JP2008235487A - 電子部品、電子部品の製造方法、加速度センサ、及び加速度センサの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板10と、基板10上に形成される絶縁層28と、絶縁層28上に形成され、外部端子と電気的に接続されるパッド24と、を含む電子部品であって、パッド24の底面に対応する基板10および絶縁層28の領域の少なくとも一つに形成される空洞26が設けられている電子部品である。
【選択図】図3
Description
図17は、ピエゾ抵抗型加速度センサの略断面図である。ピエゾ抵抗型加速度センサ500の重錘体82aに加速度による力が加わると、可撓部74aが撓み、可撓部74aに組み込まれたピエゾ抵抗素子(不図示)の抵抗値が変化する。この抵抗値変化による電流あるいは電圧の変化を、ピエゾ抵抗に接続した電気配線(不図示)から、固定部76aの上面に形成されたパッド(不図示)、及びこれに電気的に接続されているボンディングワイヤ90aを経由し、外部配線用電極88aを通して外部へ取り出す。この変化を検出することにより加速度の検出を可能としたものである。
図18は、パッド92a近傍の断面を拡大した図である。可撓部74aの表層部にピエゾ抵抗94aが設けられており、メタルパッド92aとピエゾ抵抗94aとは電気配線(不図示)により接続されている。また、ボンディングワイヤ90aとメタルパッド92aとは電気的に接続されている。
そこで、部材に溝を形成することにより熱応力を緩和する技術が開示されている(例えば、特許文献2参照)。
例えば、図18に示した加速度センサにおいて、ボンディングワイヤ90aをパッド92aに接続する際、超音波により物理的に圧着する方法や、熱圧着するする方法を用いている。このような圧着を行うことにより、ボンディングワイヤ90aとパッド92aとの接続部に外部応力が加わり、可撓部74aに設けられているピエゾ抵抗素子94aが誤作動する問題がある。
また、例えば、加速度センサにボンディングワイヤ90aを形成する場合にはボンディングワイヤ90aを加速度センサへ接続する際の衝撃によって可撓部74aが変形あるいは破損する虞がある。さらに、加速度センサにバンプを設けた場合には半導体装置へバンプによって加速度センサを接続する際の衝撃によって同様に可撓部が変形あるいは破損する虞がある。
さらに、電子部品の小型化に対応するため、ボンディングワイヤ90aをより短くし、撓みの少ない状態にする場合には、上記のような問題が顕在化する。
即ち、本発明の目的は、信頼性に優れた電子部品、その製造方法、電子部品を用いた加速度センサ、及び、その製造方法を提供することにある。
請求項2に記載の電子部品は、外部端子と電極パッドとは、ボンディングワイヤを介して接続されることを特徴とする。
請求項3に記載の電子部品は、前記外部端子と前記電極パッドとは、バンプを介して接続されることを特徴とする。
請求項1〜請求項3に記載の電子部品によると、ボンディングワイヤ又はバンプを接続する際に発生する外部応力によりパッド等が空洞内で撓むため、ボンディングワイヤ又はバンプの接続部以外の領域に、ボンディングワイヤ又はバンプを接続する際に発生する外部応力の影響を抑制することができる。また、電子部品の周辺温度の変化によりボンディングワイヤ又はバンプが膨張しても、その膨張により発生する応力をパッド等の撓みにより緩和することができる。
請求項5に記載の電子部品は、前記空洞が、前記基板の前記領域であって前記基板の内部に形成されることを特徴とする。
請求項4、及び請求項5に記載の電子部品によると、ボンディングワイヤ又はバンプによる応力を緩和することができることに加え、空洞を設けた後に、絶縁層、及びパッドを形成することになるため、空洞を設けた後は従来の方法で電子部品を形成することができる。
請求項7に記載の電子部品は、前記空洞が、前記基板に接することを特徴とする。
請求項8に記載の電子部品は、前記空洞が、前記電極パッドに接することを特徴とする。
請求項9に記載の電子部品は、前記空洞が、前記基板及び前記電極パッドに接することを特徴とする。
請求項6〜請求項9に記載の電子部品によると、ボンディングワイヤ又はバンプによる応力を緩和することができることに加え、空洞を絶縁層の領域に形成することができるため、基材の強度低下を抑制することができる。
請求項10に記載の電子部品によると、ボンディングワイヤ又はバンプによる応力を緩和することができることに加え、空洞の体積が大きいため、ボンディングワイヤ又はバンプによる応力を十分に緩和することができる。
請求項22の加速度センサの製造方法は、錘部と、前記錘部を囲み電極パッドを有する固定部と、前記錘部と前記固定部とを可撓的に接続する加速度センサの製造方法であって、前記固定部上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上に形成し、前記加速度センサの加速度検出手段と電気的に接続される電極パッドを形成する工程と、前記電極パッドの底面に対応する前記基板および前記絶縁層の領域の少なくとも一つに空洞形成する工程と、を有することを特徴とする。
請求項21の電子部品の製造方法及び請求項22の加速度センサの製造方法によると、前述した電子部品、又は加速度センサを製造することができる。
本発明の電子部品は、基板と、前記基板上に形成される絶縁層と、前記絶縁層上に形成され、外部端子と電気的に接続される電極パッドと、を有する電子部品であって、前記電極パッドの底面に対応する前記基板および前記絶縁層の領域の少なくとも一つに形成される空洞を有する。
また、前記外部端子と前記電極パッドとは、ボンディングワイヤ、又はバンプを介して接続される。
空洞が電極パッドの底面に対応する基板および絶縁層の領域の少なくとも一つにあることにより、ボンディングワイヤ、又はバンプから生じる外部応力が緩和される。
以下に、「電極パッドの底面に対応する基板の領域」、「電極パッドの底面に対応する絶縁層の領域」及び「空洞」について詳述する。なお、以下の説明では、外部端子と電極パッドとが、ボンディングワイヤで接続されたものについて記載する。
電極パッドの底面に対応する基板の領域とは、図1に示すように、I.基板10の上部にあり、且つ、II.パッド24の底面に対応する空洞11の位置を表す。
I.基板の上部
図1の基板の上部16とは、電極パッド24の底面と基板10の絶縁層側の表面12を境界として、基板10側に、基板10における膜厚14の0.5%〜20%の深さで表される領域を示す。例えば、基板10の膜厚14が100μmである場合、基板10の上部とは、基板10の絶縁層側の表面12から0.5μm以上20μm以下の深さで表される領域を示す。より好ましい態様としては、5%以上10%以下が挙げられる。
II.パッドの底面に対応する空洞の位置
パッドの底面に対応する空洞の位置とは、具体的には、図1の基板10側から見た図である図2に示すように、空洞11の表面20の80%以上がパッド24の底面18と重なるような位置を表す。前記範囲にあると、ボンディングワイヤ下部のパッドが十分に撓むことができるため、十分に応力が緩和することによる。より好ましい態様としては、100%が挙げられる。最も好ましい態様としては、パッドの底面の重心と空洞の重心とが重なるような位置であることが挙げられる。ボンディングワイヤは、空洞とオーバーラップ領域のパッド部分に接続される。
電極パッドの底面に対応する絶縁層の領域とは、本発明の実施形態3〜実施形態6の図5〜図8に示すように、III.絶縁層28中で、且つ、IV.パッド24の底面に対応する空洞31〜34の位置を表す。
III.絶縁層中
絶縁層中とは、図5に示すように空洞31が絶縁層28の内部にあること、図6に示すように空洞32が基板10と接するような位置にあること、図7に示すように空洞33がパッド24と接するような位置にあること、又は図8に示すように空洞34が、パッド24及び基板10と接するような位置にあること、を表す。
IV.パッドの底面に対応する空洞の位置
これは、図2に示す位置関係と同様である。
本発明における「空洞」とは、所定の形状の空間を表す。ここで、空洞は、ボンディングワイヤを接続する際に発生する外部応力が緩和すればどのようなものでもよいが、外部応力が十分に緩和するための好ましい態様としては、空洞の深さ、形状、及び空洞の上面の面積等により適宜選択することができる。
以下に、空洞の深さ、形状、及び空洞の上面の面積について詳述する。
本発明における空洞の深さは、ボンディングワイヤを接続する際におけるパッドの撓み量より大きいことが必要である。空洞の深さがパッドの撓み量より大きいと、ボンディングワイヤの接続時に発生する外部応力が十分に緩和され、素子に応力損傷が入ることによる誤作動が抑制されるため、信頼性の高い電子部品を提供することができる。好ましい態様としては、パッドの撓み量の1倍より大きく10倍以下であることが好ましく、2倍以上5倍以下であることがより好ましい。10倍以上になると、空洞が大きくなりすぎ、基板の強度が低下する点で好ましくない。なお、空洞の深さがパッドの撓み量の10倍であっても、図1に示すように、空洞の深さが、膜厚14の20%の深さである基板の上部16より深い位置に達することはない。
本発明における空洞の形状とは、基板表面からみた空洞の形状を現す。空洞の形状としては、パッドと同じ形状であることが好ましい。また、外部応力が加わる方向に依存せず応力が緩和する観点から、円、もしくは楕円であることも好ましい態様として挙げられる。
空洞の上面の面積は、パッドの底面の面積の70%以上130%以下であることが好ましく、80%以上100%以下であることがより好ましい。この範囲であると、パッドが十分に撓むことができるため、外部応力を緩和することができる。さらに、加速度センサに本発明を適用する場合、空洞が加速度センサの可撓部にまで及ぶと、可撓部の機械的が低下し破壊されやすくなってしまう点、及び可撓部に埋め込まれたピエゾ抵抗素子が感知すべき歪みをも空洞が緩和してしまう点で好ましくない。
空洞の数は、前記パッドの底面に対応する位置、空洞の深さ、形状、及び面積を満たすものであればいくつでもよいが、ボンディングワイヤからの外部応力を十分に緩和する観点から、奇数個であることが好ましく、3個であることがより好ましく、1個であることが特に好ましい。
また、空洞が複数個ある場合、空洞のいずれか一つの重心とパッドの重心とが一致する位置に一つの空洞を有することが好ましい。また、空洞が複数個ある場合、基板の膜厚方向に複数存在していてもよい。
これらの中でも、特に好ましい態様1〜7を以下に詳述する。
本発明の電子部品は、好ましい態様1として、空洞26が、基板10の領域に形成され、絶縁層28に接している構造である。このように、空洞26が基板10の凹部と、絶縁層28と、により覆われているメンブレン構造を形成することにより、ボンディングワイヤ22から発生する外部応力を十分に緩和することができる。
図3は、基板10、ボンディングワイヤ22、パッド24、空洞26、及び絶縁層28を有する電子部品の断面図を表す。空洞26は、空洞26の表面が絶縁層28の基板10側の面に接するように位置している。この場合、ボンディングワイヤ22を接続する際、パッド24、及び絶縁層28がともに撓む。つまり、絶縁層28の基板側の面が空洞26の底面に接するような方向に撓むことになる。
また、ボンディングワイヤ22は、伸延性や柔軟性の観点から、径が20μm〜50μmであることが好ましく、材質が金であることが好ましい。
好ましい態様1の製造方法を図10を用いて説明する。
基板10上に絶縁層28を形成し、空洞26を形成する位置の上に公知の技術によりエッチングホール40を形成する。次いで、ウエットエッチングにより空洞26を形成し、例えばCDV等により、エッチングホール40を塞ぐように絶縁層28を形成する。その後、絶縁層28を介して空洞上に、パッド24を形成し、ボンディングワイヤ22をパッド24と接続する。
ここで、ウエットエッチングの際に用いられるエッチング液としては、例えば、水酸化カリウム(KOH)、水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)等が挙げられる。
本発明の電子部品は、好ましい態様2として、空洞30は、基板10の内部に形成された構造である。このように、空洞30は、基板10の凹部と、空洞30の表面と絶縁層28との間の層38と、で覆われているメンブレン構造を形成することにより、ボンディングワイヤ22から発生する外部応力を十分に緩和することができる。
図4は、基板10、ボンディングワイヤ22、パッド24、空洞30、及び絶縁層28を有する電子部品の断面図を表す。空洞30は、基板10の内部に位置する。この場合、ボンディングワイヤ22を接続する際、パッド24、絶縁層28、及び空洞30の表面と絶縁層28との間の層38がともに撓む。つまり、空洞30の上面が空洞30の底面に接するような方向に撓むことになる。
好ましい態様2の製造方法を図11を用いて説明する。
基板10上のエッチングホールとなる部分に酸化シリコン膜44を形成した後、酸化シリコン膜44で覆われていないシリコン基板領域45に熱拡散によりボロンを濃度1×1019/cm3以上でドープし、酸化シリコン膜44をウェットエッチで除去する。次に、高濃度にボロンをドープしたシリコン領域は水酸化カリウムでエッチングされないことを利用してシリコン基板に空洞30を形成し、例えばCDV等により、エッチングホール40を塞ぐように、例えば基板10と同じ材質を形成する。その後、基板10の表面上に絶縁層28を形成し、パッド24、及びボンディングワイヤ22を順次形成する。
本発明の電子部品は、好ましい態様3として、空洞31は、絶縁層28の内部に形成された構造である。このように、空洞31は、絶縁層28で覆われているメンブレン構造を形成することにより、ボンディングワイヤ22から発生する外部応力を十分に緩和することができる。
図5は、基板10、ボンディングワイヤ22、パッド24、空洞31、及び絶縁層28を有する電子部品の断面図を表す。空洞31は、絶縁層28の内部に位置する。この場合、ボンディングワイヤ22を接続する際、パッド24、及び空洞31の表面とパッド24の底面との間の層37がともに撓む。つまり、空洞31の上面が空洞31の底面に接するような方向に撓むことになる。
ここで、基板10、パッド24、絶縁層28、及びボンディングワイヤ22は、好ましい態様1と同様である。
本発明の電子部品は、好ましい態様4として、空洞32は、絶縁層28の領域に形成され、且つ空洞32が基板10と接する構造である。このように、空洞32は、空洞32の表面とパッド24の底面との間の層37、絶縁層28、及び基板10と、で覆われているメンブレン構造を形成することにより、ボンディングワイヤ22から発生する外部応力を十分に緩和することができる。
図6は、基板10、ボンディングワイヤ22、パッド24、空洞32、及び絶縁層28を有する電子部品の断面図を表す。空洞32は、ボンディングワイヤ22を接続する際、パッド24、及び空洞32の表面とパッド24の底面との間の層37がともに撓む。つまり、空洞32の上面が空洞32の底面に接するような方向に撓むことになる。
ここで、基板10、パッド24、絶縁層28、及びボンディングワイヤ22は、好ましい態様1と同様である。
本発明の電子部品は、好ましい態様5として、空洞33は、絶縁層28の領域に形成され、且つ空洞33がパッド24と接する構造である。このように、空洞33は、空洞33の底面と基板10の間の層39、絶縁層28、及びパッド24と、で覆われているメンブレン構造を形成することにより、ボンディングワイヤ22から発生する外部応力を十分に緩和することができる。
図7は、基板10、ボンディングワイヤ22、パッド24、空洞33、及び絶縁層28を有する電子部品の断面図を表す。空洞33は、ボンディングワイヤ22を接続する際、パッド24が撓む。つまり、空洞33の上面が空洞33の底面に接するような方向に撓むことになる。
ここで、基板10、パッド24、絶縁層28、及びボンディングワイヤ22は、好ましい態様1と同様である。
本発明の電子部品は、好ましい態様6として、空洞34が、基板10及びパッド24に接する構造である。このように、空洞34が、基板10と、パッド24と、により覆われているメンブレン構造を形成することにより、ボンディングワイヤ22から発生する外部応力を十分に緩和することができる。
図8は、基板10、ボンディングワイヤ22、パッド24、空洞34、及び絶縁層28を有する電子部品の断面図を表す。空洞34は、絶縁層28の膜厚と同じ深さである。また、パッド24が撓むことにより外部応力を緩和することができる。
ここで、基板10、パッド24、絶縁層28、及びボンディングワイヤ22は、好ましい態様1と同様である。
好ましい態様6の製造方法を図12を用いて説明する。
絶縁層28を形成した基板10を準備し、パッド材料となるアルミニウム膜29を形成し、公知のリソグラフィ技術でエッチングホール46を有するパッド24を形成する。次いて、フッ化アンモニウム、フッ化水素アンモニウム、および酢酸の混合液で等方性ウエットエッチングすることでアルミニウム膜はエッチングせず、シリコン酸化膜からなる絶縁層28に空洞34を形成する。その後、ボンディングワイヤ22をパッド24と接続する。好ましい態様3では、空洞34の深さを絶縁層28の厚さで正確に制御することができる点で好ましい。
本発明の電子部品は、好ましい態様7として、空洞35は、絶縁層28の領域および基板10の領域に亘って形成され、パッド24に接する構造であり、前述した好ましい態様6において、空洞35の深さ36が絶縁層28の膜厚より大きい構造である。このようなメンブレン構造を形成することにより、ボンディングワイヤ22から発生する外部応力を十分に緩和することができる。
図9は、基板10、ボンディングワイヤ22、パッド24、空洞35、及び絶縁層28を有する電子部品の断面図を表す。空洞35は、基板10の内部に位置する。この場合、ボンディングワイヤ22を接続する際、パッド24が撓む。つまり、空洞35の表面が空洞35の底面に接するような方向に撓むことになる。
好ましい態様7の製造方法を図13を用いて説明する。
絶縁層28を形成した基板10を準備し、パッド材料となるアルミニウム膜29を形成し、公知のリソグラフィ技術でエッチングホール46を有するパッド24を形成する。次いて、フッ化アンモニウムとフッ化水素アンモニウムそして酢酸の混合液で等方性ウエットエッチングすることでアルミニウム膜はエッチングせず、シリコン酸化膜からなる絶縁層28に空洞を形成する。その後、基板10をさらに六フッ化硫黄(SF6)ガスプラズマエッチングすることにより空洞35を形成する。次いで、ボンディングワイヤ22をパッド24と接続する。好ましい態様4では、前述した好ましい態様3より空洞35の深さ36が大きいため、十分に外部応力を緩和することができる。
本発明の加速度センサは、錘部と、前記錘部を囲み電極パッドを有する固定部と、前記錘部と前記固定部とを可撓的に接続する加速度センサであって、前記固定部上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成され、前記加速度センサの加速度検出手段と電気的に接続される電極パッドと、前記電極パッドの底面に対応する前記基板および前記絶縁層の領域の少なくとも一つに形成される空洞と、を有する。
具体的には、前述した本発明の実施形態1〜7における電子部品に前記可撓部を設け、前記可撓部にピエゾ抵抗素子を形成することにより適用させることができる。この場合、本発明の電子部品に形成されている空洞は、前記可撓部の領域に達してはならない。空洞が可撓部に達すると、本来感知すべき撓みを空洞が吸収することができ、加速度センサとしての感度が劣化するためである。
また、加速度センサの製造方法は、前述した電子部品の製造方法に加え、可撓部にピエゾ抵抗素子を形成する工程を有する。
例えば、図14の加速度センサを製造する際、以下のような工程を踏む。
基板表面にシリコン酸化膜1μmを形成し、ピエゾ抵抗を形成する部分にリソグラフィ技術により、シリコン酸化膜の窓(幅5×長さ40μm)を開ける。この窓をとしてボロンを熱拡散(濃度1×1018/cm3)させ、ピエゾ抵抗素子52を形成する。
次にシリコン酸化膜を2μm形成し、該シリコン酸化膜のパッドを形成する部分にエッチングホールをリソグラフィ技術で形成し、該エッチングホールを通しKOH液でウェットエッチングを行い、空洞50を形成する。次に常圧CVD法でシリコン酸化膜を膜付けし、エッチングホールを塞ぎ、絶縁層59を形成する。
続いて、絶縁層59のピエゾ抵抗領域部にピエゾ抵抗素子52から電気信号を取り出すためのコンタクトホールをリソグラフィ技術によって形成する。
次にアルミニウム膜を形成し、リソグラフィ技術によって金属膜をパターニングし、パッド68とコンタクトホールを通してピエゾ抵抗とパッドを結ぶ配線とを形成する。次に基板78の裏面に窒化シリコン膜を形成した後、基板78をエッチングして薄くて可動部とする部分の該窒化シリコン膜を除去し、エッチング液KOHで処理することで、固定部58、可動部56、作用部54が形成される。
その後、ボンディングワイヤ66をパッド68と接続する。
本発明では、種々の電子部品のうち、加速度センサについて実施した。
〔実施例1の構造〕
図14には、請求項2の発明を適用したピエゾ抵抗型加速度センサの断面図を示す。
作用部54、可撓部56、及び固定部58からなる基板78において、固定部58の表層領域に凹部が設けられており、また、可撓部56の端部であり、且つ可撓部56の表層領域に、ピエゾ抵抗素子52が設けられている。
絶縁層59が前記凹部、ピエゾ抵抗素子52、及び基板78の表面を覆うように形成されており、基板78の凹部と、絶縁層59と、により空洞50が設けられるメンブレン構造を有する。
ここで、空洞50の深さ60は、10μmであり、空洞50をパッド68側から見た空洞50の形状は、円であり、空洞50の上面の面積は3847μm2であり、パッド68の底面の面積は、5024μm2であり、空洞50のパッド68の底面に対応する位置は、絶縁層58の下方からみた場合、パッド68の底面の重心と空洞50の重心とが重なるような位置である。また、空洞50以外の各部位の材質、膜厚は以下の通りである。
・基板78(単結晶Si、膜厚:100μm)
・絶縁層59(シリコン酸化膜SiO2、膜厚:1μm)
・ボンディングワイヤ66(Au、ワイヤ径30μm)
・パッド68(Al、80μm径、膜厚:2μm、形状:円)
・ピエゾ抵抗素子52(ボロン拡散層、□:幅5×長さ40μm、膜厚:1μm)
N型シリコン単結晶基板表面にシリコン酸化膜1μmを形成し、ピエゾ抵抗を形成する部分にリソグラフィ技術により、シリコン酸化膜の窓(幅5×長さ40μm)を開ける。この窓をとしてボロンを熱拡散(濃度1×1018/cm3)させ、ピエゾ抵抗素子52を形成する。
次にシリコン酸化膜を2μm形成し、該シリコン酸化膜のパッドを形成する部分にエッチングホールをリソグラフィ技術で形成し、該エッチングホールを通しKOH液でウエットエッチングを20分間行い、10μm深さの空洞50を形成する。次に常圧CVD法でシリコン酸化膜を膜付けし、エッチングホールを塞ぎ、絶縁層59を形成する。
続いて、絶縁層59のピエゾ抵抗領域部にピエゾ抵抗素子52から電気信号を取り出すためのコンタクトホールをリソグラフィ技術によって形成する。
次にアルミニウム膜を2μm厚形成し、リソグラフィ技術によって該アルミニウム膜をパターニングし、パッド68とコンタクトホールを通してピエゾ抵抗素子52とパッドを結ぶ配線とを形成する。次に基板78の裏面に窒化シリコン膜を1μm形成した後、基板78をエッチングして薄くて可動部とする部分の該窒化シリコン膜を除去し、エッチング液KOHで処理することで、固定部58、可動部56、作用部54が形成される。
その後、ボンディングワイヤ66をパッド68と接続する。
〔実施例2の構造〕
図15には、請求項3の発明を適用したピエゾ抵抗型加速度センサの断面図を示す。
作用部54、可撓部56、及び固定部58からなる基板80において、固定部58の上部に空洞54が設けられており、また、可撓部56の端部であり、且つ可撓部56の表層領域に、ピエゾ抵抗素子52が設けられている。
空洞54は、基板80の凹部、及び空洞54の表面と絶縁層59との間の層84と絶縁層59が前記凹部、ピエゾ抵抗素子52、及び基板80の表面を覆うように形成されており、この絶縁層59と基板80の凹部により空洞54が設けられることにより、メンブレン構造を形成する。
ここで、空洞54の深さ62は、10μmであり、空洞54をパッド72側から見た空洞54の形状は、円であり、空洞54の上面の面積は6359μm2であり、パッド72の底面の面積は、5024μm2であり、空洞54のパッド72の底面に対応する位置は、絶縁層58の下方からみた場合、パッド72の底面の重心と空洞54の重心とが重なるような位置である。また、空洞54以外の各部位の材質、膜厚は以下の通りである。
基板80、絶縁層59、ボンディングワイヤ70、パッド72、及びピエゾ抵抗素子52は、実施例1と同様である。また、空洞54の表面と絶縁層59との間の層84の材質は、単結晶Siであり、膜厚は1μmである。
N型シリコン単結晶基板表面にシリコン酸化膜1μmを形成し、次に該シリコン酸化膜のパッドを形成する部分にリソグラフィ技術で複数の1μm径のホール残しパターンを形成し、続いてその抜きパターン部にボロンを熱拡散(濃度1×1019/cm3)させる。
次に、該シリコン酸化膜を除去した後、KOH液でウエットエッチングを22分間行うことで、ボロンが拡散されていないホールパターン部分からエッチングが進み、1μm厚の空洞54の表面と絶縁層59との間の層84を持つ10μm深さの空洞54を形成する。次に常圧CVD法でシリコン酸化膜を膜付けし、ホールを塞ぎ、絶縁層59を形成する。
次に、ピエゾ抵抗を形成する部分にリソグラフィ技術により、シリコン酸化膜の窓(幅5×長さ40μm)を開ける。この窓をとしてボロンを熱拡散(濃度1×1018/cm3)させ、ピエゾ抵抗素子52を形成し、続いてシリコン酸化膜を1μm形成する。
続いて、絶縁層59のピエゾ抵抗領域部にピエゾ抵抗素子52から電気信号を取り出すためのコンタクトホールをリソグラフィ技術によって形成する。
次に、アルミニウム膜を2μm厚形成し、リソグラフィ技術によって該アルミニウム膜をパターニングし、パッド72とコンタクトホールを通してピエゾ抵抗とパッドを結ぶ配線とを形成する。次に基板80の裏面に窒化シリコン膜を1μm形成した後、基板80をエッチングして薄くて可動部とする部分の該窒化シリコン膜を除去し、エッチング液KOHで処理することで、固定部58、可動部56、作用部54が形成される。
その後、ボンディングワイヤ70をパッド72と接続する。
〔実施例3の構造〕
図16には、請求項4の発明を適用したピエゾ抵抗型加速度センサの断面図を示す。
作用部54、可撓部56、及び固定部58からなる基板82において、固定部58の表層領域に凹部が設けられており、また、可撓部56の端部であり、且つ可撓部56の表層領域に、ピエゾ抵抗素子52が設けられている。
空洞56は、基板82、絶縁層59、及びパッド76で覆われており、メンブレン構造を形成している。
ここで、空洞56の深さ64は、3μmであり、空洞56をパッド76側から見た空洞56の形状は、円であり、空洞56の上面の面積は3847μm2であり、パッド76の底面の面積は、5024μm2であり、空洞56のパッド76の底面に対応する位置は、絶縁層59の下方からみた場合、パッド76の底面の重心と空洞56の重心とが重なるような位置である。また、空洞56以外の各部位の材質、膜厚は以下の通りである。
基板82、絶縁層59、ボンディングワイヤ74、パッド76、及びピエゾ抵抗素子52は、いずれも実施例1と同様の材質、膜厚である。
N型シリコン単結晶基板表面にシリコン酸化膜1μmを形成し、ピエゾ抵抗素子52を形成する部分にリソグラフィ技術により、シリコン酸化膜の窓(幅5×長さ40μm)を開ける。この窓を通してとしてボロンを熱拡散(濃度1×1018/cm3)させ、ピエゾ抵抗素子52を形成する。
次にシリコン酸化膜を2μm形成し、絶縁層59のピエゾ抵抗領域部にピエゾ抵抗素子52から電気信号を取り出すためのコンタクトホールをリソグラフィ技術によって形成する。
次にパッド材料となるアルミニウム膜を2μm厚形成し、リソグラフィ技術でエッチングホールを有するパッド76及び該パッド76とコンタクトホールを通してピエゾ抵抗素子52とパッドを結ぶ配線とを形成する。ここでリソグラフィに用いたレジストは除去せずに次いて、フッ化アンモニウムとフッ化水素アンモニウムそして酢酸の混合液で等方性ウエットエッチングすることでアルミニウム膜はエッチングせず、シリコン酸化膜からなる絶縁層59に空洞56を形成する。引き続いて、レジストを酸素プラズマで除去する。
次に基板82の裏面に窒化シリコン膜を1μm形成した後、基板82をエッチングして薄くて可動部とする部分の該窒化シリコン膜を除去し、エッチング液(KOH)で処理することで、固定部58、可動部56、作用部54が形成される。
その後、ボンディングワイヤ74をパッド76と接続する。
12 基板の絶縁層側の表面
14 基板の膜厚
16 基板の上部
18 パッドの底面
20 空洞の表面
22、66、70、74、90a ボンディングワイヤ
24、68、72、76、92a パッド
11、26、30、31、32、33、34、35、50、54、56 空洞
28、59、96a 絶縁層
29 アルミニウム膜
36、60、62、64 空洞の深さ
37 空洞の表面とパッドの底面との間の層
38、84 空洞の表面と絶縁層との間の層
39 空洞の底面と基板の間の層
40、46 エッチングホール
44 酸化シリコン膜
45 酸化シリコン膜で覆われていないシリコン基板領域
48 パッドの外周と空洞外周との間隔
52、94a ピエゾ抵抗素子
54、72a 作用部
56、74a 可撓部
58、76a 固定部
80a 台座
82a 重錘体
84a ケース
86a 蓋
88a 外部配線用電極
Claims (22)
- 基板と、前記基板上に形成される絶縁層と、前記絶縁層上に形成され、外部端子と電気的に接続される電極パッドと、を含む電子部品であって、
前記電極パッドの底面に対応する前記基板および前記絶縁層の領域の少なくとも一つに形成される空洞を有することを特徴とする電子部品。 - 前記外部端子と前記電極パッドとは、ボンディングワイヤを介して接続されることを特徴とする請求項1に記載の電子部品。
- 前記外部端子と前記電極パッドとは、バンプを介して接続されることを特徴とする請求項1に記載の電子部品。
- 前記空洞は、前記基板の前記領域に形成され、前記絶縁層に接することを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載の電子部品。
- 前記空洞は、前記基板の前記領域であって前記基板の内部に形成されることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載の電子部品。
- 前記空洞は、前記絶縁層の前記領域に形成されることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載の電子部品。
- 前記空洞は、前記基板に接することを特徴とする請求項6に記載の電子部品。
- 前記空洞は、前記電極パッドに接することを特徴とする請求項6に記載の電子部品。
- 前記空洞は、前記基板及び前記電極パッドに接することを特徴とする請求項6に記載の電子部品。
- 前記空洞は、前記絶縁層の前記領域および前記基板の前記領域に亘って形成され、前記電極パッドに接することを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載の電子部品。
- 錘部と、前記錘部を囲み電極パッドを有する固定部と、前記錘部と前記固定部とを可撓的に接続する加速度センサであって、
前記固定部上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層上に形成され、前記加速度センサの加速度検出手段と電気的に接続される電極パッドと、
前記電極パッドの底面に対応する前記基板および前記絶縁層の領域の少なくとも一つに形成される空洞と、
を有することを特徴とする加速度センサ。 - 前記外部端子と前記電極パッドとは、ボンディングワイヤを介して接続されることを特徴とする請求項11に記載の加速度センサ。
- 前記外部端子と前記電極パッドとは、バンプを介して接続されることを特徴とする請求項11に記載の加速度センサ。
- 前記空洞は、前記基板の前記領域に形成され、前記絶縁層に接することを特徴とする請求項11〜請求項13のいずれか一項に記載の加速度センサ。
- 前記空洞は、前記基板の前記領域であって前記基板の内部に形成されることを特徴とする請求項11〜請求項13のいずれか一項に記載の加速度センサ。
- 前記空洞は、前記絶縁層の前記領域に形成されることを特徴とする請求項11〜請求項13のいずれか一項に記載の加速度センサ。
- 前記空洞は、前記基板に接することを特徴とする請求項16に記載の加速度センサ。
- 前記空洞は、前記電極パッドに接することを特徴とする請求項16に記載の加速度センサ。
- 前記空洞は、前記基板及び前記電極パッドに接することを特徴とする請求項16に記載の加速度センサ。
- 前記空洞は、前記絶縁層の前記領域および前記基板の前記領域に亘って形成され、前記電極パッドに接することを特徴とする請求項11〜請求項13のいずれか一項に記載の加速度センサ。
- 基板と、前記基板上に形成される絶縁層と、前記絶縁層上に形成され、外部端子と電気的に接続される電極パッドと、を含む電子部品の製造方法であって、
前記電極パッドの底面に対応する前記基板および前記絶縁層の領域の少なくとも一つに形成される空洞を設けることを特徴とする電子部品の製造方法。 - 錘部と、前記錘部を囲み電極パッドを有する固定部と、前記錘部と前記固定部とを可撓的に接続する加速度センサの製造方法であって、
前記固定部上に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層上に形成し、前記加速度センサの加速度検出手段と電気的に接続される電極パッドを形成する工程と、
前記電極パッドの底面に対応する前記基板および前記絶縁層の領域の少なくとも一つに空洞を形成する工程と、
を有することを特徴とする加速度センサの製造方法。
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