JP2008026240A - 半導体加速度センサ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】支持層10と活性層11との間に埋込絶縁層12が形成され且つ活性層11の表面に絶縁膜13が積層されたSOI基板を加工して成り、内方に開口部2aを有する矩形枠状の支持枠2、開口部2aに配置される重り部3、支持枠2と重り部3とを一体に連結する撓み部4で構成されるセンサ本体1と、重り部3への加速度の作用により撓み部4に生じる応力を検出するピエゾ抵抗5と、支持枠2の表面側に接合される第一のカバー6と、支持枠2の裏面側に接合される第二のカバー7とを備え、重り部3における埋込絶縁層12に積層方向に貫通する第一の貫通孔14を貫設し、金属部材8を第一の貫通孔14に埋込配設することで重り部3における支持層10と活性層11とを電気的に接続した。
【選択図】図1
Description
以下、本発明の第1の実施形態について図面を用いて説明する。但し、本実施形態の基本的な構成は従来例と共通であるので、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。本実施形態は、図1(a)に示すように、重り部3において絶縁膜13のシリコン酸化膜13a、活性層11、埋込絶縁層12を厚み方向に貫通する第一の貫通孔14が貫設され、該第一の貫通孔14に金属部材8を埋込配設している。
以下、本発明の第2の実施形態について図面を用いて説明する。但し、本実施形態の基本的な構成は実施形態1と共通であるので、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。本実施形態は、図3(a)に示すように、支持枠2の同図における左側において、絶縁膜13のシリコン酸化膜13a、活性層11、埋込絶縁層12を厚み方向に貫通する第二の貫通孔15が貫設され、該第二の貫通孔15に金属部材8を埋込配設している。
以下、本発明の第3の実施形態について図面を用いて説明する。但し、本実施形態の基本構成は実施形態2と共通であるので、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。本実施形態は、図4(a)に示すように、センサ本体1の同図における左側面において、第一のカバー6から第二のカバー7に亘って導電性ペースト9を連続的に塗布している。導電性ペースト9は例えば銀ペーストから成り、第一のカバー6、支持枠2の活性層11及び支持層10、第二のカバーを電気的に接続する(図4(b)参照)。したがって、上記各部位が略同電位となるため、重り部3と第一のカバー6との間、並びに重り部3と第二のカバー7との間に働く静電引力を低減することができる。
以下、本発明の第4の実施形態について図面を用いて説明する。但し、本実施形態の基本構成は実施形態2と共通であるので、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。本実施形態は、図5(a)に示すように、センサ本体1の同図における左側面において、第一のカバー6、センサ本体1、第二のカバー7のそれぞれに導電性ペースト9を離間して塗布し、第一のカバー6及びセンサ本体1それぞれの導電性ペースト9の間、並びにセンサ本体1及び第二のカバー7それぞれの導電性ペースト9の間を各々ボンディングワイヤ9aで接続している。尚、センサ本体1の導電性ペースト9は、活性層11から支持層10に亘って連続的に塗布されている。また、導電性ペースト9は実施形態3で用いたものと同じ材料から成る。
10 支持層(第一のシリコン層)
11 活性層(第二のシリコン層)
12 埋込絶縁層(第一の絶縁層)
13 絶縁膜(第二の絶縁層)
13a シリコン酸化膜
13b シリコン窒化膜
14 第一の貫通孔
2 支持枠
2a 開口部
3 重り部
4 撓み部
5 ピエゾ抵抗
6 第一のカバー
7 第二のカバー
8 金属部材
Claims (4)
- 第一のシリコン層の表面に第一の絶縁層と第二のシリコン層と第二の絶縁層を順次積層して成るSOI基板を加工して成り、内方に開口部を有する矩形枠状の支持枠、開口部に配置される重り部、支持枠と重り部とを一体に連結する可撓性を有する撓み部で構成されるセンサ本体と、撓み部に設けられて重り部への加速度の作用により撓み部に生じる応力を検出するピエゾ抵抗と、センサ本体の表面側において開口部を覆うように支持枠に接合される第一のカバーと、センサ本体の裏面側において開口部を覆うように支持枠に接合される第二のカバーとを備え、重り部における第一の絶縁層に積層方向に貫通する第一の貫通孔を貫設し、金属部材を第一の貫通孔に埋込配設することで重り部における第一のシリコン層と第二のシリコン層とを電気的に接続したことを特徴とする半導体加速度センサ。
- 前記支持枠における第一の絶縁層に積層方向に貫通する第二の貫通孔を貫設し、金属部材を第二の貫通孔に埋込配設することで支持枠における第一のシリコン層と第二のシリコン層とを電気的に接続したことを特徴とする請求項1記載の半導体加速度センサ。
- 前記第一のカバーは、金属から成る接合電極を介して支持枠における第二のシリコン層に接合されたことを特徴とする請求項1又は2記載の半導体加速度センサ。
- 第一のシリコン層の表面に第一の絶縁層と第二のシリコン層と第二の絶縁層を順次積層して成るSOI基板を加工して成り、内方に開口部を有する矩形枠状の支持枠、開口部に配置される重り部、支持枠と重り部とを一体に連結する可撓性を有する撓み部で構成されるセンサ本体と、撓み部に設けられて重り部への加速度の作用により撓み部に生じる応力を検出するピエゾ抵抗と、センサ本体の表面側において開口部を覆うように支持枠に接合される第一のカバーと、センサ本体の裏面側において開口部を覆うように支持枠に接合される第二のカバーとを備え、センサ本体の側面における第一のシリコン層及び第二のシリコン層と第一のカバーの側面及び第二のカバーの側面とを導電性部材で電気的に接続したことを特徴とする半導体加速度センサ。
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JP2006201183A JP2008026240A (ja) | 2006-07-24 | 2006-07-24 | 半導体加速度センサ |
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JP (1) | JP2008026240A (ja) |
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2006
- 2006-07-24 JP JP2006201183A patent/JP2008026240A/ja active Pending
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