JP2014032190A - オーバーモールドパッケージ内の容量性圧力センサ - Google Patents

オーバーモールドパッケージ内の容量性圧力センサ Download PDF

Info

Publication number
JP2014032190A
JP2014032190A JP2013156660A JP2013156660A JP2014032190A JP 2014032190 A JP2014032190 A JP 2014032190A JP 2013156660 A JP2013156660 A JP 2013156660A JP 2013156660 A JP2013156660 A JP 2013156660A JP 2014032190 A JP2014032190 A JP 2014032190A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pressure sensor
semiconductor device
sensor die
package
pressure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2013156660A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2014032190A5 (ja
Inventor
Wen Jiang
ウェン ジアン
G Mcdonald William
ジー マクドナルド ウイリアム
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NXP USA Inc
Original Assignee
Freescale Semiconductor Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Freescale Semiconductor Inc filed Critical Freescale Semiconductor Inc
Publication of JP2014032190A publication Critical patent/JP2014032190A/ja
Publication of JP2014032190A5 publication Critical patent/JP2014032190A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/14Housings
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/14Housings
    • G01L19/145Housings with stress relieving means
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/0007Fluidic connecting means
    • G01L19/0038Fluidic connecting means being part of the housing
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/06Means for preventing overload or deleterious influence of the measured medium on the measuring device or vice versa
    • G01L19/0627Protection against aggressive medium in general
    • G01L19/0654Protection against aggressive medium in general against moisture or humidity
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/14Housings
    • G01L19/141Monolithic housings, e.g. molded or one-piece housings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48135Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48145Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/162Disposition
    • H01L2924/16235Connecting to a semiconductor or solid-state bodies, i.e. cap-to-chip
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Child & Adolescent Psychology (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Abstract

【課題】
オーバーモールドパッケージ内の容量性圧力センサを提供する。
【解決手段】
オーバーモールド圧力センサパッケージが提供される。圧力センサダイ(Pセル)は、Pセルが成形封入材料によって生成される応力効果に耐えるための増強された剛性を有するようにキャッピングされる。Pセルキャップは、Pセルダイヤフラムから離れて位置する穴を有し、それによって、同時に湿気をダイヤフラムから離れて誘導しながら外部気体圧力がPセルによって受けられ得る。ゲルが使用される必要はなく、代わりに、必要な場合にはPセルダイヤフラムを過剰な湿気から保護するためにPセル上に軟質フィルムが堆積されることができる。Pセルキャップは、たとえば、ダミー・シリコン・ウェハまたは機能的ASICの形態をとることができる。
【選択図】 図2

Description

本開示は、一般的にはセンサパッケージに関し、より具体的には、オーバーモールドパッケージ内の容量性圧力センサを提供することに関する。
一般的な圧力センサパッケージングは、圧力センサダイ(「Pセル」)を、空洞型パッケージ内に配置することを含む。空洞パッケージは、不確定な様態でPセルの性能を変える可能性がある、Pセルに対する応力を低減するか、またはなくす。Pセル、およびPセルからパッケージ内の他の構成要素へとつながる電気コンタクトを保護するために、シリコーンゲルが使用される。ゲルは、Pセルおよび電気コンタクトが湿気、およびパッケージ外部の他の環境要素にさらされるのを防止する。
現在の設計の欠点は、ゲルの使用コストが一般的に高く、空洞スペースを満たすには相当量のゲルが必要とされることである。加えて、環境の急速な減圧が検知されている間、パッケージ内の容量信号に影響を与えるとともにゲルの密度を不確定な様態で変える気泡がゲル内に形成する可能性がある。
他のタイプの半導体デバイスパッケージは、封入材料オーバーモールド技法を使用してパッケージを製造しパッケージ構成要素を保護する。しかし、従来のオーバーモールドパッケージは、Pセルの表面に対して応力を発生させることによってPセルの性能に悪影響を及ぼす可能性がある。これらの応力はPセルダイヤフラムの変形能特性を不確定な様態で変え、それゆえ、Pセルを圧力を測定するために使用する能力に影響を与える可能性がある。
それゆえ、圧力を測定する能力に予測不能に影響を及ぼす応力からPセルを保護しながら、保護ゲルの必要性を低減するか、またはなくす修正された圧力センサパッケージを提供することが望ましい。
本発明は、添付の図面を参照することによってよりよく理解されることができ、その多数の目的、特徴、および利点が当業者に明らかとなる。
従来の空洞圧力センサパッケージの一例を示す簡略ブロック図。 処理の一例の一段階における、圧力センサ・デバイス・パッケージの断面を示す簡略ブロック図。 図2のものの処理の例の後続の段階における、圧力センサ・デバイス・パッケージの断面を示す簡略ブロック図。 図3のものの処理の例の後続の段階における、圧力センサ・デバイス・パッケージの断面を示す簡略ブロック図。 代替の実施形態の圧力センサ・デバイス・パッケージの断面を示す簡略ブロック図。 代替の実施形態の圧力センサ・デバイス・パッケージの断面を示す簡略ブロック図。 代替の実施形態の圧力センサ・デバイス・パッケージ700の断面を示す簡略ブロック図。 代替の実施形態の圧力センサ・デバイス・パッケージの断面を示す簡略ブロック図。 本発明の実施形態と関連して使用可能なタイヤ空気圧監視システムを示す簡略ブロック図。 異なる図面において同じ参照符号が使用されている場合、これは、別途記載しない限り、同一の項目であることを示す。図面は必ずしも原寸に比例して描かれてはいない。
オーバーモールド圧力センサパッケージが提供される。圧力センサダイ(Pセル)は、Pセルが成形封入材料によって生成される応力効果に耐えるための増強された剛性を有するようにキャッピングされる。Pセルキャップは、Pセルダイヤフラムから離れて位置する穴を有し、それによって、同時に湿気をダイヤフラムから離れて誘導しながら外部気体圧力がPセルによって受けられ得る。ゲルが使用される必要はなく、代わりに、必要な場合にはPセルダイヤフラムを過剰な湿気から保護するためにPセル上に軟質フィルムが堆積されることができる。Pセルキャップは、たとえば、ダミー・シリコン・ウェハまたは機能的ASICの形態をとることができる。
図1は、従来の空洞圧力センサパッケージ100の一例を示す簡略ブロック図である。空洞圧力センサパッケージ100は、成形コンパウンド110によって形成される空洞を提供する。リード線120およびデバイスフラグ130を含むリードフレームが成形コンパウンド110によって封入される。リードフレームのリード線は、パッケージの外側の周縁に沿ってアクセス可能である。図示されているように、空洞パッケージ100は空洞QFNパッケージであることができる。
上述のように、リード線120およびデバイスフラグ130を組み込んでいるリードフレームの実施形態は、ニッケルおよび金、またはニッケル、パラジウムおよび金をめっきされた銅である。成形コンパウンド110は、たとえば、シリカ充填エポキシ成形コンパウンド、プラスチック封入樹脂、硫化ポリフェニレン(PPS)のような熱可塑性材料、および他のポリマー材料を含む、任意の適切な封入材料であることができる。
図1は、たとえば、特定用途向け集積回路または別のタイプの信号プロセッサの形態をとることができる制御ダイ140をさらに含む。圧力センサダイ(Pセル)150は制御ダイ140上に据え付けられ、感圧ダイヤフラム155を含む。感圧ダイヤフラム155は、Pセルの外部にあるダイヤフラムの表面に与えられる圧力に応答して変形可能である。Pセル150は、たとえば、ワイヤボンド160によって制御ダイ140に電気的に結合される。同様に、制御ダイ140は、ワイヤボンド165のようなワイヤボンドによってリードフレームの1つまたは複数のリード線に電気的に結合される。
電子構成要素(たとえば、制御ダイ140およびPセル150)および電子的結合(たとえば、ワイヤボンド)を保護するために、空洞圧力センサパッケージ100の空洞領域は、最も高い構成要素または電子的結合の高さを上回る高さまでシリコーンゲル170を充填される。空洞領域はその後、たとえば、外部流体圧がシリコーンゲル170を通じてPセル150のダイヤフラム155と相互作用することを可能にするための入口185を含む圧力透過性カバー180を用いてキャッピングされる。
従来の空洞圧力センサパッケージは空洞領域全体がシリコーンゲルを充填されるため、消費されるゲルの量に関連してコストが増大している。また、上述のように、高圧下では、空洞内の気体が、たとえば、リード線120と成形コンパウンド110との接触面に形成される間隙内に押し込まれる可能性がある。急速減圧中、取り込まれた空気がシリコーンゲル内で気泡を形成する可能性があり、これによって、Pセルによって行われる測定の質に支障が出る可能性がある。
圧力センサデバイスのサイズの低減と圧力監視システム全体によって消費される電力量の低減との両方の試みにおいて、圧力監視デバイスはセンサとプロセッサとの間で電圧ベースの信号を使用することから、センサとプロセッサとの間で容量信号を使用するように移行してきている。これは、センサデバイス内のトランジスタがより少なくなるという利点を有し、これによって、センサデバイス(それゆえ、システム全体)のサイズおよびコストの両方が低減される。そのようなシステム内のプロセッサは、存在する場合はキャパシタンスから電圧への変換を実行する。容量信号ベースのシステムの欠点は、容量信号が環境変化に対してより影響を受けやすいということである。たとえば、シリコーンゲル内に気泡が形成される結果として、Pセル150から制御ダイ140によって受信される信号を変化させる寄生容量がもたらされる可能性がある。加えて、気泡はワイヤボンドのワイヤを動かす可能性がある。これらのワイヤは動きの影響を受けやすく、それゆえ、システムの物理的レイアウトを変化させ、これによっても受信データ信号が変化することになる。
図2は、本発明の一実施形態による、処理の一例の一段階における、圧力センサ・デバイス・パッケージ200の断面を示す簡略ブロック図である。圧力センサ・デバイス・パッケージは、パッケージ基板を含む。図示されているように、パッケージ基板はフラグ210およびリード線220を含むリードフレームが設けられている。いくつかの実施形態では、リードフレームは処理工程中にホルダに付着される(図示せず)。制御ダイ230は、接着剤を使用してフラグ210に付着される。接着剤は、半導体パッケージング処理において使用される標準的なタイプのものであることができる。Pセル240が、フラグ210に付着される制御ダイ主面と対向する制御ダイの主面に付着される。Pセル240は、接着剤を使用して制御ダイ230に付着される。Pセル240は、ダイヤフラム250を含み、当該ダイヤフラムは、Pセル240の外部にあるダイヤフラム250の表面に対して発生する圧力に応答して変形可能である。
図3は、本発明の一実施形態による、処理の例の後続の段階における、圧力センサ・デバイス・パッケージ200の断面を示す簡略ブロック図である。圧力透過性キャップ310が、ダイヤフラム250の含むPセル240の主面に付着される。キャップ310は、ダイヤフラム250およびPセルの主面の別の部分を包含する空洞領域320を画定する。キャップ310は、外部流体圧がPセル240のダイヤフラム250と相互作用することを可能にする入口330をさらに含む。キャップ310は、たとえば、キャップ入口330を含むようにエッチングによって形成されるとともに、空洞領域320を画定するようにエッチングされるシリコンダイであることができる。キャップは、下記により十分に説明されるように、封入によって生成される、Pセルダイヤフラムに対する応力効果を低減するか、またはなくすために、および、Pセルの領域内で封入によって生成される力をダイヤフラムから離れて分散させるために、十分な剛性を提供する材料から成る。
制御ダイ230は、フラグ210に付着される制御ダイ主面と対向する制御ダイの主面上に配置される多数のボンドパッド(図示せず)を含む。制御ダイボンドパッドのうちの1つまたは複数は、ワイヤボンド340によってPセル240の主面上の対応するボンドパッドに電気的に結合される。同様に、制御ダイボンドパッドのうちの1つまたは複数は、ワイヤボンド350によってリードフレーム上のリード線220に電気的に結合される。
図4は、本発明の一実施形態による、処理の例の後続の段階における、圧力センサ・デバイス・パッケージ200の断面を示す簡略ブロック図である。成形材料が図3に示されているリードフレーム、制御ダイ、Pセル、およびワイヤボンドに被着され、これらの構造を成形材料内に封入するとともにパネルを形成する封入材料410を形成する。成形材料は、キャップ入口330を含むキャップ310の領域の上にパッケージ入口420を生成するように形成される。
パッケージ入口420が生成されるように封入材料を形成するための1つの方法は、当該技術分野において既知であるフィルム補助成形技術である。たとえば、フィルム補助成形は、整形されたピンをダイの上部に対して、ピンと成形コンパウンドとの間に可撓性フィルムを用いて押圧することによって実行されることができる。成形コンパウンドは、ピンが押圧されるいかなるロケーションにも流れ出さない。パッケージ200について、ピンは、パッケージ入口420を形成するのに適した形状のものであることができ、キャップ入口330を含む領域の上で押圧される。
フィルム補助成形封入材料を使用してパネルを形成した後、圧力センサパッケージが単離されて、所望の用途によって任意の追加の処理を受けることができる。
上述のように、キャップ310は構造的に剛性である。この剛性は、Pセルによって行われる容量性圧力測定に対して予測不能な影響を有し得る、封入材料によってPセル240に加えられる応力に抗する助けとなる。さらに、Pセルの、封入材料と接している表面の面積が、キャップによって被覆されている面積だけ低減され、これもあり得る応力効果を低減する。したがって、Pセルは有用性を失うことなくキャップおよび封入材料の両方によって保護される。さらに、流体入口(たとえば、310および420)はPセルダイヤフラム250からずれており、ダイヤフラムが外部流体(たとえば、タイヤ気体)内の存在する湿気に直接さらされることが回避される。ダイヤフラムを湿気から保護するための別の機構は、Pセル上にキャップを配置する前にPセルのキャップ310によって被覆される領域の上に配置される薄膜を含む。膜のタイプは、たとえば、化学気相成長されるパリレンを含むことができる。
図5は、本発明の一実施形態による、代替の実施形態の圧力センサ・デバイス・パッケージ500の断面を示す簡略ブロック図である。パッケージ500の構成要素は、システム200に設けられているものを含むが、成形材料が図3に示されているリードフレーム、制御ダイ、Pセル、キャップ、およびワイヤボンドに被着されており、これらの構造を成形材料内に封入する封入材料510が形成されているが、310の上面が露出したままになっている、という点が異なっている。封入材料は、当該技術分野において既知のフィルム補助成形技術を使用してこのように形成されることができ、成形コンパウンドは、キャップ310の上部の上に形成されるのを妨げられ、キャップ入口330が露出したまま残される。
図5に示されているシステムの、図4に示されているシステムにまさる1つの利点は、キャップ310の上部の主面の上にオーバーモールド領域がないため、パッケージ500のパッケージ全体の厚さがパッケージ200のものよりも薄くなることができるということである。加えて、パッケージ500においてはキャップ310全体がオーバーモールドされないため、Pセル/キャップ構造が受ける応力レベルは、パッケージ200における完全にオーバーモールドされた構造よりも低いものであり得る。
図6は、代替の実施形態の圧力センサ・デバイス・パッケージ600の断面を示す簡略ブロック図である。フラグ610およびリード線620を含むリードフレームが設けられている。圧力センサダイ(Pセル)630が、半導体パッケージング処理において使用される標準的なタイプのものである接着剤を使用してフラグ610に付着される。Pセル630は、ダイヤフラム635を含み、当該ダイヤフラムは、Pセル630の外部にあるダイヤフラム635の表面に対して発生する圧力に応答して変形可能である。
整形された制御ダイ640が、フラグ610に付着されるPセル主面と対向するPセルの630主面に付着される。整形された制御ダイ640が、ダイヤフラム635を含む、Pセル630の主面の一部を包含する空洞領域645を画定するように形成される。整形された制御ダイ640は、制御ダイ640がPセル630に付着されると外部流体圧がダイヤフラム635と相互作用することを可能にすることができるキャップ入口650を提供するようにも形成される。整形された制御ダイ640の空洞および入口の特徴部は、たとえば、エッチング、穿孔、およびレーザ穿孔を含む、当該技術分野において既知の様々な方法において提供されることができる。整形された制御ダイ640は、ワイヤボンド665によってPセル630の主面上のコンタクトに電気的に結合される。制御ダイ640は、1つまたは複数のワイヤボンド660によってフラグ620にも電気的に結合される。
成形材料がリードフレーム、Pセル、制御ダイ、およびワイヤボンドに被着され、これらの構造を成形材料内に封入するとともにパネルを形成する封入材料670を形成する。図4のように、成形材料は、キャップ入口650を含む整形された制御ダイ640の領域の上にパッケージ入口680を生成するように形成される。上述のように、パッケージ入口680が生成されるように封入材料を形成するための1つの方法は、当該技術分野において既知であるフィルム補助成形技術である。
図6に示されている実施形態の利点は、整形された制御ダイがPセルキャップの機能を兼ねるためにパッケージ設計がより薄くなることを含む。したがって、Pセルの領域内に積層される構成要素がより少なくなる。図6に示されている実施形態の第2の利点は、積層される必要がある構成要素がより少ないため、この実施形態の作製に含まれる工程がより少ないことである。したがって、処理はより迅速に、より経済的に実行されることができる。しかしながら、空洞領域645およびキャップ入口650を作成するために、アセンブリをパッケージする前に追加の処理が制御ダイ640の形成に含まれる。
図7は、代替の実施形態の圧力センサ・デバイス・パッケージ700の断面を示す簡略ブロック図である。いくつかの圧力検知用途は、パッケージフラグまたはパッケージ基板を通じて設けられる裏面圧力入口によってより有用になる。図7は、本発明の実施形態の利点をも組み込みながら、そのような裏面圧力入口を提供する圧力センサ・デバイス・パッケージを示す。吸気口730を含むパッケージ基板710が設けられる。
Pセルキャップ740が、接着剤を使用してパッケージ基板710に付着される。Pセルキャップ740は、空洞領域747、および、外部流体圧が空洞領域に入ることを可能にすることができるキャップ入口745が画定されるように形成される。キャップ310と同様に、Pセルキャップ740は、空洞領域およびキャップ入口の特徴部を含むようにエッチング、または他の様態で処理されるシリコンダイから成ることができる。Pセルキャップ740は、キャップ入口745が吸気口730と位置整合され、空洞領域745がパッケージ基板の表面から外方に面するように、パッケージ基板710上に据え付けられる。
Pセル750は、圧力変形可能ダイヤフラム755が空洞領域747内に位置するように、Pセルキャップ740に付着される。制御ダイ760は、Pセルキャップ740から外方に面するPセル750の主面に付着される。制御ダイ760とPセル750との間の電気的結合は、接合された主面に沿った付着領域においても作成されることができる。制御ダイ760は、ワイヤボンド770を使用することによってパッケージ基板710上のコンタクトとも電気的に結合されることができる。
成形材料がパッケージ基板、Pセルキャップ、Pセル、制御ダイ、およびワイヤボンドに被着され、これらの構造を成形材料内に封入する封入材料780を形成する。成形材料は、上述されたタイプの材料を含むことができる。
図8は、代替の実施形態の圧力センサ・デバイス・パッケージ800の断面を示す簡略ブロック図である。センサ・デバイス・パッケージ700と同様に、センサ・デバイス・パッケージ800は、パッケージフラグまたはパッケージ基板を通じて設けられる裏面圧力入口を含む。吸気口830を含むパッケージ基板810が設けられる。
整形された制御ダイ840が、吸気口830が整形された制御ダイ上に形成されるキャップ入口845と位置整合されるように、パッケージ基板810に付着される。整形された制御ダイ840はさらに、空洞領域847を画定するように成形される。キャップ入口845は、外部流体圧が空洞領域847内に入るのを可能にすることができる。整形された制御ダイ840の空洞および入口の特徴部は、たとえば、エッチング、穿孔、およびレーザ穿孔を含む、当該技術分野において既知の様々な方法において提供されることができる。
Pセル850が、圧力変形可能ダイヤフラム855が空洞領域847内に位置するように、整形された制御ダイ840に付着される。Pセル850は、電気コンタクトパッドが、制御ダイ840に付着される主面と対向するPセル主面上でアクセス可能であるように構成される。これらの電気コンタクトパッドは、ワイヤボンド870を使用して整形された制御ダイ840の主面上の電気コンタクトに電気的に結合される。整形された制御ダイ840は、ワイヤボンド860を使用してパッケージ基板810上のコンタクトにも電気的に結合される。
図6に示されている実施形態に関して上述したように、図8における代替的な実施形態の利点は、制御ダイがPセルキャップの機能を兼ねるためにパッケージ設計がより薄くなり、作製に含まれる工程がより少なくなり、作製がより迅速かつより経済的になることを含む。しかし、図6に示されている実施形態と同様に、空洞領域およびキャップ入口を作成するために、パッケージングの前に追加の処理が制御ダイ840の形成に含まれる。加えて、Pセル850は、電気コンタクトが変形可能ダイヤフラム855とは対向する主面上に設けられるという点で、不規則な設計を必要とし得る。
図9は、本発明の実施形態と関連して使用可能なタイヤ空気圧監視システム900を示す簡略ブロック図である。タイヤ空気圧監視システム(TPMS)900は、2つの部分、すなわち、ホイールモジュール905と受信機部分955とを含む。ホイールモジュール905は一般的には、車両の1つまたは複数のタイヤ内に位置し、一方で受信機部分945はタイヤの外側に含まれる。
ホイールモジュール905は、ホイールモジュールの電源に結合される電力管理回路910を含む。電力管理回路910は、アナログインターフェース915、プロセスコントローラ935、および無線周波数(RF)送信機940を別個に給電する。さらに、圧力センサ920、温度センサ925、および1つまたは複数の種々のセンサ930が、電力管理回路910から直接、またはアナログインターフェース915を通じてのいずれかで電力を受け取ることができる。圧力センサ920の入出力は、アナログインターフェース915の第1の信号入出力に接続される。温度センサ925の入出力は、アナログインターフェース915の第2の信号入出力に接続される。種々のセンサ930の入出力は、アナログインターフェース915の第3の信号入出力に接続される。アナログインターフェース915は、プロセスコントローラ935の入出力にさらに接続される。また、プロセスコントローラ935の入出力は、RF送信機940の入出力に結合される。RF送信機940は、RF信号を送信するためのアンテナを有し、当該RF信号はRF受信機950のアンテナによって受信される。RF周波数として使用される周波数の例は、例としてのみ、300MHz〜1GHzである。
受信機部分945は、RF受信機950と、プロセッサ955と、ディスプレイ960とを含む。RF受信機950の出力はプロセッサ955の入力に接続される。ディスプレイ960はプロセッサ955の出力に接続される。
動作時、ホイールモジュール905は車両タイヤ内に据え付けられる。圧力センサ920は、当該圧力センサが電源投入されると、タイヤ空気圧を検知するように機能する。圧力センサ920は、図4〜図8に示されているもののような、本発明の一実施形態を含むことができる。同様に、温度センサ925は、当該温度センサが電源投入されると、タイヤ内の空気の温度を検知するように機能する。温度測定は、可変キャパシタンス、可変抵抗、またはダイオード電圧を使用して行われることができる。種々のセンサ930は、必要に応じて、追加の環境および性能データを測定するように構成されることができる。アナログインターフェース915は、様々なセンサの出力のアナログ−デジタル変換を実行するように機能する。加えて、アナログインターフェース915は、クロック同期および制御信号をセンサに提供すること、基準電圧を提供するとともに圧力および温度測定値に関連付けられるセンサ誤差および非直線性誤差の補正を実行すること、および、センサによって提供される差分キャパシタンス測定値を解釈することのような、他の機能を実行することができる。プロセスコントローラ935は、所与の時間間隔をおいて圧力および温度測定値を収集するとともに、そのデータを第2の時間間隔をおいてRF送信機940を介して送信するように構成されることができる。さらに、ホイールモジュール内のバッテリ電力を管理するために、プロセスコントローラ935は、電力管理回路を使用して、ホイールモジュールの他の構成要素から選択的に電源を接続および接続解除することができる。電力管理回路910は、様々な低電力モードおよびタイミング・センス・パラメータを実装するために、内部に組み込まれる電力節約ロジックおよび機能を含むことができる。
プロセスコントローラ935は付加的に、タイヤが運動しているときに、タイヤの圧力および温度のみに基づいて、または種々のセンサのうちの1つまたは複数に応答して、識別を目的として論理回路またはメモリ内のソフトウェアコードを含むことができる。タイヤが運動中であるか否かの判定に応答して、プロセスコントローラ935は、様々なセンサによる測定の速度およびRF送信機940の送信速度によって求められるすべてのバッテリ電力消費に対する制御を提供することができる。プロセスコントローラ935は、圧力センサ920によって指示される圧力レベルを監視して、タイヤ空気圧が所定の値以下になるか、または第2の所定の値以上になると、低または高圧警告信号をRF送信機940に提供することができる。圧力警告信号はRF受信機950によって受信され、プロセッサ955によって処理されて、車両のユーザに、タイヤ空気圧が所定値を下回って下降しているか、または上回って上昇していることを知らせる。たとえば、プロセッサ955が空気漏れが存在すること(たとえば、タイヤ空気圧が所定の閾値を下回って下降していること)を検出すると、可視的または可聴的のいずれかの警告が、ディスプレイ960に送信される。プロセッサ955は、ソフトウェアを記憶するためのROMのようなプログラム可能メモリを有するマイクロコントローラとして、または説明されている方法を実装するためのハードウェアロジックを有する状態機械として実装されることができる。
上述の実施形態によって提供される圧力センサ・デバイス・パッケージは、圧力センサダイに対するパッケージング応力を低減するか、またはなくすオーバーモールドパッケージ設計を提供するという利点を有する。これは、Pセル上に追加の剛性構造を含むことと、パッケージ封入材料に対して露出されるPセルの外表面積を低減することとの両方によって、Pセルキャップまたは整形された制御ダイによってPセルの保護が提供されることによって、行われる。加えて、上記の実施形態の空洞設計は、湿気にさらされる機会を低減すること、および、保護を必要とする面積を低減することによって、シリコーンゲルの必要を低減するか、またはなくす。これによって、圧力センサ・デバイス・パッケージを構築するためのコストも低減される傾向にある。
ここまでで、圧力センサダイであって、当該圧力センサダイの第1の主面の或る領域内に配置される圧力変形可能ダイヤフラムを有する、圧力センサダイと、圧力センサダイの第1の主面に付着される整形されたキャップウェハとを含む半導体デバイスパッケージが提供されたことを諒解されたい。整形されたキャップウェハの一部分と、圧力センサダイの第1の主面の一部分との間に空洞が形成される。圧力センサダイの第1の主面の当該部分は、圧力変形可能ダイヤフラムが配置される領域を含み、整形されたキャップウェハは、空洞の外部の気体が空洞内に入ることを可能にするように構成される圧力入口を含む。
上記の実施形態の1つの態様は、圧力入口が、圧力変形可能ダイヤフラムを含む領域でない圧力センサダイの第1の主面の部分と対向する、整形されたキャップウェハの領域内に位置することを可能にする。別の態様では、整形されたキャップウェハは空洞を形成するように整形されるシリコンウェハである。また別の態様では、整形されたキャップウェハは空洞を形成するように構成される外部形状を有する能動半導体デバイスである。
上記の実施形態の別の態様では、半導体デバイスパッケージは、パッケージ基板と、能動半導体デバイスであって、当該能動半導体デバイスの第1の主面においてパッケージ基板に接着して結合され、圧力センサダイが当該能動半導体デバイスの第2の主面に接着して結合され、当該能動半導体デバイスの第2の主面は当該能動半導体デバイスの第1の主面と対向する、能動半導体デバイスと、パッケージ基板の上および周囲、能動半導体デバイスの上および周囲、圧力センサダイの上および周囲、かつ整形されたキャップウェハの周囲にある封入材料とをさらに含む。さらなる態様では、半導体デバイスパッケージは、整形されたキャップウェハの上にある封入材料をさらに含み、封入材料は、整形されたキャップウェハの圧力入口の上にパッケージ入口を設けるように形成される。別のさらなる態様では、能動半導体デバイスは制御ダイであり、圧力センサダイは制御ダイに電気的に結合され、制御ダイは圧力センサダイによって生成される信号を受信および処理するように構成される。
上記の実施形態の別の態様では、半導体デバイスパッケージは、パッケージ基板であって、圧力センサダイが、圧力センサダイの第1の主面に対向する圧力センサダイの第2の主面において当該パッケージ基板に接着して結合される、パッケージ基板と、パッケージ基板の上および周囲、圧力センサダイの上および周囲、かつ整形されたキャップウェハの周囲にある封入材料とをさらに含む。さらなる態様では、半導体デバイスパッケージは、圧力センサダイに電気的に結合される能動半導体デバイスをさらに含み、圧力センサダイによって生成される信号を受信および処理するように構成される能動半導体デバイス、および能動半導体デバイスの少なくとも一部分は封入材料によって封入される。またさらなる態様では、能動半導体デバイスは整形されたキャップウェハである。なおさらなる態様では、半導体デバイスパッケージは、整形されたキャップウェハの上にある封入材料をさらに含み、封入材料は、整形されたキャップウェハの圧力入口の上にパッケージ入口を設けるように形成される。
上記の実施形態の別の態様では、半導体デバイスパッケージは、パッケージ基板であって、当該パッケージ基板は基板圧力入口を含み、整形されたキャップウェハは、当該基板圧力入口および整形されたキャップウェハの圧力入口が位置整合されるように、当該パッケージ基板に接着して結合される、パッケージ基板と、パッケージ基板の上および周囲、整形されたキャップウェハの上および周囲、かつ圧力センサダイの少なくとも一部分の周囲にある封入材料とをさらに含む。さらなる態様では、半導体デバイスパッケージは、圧力センサダイに電気的に結合される能動半導体デバイスをさらに含み、当該能動半導体デバイスは圧力センサダイによって生成される信号を受信および処理するように構成され、能動半導体デバイスの少なくとも一部分は封入材料によって封入される。またさらなる態様では、能動半導体デバイスは、圧力センサダイの第1の主面に対向する圧力センサダイの第2の主面に接着して付着される。別のさらなる態様では、能動半導体デバイスは整形されたキャップウェハである。
別の実施形態では、パッケージ半導体デバイスアセンブリを形成するための方法が提供される。方法は、パッケージ半導体デバイスアセンブリ内に具現化される表面を提供するステップと、圧力センサダイを上記表面の一部分に固定するステップと、整形されたキャップウェハを圧力センサダイの第2の主面に固定するステップとを含む。圧力センサダイは当該圧力センサダイの第1の主面において上記表面に固定される。第1の主面と対向する圧力センサダイの第2の主面は、圧力変形可能ダイヤフラムを含む。整形されたキャップウェハの一部分と圧力センサダイの第2の主面の一部分との間に空洞が形成され、第2の主面の当該部分は圧力変形可能ダイヤフラムを含む。整形されたキャップウェハは、空洞の外部の気体が空洞内に入ることを可能にするように構成される圧力入口を含む。
上記の実施形態の1つの態様は、圧力センサダイおよび整形されたキャップウェハの上および周囲に封入領域を形成するステップをさらに含み、当該形成するステップは整形されたキャップウェハの圧力入口の上にパッケージ入口を設けるように実行され、当該パッケージ入口は、封入材料の外部の気体が整形されたキャップウェハの圧力入口を通じて空洞内に入ることを可能にするように構成される。上記の実施形態の別の態様は、上記封入領域を形成するステップを、パッケージ入口を形成するためにフィルム補助成形技法を使用して実行するステップをさらに含む。
別の実施形態は、車両タイヤ内に据え付けられるように構成されるホイールモジュールであって、当該ホイールモジュールは、1つまたは複数のセンサからの信号を処理するように構成されるプロセスコントローラと、圧力センサダイであって、プロセスコントローラに結合されるとともに、当該圧力センサダイの第1の主面の或る領域に配置される圧力変形可能ダイヤフラムを含む、圧力センサダイと、圧力センサダイの第1の主面に接着して結合される整形されたキャップウェハと、プロセスコントローラに結合されるとともに、プロセスコントローラによって提供されるセンサ情報を送信するように構成される無線周波数送信機とを備える、ホイールモジュールを含むタイヤ空気圧監視システムを提供する。整形されたキャップウェハの一部分と、圧力センサダイの第1の主面の一部分との間に空洞が形成される。圧力センサダイの第1の主面の上記部分は、圧力変形可能ダイヤフラムが配置される領域を含む。整形されたキャップウェハは、空洞の外部の気体が空洞内に入ることを可能にするように構成される圧力入口を含む。この実施形態の1つの態様では、整形されたキャップウェハは、空洞を形成するように整形されるシリコンウェハを含む。
本発明を実装する装置は、大部分について、当業者に既知の電子コンポーネントおよび回路から成っているため、本発明の基礎となる概念の理解および評価のために、ならびに本発明の教示を分かりにくくせず当該教示から注意を逸らさせないために、回路の詳細は上記で例示されているように必要と考えられる範囲を超えては説明されない。
その上、本明細書および特許請求の範囲における「正面(front)」、「裏(back)」、「上部(top)」、「底(bottom)」、「上(over)」、「下(under)」などの用語は、存在する場合、説明を目的として使用されており、必ずしも永久的な相対位置を記述するために使用されてはいない。このように使用される用語は、本明細書に記載されている本発明の実施形態がたとえば、本明細書において例示または他の様態で記載されている以外の方向で動作することが可能であるように、適切な状況下で置き換え可能であることが理解される。
「プログラム」という用語は、本明細書において使用される場合、コンピュータシステム上での実行のために設計される一連の命令として定義される。プログラム、またはコンピュータプログラムは、サブルーチン、関数、プロシージャ、オブジェクトメソッド、オブジェクトインプリメンテーション、実行可能アプリケーション、アプレット、サーブレット、ソースコード、オブジェクトコード、共有ライブラリ/動的ロードライブラリ、および/または、コンピュータシステム上での実行のために設計される他の一連の命令を含み得る。
上記の実施形態のうちのいくつかは、規定通り、様々な異なる情報処理システムを使用して実装することができる。たとえば、図9およびその説明は、例示的な情報処理アーキテクチャを記載しているが、この例示的なアーキテクチャは本発明の様々な態様の説明における有用な参照を提供するためにのみ提示されている。無論、このアーキテクチャの記載は説明の目的のために簡略化されており、これは、本発明に従って使用することができる多くの異なる種類の適切なアーキテクチャのうちのほんの1つにすぎない。論理ブロック間の境界は例示にすぎないこと、および、代替的な実施形態は、論理ブロックもしくは回路要素を融合し、または様々な論理ブロックもしくは回路要素に対する代替的な機能の分解を課してもよいことを、当業者は認識しよう。
したがって、本明細書において描写したアーキテクチャは例示にすぎないこと、および、事実、同じ機能を達成する多くの他のアーキテクチャを実装することができることは理解されたい。要約すると、ただし依然として明確な意味で、同じ機能を達成するための構成要素の任意の構成が、所望の機能が達成されるように効果的に「関連付けられる」。したがって、本明細書における、特定の機能を達成するために結合される任意の2つの構成要素は互いに「関連付けられる」とみなすことができ、それによって、中間の構成要素またはアーキテクチャにかかわりなく、所望の機能が達成される。同様に、そのように関連付けられる任意の2つの構成要素も、所望の機能を達成するために互いに「動作可能に接続されている」または「動作可能に結合されている」とみなすことができる。
さらに、上述の動作の機能間の境界は例示にすぎないことを当業者は認識しよう。複数の動作の機能を単一の動作に組み合わせることができ、かつ/または単一の動作の機能を追加の動作に分散させることができる。その上、代替的な実施形態は、特定の動作の複数のインスタンスを含んでもよく、動作の順序は様々な他の実施形態においては変更してもよい。
本明細書において、具体的な実施形態を参照して本発明を説明したが、添付の特許請求の範囲に明記されているような本発明の範囲から逸脱することなく様々な改変および変更を為すことができる。たとえば、記載されているPセルキャップは、封入材料によって与えられる応力を分散しながら、空洞形成領域および流体入口を含むように整形されることができる様々な材料から作成されることができる。したがって、本明細書および図面は限定的な意味ではなく例示とみなされるべきであり、すべてのこのような改変が本発明の範囲内に含まれることが意図されている。本明細書において具体的な実施形態に関して記載されているいかなる利益、利点、または問題に対する解決策も、任意のまたはすべての請求項の重要な、必要とされる、または基本的な特徴または要素として解釈されるようには意図されていない。
本明細書において使用される場合、「結合されている」という用語は、直接結合または機械的結合に限定されるようには意図されていない。
さらに、本明細書において使用される場合、「1つ(“a”or“an”)」という用語は、1つまたは2つ以上として定義される。さらに、特許請求の範囲における「少なくとも1つの」および「1つ以上の」のような前置きの語句の使用は、不定冠詞「1つの(“a”or“an”)」による別の請求項要素の導入が、このように導入された請求項要素を含む任意の特定の請求項を、たとえ同じ請求項が前置きの語句「1つ以上の」または「少なくとも1つの」および「1つの(“a”or“an”)」のような不定冠詞を含む場合であっても、1つだけのこのような要素を含む発明に限定することを暗示するように解釈されるべきではない。同じことが、定冠詞の使用についても当てはまる。
別途記載されない限り、「第1の」および「第2の」のような用語は、そのような用語が説明する要素間で適宜区別するように使用される。したがって、これらの用語は必ずしも、このような要素の時間的なまたは他の優先順位付けを示すようには意図されていない。

Claims (20)

  1. 半導体デバイスパッケージであって、
    圧力センサダイであって、該圧力センサダイの第1の主面の或る領域内に配置される圧力変形可能ダイヤフラムを含む、圧力センサダイと、
    前記圧力センサダイの前記第1の主面に付着される整形されたキャップウェハとを備え、
    前記整形されたキャップウェハの一部分と、前記圧力センサダイの前記第1の主面の一部分との間に空洞が形成され、
    前記圧力センサダイの前記第1の主面の前記部分は、前記圧力変形可能ダイヤフラムが配置される前記領域を含み、
    前記整形されたキャップウェハは、前記空洞の外部の気体が前記空洞内に入ることを可能にするように構成される圧力入口を含む、半導体デバイスパッケージ。
  2. 前記圧力入口は、前記圧力変形可能ダイヤフラムを含む前記領域でない前記圧力センサダイの前記第1の主面の前記部分と対向する、前記整形されたキャップウェハの領域内に位置する、請求項1に記載の半導体デバイスパッケージ。
  3. 前記整形されたキャップウェハは前記空洞を形成するように整形されるシリコンウェハを含む、請求項1に記載の半導体デバイスパッケージ。
  4. 前記整形されたキャップウェハは前記空洞を形成するように構成される外部形状を有する能動半導体デバイスを含む、請求項1に記載の半導体デバイスパッケージ。
  5. パッケージ基板と、
    能動半導体デバイスであって、該能動半導体デバイスの第1の主面において前記パッケージ基板に接着して結合され、
    前記圧力センサダイが該能動半導体デバイスの第2の主面に接着して結合され、
    該能動半導体デバイスの前記第2の主面は該能動半導体デバイスの前記第1の主面と対向する、能動半導体デバイスと、
    前記パッケージ基板の上および周囲、前記能動半導体デバイスの上および周囲、前記圧力センサダイの上および周囲、かつ前記整形されたキャップウェハの周囲にある封入材料とをさらに備える、請求項1に記載の半導体デバイスパッケージ。
  6. 前記整形されたキャップウェハの上にある封入材料をさらに備え、該封入材料は、前記整形されたキャップウェハの前記圧力入口の上にパッケージ入口を設けるように形成される、請求項5に記載の半導体デバイスパッケージ。
  7. 前記能動半導体デバイスは制御ダイを含み、
    前記圧力センサダイは前記制御ダイに電気的に結合され、
    前記制御ダイは前記圧力センサダイによって生成される信号を受信および処理するように構成される、請求項5に記載の半導体デバイスパッケージ。
  8. パッケージ基板であって、
    前記圧力センサダイが、前記圧力センサダイの前記第1の主面に対向する前記圧力センサダイの第2の主面において該パッケージ基板に接着して結合される、パッケージ基板と、
    前記パッケージ基板の上および周囲、前記圧力センサダイの上および周囲、かつ前記整形されたキャップウェハの周囲にある封入材料とをさらに備える、請求項1に記載の半導体デバイスパッケージ。
  9. 前記圧力センサダイに電気的に結合される能動半導体デバイスをさらに備え、
    前記能動半導体デバイスは前記圧力センサダイによって生成される信号を受信および処理するように構成され、
    前記能動半導体デバイスの少なくとも一部分は前記封入材料によって封入される、請求項8に記載の半導体デバイスパッケージ。
  10. 前記能動半導体デバイスは前記整形されたキャップウェハを含む、請求項9に記載の半導体デバイスパッケージ。
  11. 前記整形されたキャップウェハの上にある封入材料をさらに備え、該封入材料は、前記整形されたキャップウェハの前記圧力入口の上にパッケージ入口を設けるように形成される、請求項10に記載の半導体デバイスパッケージ。
  12. パッケージ基板であって、
    該パッケージ基板は基板圧力入口を備え、
    前記整形されたキャップウェハは、前記基板圧力入口および前記整形されたキャップウェハの圧力入口が位置整合されるように、該パッケージ基板に接着して結合される、パッケージ基板と、
    前記パッケージ基板の上および周囲、前記整形されたキャップウェハの上および周囲、かつ前記圧力センサダイの少なくとも一部分の周囲にある封入材料とをさらに備える、請求項1に記載の半導体デバイスパッケージ。
  13. 前記圧力センサダイに電気的に結合される能動半導体デバイスをさらに備え、
    前記能動半導体デバイスは前記圧力センサダイによって生成される信号を受信および処理するように構成され、
    前記能動半導体デバイスの少なくとも一部分は前記封入材料によって封入される、請求項12に記載の半導体デバイスパッケージ。
  14. 前記能動半導体デバイスは、前記圧力センサダイの前記第1の主面に対向する前記圧力センサダイの第2の主面に接着して付着される、請求項13に記載の半導体デバイスパッケージ。
  15. 前記能動半導体デバイスは前記整形されたキャップウェハを含む、請求項13に記載の半導体デバイスパッケージ。
  16. パッケージ半導体デバイスアセンブリを形成するための方法であって、該方法は、
    前記パッケージ半導体デバイスアセンブリ内に具現化される表面を提供するステップと、
    圧力センサダイを前記表面の一部分に固定するステップであって、
    前記圧力センサダイは該圧力センサダイの第1の主面において前記表面に固定され、
    前記第1の主面と対向する前記圧力センサダイの第2の主面は、圧力変形可能ダイヤフラムを備える、固定するステップと、
    整形されたキャップウェハを前記圧力センサダイの前記第2の主面に固定するステップであって、
    前記整形されたキャップウェハの一部分と前記圧力センサダイの前記第2の主面の一部分との間に空洞が形成され、前記第2の主面の前記部分は前記圧力変形可能ダイヤフラムを備え、
    前記整形されたキャップウェハは、前記空洞の外部の気体が前記空洞内に入ることを可能にするように構成される圧力入口を含む、固定するステップとを含む、方法。
  17. 前記圧力センサダイおよび前記整形されたキャップウェハの上および周囲に封入領域を形成するステップをさらに含み、
    前記形成するステップは前記整形されたキャップウェハの前記圧力入口の上にパッケージ入口を設けるように実行され、
    前記パッケージ入口は、前記封入材料の外部の気体が前記整形されたキャップウェハの前記圧力入口を通じて前記空洞内に入ることを可能にするように構成される、請求項16に記載の方法。
  18. 前記封入領域を形成する前記ステップを、前記パッケージ入口を形成するためにフィルム補助成形技法を使用して実行するステップをさらに含む、請求項17に記載の方法。
  19. タイヤ空気圧監視システムであって、
    車両タイヤ内に据え付けられるように構成されるホイールモジュールであって、
    1つまたは複数のセンサからの信号を処理するように構成されるプロセスコントローラと、
    圧力センサダイであって、前記プロセスコントローラに結合されるとともに、該圧力センサダイの第1の主面の或る領域に配置される圧力変形可能ダイヤフラムを備える、圧力センサダイと、
    前記圧力センサダイの前記第1の主面に接着して結合される整形されたキャップウェハであって、
    該整形されたキャップウェハの一部分と、前記圧力センサダイの前記第1の主面の一部分との間に空洞が形成され、
    前記圧力センサダイの前記第1の主面の前記部分は、前記圧力変形可能ダイヤフラムが配置される前記領域を含み、
    該整形されたキャップウェハは、前記空洞の外部の気体が前記空洞内に入ることを可能にするように構成される圧力入口を含む、整形されたキャップウェハと、
    前記プロセスコントローラに結合されるとともに、前記プロセスコントローラによって提供されるセンサ情報を送信するように構成される無線周波数(RF)送信機とを備える、ホイールモジュールを備える、タイヤ空気圧監視システム。
  20. 前記整形されたキャップウェハは前記空洞を形成するように整形されるシリコンウェハを含む、請求項19に記載のタイヤ空気圧監視システム。
JP2013156660A 2012-07-31 2013-07-29 オーバーモールドパッケージ内の容量性圧力センサ Pending JP2014032190A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/562,853 2012-07-31
US13/562,853 US9146170B2 (en) 2012-07-31 2012-07-31 Capacitive pressure sensor in an overmolded package

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014032190A true JP2014032190A (ja) 2014-02-20
JP2014032190A5 JP2014032190A5 (ja) 2016-09-08

Family

ID=48795493

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013156660A Pending JP2014032190A (ja) 2012-07-31 2013-07-29 オーバーモールドパッケージ内の容量性圧力センサ

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9146170B2 (ja)
EP (1) EP2693184A3 (ja)
JP (1) JP2014032190A (ja)
CN (1) CN103575453A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017518087A (ja) * 2014-05-15 2017-07-06 ノヴァラング ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 医療技術的測定システム、及び前記測定システムの製造方法
DE102017103121A1 (de) 2016-03-02 2017-09-07 Omron Corporation Drucksensor
CN108508277A (zh) * 2017-02-28 2018-09-07 马克西姆综合产品公司 平坦化的电容式传感器阵列
US10391227B2 (en) 2014-05-15 2019-08-27 Novalung Gmbh Medico-technical measuring device and measuring method
US10814054B2 (en) 2015-10-23 2020-10-27 Novalung Gmbh Intermediate element for a medical extracorporeal fluid line, and system and method associated therewith

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8590387B2 (en) * 2011-03-31 2013-11-26 DePuy Synthes Products, LLC Absolute capacitive micro pressure sensor
KR101450219B1 (ko) 2013-04-17 2014-10-15 주식회사 아이티엠반도체 배터리 보호회로 모듈 패키지
JP6382529B2 (ja) 2014-02-27 2018-08-29 株式会社ブリヂストン 機能部品取付台座、及び、タイヤ
US9638596B2 (en) 2014-04-08 2017-05-02 Freescale Semiconductor, Inc. Cavity-down pressure sensor device
US10308505B1 (en) 2014-08-11 2019-06-04 Hrl Laboratories, Llc Method and apparatus for the monolithic encapsulation of a micro-scale inertial navigation sensor suite
CN104409428A (zh) * 2014-09-30 2015-03-11 广东合微集成电路技术有限公司 一种集成传感器及其封装方法
US9598280B2 (en) * 2014-11-10 2017-03-21 Nxp Usa, Inc. Environmental sensor structure
US9579511B2 (en) 2014-12-15 2017-02-28 Medtronic, Inc. Medical device with surface mounted lead connector
CN105181230A (zh) * 2015-08-06 2015-12-23 苏州敏芯微电子技术有限公司 压力传感器及其封装方法
US20170081179A1 (en) 2015-09-22 2017-03-23 Freescale Semiconductor, Inc. Mems sensor with side port and method of fabricating same
KR101803408B1 (ko) * 2016-03-23 2017-11-30 주식회사 아이티엠반도체 압력 센서 장치와 압력 센서 조립체 및 압력 센서 장치의 제조 방법
US10190925B2 (en) * 2016-07-18 2019-01-29 Honeywell International Inc. Low cost overmolded leadframe force sensor with multiple mounting positions
CN106477512B (zh) * 2016-11-23 2018-07-31 苏州敏芯微电子技术股份有限公司 压力传感器及其封装方法
US10295427B2 (en) * 2017-04-04 2019-05-21 Sensata Technologies, Inc. Multi-chamber pressure sensing apparatus
US20180335360A1 (en) * 2017-05-16 2018-11-22 Honeywell International Inc. Ported Pressure Sensor With No Internally Trapped Fluid
US10836223B1 (en) 2019-12-17 2020-11-17 The Goodyear Tire & Rubber Company Encapsulated embedded tire sensor unit
CN111086755B (zh) * 2019-12-23 2022-04-15 业成科技(成都)有限公司 包装组件
US11498829B2 (en) 2020-01-16 2022-11-15 Nxp Usa, Inc. No-gel pressure sensor package
DE102020108775B4 (de) 2020-03-30 2022-08-18 Infineon Technologies Ag Sensorpackages und verfahren zur herstellung von sensorpackages
US11938762B2 (en) 2020-08-19 2024-03-26 The Goodyear Tire & Rubber Company Tire sensor attachment structure
US11823968B2 (en) 2020-08-27 2023-11-21 Nxp Usa, Inc. Semiconductor device package having stress isolation and method therefor
CN115985859A (zh) 2021-10-14 2023-04-18 恩智浦美国有限公司 形成于半导体封装模塑料中的腔和形成方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0584897U (ja) * 1993-03-23 1993-11-16 シチズン時計株式会社 気圧測定機能付時計
JPH07225240A (ja) * 1994-02-14 1995-08-22 Omron Corp 半導体加速度センサ及び半導体加速度センサ装置並びに半導体圧力センサ及び半導体圧力センサ装置
JPH0979928A (ja) * 1995-09-12 1997-03-28 Nagano Keiki Seisakusho Ltd 半導体圧力センサ装置
JPH09126927A (ja) * 1995-09-05 1997-05-16 Motorola Inc 垂直一体化センサ構造および方法
JPH09304211A (ja) * 1996-05-15 1997-11-28 Omron Corp 静電容量型圧力センサのパッケージング構造およびパッケージング方法
JP2009512202A (ja) * 2005-10-14 2009-03-19 エスティーマイクロエレクトロニクス エス.アール.エル. 集積デバイス用の基板レベル・アセンブリ、その製造プロセス、および関連する集積デバイス
US20100055821A1 (en) * 2008-08-28 2010-03-04 Buehler Johannes Method for manufacturing an intergrated pressure sensor
JP2010203857A (ja) * 2009-03-02 2010-09-16 Alps Electric Co Ltd 圧力センサのパッケージ構造

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3880009A (en) * 1973-05-24 1975-04-29 Bunker Ramo Pressure transducer
US4881410A (en) * 1987-06-01 1989-11-21 The Regents Of The University Of Michigan Ultraminiature pressure sensor and method of making same
US5323051A (en) 1991-12-16 1994-06-21 Motorola, Inc. Semiconductor wafer level package
JPH06148016A (ja) * 1992-11-05 1994-05-27 Tokin Corp 静電容量型圧力センサ
DE60231067D1 (de) * 2001-07-10 2009-03-19 Commissariat Energie Atomique Eine Kraftmesseinrichtung beinhaltender Reifen
CN100367527C (zh) * 2003-07-11 2008-02-06 友达光电股份有限公司 电容式半导体压力传感器
US7898043B2 (en) 2007-01-04 2011-03-01 Stmicroelectronics, S.R.L. Package, in particular for MEMS devices and method of making same
KR101140480B1 (ko) * 2007-02-14 2012-04-30 파나소닉 주식회사 콘덴서
US20090134481A1 (en) * 2007-11-28 2009-05-28 Analog Devices, Inc. Molded Sensor Package and Assembly Method
US7644625B2 (en) * 2007-12-14 2010-01-12 Honeywell International Inc. Differential pressure sense die based on silicon piezoresistive technology
DE102008004358A1 (de) * 2008-01-15 2009-07-16 Robert Bosch Gmbh Druckausgleichseinheit
US8297125B2 (en) * 2008-05-23 2012-10-30 Honeywell International Inc. Media isolated differential pressure sensor with cap
US8230745B2 (en) * 2008-11-19 2012-07-31 Honeywell International Inc. Wet/wet differential pressure sensor based on microelectronic packaging process
US8359927B2 (en) 2009-08-12 2013-01-29 Freescale Semiconductor, Inc. Molded differential PRT pressure sensor

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0584897U (ja) * 1993-03-23 1993-11-16 シチズン時計株式会社 気圧測定機能付時計
JPH07225240A (ja) * 1994-02-14 1995-08-22 Omron Corp 半導体加速度センサ及び半導体加速度センサ装置並びに半導体圧力センサ及び半導体圧力センサ装置
JPH09126927A (ja) * 1995-09-05 1997-05-16 Motorola Inc 垂直一体化センサ構造および方法
JPH0979928A (ja) * 1995-09-12 1997-03-28 Nagano Keiki Seisakusho Ltd 半導体圧力センサ装置
JPH09304211A (ja) * 1996-05-15 1997-11-28 Omron Corp 静電容量型圧力センサのパッケージング構造およびパッケージング方法
JP2009512202A (ja) * 2005-10-14 2009-03-19 エスティーマイクロエレクトロニクス エス.アール.エル. 集積デバイス用の基板レベル・アセンブリ、その製造プロセス、および関連する集積デバイス
US20100055821A1 (en) * 2008-08-28 2010-03-04 Buehler Johannes Method for manufacturing an intergrated pressure sensor
JP2010203857A (ja) * 2009-03-02 2010-09-16 Alps Electric Co Ltd 圧力センサのパッケージ構造

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017518087A (ja) * 2014-05-15 2017-07-06 ノヴァラング ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 医療技術的測定システム、及び前記測定システムの製造方法
US10391227B2 (en) 2014-05-15 2019-08-27 Novalung Gmbh Medico-technical measuring device and measuring method
US10463306B2 (en) 2014-05-15 2019-11-05 Novalung Gmbh Medical measuring system and method for production of the measuring system
US11357899B2 (en) 2014-05-15 2022-06-14 Novalung Gmbh Measuring device and method for measuring a property of a fluid in a line
US10814054B2 (en) 2015-10-23 2020-10-27 Novalung Gmbh Intermediate element for a medical extracorporeal fluid line, and system and method associated therewith
DE102017103121A1 (de) 2016-03-02 2017-09-07 Omron Corporation Drucksensor
KR20170102804A (ko) 2016-03-02 2017-09-12 오므론 가부시키가이샤 압력 센서
CN108508277A (zh) * 2017-02-28 2018-09-07 马克西姆综合产品公司 平坦化的电容式传感器阵列

Also Published As

Publication number Publication date
EP2693184A3 (en) 2015-08-12
US9146170B2 (en) 2015-09-29
CN103575453A (zh) 2014-02-12
EP2693184A2 (en) 2014-02-05
US20140033814A1 (en) 2014-02-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2014032190A (ja) オーバーモールドパッケージ内の容量性圧力センサ
US8686550B2 (en) Method and apparatus for high pressure sensor device
US9040352B2 (en) Film-assist molded gel-fill cavity package with overflow reservoir
US10151658B2 (en) Pressure-sensing integrated circuit device with diaphragm
US9209121B2 (en) Double-sided package
US7900521B2 (en) Exposed pad backside pressure sensor package
CN204384864U (zh) 包含流体路径的mems器件及设备
US8104356B2 (en) Pressure sensing device package and manufacturing method thereof
US20140374848A1 (en) Semiconductor sensor device with metal lid
US9297713B2 (en) Pressure sensor device with through silicon via
US8264074B2 (en) Device for use as dual-sided sensor package
US9890034B2 (en) Cavity type pressure sensor device
US9054089B2 (en) Lead frame package having discharge holes and method of manufacturing the same
US11127645B2 (en) Grounding lids in integrated circuit devices
EP2090873B1 (en) Integrated circuit package
CN105293421A (zh) 微机电感测装置封装结构及制造工艺
US8307714B1 (en) Dual port pressure sensor
JP2000214177A (ja) 半導体加速度センサ及びその製造方法
US7832278B2 (en) Multi-chip package
JP2000329632A (ja) 圧力センサーモジュール及び圧力センサーモジュールの製造方法
CN111458056A (zh) 制造传感器设备和模制支撑结构的方法
GB2432457A (en) Sensor arrangement and method for fabricating a sensor arrangement
WO2009143676A1 (en) Multi-chip package
CN113838839A (zh) 感测组件封装结构及其封装方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160725

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160725

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170525

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170530

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20180109