JP2003156510A - 半導体加速度センサの製造方法 - Google Patents
半導体加速度センサの製造方法Info
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- JP2003156510A JP2003156510A JP2001357825A JP2001357825A JP2003156510A JP 2003156510 A JP2003156510 A JP 2003156510A JP 2001357825 A JP2001357825 A JP 2001357825A JP 2001357825 A JP2001357825 A JP 2001357825A JP 2003156510 A JP2003156510 A JP 2003156510A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 撓み部の耐衝撃性を向上させる面取り部を容
易に形成できる半導体加速度センサの製造方法を提供す
る。 【解決手段】 撓み部１ｃの両端部において重り部１ａ
の側面およびフレーム部１ｂの内側面とそれぞれ滑らか
に連続する面取り部１ｐを形成するｐ形拡散層１ｋを設
ける。その後、アルカリのシリコン異方性エッチング液
を用いたエッチングによってスリット１ｄを形成する。
易に形成できる半導体加速度センサの製造方法を提供す
る。 【解決手段】 撓み部１ｃの両端部において重り部１ａ
の側面およびフレーム部１ｂの内側面とそれぞれ滑らか
に連続する面取り部１ｐを形成するｐ形拡散層１ｋを設
ける。その後、アルカリのシリコン異方性エッチング液
を用いたエッチングによってスリット１ｄを形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、加速度を電気信号
に変換する半導体加速度センサの製造方法に関するもの
である。
に変換する半導体加速度センサの製造方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来から、加速度を電気信号に変換する
半導体加速度センサが自動車、航空機及び家電製品等に
用いられている。
半導体加速度センサが自動車、航空機及び家電製品等に
用いられている。
【０００３】従来の半導体加速度センサの１つの例につ
いて、図９乃至図１１を用いて説明する。図１０及び図
１１は、この半導体加速度センサの製造工程における断
面である。この半導体加速度センサは、図１３に示すよ
うに矩形枠状のフレーム部１ｂと、フレーム部１ｂに一
端が連結されフレーム部１ｂよりも薄肉に形成され歪み
ゲージ１ｅが設けられた撓み部１ｃと、スリット１ｄを
挟んでフレーム部１ｂに囲まれ撓み部１ｃに支持された
矩形板状の重り部１aとが形成されたセンシングエレメ
ント１を備える。また、センシングエレメント１には図
１５に示すように空気ギャップ４ｄを挟んで重り部１ａ
の表裏をそれぞれ覆うガラス製の上キャップ４ａ及び下
キャップ４ｂが接合されている。
いて、図９乃至図１１を用いて説明する。図１０及び図
１１は、この半導体加速度センサの製造工程における断
面である。この半導体加速度センサは、図１３に示すよ
うに矩形枠状のフレーム部１ｂと、フレーム部１ｂに一
端が連結されフレーム部１ｂよりも薄肉に形成され歪み
ゲージ１ｅが設けられた撓み部１ｃと、スリット１ｄを
挟んでフレーム部１ｂに囲まれ撓み部１ｃに支持された
矩形板状の重り部１aとが形成されたセンシングエレメ
ント１を備える。また、センシングエレメント１には図
１５に示すように空気ギャップ４ｄを挟んで重り部１ａ
の表裏をそれぞれ覆うガラス製の上キャップ４ａ及び下
キャップ４ｂが接合されている。
【０００４】この半導体加速度センサの動作を説明す
る。半導体加速度センサが加速度を受けると、重り部１
ａがフレーム部１ｂに対して相対的に変位することによ
り撓み部１ｃが撓み、このとき撓み部１ｃに生じた機械
的な歪みが歪みゲージ１ｅによって検出される。上キャ
ップ４ａ及び下キャップ４ｂは、半導体加速度センサに
過度の加速度が加わった際に撓み部１ｃが多く撓んで破
壊されることを防止し、空気ギャップ４ｄによりエアダ
ンピング効果を得て撓み部１ｃに加わる衝撃を吸収する
ために設けられていて、それぞれセンシングエレメント
１の表裏の面においてフレーム部１ｂに設けられたアル
ミ薄膜５を介して陽極接合されている。
る。半導体加速度センサが加速度を受けると、重り部１
ａがフレーム部１ｂに対して相対的に変位することによ
り撓み部１ｃが撓み、このとき撓み部１ｃに生じた機械
的な歪みが歪みゲージ１ｅによって検出される。上キャ
ップ４ａ及び下キャップ４ｂは、半導体加速度センサに
過度の加速度が加わった際に撓み部１ｃが多く撓んで破
壊されることを防止し、空気ギャップ４ｄによりエアダ
ンピング効果を得て撓み部１ｃに加わる衝撃を吸収する
ために設けられていて、それぞれセンシングエレメント
１の表裏の面においてフレーム部１ｂに設けられたアル
ミ薄膜５を介して陽極接合されている。
【０００５】なお、半導体加速度センサの形状として
は、上に述べた半導体加速度センサのように重り部の片
側に撓み部を形成する片持ち梁方式の他に、重り部の両
側に撓み部を形成する両持ち梁方式が提案されている。
は、上に述べた半導体加速度センサのように重り部の片
側に撓み部を形成する片持ち梁方式の他に、重り部の両
側に撓み部を形成する両持ち梁方式が提案されている。
【０００６】また、センシングエレメント１の図１１に
おける上面には絶縁膜（図示せず）が設けられていて、
フレーム部１ｂにおいて絶縁膜上には外部回路に接続さ
れる端子であるワイヤボンディングパッド２が設けられ
ている。そして、歪みゲージ１ｅは、Ｐ型不純物の拡散
によって形成された拡散層配線１ｆと、絶縁膜に設けら
れたコンタクト窓１ｇにおいて拡散層配線１ｆと接続さ
れたアルミ配線３とを介してワイヤボンディングパッド
２と電気的に接続されている。
おける上面には絶縁膜（図示せず）が設けられていて、
フレーム部１ｂにおいて絶縁膜上には外部回路に接続さ
れる端子であるワイヤボンディングパッド２が設けられ
ている。そして、歪みゲージ１ｅは、Ｐ型不純物の拡散
によって形成された拡散層配線１ｆと、絶縁膜に設けら
れたコンタクト窓１ｇにおいて拡散層配線１ｆと接続さ
れたアルミ配線３とを介してワイヤボンディングパッド
２と電気的に接続されている。
【０００７】ここで、センシングエレメント１はシリコ
ンからなる支持層１ｉと、支持層１ｉの一方の面の上に
形成された中間酸化膜１ｊと、シリコンからなり中間酸
化膜１ｊの上に形成され撓み部１ｃに対応した厚さに形
成された活性層１ｈとを備えるいわゆるＳＯＩ基板から
形成される。
ンからなる支持層１ｉと、支持層１ｉの一方の面の上に
形成された中間酸化膜１ｊと、シリコンからなり中間酸
化膜１ｊの上に形成され撓み部１ｃに対応した厚さに形
成された活性層１ｈとを備えるいわゆるＳＯＩ基板から
形成される。
【０００８】この種の半導体加速度センサを製造するに
あたっては、まずｐ形不純物拡散によって平板状のＳＯ
Ｉ基板の活性層１ｈ側の面（以下、上面）に歪みゲージ
１ｅを形成し、次いでＳＯＩ基板の両面に酸化膜を形成
し、その上に窒化膜を形成する。次に、ＳＯＩ基板の支
持層１ｉ側の面（以下、下面）の酸化膜及び窒化膜に対
してレジストパターニング及びエッチングを行い、これ
をマスクに用いてＳＯＩ基板の下面からＫＯＨによるエ
ッチングを行って、ＳＯＩ基板の撓み部１ｃとスリット
１ｄとに相当する部位を薄くする。ただし、後の電極形
成工程における振動及び衝撃に耐え得る程度の機械的強
度を確保できる厚み（例えば２０μｍ程度）は残す。こ
のとき、スリット１ｄに相当する部位において支持層１
ｉには活性層１ｈよりも厚いシリコン層が残存する。そ
の後、コンタクト窓１ｇを開け、ワイヤボンディングパ
ッド２及びアルミ薄膜５を形成する。次いで、レジスト
パターニング及びエッチングによってスリット１ｄにお
ける絶縁膜に窓開けをし、この絶縁膜をマスクとしてＴ
ＭＡＨを用いたＳＯＩ基板の両面からのエッチングを行
うことにより撓み部１ｃの下部の支持層１ｉとスリット
１ｄとに対応する部位のシリコンを除去する除去処理を
行い、センシングエレメント１を形成する。このとき、
撓み部１ｃの下方からのエッチングが中間酸化膜１ｊで
阻止されることにより、撓み部１ｃの厚みは確保され
る。次に図１０に示すように上キャップ４ａを、図１１
に示すように下キャップ４ｂをそれぞれアルミ薄膜５を
介してセンシングエレメント１に接合する。
あたっては、まずｐ形不純物拡散によって平板状のＳＯ
Ｉ基板の活性層１ｈ側の面（以下、上面）に歪みゲージ
１ｅを形成し、次いでＳＯＩ基板の両面に酸化膜を形成
し、その上に窒化膜を形成する。次に、ＳＯＩ基板の支
持層１ｉ側の面（以下、下面）の酸化膜及び窒化膜に対
してレジストパターニング及びエッチングを行い、これ
をマスクに用いてＳＯＩ基板の下面からＫＯＨによるエ
ッチングを行って、ＳＯＩ基板の撓み部１ｃとスリット
１ｄとに相当する部位を薄くする。ただし、後の電極形
成工程における振動及び衝撃に耐え得る程度の機械的強
度を確保できる厚み（例えば２０μｍ程度）は残す。こ
のとき、スリット１ｄに相当する部位において支持層１
ｉには活性層１ｈよりも厚いシリコン層が残存する。そ
の後、コンタクト窓１ｇを開け、ワイヤボンディングパ
ッド２及びアルミ薄膜５を形成する。次いで、レジスト
パターニング及びエッチングによってスリット１ｄにお
ける絶縁膜に窓開けをし、この絶縁膜をマスクとしてＴ
ＭＡＨを用いたＳＯＩ基板の両面からのエッチングを行
うことにより撓み部１ｃの下部の支持層１ｉとスリット
１ｄとに対応する部位のシリコンを除去する除去処理を
行い、センシングエレメント１を形成する。このとき、
撓み部１ｃの下方からのエッチングが中間酸化膜１ｊで
阻止されることにより、撓み部１ｃの厚みは確保され
る。次に図１０に示すように上キャップ４ａを、図１１
に示すように下キャップ４ｂをそれぞれアルミ薄膜５を
介してセンシングエレメント１に接合する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ここで、センシングエ
レメント１は製造工程において撓み部１ｃが形成された
後にも、スピンナによるレジスト塗布、マスクアライナ
ーを用いたフォトリソ工程、レジストのベークや現像お
よび乾燥、アルミのスパッタ、液体による洗浄及びエッ
チング、センシングエレメント１をカセット等へ収納す
るハンドリング、センシングエレメント１の搬送等の際
の吸着や搬送などによって衝撃や振動、遠心力などを受
ける。一方、半導体加速度センサの感度を向上するに
は、撓み部１ｃの撓み量が大きくなるように撓み部１ｃ
の更なる薄型化若しくは重り部１ａの重量増加が必要と
なるが、この方法によって半導体加速度センサの感度の
向上を試みた場合、上述した工程において撓み部１ｃが
破損されやすくなることにより、収率の著しい低下や、
破片による製造装置の汚染等の問題が発生するおそれが
あった。さらに、製品となった後も、例えば車載用の加
速度センサでは数千Ｇ以上の加速度が加わる場合があっ
た。
レメント１は製造工程において撓み部１ｃが形成された
後にも、スピンナによるレジスト塗布、マスクアライナ
ーを用いたフォトリソ工程、レジストのベークや現像お
よび乾燥、アルミのスパッタ、液体による洗浄及びエッ
チング、センシングエレメント１をカセット等へ収納す
るハンドリング、センシングエレメント１の搬送等の際
の吸着や搬送などによって衝撃や振動、遠心力などを受
ける。一方、半導体加速度センサの感度を向上するに
は、撓み部１ｃの撓み量が大きくなるように撓み部１ｃ
の更なる薄型化若しくは重り部１ａの重量増加が必要と
なるが、この方法によって半導体加速度センサの感度の
向上を試みた場合、上述した工程において撓み部１ｃが
破損されやすくなることにより、収率の著しい低下や、
破片による製造装置の汚染等の問題が発生するおそれが
あった。さらに、製品となった後も、例えば車載用の加
速度センサでは数千Ｇ以上の加速度が加わる場合があっ
た。
【００１０】撓み部１ｃが破損する原因の１つとして、
撓み部１ｃと重り部１ａとの連結部及び撓み部１ｃとフ
レーム部１ｂとの連結部が略直角に形成されているため
に、応力が集中してクラックが入ることが挙げられる。
そこで、撓み部１ｃの耐衝撃性を向上させる方法の１つ
として、重り部１ａの側面及びフレーム部１ｂの側面に
滑らかに連続する曲面状または面取り形状の面取り部を
撓み部１ｃの両側面に形成することが提案されている。
しかし、上記の製造工程においては、面取り部が形成さ
れるようにマスキングの形状を設定していても、撓み部
１ｃと重り部１ａとの連結部及び撓み部１ｃとフレーム
部１ｂとの連結部が略直角に形成されてしまう。これ
は、スリット１ｄのシリコンを除去する際に、支持層１
ｉが活性層１ｈよりもエッチングされる厚さが厚いの
で、活性層１ｈのシリコンが中間酸化膜１ｊまで除去さ
れた後、更に支持層１ｉを中間酸化膜１ｊまで除去する
ためにエッチングを続ける必要があり、この間に活性層
１ｈではアンダーカットが進行し、またエッチングには
ＫＯＨ、ＴＭＡＨ等、アルカリ性の異方性エッチング液
を用いるので、上述したアンダーカットの方向による速
度差によって撓み部１ｃの両端は直角状に形成されてし
まうためである。したがって、面取り部を設けて半導体
加速度センサの対衝撃性を向上させることが困難であっ
た。
撓み部１ｃと重り部１ａとの連結部及び撓み部１ｃとフ
レーム部１ｂとの連結部が略直角に形成されているため
に、応力が集中してクラックが入ることが挙げられる。
そこで、撓み部１ｃの耐衝撃性を向上させる方法の１つ
として、重り部１ａの側面及びフレーム部１ｂの側面に
滑らかに連続する曲面状または面取り形状の面取り部を
撓み部１ｃの両側面に形成することが提案されている。
しかし、上記の製造工程においては、面取り部が形成さ
れるようにマスキングの形状を設定していても、撓み部
１ｃと重り部１ａとの連結部及び撓み部１ｃとフレーム
部１ｂとの連結部が略直角に形成されてしまう。これ
は、スリット１ｄのシリコンを除去する際に、支持層１
ｉが活性層１ｈよりもエッチングされる厚さが厚いの
で、活性層１ｈのシリコンが中間酸化膜１ｊまで除去さ
れた後、更に支持層１ｉを中間酸化膜１ｊまで除去する
ためにエッチングを続ける必要があり、この間に活性層
１ｈではアンダーカットが進行し、またエッチングには
ＫＯＨ、ＴＭＡＨ等、アルカリ性の異方性エッチング液
を用いるので、上述したアンダーカットの方向による速
度差によって撓み部１ｃの両端は直角状に形成されてし
まうためである。したがって、面取り部を設けて半導体
加速度センサの対衝撃性を向上させることが困難であっ
た。
【００１１】本発明は、上記事由に鑑みてなされたもの
であり、その目的は、撓み部の耐衝撃性の向上を可能と
する面取り部を容易に形成することのできる半導体加速
度センサの製造方法を提供することにある。
であり、その目的は、撓み部の耐衝撃性の向上を可能と
する面取り部を容易に形成することのできる半導体加速
度センサの製造方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、枠状
のフレーム部、スリットを挟んで前記フレーム部に囲ま
れた板状の重り部、および各一端がそれぞれ前記フレー
ム部の内側面及び前記重り部の側面に一体に連結され他
の部位よりも薄肉に形成され前記重り部を支持する撓み
部が形成され、前記重り部が力を受けて前記フレーム部
に対して変位するときに前記撓み部に生じる機械的歪み
を検出する歪みゲージが前記撓み部に設けられたセンシ
ングエレメントを備え、前記重り部の側面及び前記フレ
ーム部の内側面に滑らかに連続した面取り部が前記撓み
部の側面の一端部及び他端部にそれぞれ形成された半導
体加速度センサの製造方法であって、後工程で用いるエ
ッチング液によるエッチングを阻止するエッチングスト
ップ層を前記面取り部をなす形状に前記半導体基板に形
成した後に、前記エッチング液を用いて前記半導体基板
に前記スリットを形成することを特徴とする。
のフレーム部、スリットを挟んで前記フレーム部に囲ま
れた板状の重り部、および各一端がそれぞれ前記フレー
ム部の内側面及び前記重り部の側面に一体に連結され他
の部位よりも薄肉に形成され前記重り部を支持する撓み
部が形成され、前記重り部が力を受けて前記フレーム部
に対して変位するときに前記撓み部に生じる機械的歪み
を検出する歪みゲージが前記撓み部に設けられたセンシ
ングエレメントを備え、前記重り部の側面及び前記フレ
ーム部の内側面に滑らかに連続した面取り部が前記撓み
部の側面の一端部及び他端部にそれぞれ形成された半導
体加速度センサの製造方法であって、後工程で用いるエ
ッチング液によるエッチングを阻止するエッチングスト
ップ層を前記面取り部をなす形状に前記半導体基板に形
成した後に、前記エッチング液を用いて前記半導体基板
に前記スリットを形成することを特徴とする。
【００１３】請求項２の発明は、請求項１の発明におい
て、前記半導体基板はシリコンからなり、前記エッチン
グストップ層はボロンを高濃度に拡散したｐ形拡散層で
あり、前記エッチングはアルカリのシリコン異方性エッ
チング液を用いたエッチングであることを特徴とする。
て、前記半導体基板はシリコンからなり、前記エッチン
グストップ層はボロンを高濃度に拡散したｐ形拡散層で
あり、前記エッチングはアルカリのシリコン異方性エッ
チング液を用いたエッチングであることを特徴とする。
【００１４】請求項３の発明は、請求項１の発明におい
て、前記半導体基板において前記撓み部の両側部に対応
する部位にそれぞれ撓み部の全長に亘るトレンチを設け
た後、前記トレンチの内側に絶縁層を形成し、前記絶縁
層のうち前記撓み部の側面となる部分を前記エッチング
ストップ層とすることを特徴とする。
て、前記半導体基板において前記撓み部の両側部に対応
する部位にそれぞれ撓み部の全長に亘るトレンチを設け
た後、前記トレンチの内側に絶縁層を形成し、前記絶縁
層のうち前記撓み部の側面となる部分を前記エッチング
ストップ層とすることを特徴とする。
【００１５】請求項４の発明は、枠状のフレーム部、ス
リットを挟んで前記フレーム部に囲まれた板状の重り
部、および各一端がそれぞれ前記フレーム部の内側面及
び前記重り部の側面に一体に連結され他の部位よりも薄
肉に形成され前記重り部を支持する撓み部が形成され、
前記重り部が力を受けて前記フレーム部に対して変位す
るときに前記撓み部に生じる機械的歪みを検出する歪み
ゲージが前記撓み部に設けられたセンシングエレメント
を備え、前記重り部の側面及び前記フレーム部の内側面
に滑らかに連続した面取り部が前記撓み部の側面の一端
部及び他端部にそれぞれ形成された半導体加速度センサ
の製造方法であって、前記スリットに相当する部位に不
純物を高濃度に拡散することによって高濃度拡散層を形
成した後、フッ酸と硝酸と酢酸とを含む混合液をエッチ
ング液とするエッチングによって前記高濃度拡散層を除
去することにより前記面取り部を形成することを特徴と
する。
リットを挟んで前記フレーム部に囲まれた板状の重り
部、および各一端がそれぞれ前記フレーム部の内側面及
び前記重り部の側面に一体に連結され他の部位よりも薄
肉に形成され前記重り部を支持する撓み部が形成され、
前記重り部が力を受けて前記フレーム部に対して変位す
るときに前記撓み部に生じる機械的歪みを検出する歪み
ゲージが前記撓み部に設けられたセンシングエレメント
を備え、前記重り部の側面及び前記フレーム部の内側面
に滑らかに連続した面取り部が前記撓み部の側面の一端
部及び他端部にそれぞれ形成された半導体加速度センサ
の製造方法であって、前記スリットに相当する部位に不
純物を高濃度に拡散することによって高濃度拡散層を形
成した後、フッ酸と硝酸と酢酸とを含む混合液をエッチ
ング液とするエッチングによって前記高濃度拡散層を除
去することにより前記面取り部を形成することを特徴と
する。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。
に基づいて説明する。
【００１７】（実施形態１）本実施形態において製造方
法を説明する半導体加速度センサは、図１に示すよう
に、矩形枠状のフレーム部１ｂと、それぞれフレーム部
１ｂの内側の一側面に一体に連結され歪みゲージ１ｅが
設けられた２本の撓み部１ｃと、各撓み部１ｃの他端に
一体に連結されて支持された矩形板状の重り部１ａとを
有するセンシングエレメント１を備える。重り部１ａと
フレーム部１ｂとの間にはスリット１ｄが形成される。
撓み部１ｃはセンシングエレメント１の他の部位よりも
薄肉に形成され、撓み部１ｃが撓むことによって重り部
１ａは図３における上下に可動である。ここで、撓み部
１ｃの両側面は図２に示すようにフレーム部１ｂの内側
の側面及び重り部１ａの側面とそれぞれ面取り部１ｐを
介して滑らかに連続する。
法を説明する半導体加速度センサは、図１に示すよう
に、矩形枠状のフレーム部１ｂと、それぞれフレーム部
１ｂの内側の一側面に一体に連結され歪みゲージ１ｅが
設けられた２本の撓み部１ｃと、各撓み部１ｃの他端に
一体に連結されて支持された矩形板状の重り部１ａとを
有するセンシングエレメント１を備える。重り部１ａと
フレーム部１ｂとの間にはスリット１ｄが形成される。
撓み部１ｃはセンシングエレメント１の他の部位よりも
薄肉に形成され、撓み部１ｃが撓むことによって重り部
１ａは図３における上下に可動である。ここで、撓み部
１ｃの両側面は図２に示すようにフレーム部１ｂの内側
の側面及び重り部１ａの側面とそれぞれ面取り部１ｐを
介して滑らかに連続する。
【００１８】ここで、センシングエレメント１は図３に
示すように、それぞれシリコンからなる活性層１ｈと支
持層１ｉとの間に酸化シリコンからなる中間酸化膜１ｊ
が形成された半導体基板としてのＳＯＩ基板から形成さ
れ、センシングエレメント１の表裏の面にはそれぞれ例
えばパイレックス（R）のようなガラスからなる上キャ
ップ４ａと下キャップ４ｂとが接合される。
示すように、それぞれシリコンからなる活性層１ｈと支
持層１ｉとの間に酸化シリコンからなる中間酸化膜１ｊ
が形成された半導体基板としてのＳＯＩ基板から形成さ
れ、センシングエレメント１の表裏の面にはそれぞれ例
えばパイレックス（R）のようなガラスからなる上キャ
ップ４ａと下キャップ４ｂとが接合される。
【００１９】歪みゲージ１ｅはピエゾ抵抗であって、各
撓み部１ｃに図２に示すように一方がセンシングエレメ
ント１の長手方向に沿って延び、他方がセンシングエレ
メント１の短手方向に沿って延びた２つずつが設けられ
る。センシングエレメント１の活性層１ｈの側の面（以
下、上面）において長手方向の一端部には外部回路に接
続される端子となるワイヤボンディングパッド２が設け
られ、各歪みゲージ１ｅとワイヤボンディングパッド２
とはｐ形不純物が高濃度に拡散された拡散層配線１ｆと
アルミ薄膜からなるアルミ配線３とを介してブリッジ回
路状に配線される。ここで、センシングエレメント１の
上面には酸化膜の上に窒化膜が形成された絶縁膜（図示
せず）が設けられ、拡散層配線１ｆとアルミ配線３とは
絶縁膜に設けられたコンタクト窓１ｇにおいて接続され
る。
撓み部１ｃに図２に示すように一方がセンシングエレメ
ント１の長手方向に沿って延び、他方がセンシングエレ
メント１の短手方向に沿って延びた２つずつが設けられ
る。センシングエレメント１の活性層１ｈの側の面（以
下、上面）において長手方向の一端部には外部回路に接
続される端子となるワイヤボンディングパッド２が設け
られ、各歪みゲージ１ｅとワイヤボンディングパッド２
とはｐ形不純物が高濃度に拡散された拡散層配線１ｆと
アルミ薄膜からなるアルミ配線３とを介してブリッジ回
路状に配線される。ここで、センシングエレメント１の
上面には酸化膜の上に窒化膜が形成された絶縁膜（図示
せず）が設けられ、拡散層配線１ｆとアルミ配線３とは
絶縁膜に設けられたコンタクト窓１ｇにおいて接続され
る。
【００２０】上キャップ４ａ及び下キャップ４ｂはそれ
ぞれセンシングエレメント１の上面及び下面に形成され
たアルミ薄膜５を介してセンシングエレメント１に陽極
接合される。上キャップ４ａと下キャップ４ｂとには重
り部１ｃとの間に空気ギャップ４ｄを形成して重り部１
ａの可動範囲を確保するための凹部が設けられ、凹部の
内側には、空気ギャップ４ｄによるエアダンピング効果
を維持しつつ重り部１ｃの可動範囲を制限して重り部１
ｃの周波数特性を調整するためのストッパー突起４ｃが
設けられる。ここで、センシングエレメント１の上面の
アルミ薄膜５はフレーム部１ｂの長手方向に沿った両側
部に形成され、上キャップ４ａの図３における左右方向
両端は開放される。
ぞれセンシングエレメント１の上面及び下面に形成され
たアルミ薄膜５を介してセンシングエレメント１に陽極
接合される。上キャップ４ａと下キャップ４ｂとには重
り部１ｃとの間に空気ギャップ４ｄを形成して重り部１
ａの可動範囲を確保するための凹部が設けられ、凹部の
内側には、空気ギャップ４ｄによるエアダンピング効果
を維持しつつ重り部１ｃの可動範囲を制限して重り部１
ｃの周波数特性を調整するためのストッパー突起４ｃが
設けられる。ここで、センシングエレメント１の上面の
アルミ薄膜５はフレーム部１ｂの長手方向に沿った両側
部に形成され、上キャップ４ａの図３における左右方向
両端は開放される。
【００２１】半導体加速度センサを実装面に実装するに
は、図３に示すように下キャップ４ｂを実装面Ｇに接着
剤等で固定し、ワイヤボンディングパッド２と外部回路
とをボンディングワイヤ６を介して電気的に接続し、ボ
ンディングワイヤ６をワイヤ保護樹脂７で保護する。
は、図３に示すように下キャップ４ｂを実装面Ｇに接着
剤等で固定し、ワイヤボンディングパッド２と外部回路
とをボンディングワイヤ６を介して電気的に接続し、ボ
ンディングワイヤ６をワイヤ保護樹脂７で保護する。
【００２２】この半導体加速度センサを製造するにあた
っては、スリット１ｄのシリコンを除去する前に、図２
及び図４に示すように撓み部１ｃの面取り部１ｐを含む
両側面をなす形状のｐ形拡散層１ｋを設ける。ｐ形拡散
層１ｋは、ボロンをイオン注入または熱拡散によって導
入した後にドライブインを行うことで例えば１０20個／
ｃｍ3程度の濃度に形成する。ｐ形拡散層１ｋの厚さす
なわちボロンの拡散深さは、例えば活性層１ｈの厚さが
８μmの場合、約５〜８μm程度あればよく、ドライブイ
ンは例えば約１１００℃で約１時間行う。その後、エッ
チングによってスリット１ｄを形成する。
っては、スリット１ｄのシリコンを除去する前に、図２
及び図４に示すように撓み部１ｃの面取り部１ｐを含む
両側面をなす形状のｐ形拡散層１ｋを設ける。ｐ形拡散
層１ｋは、ボロンをイオン注入または熱拡散によって導
入した後にドライブインを行うことで例えば１０20個／
ｃｍ3程度の濃度に形成する。ｐ形拡散層１ｋの厚さす
なわちボロンの拡散深さは、例えば活性層１ｈの厚さが
８μmの場合、約５〜８μm程度あればよく、ドライブイ
ンは例えば約１１００℃で約１時間行う。その後、エッ
チングによってスリット１ｄを形成する。
【００２３】ここで、アルカリ性のシリコン異方性エッ
チング液であるＫＯＨ、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモ
ニウムハイドロオキサイド）、ＥＤＰ（エチレンジアミ
ンピロカテコール）等をエッチングに用いると、ｐ形拡
散層１ｋにおけるエッチング速度が活性層１ｈの他の部
位におけるエッチング速度よりも約２桁のオーダーで著
しく低下する。このエッチング速度の差のため、撓み部
１ｃの両側部は確実にｐ形拡散層１ｋに沿った形状に形
成される。すなわち、面取り部１ｐを容易に形成するこ
とができる。また、面取り部１ｐが形成されることによ
る効果として、撓み部１ｃとフレーム部１ｂ及び重り部
１ａとの連結部位にかかる応力が分散され、したがって
従来例に比してクラックが発生しにくいので、耐衝撃性
を向上させることが可能になる。
チング液であるＫＯＨ、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモ
ニウムハイドロオキサイド）、ＥＤＰ（エチレンジアミ
ンピロカテコール）等をエッチングに用いると、ｐ形拡
散層１ｋにおけるエッチング速度が活性層１ｈの他の部
位におけるエッチング速度よりも約２桁のオーダーで著
しく低下する。このエッチング速度の差のため、撓み部
１ｃの両側部は確実にｐ形拡散層１ｋに沿った形状に形
成される。すなわち、面取り部１ｐを容易に形成するこ
とができる。また、面取り部１ｐが形成されることによ
る効果として、撓み部１ｃとフレーム部１ｂ及び重り部
１ａとの連結部位にかかる応力が分散され、したがって
従来例に比してクラックが発生しにくいので、耐衝撃性
を向上させることが可能になる。
【００２４】本実施形態において、エッチングストップ
層としてボロンを高濃度に拡散させたｐ形拡散層１ｋを
用い、エッチング液としてアルカリのシリコン異方性エ
ッチング液を用いたが、スリット１ｄを形成する際に用
いられるエッチング液によるエッチングを阻止する効果
がエッチングストップ層にあればよく、エッチングスト
ップ層はｐ形拡散層に限定されず、エッチング液はアル
カリのシリコン異方性エッチング液に限定されない。ま
た、エッチングストップ層は面取り部１ｐをなす形状に
設けられていれば良く、必ずしも本実施形態のように撓
み部１ｃの両側部全体にわたって設けられなくてもよ
い。
層としてボロンを高濃度に拡散させたｐ形拡散層１ｋを
用い、エッチング液としてアルカリのシリコン異方性エ
ッチング液を用いたが、スリット１ｄを形成する際に用
いられるエッチング液によるエッチングを阻止する効果
がエッチングストップ層にあればよく、エッチングスト
ップ層はｐ形拡散層に限定されず、エッチング液はアル
カリのシリコン異方性エッチング液に限定されない。ま
た、エッチングストップ層は面取り部１ｐをなす形状に
設けられていれば良く、必ずしも本実施形態のように撓
み部１ｃの両側部全体にわたって設けられなくてもよ
い。
【００２５】因みに、耐衝撃性が１０００Ｇレベルであ
った従来の半導体加速度センサと同サイズの加速度セン
サに本発明を活用して面取り部を設けたところ、平均５
０００Ｇの耐衝撃性が得られた。
った従来の半導体加速度センサと同サイズの加速度セン
サに本発明を活用して面取り部を設けたところ、平均５
０００Ｇの耐衝撃性が得られた。
【００２６】（実施形態２）本実施形態において製造の
対象となる半導体加速度センサは実施形態１における半
導体加速度センサと同様である。
対象となる半導体加速度センサは実施形態１における半
導体加速度センサと同様である。
【００２７】本実施形態における半導体加速度センサの
製造工程において、スリット１ｄのシリコンを除去する
前に、アルカリ性のエッチング液を用いたエッチング又
はCF 4等を用いたドライエッチングにより図６（ａ）に
示すようにＳＯＩ基板の活性層１ｈにおいて両撓み部１
ｃに相当する部位を挟んだ３箇所にそれぞれ撓み部１ｃ
の全長に亘るトレンチ１ｍを形成する。ここで各トレン
チはそれぞれ中間酸化膜１ｊを底面とし、また面取り部
１ｐを含めた各撓み部１ｃの各側面はそれぞれいずれか
のトレンチ１ｍの内側面に含まれるようにする。このと
き、アルカリ性のエッチング液を用いた異方性エッチン
グの場合でも、従来例と異なりトレンチ１ｍの角部にお
いてエッチングが進行する前にエッチングを止めること
ができるので、面取り部１ｐとなるトレンチ１ｍの角部
をなだらかに形成することができる。次に、図６（ｂ）
に示すように、ＳＯＩ基板の上面を酸化膜で覆い、この
酸化膜の上に窒化膜を形成することにより絶縁層１ｌを
形成する。次に、図６（ｃ）に示すように活性層１ｈに
おいてスリット１ｄに相当する部位のシリコンをドライ
エッチングで除去する。このとき、撓み部１ｃの面取り
部１ｐを含む両側面と上面とに対応する部位には絶縁層
１ｌが残存する。次に、図６（ｄ）に示すように支持層
１ｉにおいてスリット１ｄ及び撓み部１ｃの下部のシリ
コンを異方性エッチング等で除去する。このとき活性層
１ｈのシリコンも除去されるが、面取り部１ｐは絶縁層
１ｌで保護されている。すなわち絶縁層１ｌをエッチン
グストップ層としている。次に図６（ｅ）で示すように
フッ酸とフッ化アンモニウムとエチレングリコールと純
水とから成るフッ酸混合液を用いてスリット１ｄ及び撓
み部１ｃの下部の中間酸化膜１ｊを除去する。トレンチ
１ｍを面取り部１ｐを含む形状に形成したことから図５
に示すように撓み部１ｃの側面には面取り部１ｐが形成
される。
製造工程において、スリット１ｄのシリコンを除去する
前に、アルカリ性のエッチング液を用いたエッチング又
はCF 4等を用いたドライエッチングにより図６（ａ）に
示すようにＳＯＩ基板の活性層１ｈにおいて両撓み部１
ｃに相当する部位を挟んだ３箇所にそれぞれ撓み部１ｃ
の全長に亘るトレンチ１ｍを形成する。ここで各トレン
チはそれぞれ中間酸化膜１ｊを底面とし、また面取り部
１ｐを含めた各撓み部１ｃの各側面はそれぞれいずれか
のトレンチ１ｍの内側面に含まれるようにする。このと
き、アルカリ性のエッチング液を用いた異方性エッチン
グの場合でも、従来例と異なりトレンチ１ｍの角部にお
いてエッチングが進行する前にエッチングを止めること
ができるので、面取り部１ｐとなるトレンチ１ｍの角部
をなだらかに形成することができる。次に、図６（ｂ）
に示すように、ＳＯＩ基板の上面を酸化膜で覆い、この
酸化膜の上に窒化膜を形成することにより絶縁層１ｌを
形成する。次に、図６（ｃ）に示すように活性層１ｈに
おいてスリット１ｄに相当する部位のシリコンをドライ
エッチングで除去する。このとき、撓み部１ｃの面取り
部１ｐを含む両側面と上面とに対応する部位には絶縁層
１ｌが残存する。次に、図６（ｄ）に示すように支持層
１ｉにおいてスリット１ｄ及び撓み部１ｃの下部のシリ
コンを異方性エッチング等で除去する。このとき活性層
１ｈのシリコンも除去されるが、面取り部１ｐは絶縁層
１ｌで保護されている。すなわち絶縁層１ｌをエッチン
グストップ層としている。次に図６（ｅ）で示すように
フッ酸とフッ化アンモニウムとエチレングリコールと純
水とから成るフッ酸混合液を用いてスリット１ｄ及び撓
み部１ｃの下部の中間酸化膜１ｊを除去する。トレンチ
１ｍを面取り部１ｐを含む形状に形成したことから図５
に示すように撓み部１ｃの側面には面取り部１ｐが形成
される。
【００２８】本実施形態によれば、実施形態１と同様の
効果に加えて次の効果がある。すなわち、スリット１ｄ
のシリコンを除去するエッチングの際に撓み部１ｃの上
面及び両側面となる面が絶縁層１ｌで保護されているこ
とにより、エッチング条件が多少ばらついても撓み部１
ｃの形状が確保され設計通りの形状とすることができ
る。
効果に加えて次の効果がある。すなわち、スリット１ｄ
のシリコンを除去するエッチングの際に撓み部１ｃの上
面及び両側面となる面が絶縁層１ｌで保護されているこ
とにより、エッチング条件が多少ばらついても撓み部１
ｃの形状が確保され設計通りの形状とすることができ
る。
【００２９】（実施形態３）本実施形態において製造の
対象となる半導体加速度センサは実施形態１の半導体加
速度センサと同様である。
対象となる半導体加速度センサは実施形態１の半導体加
速度センサと同様である。
【００３０】本実施形態の半導体加速度センサの製造工
程においてスリット１ｄを形成するにあたっては、ＳＯ
Ｉ基板の活性層１ｈにおいて図７に示すようにスリット
１ｄに相当する部位に例えばボロンまたはリンを高濃度
に拡散することによりＰ型またはＮ型の高濃度拡散層１
ｎを形成した後、フッ酸と硝酸と酢酸との混合液をエッ
チング液とするエッチングによって高濃度拡散層１ｎの
シリコンを取り除き、図８に示すようにスリット１ｄと
撓み部１ｃとを形成する。
程においてスリット１ｄを形成するにあたっては、ＳＯ
Ｉ基板の活性層１ｈにおいて図７に示すようにスリット
１ｄに相当する部位に例えばボロンまたはリンを高濃度
に拡散することによりＰ型またはＮ型の高濃度拡散層１
ｎを形成した後、フッ酸と硝酸と酢酸との混合液をエッ
チング液とするエッチングによって高濃度拡散層１ｎの
シリコンを取り除き、図８に示すようにスリット１ｄと
撓み部１ｃとを形成する。
【００３１】本実施形態によれば、高濃度拡散層１ｎは
拡散によって形成されるために撓み部１ｃの両端部付近
などの角部において丸みを帯びた形状に形成されるか
ら、高濃度拡散層１ｎを除去した後の撓み部１ｃの両側
面には緩やかな曲面状の面取り部１ｐが容易に形成され
る。いうまでもなく、面取り部１ｐが形成されることに
より撓み部１ｃの両端にかかる応力が分散され、半導体
加速度センサの耐衝撃性の向上が可能になる。
拡散によって形成されるために撓み部１ｃの両端部付近
などの角部において丸みを帯びた形状に形成されるか
ら、高濃度拡散層１ｎを除去した後の撓み部１ｃの両側
面には緩やかな曲面状の面取り部１ｐが容易に形成され
る。いうまでもなく、面取り部１ｐが形成されることに
より撓み部１ｃの両端にかかる応力が分散され、半導体
加速度センサの耐衝撃性の向上が可能になる。
【００３２】また、フッ酸と硝酸と酢酸との混合液とし
て、例えばフッ酸：硝酸：酢酸＝１：３：８とした混合
液を用いてエッチングした場合、高濃度拡散層１ｎにお
ける濃度が１０20個／ｃｍ3程度である部位に対するエ
ッチングレートは、濃度が１０17個／ｃｍ3である部位
に対するエッチングレートの約１５０倍になる。このよ
うにエッチングレートに大きな差があることから、高濃
度拡散層１ｎが選択的に取り除かれることにより、面取
り部１ｐを容易に形成することができる。
て、例えばフッ酸：硝酸：酢酸＝１：３：８とした混合
液を用いてエッチングした場合、高濃度拡散層１ｎにお
ける濃度が１０20個／ｃｍ3程度である部位に対するエ
ッチングレートは、濃度が１０17個／ｃｍ3である部位
に対するエッチングレートの約１５０倍になる。このよ
うにエッチングレートに大きな差があることから、高濃
度拡散層１ｎが選択的に取り除かれることにより、面取
り部１ｐを容易に形成することができる。
【００３３】ここで、本実施形態では半導体基板として
ＳＯＩ基板を用いたが、シリコン基板であれば構造は問
わない。
ＳＯＩ基板を用いたが、シリコン基板であれば構造は問
わない。
【００３４】
【発明の効果】本発明によって製造される半導体加速度
センサは、重り部の側面及びフレーム部の側面のうち撓
み部が連結された側面にそれぞれ滑らかに連続した面取
り部が撓み部の側面の両端部に形成されることにより、
撓み部の両端部にかかる応力が分散され、耐衝撃性が向
上する。また、耐衝撃性の向上により製造工程において
も破損しにくくなるので、半導体加速度センサの品質を
向上させながらも収率の向上を図ることができる。
センサは、重り部の側面及びフレーム部の側面のうち撓
み部が連結された側面にそれぞれ滑らかに連続した面取
り部が撓み部の側面の両端部に形成されることにより、
撓み部の両端部にかかる応力が分散され、耐衝撃性が向
上する。また、耐衝撃性の向上により製造工程において
も破損しにくくなるので、半導体加速度センサの品質を
向上させながらも収率の向上を図ることができる。
【００３５】さらに、各請求項によって以下の効果が得
られる。
られる。
【００３６】請求項１の発明によれば、後工程で用いる
エッチング液によるエッチングを阻止するエッチングス
トップ層を面取り部をなす形状に半導体基板に形成した
後に、前記エッチング液を用いて半導体基板にスリット
を形成するので、撓み部の両側面は確実にエッチングス
トップ層に沿った形状に形成される。すなわち、面取り
部を容易に形成することができる。
エッチング液によるエッチングを阻止するエッチングス
トップ層を面取り部をなす形状に半導体基板に形成した
後に、前記エッチング液を用いて半導体基板にスリット
を形成するので、撓み部の両側面は確実にエッチングス
トップ層に沿った形状に形成される。すなわち、面取り
部を容易に形成することができる。
【００３７】請求項２の発明によれば、半導体基板はシ
リコンからなり、エッチングストップ層はボロンを高濃
度に拡散したｐ形拡散層であり、エッチングはアルカリ
のシリコン異方性エッチング液を用いたエッチングであ
ることので、エッチングストップ層においてエッチング
速度が著しく低下するために面取り部を容易に形成する
ことができる。
リコンからなり、エッチングストップ層はボロンを高濃
度に拡散したｐ形拡散層であり、エッチングはアルカリ
のシリコン異方性エッチング液を用いたエッチングであ
ることので、エッチングストップ層においてエッチング
速度が著しく低下するために面取り部を容易に形成する
ことができる。
【００３８】請求項３の発明によれば、請求項１の発明
において半導体基板において撓み部の両側部に対応する
部位にそれぞれ撓み部の全長に亘るトレンチを設けた
後、トレンチの内側に絶縁層を形成し、絶縁層のうち撓
み部の側面となる部分をエッチングストップ層とするの
で、エッチング条件が多少ばらついても撓み部の形状が
確保される。
において半導体基板において撓み部の両側部に対応する
部位にそれぞれ撓み部の全長に亘るトレンチを設けた
後、トレンチの内側に絶縁層を形成し、絶縁層のうち撓
み部の側面となる部分をエッチングストップ層とするの
で、エッチング条件が多少ばらついても撓み部の形状が
確保される。
【００３９】請求項４の発明によれば、高濃度拡散層は
半導体基板においてスリットに相当する部位に不純物を
高濃度に拡散させることにより形成されるために、高濃
度拡散層の外周は丸みを帯びた形状に形成され、高濃度
拡散層を除去した後の撓み部の両端部には緩やかな曲面
状の面取り部が形成される。すなわち面取り部が容易に
形成される。
半導体基板においてスリットに相当する部位に不純物を
高濃度に拡散させることにより形成されるために、高濃
度拡散層の外周は丸みを帯びた形状に形成され、高濃度
拡散層を除去した後の撓み部の両端部には緩やかな曲面
状の面取り部が形成される。すなわち面取り部が容易に
形成される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態１において用いられるセンシ
ングエレメントを示す平面図である。
ングエレメントを示す平面図である。
【図２】本発明の実施形態１の要部を示す斜視図であ
る。
る。
【図３】同上の断面図である。
【図４】同上の要部断面を含む斜視図である。
【図５】本発明の実施形態２の要部断面を含む斜視図で
ある。
ある。
【図６】本発明の実施形態２におけるセンシングエレメ
ントの製造工程を示す要部断面図である。
ントの製造工程を示す要部断面図である。
【図７】本発明の実施形態３におけるセンシングエレメ
ントの一製造工程を示す平面図である。
ントの一製造工程を示す平面図である。
【図８】同上の要部断面を含む斜視図である。
【図９】従来例に用いられるセンシングエレメントを示
す平面図である。
す平面図である。
【図１０】従来例における一製造工程を示す断面図であ
る。
る。
【図１１】従来例における別の製造工程を示す断面図で
ある。
ある。
１ センシングエレメント
１ａ 重り部
１ｂ フレーム部
１ｃ 撓み部
１ｄ スリット
１ｅ 歪みゲージ
１ｋ ｐ形拡散層
１ｌ 絶縁層
１ｍ トレンチ
１ｎ 高濃度拡散層
１ｐ 面取り部
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 上 浩則
大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株
式会社内
Ｆターム(参考） 4M112 AA02 BA01 CA21 CA24 CA28
DA03 DA04 DA10 DA12 DA13
DA18 EA01 EA03 EA06 EA07
EA10 EA11 EA13 FA07
5F043 AA02 BB02 DD30
Claims (4)
- 【請求項１】 枠状のフレーム部、スリットを挟んで前
記フレーム部に囲まれた板状の重り部、および各一端が
それぞれ前記フレーム部の内側面及び前記重り部の側面
に一体に連結され他の部位よりも薄肉に形成され前記重
り部を支持する撓み部が形成され、前記重り部が力を受
けて前記フレーム部に対して変位するときに前記撓み部
に生じる機械的歪みを検出する歪みゲージが前記撓み部
に設けられたセンシングエレメントを備え、前記重り部
の側面及び前記フレーム部の内側面に滑らかに連続した
面取り部が前記撓み部の側面の一端部及び他端部にそれ
ぞれ形成された半導体加速度センサの製造方法であっ
て、後工程で用いるエッチング液によるエッチングを阻
止するエッチングストップ層を前記面取り部をなす形状
に前記半導体基板に形成した後に、前記エッチング液を
用いて前記半導体基板に前記スリットを形成することを
特徴とする半導体加速度センサの製造方法。 - 【請求項２】 前記半導体基板はシリコンからなり、前
記エッチングストップ層はボロンを高濃度に拡散したｐ
形拡散層であり、前記エッチングはアルカリのシリコン
異方性エッチング液を用いたエッチングであることを特
徴とする請求項１記載の半導体加速度センサの製造方
法。 - 【請求項３】 前記半導体基板において前記撓み部の両
側部に対応する部位にそれぞれ撓み部の全長に亘るトレ
ンチを設けた後、前記トレンチの内側に絶縁層を形成
し、前記絶縁層のうち前記撓み部の側面となる部分を前
記エッチングストップ層とすることを特徴とする請求項
１記載の半導体加速度センサの製造方法。 - 【請求項４】 枠状のフレーム部、スリットを挟んで前
記フレーム部に囲まれた板状の重り部、および各一端が
それぞれ前記フレーム部の内側面及び前記重り部の側面
に一体に連結され他の部位よりも薄肉に形成され前記重
り部を支持する撓み部が形成され、前記重り部が力を受
けて前記フレーム部に対して変位するときに前記撓み部
に生じる機械的歪みを検出する歪みゲージが前記撓み部
に設けられたセンシングエレメントを備え、前記重り部
の側面及び前記フレーム部の内側面に滑らかに連続した
面取り部が前記撓み部の側面の一端部及び他端部にそれ
ぞれ形成された半導体加速度センサの製造方法であっ
て、前記スリットに相当する部位に不純物を高濃度に拡
散することによって高濃度拡散層を形成した後、フッ酸
と硝酸と酢酸とを含む混合液をエッチング液とするエッ
チングによって前記高濃度拡散層を除去することにより
前記面取り部を形成することを特徴とする半導体加速度
センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001357825A JP2003156510A (ja) | 2001-11-22 | 2001-11-22 | 半導体加速度センサの製造方法 |
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|---|---|---|---|
| JP2001357825A JP2003156510A (ja) | 2001-11-22 | 2001-11-22 | 半導体加速度センサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003156510A true JP2003156510A (ja) | 2003-05-30 |
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ID=19169108
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| JP2001357825A Pending JP2003156510A (ja) | 2001-11-22 | 2001-11-22 | 半導体加速度センサの製造方法 |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP2003156510A (ja) |
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- 2001-11-22 JP JP2001357825A patent/JP2003156510A/ja active Pending
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