られる。ここにおいて、エッチ
ング前のシリコン酸化膜１８ｂの膜厚は１μｍ程度に設
定されており、エッチング後のシリコン酸化膜１８ｂの
膜厚は１０００Å程度に設定されている。このエッチン
グ後のシリコン酸化膜１８ｂの膜厚は、後で埋込絶縁層
１０２の一部を除去する工程で除去できる程度の膜厚で
あればよい。なお、埋込絶縁層１０２の厚さは０．３〜
１μｍ程度に設定されている。
リコン窒化膜１９ｂの全部と裏面側のシリコン酸化膜１
８ｂの大部分をドライエッチングすることによって、図
９（ａ）に示す構造が得られる。ここにおいて、エッチ
ング前のシリコン酸化膜１８ｂの膜厚は１μｍ程度に設
定されており、エッチング後のシリコン酸化膜１８ｂの
膜厚は１０００Å程度に設定されている。このエッチン
グ後のシリコン酸化膜１８ｂの膜厚は、後で埋込絶縁層
１０２の一部を除去する工程で除去できる程度の膜厚で
あればよい。なお、埋込絶縁層１０２の厚さは０．３〜
１μｍ程度に設定されている。
【００６６】次に、ＳＯＩウェハ１００の表面側の全面
にレジスト層４９を形成することによって、図９（ｂ）
に示す構造が得られる。ここにおいて、レジスト層４９
は、ＳＯＩウェハ１００の表面側の全面にフォトレジス
トを塗布し、マスクアライナなどを用いて紫外線により
全面露光して硬化させ、その後、ポストベークを行うこ
とで形成されている。なお、レジスト層４９の厚さは後
述のＴＭＡＨによるエッチング耐性を考慮して数μｍ以
上に設定することが望ましく、数μｍ以上に設定してお
くことにより、ＴＭＡＨの染み込みを防止できるととも
にＳＯＩウェハ１００の機械的強度を高めることができ
る。
にレジスト層４９を形成することによって、図９（ｂ）
に示す構造が得られる。ここにおいて、レジスト層４９
は、ＳＯＩウェハ１００の表面側の全面にフォトレジス
トを塗布し、マスクアライナなどを用いて紫外線により
全面露光して硬化させ、その後、ポストベークを行うこ
とで形成されている。なお、レジスト層４９の厚さは後
述のＴＭＡＨによるエッチング耐性を考慮して数μｍ以
上に設定することが望ましく、数μｍ以上に設定してお
くことにより、ＴＭＡＨの染み込みを防止できるととも
にＳＯＩウェハ１００の機械的強度を高めることができ
る。
【００６７】その後、レジスト層４９およびＳＯＩウェ
ハ１００の裏面側のシリコン酸化膜１８ｂをマスクとし
て、ＴＭＡＨのようなアルカリ系溶液によりＳＯＩウェ
ハ１００の裏面から埋込絶縁層１０２に達するまで異方
性エッチングすることによって、図９（ｃ）に示す構造
が得られ、続いて、ＳＯＩウェハ１００の表面側のレジ
スト層４９を発煙硝酸により除去することによって、図
９（ｄ）に示す構造が得られる。
ハ１００の裏面側のシリコン酸化膜１８ｂをマスクとし
て、ＴＭＡＨのようなアルカリ系溶液によりＳＯＩウェ
ハ１００の裏面から埋込絶縁層１０２に達するまで異方
性エッチングすることによって、図９（ｃ）に示す構造
が得られ、続いて、ＳＯＩウェハ１００の表面側のレジ
スト層４９を発煙硝酸により除去することによって、図
９（ｄ）に示す構造が得られる。
【００６８】次に、ＳＯＩウェハ１００の表面側から上
述のスリット１４に対応する部位をＴＭＡＨのようなア
ルカリ系溶液により埋込絶縁層１０２に達するまで異方
性エッチングすることによって、図１０（ａ）に示す構
造が得られる。なお、この異方性エッチングではアルカ
リ系溶液としてＴＭＡＨを用いているので、ＳＯＩウェ
ハ１００の表面側のパッド１６およびおよび金属配線２
１および接合用金属層２２は侵食されない。また、この
ＳＯＩウェハ１００の表面側からのエッチングは、いわ
ゆるジャストエッチング後のオーバーエッチングの時間
を極力短くすることが望ましい。
述のスリット１４に対応する部位をＴＭＡＨのようなア
ルカリ系溶液により埋込絶縁層１０２に達するまで異方
性エッチングすることによって、図１０（ａ）に示す構
造が得られる。なお、この異方性エッチングではアルカ
リ系溶液としてＴＭＡＨを用いているので、ＳＯＩウェ
ハ１００の表面側のパッド１６およびおよび金属配線２
１および接合用金属層２２は侵食されない。また、この
ＳＯＩウェハ１００の表面側からのエッチングは、いわ
ゆるジャストエッチング後のオーバーエッチングの時間
を極力短くすることが望ましい。
【００６９】続いて、ＳＯＩウェハ１００の埋込絶縁層
１０２において露出した部分をフッ酸系の水溶液でエッ
チングすることでスリット１４が形成され、図１０
（ｂ）に示す構造が得られる。なお、ここで用いる水溶
液には、ＳＯＩウェハ１００の表面側のパッド１６およ
び金属配線２１および接合用金属層２２の侵食を抑える
ためにエチレングリコールなどを混合することが望まし
い。
１０２において露出した部分をフッ酸系の水溶液でエッ
チングすることでスリット１４が形成され、図１０
（ｂ）に示す構造が得られる。なお、ここで用いる水溶
液には、ＳＯＩウェハ１００の表面側のパッド１６およ
び金属配線２１および接合用金属層２２の侵食を抑える
ためにエチレングリコールなどを混合することが望まし
い。
【００７０】次に、ＳＯＩウェハ１００の表面側に、あ
らかじめ多数のカバー３が形成された第１のガラス基板
３００を陽極接合により接合することによって、図１０
（ｃ）に示す構造が得られる。なお、第１のガラス基板
３００としては例えばパイレックス（登録商標）を用い
ているが、センサ本体１との陽極接合が可能な材料であ
ればよい（ただし、シリコンとの熱膨張係数の小さい材
料を選択することが好ましい）。また、金とシリコンと
の共晶を利用して接合する場合には、ＳＯＩウェハ１０
０にあらかじめ金を蒸着しておけばよい。
らかじめ多数のカバー３が形成された第１のガラス基板
３００を陽極接合により接合することによって、図１０
（ｃ）に示す構造が得られる。なお、第１のガラス基板
３００としては例えばパイレックス（登録商標）を用い
ているが、センサ本体１との陽極接合が可能な材料であ
ればよい（ただし、シリコンとの熱膨張係数の小さい材
料を選択することが好ましい）。また、金とシリコンと
の共晶を利用して接合する場合には、ＳＯＩウェハ１０
０にあらかじめ金を蒸着しておけばよい。
【００７１】続いて、ＳＯＩウェハ１００の裏面側に、
あらかじめ多数のカバー２が形成された第２のガラス基
板２００を陽極接合により接合することによって、図１
０（ｄ）に示す構造が得られ、その後、ダイシングを行
うことによりセンサ本体１および一対のカバー２，３か
らなる半導体加速度センサが得られる。なお、第２のガ
ラス基板２００には第１のガラス基板３００と同じ材料
のものを選択することが好ましい。
あらかじめ多数のカバー２が形成された第２のガラス基
板２００を陽極接合により接合することによって、図１
０（ｄ）に示す構造が得られ、その後、ダイシングを行
うことによりセンサ本体１および一対のカバー２，３か
らなる半導体加速度センサが得られる。なお、第２のガ
ラス基板２００には第１のガラス基板３００と同じ材料
のものを選択することが好ましい。
【００７２】上述の製造方法によれば、ＳＯＩウェハ１
００において撓み部１３およびスリット１４それぞれに
対応する部位のＫＯＨによる異方性エッチング後の所定
厚さを、パッド１６が形成されるまでＳＯＩウェハ１０
０の破損を防止できる程度に設定してあるので、製造工
程の途中でＳＯＩウェハ１００が破壊されるのを防止す
ることができ、収率が高くなって低コスト化を図れ、さ
らに、撓み部１３の破損が防止されることで、収率を悪
くすることなしに撓み部１３の厚さを薄くすることが可
能となるので、半導体加速度センサの高感度化を図るこ
とができる。しかも、ＳＯＩウェハ１００においてスリ
ット１４に対応する部位をあらかじめ裏面側から埋込絶
縁層１０２に達するまで異方性エッチングした後にスリ
ット１４に対応する部位を埋込絶縁層１０２に達するま
でＴＭＡＨを用いてＳＯＩウェハ１００の表面から異方
性エッチングしているので、ジャストエッチング時点か
らのオーバーエッチング時間を短くすることができて面
取り部２６が形成されるから、耐衝撃性の高い半導体加
速度センサを提供することができる。
００において撓み部１３およびスリット１４それぞれに
対応する部位のＫＯＨによる異方性エッチング後の所定
厚さを、パッド１６が形成されるまでＳＯＩウェハ１０
０の破損を防止できる程度に設定してあるので、製造工
程の途中でＳＯＩウェハ１００が破壊されるのを防止す
ることができ、収率が高くなって低コスト化を図れ、さ
らに、撓み部１３の破損が防止されることで、収率を悪
くすることなしに撓み部１３の厚さを薄くすることが可
能となるので、半導体加速度センサの高感度化を図るこ
とができる。しかも、ＳＯＩウェハ１００においてスリ
ット１４に対応する部位をあらかじめ裏面側から埋込絶
縁層１０２に達するまで異方性エッチングした後にスリ
ット１４に対応する部位を埋込絶縁層１０２に達するま
でＴＭＡＨを用いてＳＯＩウェハ１００の表面から異方
性エッチングしているので、ジャストエッチング時点か
らのオーバーエッチング時間を短くすることができて面
取り部２６が形成されるから、耐衝撃性の高い半導体加
速度センサを提供することができる。
【００７３】ところで、上述のスリット１４を形成する
ためにＳＯＩウェハ１００の表面からＴＭＡＨによる異
方性エッチングを行っているが、このエッチング工程で
は、スリット１４に対応する部位が開口され且つ撓み部
１３および支持枠１１および重り部１２および面取り部
２６に対応する部位を保護するようにＳＯＩウェハ１０
０の表面側を覆うマスクとして、シリコン窒化膜１９ａ
（図１０（ａ）参照）を用いている。なお、ＫＯＨはＡ
−ＳｉやＳｉＯ2を侵食するが、本実施形態では、ＳＯ
Ｉウェハ１００の表面側からの活性層１０３の異方性エ
ッチングをパッド１６、金属配線２１、接合用金属層２
２の材料であるＡｌ−Ｓｉを侵食しないＴＭＡＨにより
行っているので、パッド１６、金属配線２１、接合用金
属層２２を保護する必要はない。また、ＴＭＡＨによる
シリコン層（活性層１０３、支持層１０１）のエッチン
グレートは、（１１１）面に比べて（１１０）面の方が
１００倍以上になっている。
ためにＳＯＩウェハ１００の表面からＴＭＡＨによる異
方性エッチングを行っているが、このエッチング工程で
は、スリット１４に対応する部位が開口され且つ撓み部
１３および支持枠１１および重り部１２および面取り部
２６に対応する部位を保護するようにＳＯＩウェハ１０
０の表面側を覆うマスクとして、シリコン窒化膜１９ａ
（図１０（ａ）参照）を用いている。なお、ＫＯＨはＡ
−ＳｉやＳｉＯ2を侵食するが、本実施形態では、ＳＯ
Ｉウェハ１００の表面側からの活性層１０３の異方性エ
ッチングをパッド１６、金属配線２１、接合用金属層２
２の材料であるＡｌ−Ｓｉを侵食しないＴＭＡＨにより
行っているので、パッド１６、金属配線２１、接合用金
属層２２を保護する必要はない。また、ＴＭＡＨによる
シリコン層（活性層１０３、支持層１０１）のエッチン
グレートは、（１１１）面に比べて（１１０）面の方が
１００倍以上になっている。
【００７４】ＴＭＡＨにより活性層１０３の異方性エッ
チングを行う際のマスクとなるシリコン窒化膜１９ａ
（以下、マスク窒化膜１９ａと称す）は、図１１（ｂ）
に示すような面取り部２６を形成するために図１１
（ａ）に示すような平面形状にパターニングされてい
る。すなわち、図１１（ａ）に示すようにパターニング
されたマスク窒化膜１９ａをマスクとして異方性エッチ
ングを行うことで図１１（ｂ）に示すような形状の面取
り部２６が形成されている。ここで、図１１（ａ）に示
すように、マスク窒化膜１９ａにおいて図１１（ｂ）の
面取り部２６に対応する部位２７の周縁は、面取り部２
６に対応する部位２７の両端を結ぶ直線と撓み部１３の
側縁に対応する直線２８とのなす４５度の内角を一方の
底角とする仮想直角二等辺三角形６０の斜辺に沿って形
成されている。なお、図１１（ａ）中の６１は上記仮想
直角二等辺三角形６０の頂点を示している。
チングを行う際のマスクとなるシリコン窒化膜１９ａ
（以下、マスク窒化膜１９ａと称す）は、図１１（ｂ）
に示すような面取り部２６を形成するために図１１
（ａ）に示すような平面形状にパターニングされてい
る。すなわち、図１１（ａ）に示すようにパターニング
されたマスク窒化膜１９ａをマスクとして異方性エッチ
ングを行うことで図１１（ｂ）に示すような形状の面取
り部２６が形成されている。ここで、図１１（ａ）に示
すように、マスク窒化膜１９ａにおいて図１１（ｂ）の
面取り部２６に対応する部位２７の周縁は、面取り部２
６に対応する部位２７の両端を結ぶ直線と撓み部１３の
側縁に対応する直線２８とのなす４５度の内角を一方の
底角とする仮想直角二等辺三角形６０の斜辺に沿って形
成されている。なお、図１１（ａ）中の６１は上記仮想
直角二等辺三角形６０の頂点を示している。
【００７５】図１１（ａ）のマスク窒化膜１９ａをマス
クとした場合、撓み部１３の幅寸法（図１１（ｂ）の上
下方向の寸法）はマスク窒化膜１９ａにおいて対応する
部位の幅寸法（直線２８間の寸法）よりもやや小さくな
り、面取り部２６の面取り寸法はマスク窒化膜１９ａに
おいて対応する部位２７の寸法（上記仮想直角二等辺三
角形６０の斜辺の長さ）よりもやや小さくなる。
クとした場合、撓み部１３の幅寸法（図１１（ｂ）の上
下方向の寸法）はマスク窒化膜１９ａにおいて対応する
部位の幅寸法（直線２８間の寸法）よりもやや小さくな
り、面取り部２６の面取り寸法はマスク窒化膜１９ａに
おいて対応する部位２７の寸法（上記仮想直角二等辺三
角形６０の斜辺の長さ）よりもやや小さくなる。
【００７６】ところで、マスク窒化膜１９ａは、図１２
〜図１９それぞれの（ａ）に示すような平面形状にパタ
ーニングされていてもよい。以下、図１２〜図１９につ
いて簡単に説明する。
〜図１９それぞれの（ａ）に示すような平面形状にパタ
ーニングされていてもよい。以下、図１２〜図１９につ
いて簡単に説明する。
【００７７】図１２（ａ）に示すようにパターニングさ
れたマスク窒化膜１９ａをマスクとして異方性エッチン
グを行えば図１２（ｂ）に示すような形状の面取り部２
６が形成される。ここで、図１２（ａ）に示すように、
マスク窒化膜１９ａにおいて図１２（ｂ）の面取り部２
６に対応する部位２７の周縁は、面取り部２６に対応す
る部位２７の両端を結ぶ直線と撓み部１３の側縁に対応
する直線２８とのなす４５度の内角を一方の底角とする
仮想直角二等辺三角形６０（図１１（ａ）参照）の斜辺
を頂点６１（図１１（ａ）参照）側に凹ませた形状に形
成されている。なお、マスク窒化膜１９ａにおいて面取
り部２６に対応する部位２７は撓み部１３の側縁に対応
する直線２８および支持枠１１の内周縁に対応する直線
（または重り部１２の外周縁に対応する直線）に滑らか
に連続している。
れたマスク窒化膜１９ａをマスクとして異方性エッチン
グを行えば図１２（ｂ）に示すような形状の面取り部２
６が形成される。ここで、図１２（ａ）に示すように、
マスク窒化膜１９ａにおいて図１２（ｂ）の面取り部２
６に対応する部位２７の周縁は、面取り部２６に対応す
る部位２７の両端を結ぶ直線と撓み部１３の側縁に対応
する直線２８とのなす４５度の内角を一方の底角とする
仮想直角二等辺三角形６０（図１１（ａ）参照）の斜辺
を頂点６１（図１１（ａ）参照）側に凹ませた形状に形
成されている。なお、マスク窒化膜１９ａにおいて面取
り部２６に対応する部位２７は撓み部１３の側縁に対応
する直線２８および支持枠１１の内周縁に対応する直線
（または重り部１２の外周縁に対応する直線）に滑らか
に連続している。
【００７８】図１２（ａ）のマスク窒化膜１９ａをマス
クとした場合、撓み部１３の幅寸法（図１２（ｂ）の上
下方向の寸法）はマスク窒化膜１９ａにおいて対応する
部位の幅寸法（直線２８間の寸法）よりもやや小さくな
り、面取り部２６は面取り部２６に対応する部位２７よ
りも後退している（上記仮想直角二等辺三角形６０の斜
辺の長さよりも小さくなる）。
クとした場合、撓み部１３の幅寸法（図１２（ｂ）の上
下方向の寸法）はマスク窒化膜１９ａにおいて対応する
部位の幅寸法（直線２８間の寸法）よりもやや小さくな
り、面取り部２６は面取り部２６に対応する部位２７よ
りも後退している（上記仮想直角二等辺三角形６０の斜
辺の長さよりも小さくなる）。
【００７９】図１３（ａ）に示すようにパターニングさ
れたマスク窒化膜１９ａをマスクとして異方性エッチン
グを行えば図１３（ｂ）に示すような形状の面取り部２
６が形成される。ここで、図１３（ａ）に示すように、
マスク窒化膜１９ａにおいて図１３（ｂ）の面取り部２
６に対応する部位２７の周縁は、面取り部２６に対応す
る部位２７の両端を結ぶ直線と撓み部１３の側縁に対応
する直線２８とのなす４５度の内角を一方の底角とする
仮想直角二等辺三角形６０（図１１（ａ）参照）の斜辺
を頂点６１（図１１（ａ）参照）側に凹ませた形状に形
成されている。なお、マスク窒化膜１９ａにおいて面取
り部２６に対応する部位２７の周縁は両端間が折れ線状
に繋がっている。
れたマスク窒化膜１９ａをマスクとして異方性エッチン
グを行えば図１３（ｂ）に示すような形状の面取り部２
６が形成される。ここで、図１３（ａ）に示すように、
マスク窒化膜１９ａにおいて図１３（ｂ）の面取り部２
６に対応する部位２７の周縁は、面取り部２６に対応す
る部位２７の両端を結ぶ直線と撓み部１３の側縁に対応
する直線２８とのなす４５度の内角を一方の底角とする
仮想直角二等辺三角形６０（図１１（ａ）参照）の斜辺
を頂点６１（図１１（ａ）参照）側に凹ませた形状に形
成されている。なお、マスク窒化膜１９ａにおいて面取
り部２６に対応する部位２７の周縁は両端間が折れ線状
に繋がっている。
【００８０】図１３（ａ）のマスク窒化膜１９ａをマス
クとした場合、撓み部１３の幅寸法（図１３（ｂ）の上
下方向の寸法）はマスク窒化膜１９ａにおいて対応する
部位の幅寸法（直線２８間の寸法）よりもやや小さくな
り、面取り部２６は面取り部２６に対応する部位２７よ
りも後退している。
クとした場合、撓み部１３の幅寸法（図１３（ｂ）の上
下方向の寸法）はマスク窒化膜１９ａにおいて対応する
部位の幅寸法（直線２８間の寸法）よりもやや小さくな
り、面取り部２６は面取り部２６に対応する部位２７よ
りも後退している。
【００８１】図１４（ａ）に示すようにパターニングさ
れたマスク窒化膜１９ａをマスクとして異方性エッチン
グを行えば図１４（ｂ）に示すような形状の面取り部２
６が形成される。ここで、図１４（ａ）に示すように、
マスク窒化膜１９ａにおいて図１４（ｂ）の面取り部２
６に対応する部位２７の周縁は、面取り部２６に対応す
る部位２７の両端を結ぶ直線と撓み部１３の側縁に対応
する直線２８とのなす４５度の内角を一方の底角とする
仮想直角二等辺三角形６０の斜辺が頂点６１とは反対側
に膨らんだ形状に形成されている。なお、マスク窒化膜
１９ａにおいて面取り部２６に対応する部位２７の周縁
はＬ字状になっている。
れたマスク窒化膜１９ａをマスクとして異方性エッチン
グを行えば図１４（ｂ）に示すような形状の面取り部２
６が形成される。ここで、図１４（ａ）に示すように、
マスク窒化膜１９ａにおいて図１４（ｂ）の面取り部２
６に対応する部位２７の周縁は、面取り部２６に対応す
る部位２７の両端を結ぶ直線と撓み部１３の側縁に対応
する直線２８とのなす４５度の内角を一方の底角とする
仮想直角二等辺三角形６０の斜辺が頂点６１とは反対側
に膨らんだ形状に形成されている。なお、マスク窒化膜
１９ａにおいて面取り部２６に対応する部位２７の周縁
はＬ字状になっている。
【００８２】図１４（ａ）のマスク窒化膜１９ａをマス
クとした場合、撓み部１３の幅寸法（図１４（ｂ）の上
下方向の寸法）はマスク窒化膜１９ａにおいて対応する
部位の幅寸法（直線２８間の寸法）よりもやや小さくな
り、面取り部２６は面取り部２６に対応する部位２７よ
りも後退し、外方に膨らんだ形状に形成されている。
クとした場合、撓み部１３の幅寸法（図１４（ｂ）の上
下方向の寸法）はマスク窒化膜１９ａにおいて対応する
部位の幅寸法（直線２８間の寸法）よりもやや小さくな
り、面取り部２６は面取り部２６に対応する部位２７よ
りも後退し、外方に膨らんだ形状に形成されている。
【００８３】図１５（ａ）に示すようにパターニングさ
れたマスク窒化膜１９ａをマスクとして異方性エッチン
グを行えば図１５（ｂ）に示すような形状の面取り部２
６が形成される。ここで、図１５（ａ）に示すように、
マスク窒化膜１９ａにおいて図１５（ｂ）の面取り部２
６に対応する部位２７の周縁は、面取り部２６に対応す
る部位２７の両端を結ぶ直線と撓み部１３の側縁に対応
する直線２８とのなす４５度の内角を一方の底角とする
仮想直角二等辺三角形６０の斜辺が頂点６１とは反対側
に膨らんだ形状に形成されている。なお、マスク窒化膜
１９ａにおいて面取り部２６に対応する部位２７の周縁
は滑らかに連続する円弧状に形成されている。
れたマスク窒化膜１９ａをマスクとして異方性エッチン
グを行えば図１５（ｂ）に示すような形状の面取り部２
６が形成される。ここで、図１５（ａ）に示すように、
マスク窒化膜１９ａにおいて図１５（ｂ）の面取り部２
６に対応する部位２７の周縁は、面取り部２６に対応す
る部位２７の両端を結ぶ直線と撓み部１３の側縁に対応
する直線２８とのなす４５度の内角を一方の底角とする
仮想直角二等辺三角形６０の斜辺が頂点６１とは反対側
に膨らんだ形状に形成されている。なお、マスク窒化膜
１９ａにおいて面取り部２６に対応する部位２７の周縁
は滑らかに連続する円弧状に形成されている。
【００８４】図１５（ａ）のマスク窒化膜１９ａをマス
クとした場合、撓み部１３の幅寸法（図１５（ｂ）の上
下方向の寸法）はマスク窒化膜１９ａにおいて対応する
部位の幅寸法（直線２８間の寸法）よりもやや小さくな
り、面取り部２６は面取り部２６に対応する部位２７よ
りも後退し、外方に膨らんだ形状に形成されている。
クとした場合、撓み部１３の幅寸法（図１５（ｂ）の上
下方向の寸法）はマスク窒化膜１９ａにおいて対応する
部位の幅寸法（直線２８間の寸法）よりもやや小さくな
り、面取り部２６は面取り部２６に対応する部位２７よ
りも後退し、外方に膨らんだ形状に形成されている。
【００８５】図１６（ａ）に示すようにパターニングさ
れたマスク窒化膜１９ａをマスクとして異方性エッチン
グを行えば図１６（ｂ）に示すような形状の面取り部２
６が形成される。ここで、図１６（ａ）に示すように、
マスク窒化膜１９ａにおいて図１６（ｂ）の面取り部２
６に対応する部位２７の周縁は、面取り部２６に対応す
る部位２７の両端を結ぶ直線と撓み部１３の側縁に対応
する直線２８とのなす４５度の内角を一方の底角とする
仮想直角二等辺三角形６０（図１５（ａ）参照）の斜辺
が頂点６１（図１５（ａ）参照）とは反対側に膨らんだ
形状に形成されている。なお、マスク窒化膜１９ａにお
いて面取り部２６に対応する部位２７の周縁は階段状に
なっている。
れたマスク窒化膜１９ａをマスクとして異方性エッチン
グを行えば図１６（ｂ）に示すような形状の面取り部２
６が形成される。ここで、図１６（ａ）に示すように、
マスク窒化膜１９ａにおいて図１６（ｂ）の面取り部２
６に対応する部位２７の周縁は、面取り部２６に対応す
る部位２７の両端を結ぶ直線と撓み部１３の側縁に対応
する直線２８とのなす４５度の内角を一方の底角とする
仮想直角二等辺三角形６０（図１５（ａ）参照）の斜辺
が頂点６１（図１５（ａ）参照）とは反対側に膨らんだ
形状に形成されている。なお、マスク窒化膜１９ａにお
いて面取り部２６に対応する部位２７の周縁は階段状に
なっている。
【００８６】図１６（ａ）のマスク窒化膜１９ａをマス
クとした場合、撓み部１３の幅寸法（図１６（ｂ）の上
下方向の寸法）はマスク窒化膜１９ａにおいて対応する
部位の幅寸法（直線２８間の寸法）よりもやや小さくな
り、面取り部２６は面取り部２６に対応する部位２７よ
りも後退し、複数の凸部が形成される。
クとした場合、撓み部１３の幅寸法（図１６（ｂ）の上
下方向の寸法）はマスク窒化膜１９ａにおいて対応する
部位の幅寸法（直線２８間の寸法）よりもやや小さくな
り、面取り部２６は面取り部２６に対応する部位２７よ
りも後退し、複数の凸部が形成される。
【００８７】図１７（ａ）に示すようにパターニングさ
れたマスク窒化膜１９ａをマスクとして異方性エッチン
グを行えば図１７（ｂ）に示すような形状の面取り部２
６が形成される。ここで、図１７（ａ）に示すように、
マスク窒化膜１９ａにおいて図１７（ｂ）の面取り部２
６に対応する部位２７の周縁は、面取り部２６に対応す
る部位２７の両端を結ぶ直線と撓み部１３の側縁に対応
する直線２８とのなす４５度の内角を一方の底角とする
仮想直角二等辺三角形６０（図１５（ａ）参照）の斜辺
が頂点６１（図１５（ａ）参照）とは反対側に膨らんだ
形状に形成されている。
れたマスク窒化膜１９ａをマスクとして異方性エッチン
グを行えば図１７（ｂ）に示すような形状の面取り部２
６が形成される。ここで、図１７（ａ）に示すように、
マスク窒化膜１９ａにおいて図１７（ｂ）の面取り部２
６に対応する部位２７の周縁は、面取り部２６に対応す
る部位２７の両端を結ぶ直線と撓み部１３の側縁に対応
する直線２８とのなす４５度の内角を一方の底角とする
仮想直角二等辺三角形６０（図１５（ａ）参照）の斜辺
が頂点６１（図１５（ａ）参照）とは反対側に膨らんだ
形状に形成されている。
【００８８】図１７（ａ）のマスク窒化膜１９ａをマス
クとした場合、撓み部１３の幅寸法（図１７（ｂ）の上
下方向の寸法）はマスク窒化膜１９ａにおいて対応する
部位の幅寸法（直線２８間の寸法）よりもやや小さくな
り、面取り部２６は面取り部２６に対応する部位２７よ
りも後退し、外方に膨らんだ形状に形成されている。
クとした場合、撓み部１３の幅寸法（図１７（ｂ）の上
下方向の寸法）はマスク窒化膜１９ａにおいて対応する
部位の幅寸法（直線２８間の寸法）よりもやや小さくな
り、面取り部２６は面取り部２６に対応する部位２７よ
りも後退し、外方に膨らんだ形状に形成されている。
【００８９】図１８（ａ）に示すようにパターニングさ
れたマスク窒化膜１９ａをマスクとして異方性エッチン
グを行えば図１８（ｂ）に示すような形状の面取り部２
６が形成される。ここで、図１８（ａ）に示すように、
マスク窒化膜１９ａにおいて図１８（ｂ）の面取り部２
６に対応する部位２７の周縁は、面取り部２６に対応す
る部位２７の両端を結ぶ直線と撓み部１３の側縁に対応
する直線２８とのなす４５度の内角を一方の底角とする
仮想直角三角形７０の斜辺に沿って形成されている。
れたマスク窒化膜１９ａをマスクとして異方性エッチン
グを行えば図１８（ｂ）に示すような形状の面取り部２
６が形成される。ここで、図１８（ａ）に示すように、
マスク窒化膜１９ａにおいて図１８（ｂ）の面取り部２
６に対応する部位２７の周縁は、面取り部２６に対応す
る部位２７の両端を結ぶ直線と撓み部１３の側縁に対応
する直線２８とのなす４５度の内角を一方の底角とする
仮想直角三角形７０の斜辺に沿って形成されている。
【００９０】図１８（ａ）のマスク窒化膜１９ａをマス
クとした場合、撓み部１３の幅寸法（図１８（ｂ）の上
下方向の寸法）はマスク窒化膜１９ａにおいて対応する
部位の幅寸法（直線２８間の寸法）よりもやや小さくな
り、面取り部２６は面取り部２６に対応する部位２７よ
りも後退している（上記仮想直角三角形７０の斜辺の長
さよりも小さくなる）。図１８（ｂ）に示す形状の面取
り部２６を形成すれば、撓み部１３の両端での機械的強
度を高めることができる。
クとした場合、撓み部１３の幅寸法（図１８（ｂ）の上
下方向の寸法）はマスク窒化膜１９ａにおいて対応する
部位の幅寸法（直線２８間の寸法）よりもやや小さくな
り、面取り部２６は面取り部２６に対応する部位２７よ
りも後退している（上記仮想直角三角形７０の斜辺の長
さよりも小さくなる）。図１８（ｂ）に示す形状の面取
り部２６を形成すれば、撓み部１３の両端での機械的強
度を高めることができる。
【００９１】図１９（ａ）に示すようにパターニングさ
れたマスク窒化膜１９ａをマスクとして異方性エッチン
グを行えば図１９（ｂ）に示すような形状の面取り部２
６が形成される。ここで、図１９（ａ）に示すように、
マスク窒化膜１９ａにおいて面取り部２６に対応する部
位２７の周縁は、撓み部１３の長さ寸法を直径とし撓み
部１３の側縁に対応する部位に接するような仮想円の円
周に沿って形成されている。
れたマスク窒化膜１９ａをマスクとして異方性エッチン
グを行えば図１９（ｂ）に示すような形状の面取り部２
６が形成される。ここで、図１９（ａ）に示すように、
マスク窒化膜１９ａにおいて面取り部２６に対応する部
位２７の周縁は、撓み部１３の長さ寸法を直径とし撓み
部１３の側縁に対応する部位に接するような仮想円の円
周に沿って形成されている。
【００９２】図１９（ａ）のマスク窒化膜１９ａをマス
クとした場合、撓み部１３の幅寸法（図１９（ｂ）の上
下方向の寸法）はマスク窒化膜１９ａにおいて撓み部１
３に対応する部位の一側縁側（図１９（ａ）の上側）の
上記仮想円の接線のうち撓み部１３の延長方向に平行な
接線と、撓み部１３に対応する部位の他側縁側（図１９
（ａ）の下側）の上記仮想円の接点のうち撓み部１３の
延長方向に平行な接線との間の寸法に略等しくなり、面
取り部２６は図１１（ｂ）と同様の形状になる。
クとした場合、撓み部１３の幅寸法（図１９（ｂ）の上
下方向の寸法）はマスク窒化膜１９ａにおいて撓み部１
３に対応する部位の一側縁側（図１９（ａ）の上側）の
上記仮想円の接線のうち撓み部１３の延長方向に平行な
接線と、撓み部１３に対応する部位の他側縁側（図１９
（ａ）の下側）の上記仮想円の接点のうち撓み部１３の
延長方向に平行な接線との間の寸法に略等しくなり、面
取り部２６は図１１（ｂ）と同様の形状になる。
【００９３】ところで、上述の半導体加速度センサにお
けるセンサ本体１では、２つの撓み部１３が重り部１２
の一辺に沿う方向（図１（ｂ）の上下方向）に離間して
形成され、各面取り部２６を同じサイズに形成してある
が、図２０に示すような構成を採用してもよい。図２０
における各撓み部１３は上記一辺に沿う方向（図２０の
上下方向）において互いに対向する側面側の面取り部２
６よりも反対の側面側の面取り部２６のサイズを大きく
してある。すなわち、上記一辺に沿う方向において互い
に対向する側面側の面取り部２６の上記一辺に沿う方向
における寸法をＨ１、反対の側面側の面取り部２６の上
記一辺に沿う方向における寸法をＨ２とすれば、Ｈ２＞
Ｈ１となっている。重り部１２が各撓み部１３の延長方
向に平行な中心線Ｂを中心としてねじれたり、重り部１
２の先端部が上記一辺に沿う方向（図２０中の矢印Ｃの
向き）に振れた場合、上記反対側の側面の面取り部２６
に応力が集中するが、Ｈ２＞Ｈ１となっていることで応
力が緩和され、撓み部１３が折損するのを防止すること
ができる。
けるセンサ本体１では、２つの撓み部１３が重り部１２
の一辺に沿う方向（図１（ｂ）の上下方向）に離間して
形成され、各面取り部２６を同じサイズに形成してある
が、図２０に示すような構成を採用してもよい。図２０
における各撓み部１３は上記一辺に沿う方向（図２０の
上下方向）において互いに対向する側面側の面取り部２
６よりも反対の側面側の面取り部２６のサイズを大きく
してある。すなわち、上記一辺に沿う方向において互い
に対向する側面側の面取り部２６の上記一辺に沿う方向
における寸法をＨ１、反対の側面側の面取り部２６の上
記一辺に沿う方向における寸法をＨ２とすれば、Ｈ２＞
Ｈ１となっている。重り部１２が各撓み部１３の延長方
向に平行な中心線Ｂを中心としてねじれたり、重り部１
２の先端部が上記一辺に沿う方向（図２０中の矢印Ｃの
向き）に振れた場合、上記反対側の側面の面取り部２６
に応力が集中するが、Ｈ２＞Ｈ１となっていることで応
力が緩和され、撓み部１３が折損するのを防止すること
ができる。
【００９４】（実施形態２）本実施形態の半導体加速度
センサの基本構成は実施形態１と同じであって、製造方
法が相違するので、以下ではその製造方法において実施
形態１の製造方法と相違する点について図２１を参照し
ながら説明する。なお、実施形態１と同様の構成要素に
は同一の符号を付して説明を省略する。
センサの基本構成は実施形態１と同じであって、製造方
法が相違するので、以下ではその製造方法において実施
形態１の製造方法と相違する点について図２１を参照し
ながら説明する。なお、実施形態１と同様の構成要素に
は同一の符号を付して説明を省略する。
【００９５】実施形態１で説明した製造方法において、
上述の図９（ｂ）のようにＳＯＩウェハ１００の表面側
の全面にレジスト層４９を形成し、レジスト層４９およ
びＳＯＩウェハ１００の裏面側のシリコン酸化膜１８ｂ
をマスクとして、ＴＭＡＨのようなアルカリ系溶液によ
りＳＯＩウェハ１００の裏面から埋込絶縁層１０２に達
するまで異方性エッチングすることによって、図２１
（ａ）に示す構造が得られる（図２１（ａ）は図９
（ｃ）と同じ構造である）。
上述の図９（ｂ）のようにＳＯＩウェハ１００の表面側
の全面にレジスト層４９を形成し、レジスト層４９およ
びＳＯＩウェハ１００の裏面側のシリコン酸化膜１８ｂ
をマスクとして、ＴＭＡＨのようなアルカリ系溶液によ
りＳＯＩウェハ１００の裏面から埋込絶縁層１０２に達
するまで異方性エッチングすることによって、図２１
（ａ）に示す構造が得られる（図２１（ａ）は図９
（ｃ）と同じ構造である）。
【００９６】その後、埋込絶縁層１０２のうち露出した
部位をフッ酸系水溶液で途中までエッチングすることに
よって、図２１（ｂ）に示す構造が得られる。なお、こ
のエッチングの際にＳＯＩウェハ１００の裏面側のシリ
コン酸化膜１８ｂも埋込絶縁層１０２と同様に薄くな
る。
部位をフッ酸系水溶液で途中までエッチングすることに
よって、図２１（ｂ）に示す構造が得られる。なお、こ
のエッチングの際にＳＯＩウェハ１００の裏面側のシリ
コン酸化膜１８ｂも埋込絶縁層１０２と同様に薄くな
る。
【００９７】次に、ＳＯＩウェハ１００の表面側のレジ
スト層４９を発煙硝酸により除去することによって、図
２１（ｃ）に示す構造が得られる。
スト層４９を発煙硝酸により除去することによって、図
２１（ｃ）に示す構造が得られる。
【００９８】続いて、シリコン窒化膜１９ａをマスクと
して、ＳＯＩウェハ１００の表面側から上述のスリット
１４に対応する部位をＴＭＡＨのようなアルカリ系溶液
により埋込絶縁層１０２に達するまで異方性エッチング
することによって、図２１（ｄ）に示す構造が得られ
る。なお、このＳＯＩウェハ１００の表面側からのエッ
チングは、いわゆるジャストエッチング後のオーバーエ
ッチングの時間を極力短くすることが望ましい。
して、ＳＯＩウェハ１００の表面側から上述のスリット
１４に対応する部位をＴＭＡＨのようなアルカリ系溶液
により埋込絶縁層１０２に達するまで異方性エッチング
することによって、図２１（ｄ）に示す構造が得られ
る。なお、このＳＯＩウェハ１００の表面側からのエッ
チングは、いわゆるジャストエッチング後のオーバーエ
ッチングの時間を極力短くすることが望ましい。
【００９９】続いて、ＳＯＩウェハ１００の埋込絶縁層
１０２において露出した部分をフッ酸系の水溶液でエッ
チングすることでスリット１４が形成され、図２１
（ｅ）に示す構造が得られる。なお、本実施形態では、
フッ酸系の水溶液で埋込絶縁層１０２をエッチングする
にあたって、埋込絶縁層１０２の露出部位の厚さが他の
部位に比べて薄くなっているので、ＳＯＩウェハ１００
の表面側のパッド１６および金属配線２１および接合用
金属層２２の侵食を防止することができる。
１０２において露出した部分をフッ酸系の水溶液でエッ
チングすることでスリット１４が形成され、図２１
（ｅ）に示す構造が得られる。なお、本実施形態では、
フッ酸系の水溶液で埋込絶縁層１０２をエッチングする
にあたって、埋込絶縁層１０２の露出部位の厚さが他の
部位に比べて薄くなっているので、ＳＯＩウェハ１００
の表面側のパッド１６および金属配線２１および接合用
金属層２２の侵食を防止することができる。
【０１００】以後の製造工程は実施形態１と同様であ
る。
る。
【０１０１】本実施形態の製造方法でも実施形態１の製
造方法と同様の効果が得られ、耐衝撃性の高い半導体加
速度センサを得ることができる。
造方法と同様の効果が得られ、耐衝撃性の高い半導体加
速度センサを得ることができる。
【０１０２】（実施形態３）本実施形態の半導体加速度
センサの基本構成は実施形態１と同じであって、製造方
法が相違するので、以下ではその製造方法において実施
形態１の製造方法と相違する点について図２２を参照し
ながら説明する。なお、実施形態１と同様の構成要素に
は同一の符号を付して説明を省略する。
センサの基本構成は実施形態１と同じであって、製造方
法が相違するので、以下ではその製造方法において実施
形態１の製造方法と相違する点について図２２を参照し
ながら説明する。なお、実施形態１と同様の構成要素に
は同一の符号を付して説明を省略する。
【０１０３】実施形態１で説明した製造方法において、
図９（ｃ）のようにＳＯＩウェハ１００の表面側のレジ
スト層４９およびＳＯＩウェハ１００の裏面側のシリコ
ン酸化膜１８ｂをマスクとして、ＴＭＡＨのようなアル
カリ系溶液によりＳＯＩウェハ１００の裏面から埋込絶
縁層１０２に達するまで異方性エッチングし、続いて、
図９（ｄ）のようにＳＯＩウェハ１００の表面側のレジ
スト層４９を除去した後、シリコン窒化膜１９ａをマス
クとして、ＳＯＩウェハ１００の表面側から上述のスリ
ット１４に対応する部位をＴＭＡＨのようなアルカリ系
溶液により埋込絶縁層１０２に達するまで異方性エッチ
ングすることによって、図２２（ａ）に示す構造が得ら
れる（図２２（ａ）は図１０（ａ）と同じ構造であ
る）。
図９（ｃ）のようにＳＯＩウェハ１００の表面側のレジ
スト層４９およびＳＯＩウェハ１００の裏面側のシリコ
ン酸化膜１８ｂをマスクとして、ＴＭＡＨのようなアル
カリ系溶液によりＳＯＩウェハ１００の裏面から埋込絶
縁層１０２に達するまで異方性エッチングし、続いて、
図９（ｄ）のようにＳＯＩウェハ１００の表面側のレジ
スト層４９を除去した後、シリコン窒化膜１９ａをマス
クとして、ＳＯＩウェハ１００の表面側から上述のスリ
ット１４に対応する部位をＴＭＡＨのようなアルカリ系
溶液により埋込絶縁層１０２に達するまで異方性エッチ
ングすることによって、図２２（ａ）に示す構造が得ら
れる（図２２（ａ）は図１０（ａ）と同じ構造であ
る）。
【０１０４】その後、ＳＯＩウェハ１００の表裏両側か
ら活性層１０３および支持層１０１の等方性エッチング
を行うことによって、図２２（ｂ）に示す構造が得られ
る。なお、この等方性エッチングのエッチング時間は、
埋込絶縁層１０２において露出した部位と支持枠１１に
なる部位および重り部１２になる部位との境界部分とが
滑らかに連続する形状になるように設定すればよい。言
い換えれば、エッチング時間は、重り部１２になる部位
が厚み方向に振れた場合に境界部分に集中する応力を緩
和する形状になるように設定すればよい。
ら活性層１０３および支持層１０１の等方性エッチング
を行うことによって、図２２（ｂ）に示す構造が得られ
る。なお、この等方性エッチングのエッチング時間は、
埋込絶縁層１０２において露出した部位と支持枠１１に
なる部位および重り部１２になる部位との境界部分とが
滑らかに連続する形状になるように設定すればよい。言
い換えれば、エッチング時間は、重り部１２になる部位
が厚み方向に振れた場合に境界部分に集中する応力を緩
和する形状になるように設定すればよい。
【０１０５】次に、ＳＯＩウェハ１００の埋込絶縁層１
０２において露出した部分をフッ酸系の水溶液でエッチ
ングすることでスリット１４が形成され、図２２（ｃ）
に示す構造が得られる。以後の製造工程は実施形態１と
同様である。
０２において露出した部分をフッ酸系の水溶液でエッチ
ングすることでスリット１４が形成され、図２２（ｃ）
に示す構造が得られる。以後の製造工程は実施形態１と
同様である。
【０１０６】本実施形態の製造方法でも実施形態１の製
造方法と同様の効果が得られ、耐衝撃性の高い半導体加
速度センサを得ることができる。
造方法と同様の効果が得られ、耐衝撃性の高い半導体加
速度センサを得ることができる。
【０１０７】（実施形態４）本実施形態の半導体加速度
センサの基本構成は実施形態１と同じであって、製造方
法が相違するので、以下ではその製造方法において実施
形態１の製造方法と相違する点について図２３を参照し
ながら説明する。なお、実施形態１と同様の構成要素に
は同一の符号を付して説明を省略する。
センサの基本構成は実施形態１と同じであって、製造方
法が相違するので、以下ではその製造方法において実施
形態１の製造方法と相違する点について図２３を参照し
ながら説明する。なお、実施形態１と同様の構成要素に
は同一の符号を付して説明を省略する。
【０１０８】実施形態１で説明した製造方法において、
図９（ｃ）のようにＳＯＩウェハ１００の表面側のレジ
スト層４９およびＳＯＩウェハ１００の裏面側のシリコ
ン酸化膜１８ｂをマスクとして、ＴＭＡＨのようなアル
カリ系溶液によりＳＯＩウェハ１００の裏面から埋込絶
縁層１０２に達するまで異方性エッチングし、続いて、
図９（ｄ）のようにＳＯＩウェハ１００の表面側のレジ
スト層４９を除去した後、シリコン窒化膜１９ａをマス
クとして、ＳＯＩウェハ１００の表面側から上述のスリ
ット１４に対応する部位をＴＭＡＨのようなアルカリ系
溶液により埋込絶縁層１０２に達するまで異方性エッチ
ングすることによって、図２３（ａ）に示す構造が得ら
れる（図２３（ａ）は図１０（ａ）と同じ構造であ
る）。
図９（ｃ）のようにＳＯＩウェハ１００の表面側のレジ
スト層４９およびＳＯＩウェハ１００の裏面側のシリコ
ン酸化膜１８ｂをマスクとして、ＴＭＡＨのようなアル
カリ系溶液によりＳＯＩウェハ１００の裏面から埋込絶
縁層１０２に達するまで異方性エッチングし、続いて、
図９（ｄ）のようにＳＯＩウェハ１００の表面側のレジ
スト層４９を除去した後、シリコン窒化膜１９ａをマス
クとして、ＳＯＩウェハ１００の表面側から上述のスリ
ット１４に対応する部位をＴＭＡＨのようなアルカリ系
溶液により埋込絶縁層１０２に達するまで異方性エッチ
ングすることによって、図２３（ａ）に示す構造が得ら
れる（図２３（ａ）は図１０（ａ）と同じ構造であ
る）。
【０１０９】その後、ＳＯＩウェハ１００においてスリ
ット１４および撓み部１３に対応する部位の埋込絶縁層
１０２およびＳＯＩウェハ１００の裏面側のシリコン酸
化膜１８ｂをＳＯＩウェハ１００の裏面側からドライエ
ッチングにより除去することによって、図２３（ｂ）に
示す構造が得られる。なお、ドライエッチングで用いる
エッチング装置としては、高アスペクト比のエッチング
が可能なドライエッチチャーを用いることが好ましく、
例えば、ＩＣＰ（誘導結合プラズマ）型のドライエッチ
ャーを用いればよい。
ット１４および撓み部１３に対応する部位の埋込絶縁層
１０２およびＳＯＩウェハ１００の裏面側のシリコン酸
化膜１８ｂをＳＯＩウェハ１００の裏面側からドライエ
ッチングにより除去することによって、図２３（ｂ）に
示す構造が得られる。なお、ドライエッチングで用いる
エッチング装置としては、高アスペクト比のエッチング
が可能なドライエッチチャーを用いることが好ましく、
例えば、ＩＣＰ（誘導結合プラズマ）型のドライエッチ
ャーを用いればよい。
【０１１０】以後の製造工程は実施形態１と同様であ
る。
る。
【０１１１】本実施形態の製造方法でも実施形態１の製
造方法と同様の効果が得られ、耐衝撃性の高い半導体加
速度センサを得ることができる。また、ＳＯＩウェハ１
００においてスリット１４および撓み部１３に対応する
部位の埋込絶縁層１０２をＳＯＩウェハ１００の裏面側
からドライエッチングにより除去しているので、ＳＯＩ
ウェハ１００の表面側がプラズマに曝されることがな
く、ＳＯＩウェハ１００の表面側にエッチングダメージ
を与えることなく埋込絶縁層１０２を除去することがで
きる。
造方法と同様の効果が得られ、耐衝撃性の高い半導体加
速度センサを得ることができる。また、ＳＯＩウェハ１
００においてスリット１４および撓み部１３に対応する
部位の埋込絶縁層１０２をＳＯＩウェハ１００の裏面側
からドライエッチングにより除去しているので、ＳＯＩ
ウェハ１００の表面側がプラズマに曝されることがな
く、ＳＯＩウェハ１００の表面側にエッチングダメージ
を与えることなく埋込絶縁層１０２を除去することがで
きる。
【０１１２】（実施形態５）本実施形態の半導体加速度
センサの基本構成は実施形態１と同じであって、製造方
法が相違するので、以下ではその製造方法において実施
形態１の製造方法と相違する点について図２４および図
２５を参照しながら説明する。なお、実施形態１と同様
の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
センサの基本構成は実施形態１と同じであって、製造方
法が相違するので、以下ではその製造方法において実施
形態１の製造方法と相違する点について図２４および図
２５を参照しながら説明する。なお、実施形態１と同様
の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【０１１３】実施形態１で説明した製造方法において、
上述の図９（ａ）のようにＳＯＩウェハ１００の裏面側
のシリコン窒化膜１９ｂの全部と裏面側のシリコン酸化
膜１８ｂの大部分をドライエッチングした後、ＳＯＩウ
ェハ１００の表面側の全面にレジスト層４９を形成する
ことによって、図２４（ａ）に示す構造が得られる。こ
こにおいて、レジスト層４９は、ＳＯＩウェハ１００の
表面側にフォトレジストを塗布し、ＳＯＩウェハ１００
におけるスリット１４の形成部位に対応する部分４９ｂ
以外の部分４９ａを感光して紫外線硬化させ、その後に
ポストベースを行うことで形成されている。また、レジ
スト層４９の厚さは数μｍ以上に設定することが好まし
い。
上述の図９（ａ）のようにＳＯＩウェハ１００の裏面側
のシリコン窒化膜１９ｂの全部と裏面側のシリコン酸化
膜１８ｂの大部分をドライエッチングした後、ＳＯＩウ
ェハ１００の表面側の全面にレジスト層４９を形成する
ことによって、図２４（ａ）に示す構造が得られる。こ
こにおいて、レジスト層４９は、ＳＯＩウェハ１００の
表面側にフォトレジストを塗布し、ＳＯＩウェハ１００
におけるスリット１４の形成部位に対応する部分４９ｂ
以外の部分４９ａを感光して紫外線硬化させ、その後に
ポストベースを行うことで形成されている。また、レジ
スト層４９の厚さは数μｍ以上に設定することが好まし
い。
【０１１４】レジスト層４９を形成した後、レジスト層
４９およびＳＯＩウェハ１００の裏面側のシリコン酸化
膜１８ｂをマスクとして、ＴＭＡＨのようなアルカリ系
溶液によりＳＯＩウェハ１００の裏面から埋込絶縁層１
０２に達するまで異方性エッチングすることによって、
図２４（ｂ）に示す構造が得られる。
４９およびＳＯＩウェハ１００の裏面側のシリコン酸化
膜１８ｂをマスクとして、ＴＭＡＨのようなアルカリ系
溶液によりＳＯＩウェハ１００の裏面から埋込絶縁層１
０２に達するまで異方性エッチングすることによって、
図２４（ｂ）に示す構造が得られる。
【０１１５】その後、ＳＯＩウェハ１００表面側のレジ
スト層４９のうちスリット１４の形成部位に対応する部
分４９ｂを現像液で剥離除去し、続いて、レジスト層４
９をマスクとしてＳＯＩウェハ１００の表面側のシリコ
ン窒化膜１９ａおよびシリコン酸化膜１８ａをエッチン
グすることによって、図２４（ｃ）に示す構造が得られ
る。
スト層４９のうちスリット１４の形成部位に対応する部
分４９ｂを現像液で剥離除去し、続いて、レジスト層４
９をマスクとしてＳＯＩウェハ１００の表面側のシリコ
ン窒化膜１９ａおよびシリコン酸化膜１８ａをエッチン
グすることによって、図２４（ｃ）に示す構造が得られ
る。
【０１１６】次に、レジスト層４９をマスクとして、Ｓ
ＯＩウェハ１００の表面側から上述のスリット１４に対
応する部位をＴＭＡＨのようなアルカリ系溶液により埋
込絶縁層１０２に達するまで異方性エッチングすること
によって、図２４（ｄ）に示す構造が得られる。なお、
このＳＯＩウェハ１００の表面側からのエッチングは、
いわゆるジャストエッチング後のオーバーエッチングの
時間を極力短くすることが望ましい。
ＯＩウェハ１００の表面側から上述のスリット１４に対
応する部位をＴＭＡＨのようなアルカリ系溶液により埋
込絶縁層１０２に達するまで異方性エッチングすること
によって、図２４（ｄ）に示す構造が得られる。なお、
このＳＯＩウェハ１００の表面側からのエッチングは、
いわゆるジャストエッチング後のオーバーエッチングの
時間を極力短くすることが望ましい。
【０１１７】続いて、ＳＯＩウェハ１００の埋込絶縁層
１０２において露出した部分をフッ酸系の水溶液でエッ
チングすることでスリット１４が形成され、図２５
（ａ）に示す構造が得られる。その後、レジスト層４９
を除去することによって、図２５（ｂ）に示す構造が得
られる。以後の製造工程は実施形態１と同様である。
１０２において露出した部分をフッ酸系の水溶液でエッ
チングすることでスリット１４が形成され、図２５
（ａ）に示す構造が得られる。その後、レジスト層４９
を除去することによって、図２５（ｂ）に示す構造が得
られる。以後の製造工程は実施形態１と同様である。
【０１１８】本実施形態の製造方法でも実施形態１の製
造方法と同様の効果が得られ、耐衝撃性の高い半導体加
速度センサを得ることができる。また、埋込絶縁層１０
２をフッ酸系の水溶液でエッチングする際にＳＯＩウェ
ハ１００の表面側のパッド１６、金属配線２１、および
接合用金属層２２はレジスト層４９により覆われて保護
されているので、フッ酸系の水溶液で侵食されるのを確
実に防止することができる。
造方法と同様の効果が得られ、耐衝撃性の高い半導体加
速度センサを得ることができる。また、埋込絶縁層１０
２をフッ酸系の水溶液でエッチングする際にＳＯＩウェ
ハ１００の表面側のパッド１６、金属配線２１、および
接合用金属層２２はレジスト層４９により覆われて保護
されているので、フッ酸系の水溶液で侵食されるのを確
実に防止することができる。
【０１１９】（実施形態６）本実施形態の半導体加速度
センサの基本構成は実施形態１と同じであって、製造方
法が相違するので、以下ではその製造方法において実施
形態１の製造方法と相違する点について図２６および図
２７を参照しながら説明する。なお、実施形態１と同様
の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
センサの基本構成は実施形態１と同じであって、製造方
法が相違するので、以下ではその製造方法において実施
形態１の製造方法と相違する点について図２６および図
２７を参照しながら説明する。なお、実施形態１と同様
の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【０１２０】実施形態１で説明した製造方法において、
図８（ｃ）のようにＳＯＩウェハ１００の表面側に上述
のスリット１４を形成するためにパターニングされたレ
ジスト層４８を形成し、図８（ｄ）のようにレジスト層
４８をマスクとしてＳＯＩウェハ１００の表面側のシリ
コン窒化膜１９ａおよびシリコン酸化膜１８ａをドライ
エッチングした後、ＳＯＩウェハ１００の裏面側のシリ
コン窒化膜１９ｂの全部と裏面側のシリコン酸化膜１８
ｂの大部分をドライエッチングすることによって、図２
６（ａ）に示す構造が得られる（図２６（ａ）は図９
（ａ）と同じ構造である）。
図８（ｃ）のようにＳＯＩウェハ１００の表面側に上述
のスリット１４を形成するためにパターニングされたレ
ジスト層４８を形成し、図８（ｄ）のようにレジスト層
４８をマスクとしてＳＯＩウェハ１００の表面側のシリ
コン窒化膜１９ａおよびシリコン酸化膜１８ａをドライ
エッチングした後、ＳＯＩウェハ１００の裏面側のシリ
コン窒化膜１９ｂの全部と裏面側のシリコン酸化膜１８
ｂの大部分をドライエッチングすることによって、図２
６（ａ）に示す構造が得られる（図２６（ａ）は図９
（ａ）と同じ構造である）。
【０１２１】その後、ＳＯＩウェハ１００の表面側のレ
ジスト層４８を発煙硝酸で除去してから、ＳＯＩウェハ
１００の裏面側の全面にレジスト層５１を形成すること
によって、図２６（ｂ）に示す構造が得られる。ここに
おいて、レジスト層５１は、ＳＯＩウェハ１００の裏面
側にフォトレジストを塗布し、全面露光してからポスト
ベースを行うことで形成されている。また、レジスト層
５１の厚さは数μｍ以上に設定することが好ましい。
ジスト層４８を発煙硝酸で除去してから、ＳＯＩウェハ
１００の裏面側の全面にレジスト層５１を形成すること
によって、図２６（ｂ）に示す構造が得られる。ここに
おいて、レジスト層５１は、ＳＯＩウェハ１００の裏面
側にフォトレジストを塗布し、全面露光してからポスト
ベースを行うことで形成されている。また、レジスト層
５１の厚さは数μｍ以上に設定することが好ましい。
【０１２２】次に、ＳＯＩウェハ１００の表面側のシリ
コン窒化膜１９ａおよび裏面側のレジスト層５１をマス
クとして、ＳＯＩウェハ１００の表面側から上述のスリ
ット１４に対応する部位をＴＭＡＨのようなアルカリ系
溶液により埋込絶縁層１０２に達するまで異方性エッチ
ングすることによって、図２６（ｃ）に示す構造が得ら
れる。なお、このＳＯＩウェハ１００の表面側からのエ
ッチングは、いわゆるジャストエッチング後のオーバー
エッチングの時間を極力短くすることが望ましい。
コン窒化膜１９ａおよび裏面側のレジスト層５１をマス
クとして、ＳＯＩウェハ１００の表面側から上述のスリ
ット１４に対応する部位をＴＭＡＨのようなアルカリ系
溶液により埋込絶縁層１０２に達するまで異方性エッチ
ングすることによって、図２６（ｃ）に示す構造が得ら
れる。なお、このＳＯＩウェハ１００の表面側からのエ
ッチングは、いわゆるジャストエッチング後のオーバー
エッチングの時間を極力短くすることが望ましい。
【０１２３】その後、ＳＯＩウェハ１００の裏面側のレ
ジスト層５１を発煙硝酸で除去することによって、図２
７（ａ）に示す構造が得られ、続いて、ＳＯＩウェハ１
００の表面側の全面にレジスト層５２を形成し（レジス
ト層５２は、ＳＯＩウェハ１００の表面側にフォトレジ
ストを塗布し、全面露光してからポストベースを行うこ
とで形成されている）、ＳＯＩウェハ１００の表面側の
レジスト層５２および裏面側のシリコン酸化膜１８ｂを
マスクとして、ＳＯＩウェハ１００の裏面側からＴＭＡ
Ｈのようなアルカリ系溶液で埋込絶縁層１０２に達する
まで異方性エッチングすることによって、図２７（ｂ）
に示す構造が得られる。
ジスト層５１を発煙硝酸で除去することによって、図２
７（ａ）に示す構造が得られ、続いて、ＳＯＩウェハ１
００の表面側の全面にレジスト層５２を形成し（レジス
ト層５２は、ＳＯＩウェハ１００の表面側にフォトレジ
ストを塗布し、全面露光してからポストベースを行うこ
とで形成されている）、ＳＯＩウェハ１００の表面側の
レジスト層５２および裏面側のシリコン酸化膜１８ｂを
マスクとして、ＳＯＩウェハ１００の裏面側からＴＭＡ
Ｈのようなアルカリ系溶液で埋込絶縁層１０２に達する
まで異方性エッチングすることによって、図２７（ｂ）
に示す構造が得られる。
【０１２４】続いて、ＳＯＩウェハ１００の表面側のレ
ジスト層５２を発煙硝酸で除去してから、ＳＯＩウェハ
１００の埋込絶縁層１０２において露出した部分をフッ
酸系の水溶液でエッチングすることでスリット１４が形
成され、図２７（ｃ）に示す構造が得られる。以後の製
造工程は実施形態１と同様である。
ジスト層５２を発煙硝酸で除去してから、ＳＯＩウェハ
１００の埋込絶縁層１０２において露出した部分をフッ
酸系の水溶液でエッチングすることでスリット１４が形
成され、図２７（ｃ）に示す構造が得られる。以後の製
造工程は実施形態１と同様である。
【０１２５】本実施形態の製造方法でも実施形態１の製
造方法と同様の効果が得られ、耐衝撃性の高い半導体加
速度センサを得ることができる。また、本実施形態で
は、ＳＯＩウェハ１００においてスリット１４に対応す
る部位をＳＯＩウェハ１００の表面側からＴＭＡＨによ
り異方性エッチングする際にＳＯＩウェハ１００の裏面
側がレジスト層５１により覆われているので、この異方
性エッチングの際にＳＯＩウェハ１００の裏面側の支持
層１０２がエッチングされることがなく、センサ本体１
の小型化を図る上で有利である。例えば、重り部１２の
重量が比較的小さい場合などに、このＳＯＩウェハ１０
０の表面側からの異方性エッチングの際に支持層１０２
がエッチングされて重り部１２の重量が低下するのを防
止することができる。
造方法と同様の効果が得られ、耐衝撃性の高い半導体加
速度センサを得ることができる。また、本実施形態で
は、ＳＯＩウェハ１００においてスリット１４に対応す
る部位をＳＯＩウェハ１００の表面側からＴＭＡＨによ
り異方性エッチングする際にＳＯＩウェハ１００の裏面
側がレジスト層５１により覆われているので、この異方
性エッチングの際にＳＯＩウェハ１００の裏面側の支持
層１０２がエッチングされることがなく、センサ本体１
の小型化を図る上で有利である。例えば、重り部１２の
重量が比較的小さい場合などに、このＳＯＩウェハ１０
０の表面側からの異方性エッチングの際に支持層１０２
がエッチングされて重り部１２の重量が低下するのを防
止することができる。
【０１２６】
【発明の効果】請求項１の発明は、矩形枠状の支持枠の
表裏に貫通する開口窓内に配置した重り部が可撓性を有
する撓み部を介して支持枠に一体に連結され、かつ重り
部への加速度の作用により撓み部に生じる応力を検出す
るゲージ抵抗が撓み部に設けられ入出力用の電極が支持
枠の表面側に設けられたセンサ本体と、センサ本体の表
面側において前記開口窓を覆うように支持枠に接合され
た第１のカバーと、センサ本体の裏面側において前記開
口窓を覆うように支持枠に接合された第２のカバーとを
備え、撓み部は、センサ本体の表面側に設けられ、延長
方向の両端部が中央部よりも幅広になるように撓み部の
両側面と支持枠の内周面および重り部の外周面との間に
面取り部が形成されてなるものであり、撓み部の延長方
向の両端部が中央部よりも幅広になるように撓み部の両
側面と支持枠の内周面および重り部の外周面との間に面
取り部が形成されているので、撓み部の耐衝撃性が向上
し、半導体加速度センサとしての耐衝撃性も向上すると
いう効果がある。
表裏に貫通する開口窓内に配置した重り部が可撓性を有
する撓み部を介して支持枠に一体に連結され、かつ重り
部への加速度の作用により撓み部に生じる応力を検出す
るゲージ抵抗が撓み部に設けられ入出力用の電極が支持
枠の表面側に設けられたセンサ本体と、センサ本体の表
面側において前記開口窓を覆うように支持枠に接合され
た第１のカバーと、センサ本体の裏面側において前記開
口窓を覆うように支持枠に接合された第２のカバーとを
備え、撓み部は、センサ本体の表面側に設けられ、延長
方向の両端部が中央部よりも幅広になるように撓み部の
両側面と支持枠の内周面および重り部の外周面との間に
面取り部が形成されてなるものであり、撓み部の延長方
向の両端部が中央部よりも幅広になるように撓み部の両
側面と支持枠の内周面および重り部の外周面との間に面
取り部が形成されているので、撓み部の耐衝撃性が向上
し、半導体加速度センサとしての耐衝撃性も向上すると
いう効果がある。
【０１２７】請求項２の発明は、請求項１の発明におい
て、前記ゲージ抵抗は前記撓み部において前記両端部を
除いた部位に形成されているので、出力特性への前記面
取り部の影響を少なくすることができるという効果があ
る。
て、前記ゲージ抵抗は前記撓み部において前記両端部を
除いた部位に形成されているので、出力特性への前記面
取り部の影響を少なくすることができるという効果があ
る。
【０１２８】請求項３の発明は、請求項１または請求項
２の発明において、前記撓み部を２つ備え、前記各撓み
部が前記重り部の一辺に沿う方向に離間して形成され、
前記各撓み部は前記一辺に沿う方向において互いに対向
する側面側の面取り部よりも反対の側面側の面取り部の
サイズを大きくしてあるので、前記重り部の先端部が上
記一辺に沿う方向に振れたり前記重り部が前記撓み部の
延長方向に平行な中心線に対してねじれた場合に応力が
集中して撓み部が折損するのを防止することができると
いう効果がある。
２の発明において、前記撓み部を２つ備え、前記各撓み
部が前記重り部の一辺に沿う方向に離間して形成され、
前記各撓み部は前記一辺に沿う方向において互いに対向
する側面側の面取り部よりも反対の側面側の面取り部の
サイズを大きくしてあるので、前記重り部の先端部が上
記一辺に沿う方向に振れたり前記重り部が前記撓み部の
延長方向に平行な中心線に対してねじれた場合に応力が
集中して撓み部が折損するのを防止することができると
いう効果がある。
【０１２９】請求項６の発明は、請求項５記載の半導体
加速度センサの製造方法であって、ＳＯＩウェハにおい
て前記重り部と前記支持枠との間に前記撓み部を除いて
形成されるスリットおよび前記撓み部それぞれに対応す
る部位の厚さが前記第２のシリコン層と前記埋込絶縁層
の厚さとを加算した厚さよりも大きく、且つ、前記電極
が形成されるまでＳＯＩウェハの破損を防止できる程度
に設定した所定厚さになるように第１のアルカリ系溶液
を用いてＳＯＩウェハの裏面から異方性エッチングする
第１のエッチング工程と、前記電極を形成した後にＳＯ
Ｉウェハにおいて前記スリットおよび前記撓み部それぞ
れに対応する部位を前記埋込絶縁層に達するまで第２の
アルカリ系溶液を用いてＳＯＩウェハの裏面側から異方
性エッチングする第２のエッチング工程と、ＳＯＩウェ
ハにおいて前記スリットに対応する部位を前記埋込絶縁
層に達するまで第３のアルカリ系溶液を用いてＳＯＩウ
ェハの表面から異方性エッチングする第３のエッチング
工程と、ＳＯＩウェハにおいて前記スリットおよび前記
撓み部に対応する部位の前記埋込絶縁層を除去する第４
のエッチング工程とを備え、前記第３のエッチング工程
では、前記スリットに対応する部位が開口され且つ前記
撓み部および前記支持枠および前記重り部および前記面
取り部に対応する部位を保護するようにＳＯＩウェハの
表面側を覆うマスクを用いることを特徴とする。
加速度センサの製造方法であって、ＳＯＩウェハにおい
て前記重り部と前記支持枠との間に前記撓み部を除いて
形成されるスリットおよび前記撓み部それぞれに対応す
る部位の厚さが前記第２のシリコン層と前記埋込絶縁層
の厚さとを加算した厚さよりも大きく、且つ、前記電極
が形成されるまでＳＯＩウェハの破損を防止できる程度
に設定した所定厚さになるように第１のアルカリ系溶液
を用いてＳＯＩウェハの裏面から異方性エッチングする
第１のエッチング工程と、前記電極を形成した後にＳＯ
Ｉウェハにおいて前記スリットおよび前記撓み部それぞ
れに対応する部位を前記埋込絶縁層に達するまで第２の
アルカリ系溶液を用いてＳＯＩウェハの裏面側から異方
性エッチングする第２のエッチング工程と、ＳＯＩウェ
ハにおいて前記スリットに対応する部位を前記埋込絶縁
層に達するまで第３のアルカリ系溶液を用いてＳＯＩウ
ェハの表面から異方性エッチングする第３のエッチング
工程と、ＳＯＩウェハにおいて前記スリットおよび前記
撓み部に対応する部位の前記埋込絶縁層を除去する第４
のエッチング工程とを備え、前記第３のエッチング工程
では、前記スリットに対応する部位が開口され且つ前記
撓み部および前記支持枠および前記重り部および前記面
取り部に対応する部位を保護するようにＳＯＩウェハの
表面側を覆うマスクを用いることを特徴とする。
【０１３０】この製造方法によれば、前記所定厚さを、
前記電極が形成されるまでＳＯＩウェハの破損を防止で
きる程度に設定してあるので、製造工程の途中でＳＯＩ
ウェハが破壊されるのを防止することができ、収率が高
くなって低コスト化を図れ、さらに、前記撓み部の破損
が防止されることで、収率を悪くすることなしに前記撓
み部の厚さを薄くすることが可能となるので、半導体加
速度センサの高感度化を図ることができるという効果が
あり、しかも、ＳＯＩウェハにおいて前記スリットに対
応する部位をあらかじめ裏面側から前記埋込絶縁層に達
するまで異方性エッチングした後に前記スリットに対応
する部位を前記埋込絶縁層に達するまで第３のアルカリ
系溶液を用いてＳＯＩウェハの表面から異方性エッチン
グしているので、ジャストエッチング時点からのオーバ
ーエッチング時間を短くすることができて前記面取り部
が形成されるから、耐衝撃性の高い半導体加速度センサ
を提供することができるという効果がある。
前記電極が形成されるまでＳＯＩウェハの破損を防止で
きる程度に設定してあるので、製造工程の途中でＳＯＩ
ウェハが破壊されるのを防止することができ、収率が高
くなって低コスト化を図れ、さらに、前記撓み部の破損
が防止されることで、収率を悪くすることなしに前記撓
み部の厚さを薄くすることが可能となるので、半導体加
速度センサの高感度化を図ることができるという効果が
あり、しかも、ＳＯＩウェハにおいて前記スリットに対
応する部位をあらかじめ裏面側から前記埋込絶縁層に達
するまで異方性エッチングした後に前記スリットに対応
する部位を前記埋込絶縁層に達するまで第３のアルカリ
系溶液を用いてＳＯＩウェハの表面から異方性エッチン
グしているので、ジャストエッチング時点からのオーバ
ーエッチング時間を短くすることができて前記面取り部
が形成されるから、耐衝撃性の高い半導体加速度センサ
を提供することができるという効果がある。
【０１３１】請求項７の発明は、請求項５記載の半導体
加速度センサの製造方法であって、ＳＯＩウェハにおい
て前記重り部と前記支持枠との間に前記撓み部を除いて
形成されるスリットおよび前記撓み部それぞれに対応す
る部位の厚さが前記第２のシリコン層と前記埋込絶縁層
の厚さとを加算した厚さよりも大きく、且つ、前記電極
が形成されるまでＳＯＩウェハの破損を防止できる程度
に設定した所定厚さになるように第１のアルカリ系溶液
を用いてＳＯＩウェハの裏面から異方性エッチングする
第１のエッチング工程と、前記電極を形成した後にＳＯ
Ｉウェハにおいて前記スリットおよび前記撓み部それぞ
れに対応する部位を前記埋込絶縁層に達するまで第２の
アルカリ系溶液を用いてＳＯＩウェハの裏面側から異方
性エッチングする第２のエッチング工程と、第２のエッ
チング工程の後に露出した前記埋込絶縁層を途中までエ
ッチングする第３のエッチング工程と、ＳＯＩウェハに
おいて前記スリットに対応する部位を前記埋込絶縁層に
達するまで第３のアルカリ系溶液を用いてＳＯＩウェハ
の表面から異方性エッチングする第４のエッチング工程
と、ＳＯＩウェハにおいて前記スリットおよび前記撓み
部に対応する部位の前記埋込絶縁層を除去する第５のエ
ッチング工程とを備え、前記第４のエッチング工程で
は、前記スリットに対応する部位が開口され且つ前記撓
み部および前記支持枠および前記重り部および前記面取
り部に対応する部位を保護するようにＳＯＩウェハの表
面側を覆うマスクを用いることを特徴とする。
加速度センサの製造方法であって、ＳＯＩウェハにおい
て前記重り部と前記支持枠との間に前記撓み部を除いて
形成されるスリットおよび前記撓み部それぞれに対応す
る部位の厚さが前記第２のシリコン層と前記埋込絶縁層
の厚さとを加算した厚さよりも大きく、且つ、前記電極
が形成されるまでＳＯＩウェハの破損を防止できる程度
に設定した所定厚さになるように第１のアルカリ系溶液
を用いてＳＯＩウェハの裏面から異方性エッチングする
第１のエッチング工程と、前記電極を形成した後にＳＯ
Ｉウェハにおいて前記スリットおよび前記撓み部それぞ
れに対応する部位を前記埋込絶縁層に達するまで第２の
アルカリ系溶液を用いてＳＯＩウェハの裏面側から異方
性エッチングする第２のエッチング工程と、第２のエッ
チング工程の後に露出した前記埋込絶縁層を途中までエ
ッチングする第３のエッチング工程と、ＳＯＩウェハに
おいて前記スリットに対応する部位を前記埋込絶縁層に
達するまで第３のアルカリ系溶液を用いてＳＯＩウェハ
の表面から異方性エッチングする第４のエッチング工程
と、ＳＯＩウェハにおいて前記スリットおよび前記撓み
部に対応する部位の前記埋込絶縁層を除去する第５のエ
ッチング工程とを備え、前記第４のエッチング工程で
は、前記スリットに対応する部位が開口され且つ前記撓
み部および前記支持枠および前記重り部および前記面取
り部に対応する部位を保護するようにＳＯＩウェハの表
面側を覆うマスクを用いることを特徴とする。
【０１３２】この製造方法によれば、前記所定厚さを、
前記電極が形成されるまでＳＯＩウェハの破損を防止で
きる程度に設定してあるので、製造工程の途中でＳＯＩ
ウェハが破壊されるのを防止することができ、収率が高
くなって低コスト化を図れ、さらに、前記撓み部の破損
が防止されることで、収率を悪くすることなしに前記撓
み部の厚さを薄くすることが可能となるので、半導体加
速度センサの高感度化を図ることができるという効果が
あり、しかも、ＳＯＩウェハにおいて前記スリットに対
応する部位をあらかじめ裏面側から前記埋込絶縁層の途
中までエッチングした後に前記スリットに対応する部位
を前記埋込絶縁層に達するまで第３のアルカリ系溶液を
用いてＳＯＩウェハの表面から異方性エッチングしてい
るので、ジャストエッチング時点からのオーバーエッチ
ング時間を短くすることができて前記面取り部が形成さ
れるから、耐衝撃性の高い半導体加速度センサを提供す
ることができるという効果がある。
前記電極が形成されるまでＳＯＩウェハの破損を防止で
きる程度に設定してあるので、製造工程の途中でＳＯＩ
ウェハが破壊されるのを防止することができ、収率が高
くなって低コスト化を図れ、さらに、前記撓み部の破損
が防止されることで、収率を悪くすることなしに前記撓
み部の厚さを薄くすることが可能となるので、半導体加
速度センサの高感度化を図ることができるという効果が
あり、しかも、ＳＯＩウェハにおいて前記スリットに対
応する部位をあらかじめ裏面側から前記埋込絶縁層の途
中までエッチングした後に前記スリットに対応する部位
を前記埋込絶縁層に達するまで第３のアルカリ系溶液を
用いてＳＯＩウェハの表面から異方性エッチングしてい
るので、ジャストエッチング時点からのオーバーエッチ
ング時間を短くすることができて前記面取り部が形成さ
れるから、耐衝撃性の高い半導体加速度センサを提供す
ることができるという効果がある。
【０１３３】請求項８の発明は、請求項５記載の半導体
加速度センサの製造方法であって、ＳＯＩウェハにおい
て前記重り部と前記支持枠との間に前記撓み部を除いて
形成されるスリットおよび前記撓み部それぞれに対応す
る部位の厚さが前記第２のシリコン層と前記埋込絶縁層
の厚さとを加算した厚さよりも大きく、且つ、前記電極
が形成されるまでＳＯＩウェハの破損を防止できる程度
に設定した所定厚さになるように第１のアルカリ系溶液
を用いてＳＯＩウェハの裏面から異方性エッチングする
第１のエッチング工程と、前記電極を形成した後にＳＯ
Ｉウェハにおいて前記スリットおよび前記撓み部それぞ
れに対応する部位を前記埋込絶縁層に達するまで第２の
アルカリ系溶液を用いてＳＯＩウェハの裏面側から異方
性エッチングする第２のエッチング工程と、ＳＯＩウェ
ハにおいて前記スリットに対応する部位を前記埋込絶縁
層に達するまで第３のアルカリ系溶液を用いてＳＯＩウ
ェハの表面から異方性エッチングする第３のエッチング
工程と、前記各エッチング工程で用いたマスクを利用し
てＳＯＩウェハの表裏両側から前記各シリコン層の等方
性エッチングを行う第４のエッチング工程と、ＳＯＩウ
ェハにおいて前記スリットおよび前記撓み部に対応する
部位の前記埋込絶縁層を除去する第５のエッチング工程
とを備え、前記第３のエッチング工程では、前記スリッ
トに対応する部位が開口され且つ前記撓み部および前記
支持枠および前記重り部および前記面取り部に対応する
部位を保護するようにＳＯＩウェハの表面側を覆うマス
クを用いることを特徴とする。
加速度センサの製造方法であって、ＳＯＩウェハにおい
て前記重り部と前記支持枠との間に前記撓み部を除いて
形成されるスリットおよび前記撓み部それぞれに対応す
る部位の厚さが前記第２のシリコン層と前記埋込絶縁層
の厚さとを加算した厚さよりも大きく、且つ、前記電極
が形成されるまでＳＯＩウェハの破損を防止できる程度
に設定した所定厚さになるように第１のアルカリ系溶液
を用いてＳＯＩウェハの裏面から異方性エッチングする
第１のエッチング工程と、前記電極を形成した後にＳＯ
Ｉウェハにおいて前記スリットおよび前記撓み部それぞ
れに対応する部位を前記埋込絶縁層に達するまで第２の
アルカリ系溶液を用いてＳＯＩウェハの裏面側から異方
性エッチングする第２のエッチング工程と、ＳＯＩウェ
ハにおいて前記スリットに対応する部位を前記埋込絶縁
層に達するまで第３のアルカリ系溶液を用いてＳＯＩウ
ェハの表面から異方性エッチングする第３のエッチング
工程と、前記各エッチング工程で用いたマスクを利用し
てＳＯＩウェハの表裏両側から前記各シリコン層の等方
性エッチングを行う第４のエッチング工程と、ＳＯＩウ
ェハにおいて前記スリットおよび前記撓み部に対応する
部位の前記埋込絶縁層を除去する第５のエッチング工程
とを備え、前記第３のエッチング工程では、前記スリッ
トに対応する部位が開口され且つ前記撓み部および前記
支持枠および前記重り部および前記面取り部に対応する
部位を保護するようにＳＯＩウェハの表面側を覆うマス
クを用いることを特徴とする。
【０１３４】この製造方法によれば、前記所定厚さを、
前記電極が形成されるまでＳＯＩウェハの破損を防止で
きる程度に設定してあるので、製造工程の途中でＳＯＩ
ウェハが破壊されるのを防止することができ、収率が高
くなって低コスト化を図れ、さらに、前記撓み部の破損
が防止されることで、収率を悪くすることなしに前記撓
み部の厚さを薄くすることが可能となるので、半導体加
速度センサの高感度化を図ることができるという効果が
あり、しかも、ＳＯＩウェハの表裏両側から前記各シリ
コン層の等方性エッチングを行う第４のエッチング工程
を備えているので、製造工程の途中で前記埋込絶縁層と
前記支持枠および前記重り部との境界部分に集中する応
力を緩和することができてＳＯＩウェハの破損を防止で
きるという効果があり、その上、ＳＯＩウェハにおいて
前記スリットに対応する部位をあらかじめ裏面側から前
記埋込絶縁層に達するまで異方性エッチングした後に前
記スリットに対応する部位を前記埋込絶縁層に達するま
で第３のアルカリ系溶液を用いてＳＯＩウェハの表面か
ら異方性エッチングしているので、ジャストエッチング
時点からのオーバーエッチング時間を短くすることがで
きて前記面取り部が形成されるから、耐衝撃性の高い半
導体加速度センサを提供することができるという効果が
ある。
前記電極が形成されるまでＳＯＩウェハの破損を防止で
きる程度に設定してあるので、製造工程の途中でＳＯＩ
ウェハが破壊されるのを防止することができ、収率が高
くなって低コスト化を図れ、さらに、前記撓み部の破損
が防止されることで、収率を悪くすることなしに前記撓
み部の厚さを薄くすることが可能となるので、半導体加
速度センサの高感度化を図ることができるという効果が
あり、しかも、ＳＯＩウェハの表裏両側から前記各シリ
コン層の等方性エッチングを行う第４のエッチング工程
を備えているので、製造工程の途中で前記埋込絶縁層と
前記支持枠および前記重り部との境界部分に集中する応
力を緩和することができてＳＯＩウェハの破損を防止で
きるという効果があり、その上、ＳＯＩウェハにおいて
前記スリットに対応する部位をあらかじめ裏面側から前
記埋込絶縁層に達するまで異方性エッチングした後に前
記スリットに対応する部位を前記埋込絶縁層に達するま
で第３のアルカリ系溶液を用いてＳＯＩウェハの表面か
ら異方性エッチングしているので、ジャストエッチング
時点からのオーバーエッチング時間を短くすることがで
きて前記面取り部が形成されるから、耐衝撃性の高い半
導体加速度センサを提供することができるという効果が
ある。
【０１３５】請求項９の発明は、請求項５記載の半導体
加速度センサの製造方法であって、ＳＯＩウェハにおい
て前記重り部と前記支持枠との間に前記撓み部を除いて
形成されるスリットおよび前記撓み部それぞれに対応す
る部位の厚さが前記第２のシリコン層と前記埋込絶縁層
の厚さとを加算した厚さよりも大きく、且つ、前記電極
が形成されるまでＳＯＩウェハの破損を防止できる程度
に設定した所定厚さになるように第１のアルカリ系溶液
を用いてＳＯＩウェハの裏面から異方性エッチングする
第１のエッチング工程と、前記電極を形成した後にＳＯ
Ｉウェハにおいて前記スリットおよび前記撓み部それぞ
れに対応する部位を前記埋込絶縁層に達するまで第２の
アルカリ系溶液を用いてＳＯＩウェハの裏面側から異方
性エッチングする第２のエッチング工程と、ＳＯＩウェ
ハにおいて前記スリットに対応する部位を前記埋込絶縁
層に達するまで第３のアルカリ系溶液を用いてＳＯＩウ
ェハの表面から異方性エッチングする第３のエッチング
工程と、ＳＯＩウェハにおいて前記スリットおよび前記
撓み部に対応する部位の前記埋込絶縁層をＳＯＩウェハ
の裏面側からドライエッチングにより除去する第４のエ
ッチング工程とを備え、前記第３のエッチング工程で
は、前記スリットに対応する部位が開口され且つ前記撓
み部および前記支持枠および前記重り部および前記面取
り部に対応する部位を保護するようにＳＯＩウェハの表
面側を覆うマスクを用いることを特徴とする。
加速度センサの製造方法であって、ＳＯＩウェハにおい
て前記重り部と前記支持枠との間に前記撓み部を除いて
形成されるスリットおよび前記撓み部それぞれに対応す
る部位の厚さが前記第２のシリコン層と前記埋込絶縁層
の厚さとを加算した厚さよりも大きく、且つ、前記電極
が形成されるまでＳＯＩウェハの破損を防止できる程度
に設定した所定厚さになるように第１のアルカリ系溶液
を用いてＳＯＩウェハの裏面から異方性エッチングする
第１のエッチング工程と、前記電極を形成した後にＳＯ
Ｉウェハにおいて前記スリットおよび前記撓み部それぞ
れに対応する部位を前記埋込絶縁層に達するまで第２の
アルカリ系溶液を用いてＳＯＩウェハの裏面側から異方
性エッチングする第２のエッチング工程と、ＳＯＩウェ
ハにおいて前記スリットに対応する部位を前記埋込絶縁
層に達するまで第３のアルカリ系溶液を用いてＳＯＩウ
ェハの表面から異方性エッチングする第３のエッチング
工程と、ＳＯＩウェハにおいて前記スリットおよび前記
撓み部に対応する部位の前記埋込絶縁層をＳＯＩウェハ
の裏面側からドライエッチングにより除去する第４のエ
ッチング工程とを備え、前記第３のエッチング工程で
は、前記スリットに対応する部位が開口され且つ前記撓
み部および前記支持枠および前記重り部および前記面取
り部に対応する部位を保護するようにＳＯＩウェハの表
面側を覆うマスクを用いることを特徴とする。
【０１３６】この製造方法によれば、前記所定厚さを、
前記電極が形成されるまでＳＯＩウェハの破損を防止で
きる程度に設定してあるので、製造工程の途中でＳＯＩ
ウェハが破壊されるのを防止することができ、収率が高
くなって低コスト化を図れ、さらに、前記撓み部の破損
が防止されることで、収率を悪くすることなしに前記撓
み部の厚さを薄くすることが可能となるので、半導体加
速度センサの高感度化を図ることができるという効果が
あり、しかも、ＳＯＩウェハにおいて前記スリットに対
応する部位をあらかじめ裏面側から前記埋込絶縁層に達
するまで異方性エッチングした後に前記スリットに対応
する部位を前記埋込絶縁層に達するまで第３のアルカリ
系溶液を用いてＳＯＩウェハの表面から異方性エッチン
グしているので、ジャストエッチング時点からのオーバ
ーエッチング時間を短くすることができて前記面取り部
が形成されるから、耐衝撃性の高い半導体加速度センサ
を提供することができるという効果がある。また、ＳＯ
Ｉウェハにおいて前記スリットおよび前記撓み部に対応
する部位の前記埋込絶縁層をＳＯＩウェハの裏面側から
ドライエッチングにより除去しているので、ＳＯＩウェ
ハの表面側にエッチングダメージを与えることなく前記
埋込絶縁層を除去することができるという効果がある。
前記電極が形成されるまでＳＯＩウェハの破損を防止で
きる程度に設定してあるので、製造工程の途中でＳＯＩ
ウェハが破壊されるのを防止することができ、収率が高
くなって低コスト化を図れ、さらに、前記撓み部の破損
が防止されることで、収率を悪くすることなしに前記撓
み部の厚さを薄くすることが可能となるので、半導体加
速度センサの高感度化を図ることができるという効果が
あり、しかも、ＳＯＩウェハにおいて前記スリットに対
応する部位をあらかじめ裏面側から前記埋込絶縁層に達
するまで異方性エッチングした後に前記スリットに対応
する部位を前記埋込絶縁層に達するまで第３のアルカリ
系溶液を用いてＳＯＩウェハの表面から異方性エッチン
グしているので、ジャストエッチング時点からのオーバ
ーエッチング時間を短くすることができて前記面取り部
が形成されるから、耐衝撃性の高い半導体加速度センサ
を提供することができるという効果がある。また、ＳＯ
Ｉウェハにおいて前記スリットおよび前記撓み部に対応
する部位の前記埋込絶縁層をＳＯＩウェハの裏面側から
ドライエッチングにより除去しているので、ＳＯＩウェ
ハの表面側にエッチングダメージを与えることなく前記
埋込絶縁層を除去することができるという効果がある。
【０１３７】請求項１０の発明は、請求項５記載の半導
体加速度センサの製造方法であって、ＳＯＩウェハにお
いて前記重り部と前記支持枠との間に前記撓み部を除い
て形成されるスリットおよび前記撓み部それぞれに対応
する部位の厚さが前記第２のシリコン層と前記埋込絶縁
層の厚さとを加算した厚さよりも大きく、且つ、前記電
極が形成されるまでＳＯＩウェハの破損を防止できる程
度に設定した所定厚さになるように第１のアルカリ系溶
液を用いてＳＯＩウェハの裏面から異方性エッチングす
る第１のエッチング工程と、前記電極を形成した後にＳ
ＯＩウェハにおいて前記スリットおよび前記撓み部それ
ぞれに対応する部位を前記埋込絶縁層に達するまで第２
のアルカリ系溶液を用いてＳＯＩウェハの裏面側から異
方性エッチングする第２のエッチング工程と、ＳＯＩウ
ェハにおいて前記スリットに対応する部位を前記埋込絶
縁層に達するまで第３のアルカリ系溶液を用いてＳＯＩ
ウェハの表面から異方性エッチングする第３のエッチン
グ工程と、ＳＯＩウェハの表面側をレジスト層にて覆っ
た状態でＳＯＩウェハにおいて前記スリットおよび前記
撓み部に対応する部位の前記埋込絶縁層を除去する第４
のエッチング工程と、前記レジスト層を除去するレジス
ト除去工程とを備え、前記第３のエッチング工程では、
前記スリットに対応する部位が開口され且つ前記撓み部
および前記支持枠および前記重り部および前記面取り部
に対応する部位を保護するようにＳＯＩウェハの表面側
を覆うマスクを用いることを特徴とする。
体加速度センサの製造方法であって、ＳＯＩウェハにお
いて前記重り部と前記支持枠との間に前記撓み部を除い
て形成されるスリットおよび前記撓み部それぞれに対応
する部位の厚さが前記第２のシリコン層と前記埋込絶縁
層の厚さとを加算した厚さよりも大きく、且つ、前記電
極が形成されるまでＳＯＩウェハの破損を防止できる程
度に設定した所定厚さになるように第１のアルカリ系溶
液を用いてＳＯＩウェハの裏面から異方性エッチングす
る第１のエッチング工程と、前記電極を形成した後にＳ
ＯＩウェハにおいて前記スリットおよび前記撓み部それ
ぞれに対応する部位を前記埋込絶縁層に達するまで第２
のアルカリ系溶液を用いてＳＯＩウェハの裏面側から異
方性エッチングする第２のエッチング工程と、ＳＯＩウ
ェハにおいて前記スリットに対応する部位を前記埋込絶
縁層に達するまで第３のアルカリ系溶液を用いてＳＯＩ
ウェハの表面から異方性エッチングする第３のエッチン
グ工程と、ＳＯＩウェハの表面側をレジスト層にて覆っ
た状態でＳＯＩウェハにおいて前記スリットおよび前記
撓み部に対応する部位の前記埋込絶縁層を除去する第４
のエッチング工程と、前記レジスト層を除去するレジス
ト除去工程とを備え、前記第３のエッチング工程では、
前記スリットに対応する部位が開口され且つ前記撓み部
および前記支持枠および前記重り部および前記面取り部
に対応する部位を保護するようにＳＯＩウェハの表面側
を覆うマスクを用いることを特徴とする。
【０１３８】この製造方法によれば、前記所定厚さを、
前記電極が形成されるまでＳＯＩウェハの破損を防止で
きる程度に設定してあるので、製造工程の途中でＳＯＩ
ウェハが破壊されるのを防止することができ、収率が高
くなって低コスト化を図れ、さらに、撓み部の破損が防
止されることで、収率を悪くすることなしに撓み部の厚
さを薄くすることが可能となるので、半導体加速度セン
サの高感度化を図ることができるという効果があり、し
かも、ＳＯＩウェハにおいて前記スリットに対応する部
位をあらかじめ裏面側から前記埋込絶縁層に達するまで
異方性エッチングした後に前記スリットに対応する部位
を前記埋込絶縁層に達するまで第３のアルカリ系溶液を
用いてＳＯＩウェハの表面から異方性エッチングしてい
るので、ジャストエッチング時点からのオーバーエッチ
ング時間を短くすることができて前記面取り部が形成さ
れるから、耐衝撃性の高い半導体加速度センサを提供す
ることができるという効果がある。また、ＳＯＩウェハ
の表面側をレジスト層にて覆った状態でＳＯＩウェハに
おいて前記スリットおよび前記撓み部に対応する部位の
前記埋込絶縁層を除去するので、前記埋込絶縁層を除去
する際にＳＯＩウェハの表面側を保護することができる
という効果がある。
前記電極が形成されるまでＳＯＩウェハの破損を防止で
きる程度に設定してあるので、製造工程の途中でＳＯＩ
ウェハが破壊されるのを防止することができ、収率が高
くなって低コスト化を図れ、さらに、撓み部の破損が防
止されることで、収率を悪くすることなしに撓み部の厚
さを薄くすることが可能となるので、半導体加速度セン
サの高感度化を図ることができるという効果があり、し
かも、ＳＯＩウェハにおいて前記スリットに対応する部
位をあらかじめ裏面側から前記埋込絶縁層に達するまで
異方性エッチングした後に前記スリットに対応する部位
を前記埋込絶縁層に達するまで第３のアルカリ系溶液を
用いてＳＯＩウェハの表面から異方性エッチングしてい
るので、ジャストエッチング時点からのオーバーエッチ
ング時間を短くすることができて前記面取り部が形成さ
れるから、耐衝撃性の高い半導体加速度センサを提供す
ることができるという効果がある。また、ＳＯＩウェハ
の表面側をレジスト層にて覆った状態でＳＯＩウェハに
おいて前記スリットおよび前記撓み部に対応する部位の
前記埋込絶縁層を除去するので、前記埋込絶縁層を除去
する際にＳＯＩウェハの表面側を保護することができる
という効果がある。
【０１３９】請求項１１の発明は、請求項５記載の半導
体加速度センサの製造方法であって、ＳＯＩウェハにお
いて前記重り部と前記支持枠との間に前記撓み部を除い
て形成されるスリットおよび前記撓み部それぞれに対応
する部位の厚さが前記第２のシリコン層と前記埋込絶縁
層の厚さとを加算した厚さよりも大きく、且つ、前記電
極が形成されるまでＳＯＩウェハの破損を防止できる程
度に設定した所定厚さになるように第１のアルカリ系溶
液を用いてＳＯＩウェハの裏面から異方性エッチングす
る第１のエッチング工程と、前記電極を形成した後にＳ
ＯＩウェハの裏面側の全面を第１のレジスト層で覆った
状態でＳＯＩウェハにおいて前記スリットに対応する部
位を前記埋込絶縁層に達するまで第２のアルカリ系溶液
を用いてＳＯＩウェハの表面から異方性エッチングする
第２のエッチング工程と、第１のレジスト層を除去する
第１のレジスト除去工程と、第１のレジスト除去工程の
後にＳＯＩウェハの表面側を第２のレジスト層にて覆っ
た状態でＳＯＩウェハにおいて前記スリットおよび前記
撓み部に対応する部位を前記埋込絶縁層に達するまで第
３のアルカリ系溶液を用いてＳＯＩウェハの裏面側から
異方性エッチングする第３のエッチング工程と、第２の
レジスト層を除去する第２のレジスト除去工程と、第２
のレジスト除去工程の後にＳＯＩウェハにおいて前記ス
リットおよび前記撓み部に対応する部位の前記埋込絶縁
層を除去する第４のエッチング工程とを備え、前記第３
のエッチング工程では、前記スリットに対応する部位が
開口され且つ前記撓み部および前記支持枠および前記重
り部および前記面取り部に対応する部位を保護するよう
にＳＯＩウェハの表面側を覆うマスクを用いることを特
徴とし、前記所定厚さを、前記電極が形成されるまでＳ
ＯＩウェハの破損を防止できる程度に設定してあるの
で、製造工程の途中でＳＯＩウェハが破壊されるのを防
止することができ、収率が高くなって低コスト化を図
れ、さらに、撓み部の破損が防止されることで、収率を
悪くすることなしに撓み部の厚さを薄くすることが可能
となるので、半導体加速度センサの高感度化を図ること
ができるという効果があり、しかも、ＳＯＩウェハの裏
面側の全面を第１のレジスト層で覆った状態で前記スリ
ットに対応する部位を前記埋込絶縁層に達するまで第２
のアルカリ系溶液を用いてＳＯＩウェハの表面から異方
性エッチングしているので、ジャストエッチング時点か
らのオーバーエッチング時間を短くすることができて前
記面取り部が形成されるから、耐衝撃性の高い半導体加
速度センサを提供することができるという効果がある。
体加速度センサの製造方法であって、ＳＯＩウェハにお
いて前記重り部と前記支持枠との間に前記撓み部を除い
て形成されるスリットおよび前記撓み部それぞれに対応
する部位の厚さが前記第２のシリコン層と前記埋込絶縁
層の厚さとを加算した厚さよりも大きく、且つ、前記電
極が形成されるまでＳＯＩウェハの破損を防止できる程
度に設定した所定厚さになるように第１のアルカリ系溶
液を用いてＳＯＩウェハの裏面から異方性エッチングす
る第１のエッチング工程と、前記電極を形成した後にＳ
ＯＩウェハの裏面側の全面を第１のレジスト層で覆った
状態でＳＯＩウェハにおいて前記スリットに対応する部
位を前記埋込絶縁層に達するまで第２のアルカリ系溶液
を用いてＳＯＩウェハの表面から異方性エッチングする
第２のエッチング工程と、第１のレジスト層を除去する
第１のレジスト除去工程と、第１のレジスト除去工程の
後にＳＯＩウェハの表面側を第２のレジスト層にて覆っ
た状態でＳＯＩウェハにおいて前記スリットおよび前記
撓み部に対応する部位を前記埋込絶縁層に達するまで第
３のアルカリ系溶液を用いてＳＯＩウェハの裏面側から
異方性エッチングする第３のエッチング工程と、第２の
レジスト層を除去する第２のレジスト除去工程と、第２
のレジスト除去工程の後にＳＯＩウェハにおいて前記ス
リットおよび前記撓み部に対応する部位の前記埋込絶縁
層を除去する第４のエッチング工程とを備え、前記第３
のエッチング工程では、前記スリットに対応する部位が
開口され且つ前記撓み部および前記支持枠および前記重
り部および前記面取り部に対応する部位を保護するよう
にＳＯＩウェハの表面側を覆うマスクを用いることを特
徴とし、前記所定厚さを、前記電極が形成されるまでＳ
ＯＩウェハの破損を防止できる程度に設定してあるの
で、製造工程の途中でＳＯＩウェハが破壊されるのを防
止することができ、収率が高くなって低コスト化を図
れ、さらに、撓み部の破損が防止されることで、収率を
悪くすることなしに撓み部の厚さを薄くすることが可能
となるので、半導体加速度センサの高感度化を図ること
ができるという効果があり、しかも、ＳＯＩウェハの裏
面側の全面を第１のレジスト層で覆った状態で前記スリ
ットに対応する部位を前記埋込絶縁層に達するまで第２
のアルカリ系溶液を用いてＳＯＩウェハの表面から異方
性エッチングしているので、ジャストエッチング時点か
らのオーバーエッチング時間を短くすることができて前
記面取り部が形成されるから、耐衝撃性の高い半導体加
速度センサを提供することができるという効果がある。
【図１】実施形態１を示し、（ａ）は概略断面図、
（ｂ）はセンサ本体の概略平面図である。
（ｂ）はセンサ本体の概略平面図である。
【図２】同上の要部説明図である。
【図３】同上の要部説明図である。
【図４】同上の要部説明図である。
【図５】同上の製造方法を説明するための主要工程断面
図である。
図である。
【図６】同上の製造方法を説明するための主要工程断面
図である。
図である。
【図７】同上の製造方法を説明するための主要工程断面
図である。
図である。
【図８】同上の製造方法を説明するための主要工程断面
図である。
図である。
【図９】同上の製造方法を説明するための主要工程断面
図である。
図である。
【図１０】同上の製造方法を説明するための主要工程断
面図である。
面図である。
【図１１】同上の製造方法の説明図である。
【図１２】同上の製造方法の説明図である。
【図１３】同上の製造方法の説明図である。
【図１４】同上の製造方法の説明図である。
【図１５】同上の製造方法の説明図である。
【図１６】同上の製造方法の説明図である。
【図１７】同上の製造方法の説明図である。
【図１８】同上の製造方法の説明図である。
【図１９】同上の製造方法の説明図である。
【図２０】同上におけるセンサ本体の他の構成例の概略
平面図である。
平面図である。
【図２１】実施形態２の製造方法を説明するための主要
工程断面図である。
工程断面図である。
【図２２】実施形態３の製造方法を説明するための主要
工程断面図である。
工程断面図である。
【図２３】実施形態４の製造方法を説明するための主要
工程断面図である。
工程断面図である。
【図２４】実施形態５の製造方法を説明するための主要
工程断面図である。
工程断面図である。
【図２５】同上の製造方法を説明するための主要工程断
面図である。
面図である。
【図２６】実施形態６の製造方法を説明するための主要
工程断面図である。
工程断面図である。
【図２７】同上の製造方法を説明するための主要工程断
面図である。
面図である。
【図２８】従来例を示し、（ａ）は概略断面図、（ｂ）
はセンサ本体の概略平面図である。
はセンサ本体の概略平面図である。
【図２９】同上の製造方法を説明するための主要工程断
面図である。
面図である。
【図３０】同上におけるセンサ本体の概略平面図であ
る。
る。
【図３１】同上の製造方法の説明図である。
【図３２】同上の製造方法の説明図である。
１ センサ本体
２ カバー
３ カバー
１１ 支持枠
１２ 重り部
１３ 撓み部
１４ スリット
１５ ゲージ抵抗
２６ 面取り部
１００’ ＳＯＩ基板
１０１ 支持層
１０２ 埋込絶縁層
１０３ 活性層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 上 浩則
大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株
式会社内
(72)発明者 西山 昭久
大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株
式会社内
Ｆターム(参考） 4M112 AA02 CA21 CA23 CA24 CA25
CA28 CA29 DA03 DA04 DA08
DA09 DA10 DA12 DA13 DA16
DA18 EA01 EA03 EA06 EA07
EA10 EA11 FA01 FA07
Claims (16)
- 【請求項１】 矩形枠状の支持枠の表裏に貫通する開口
窓内に配置した重り部が可撓性を有する撓み部を介して
支持枠に一体に連結され、かつ重り部への加速度の作用
により撓み部に生じる応力を検出するゲージ抵抗が撓み
部に設けられ入出力用の電極が支持枠の表面側に設けら
れたセンサ本体と、センサ本体の表面側において前記開
口窓を覆うように支持枠に接合された第１のカバーと、
センサ本体の裏面側において前記開口窓を覆うように支
持枠に接合された第２のカバーとを備え、撓み部は、セ
ンサ本体の表面側に設けられ、延長方向の両端部が中央
部よりも幅広になるように撓み部の両側面と支持枠の内
周面および重り部の外周面との間に面取り部が形成され
てなることを特徴とする半導体加速度センサ。 - 【請求項２】 前記ゲージ抵抗は前記撓み部において前
記両端部を除いた部位に形成されてなることを特徴とす
る請求項１記載の半導体加速度センサ。 - 【請求項３】 前記撓み部を２つ備え、前記各撓み部が
前記重り部の一辺に沿う方向に離間して形成され、前記
各撓み部は前記一辺に沿う方向において互いに対向する
側面側の面取り部よりも反対の側面側の面取り部のサイ
ズを大きくしてなることを特徴とする請求項１または請
求項２記載の半導体加速度センサ。 - 【請求項４】 前記センサ本体は、裏面側の第１のシリ
コン層と表面側の第２のシリコン層との間に埋込絶縁層
を介在させたＳＯＩ基板を用いて形成され、前記撓み部
が第２のシリコン層の一部からなることを特徴とする請
求項１ないし請求項３のいずれかに記載の半導体加速度
センサ。 - 【請求項５】 前記ＳＯＩ基板の表面は（１００）面か
らなることを特徴とする請求項４記載の半導体加速度セ
ンサ。 - 【請求項６】 請求項５記載の半導体加速度センサの製
造方法であって、ＳＯＩウェハにおいて前記重り部と前
記支持枠との間に前記撓み部を除いて形成されるスリッ
トおよび前記撓み部それぞれに対応する部位の厚さが前
記第２のシリコン層と前記埋込絶縁層の厚さとを加算し
た厚さよりも大きく、且つ、前記電極が形成されるまで
ＳＯＩウェハの破損を防止できる程度に設定した所定厚
さになるように第１のアルカリ系溶液を用いてＳＯＩウ
ェハの裏面から異方性エッチングする第１のエッチング
工程と、前記電極を形成した後にＳＯＩウェハにおいて
前記スリットおよび前記撓み部それぞれに対応する部位
を前記埋込絶縁層に達するまで第２のアルカリ系溶液を
用いてＳＯＩウェハの裏面側から異方性エッチングする
第２のエッチング工程と、ＳＯＩウェハにおいて前記ス
リットに対応する部位を前記埋込絶縁層に達するまで第
３のアルカリ系溶液を用いてＳＯＩウェハの表面から異
方性エッチングする第３のエッチング工程と、ＳＯＩウ
ェハにおいて前記スリットおよび前記撓み部に対応する
部位の前記埋込絶縁層を除去する第４のエッチング工程
とを備え、前記第３のエッチング工程では、前記スリッ
トに対応する部位が開口され且つ前記撓み部および前記
支持枠および前記重り部および前記面取り部に対応する
部位を保護するようにＳＯＩウェハの表面側を覆うマス
クを用いることを特徴とする半導体加速度センサの製造
方法。 - 【請求項７】 請求項５記載の半導体加速度センサの製
造方法であって、ＳＯＩウェハにおいて前記重り部と前
記支持枠との間に前記撓み部を除いて形成されるスリッ
トおよび前記撓み部それぞれに対応する部位の厚さが前
記第２のシリコン層と前記埋込絶縁層の厚さとを加算し
た厚さよりも大きく、且つ、前記電極が形成されるまで
ＳＯＩウェハの破損を防止できる程度に設定した所定厚
さになるように第１のアルカリ系溶液を用いてＳＯＩウ
ェハの裏面から異方性エッチングする第１のエッチング
工程と、前記電極を形成した後にＳＯＩウェハにおいて
前記スリットおよび前記撓み部それぞれに対応する部位
を前記埋込絶縁層に達するまで第２のアルカリ系溶液を
用いてＳＯＩウェハの裏面側から異方性エッチングする
第２のエッチング工程と、第２のエッチング工程の後に
露出した前記埋込絶縁層を途中までエッチングする第３
のエッチング工程と、ＳＯＩウェハにおいて前記スリッ
トに対応する部位を前記埋込絶縁層に達するまで第３の
アルカリ系溶液を用いてＳＯＩウェハの表面から異方性
エッチングする第４のエッチング工程と、ＳＯＩウェハ
において前記スリットおよび前記撓み部に対応する部位
の前記埋込絶縁層を除去する第５のエッチング工程とを
備え、前記第４のエッチング工程では、前記スリットに
対応する部位が開口され且つ前記撓み部および前記支持
枠および前記重り部および前記面取り部に対応する部位
を保護するようにＳＯＩウェハの表面側を覆うマスクを
用いることを特徴とする半導体加速度センサの製造方
法。 - 【請求項８】 請求項５記載の半導体加速度センサの製
造方法であって、ＳＯＩウェハにおいて前記重り部と前
記支持枠との間に前記撓み部を除いて形成されるスリッ
トおよび前記撓み部それぞれに対応する部位の厚さが前
記第２のシリコン層と前記埋込絶縁層の厚さとを加算し
た厚さよりも大きく、且つ、前記電極が形成されるまで
ＳＯＩウェハの破損を防止できる程度に設定した所定厚
さになるように第１のアルカリ系溶液を用いてＳＯＩウ
ェハの裏面から異方性エッチングする第１のエッチング
工程と、前記電極を形成した後にＳＯＩウェハにおいて
前記スリットおよび前記撓み部それぞれに対応する部位
を前記埋込絶縁層に達するまで第２のアルカリ系溶液を
用いてＳＯＩウェハの裏面側から異方性エッチングする
第２のエッチング工程と、ＳＯＩウェハにおいて前記ス
リットに対応する部位を前記埋込絶縁層に達するまで第
３のアルカリ系溶液を用いてＳＯＩウェハの表面から異
方性エッチングする第３のエッチング工程と、前記各エ
ッチング工程で用いたマスクを利用してＳＯＩウェハの
表裏両側から前記各シリコン層の等方性エッチングを行
う第４のエッチング工程と、ＳＯＩウェハにおいて前記
スリットおよび前記撓み部に対応する部位の前記埋込絶
縁層を除去する第５のエッチング工程とを備え、前記第
３のエッチング工程では、前記スリットに対応する部位
が開口され且つ前記撓み部および前記支持枠および前記
重り部および前記面取り部に対応する部位を保護するよ
うにＳＯＩウェハの表面側を覆うマスクを用いることを
特徴とする半導体加速度センサの製造方法。 - 【請求項９】 請求項５記載の半導体加速度センサの製
造方法であって、ＳＯＩウェハにおいて前記重り部と前
記支持枠との間に前記撓み部を除いて形成されるスリッ
トおよび前記撓み部それぞれに対応する部位の厚さが前
記第２のシリコン層と前記埋込絶縁層の厚さとを加算し
た厚さよりも大きく、且つ、前記電極が形成されるまで
ＳＯＩウェハの破損を防止できる程度に設定した所定厚
さになるように第１のアルカリ系溶液を用いてＳＯＩウ
ェハの裏面から異方性エッチングする第１のエッチング
工程と、前記電極を形成した後にＳＯＩウェハにおいて
前記スリットおよび前記撓み部それぞれに対応する部位
を前記埋込絶縁層に達するまで第２のアルカリ系溶液を
用いてＳＯＩウェハの裏面側から異方性エッチングする
第２のエッチング工程と、ＳＯＩウェハにおいて前記ス
リットに対応する部位を前記埋込絶縁層に達するまで第
３のアルカリ系溶液を用いてＳＯＩウェハの表面から異
方性エッチングする第３のエッチング工程と、ＳＯＩウ
ェハにおいて前記スリットおよび前記撓み部に対応する
部位の前記埋込絶縁層をＳＯＩウェハの裏面側からドラ
イエッチングにより除去する第４のエッチング工程とを
備え、前記第３のエッチング工程では、前記スリットに
対応する部位が開口され且つ前記撓み部および前記支持
枠および前記重り部および前記面取り部に対応する部位
を保護するようにＳＯＩウェハの表面側を覆うマスクを
用いることを特徴とする半導体加速度センサの製造方
法。 - 【請求項１０】 請求項５記載の半導体加速度センサの
製造方法であって、ＳＯＩウェハにおいて前記重り部と
前記支持枠との間に前記撓み部を除いて形成されるスリ
ットおよび前記撓み部それぞれに対応する部位の厚さが
前記第２のシリコン層と前記埋込絶縁層の厚さとを加算
した厚さよりも大きく、且つ、前記電極が形成されるま
でＳＯＩウェハの破損を防止できる程度に設定した所定
厚さになるように第１のアルカリ系溶液を用いてＳＯＩ
ウェハの裏面から異方性エッチングする第１のエッチン
グ工程と、前記電極を形成した後にＳＯＩウェハにおい
て前記スリットおよび前記撓み部それぞれに対応する部
位を前記埋込絶縁層に達するまで第２のアルカリ系溶液
を用いてＳＯＩウェハの裏面側から異方性エッチングす
る第２のエッチング工程と、ＳＯＩウェハにおいて前記
スリットに対応する部位を前記埋込絶縁層に達するまで
第３のアルカリ系溶液を用いてＳＯＩウェハの表面から
異方性エッチングする第３のエッチング工程と、ＳＯＩ
ウェハの表面側をレジスト層にて覆った状態でＳＯＩウ
ェハにおいて前記スリットおよび前記撓み部に対応する
部位の前記埋込絶縁層を除去する第４のエッチング工程
と、前記レジスト層を除去するレジスト除去工程とを備
え、前記第３のエッチング工程では、前記スリットに対
応する部位が開口され且つ前記撓み部および前記支持枠
および前記重り部および前記面取り部に対応する部位を
保護するようにＳＯＩウェハの表面側を覆うマスクを用
いることを特徴とする半導体加速度センサの製造方法。 - 【請求項１１】 請求項５記載の半導体加速度センサの
製造方法であって、ＳＯＩウェハにおいて前記重り部と
前記支持枠との間に前記撓み部を除いて形成されるスリ
ットおよび前記撓み部それぞれに対応する部位の厚さが
前記第２のシリコン層と前記埋込絶縁層の厚さとを加算
した厚さよりも大きく、且つ、前記電極が形成されるま
でＳＯＩウェハの破損を防止できる程度に設定した所定
厚さになるように第１のアルカリ系溶液を用いてＳＯＩ
ウェハの裏面から異方性エッチングする第１のエッチン
グ工程と、前記電極を形成した後にＳＯＩウェハの裏面
側の全面を第１のレジスト層で覆った状態でＳＯＩウェ
ハにおいて前記スリットに対応する部位を前記埋込絶縁
層に達するまで第２のアルカリ系溶液を用いてＳＯＩウ
ェハの表面から異方性エッチングする第２のエッチング
工程と、第１のレジスト層を除去する第１のレジスト除
去工程と、第１のレジスト除去工程の後にＳＯＩウェハ
の表面側を第２のレジスト層にて覆った状態でＳＯＩウ
ェハにおいて前記スリットおよび前記撓み部に対応する
部位を前記埋込絶縁層に達するまで第３のアルカリ系溶
液を用いてＳＯＩウェハの裏面側から異方性エッチング
する第３のエッチング工程と、第２のレジスト層を除去
する第２のレジスト除去工程と、第２のレジスト除去工
程の後にＳＯＩウェハにおいて前記スリットおよび前記
撓み部に対応する部位の前記埋込絶縁層を除去する第４
のエッチング工程とを備え、前記第３のエッチング工程
では、前記スリットに対応する部位が開口され且つ前記
撓み部および前記支持枠および前記重り部および前記面
取り部に対応する部位を保護するようにＳＯＩウェハの
表面側を覆うマスクを用いることを特徴とする半導体加
速度センサの製造方法。 - 【請求項１２】 前記マスクにおいて前記面取り部に対
応する部位の周縁は、前記面取り部に対応する部位の両
端を結ぶ直線と前記撓み部の側縁に対応する直線とのな
す４５度の内角を一方の底角とする仮想直角二等辺三角
形の斜辺に沿って形成されてなることを特徴とする請求
項６ないし請求項１１のいずれかに記載の半導体加速度
センサの製造方法。 - 【請求項１３】 前記マスクにおいて前記面取り部に対
応する部位の周縁は、前記面取り部に対応する部位の両
端を結ぶ直線と前記撓み部の側縁に対応する直線とのな
す４５度の内角を一方の底角とする仮想直角二等辺三角
形の斜辺を頂点側に凹ませた形状に形成されてなること
を特徴とする請求項６ないし請求項１１のいずれかに記
載の半導体加速度センサの製造方法。 - 【請求項１４】 前記マスクにおいて前記面取り部に対
応する部位の周縁は、前記面取り部に対応する部位の両
端を結ぶ直線と前記撓み部の側縁に対応する直線とのな
す４５度の内角を一方の底角とする仮想二等辺三角形の
斜辺が頂点とは反対側に膨らんだ形状に形成されてなる
ことを特徴とする請求項６ないし請求項１１のいずれか
に記載の半導体加速度センサの製造方法。 - 【請求項１５】 前記マスクにおいて前記面取り部に対
応する部位の周縁は、前記面取り部に対応する部位の両
端を結ぶ直線と前記撓み部の側縁に対応する直線とのな
す４５度よりも大きな内角を一方の底角とする仮想直角
三角形の斜辺に沿って形成されてなることを特徴とする
請求項６ないし請求項１１のいずれかに記載の半導体加
速度センサの製造方法。 - 【請求項１６】 前記マスクにおいて前記面取り部に対
応する部位の周縁は、前記撓み部の長さ寸法を直径とし
前記撓み部の側縁に対応する部位に接するような仮想円
の円周に沿って形成されてなることを特徴とする請求項
６ないし請求項１１のいずれかに記載の半導体加速度セ
ンサの製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP2001357824A JP2003156509A (ja) | 2001-11-22 | 2001-11-22 | 半導体加速度センサおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001357824A JP2003156509A (ja) | 2001-11-22 | 2001-11-22 | 半導体加速度センサおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003156509A true JP2003156509A (ja) | 2003-05-30 |
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ID=19169107
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| JP2001357824A Pending JP2003156509A (ja) | 2001-11-22 | 2001-11-22 | 半導体加速度センサおよびその製造方法 |
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- 2001-11-22 JP JP2001357824A patent/JP2003156509A/ja active Pending
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