JP2006337378A - 半導体圧力センサ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明に係るシリコン単結晶からなるダイアフラムの表面にピエゾ抵抗感圧ゲージが形成された感圧チップの裏面側にガラス基板を張り合わせ、ダイアフラムの裏面とガラス基板との間に第一の空間を形成し、ダイアフラムの表面に印加される被測定圧力を第一の空間の圧力を基準圧として測定する半導体圧力センサにおいて、感圧チップ表面に配設された感圧ゲージ電極上に形成された樹脂製突部と、樹脂製突部の一部または全体を覆うように形成され、感圧ゲージ電極と電気的に接続された導電層と、導電層を介して樹脂製突部の一部または全体を覆うように形成されたバンプとを有し、さらに導電層とバンプとの接続位置を、ピエゾ抵抗感圧ゲージの抵抗値に影響が生じにくい位置とする。
【選択図】図1
Description
樹脂製突部6は、例えば、ポリイミド、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等からなり、その厚さは、例えば25〜100μmであり、回転塗布法(スピンコート)、印刷法、ラミネート法等により形成可能である。
Claims (12)
- シリコン単結晶からなるダイアフラムの表面にピエゾ抵抗感圧ゲージが形成された感圧チップの裏面側にガラス基板を張り合わせ、前記ダイアフラムの裏面と前記ガラス基板との間に第一の空間を形成し、前記ダイアフラムの表面に印加される被測定圧力を前記第一の空間の圧力を基準圧として測定する半導体圧力センサにおいて、
前記感圧チップ表面に配設された感圧ゲージ電極上に形成された樹脂製突部と、該樹脂製突部の一部または全体を覆うように形成され、前記感圧ゲージ電極と電気的に接続された導電層と、該導電層を介して前記樹脂製突部の一部または全体を覆うように形成されたバンプとを有するとともに、前記導電層と前記バンプとの接続位置を、前記ピエゾ抵抗感圧ゲージの抵抗値に影響が生じにくい位置とする半導体圧力センサ。 - シリコン単結晶からなるダイアフラムの表面にピエゾ抵抗感圧ゲージが形成された感圧チップの裏面側にガラス基板を張り合わせ、前記ダイアフラムの裏面と前記ガラス基板との間に第一の空間を形成し、前記ダイアフラムの表面に印加される被測定圧力を前記第一の空間の圧力を基準圧として測定する半導体圧力センサにおいて、
前記感圧チップ表面に配設された感圧ゲージ電極上に形成された樹脂製突部と、開口部で囲まれた前記樹脂製突部の一部に繋がり、前記感圧ゲージ電極と前記感圧チップの上に跨って配設された絶縁樹脂層と、前記樹脂製突部および前記絶縁樹脂層の一部または全体を覆うように形成され、前記感圧ゲージ電極と電気的に接続された導電層と、該導電層上に形成されたバンプとを有するとともに、前記導電層と前記バンプとの接続位置を、前記ピエゾ抵抗感圧ゲージの抵抗値に影響が生じにくい位置とする半導体圧力センサ。 - 前記感圧チップが前記バンプ及び前記導電層を介して測定用電子機器と電気的に接続されている請求項1又は2に記載の半導体圧力センサ。
- シリコン単結晶からなるダイアフラムの表面にピエゾ抵抗感圧ゲージが形成された感圧チップの裏面側にガラス基板を張り合わせ、前記ダイアフラムの裏面と前記ガラス基板との間に第一の空間を形成し、該第一の空間に印加される被測定圧力を前記ダイアフラムの表面に印加される圧力を基準圧として測定する半導体圧力センサにおいて、
前記感圧チップ表面に配設された感圧ゲージ電極上に形成された樹脂製突部と、この樹脂製突部の一部または全体を覆うように形成され、前記感圧ゲージ電極と電気的に接続された導電層と、この導電層を介して前記樹脂製突部の一部または全体を覆うように形成されたバンプとを有するとともに、前記導電層と前記バンプとの接続位置を、前記ピエゾ抵抗感圧ゲージの抵抗値に影響が生じにくい位置とする半導体圧力センサ。 - シリコン単結晶からなるダイアフラムの表面にピエゾ抵抗感圧ゲージが形成された感圧チップの裏面側にガラス基板を張り合わせ、前記ダイアフラムの裏面と前記ガラス基板との間に第一の空間を形成し、該第一の空間に印加される被測定圧力を前記ダイアフラムの表面に印加される圧力を基準圧として測定する半導体圧力センサにおいて、
前記感圧チップ表面に配設された感圧ゲージ電極上に形成された樹脂製突部と、開口部で囲まれた前記樹脂製突部の一部に繋がり、前記感圧ゲージ電極と前記感圧チップの上に跨って配設された絶縁樹脂層と、前記樹脂製突部および前記絶縁樹脂層の一部または全体を覆うように形成され、前記感圧ゲージ電極と電気的に接続された導電層と、この導電層上に形成されたバンプとを有するとともに、前記導電層と前記バンプとの接続位置を、前記ピエゾ抵抗感圧ゲージの抵抗値に影響が生じにくい位置とする半導体圧力センサ。 - 前記感圧チップが前記バンプ及び前記導電層を介して測定用電子機器と電気的に接続されている請求項4又は5に記載の半導体圧力センサ。
- 前記バンプの周囲にて前記感圧チップを覆う絶縁樹脂層が形成されるとともに、少なくとも前記ピエゾ抵抗感圧ゲージ上の前記絶縁樹脂層が除去されている請求項3または6に記載の半導体圧力センサ。
- 前記感圧チップの表面側が、前記バンプを介して前記測定用電子機器で覆われ、前記ダイアフラムの表面と前記測定用電子機器との間に形成された第二の空間と前記第一の空間との間における、前記ダイアフラムを介した圧力差を、前記被測定圧力として測定する請求項3または6に記載の半導体圧力センサ。
- 前記測定用電子機器が、前記半導体圧力センサが実装される回路基板である請求項8記載の半導体圧力センサ。
- 感圧チップ上に配設された感圧ゲージ電極及びピエゾ抵抗感圧ゲージを覆う樹脂層を形成し、この樹脂層の前記感圧ゲージ電極上に位置する部分の一部を除去して、平面視してリング状またはC字状をなす開口部を形成することで、前記感圧ゲージ電極上に突出する形状の樹脂製突部と、この開口部の周囲にて前記感圧チップを覆う絶縁樹脂層とを形成した後、前記樹脂製突部を覆う導電層を前記感圧ゲージ電極に電気通電可能に接続するよう形成し、この導電層を覆うようにバンプを形成する半導体圧力センサの製造方法であって、
前記導電層と前記バンプとの接続位置は、前記ピエゾ抵抗感圧ゲージの抵抗値に影響が生じにくい位置とする半導体圧力センサの製造方法。 - 感圧チップ上に配設された感圧ゲージ電極及びピエゾ抵抗感圧ゲージを覆う樹脂層を形成し、この樹脂層の前記感圧ゲージ電極上に位置する部分の一部を除去して、平面視してリング状またはC字状をなす開口部を形成することで、前記感圧ゲージ電極上に突出する形状の樹脂製突部と、前記開口部で囲まれた前記樹脂製突部の一部に繋がり、前記感圧ゲージ電極と前記感圧チップの上に跨って配設される絶縁樹脂層とを形成した後、前記樹脂製突部および前記絶縁樹脂層の一部または全体を覆う導電層を前記感圧ゲージ電極に電気通電可能に接続するよう形成し、この導電層を覆うようにバンプを形成する半導体圧力センサの製造方法であって、
前記導電層と前記バンプとの接続位置は、前記ピエゾ抵抗感圧ゲージの抵抗値に影響が生じにくい位置とする半導体圧力センサの製造方法。 - 前記ダイアフラム上の前記絶縁樹脂層は、前記感圧ゲージ電極上の開口と同時に除去される請求項10または11に記載の半導体圧力センサの製造方法。
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