JPH07225240A - 半導体加速度センサ及び半導体加速度センサ装置並びに半導体圧力センサ及び半導体圧力センサ装置 - Google Patents

半導体加速度センサ及び半導体加速度センサ装置並びに半導体圧力センサ及び半導体圧力センサ装置

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JPH07225240A
JPH07225240A JP6040461A JP4046194A JPH07225240A JP H07225240 A JPH07225240 A JP H07225240A JP 6040461 A JP6040461 A JP 6040461A JP 4046194 A JP4046194 A JP 4046194A JP H07225240 A JPH07225240 A JP H07225240A
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acceleration sensor
semiconductor
detection
pressure sensor
mold resin
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Koichi Hikasa
浩一 日笠
Keisuke Uno
圭輔 宇野
Isamu Kimura
勇 木村
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Omron Corp
Original Assignee
Omron Corp
Omron Tateisi Electronics Co
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 信頼性の高い半導体加速度センサ装置を提供
する。 【構成】 フレーム３の開口部３ａ中央にマス部４を２
本のビーム５により弾性自在にフレーム３に片持ち状に
支持させ、フレーム３上面の開口部３ａ外周域に角枠状
の阻止部２を設けて加速度センサＡを作成する。加速度
センサＡを実装基板１９上に載置し、ビーム５上面に形
成されたピエゾ抵抗素子と接続された電極パッド７と実
装基板１９上の接続端子９とをボンディングワイヤ８で
接続したのち、阻止部２の周辺部から加速度センサチッ
プ１及びボンディングワイヤ８を包むようにしてモール
ド樹脂によりモールドして樹脂部１０を形成し、加速度
センサ装置Ａ１を得る。 【効果】 加速度センサＡの感度が低下することなく、
実装基板１９に樹脂モールドすることができ、落下衝撃
等によっても加速度センサＡは破損されない。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体加速度センサ及び
半導体加速度センサ装置並びに半導体圧力センサ及び半
導体圧力センサ装置に関する。具体的にいうと、本発明
は自動車等の加速度を検出するための半導体加速度セン
サや空気や液体などの流体の圧力を検出するための半導
体圧力センサに関する。また、当該半導体加速度センサ
を実装基板に実装した半導体加速度センサ装置及び当該
半導体圧力センサを実装基板に実装した半導体圧力セン
サ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術とその問題点】図２５（ａ）（ｂ）はそれ
ぞれ従来例である半導体加速度センサ装置Ｃ１を示す一
部破断した平面図及び断面図であって、実装基板１１上
に半導体加速度センサ５１が実装されている。半導体加
速度センサ５１は、角枠状をしたフレーム５２の開口部
分の中央にマス部５３が配設されており、マス部５３は
２本のビーム５４により弾性自在にフレーム５２に支持
されている。フレーム５２やマス部５３及びビーム５４
はシリコンウエハから一体として形成されている。フレ
ーム５２の下面にはガラス製などのカバー５５が接合さ
れ、実装基板１１上に実装されている。ビーム５４上に
はビーム５４の撓み量に応じて抵抗値が変化するピエゾ
抵抗素子（図示せず）が形成され、このピエゾ抵抗素子
はフレーム５２上面に設けられた接続パッド５６から、
ボンディングワイヤ５７によって実装基板１１上に設け
られた検知回路の接続端子５８に電気的に接続されてい
る。
【０００３】この加速度センサ装置Ｃ１にあっては、例
えば取り扱い上のミスなどによる落下衝撃や使用中の温
湿度環境による熱歪みあるいは振動による疲労などによ
って、加速度センサ５１の実装部分すなわちカバー５５
と実装基板１１との接合部や加速度センサ５１のカバー
５５とフレーム５２との接合部、あるいは接続パッド５
６とボンディングワイヤ５７との接続部分などが外れた
りする場合がある。また、加速度センサ５１自身が破損
したりボンディングワイヤ５７が断線したりする場合が
ある。このため、加速度センサ装置Ｃ１の信頼性が低下
していた。
【０００４】一方これらの破損等から加速度センサ装置
Ｃ１を保護するために、加速度センサ５１全体をモール
ド樹脂等により包み込むことが考えられるが、この加速
度センサ５１にあってはマス部５３やビーム５４が露出
しているため、モールド樹脂により加速度センサ５１全
体を包み込もうとすれば、モールド樹脂によりビーム５
４の弾性変形やマス部５３の変位が妨げられ、加速度を
測定することができないという問題点があった。
【０００５】図２６（ａ）（ｂ）に示すものはそれぞれ
別な従来例である加速度センサ装置Ｃ２の平面図及び断
面図である。この加速度センサ装置Ｃ２の加速度センサ
６１は、フレーム５２の上面に別なカバー６２が接合さ
れており、ビーム５４上に形成されたピエゾ抵抗素子は
フレーム５２とカバー５５との間の隙間６３に配設され
た接続配線６４によりフレーム５２上面に設けられた接
続パッド５６に電気的に接続されている。
【０００６】この加速度センサ６１にあっても、モール
ド樹脂により加速度センサ６１全体を包み込もうとすれ
ば、図中の矢印で示すようにフレーム５２とカバー５５
との間の隙間６３からモールド樹脂がビーム５４上やマ
ス部５３上に流れ込んでしまうという問題点があった。
【０００７】また、図２７（ａ）（ｂ）に示すものはそ
れぞれ従来例である半導体圧力センサ装置Ｄ１の平面図
及び断面図であって、半導体圧力センサ７１がカバー７
４を介して実装基板１１上に実装されている。この圧力
センサ７１は、フレーム７２に支持されたダイアフラム
７３上にピエゾ抵抗素子（図示せず）が形成されてい
て、ピエゾ抵抗素子はフレーム７２上面に設けられた接
続パッド７５から、ボンディングワイヤ７６などによっ
て実装基板１１上に設けられた検知回路の接続端子７７
に接続されている。この圧力センサ装置Ｄ１にあって
も、ダイアフラム７３が露出されているため、モールド
樹脂によりダイアフラム７３の変位が妨げられる恐れが
ある。
【０００８】さらに図２８（ａ）（ｂ）には別な従来例
である半導体圧力センサ装置Ｄ２を示すが、圧力センサ
８１のフレーム７２上面には別なカバー８２が接合さ
れ、ダイアフラム７３上に形成されたピエゾ抵抗素子
は、カバー８２とフレーム７２との間に設けられた隙間
８３に配設された接続配線８４により接続パッド７５に
電気的に接続されている。この圧力センサ装置Ｄ２にあ
っても、加速度センサ装置Ｃ２と同様に圧力センサ８１
をモールド樹脂等により包み込もうとすれば、隙間８３
からモールド樹脂が流れ込み、ダイアフラム７３の変位
が妨げられてしまうという問題点があった。
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】本発明は叙上の従来例の欠点に鑑みてなさ
れたものであり、その目的とするところは、ビームやマ
ス部の変位あるいはダイアフラムの変位が妨げられない
ように加速度センサ全体や圧力センサ全体をモールド樹
脂により包み込み、信頼性の高い半導体加速度センサ装
置や半導体圧力センサ装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の半導体加
速度センサは、弾性を有するビームと前記ビームにより
検知基板に弾性自在に支持させたマス部とからなる検知
部を露出させた半導体加速度センサチップと、前記検知
基板上面の前記検知部外周域に設けた枠状のモールド樹
脂阻止部とを備えたことを特徴としている。
【００１１】本発明の第２の半導体加速度センサは、弾
性を有するビームと前記ビームにより検知基板に弾性自
在に支持させたマス部とからなる検知部を露出させた半
導体加速度センサチップと、前記検知基板外周域に設け
た傾斜状若しくは段差状のモールド樹脂阻止部とを備え
たことを特徴としている。
【００１２】本発明の第３の半導体加速度センサは、弾
性を有するビームと前記ビームにより検知基板に弾性自
在に支持させたマス部とからなる検知部を露出させた半
導体加速度センサチップと、前記検知部を覆うようにし
て前記検知基板上面に設けたモールド樹脂阻止部とを備
えたことを特徴としている。
【００１３】また、本発明の第４の半導体加速度センサ
は、弾性を有するビームによりマス部を弾性自在に支持
させた検知基板の上面に固定基板を貼り合わせ、前記マ
ス部及び前記ビームからなる検知部周辺に形成された空
間と外部とを連通する隙間を前記検知基板と前記固定基
板との間に設けた半導体加速度センサチップと、前記隙
間を覆うようにして設けたモールド樹脂阻止部とを備え
たことを特徴としている。
【００１４】さらに、本発明の第５の半導体加速度セン
サは、弾性を有するビームと前記ビームにより検知基板
に弾性自在に支持させたマス部とからなる検知部を設け
た半導体加速度センサチップと、当該半導体加速度セン
サチップの外周域に設けた枠状のモールド樹脂阻止部と
を備えたことを特徴としている。
【００１５】本発明の第１の半導体加速度センサ装置
は、上記第１、第２、第３又は第４の半導体加速度セン
サを実装基板に実装した半導体加速度センサ装置であっ
て、少なくとも当該モールド樹脂阻止部の外周域に前記
検知部と接触しないようにモールド樹脂部を形成したこ
とを特徴としている。
【００１６】本発明の第２の半導体加速度センサ装置
は、上記第３又は第４の半導体加速度センサを実装基板
に実装した半導体加速度センサ装置であって、当該半導
体加速度センサを覆うようにモールド樹脂部を形成した
ことを特徴としている。この半導体加速度センサ装置に
あっては、当該モールド樹脂部及び当該モールド樹脂阻
止部に貫通穴を開口し、当該検知部を納めた空間を外部
に開放することとしてもよい。
【００１７】また、本発明の第３の半導体加速度センサ
装置は、前記第５の半導体加速度センサを実装基板に実
装した半導体加速度センサ装置であって、当該半導体加
速度センサチップと当該モールド樹脂阻止部との間にモ
ールド樹脂を充填し、前記検知部と接触しないようにモ
ールド樹脂部を形成したことを特徴としている。
【００１８】本発明の第１の半導体圧力センサは、薄膜
状の検知部を弾性自在に検知基板に支持させて、前記検
知部を露出させた半導体圧力センサチップと、前記検知
基板上面の前記検知部外周域に設けた枠状のモールド樹
脂阻止部とを備えたことを特徴としている。
【００１９】本発明の第２の半導体圧力センサは、薄膜
状の検知部を弾性自在に検知基板に支持させて、前記検
知部を露出させた半導体圧力センサチップと、前記検知
基板外周域に設けた傾斜状若しくは段差状のモールド樹
脂阻止部とを備えたことを特徴としている。
【００２０】本発明の第３の半導体圧力センサは、弾性
を有するビームと前記ビームにより検知基板に弾性自在
に支持させたマス部とからなる検知部を露出させた半導
体加速度センサチップと、前記検知部を覆うようにして
前記検知基板上面に設けたモールド樹脂阻止部とを備え
たことを特徴としている。
【００２１】また、本発明の第４の半導体圧力センサ
は、薄膜状の検知部を弾性自在に支持させた検知基板の
上面に固定基板を貼り合わせ、前記検知部上面に形成さ
れた空間と外部とを連通する隙間を前記検知基板と前記
固定基板との間に設けた半導体圧力センサチップと、前
記隙間を覆うようにして設けたモールド樹脂阻止部とを
備えたことを特徴としている。
【００２２】さらに、本発明の第５の半導体圧力センサ
は、薄膜状の検知部を弾性自在に検知基板に支持させた
半導体圧力センサチップと、当該半導体圧力センサチッ
プの外周域に設けた枠状のモールド樹脂阻止部とを備え
たことを特徴としている。
【００２３】本発明の第１の半導体圧力センサ装置は、
上記第１、第２、第３又は第４の半導体圧力センサを実
装基板に実装した半導体圧力センサ装置であって、少な
くとも当該モールド樹脂阻止部の外周域に前記検知部と
接触しないようにモールド樹脂部を形成したことを特徴
としている。
【００２４】本発明の第２の半導体圧力センサ装置は、
上記第３又は第４の半導体圧力センサを実装基板に実装
した半導体圧力センサ装置であって、当該半導体圧力セ
ンサを覆うようにモールド樹脂部を形成したことを特徴
としている。この半導体圧力センサ装置にあっては、当
該モールド樹脂部及び当該モールド樹脂阻止部に貫通穴
を開口し、当該検知部を納めた空間を外部に開放するこ
ととしてもよい。
【００２５】本発明の第３の半導体圧力センサ装置は、
上記第５の半導体圧力センサを実装基板に実装した半導
体圧力センサ装置であって、当該半導体圧力センサチッ
プと当該モールド樹脂阻止部との間にモールド樹脂を充
填し、前記検知部と接触しないようにモールド樹脂部を
形成したことを特徴としている。
【００２６】
【作用】本発明の第１、第２及び第３の半導体加速度セ
ンサにあっては、検知部が露出した半導体加速度センサ
チップの検知部外周域に枠状又は傾斜状若しくは段差状
のモールド樹脂阻止部を形成し、又は検知部を覆うよう
にして検知基板上面にモールド樹脂阻止部を設けている
ので、モールド樹脂が検知部上に流れ出ることなく加速
度センサを実装基板にモールドすることができる。
【００２７】また、本発明の第４の半導体加速度センサ
にあっては、検知部の周囲に形成された空間と外部とを
連通する隙間を設けた半導体加速度センサチップの当該
隙間を覆うようにしてモールド樹脂阻止部を設けている
ので、モールド樹脂が当該隙間より検知部に流れ出るこ
となく加速度センサを実装基板にモールドすることがで
きる。
【００２８】さらに、本発明の第５の半導体加速度セン
サにあっては、検知部が露出した半導体加速度センサチ
ップ若しくは検知部の周囲に形成された空間と外部とを
連通する隙間を設けた半導体加速度センサチップの外周
域に枠状のモールド樹脂阻止部を設けているので、モー
ルド樹脂の必要量をあらかじめ求めておき、枠内に必要
量のモールド樹脂を注入することによってモールド樹脂
が検知部上に流れ出ることなく加速度センサを実装基板
にモールドすることができる。
【００２９】したがって、ビームやマス部の変位が妨げ
られることなくモールド樹脂等により加速度センサを実
装基板に実装することができる。また、このようにモー
ルド樹脂等で実装基板に装着することにすれば、落下衝
撃などによっても加速度センサが容易に実装基板から脱
離せず又は加速度センサが容易に破損されないので、加
速度センサ装置の信頼性を高めることができる。
【００３０】また第３又は第４の加速度センサにあって
は、加速度センサ全体を覆うようにしてモールドするこ
とができるので、より落下等の衝撃などに対して強度を
高めることができる。この場合にはモールド樹脂部及び
モールド樹脂阻止部に貫通穴を開口して当該検知部を納
めた空間を外部に開放しておけば、加速度センサ装置を
金属パッケージ内に減圧封止又は窒素封止することによ
り加速度センサを減圧下や窒素雰囲気中に置くことがで
き、さらに加速度センサ装置の信頼性を高めることがで
きる。
【００３１】本発明の第１、第２及び第３の半導体圧力
センサにあっては、薄膜状の検知部が露出した半導体圧
力センサチップの検知部外周域に枠状又は傾斜状若しく
は段差状のモールド樹脂阻止部を形成し、又は検知部を
覆うようにしてモールド樹脂阻止部を設けているので、
モールド樹脂が検知部上に流れ出ることなく圧力センサ
を実装基板にモールドすることができる。
【００３２】また、本発明の第４の半導体圧力センサに
あっては、検知部の周囲に形成された空間と外部とを連
通する隙間を設けた半導体圧力センサチップの当該隙間
を覆うようにしてモールド樹脂阻止部を設けているの
で、モールド樹脂が当該隙間より検知部に流れ出ること
なく圧力センサを実装基板にモールドすることができ
る。
【００３３】さらに、本発明の第５の半導体圧力センサ
にあっては、検知部が露出した半導体圧力センサチップ
若しくは検知部の周囲に形成された空間と外部とを連通
する隙間を設けた半導体圧力センサチップの外周域に枠
状のモールド樹脂阻止部を設けているので、モールド樹
脂の必要量をあらかじめ求めておき、枠内に必要量のモ
ールド樹脂を注入することによってモールド樹脂が検知
部上に流れ出ることなく圧力センサを実装基板にモール
ドすることができる。
【００３４】したがって、検知部の変位がモールド樹脂
に妨げられることなく、圧力センサを確実に実装基板に
実装することができる。また、このようにモールド樹脂
により実装することにより落下衝撃などによっても圧力
センサが容易に実装基板から脱離せず又は圧力センサが
容易に破損されないので、圧力センサ装置の信頼性を高
めることができる。
【００３５】また第３又は第４の圧力センサにあって
は、圧力センサ全体を覆うようにしてモールドすること
ができるので、より落下等の衝撃などに対して強度を高
めることができる。この場合にはモールド樹脂部及びモ
ールド樹脂阻止部に貫通穴を開口して当該検知部を納め
た空間を外部に開放しておけば、圧力センサ装置を金属
パッケージ内に減圧封止又は窒素封止することにより圧
力センサを減圧下や窒素雰囲気中に置くことができ、さ
らに圧力センサ装置の信頼性を高めることができる。
【００３６】
【実施例】図１（ａ）（ｂ）に示すものは、本発明の一
実施例である加速度センサＡを示す平面図及び断面図で
あって、１は加速度センサチップ、２は阻止部、１９は
実装基板である。加速度センサチップ１は、フレーム３
の開口部３ａ中央にマス部４が配設されており、２本の
ビーム５により弾性自在にフレーム３に片持ち状に支持
されている。フレーム３やビーム５及びマス部４はシリ
コンウエハより半導体製造技術により一体として形成さ
れている。ビーム５の上面には、ビーム５の撓み量に応
じて抵抗値が変化するピエゾ抵抗素子（図示せず）が形
成されていて、ピエゾ抵抗素子はフレーム３上面の接続
パッド７に接続されている。また、フレーム３の下面に
はガラス製のカバー６が接合され、実装基板１９に実装
されている。フレーム３の開口部３ａの外周域には角枠
状をした阻止部２が設けられている。
【００３７】図２に示すものはこの加速度センサＡが実
装された半導体加速度センサ装置Ａ１の断面図である。
加速度センサ装置Ａ１は実装基板１９上に載置されたの
ち、実装基板１９上に設けられた検知回路等の接続端子
９と接続パッド７とがボンディングワイヤ８によって接
続され、阻止部２の周辺部から加速度センサチップ１及
びボンディングワイヤ８を包むようにして樹脂部１０が
形成されている。この加速度センサ装置Ａ１のように阻
止部２は開口部３ａの周囲に角枠状に設けられているの
で、モールド樹脂等によって加速度センサＡを実装基板
１９にモールドした場合にもモールド樹脂がフレーム３
の開口部３ａに入り込まず、モールド樹脂によってビー
ム５やマス部４の弾性変位が妨げられることがない。
【００３８】また、この半導体加速度センサ装置Ａ１に
あっては、加速度センサＡは樹脂部１０によりモールド
されているので落下などに対する衝撃が和らげられ、加
速度センサ装置Ａ１の落下や振動等によっても、実装基
板１９から加速度センサＡが脱離することがなく、フレ
ーム３がカバー６からはがれることもない。また、ボン
ディングワイヤ８も接続パッド７や接続端子９から外れ
ることが少なくなり、加速度センサ装置Ａ１の信頼性を
高めることができる。さらに、使用環境による熱歪みな
どが樹脂部１０によって抑えられ、加速度センサ装置Ａ
１の温度特性を向上させることもできる。
【００３９】図３（ａ）（ｂ）に示すものは、本発明の
別な実施例である半導体加速度センサＢの平面図及び断
面図である。加速度センサチップ１のフレーム３外周の
４つの端面を傾斜状に切り欠くようにして段差が形成さ
れ、阻止部２がフレーム３の外周域に設けられており、
阻止部２にはフレーム３よりも低い位置に平坦部２ａが
設けらている。この平坦部２ａにピエゾ抵抗素子と接続
された接続パッド７が設けられている。なお、平坦部２
ａは接続パッド７を設けるためのものであり、後述する
ように単純な傾斜からなる阻止部２をフレーム３の外周
域に設けることでもよい（図１４参照）。また、平坦部
２ａを設けておけば確実に加速度センサＢをモールドす
ることができる。
【００４０】図４にはこの半導体加速度センサＢが実装
基板１９上に実装された加速度センサ装置Ａ２の断面図
を示すが、接続パッド７と実装基板１９上の接続端子９
とはボンディングワイヤ８により接続されており、加速
度センサＢの阻止部２には加速度センサチップ１及びボ
ンディングワイヤ８を包み込むようにして樹脂部１０が
形成されている。このように加速度センサチップ１の周
辺部に段差若しくは傾斜を設けるとモールド樹脂がフレ
ーム３上面に流れ込むことが少なく、樹脂部１０によっ
て加速度センサＢを実装基板１９に確実に実装すること
ができる。
【００４１】図５（ａ）（ｂ）に本発明のさらに別な実
施例である加速度センサＣの平面図及び断面図を示す。
この加速度センサＣは、加速度センサチップ１のフレー
ム３上面に開口部３ａを覆うようにしてカバー状の阻止
部２が設けられている。このような加速度センサＣにあ
っては、図６に示すように加速度センサＣ及びボンディ
ングワイヤ８の全体をモールド樹脂等により完全に包み
込むことができ、さらに信頼性を向上させた加速度セン
サ装置Ａ３を提供することができる。あるいは、図７に
示すように樹脂部１０及び阻止部２に貫通穴１２を開口
させておくことにより、加速度センサ装置Ａ４を金属パ
ッケージなどに納め、金属パッケージ内を減圧状態にし
たり、Ｎ2で充填することができる。このように減圧状
態にした場合やＮ2で充填した場合にはマス部４を抵抗
なく変位させることができ、また自動車の排気ガスなど
による腐食性ガスなどから加速度センサＣを保護するこ
ともできる。また、阻止部２等に貫通穴１２を開口し、
加速度センサＣの空間内を減圧若しくはＮ2充填したの
ち再度貫通穴１２をモールド樹脂で塞ぐこととしてもよ
い。
【００４２】図８（ａ）（ｂ）に示すものは、本発明の
さらに別な実施例である加速度センサＤの平面図及び断
面図である。加速度センサチップ１１は、フレーム３の
上面にさらに別なカバー１３が重ねられ、その周辺部を
フレーム３に接合されている。カバー１３の内面には接
続部１４が凹設されており（接続部１４をフレーム３に
設けてもよい）、接続部１４内に配設された接続配線１
５によって、ビーム５上に形成されたピエゾ抵抗素子と
接続パッド７とが電気的に接続されている。加速度セン
サＤは、接続部１４によって形成された隙間１６を防ぐ
ようにカバー１３の上面からフレーム３にかけてカバー
状をした阻止部２が設けられている。したがって、図９
に示した加速度センサ装置Ａ５のように、加速度センサ
Ｄ全体を覆い包むように樹脂部１０を形成して実装基板
１９に加速度センサＤを実装する場合でも、この阻止部
２によってモールド樹脂が隙間１６から接続部１４内に
流れ込むのを防ぐことができる。もちろん、阻止部２の
両側には側部１７が設けられており、この側部１７があ
るため阻止部２の両側から接続部１４内にモールド樹脂
が流れ込むことはない。また、図１０に示すように樹脂
部１０及び阻止部２に貫通穴１２を開口させ、加速度セ
ンサ装置Ａ６を金属パッケージ内に納めて減圧充填やＮ
2充填することとしてもよい。
【００４３】図１１（ａ）（ｂ）に示すものはさらに別
な実施例である加速度センサＥを示す。加速度センサＥ
は、加速度センサチップ１と加速度センサチップ１の外
周域に設けられた枠状の阻止部２とから構成されてい
る。この阻止部２は加速度センサチップ１が実装された
実装基板１９上に載置されており、例えば図１１に示す
ように加速度センサチップ１の上面よりも高く形成され
ている。このため、この阻止部２の大きさと加速度セン
サチップ１との大きさに応じて阻止部２の枠内に注入す
る樹脂量をあらかじめ算出しておくことができ、この算
出された所定量の樹脂量を阻止部２内に注入してフレー
ム３の上面にモールド樹脂が溢れでないようにすること
ができる。したがって、図１２に示す加速度センサ装置
Ａ７のように、ビーム５やマス部４の変位が妨げられる
ことなく加速度センサチップ１を樹脂部１０により固定
することができ、加速度センサ装置Ａ７の信頼性を高め
ることができる。また、この実施例のように阻止部２内
に検知回路の接続端子９があるように阻止部２を設ける
と、ボンディングワイヤ８も樹脂部１０により固定する
ことができるので、ボンディングワイヤ８と接続端子９
との接続が簡単に外れることも少なくなる。もちろん、
フレーム３とカバー１３の間に隙間１６が形成された加
速度センサチップ１１の外周域に枠状の阻止部２を設け
ることとしてもよい。
【００４４】図１３（ａ）（ｂ）に示すものは、本発明
の一実施例である半導体圧力センサＦの平面図及び断面
図である。圧力センサＦは圧力センサチップ２１と阻止
部２２とから構成されており、圧力センサチップ２１は
角枠状をしたフレーム２３の中央に薄膜状のダイアフラ
ム２４が支持されており、ダイアフラム２４の上面に形
成されたピエゾ抵抗素子はフレーム２３上面の接続パッ
ド２６に電気的に接続されている。フレーム２３の下面
にはカバー２５が接合されて実装基板３９に実装されて
おり、測定圧力は実装基板３９及びカバー２５に設けら
れた圧力導入路３２からダイアフラム２４下面に印加で
きるようになっている。また、実装基板３９上にはピエ
ゾ抵抗素子の抵抗値を検知できるように検知回路が設け
られており、ボンディングワイヤ２８によって接続パッ
ド２６と検知回路の接続端子２７とを電気的に接続する
ことができる。また、阻止部２２はフレーム２３上面の
ダイアフラム２４の外周域に角枠状に設けられている。
【００４５】図１４に示すものは、圧力センサＦが実装
基板２１に実装された圧力センサ装置Ｂ１を示す断面図
であって、圧力センサＦの接続パッド２６と接続端子２
７とがボンディングワイヤ２８で接続されており、阻止
部２２の周辺部から圧力センサチップ２１及びボンディ
ングワイヤ２８を包み込むようにしてモールド樹脂等に
よって樹脂部３０が形成されている。阻止部２２はフレ
ーム２３上面のダイアフラム２４の外周域に設けられて
いるため、樹脂部３０を形成するためのモールド樹脂は
ダイアフラム２４上に流れ出すことがなく、樹脂部３０
によってダイアフラム２４の変位が妨げられることがな
い。また、樹脂部３０により圧力センサＦを実装基板３
９に確実に実装することができる。
【００４６】また、図１５及び図１６にはさらに別な実
施例である圧力センサＧ及び圧力センサ装置Ｂ２を示
す。図１５（ａ）（ｂ）はそれぞれ圧力センサＧを示す
平面図及び断面図であって、圧力センサＧのフレーム２
３の４つの端面が傾斜状に切り欠かれ、阻止部２２がダ
イアフラム２４の周辺部に傾斜状に設けられている。ま
た、阻止部２２にはフレーム２３の上面よりも低くなっ
た平坦部２２ａが設けられており、この平坦部２２ａに
接続パッド２６が設けられている。
【００４７】この圧力センサ装置Ｂ２において圧力セン
サＧの阻止部２２には、図１６に示すように圧力センサ
Ｇ及びボンディングワイヤ２８を包みこむようにして樹
脂部３０が形成されている。このように、フレーム２３
に傾斜状の阻止部２２を設けることによりダイアフラム
２４上にモールド樹脂が溢れ出ないようにして樹脂部３
０を形成することができる。
【００４８】図１７（ａ）（ｂ）はそれぞれさらに別な
実施例である圧力センサＨを示す平面図及び断面図であ
る。圧力センサＨは、圧力センサチップ２１のフレーム
２３上面にダイアフラム２４を覆うようにしてカバー状
の阻止部２２が設けられている。この圧力センサＨにあ
っても図１８に示すように圧力センサチップ２１全体を
包み込むようにして樹脂部３０を形成して実装基板３９
上に圧力センサＨを実装し、圧力センサ装置Ｂ３を作成
することができる。また、図１９に示した圧力センサ装
置Ｂ４のようにダイアフラム２４の上面に基準圧力を導
入できるように阻止部２２及び樹脂部３０に貫通穴３３
を開口してもよく、圧力センサ装置Ｂ４をさらに金属パ
ッケージに納め、金属パッケージ内にＮ2などの不活性
ガスを封入することとしてもよい。
【００４９】図２０（ａ）（ｂ）に示すものはさらに別
な実施例である圧力センサＩの平面図及び断面図であ
る。圧力センサチップ３１は、ダイアフラム２４が支持
されたフレーム２３の上面にさらに別なカバー２９が設
けられており、カバー２９の内面にはダイアフラム２４
がその厚さ方向に自由に弾性自在に変位できるように窪
み３５が設けられている。カバー２５の内面には、窪み
３５と空間的につながった接続部３４が凹設されてい
て、接続部３４にはダイアフラム２４上面に形成された
ピエゾ抵抗素子と接続パッドと２６を結ぶ接続配線３７
が配設されている。この接続部３４によって形成された
隙間３６を覆うようにしてカバー状の阻止部２２が設け
られている。
【００５０】図２１に示すものはこの圧力センサＩを実
装基板３９に実装した圧力センサ装置Ｂ５を示す一部破
断した断面図であって、図２１に示すように接続パッド
２６と接続端子２７とがボンディングワイヤ２８により
接続され、圧力センサＩ及びボンディングワイヤ２８な
どを包み込むようにして樹脂部３０により包み込まれて
いる。さらに、図２２に示した圧力センサ装置Ｂ６に示
すように樹脂部３０及び阻止部２２に貫通穴３３を開口
しておくことにしてもよい。
【００５１】図２３（ａ）（ｂ）に示すものはそれぞれ
本発明のさらに別な実施例である圧力センサＪの平面図
及び断面図である。圧力センサＪは、圧力センサチップ
２１の外周域に枠状の阻止部２２が配置されており、図
２４に示すように阻止部２２の枠内にモールド樹脂を所
定量注入することによりダイアフラム２４上面にモール
ド樹脂が溢れでないように樹脂部３０を形成し、圧力セ
ンサ装置Ｂ７を作成することができる。
【００５２】
【発明の効果】本発明の半導体加速度センサ又は半導体
圧力センサにあっては、検知部の外周域に枠状又は傾斜
状若しくは段差状のモールド樹脂阻止部を設け、あるい
は検知部と外部とを連通する隙間を覆うようにして、モ
ールド樹脂阻止部を設けているので、検知部にモールド
樹脂が流れ出ることなく実装基板にモールドすることが
できる。また、半導体加速度センサ又は半導体圧力セン
サにあっては、センサチップの外周域に枠状のモールド
樹脂阻止部を設けているので、検知部にモールド樹脂が
流れ出ることなく枠内にモールド樹脂を注入して実装基
板にモールドすることができる。
【００５３】このためセンサ感度を低下させることなく
加速度センサ又は圧力センサを実装基板にモールドする
ことができる。したがって、落下衝撃などによっても実
装基板から加速度センサ又は圧力センサが脱離や破損を
生じず、加速度センサ装置又は圧力センサ装置の信頼性
を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）（ｂ）はそれぞれ本発明の一実施例であ
る半導体加速度センサを示す平面図及び断面図である。
【図２】本発明の一実施例である半導体加速度センサ装
置を示す一部破断した断面図である。
【図３】（ａ）（ｂ）はそれぞれ本発明の別な実施例で
ある半導体加速度センサを示す平面図及び断面図であ
る。
【図４】本発明の別な実施例である半導体加速度センサ
装置を示す一部破断した断面図である。
【図５】（ａ）（ｂ）はそれぞれ本発明のさらに別な実
施例である半導体加速度センサを示す平面図及び断面図
である。
【図６】本発明のさらに別な実施例である半導体加速度
センサ装置を示す一部破断した断面図である。
【図７】本発明のさらに別な実施例である半導体加速度
センサ装置を示す一部破断した断面図である。
【図８】（ａ）（ｂ）はそれぞれ本発明のさらに別な実
施例である半導体加速度センサを示す平面図及び断面図
である。
【図９】本発明のさらに別な実施例である半導体加速度
センサ装置を示す一部破断した断面図である。
【図１０】本発明のさらに別な実施例である半導体加速
度センサ装置を示す一部破断した断面図である。
【図１１】（ａ）（ｂ）はそれぞれ本発明のさらに別な
実施例である半導体加速度センサを示す平面図及び断面
図である。
【図１２】本発明のさらに別な実施例である半導体加速
度センサ装置を示す一部破断した断面図である。
【図１３】（ａ）（ｂ）はそれぞれ本発明の一実施例で
ある半導体圧力センサを示す平面図及び断面図である。
【図１４】本発明の一実施例である半導体圧力センサ装
置を示す一部破断した断面図である。
【図１５】（ａ）（ｂ）はそれぞれ本発明の別な実施例
である半導体圧力センサを示す平面図及び断面図であ
る。
【図１６】本発明の別な実施例である半導体圧力センサ
装置を示す一部破断した断面図である。
【図１７】（ａ）（ｂ）はそれぞれ本発明のさらに別な
実施例である半導体圧力センサを示す平面図及び断面図
である。
【図１８】本発明のさらに別な実施例である半導体圧力
センサ装置を示す一部破断した断面図である。
【図１９】本発明のさらに別な実施例である半導体圧力
センサ装置を示す一部破断した断面図である。
【図２０】（ａ）（ｂ）はそれぞれ本発明のさらに別な
実施例である半導体圧力センサを示す平面図及び断面図
である。
【図２１】本発明のさらに別な実施例である半導体圧力
センサ装置を示す一部破断した断面図である。
【図２２】本発明のさらに別な実施例である半導体圧力
センサ装置を示す一部破断した断面図である。
【図２３】（ａ）（ｂ）はそれぞれ本発明のさらに別な
実施例である半導体圧力センサを示す平面図及び断面図
である。
【図２４】本発明のさらに別な実施例である半導体圧力
センサ装置を示す一部破断した断面図である。
【図２５】（ａ）（ｂ）はそれぞれ従来例である半導体
加速度センサ装置を示す平面図及び断面図である。
【図２６】（ａ）（ｂ）はそれぞれ別な従来例である半
導体加速度センサ装置を示す平面図及び断面図である。
【図２７】（ａ）（ｂ）はそれぞれ従来例である半導体
圧力センサ装置を示す平面図及び断面図である。
【図２８】（ａ）（ｂ）はそれぞれ別な従来例である半
導体圧力センサ装置を示す平面図及び断面図である。
【符号の説明】
Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４，Ａ５，Ａ６，Ａ７ 半導体加
速度センサ装置 １，１１ 半導体加速度センサチップ ３ フレーム ４ マス部 ５ ビーム ８ ボンディングワイヤ １０ 樹脂部 １５ 接続配線 １６ 隙間 １９ 実装基板 Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４，Ｂ５，Ｂ６，Ｂ７ 半導体圧
力センサ装置 ２１，３１ 半導体圧力センサチップ ２２ 阻止部 ３６ 隙間

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 弾性を有するビームと前記ビームにより
    検知基板に弾性自在に支持させたマス部とからなる検知
    部を露出させた半導体加速度センサチップと、 前記検知基板上面の前記検知部外周域に設けた枠状のモ
    ールド樹脂阻止部とを備えたことを特徴とする半導体加
    速度センサ。
  2. 【請求項２】 弾性を有するビームと前記ビームにより
    検知基板に弾性自在に支持させたマス部とからなる検知
    部を露出させた半導体加速度センサチップと、 前記検
    知基板外周域に設けた傾斜状若しくは段差状のモールド
    樹脂阻止部とを備えたことを特徴とする半導体加速度セ
    ンサ。
  3. 【請求項３】 弾性を有するビームと前記ビームにより
    検知基板に弾性自在に支持させたマス部とからなる検知
    部を露出させた半導体加速度センサチップと、 前記検知部を覆うようにして前記検知基板上面に設けた
    モールド樹脂阻止部とを備えたことを特徴とする半導体
    加速度センサ。
  4. 【請求項４】 弾性を有するビームによりマス部を弾性
    自在に支持させた検知基板の上面に固定基板を貼り合わ
    せ、前記マス部及び前記ビームからなる検知部周辺に形
    成された空間と外部とを連通する隙間を前記検知基板と
    前記固定基板との間に設けた半導体加速度センサチップ
    と、 前記隙間を覆うようにして設けたモールド樹脂阻止部と
    を備えたことを特徴とする半導体加速度センサ。
  5. 【請求項５】 請求項１、２、３又は４に記載の半導体
    加速度センサを実装基板に実装した半導体加速度センサ
    装置において、 少なくとも当該モールド樹脂阻止部の外周域に前記検知
    部と接触しないようにモールド樹脂部を形成したことを
    特徴とする半導体加速度センサ装置。
  6. 【請求項６】 請求項３又は４に記載の半導体加速度セ
    ンサを実装基板に実装した半導体加速度センサ装置にお
    いて、 当該半導体加速度センサを覆うようにモールド樹脂部を
    形成したことを特徴とする半導体加速度センサ装置。
  7. 【請求項７】 前記モールド樹脂部及び前記モールド樹
    脂阻止部に貫通穴を開口し、前記検知部を納めた空間を
    外部に開放したことを特徴とする請求項６に記載の半導
    体加速度センサ装置。
  8. 【請求項８】 弾性を有するビームと前記ビームにより
    検知基板に弾性自在に支持させたマス部とからなる検知
    部を設けた半導体加速度センサチップと、 当該半導体加速度センサチップの外周域に設けた枠状の
    モールド樹脂阻止部とを備えたことを特徴とする半導体
    加速度センサ。
  9. 【請求項９】 請求項８に記載の半導体加速度センサを
    実装基板に実装した半導体加速度センサ装置において、 当該半導体加速度センサチップと当該モールド樹脂阻止
    部との間に前記検知部と接触しないようにモールド樹脂
    を充填し、モールド樹脂部を形成したことを特徴とする
    半導体加速度センサ装置。
  10. 【請求項１０】 薄膜状の検知部を弾性自在に検知基板
    に支持させて、前記検知部を露出させた半導体圧力セン
    サチップと、 前記検知基板上面の前記検知部外周域に設けた枠状のモ
    ールド樹脂阻止部とを備えたことを特徴とする半導体圧
    力センサ。
  11. 【請求項１１】 薄膜状の検知部を弾性自在に検知基板
    に支持させて、前記検知部を露出させた半導体圧力セン
    サチップと、 前記検知基板外周域に設けた傾斜状若しくは段差状のモ
    ールド樹脂阻止部とを備えたことを特徴とする半導体圧
    力センサ。
  12. 【請求項１２】 薄膜状の検知部を弾性自在に検知基板
    に支持させて、前記検知部を露出させた半導体圧力セン
    サチップと、 前記検知部を覆うようにして前記検知基板上面に設けた
    モールド樹脂阻止部とを備えたことを特徴とする半導体
    圧力センサ。
  13. 【請求項１３】 薄膜状の検知部を弾性自在に支持させ
    た検知基板の上面に固定基板を貼り合わせ、前記検知部
    上面に形成された空間と外部とを連通する隙間を前記検
    知基板と前記固定基板との間に設けた半導体圧力センサ
    チップと、 前記隙間を覆うようにして設けたモールド樹脂阻止部と
    を備えたことを特徴とする半導体圧力センサ。
  14. 【請求項１４】 請求項１０、１１、１２又は１３に記
    載の半導体圧力センサを実装基板に実装した半導体圧力
    センサ装置において、 少なくとも当該モールド樹脂阻止部の外周域に前記検知
    部と接触しないようにモールド樹脂部を形成したことを
    特徴とする半導体圧力センサ装置。
  15. 【請求項１５】 請求項１２又は１３に記載の半導体圧
    力センサを実装基板に実装した半導体圧力センサ装置に
    おいて、 当該半導体圧力センサを覆うようにモールド樹脂部を形
    成したことを特徴とする半導体圧力センサ装置。
  16. 【請求項１６】 当該モールド樹脂部及び当該モールド
    樹脂阻止部に貫通穴を開口し、前記検知部を納めた空間
    を外部に開放したことを特徴とする請求項１５に記載の
    半導体圧力センサ装置。
  17. 【請求項１７】 薄膜状の検知部を弾性自在に検知基板
    に支持させた半導体圧力センサチップと、 当該半導体圧力センサチップの外周域に設けた枠状のモ
    ールド樹脂阻止部とを備えたことを特徴とする半導体圧
    力センサ。
  18. 【請求項１８】 請求項１７に記載の半導体圧力センサ
    を実装基板に実装した半導体圧力センサ装置において、 当該半導体圧力センサチップと当該モールド樹脂阻止部
    との間にモールド樹脂を充填し、前記検知部と接触しな
    いようにモールド樹脂部を形成したことを特徴とする半
    導体圧力センサ装置。
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Cited By (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999001771A1 (en) * 1997-07-04 1999-01-14 Kabushiki Kaisha Tokai Rika Denki Seisakusho Sensor with diaphragm sensor chip
US6323529B1 (en) 1999-01-27 2001-11-27 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor acceleration sensor and a method of manufacturing the same
JP2005311065A (ja) * 2004-04-21 2005-11-04 Oki Electric Ind Co Ltd Ｍｅｍｓデバイスの製造方法及びｍｅｍｓデバイスを製造するための接合基板
JP2005345303A (ja) * 2004-06-03 2005-12-15 Denso Corp 圧力センサ
US7004030B2 (en) 2002-09-27 2006-02-28 Oki Electric Industry Co., Ltd. Acceleration sensor
JP2006153724A (ja) * 2004-11-30 2006-06-15 Tateyama Kagaku Kogyo Kk 加速度センサモジュール
US7100448B2 (en) 2003-11-10 2006-09-05 Oki Electric Industry Co., Ltd. Accelerometer
JP2007010462A (ja) * 2005-06-30 2007-01-18 Denso Corp 圧力検出装置
JP2007048994A (ja) * 2005-08-11 2007-02-22 Akita Denshi Systems:Kk 半導体装置及びその製造方法
US7304395B2 (en) 2005-07-05 2007-12-04 Oki Electric Industry Co., Ltd. Semiconductor chip package
JP2007333500A (ja) * 2006-06-14 2007-12-27 Epson Toyocom Corp 圧力センサの製造方法および圧力センサ
US7489043B2 (en) 2005-07-05 2009-02-10 Oki Electric Industry Co., Ltd. Semiconductor chip package and fabrication method thereof
JP2009052970A (ja) * 2007-08-24 2009-03-12 Denso Corp 圧力センサ
JP2009512202A (ja) * 2005-10-14 2009-03-19 エスティーマイクロエレクトロニクス エス．アール．エル． 集積デバイス用の基板レベル・アセンブリ、その製造プロセス、および関連する集積デバイス
JP2009122113A (ja) * 2008-12-22 2009-06-04 Panasonic Electric Works Co Ltd 加速度センサの製造方法
US7568390B2 (en) 2004-06-18 2009-08-04 Oki Semiconductor Co., Ltd. Semiconductor acceleration sensor device and method for manufacturing the same
JP2009294152A (ja) * 2008-06-06 2009-12-17 Alps Electric Co Ltd 容量センサパッケージ
US7705412B2 (en) 2007-08-17 2010-04-27 Oki Semiconductor Co., Ltd. SOI substrate and semiconductor acceleration sensor using the same
JP2012083124A (ja) * 2010-10-07 2012-04-26 Denso Corp センサ装置およびその製造方法
JP2014032190A (ja) * 2012-07-31 2014-02-20 Freescale Semiconductor Inc オーバーモールドパッケージ内の容量性圧力センサ
JP2014085299A (ja) * 2012-10-26 2014-05-12 Denso Corp 圧力センサ装置およびその製造方法
JP2014085206A (ja) * 2012-10-23 2014-05-12 Denso Corp 圧力センサ装置およびその製造方法
US9096424B2 (en) 2009-05-11 2015-08-04 Stmicroelectronics S.R.L. Assembly of a capacitive acoustic transducer of the microelectromechanical type and package thereof
JP2016031341A (ja) * 2014-07-30 2016-03-07 日立オートモティブシステムズ株式会社 物理量検出装置
JP2018528432A (ja) * 2015-09-24 2018-09-27 シリコン マイクロストラクチャーズ， インコーポレイテッドＳｉｌｉｃｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ， Ｉｎｃ． カテーテルセンサの製造
US10555091B2 (en) 2017-09-15 2020-02-04 Stmicroelectronics S.R.L. Method for manufacturing a thin filtering membrane and an acoustic transducer device including the filtering membrane
US10641672B2 (en) 2015-09-24 2020-05-05 Silicon Microstructures, Inc. Manufacturing catheter sensors
US10682498B2 (en) 2015-09-24 2020-06-16 Silicon Microstructures, Inc. Light shields for catheter sensors
US11262374B2 (en) * 2017-11-24 2022-03-01 Seiko Epson Corporation Sensor unit, method of manufacturing sensor unit, inertial measurement device, electronic apparatus, and vehicle
WO2022239442A1 (ja) * 2021-05-12 2022-11-17 株式会社村田製作所 差圧センサ及びその製造方法

Cited By (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999001771A1 (en) * 1997-07-04 1999-01-14 Kabushiki Kaisha Tokai Rika Denki Seisakusho Sensor with diaphragm sensor chip
US6201285B1 (en) 1997-07-04 2001-03-13 Kabushiki Kaisha Tokai Rika Denki Seisakusho Sensor with diaphragm sensor chip
US6323529B1 (en) 1999-01-27 2001-11-27 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor acceleration sensor and a method of manufacturing the same
DE19936610B4 (de) * 1999-01-27 2013-08-01 Mitsubishi Denki K.K. Halbleiterbeschleunigungssensor und Verfahren zur Herstellung desselben
US7004030B2 (en) 2002-09-27 2006-02-28 Oki Electric Industry Co., Ltd. Acceleration sensor
US7100448B2 (en) 2003-11-10 2006-09-05 Oki Electric Industry Co., Ltd. Accelerometer
JP2005311065A (ja) * 2004-04-21 2005-11-04 Oki Electric Ind Co Ltd Ｍｅｍｓデバイスの製造方法及びｍｅｍｓデバイスを製造するための接合基板
JP4554978B2 (ja) * 2004-04-21 2010-09-29 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 Ｍｅｍｓデバイスの製造方法及びｍｅｍｓデバイスを製造するための接合基板
US7323354B2 (en) 2004-04-21 2008-01-29 Oki Electric Industry Co., Ltd. Method of manufacturing MEMS device
JP2005345303A (ja) * 2004-06-03 2005-12-15 Denso Corp 圧力センサ
US7568390B2 (en) 2004-06-18 2009-08-04 Oki Semiconductor Co., Ltd. Semiconductor acceleration sensor device and method for manufacturing the same
US7788976B2 (en) 2004-06-18 2010-09-07 Oki Semiconductor Co., Ltd. Semiconductor acceleration sensor device and method for manufacturing the same
JP2006153724A (ja) * 2004-11-30 2006-06-15 Tateyama Kagaku Kogyo Kk 加速度センサモジュール
JP2007010462A (ja) * 2005-06-30 2007-01-18 Denso Corp 圧力検出装置
US7304395B2 (en) 2005-07-05 2007-12-04 Oki Electric Industry Co., Ltd. Semiconductor chip package
US7410829B2 (en) 2005-07-05 2008-08-12 Oki Electric Industry Co., Ltd. Method of fabricating a semiconductor chip package
US7489043B2 (en) 2005-07-05 2009-02-10 Oki Electric Industry Co., Ltd. Semiconductor chip package and fabrication method thereof
JP2007048994A (ja) * 2005-08-11 2007-02-22 Akita Denshi Systems:Kk 半導体装置及びその製造方法
JP2009512202A (ja) * 2005-10-14 2009-03-19 エスティーマイクロエレクトロニクス エス．アール．エル． 集積デバイス用の基板レベル・アセンブリ、その製造プロセス、および関連する集積デバイス
EP1945561B1 (en) * 2005-10-14 2018-10-24 STMicroelectronics Srl Substrate-level assembly for an integrated device, manufacturing process thereof and related integrated device
USRE46671E1 (en) 2005-10-14 2018-01-16 Stmicroelectronics S.R.L. Substrate-level assembly for an integrated device, manufacturing process thereof and related integrated device
JP2007333500A (ja) * 2006-06-14 2007-12-27 Epson Toyocom Corp 圧力センサの製造方法および圧力センサ
US7705412B2 (en) 2007-08-17 2010-04-27 Oki Semiconductor Co., Ltd. SOI substrate and semiconductor acceleration sensor using the same
JP2009052970A (ja) * 2007-08-24 2009-03-12 Denso Corp 圧力センサ
JP2009294152A (ja) * 2008-06-06 2009-12-17 Alps Electric Co Ltd 容量センサパッケージ
JP2009122113A (ja) * 2008-12-22 2009-06-04 Panasonic Electric Works Co Ltd 加速度センサの製造方法
US9096424B2 (en) 2009-05-11 2015-08-04 Stmicroelectronics S.R.L. Assembly of a capacitive acoustic transducer of the microelectromechanical type and package thereof
JP2012083124A (ja) * 2010-10-07 2012-04-26 Denso Corp センサ装置およびその製造方法
JP2014032190A (ja) * 2012-07-31 2014-02-20 Freescale Semiconductor Inc オーバーモールドパッケージ内の容量性圧力センサ
JP2014085206A (ja) * 2012-10-23 2014-05-12 Denso Corp 圧力センサ装置およびその製造方法
JP2014085299A (ja) * 2012-10-26 2014-05-12 Denso Corp 圧力センサ装置およびその製造方法
JP2016031341A (ja) * 2014-07-30 2016-03-07 日立オートモティブシステムズ株式会社 物理量検出装置
JP2018528432A (ja) * 2015-09-24 2018-09-27 シリコン マイクロストラクチャーズ， インコーポレイテッドＳｉｌｉｃｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ， Ｉｎｃ． カテーテルセンサの製造
US10641672B2 (en) 2015-09-24 2020-05-05 Silicon Microstructures, Inc. Manufacturing catheter sensors
US10682498B2 (en) 2015-09-24 2020-06-16 Silicon Microstructures, Inc. Light shields for catheter sensors
US10555091B2 (en) 2017-09-15 2020-02-04 Stmicroelectronics S.R.L. Method for manufacturing a thin filtering membrane and an acoustic transducer device including the filtering membrane
US11317219B2 (en) 2017-09-15 2022-04-26 Stmicroelectronics S.R.L. Method for manufacturing a thin filtering membrane and an acoustic transducer device including the filtering membrane
US11262374B2 (en) * 2017-11-24 2022-03-01 Seiko Epson Corporation Sensor unit, method of manufacturing sensor unit, inertial measurement device, electronic apparatus, and vehicle
WO2022239442A1 (ja) * 2021-05-12 2022-11-17 株式会社村田製作所 差圧センサ及びその製造方法

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