JP2007010462A - 圧力検出装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 センサチップと回路基板とを積層しバンプを介して電気的に接続するにあたって、バンプ接続部の接続信頼性を適切に確保しつつ、圧力を精度よく検出できるようにする。
【解決手段】 圧力の印加により歪む歪み部21を有するセンサチップ20と回路基板30とを対向して配置し、これら両部材20と30との間にて、これら両部材20、30を電気的に接続するバンプ40を介在させるとともに、バンプ40以外の部位に両部材20、30の接続強度を確保する充填部材50を充填している。また、両部材20、30間にて歪み部21に対応する領域を取り囲むダム部60が備えられ、ダム部60の内周領域には充填部材50が存在しない。それにより、充填部材50による歪み部21の歪み変形の阻害が緩和される。
【選択図】 図1
【解決手段】 圧力の印加により歪む歪み部21を有するセンサチップ20と回路基板30とを対向して配置し、これら両部材20と30との間にて、これら両部材20、30を電気的に接続するバンプ40を介在させるとともに、バンプ40以外の部位に両部材20、30の接続強度を確保する充填部材50を充填している。また、両部材20、30間にて歪み部21に対応する領域を取り囲むダム部60が備えられ、ダム部60の内周領域には充填部材50が存在しない。それにより、充填部材50による歪み部21の歪み変形の阻害が緩和される。
【選択図】 図1
Description
本発明は、圧力の印加により歪む歪み部を有するセンサチップと回路基板とをバンプを介して電気的に接続してなる圧力検出装置に関する。
この種の圧力検出装置としては、従来より、圧力印加によるピエゾ抵抗効果により信号を出力するピエゾ式センサ素子などに代表されるセンサチップと、このセンサチップと電気的に接続された回路基板とを備える圧力検出装置が広く知られている。
このような圧力検出装置において、従来では、一般にセンサチップと回路基板とは、ボンディングワイヤにより結線され電気的に接続されている。そして、センサチップからの信号は、ボンディングワイヤを介して回路基板に送られ、そこで処理されて外部へ出力されるようになっている。
ここで、本発明者は、上記した従来の圧力検出装置において、装置体格の小型化を図るため、センサチップと回路基板とを対向して配置し積層した構造、いわゆるスタック構造とすることを検討した。
図6は、本発明者が試作検討したもので、上記スタック構造をなす圧力検出装置の概略断面構成を示す図である。ここでは、金属ステム10のダイアフラム11の外面に接着されたセンサチップ20を用いている。
このセンサチップ20は、金属ステム10のダイアフラム11に対応した部位が、歪み部21であり、この歪み部21は、圧力印加によるダイアフラム11の変形に応じて歪み、その歪みに基づく信号がセンサチップ20から出力されるものである。
センサチップ20と回路基板30とは、これら両部材20、30における図示しないパッド同士において、バンプ40により電気的に接続されている。そして、センサチップ20からの出力信号は、バンプ40から回路基板30に伝えられ、そこで信号処理などが行われ、外部へと出力されるようになっている。
ここで、このバンプ40を介したセンサチップ20と回路基板30とのスタック構造においては、両者20、30は実質的にバンプ40のみで機械的に接続されており、外部振動や衝撃などによって剥がれが生じるなどバンプ40の接続強度が不十分である場合が多い。
そのため、本発明者は、図6に示されるように、樹脂などのアンダーフィル材料からなる充填部材50をセンサチップ20と回路基板30との間に充填して、バンプ40による接続強度を確保し、接続部の接続信頼性を向上させることとした。
しかしながら、この図6に示される試作品について、さらに検討を進めたところ、圧力印加時においてセンサチップ20が歪もうとするのに対して、充填部材50が歪み部21を抑えていることから、歪み部21は、圧力を受けた分よりも少ない歪みしか発生しないため、圧力を精度よく測定できない、という問題点が生じることがわかった。
そこで、本発明は上記問題に鑑み、センサチップとこれに電気的に接続された回路基板とを備える圧力検出装置において、センサチップと回路基板とを積層しバンプを介して電気的に接続するにあたって、バンプ接続部の接続信頼性を適切に確保しつつ、圧力を精度よく検出できるようにすることを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明は、圧力印加により歪む歪み部(21)を有するセンサチップ(20)とこれに電気的に接続された回路基板(30)とを備える圧力検出装置において、センサチップ(20)と回路基板(30)とは対向して配置されており、センサチップ(20)と回路基板(30)との間には、これら両部材を電気的に接続するバンプ(40)が介在しており、センサチップ(20)と回路基板(30)との間にてバンプ(40)以外の部位には、センサチップ(20)と回路基板(30)との接続強度を確保する充填部材(50)が充填されており、歪み部(21)に対応した部位には、充填部材(50)による歪み部(21)の歪み変形の阻害を緩和する緩和手段(60、70)が設けられていることを第1の特徴とする。
それによれば、対向して配置されたセンサチップ(20)と回路基板(30)との間をバンプ(40)により電気的に接続し、そのバンプ(40)の周囲に充填部材(50)を配置しているため、バンプ(40)による接続強度を確保できる。
また、歪み部(21)に対応した部位に、充填部材(50)による歪み部(21)の歪み変形の阻害を緩和する緩和手段(60、70)を設けているため、圧力印加時に、歪み部(21)は、充填部材(50)によって歪み変形を阻害されることは極力抑制される。
したがって、本発明によれば、センサチップ(20)とこれに電気的に接続された回路基板(30)とを備える圧力検出装置において、センサチップ(20)と回路基板(30)とを積層しバンプ(40)を介して電気的に接続するにあたって、バンプ接続部の接続信頼性を適切に確保しつつ、圧力を精度よく検出できるようにすることができる。
また、本発明は、上記第1の特徴を有する圧力検出装置において、前記緩和手段は、センサチップ(20)と回路基板(30)との間にて歪み部(21)に対応する領域を取り囲むダム部(60)を備えるものであり、センサチップ(20)と回路基板(30)との間にて、ダム部(60)の内周領域には充填部材(50)が存在せず、外周領域には充填部材(50)が充填されていることを第2の特徴とする。
それによれば、センサチップ(20)と回路基板(30)との間では、ダム部(60)によって歪み部(21)に対応する部位には充填部材(50)が無い構成となる。そのため、充填部材(50)による歪み部(21)の歪み変形の阻害が緩和され、上記した緩和手段の効果が適切に発揮される。
また、本発明は、上記第1の特徴を有する圧力検出装置において、前記緩和手段は、回路基板(30)のうち歪み部(21)に対応した部位に設けられた穴部(70)を備えるものであり、充填部材(50)に加わる力が穴部(70)から逃がされるようになっていることを第3の特徴とする。
それによれば、歪み部(21)に対応した部位にて充填部材(50)に加わる力が穴部(70)から逃がされるため、充填部材(50)による歪み部(21)の抑えが弱くなる。そのため、充填部材(50)による歪み部(21)の歪み変形の阻害が緩和され、上記した緩和手段の効果が適切に発揮される。
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
(第1実施形態)
図1は、本発明の第1実施形態に係る圧力検出装置100の概略断面構成を示す図であり、図2は、この圧力検出装置100におけるセンサチップ20の回路基板30との対向面をみたときの概略平面図であり、図3は、同圧力検出装置100におけるセンサチップ20近傍部の構成を示す斜視図である。なお、図3では回路基板30および充填部材50は省略してある。
図1は、本発明の第1実施形態に係る圧力検出装置100の概略断面構成を示す図であり、図2は、この圧力検出装置100におけるセンサチップ20の回路基板30との対向面をみたときの概略平面図であり、図3は、同圧力検出装置100におけるセンサチップ20近傍部の構成を示す斜視図である。なお、図3では回路基板30および充填部材50は省略してある。
本実施形態の圧力検出装置100は、基材としての金属ステム10と、この金属ステム10の一面に貼り付けられたセンサチップ20と、センサチップ20に対向して配置された回路基板30と、センサチップ20と回路基板30とを電気的に接続するバンプ40と、センサチップ20と回路基板30との接続強度を確保する充填部材50とを備えて構成されている。
金属ステム10は、その内部に中空部を有する有底筒状、すなわち中空筒状をなしており、このような金属ステム10は、基本的には円筒体を加工することにより形成することができる。
金属ステム10は、その外面のうちの一面に圧力によって変形可能なダイアフラム11を有するとともに、このダイアフラム11とは異なる部位に、中空部へ圧力を導入するための開口部12を有する。
本実施形態では、ダイアフラム11は、金属ステム10の軸一端側の端面(図1中の下面)に設けられ、開口部12は、金属ステム10の軸他端側に設けられている。ここで、ダイアフラム11は、金属ステム10の軸一端側の端面を薄肉部とすることにより形成されている。
このような金属ステム10においては、被測定物からの圧力すなわち被測定圧力は、開口部12から中空部に導入される。すると、導入された被測定圧力の大きさに応じて、ダイアフラム11が歪むようになっている。
そして、金属ステム10におけるダイアフラム11の表面には、上記センサチップ20が貼り付けられている。ここで、金属ステム10とセンサチップ20との接合は、たとえば、低融点ガラスを用いたガラス溶着などを採用することができる。
このセンサチップ20は、金属ステム10のダイアフラム11を介して印加される圧力を受けて歪むことにより圧力検出を行うものである。ここで、センサチップ20は、図1、図2に示されるように、たとえば板状をなすものであり、金属ステム10のダイアフラム11に対応した中央部の領域が、圧力の印加により歪む歪み部21として構成されている。
具体的には、センサチップ20は、上記した圧力印加によるダイアフラム11の変形に応じて歪み部21も歪み、その歪みに応じた電気信号を出力するもので、歪みゲージとして機能するものである。
たとえば、センサチップ20としては、単結晶Si(シリコン)等の半導体チップからなるものであって、歪み部21にピエゾ拡散抵抗などからなるブリッジ回路を有するピエゾ抵抗効果を利用した圧力素子を採用できる。
このものは、圧力により金属ステム10のダイアフラム11が変形したとき、この変形に応じて歪み部21が歪み、そのときの抵抗値変化を電気信号に変換して出力するものである。そして、これら金属ステム10のダイアフラム11およびセンサチップ20が、圧力検出装置100の基本性能を左右する。
ここで、金属ステム10を構成する金属材料には、上述のように高圧を受けることから高強度であること、および、Siなどからなるセンサチップ20を上記低融点ガラスなどにより接合するため低熱膨張係数であることなどが求められる。
具体的には、金属ステム10は、Fe、Ni、CoまたはFe、Niを主体とし、析出強化材料としてTi、Nb、Alまたは、Ti、Nbが加えられた材料を選定し、プレス、切削や冷間鍛造等により形成することができる。
回路基板30は、プリント基板、フレキシブルプリント基板、セラミック基板などの配線基板により構成されている。この回路基板30は、たとえば、センサチップ20からの信号を受けて、信号処理を行い、外部へ出力するものである。
そして、バンプ40は、対向して配置されたセンサチップ20と回路基板との間に介在し、これら両者20、30を電気的に接続している。このバンプ40は、図2に示されるように、センサチップ20の周辺部に配置されている。
図示しないが、センサチップ20の周辺部には、たとえばコンタクトホールなどを介して外部と接続可能なパッドが形成されており、センサチップ20は、このパッドを介して外部と信号のやりとりを行うことができる。そして、バンプ40は、この図示しないセンサチップ20のパッドと、回路基板30の図示しない導体パターンやパッドとを接続している。
このようなバンプ40としては、特に限定するものではないが、たとえば電子分野において通常採用される金バンプ、はんだバンプなどを採用することができる。そして、センサチップ20と回路基板30との間にてバンプ40以外の部位には、充填部材50が充填されている。
この充填部材50は、バンプ40による接続部を補強し、センサチップ20と回路基板30との接続強度を確保するものである。充填部材50は、エポキシ系樹脂などの樹脂に代表されるアンダーフィル材料からなるもので、この充填部材50によって、バンプ40による接続部への応力を緩和することができる。
ここにおいて、本実施形態の圧力検出装置100においては、図1、図3に示されるように、歪み部21に対応した部位には、充填部材50による歪み部21の歪み変形の阻害を緩和する緩和手段60が設けられている。
ここでは、緩和手段は、センサチップ20と回路基板30との間にて歪み部21に対応する領域を取り囲むダム部60を備えて構成されている。このダム部60は、図3に示されるように、センサチップ20の歪み部21に対応した穴形状を持つ筒状のものであり、ここでは、円形の歪み部21に対応して円筒状のダム部60としている。
より具体的にいうならば、たとえば拡散層などからなるゲージ抵抗を歪み部21に有するセンサチップ20に対して、ダム部60は、上記ゲージ抵抗よりも外周側となるように位置している。
このダム部60は、たとえば絶縁性の樹脂やセラミックなどを筒状に成形してなるものであり、その一端部を回路基板30またはセンサチップ20に接着などにより固定した状態で組み付けられている。
このようなダム部60を設けることにより、図1に示されるように、センサチップ20と回路基板30との間にて、ダム部60の中空部すなわち内周領域には充填部材50が存在せず、ダム部60の外周領域には充填部材50が充填されている。
かかる構成を有する圧力検出装置100の製造方法の一例について説明する。まず、金属ステム10を用意し、この金属ステム10におけるダイアフラム11の表面に上記低融点ガラスを印刷し、その低融点ガラスの上にセンサチップ20を搭載する。
そして、低融点ガラスを溶融させ、固化させることにより、センサチップ20を金属ステム10に固定する。また、センサチップ20の周辺部に上記したバンプ40を配設しておく。
次に、ダム部60が固定された回路基板30を用意し、金属ステム10と一体化されたセンサチップ20と回路基板30とを対向させ、位置あわせしながら、バンプ40およびダム部60を介して、センサチップ20と回路基板30とを接触させ、バンプ40によるセンサチップ20と回路基板30との電気的な接続を行う。
続いて、センサチップ20と回路基板30との隙間に、充填部材50を構成する樹脂を注入し、これを加熱などにより硬化させる。このとき、ダム部60の内周領域には当該樹脂が入り込まないため、ダム部60の内周領域には充填部材50が存在せず、外周領域には充填部材50が充填される。こうして、図1に示されるような本実施形態の圧力検出装置100が完成する。
かかる圧力検出装置100においては、被測定物からの圧力が、金属ステム10の開口部12から金属ステム10の中空部へ導入され、金属ステム10のダイアフラム11の裏面に印加されたときに、その圧力によってダイアフラム11が変形する。
すると、そのダイアフラム11の変形によって、このダイアフラム11の表面に貼り付けられているセンサチップ20の歪み部21が歪み、センサチップ20は、この歪みに応じたレベルの電気信号を出力する。
そして、そのセンサチップ20から発せられる電気信号は、バンプ40から回路基板30へ伝達され、信号処理などが行われた上で、外部へ出力される。こうして圧力検出が行われるようになっている。
ところで、本実施形態によれば、圧力の印加により歪む歪み部21を有するセンサチップ20と、センサチップ20と電気的に接続された回路基板30とを備える圧力検出装置において、センサチップ20と回路基板30とは対向して配置されており、センサチップ20と回路基板30との間には、これら両部材20、30を電気的に接続するバンプ40が介在しており、センサチップ20と回路基板30との間にてバンプ40以外の部位には、センサチップ20と回路基板30との接続強度を確保する充填部材50が、充填されており、歪み部21に対応した部位には、充填部材50による歪み部21の歪み変形の阻害を緩和する緩和手段60が設けられていることを特徴とする圧力検出装置100が提供される。
それによれば、バンプ40の周囲に充填部材50を配置することによって、補強が行われているため、バンプ40による接続強度を確保できる。
また、歪み部21に対応した部位に緩和手段60を設けているが、本実施形態では、緩和手段は、センサチップ20と回路基板30との間にて歪み部21に対応する領域を取り囲むダム部60を備えたものである。そして、ダム部60の内周領域には充填部材50が存在しない、すなわち、歪み部21に対応する部位には充填部材50が無い構成となっている。
上述したように、圧力検出装置100においては、被測定物からの圧力が金属ステム10のダイアフラム11の裏面に印加され、その圧力によってダイアフラム11とともに歪み部21が歪み、この歪み度合に応じて、圧力検出がなされる。
つまり、上記図6に示される従来のものでは、センサチップ20の歪み部21が、圧力の印加によって回路基板30の方向へ歪もうとするが、その方向には充填部材50が存在し、充填部材50の抑えつけにより、歪み部21の歪みが阻害される。
しかし、本実施形態では、歪み部21が圧力の印加によって歪む方向においては、充填部材50が存在しないため、充填部材50による歪み部21の歪み変形の阻害が緩和される。
つまり、圧力印加時に、歪み部21は、充填部材50によって歪み変形を阻害されることは極力抑制され、印加された圧力に応じた本来の歪み変形がなされるため、精度のよい検出が可能となる。
このように、本実施形態によれば、センサチップ20とこれに電気的に接続された回路基板30とを備える圧力検出装置100において、センサチップ20と回路基板30とを積層しバンプ40を介して電気的に接続するにあたって、バンプ接続部の接続信頼性を適切に確保しつつ、圧力を精度よく検出することができる。
(第2実施形態)
図4は、本発明の第2実施形態に係る圧力検出装置200の概略断面構成を示す図であり、図5は、この圧力検出装置200における回路基板30のセンサチップ20との対向面をみたときの概略平面図である。
図4は、本発明の第2実施形態に係る圧力検出装置200の概略断面構成を示す図であり、図5は、この圧力検出装置200における回路基板30のセンサチップ20との対向面をみたときの概略平面図である。
本実施形態の圧力検出装置200も、圧力の印加により歪む歪み部21を有するセンサチップ20と、センサチップ20と電気的に接続された回路基板30とを、対向して配置し、センサチップ20と回路基板30との間にて、これら両部材20、30を電気的に接続するバンプ40を介在させるとともに、バンプ40以外の部位に両部材20、30の接続強度を確保する充填部材50を充填している。
また、歪み部21に対応した部位に、充填部材50による歪み部21の歪み変形の阻害を緩和する緩和手段70を設けたことも、上記同様であり、それによる作用効果も同様である。
ここにおいて、本実施形態では、緩和手段の具体的構成が上記実施形態と相違するものであり、本実施形態の緩和手段は、図4、図5に示されるように、回路基板30のうち歪み部21に対応した部位に設けられた穴部70を備えるものである。そして、充填部材50に加わる力がこの穴部70から逃がされるようになっている。
この穴部70は、プレス加工などにより形成できるもので、ここでは、穴部70は、図5に示されるように、センサチップ20の歪み部21に対応した穴形状を持つものである。本例では、円形の歪み部21に対応して円形の穴部70としている。
より具体的にいうならば、たとえば拡散層などからなるゲージ抵抗を歪み部21に有するセンサチップ20に対して、穴部70の端部は、上記ゲージ抵抗よりも外周側となるように位置している。
この場合、充填部材50の注入は、たとえば回路基板30の穴部70を別の治具などにより閉塞した状態で行い、樹脂を乾燥させた後、当該治具を取り外し、硬化を行う。または、センサチップ20側を下側に位置させた状態で、充填部材50の注入・硬化を行うようにしてもよい。
本実施形態によれば、歪み部21に対応する部位にも充填部材50が充填されているが、回路基板30側に穴部70が開いていることにより、歪み部21に対応した部位にて充填部材50に加わる力が穴部70から逃がされ、充填部材50による歪み部21の抑えが弱くなる。
つまり、穴部70の存在により、圧力を受けた分の歪み部21の歪み、さらに、それに対応した充填部材50の歪みが減衰しにくくなる。そのため、充填部材50による歪み部21の歪み変形の阻害が緩和され、本実施形態においても、上記した緩和手段の効果が適切に発揮される。
さらに、本実施形態の圧力検出装置200においては、充填部材50の硬化時に発生する空気(ボイド)が回路基板30側の穴部70から逃げることが可能となるため、硬化後の充填部材50中のボイドの発生を抑えることも可能となる。
(他の実施形態)
なお、基材としては、上記した金属ステム10以外でもよい。基材としては、当該基材に貼り付けられたセンサチップに対して圧力を印加できるものであれば、どのようなものであってもよい。
なお、基材としては、上記した金属ステム10以外でもよい。基材としては、当該基材に貼り付けられたセンサチップに対して圧力を印加できるものであれば、どのようなものであってもよい。
また、センサチップ20は、金属ステム10のような基材に取り付けられ、この基材を介して圧力を印加されるものでなくてもよく、直接、測定圧力を受けるものであってもよい。
たとえば、シリコン半導体基板の裏面に凹部を形成し表面側にシリコンダイアフラムを形成してなる半導体ダイアフラム式のセンサチップであってもよい。この場合、センサチップは、基板表面を回路基板に対向させた状態、すなわちフェースダウンの状態でバンプ実装すればよい。
また、センサチップとしては、上記した半導体基板を用いたピエゾ抵抗効果を利用したもの以外にも、基材に印加される圧力を受けて歪むことにより圧力検出を行う歪みゲージとして機能するものであれば、何でもよい。
また、緩和手段としては、充填部材による歪み部の歪み変形の阻害を緩和できるものであるならば、上記したダム部や回路基板の穴部により構成されたもの以外のものであってもよい。
要するに、本発明は、圧力の印加により歪む歪み部を有するセンサチップと、センサチップと電気的に接続された回路基板とを備える圧力検出装置において、これら両部材を対向して配置し、センサチップと回路基板との間にて、これら両部材を電気的に接続するバンプを介在させるとともに、バンプ以外の部位に両部材の接続強度を確保する充填部材を充填し、歪み部に対応した部位に、充填部材による歪み部の歪み変形の阻害を緩和する緩和手段を設けたことを要部とするものであり、その他の部分については、適宜設計変更が可能である。
20…センサチップ、21…センサチップの歪み部、30…回路基板、
40…バンプ、50…充填部材、60…緩和手段としてのダム部、
70…緩和手段としての穴部。
40…バンプ、50…充填部材、60…緩和手段としてのダム部、
70…緩和手段としての穴部。
Claims (3)
- 圧力の印加により歪む歪み部(21)を有するセンサチップ(20)と、
前記センサチップ(20)と電気的に接続された回路基板(30)とを備える圧力検出装置において、
前記センサチップ(20)と前記回路基板(30)とは対向して配置されており、
前記センサチップ(20)と前記回路基板(30)との間には、これら両部材を電気的に接続するバンプ(40)が介在しており、
前記センサチップ(20)と前記回路基板(30)との間にて前記バンプ(40)以外の部位には、前記センサチップ(20)と前記回路基板(30)との接続強度を確保する充填部材(50)が、充填されており、
前記歪み部(21)に対応した部位には、前記充填部材(50)による前記歪み部(21)の歪み変形の阻害を緩和する緩和手段(60、70)が設けられていることを特徴とする圧力検出装置。 - 前記緩和手段は、前記センサチップ(20)と前記回路基板(30)との間にて前記歪み部(21)に対応する領域を取り囲むダム部(60)を備えるものであり、
前記センサチップ(20)と前記回路基板(30)との間にて、前記ダム部(60)の内周領域には前記充填部材(50)が存在せず、外周領域には前記充填部材(50)が充填されていることを特徴とする請求項1に記載の圧力検出装置。 - 前記緩和手段は、前記回路基板(30)のうち前記歪み部(21)に対応した部位に設けられた穴部(70)を備えるものであり、
前記充填部材(50)に加わる力が前記穴部(70)から逃がされるようになっていることを特徴とする請求項1に記載の圧力検出装置。
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JP2005191155A Pending JP2007010462A (ja) | 2005-06-30 | 2005-06-30 | 圧力検出装置 |
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JP (1) | JP2007010462A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2009231802A (ja) * | 2008-02-28 | 2009-10-08 | Denso Corp | 超音波接合方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH07225240A (ja) * | 1994-02-14 | 1995-08-22 | Omron Corp | 半導体加速度センサ及び半導体加速度センサ装置並びに半導体圧力センサ及び半導体圧力センサ装置 |
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2005
- 2005-06-30 JP JP2005191155A patent/JP2007010462A/ja active Pending
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