JPH10256568A - 半導体慣性センサの製造方法 - Google Patents
半導体慣性センサの製造方法Info
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- JPH10256568A JPH10256568A JP9060821A JP6082197A JPH10256568A JP H10256568 A JPH10256568 A JP H10256568A JP 9060821 A JP9060821 A JP 9060821A JP 6082197 A JP6082197 A JP 6082197A JP H10256568 A JPH10256568 A JP H10256568A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウェーハのレーザ加工が不要で大量生産に適
し、低コストで寄生容量が低く、電極間ギャップ形成精
度に優れた半導体慣性センサを得る。 【解決手段】 第１膜２１が形成された第１シリコンウ
ェーハ２０に第２シリコンウェーハ２２を貼り合わせ、
第１シリコンウェーハを研磨して単結晶シリコン層３１
を形成し、この単結晶シリコン層に第２膜２３を介して
第３シリコンウェーハ２４を貼り合わせて所定の厚さに
研磨する。第３膜２６を形成し第２膜をエッチストップ
層として第３シリコンウェーハの所定部分をエッチング
除去し、第２膜及び第３膜をエッチング除去して単結晶
シリコン層の下面に膜３２，３２を介してスペーサ層３
３を形成する。このような構造体をガラス基板に接合
し、単結晶シリコン層を選択的にエッチング除去し、可
動電極３６と一対の固定電極３７，３８を形成して半導
体慣性センサ３０を得る。
し、低コストで寄生容量が低く、電極間ギャップ形成精
度に優れた半導体慣性センサを得る。 【解決手段】 第１膜２１が形成された第１シリコンウ
ェーハ２０に第２シリコンウェーハ２２を貼り合わせ、
第１シリコンウェーハを研磨して単結晶シリコン層３１
を形成し、この単結晶シリコン層に第２膜２３を介して
第３シリコンウェーハ２４を貼り合わせて所定の厚さに
研磨する。第３膜２６を形成し第２膜をエッチストップ
層として第３シリコンウェーハの所定部分をエッチング
除去し、第２膜及び第３膜をエッチング除去して単結晶
シリコン層の下面に膜３２，３２を介してスペーサ層３
３を形成する。このような構造体をガラス基板に接合
し、単結晶シリコン層を選択的にエッチング除去し、可
動電極３６と一対の固定電極３７，３８を形成して半導
体慣性センサ３０を得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、静電容量型の加速
度センサ、角速度センサ等に適する半導体慣性センサの
製造方法に関するものである。
度センサ、角速度センサ等に適する半導体慣性センサの
製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の半導体慣性センサとし
て、ガラス基板と単結晶シリコンの構造からなる共振
角速度センサが提案されている（M. Hashimoto et al.,
"Silicon Resonant Angular Rate Sensor", Techinica
l Digest of the 12th Sensor Symposium, pp.163-166
(1994)）。このセンサは両側をトーションバーで浮動す
るようにした音叉構造の可動電極を有する。この可動電
極は電磁駆動によって励振されている。角速度が作用す
ると可動電極にコリオリ力が生じて、可動電極がトーシ
ョンバーの回りに捩り振動を起こして共振する。センサ
はこの可動電極の共振による可動電極と検出電極との間
の静電容量の変化により作用した角速度を検出する。こ
のセンサを作製する場合には、厚さ２００μｍ程度の結
晶方位が（１１０）の単結晶シリコン基板を基板表面に
対して垂直にエッチングして可動電極部分などの構造を
作製する。この比較的厚いシリコン基板を垂直にエッチ
ングするためにはＳＦ6ガスによる異方性ドライエッチ
ングを行うか、或いはトーションバーの可動電極部分へ
の付け根の隅部にＹＡＧレーザで孔あけを行った後に、
ＫＯＨなどでウエットエッチングを行っている。エッチ
ング加工を行ったシリコン基板は陽極接合によりガラス
基板と一体化される。
て、ガラス基板と単結晶シリコンの構造からなる共振
角速度センサが提案されている（M. Hashimoto et al.,
"Silicon Resonant Angular Rate Sensor", Techinica
l Digest of the 12th Sensor Symposium, pp.163-166
(1994)）。このセンサは両側をトーションバーで浮動す
るようにした音叉構造の可動電極を有する。この可動電
極は電磁駆動によって励振されている。角速度が作用す
ると可動電極にコリオリ力が生じて、可動電極がトーシ
ョンバーの回りに捩り振動を起こして共振する。センサ
はこの可動電極の共振による可動電極と検出電極との間
の静電容量の変化により作用した角速度を検出する。こ
のセンサを作製する場合には、厚さ２００μｍ程度の結
晶方位が（１１０）の単結晶シリコン基板を基板表面に
対して垂直にエッチングして可動電極部分などの構造を
作製する。この比較的厚いシリコン基板を垂直にエッチ
ングするためにはＳＦ6ガスによる異方性ドライエッチ
ングを行うか、或いはトーションバーの可動電極部分へ
の付け根の隅部にＹＡＧレーザで孔あけを行った後に、
ＫＯＨなどでウエットエッチングを行っている。エッチ
ング加工を行ったシリコン基板は陽極接合によりガラス
基板と一体化される。
【０００３】また別の半導体慣性センサとして、シリ
コン基板上にエッチングで犠牲層をパターン化した後、
除去することにより可動電極としてのポリシリコン振動
子を形成したマイクロジャイロ（K. Tanaka et al., "A
micromachined vibrating gyroscope", Sensors and A
ctuators A 50, pp.111-115 (1995)）が開示されてい
る。このマイクロジャイロは、いわゆる表面マイクロマ
シニング技術を用いた構造となっている。具体的には、
シリコン基板に不純物拡散によって検出電極を形成し、
その上に犠牲層となるリン酸ガラス膜を成膜してパター
ニングした後、ポリシリコンを成膜し、更に垂直エッチ
ング等の加工を行って構造体を形成する。最後に犠牲層
をエッチングにより除去することにより、可動電極部分
を切り離して検出電極に対してギャップを作り出し可動
電極を浮動状態にする。
コン基板上にエッチングで犠牲層をパターン化した後、
除去することにより可動電極としてのポリシリコン振動
子を形成したマイクロジャイロ（K. Tanaka et al., "A
micromachined vibrating gyroscope", Sensors and A
ctuators A 50, pp.111-115 (1995)）が開示されてい
る。このマイクロジャイロは、いわゆる表面マイクロマ
シニング技術を用いた構造となっている。具体的には、
シリコン基板に不純物拡散によって検出電極を形成し、
その上に犠牲層となるリン酸ガラス膜を成膜してパター
ニングした後、ポリシリコンを成膜し、更に垂直エッチ
ング等の加工を行って構造体を形成する。最後に犠牲層
をエッチングにより除去することにより、可動電極部分
を切り離して検出電極に対してギャップを作り出し可動
電極を浮動状態にする。
【０００４】更に別の半導体慣性センサとして、ガラ
ス基板と単結晶シリコンの構造からなるジャイロスコー
プが提案されている（J.Bernstein et al., "A Microma
chined Comb-Drive Tuning Fork Rate Gyroscope", IEE
E MEMS '93 Proceeding, pp.143-148 (1993)）。このジ
ャイロスコープは、検出電極を形成したガラス基板と、
エッチングを行った後に高濃度ボロン拡散を行って可動
電極、固定電極等を形成した単結晶シリコン基板とをボ
ロン拡散を行った部分を接合面として接合し、更にボロ
ンを拡散していないシリコン基板部分をエッチングによ
り除去することにより、作られる。
ス基板と単結晶シリコンの構造からなるジャイロスコー
プが提案されている（J.Bernstein et al., "A Microma
chined Comb-Drive Tuning Fork Rate Gyroscope", IEE
E MEMS '93 Proceeding, pp.143-148 (1993)）。このジ
ャイロスコープは、検出電極を形成したガラス基板と、
エッチングを行った後に高濃度ボロン拡散を行って可動
電極、固定電極等を形成した単結晶シリコン基板とをボ
ロン拡散を行った部分を接合面として接合し、更にボロ
ンを拡散していないシリコン基板部分をエッチングによ
り除去することにより、作られる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記〜の従来のセ
ンサの製造技術には、次の欠点があった。の共振角速
度センサの製造方法では、ガラス基板に対して浮動する
構造になるべきシリコン能動部が陽極接合時に静電引力
によりガラス基板に貼り付いて可動電極にならないこと
があった。この貼り付き（sticking）を防ぐために可動
電極と検出電極とを短絡して静電力が働かない状態で陽
極接合した後に、レーザを用いて短絡していた電極間を
切り離していた。また島状の固定電極を形成するために
ガラス基板に接合した後、レーザアシストエッチングを
行う必要があった。これらのレーザ加工は極めて複雑で
あって、センサを量産しようとする場合には不適切であ
った。
ンサの製造技術には、次の欠点があった。の共振角速
度センサの製造方法では、ガラス基板に対して浮動する
構造になるべきシリコン能動部が陽極接合時に静電引力
によりガラス基板に貼り付いて可動電極にならないこと
があった。この貼り付き（sticking）を防ぐために可動
電極と検出電極とを短絡して静電力が働かない状態で陽
極接合した後に、レーザを用いて短絡していた電極間を
切り離していた。また島状の固定電極を形成するために
ガラス基板に接合した後、レーザアシストエッチングを
行う必要があった。これらのレーザ加工は極めて複雑で
あって、センサを量産しようとする場合には不適切であ
った。
【０００６】のマイクロジャイロは、シリコンウェー
ハを基板とするため、センサの寄生容量が大きく、感度
や精度を高くすることが困難であった。また及びに
おいては、可動電極部と検出電極部とのアライメントは
陽極接合時に行われるが、基板どうしを密着させる段階
や、加熱を行ったときに生じる温度分布や熱膨張率の違
いなどによりずれが生じるため、このアライメントは一
般的に精度が低い。可動電極と検出電極の位置関係のず
れは、センサの出力に悪影響を及ぼしやすいという問題
点があった。更に及びにおいては、可動電極と検出
電極との間のギャップはエッチング時間による制御のみ
に依存していたので、電極間のギャップ形成精度に問題
があった。
ハを基板とするため、センサの寄生容量が大きく、感度
や精度を高くすることが困難であった。また及びに
おいては、可動電極部と検出電極部とのアライメントは
陽極接合時に行われるが、基板どうしを密着させる段階
や、加熱を行ったときに生じる温度分布や熱膨張率の違
いなどによりずれが生じるため、このアライメントは一
般的に精度が低い。可動電極と検出電極の位置関係のず
れは、センサの出力に悪影響を及ぼしやすいという問題
点があった。更に及びにおいては、可動電極と検出
電極との間のギャップはエッチング時間による制御のみ
に依存していたので、電極間のギャップ形成精度に問題
があった。
【０００７】本発明の目的は、ウェーハのレーザ加工が
不要で大量生産に適する、低コストの半導体慣性センサ
の製造方法を提供することにある。本発明の別の目的
は、寄生容量が低く、高感度で高精度の半導体慣性セン
サの製造方法を提供することにある。本発明の更に別の
目的は、電極間ギャップ形成精度に優れた半導体慣性セ
ンサの製造方法を提供することにある。
不要で大量生産に適する、低コストの半導体慣性センサ
の製造方法を提供することにある。本発明の別の目的
は、寄生容量が低く、高感度で高精度の半導体慣性セン
サの製造方法を提供することにある。本発明の更に別の
目的は、電極間ギャップ形成精度に優れた半導体慣性セ
ンサの製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
図１に示すように、シリコンを浸食せずにエッチング可
能な第１膜２１が表面に形成された第１シリコンウェー
ハ２０の第１膜２１上に第２シリコンウェーハ２２を貼
り合わせる工程と、第１シリコンウェーハ２０を所定の
厚さに研磨して単結晶シリコン層３１を形成する工程
と、研磨された単結晶シリコン層３１にシリコンを浸食
せずにエッチング可能な第２膜２３が表面に形成された
第３シリコンウェーハ２４を第２膜２３を介して貼り合
わせる工程と、第３シリコンウェーハ２４を所定の厚さ
に研磨した後シリコンを浸食せずにエッチング可能な第
３膜２６を第２シリコンウェーハ２２及び研磨された第
３シリコンウェーハ２４に形成する工程と、研磨された
第３シリコンウェーハ２４上の第３膜２６の所定の部分
をエッチングし第２膜２３をエッチストップ層として第
３シリコンウェーハ２４の所定部分をエッチング除去す
る工程と、露出した第２膜２３及び残存する第３膜２６
をエッチング除去することにより単結晶シリコン層３１
の下面に膜３２，３２を介して単結晶シリコンからなる
スペーサ層３３を形成する工程と、第２シリコンウェー
ハ２２と単結晶シリコン層３１とスペーサ層３３を備え
る構造体３４をスペーサ層３３がガラス基板１０に対向
するようにガラス基板１０に接合する工程と、第２シリ
コンウェーハ２２を第１膜２１をエッチストップ層とし
てエッチング除去する工程と、第１膜２１を除去して単
結晶シリコン層３１を露出させた後、単結晶シリコン層
３１を選択的にエッチング除去して単結晶シリコンから
なる可動電極２６と可動電極３６の両側に単結晶シリコ
ンからなる一対の固定電極３７，３８を形成することに
より一対の固定電極３７，３８に挟まれて設けられた可
動電極３６を有する半導体慣性センサ３０を得る工程と
を含む半導体慣性センサの製造方法である。
図１に示すように、シリコンを浸食せずにエッチング可
能な第１膜２１が表面に形成された第１シリコンウェー
ハ２０の第１膜２１上に第２シリコンウェーハ２２を貼
り合わせる工程と、第１シリコンウェーハ２０を所定の
厚さに研磨して単結晶シリコン層３１を形成する工程
と、研磨された単結晶シリコン層３１にシリコンを浸食
せずにエッチング可能な第２膜２３が表面に形成された
第３シリコンウェーハ２４を第２膜２３を介して貼り合
わせる工程と、第３シリコンウェーハ２４を所定の厚さ
に研磨した後シリコンを浸食せずにエッチング可能な第
３膜２６を第２シリコンウェーハ２２及び研磨された第
３シリコンウェーハ２４に形成する工程と、研磨された
第３シリコンウェーハ２４上の第３膜２６の所定の部分
をエッチングし第２膜２３をエッチストップ層として第
３シリコンウェーハ２４の所定部分をエッチング除去す
る工程と、露出した第２膜２３及び残存する第３膜２６
をエッチング除去することにより単結晶シリコン層３１
の下面に膜３２，３２を介して単結晶シリコンからなる
スペーサ層３３を形成する工程と、第２シリコンウェー
ハ２２と単結晶シリコン層３１とスペーサ層３３を備え
る構造体３４をスペーサ層３３がガラス基板１０に対向
するようにガラス基板１０に接合する工程と、第２シリ
コンウェーハ２２を第１膜２１をエッチストップ層とし
てエッチング除去する工程と、第１膜２１を除去して単
結晶シリコン層３１を露出させた後、単結晶シリコン層
３１を選択的にエッチング除去して単結晶シリコンから
なる可動電極２６と可動電極３６の両側に単結晶シリコ
ンからなる一対の固定電極３７，３８を形成することに
より一対の固定電極３７，３８に挟まれて設けられた可
動電極３６を有する半導体慣性センサ３０を得る工程と
を含む半導体慣性センサの製造方法である。
【０００９】請求項２に係る発明は、図４に示すよう
に、ガラス基板１０に検出電極１２を形成する工程と、
シリコンを浸食せずにエッチング可能な第１膜２１が表
面に形成された第１シリコンウェーハ２０の第１膜２１
上に第２シリコンウェーハ２２を貼り合わせる工程と、
第１シリコンウェーハ２０を所定の厚さに研磨して単結
晶シリコン層３１を形成する工程と、研磨された単結晶
シリコン層３１にシリコンを浸食せずにエッチング可能
な第２膜２３が表面に形成された第３シリコンウェーハ
２４を第２膜２３を介して貼り合わせる工程と、第３シ
リコンウェーハ２４を所定の厚さに研磨した後シリコン
を浸食せずにエッチング可能な第３膜２６を第２シリコ
ンウェーハ２２及び研磨された第３シリコンウェーハ２
４に形成する工程と、研磨された第３シリコンウェーハ
２４上の第３膜２６の所定の部分をエッチングし第２膜
２３をエッチストップ層として第３シリコンウェーハ２
４の所定部分をエッチング除去する工程と、露出した第
２膜２３及び残存する第３膜２６をエッチング除去する
ことにより単結晶シリコン層３１の下面に膜３２，３２
を介して単結晶シリコンからなるスペーサ層３３を形成
する工程と、第２シリコンウェーハ２２と単結晶シリコ
ン層３１とスペーサ層３３を備える構造体３４をスペー
サ層３３がガラス基板１０に対向するようにガラス基板
１０に接合する工程と、第２シリコンウェーハ２２を第
１膜２１をエッチストップ層としてエッチング除去する
工程と、第１膜２１を除去して単結晶シリコン層３１を
露出させた後、単結晶シリコン層３１を選択的にエッチ
ング除去することによりガラス基板１０上に検出電極１
２に対向して浮動する単結晶シリコンからなる可動電極
３６を有する半導体慣性センサ５０を得る工程とを含む
半導体慣性センサの製造方法である。
に、ガラス基板１０に検出電極１２を形成する工程と、
シリコンを浸食せずにエッチング可能な第１膜２１が表
面に形成された第１シリコンウェーハ２０の第１膜２１
上に第２シリコンウェーハ２２を貼り合わせる工程と、
第１シリコンウェーハ２０を所定の厚さに研磨して単結
晶シリコン層３１を形成する工程と、研磨された単結晶
シリコン層３１にシリコンを浸食せずにエッチング可能
な第２膜２３が表面に形成された第３シリコンウェーハ
２４を第２膜２３を介して貼り合わせる工程と、第３シ
リコンウェーハ２４を所定の厚さに研磨した後シリコン
を浸食せずにエッチング可能な第３膜２６を第２シリコ
ンウェーハ２２及び研磨された第３シリコンウェーハ２
４に形成する工程と、研磨された第３シリコンウェーハ
２４上の第３膜２６の所定の部分をエッチングし第２膜
２３をエッチストップ層として第３シリコンウェーハ２
４の所定部分をエッチング除去する工程と、露出した第
２膜２３及び残存する第３膜２６をエッチング除去する
ことにより単結晶シリコン層３１の下面に膜３２，３２
を介して単結晶シリコンからなるスペーサ層３３を形成
する工程と、第２シリコンウェーハ２２と単結晶シリコ
ン層３１とスペーサ層３３を備える構造体３４をスペー
サ層３３がガラス基板１０に対向するようにガラス基板
１０に接合する工程と、第２シリコンウェーハ２２を第
１膜２１をエッチストップ層としてエッチング除去する
工程と、第１膜２１を除去して単結晶シリコン層３１を
露出させた後、単結晶シリコン層３１を選択的にエッチ
ング除去することによりガラス基板１０上に検出電極１
２に対向して浮動する単結晶シリコンからなる可動電極
３６を有する半導体慣性センサ５０を得る工程とを含む
半導体慣性センサの製造方法である。
【００１０】請求項３に係る発明は、図５に示すよう
に、ガラス基板１０に検出電極１２を形成する工程と、
シリコンを浸食せずにエッチング可能な第１膜２１が表
面に形成された第１シリコンウェーハ２０の第１膜２１
上に第２シリコンウェーハ２２を貼り合わせる工程と、
第１シリコンウェーハ２０を所定の厚さに研磨して単結
晶シリコン層３１を形成する工程と、研磨された単結晶
シリコン層３１にシリコンを浸食せずにエッチング可能
な第２膜２３が表面に形成された第３シリコンウェーハ
２４を第２膜２３を介して貼り合わせる工程と、第３シ
リコンウェーハ２４を所定の厚さに研磨した後シリコン
を浸食せずにエッチング可能な第３膜２６を第２シリコ
ンウェーハ２２及び研磨された第３シリコンウェーハ２
４に形成する工程と、研磨された第３シリコンウェーハ
２４上の第３膜２６の所定の部分をエッチングし第２膜
２３をエッチストップ層として第３シリコンウェーハ２
４の所定部分をエッチング除去する工程と、露出した第
２膜２３及び残存する第３膜２６をエッチング除去する
ことにより単結晶シリコン層３１の下面に膜３２，３２
を介して単結晶シリコンからなるスペーサ層３３を形成
する工程と、第２シリコンウェーハ２２と単結晶シリコ
ン層３１とスペーサ層３３を備える構造体３４をスペー
サ層３３がガラス基板１０に対向するようにガラス基板
１０に接合する工程と、第２シリコンウェーハ２２を第
１膜２１をエッチストップ層としてエッチング除去する
工程と、第１膜２１を除去して単結晶シリコン層３１を
露出させた後、単結晶シリコン層３１を選択的にエッチ
ング除去して単結晶シリコンからなる可動電極３６と可
動電極３６の両側に単結晶シリコンからなる一対の固定
電極３７，３８を形成することにより検出電極１２に対
向して浮動しかつ一対の固定電極３７，３８に挟まれて
設けられた可動電極３６を有する半導体慣性センサ６０
を得る工程とを含む半導体慣性センサの製造方法であ
る。
に、ガラス基板１０に検出電極１２を形成する工程と、
シリコンを浸食せずにエッチング可能な第１膜２１が表
面に形成された第１シリコンウェーハ２０の第１膜２１
上に第２シリコンウェーハ２２を貼り合わせる工程と、
第１シリコンウェーハ２０を所定の厚さに研磨して単結
晶シリコン層３１を形成する工程と、研磨された単結晶
シリコン層３１にシリコンを浸食せずにエッチング可能
な第２膜２３が表面に形成された第３シリコンウェーハ
２４を第２膜２３を介して貼り合わせる工程と、第３シ
リコンウェーハ２４を所定の厚さに研磨した後シリコン
を浸食せずにエッチング可能な第３膜２６を第２シリコ
ンウェーハ２２及び研磨された第３シリコンウェーハ２
４に形成する工程と、研磨された第３シリコンウェーハ
２４上の第３膜２６の所定の部分をエッチングし第２膜
２３をエッチストップ層として第３シリコンウェーハ２
４の所定部分をエッチング除去する工程と、露出した第
２膜２３及び残存する第３膜２６をエッチング除去する
ことにより単結晶シリコン層３１の下面に膜３２，３２
を介して単結晶シリコンからなるスペーサ層３３を形成
する工程と、第２シリコンウェーハ２２と単結晶シリコ
ン層３１とスペーサ層３３を備える構造体３４をスペー
サ層３３がガラス基板１０に対向するようにガラス基板
１０に接合する工程と、第２シリコンウェーハ２２を第
１膜２１をエッチストップ層としてエッチング除去する
工程と、第１膜２１を除去して単結晶シリコン層３１を
露出させた後、単結晶シリコン層３１を選択的にエッチ
ング除去して単結晶シリコンからなる可動電極３６と可
動電極３６の両側に単結晶シリコンからなる一対の固定
電極３７，３８を形成することにより検出電極１２に対
向して浮動しかつ一対の固定電極３７，３８に挟まれて
設けられた可動電極３６を有する半導体慣性センサ６０
を得る工程とを含む半導体慣性センサの製造方法であ
る。
【００１１】請求項４に係る発明は、図７に示すよう
に、シリコンを浸食せずにエッチング可能な第１膜２１
が表面に形成された第１シリコンウェーハ２０の第１膜
２１上に第２シリコンウェーハ２２を貼り合わせる工程
と、第１シリコンウェーハ２０を所定の厚さに研磨して
単結晶シリコン層３１を形成する工程と、研磨された単
結晶シリコン層３１にシリコンを浸食せずにエッチング
可能な第２膜２３が表面に形成された第３シリコンウェ
ーハ２４を第２膜２３を介して貼り合わせる工程と、第
３シリコンウェーハ２４を所定の厚さに研磨した後シリ
コンを浸食せずにエッチング可能な第３膜２６を第２シ
リコンウェーハ２２及び研磨された第３シリコンウェー
ハ２４に形成する工程と、研磨された第３シリコンウェ
ーハ２４上の第３膜２６の所定の部分をエッチングし第
２膜２３をエッチストップ層として第３シリコンウェー
ハ２４の所定部分をエッチング除去する工程と、露出し
た第２膜２３及び残存する第３膜２６をエッチング除去
することにより単結晶シリコン層３１の下面に膜３２，
３２を介して単結晶シリコンからなるスペーサ層３３を
形成する工程と、第２シリコンウェーハ２２と単結晶シ
リコン層３１とスペーサ層３３を備える構造体３４をス
ペーサ層３３がガラス基板１０に対向するようにガラス
基板１０に接合する工程と、第２シリコンウェーハ２２
を第１膜２１をエッチストップ層としてエッチング除去
する工程と、第１膜２１を選択的に除去した後、単結晶
シリコン層３１を選択的にエッチング除去して単結晶シ
リコンからなる可動電極２６と可動電極３６の両側に単
結晶シリコンからなる一対の固定電極３７，３８を形成
することにより一対の固定電極３７，３８に挟まれて設
けられた可動電極３６を有する半導体慣性センサ３０を
得る工程とを含む半導体慣性センサの製造方法である。
に、シリコンを浸食せずにエッチング可能な第１膜２１
が表面に形成された第１シリコンウェーハ２０の第１膜
２１上に第２シリコンウェーハ２２を貼り合わせる工程
と、第１シリコンウェーハ２０を所定の厚さに研磨して
単結晶シリコン層３１を形成する工程と、研磨された単
結晶シリコン層３１にシリコンを浸食せずにエッチング
可能な第２膜２３が表面に形成された第３シリコンウェ
ーハ２４を第２膜２３を介して貼り合わせる工程と、第
３シリコンウェーハ２４を所定の厚さに研磨した後シリ
コンを浸食せずにエッチング可能な第３膜２６を第２シ
リコンウェーハ２２及び研磨された第３シリコンウェー
ハ２４に形成する工程と、研磨された第３シリコンウェ
ーハ２４上の第３膜２６の所定の部分をエッチングし第
２膜２３をエッチストップ層として第３シリコンウェー
ハ２４の所定部分をエッチング除去する工程と、露出し
た第２膜２３及び残存する第３膜２６をエッチング除去
することにより単結晶シリコン層３１の下面に膜３２，
３２を介して単結晶シリコンからなるスペーサ層３３を
形成する工程と、第２シリコンウェーハ２２と単結晶シ
リコン層３１とスペーサ層３３を備える構造体３４をス
ペーサ層３３がガラス基板１０に対向するようにガラス
基板１０に接合する工程と、第２シリコンウェーハ２２
を第１膜２１をエッチストップ層としてエッチング除去
する工程と、第１膜２１を選択的に除去した後、単結晶
シリコン層３１を選択的にエッチング除去して単結晶シ
リコンからなる可動電極２６と可動電極３６の両側に単
結晶シリコンからなる一対の固定電極３７，３８を形成
することにより一対の固定電極３７，３８に挟まれて設
けられた可動電極３６を有する半導体慣性センサ３０を
得る工程とを含む半導体慣性センサの製造方法である。
【００１２】請求項５に係る発明は、図８に示すよう
に、ガラス基板１０に検出電極１２を形成する工程と、
シリコンを浸食せずにエッチング可能な第１膜２１が表
面に形成された第１シリコンウェーハ２０の第１膜２１
上に第２シリコンウェーハ２２を貼り合わせる工程と、
第１シリコンウェーハ２０を所定の厚さに研磨して単結
晶シリコン層３１を形成する工程と、研磨された単結晶
シリコン層３１にシリコンを浸食せずにエッチング可能
な第２膜２３が表面に形成された第３シリコンウェーハ
２４を第２膜２３を介して貼り合わせる工程と、第３シ
リコンウェーハ２４を所定の厚さに研磨した後シリコン
を浸食せずにエッチング可能な第３膜２６を第２シリコ
ンウェーハ２２及び研磨された第３シリコンウェーハ２
４に形成する工程と、研磨された第３シリコンウェーハ
２４上の第３膜２６の所定の部分をエッチングし第２膜
２３をエッチストップ層として第３シリコンウェーハ２
４の所定部分をエッチング除去する工程と、露出した第
２膜２３及び残存する第３膜２６をエッチング除去する
ことにより単結晶シリコン層３１の下面に膜３２，３２
を介して単結晶シリコンからなるスペーサ層３３を形成
する工程と、第２シリコンウェーハ２２と単結晶シリコ
ン層３１とスペーサ層３３を備える構造体３４をスペー
サ層３３がガラス基板１０に対向するようにガラス基板
１０に接合する工程と、第２シリコンウェーハ２２を第
１膜２１をエッチストップ層としてエッチング除去する
工程と、第１膜２１を選択的に除去した後、単結晶シリ
コン層３１を選択的にエッチング除去することにより、
ガラス基板１０上に検出電極１２に対向して浮動する単
結晶シリコンからなる可動電極３６を有する半導体慣性
センサ５０を得る工程とを含む半導体慣性センサの製造
方法である。
に、ガラス基板１０に検出電極１２を形成する工程と、
シリコンを浸食せずにエッチング可能な第１膜２１が表
面に形成された第１シリコンウェーハ２０の第１膜２１
上に第２シリコンウェーハ２２を貼り合わせる工程と、
第１シリコンウェーハ２０を所定の厚さに研磨して単結
晶シリコン層３１を形成する工程と、研磨された単結晶
シリコン層３１にシリコンを浸食せずにエッチング可能
な第２膜２３が表面に形成された第３シリコンウェーハ
２４を第２膜２３を介して貼り合わせる工程と、第３シ
リコンウェーハ２４を所定の厚さに研磨した後シリコン
を浸食せずにエッチング可能な第３膜２６を第２シリコ
ンウェーハ２２及び研磨された第３シリコンウェーハ２
４に形成する工程と、研磨された第３シリコンウェーハ
２４上の第３膜２６の所定の部分をエッチングし第２膜
２３をエッチストップ層として第３シリコンウェーハ２
４の所定部分をエッチング除去する工程と、露出した第
２膜２３及び残存する第３膜２６をエッチング除去する
ことにより単結晶シリコン層３１の下面に膜３２，３２
を介して単結晶シリコンからなるスペーサ層３３を形成
する工程と、第２シリコンウェーハ２２と単結晶シリコ
ン層３１とスペーサ層３３を備える構造体３４をスペー
サ層３３がガラス基板１０に対向するようにガラス基板
１０に接合する工程と、第２シリコンウェーハ２２を第
１膜２１をエッチストップ層としてエッチング除去する
工程と、第１膜２１を選択的に除去した後、単結晶シリ
コン層３１を選択的にエッチング除去することにより、
ガラス基板１０上に検出電極１２に対向して浮動する単
結晶シリコンからなる可動電極３６を有する半導体慣性
センサ５０を得る工程とを含む半導体慣性センサの製造
方法である。
【００１３】請求項６に係る発明は、図９に示すよう
に、ガラス基板１０に検出電極１２を形成する工程と、
シリコンを浸食せずにエッチング可能な第１膜２１が表
面に形成された第１シリコンウェーハ２０の第１膜２１
上に第２シリコンウェーハ２２を貼り合わせる工程と、
第１シリコンウェーハ２０を所定の厚さに研磨して単結
晶シリコン層３１を形成する工程と、研磨された単結晶
シリコン層３１にシリコンを浸食せずにエッチング可能
な第２膜２３が表面に形成された第３シリコンウェーハ
２４を第２膜２３を介して貼り合わせる工程と、第３シ
リコンウェーハ２４を所定の厚さに研磨した後シリコン
を浸食せずにエッチング可能な第３膜２６を第２シリコ
ンウェーハ２２及び研磨された第３シリコンウェーハ２
４に形成する工程と、研磨された第３シリコンウェーハ
２４上の第３膜２６の所定の部分をエッチングし第２膜
２３をエッチストップ層として第３シリコンウェーハ２
４の所定部分をエッチング除去する工程と、露出した第
２膜２３及び残存する第３膜２６をエッチング除去する
ことにより単結晶シリコン層３１の下面に膜３２，３２
を介して単結晶シリコンからなるスペーサ層３３を形成
する工程と、第２シリコンウェーハ２２と単結晶シリコ
ン層３１とスペーサ層３３を備える構造体３４をスペー
サ層３３がガラス基板１０に対向するようにガラス基板
１０に接合する工程と、第２シリコンウェーハ２２を第
１膜２１をエッチストップ層としてエッチング除去する
工程と、第１膜２１を選択的に除去した後、単結晶シリ
コン層３１を選択的にエッチング除去して単結晶シリコ
ンからなる可動電極３６と可動電極３６の両側に単結晶
シリコンからなる一対の固定電極３７，３８を形成する
ことにより検出電極１２に対向して浮動しかつ一対の固
定電極３７，３８に挟まれて設けられた可動電極３６を
有する半導体慣性センサ６０を得る工程とを含む半導体
慣性センサの製造方法である。
に、ガラス基板１０に検出電極１２を形成する工程と、
シリコンを浸食せずにエッチング可能な第１膜２１が表
面に形成された第１シリコンウェーハ２０の第１膜２１
上に第２シリコンウェーハ２２を貼り合わせる工程と、
第１シリコンウェーハ２０を所定の厚さに研磨して単結
晶シリコン層３１を形成する工程と、研磨された単結晶
シリコン層３１にシリコンを浸食せずにエッチング可能
な第２膜２３が表面に形成された第３シリコンウェーハ
２４を第２膜２３を介して貼り合わせる工程と、第３シ
リコンウェーハ２４を所定の厚さに研磨した後シリコン
を浸食せずにエッチング可能な第３膜２６を第２シリコ
ンウェーハ２２及び研磨された第３シリコンウェーハ２
４に形成する工程と、研磨された第３シリコンウェーハ
２４上の第３膜２６の所定の部分をエッチングし第２膜
２３をエッチストップ層として第３シリコンウェーハ２
４の所定部分をエッチング除去する工程と、露出した第
２膜２３及び残存する第３膜２６をエッチング除去する
ことにより単結晶シリコン層３１の下面に膜３２，３２
を介して単結晶シリコンからなるスペーサ層３３を形成
する工程と、第２シリコンウェーハ２２と単結晶シリコ
ン層３１とスペーサ層３３を備える構造体３４をスペー
サ層３３がガラス基板１０に対向するようにガラス基板
１０に接合する工程と、第２シリコンウェーハ２２を第
１膜２１をエッチストップ層としてエッチング除去する
工程と、第１膜２１を選択的に除去した後、単結晶シリ
コン層３１を選択的にエッチング除去して単結晶シリコ
ンからなる可動電極３６と可動電極３６の両側に単結晶
シリコンからなる一対の固定電極３７，３８を形成する
ことにより検出電極１２に対向して浮動しかつ一対の固
定電極３７，３８に挟まれて設けられた可動電極３６を
有する半導体慣性センサ６０を得る工程とを含む半導体
慣性センサの製造方法である。
【００１４】この請求項１ないし６に係る製造方法で
は、ウェーハのレーザ加工が不要で大量生産に適するた
め、低コストで半導体慣性センサを製造できる。また基
板にガラス基板を用いるので、センサは寄生容量が低
い。また、ガラス基板上に検出電極が形成された構造と
なる請求項２、３、５及び６においては可動電極と、検
出電極が形成されたガラス基板とのギャップが単結晶シ
リコンスペーサ層の厚さで規定されるため、高精度にギ
ャップを形成できる。
は、ウェーハのレーザ加工が不要で大量生産に適するた
め、低コストで半導体慣性センサを製造できる。また基
板にガラス基板を用いるので、センサは寄生容量が低
い。また、ガラス基板上に検出電極が形成された構造と
なる請求項２、３、５及び６においては可動電極と、検
出電極が形成されたガラス基板とのギャップが単結晶シ
リコンスペーサ層の厚さで規定されるため、高精度にギ
ャップを形成できる。
【００１５】また可動電極部と検出電極部とのアライメ
ントを両者の接合時に行う従来技術に比べて、本願の請
求項２，３，５及び６に係る製造方法では、可動電極部
を形成する前に両者の接合を行うため、接合時に検出電
極部とのアライメントを行う必要がなく、精度良くアラ
イメントを行うことができるので、可動電極と検出電極
との位置関係のずれは最小限に抑えられる。このため高
感度で高精度な半導体慣性センサが作られる。
ントを両者の接合時に行う従来技術に比べて、本願の請
求項２，３，５及び６に係る製造方法では、可動電極部
を形成する前に両者の接合を行うため、接合時に検出電
極部とのアライメントを行う必要がなく、精度良くアラ
イメントを行うことができるので、可動電極と検出電極
との位置関係のずれは最小限に抑えられる。このため高
感度で高精度な半導体慣性センサが作られる。
【００１６】なお、本明細書で、「シリコンを浸食せず
にエッチング可能な膜」とは、当該膜をエッチング除去
する際にシリコンが浸食されないエッチャントを選ぶこ
とができる膜であることを意味する。また、この膜をエ
ッチストップ層として利用する際には、前記エッチャン
トとは異なるエッチャントによって、シリコンのみをエ
ッチングすることが可能である。このような性質の膜と
しては酸化膜や窒化膜等が挙げられる。
にエッチング可能な膜」とは、当該膜をエッチング除去
する際にシリコンが浸食されないエッチャントを選ぶこ
とができる膜であることを意味する。また、この膜をエ
ッチストップ層として利用する際には、前記エッチャン
トとは異なるエッチャントによって、シリコンのみをエ
ッチングすることが可能である。このような性質の膜と
しては酸化膜や窒化膜等が挙げられる。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面に基づ
いて詳しく説明する。図１及び図２に示すように、第１
実施形態の半導体慣性センサ３０は加速度センサであっ
て、ガラス基板１０上に単結晶シリコンスペーサ層３３
を介して固着された固定電極３７及び３８の間に可動電
極３６を有する。可動電極３６、固定電極３７及び３８
は、それぞれ単結晶シリコン層３１とシリコンを浸食せ
ずにエッチング可能な膜３２の積層体であり、この積層
体は単結晶シリコンからなるスペーサ層３３を介してガ
ラス基板１０に接合され、電極３６と電極３７及び電極
３６と電極３８の互いに対向する部分が櫛状に形成され
る。可動電極３６はガラス基板１０の上方に位置し、ビ
ーム４１，４１によりその両端が支持され、ガラス基板
１０に対して浮動になっている。ビーム４１の基端部４
１ａは単結晶シリコンスペーサ層３３を介して基板１０
上に固着される。図示しないが、ビーム基端部４１ａ、
固定電極３７及び３８には個別に電気配線がなされる。
この半導体慣性センサ３０では、可動電極３６に対し
て、図の矢印で示すようにビーム基端部４１ａと４１ａ
を結ぶ線に直交する水平方向の加速度が作用すると、可
動電極３６はビーム４１，４１を支軸として振動する。
可動電極３６と固定電極３７及び３８の間の間隔が広が
ったり、狭まったりすると、可動電極３６と固定電極３
７及び３８の間の静電容量が変化する。この静電容量の
変化から作用した加速度が求められる。
いて詳しく説明する。図１及び図２に示すように、第１
実施形態の半導体慣性センサ３０は加速度センサであっ
て、ガラス基板１０上に単結晶シリコンスペーサ層３３
を介して固着された固定電極３７及び３８の間に可動電
極３６を有する。可動電極３６、固定電極３７及び３８
は、それぞれ単結晶シリコン層３１とシリコンを浸食せ
ずにエッチング可能な膜３２の積層体であり、この積層
体は単結晶シリコンからなるスペーサ層３３を介してガ
ラス基板１０に接合され、電極３６と電極３７及び電極
３６と電極３８の互いに対向する部分が櫛状に形成され
る。可動電極３６はガラス基板１０の上方に位置し、ビ
ーム４１，４１によりその両端が支持され、ガラス基板
１０に対して浮動になっている。ビーム４１の基端部４
１ａは単結晶シリコンスペーサ層３３を介して基板１０
上に固着される。図示しないが、ビーム基端部４１ａ、
固定電極３７及び３８には個別に電気配線がなされる。
この半導体慣性センサ３０では、可動電極３６に対し
て、図の矢印で示すようにビーム基端部４１ａと４１ａ
を結ぶ線に直交する水平方向の加速度が作用すると、可
動電極３６はビーム４１，４１を支軸として振動する。
可動電極３６と固定電極３７及び３８の間の間隔が広が
ったり、狭まったりすると、可動電極３６と固定電極３
７及び３８の間の静電容量が変化する。この静電容量の
変化から作用した加速度が求められる。
【００１８】次に、本発明の第１実施形態の半導体慣性
センサ３０の製造方法について述べる。図１に示すよう
に、先ず第１シリコンウェーハ２０の両面にシリコンを
浸食せずにエッチング可能な第１膜２１を形成する。こ
の第１膜２１としては、ウェーハを熱酸化することによ
り形成される酸化膜の他、化学気相成長（ＣＶＤ）法で
ＳｉＨ2Ｃｌ2又はＳｉＨ4とＮＨ3ガスを用いて形成され
る窒化シリコン膜などが挙げられる。ウェーハ両面に酸
化膜２１，２１を形成した後、一方の表面の膜２１の上
に単結晶シリコン層である第２シリコンウェーハ２２を
貼り合わせる。
センサ３０の製造方法について述べる。図１に示すよう
に、先ず第１シリコンウェーハ２０の両面にシリコンを
浸食せずにエッチング可能な第１膜２１を形成する。こ
の第１膜２１としては、ウェーハを熱酸化することによ
り形成される酸化膜の他、化学気相成長（ＣＶＤ）法で
ＳｉＨ2Ｃｌ2又はＳｉＨ4とＮＨ3ガスを用いて形成され
る窒化シリコン膜などが挙げられる。ウェーハ両面に酸
化膜２１，２１を形成した後、一方の表面の膜２１の上
に単結晶シリコン層である第２シリコンウェーハ２２を
貼り合わせる。
【００１９】次いで第１シリコンウェーハ２０を所定の
厚さに研磨して単結晶シリコン層３１を形成する。その
後、第１膜と同様の第２膜２３が形成された第３シリコ
ンウェーハ２４をこの単結晶シリコン層３１に第２膜２
３を介して貼り合わせる。その後、第３シリコンウェー
ハ２４を所定の厚さに研磨する。研磨された第３シリコ
ンウェーハ２４及び第２シリコンウェーハ２２の表面に
第１膜と同様の第３膜２６を形成し、第３シリコンウェ
ーハ２４上の第３膜２６をパターニングした後、第２膜
２３をエッチストップ層として第３シリコンウェーハ２
４の所定部分をＫＯＨなどのエッチャントによりエッチ
ング除去する。
厚さに研磨して単結晶シリコン層３１を形成する。その
後、第１膜と同様の第２膜２３が形成された第３シリコ
ンウェーハ２４をこの単結晶シリコン層３１に第２膜２
３を介して貼り合わせる。その後、第３シリコンウェー
ハ２４を所定の厚さに研磨する。研磨された第３シリコ
ンウェーハ２４及び第２シリコンウェーハ２２の表面に
第１膜と同様の第３膜２６を形成し、第３シリコンウェ
ーハ２４上の第３膜２６をパターニングした後、第２膜
２３をエッチストップ層として第３シリコンウェーハ２
４の所定部分をＫＯＨなどのエッチャントによりエッチ
ング除去する。
【００２０】その後、第３シリコンウェーハ２４をエッ
チングすることにより露出した部分の第２膜２３及び残
存する第３膜２６をＨＦ等のエッチャントを使用してウ
ェットエッチングして除去する。これにより単結晶シリ
コン層３１の下面に膜３２，３２を介して単結晶シリコ
ンからなるスペーサ層３３が形成され、第２シリコンウ
ェーハ２２と単結晶シリコン層３１とスペーサ層３３を
備えた構造体３４が形成される。
チングすることにより露出した部分の第２膜２３及び残
存する第３膜２６をＨＦ等のエッチャントを使用してウ
ェットエッチングして除去する。これにより単結晶シリ
コン層３１の下面に膜３２，３２を介して単結晶シリコ
ンからなるスペーサ層３３が形成され、第２シリコンウ
ェーハ２２と単結晶シリコン層３１とスペーサ層３３を
備えた構造体３４が形成される。
【００２１】次いで、スペーサ層３３を介して構造体３
４をガラス基板１０に陽極接合する。続いてＫＯＨなど
のエッチャントにより第２シリコンウェーハ２２を第１
膜２１をエッチストップ層としてエッチング除去する。
次いで第１膜２１をフッ酸などのエッチャントにより除
去して単結晶シリコン層３１を露出させる。第２シリコ
ンウェーハ２２及び第１膜２１を除去されて露出した単
結晶シリコン層３１の表面にスパッタリングによりアル
ミニウム（Ａｌ）膜３５を形成し、パターニングした
後、ＳＦ6ガスによる低温での異方性ドライエッチング
を行い、最後にＡｌ膜３５を除去する。これにより単結
晶シリコン層３１が選択的にエッチング除去され、ガラ
ス基板１０上にスペーサ層３３を介して接合した単結晶
シリコンからなる一対の固定電極３７，３８と一対の固
定電極３７，３８に挟まれかつガラス基板１０の上方に
浮動する単結晶シリコンからなる可動電極３６とが形成
された半導体慣性センサ３０が得られる。
４をガラス基板１０に陽極接合する。続いてＫＯＨなど
のエッチャントにより第２シリコンウェーハ２２を第１
膜２１をエッチストップ層としてエッチング除去する。
次いで第１膜２１をフッ酸などのエッチャントにより除
去して単結晶シリコン層３１を露出させる。第２シリコ
ンウェーハ２２及び第１膜２１を除去されて露出した単
結晶シリコン層３１の表面にスパッタリングによりアル
ミニウム（Ａｌ）膜３５を形成し、パターニングした
後、ＳＦ6ガスによる低温での異方性ドライエッチング
を行い、最後にＡｌ膜３５を除去する。これにより単結
晶シリコン層３１が選択的にエッチング除去され、ガラ
ス基板１０上にスペーサ層３３を介して接合した単結晶
シリコンからなる一対の固定電極３７，３８と一対の固
定電極３７，３８に挟まれかつガラス基板１０の上方に
浮動する単結晶シリコンからなる可動電極３６とが形成
された半導体慣性センサ３０が得られる。
【００２２】図３及び図４は第２実施形態の半導体慣性
センサ５０を示す。この半導体慣性センサ５０は加速度
センサであって、ガラス基板１０上に単結晶シリコンス
ペーサ層３３を介して固着された枠体３９の間に可動電
極３６を有する。可動電極３６、枠体３９は、それぞれ
単結晶シリコン層３１とシリコンを浸食せずにエッチン
グ可能な膜３２の積層体であり、電極３６は窓枠状の枠
体３９に間隔をあけて収容される。可動電極３６はガラ
ス基板１０の上方に位置し、ビーム４１，４１によりそ
の両端が支持され、ガラス基板１０に対して浮動になっ
ている。ビーム４１の基端部４１ａは枠体３９の凹み３
９ａに位置しかつ基板１０上に単結晶シリコンスペーサ
層３３を介して固着される。この可動電極３６に対向す
るガラス基板１０の表面には検出電極１２が形成され
る。図示しないが、ビーム基端部４１ａ及び検出電極１
２には個別に電気配線がなされる。この半導体慣性セン
サ５０では、可動電極３６に対して、図の矢印で示すよ
うにビーム基端部４１ａと４１ａを結ぶ線に直交する鉛
直方向の加速度が作用すると、可動電極３６はビーム４
１，４１を支軸として振動する。可動電極３６と検出電
極１２の間の間隔が広がったり、狭まったりすると、可
動電極３６と検出電極１２の間の静電容量が変化する。
この静電容量の変化から作用した加速度が求められる。
センサ５０を示す。この半導体慣性センサ５０は加速度
センサであって、ガラス基板１０上に単結晶シリコンス
ペーサ層３３を介して固着された枠体３９の間に可動電
極３６を有する。可動電極３６、枠体３９は、それぞれ
単結晶シリコン層３１とシリコンを浸食せずにエッチン
グ可能な膜３２の積層体であり、電極３６は窓枠状の枠
体３９に間隔をあけて収容される。可動電極３６はガラ
ス基板１０の上方に位置し、ビーム４１，４１によりそ
の両端が支持され、ガラス基板１０に対して浮動になっ
ている。ビーム４１の基端部４１ａは枠体３９の凹み３
９ａに位置しかつ基板１０上に単結晶シリコンスペーサ
層３３を介して固着される。この可動電極３６に対向す
るガラス基板１０の表面には検出電極１２が形成され
る。図示しないが、ビーム基端部４１ａ及び検出電極１
２には個別に電気配線がなされる。この半導体慣性セン
サ５０では、可動電極３６に対して、図の矢印で示すよ
うにビーム基端部４１ａと４１ａを結ぶ線に直交する鉛
直方向の加速度が作用すると、可動電極３６はビーム４
１，４１を支軸として振動する。可動電極３６と検出電
極１２の間の間隔が広がったり、狭まったりすると、可
動電極３６と検出電極１２の間の静電容量が変化する。
この静電容量の変化から作用した加速度が求められる。
【００２３】次に、本発明の第２実施形態の半導体慣性
センサ５０の製造方法について述べる。図４に示すよう
に、先ずガラス基板１０の表面にスパッタリング、真空
蒸着などによりＡｕ，Ｐｔ，Ｃｕなどから選ばれた金属
の薄膜からなる検出電極１２を形成する。一方、第１シ
リコンウェーハ２０の両面に酸化膜２１を形成する。両
面に第１膜２１，２１を形成した後、一方の表面の膜２
１の上に第１実施形態と同様に第２シリコンウェーハ２
２を貼り合わせる。次いで第１実施形態と同様に第１シ
リコンウェーハ２０を所定の厚さに研磨して単結晶シリ
コン層３１を形成し、第２膜２３が形成された第３シリ
コンウェーハ２４を第２膜２３を介して貼り合わせ、第
３シリコンウェーハ２４を所定の厚さに研磨する。その
後第１実施形態と同様に、第３シリコンウェーハ２４の
所定部分をエッチング除去し、第２シリコンウェーハ２
２と単結晶シリコン層３１とスペーサ層３３を備えた構
造体３４を形成する。
センサ５０の製造方法について述べる。図４に示すよう
に、先ずガラス基板１０の表面にスパッタリング、真空
蒸着などによりＡｕ，Ｐｔ，Ｃｕなどから選ばれた金属
の薄膜からなる検出電極１２を形成する。一方、第１シ
リコンウェーハ２０の両面に酸化膜２１を形成する。両
面に第１膜２１，２１を形成した後、一方の表面の膜２
１の上に第１実施形態と同様に第２シリコンウェーハ２
２を貼り合わせる。次いで第１実施形態と同様に第１シ
リコンウェーハ２０を所定の厚さに研磨して単結晶シリ
コン層３１を形成し、第２膜２３が形成された第３シリ
コンウェーハ２４を第２膜２３を介して貼り合わせ、第
３シリコンウェーハ２４を所定の厚さに研磨する。その
後第１実施形態と同様に、第３シリコンウェーハ２４の
所定部分をエッチング除去し、第２シリコンウェーハ２
２と単結晶シリコン層３１とスペーサ層３３を備えた構
造体３４を形成する。
【００２４】次いで、スペーサ層３３を介して構造体３
４をガラス基板１０に陽極接合する。続いてＫＯＨなど
のエッチャントにより第２シリコンウェーハ２２を第１
膜２１をエッチストップ層としてエッチング除去する。
次いで第１膜２１をフッ酸などのエッチャントにより除
去して単結晶シリコン層３１を露出させる。第２シリコ
ンウェーハ２２及び第１膜２１を除去されて露出した単
結晶シリコン層３１の表面にスパッタリングによりアル
ミニウム（Ａｌ）膜３５を形成し、パターニングした
後、ＳＦ6ガスによる低温での異方性ドライエッチング
を行い、最後にＡｌ膜３５を除去する。これにより単結
晶シリコン層３１が選択的にエッチング除去され、ガラ
ス基板１０上にスペーサ層３３を介して接合した単結晶
シリコンからなる枠体３９，３９と枠体３９，３９に挟
まれかつ検出電極１２の上方に対向して浮動する単結晶
シリコンからなる可動電極３６とが形成された半導体慣
性センサ５０が得られる。
４をガラス基板１０に陽極接合する。続いてＫＯＨなど
のエッチャントにより第２シリコンウェーハ２２を第１
膜２１をエッチストップ層としてエッチング除去する。
次いで第１膜２１をフッ酸などのエッチャントにより除
去して単結晶シリコン層３１を露出させる。第２シリコ
ンウェーハ２２及び第１膜２１を除去されて露出した単
結晶シリコン層３１の表面にスパッタリングによりアル
ミニウム（Ａｌ）膜３５を形成し、パターニングした
後、ＳＦ6ガスによる低温での異方性ドライエッチング
を行い、最後にＡｌ膜３５を除去する。これにより単結
晶シリコン層３１が選択的にエッチング除去され、ガラ
ス基板１０上にスペーサ層３３を介して接合した単結晶
シリコンからなる枠体３９，３９と枠体３９，３９に挟
まれかつ検出電極１２の上方に対向して浮動する単結晶
シリコンからなる可動電極３６とが形成された半導体慣
性センサ５０が得られる。
【００２５】図５及び図６は第３実施形態の半導体慣性
センサ６０を示す。この半導体慣性センサ６０は角速度
センサであって、ガラス基板１０上に単結晶シリコンス
ペーサ層３３を介して固着された固定電極３７及び３８
の間に音叉構造の一対の可動電極３６，３６を有する。
可動電極３６、固定電極３７及び３８は、単結晶シリコ
ン層３１とシリコンを浸食せずにエッチング可能な膜３
２の積層体であり、この積層体は単結晶シリコンからな
るスペーサ層３３を介してガラス基板１０に接合され、
電極３６と電極３７及び電極３６と電極３８の互いに対
向する部分が櫛状に形成される。可動電極３６，３６は
ガラス基板１０の上方に位置し、コ字状のビーム４１，
４１によりその両端が支持され、ガラス基板１０に対し
て浮動になっている。ビーム４１の基端部４１ａは基板
１０上に単結晶シリコンスペーサ層３３を介して固着さ
れる。この可動電極３６に対向するガラス基板１０の表
面には検出電極１２が形成される。図示しないが、ビー
ム基端部４１ａ、固定電極３７及び３８、検出電極１２
には個別に電気配線がなされ、固定電極３７及び３８に
交流電圧を印加し、静電力により可動電極を励振するよ
うになっている。この半導体慣性センサ６０では、可動
電極３６，３６に対してビーム基端部４１ａと４１ａを
結ぶ線を中心として角速度が作用すると、可動電極３
６，３６にコリオリ力が生じてこの中心線の回りに捩り
振動を起こして共振する。この共振時の可動電極３６と
検出電極１２との間の静電容量の変化により作用した角
速度が検出される。
センサ６０を示す。この半導体慣性センサ６０は角速度
センサであって、ガラス基板１０上に単結晶シリコンス
ペーサ層３３を介して固着された固定電極３７及び３８
の間に音叉構造の一対の可動電極３６，３６を有する。
可動電極３６、固定電極３７及び３８は、単結晶シリコ
ン層３１とシリコンを浸食せずにエッチング可能な膜３
２の積層体であり、この積層体は単結晶シリコンからな
るスペーサ層３３を介してガラス基板１０に接合され、
電極３６と電極３７及び電極３６と電極３８の互いに対
向する部分が櫛状に形成される。可動電極３６，３６は
ガラス基板１０の上方に位置し、コ字状のビーム４１，
４１によりその両端が支持され、ガラス基板１０に対し
て浮動になっている。ビーム４１の基端部４１ａは基板
１０上に単結晶シリコンスペーサ層３３を介して固着さ
れる。この可動電極３６に対向するガラス基板１０の表
面には検出電極１２が形成される。図示しないが、ビー
ム基端部４１ａ、固定電極３７及び３８、検出電極１２
には個別に電気配線がなされ、固定電極３７及び３８に
交流電圧を印加し、静電力により可動電極を励振するよ
うになっている。この半導体慣性センサ６０では、可動
電極３６，３６に対してビーム基端部４１ａと４１ａを
結ぶ線を中心として角速度が作用すると、可動電極３
６，３６にコリオリ力が生じてこの中心線の回りに捩り
振動を起こして共振する。この共振時の可動電極３６と
検出電極１２との間の静電容量の変化により作用した角
速度が検出される。
【００２６】次に、本発明の第３実施形態の半導体慣性
センサ６０の製造方法について述べる。図５に示すよう
に、先ずガラス基板１０の表面にスパッタリング、真空
蒸着などによりＡｕ，Ｐｔ，Ｃｕなどから選ばれた金属
の薄膜からなる検出電極１２を形成する。一方、第１シ
リコンウェーハ２０の両面に酸化膜２１を形成する。両
面に第１膜２１，２１を形成した後、一方の表面の膜２
１の上に第１実施形態と同様に第２シリコンウェーハ２
２を貼り合わせる。次いで第１実施形態と同様に第１シ
リコンウェーハ２０を所定の厚さに研磨して単結晶シリ
コン層３１を形成し、第２膜２３が形成された第３シリ
コンウェーハ２４を第２膜２３を介して貼り合わせ、第
３シリコンウェーハ２４を所定の厚さに研磨する。その
後第１実施形態と同様に、第３シリコンウェーハ２４の
所定部分をエッチング除去し、第２シリコンウェーハ２
２と単結晶シリコン層３１とスペーサ層３３を備えた構
造体３４を形成する。
センサ６０の製造方法について述べる。図５に示すよう
に、先ずガラス基板１０の表面にスパッタリング、真空
蒸着などによりＡｕ，Ｐｔ，Ｃｕなどから選ばれた金属
の薄膜からなる検出電極１２を形成する。一方、第１シ
リコンウェーハ２０の両面に酸化膜２１を形成する。両
面に第１膜２１，２１を形成した後、一方の表面の膜２
１の上に第１実施形態と同様に第２シリコンウェーハ２
２を貼り合わせる。次いで第１実施形態と同様に第１シ
リコンウェーハ２０を所定の厚さに研磨して単結晶シリ
コン層３１を形成し、第２膜２３が形成された第３シリ
コンウェーハ２４を第２膜２３を介して貼り合わせ、第
３シリコンウェーハ２４を所定の厚さに研磨する。その
後第１実施形態と同様に、第３シリコンウェーハ２４の
所定部分をエッチング除去し、第２シリコンウェーハ２
２と単結晶シリコン層３１とスペーサ層３３を備えた構
造体３４を形成する。
【００２７】次いで、スペーサ層３３を介して構造体３
４をガラス基板１０に陽極接合する。続いてＫＯＨなど
のエッチャントにより第２シリコンウェーハ２２を第１
膜２１をエッチストップ層としてエッチング除去する。
次いで第１膜２１をフッ酸などのエッチャントにより除
去して単結晶シリコン層３１を露出させる。第２シリコ
ンウェーハ２２及び第１膜２１を除去されて露出した単
結晶シリコン層３１の表面にスパッタリングによりアル
ミニウム（Ａｌ）膜３５を形成し、パターニングした
後、ＳＦ6ガスによる低温での異方性ドライエッチング
を行い、最後にＡｌ膜３５を除去する。これにより単結
晶シリコン層３１が選択的にエッチング除去され、ガラ
ス基板１０上にスペーサ層３３を介して接合した単結晶
シリコンからなる一対の固定電極３７，３８と一対の固
定電極３７，３８に挟まれかつ検出電極１２の上方に対
向して浮動する単結晶シリコンからなる可動電極３６と
が形成された半導体慣性センサ６０が得られる。
４をガラス基板１０に陽極接合する。続いてＫＯＨなど
のエッチャントにより第２シリコンウェーハ２２を第１
膜２１をエッチストップ層としてエッチング除去する。
次いで第１膜２１をフッ酸などのエッチャントにより除
去して単結晶シリコン層３１を露出させる。第２シリコ
ンウェーハ２２及び第１膜２１を除去されて露出した単
結晶シリコン層３１の表面にスパッタリングによりアル
ミニウム（Ａｌ）膜３５を形成し、パターニングした
後、ＳＦ6ガスによる低温での異方性ドライエッチング
を行い、最後にＡｌ膜３５を除去する。これにより単結
晶シリコン層３１が選択的にエッチング除去され、ガラ
ス基板１０上にスペーサ層３３を介して接合した単結晶
シリコンからなる一対の固定電極３７，３８と一対の固
定電極３７，３８に挟まれかつ検出電極１２の上方に対
向して浮動する単結晶シリコンからなる可動電極３６と
が形成された半導体慣性センサ６０が得られる。
【００２８】図７は第１実施形態の半導体慣性センサ３
０の別の製造方法を示す。第１実施形態のセンサ３０の
製法との相違点は、スペーサ層３３を介して構造体３４
をガラス基板１０に陽極接合した後、第２シリコンウェ
ーハ２２を第１膜２１をエッチストップ層としてエッチ
ング除去する工程までは第１実施形態の製法と同じであ
り、それ以後の工程で相違する。即ち、第２シリコンウ
ェーハ２２のエッチング除去により露出した第１膜２１
の所定の部分をフッ酸等のエッチャントを用いてパター
ニングし、第１膜の一部２１ａ、２１ｂ及び２１ｃを単
結晶シリコン層３１上に選択的に形成する。この状態
で、ＳＦ6ガスによる低温での異方性ドライエッチング
を行い、最後に第１膜の一部２１ａ、２１ｂ及び２１ｃ
を除去する。これにより単結晶シリコン層３１が選択的
にエッチング除去され、ガラス基板１０上にスペーサ層
３３を介して接合した単結晶シリコンからなる一対の固
定電極３７，３８と一対の固定電極３７，３８に挟まれ
かつガラス基板１０の上方に浮動する単結晶シリコンか
らなる可動電極３６とが形成された半導体慣性センサ３
０が得られる。
０の別の製造方法を示す。第１実施形態のセンサ３０の
製法との相違点は、スペーサ層３３を介して構造体３４
をガラス基板１０に陽極接合した後、第２シリコンウェ
ーハ２２を第１膜２１をエッチストップ層としてエッチ
ング除去する工程までは第１実施形態の製法と同じであ
り、それ以後の工程で相違する。即ち、第２シリコンウ
ェーハ２２のエッチング除去により露出した第１膜２１
の所定の部分をフッ酸等のエッチャントを用いてパター
ニングし、第１膜の一部２１ａ、２１ｂ及び２１ｃを単
結晶シリコン層３１上に選択的に形成する。この状態
で、ＳＦ6ガスによる低温での異方性ドライエッチング
を行い、最後に第１膜の一部２１ａ、２１ｂ及び２１ｃ
を除去する。これにより単結晶シリコン層３１が選択的
にエッチング除去され、ガラス基板１０上にスペーサ層
３３を介して接合した単結晶シリコンからなる一対の固
定電極３７，３８と一対の固定電極３７，３８に挟まれ
かつガラス基板１０の上方に浮動する単結晶シリコンか
らなる可動電極３６とが形成された半導体慣性センサ３
０が得られる。
【００２９】図８は第２実施形態の半導体慣性センサ５
０の別の製造方法を示す。第２実施形態のセンサ５０の
製法との相違点は、スペーサ層３３を介して構造体３４
をガラス基板１０に陽極接合した後、第２シリコンウェ
ーハ２２を第１膜２１をエッチストップ層としてエッチ
ング除去する工程までは第２実施形態の製法と同じであ
り、それ以後の工程で相違する。即ち、第２シリコンウ
ェーハ２２のエッチング除去により露出した第１膜２１
の所定の部分をフッ酸等のエッチャントを用いてパター
ニングし、第１膜の一部２１ａ、２１ｂ及び２１ｃを単
結晶シリコン層３１上に選択的に形成する。この状態
で、ＳＦ6ガスによる低温での異方性ドライエッチング
を行い、最後に第１膜の一部２１ａ、２１ｂ及び２１ｃ
を除去する。これにより単結晶シリコン層３１が選択的
にエッチング除去され、ガラス基板１０上にスペーサ層
３３を介して接合した単結晶シリコンからなる枠体３
９，３９と枠体３９，３９に挟まれかつ検出電極１２の
上方に対向して浮動する単結晶シリコンからなる可動電
極３６とが形成された半導体慣性センサ５０が得られ
る。
０の別の製造方法を示す。第２実施形態のセンサ５０の
製法との相違点は、スペーサ層３３を介して構造体３４
をガラス基板１０に陽極接合した後、第２シリコンウェ
ーハ２２を第１膜２１をエッチストップ層としてエッチ
ング除去する工程までは第２実施形態の製法と同じであ
り、それ以後の工程で相違する。即ち、第２シリコンウ
ェーハ２２のエッチング除去により露出した第１膜２１
の所定の部分をフッ酸等のエッチャントを用いてパター
ニングし、第１膜の一部２１ａ、２１ｂ及び２１ｃを単
結晶シリコン層３１上に選択的に形成する。この状態
で、ＳＦ6ガスによる低温での異方性ドライエッチング
を行い、最後に第１膜の一部２１ａ、２１ｂ及び２１ｃ
を除去する。これにより単結晶シリコン層３１が選択的
にエッチング除去され、ガラス基板１０上にスペーサ層
３３を介して接合した単結晶シリコンからなる枠体３
９，３９と枠体３９，３９に挟まれかつ検出電極１２の
上方に対向して浮動する単結晶シリコンからなる可動電
極３６とが形成された半導体慣性センサ５０が得られ
る。
【００３０】図９は第３実施形態の半導体慣性センサ６
０の別の製造方法を示す。第３実施形態のセンサ６０の
製法との相違点は、スペーサ層３３を介して構造体３４
をガラス基板１０に陽極接合した後、第２シリコンウェ
ーハ２２を第１膜２１をエッチストップ層としてエッチ
ング除去する工程までは第３実施形態の製法と同じであ
り、それ以後の工程で相違する。即ち、第２シリコンウ
ェーハ２２のエッチング除去により露出した第１膜２１
の所定の部分をフッ酸等のエッチャントを用いてパター
ニングし、第１膜の一部２１ａ、２１ｂ及び２１ｃを単
結晶シリコン層３１上に選択的に形成する。この状態
で、ＳＦ6ガスによる低温での異方性ドライエッチング
を行い、最後に第１膜の一部２１ａ、２１ｂ及び２１ｃ
を除去する。これにより単結晶シリコン層３１が選択的
にエッチング除去され、ガラス基板１０上にスペーサ層
３３を介して接合した単結晶シリコンからなる一対の固
定電極３７，３８と一対の固定電極３７，３８に挟まれ
かつ検出電極１２の上方に対向して浮動する単結晶シリ
コンからなる可動電極３６とが形成された半導体慣性セ
ンサ６０が得られる。
０の別の製造方法を示す。第３実施形態のセンサ６０の
製法との相違点は、スペーサ層３３を介して構造体３４
をガラス基板１０に陽極接合した後、第２シリコンウェ
ーハ２２を第１膜２１をエッチストップ層としてエッチ
ング除去する工程までは第３実施形態の製法と同じであ
り、それ以後の工程で相違する。即ち、第２シリコンウ
ェーハ２２のエッチング除去により露出した第１膜２１
の所定の部分をフッ酸等のエッチャントを用いてパター
ニングし、第１膜の一部２１ａ、２１ｂ及び２１ｃを単
結晶シリコン層３１上に選択的に形成する。この状態
で、ＳＦ6ガスによる低温での異方性ドライエッチング
を行い、最後に第１膜の一部２１ａ、２１ｂ及び２１ｃ
を除去する。これにより単結晶シリコン層３１が選択的
にエッチング除去され、ガラス基板１０上にスペーサ層
３３を介して接合した単結晶シリコンからなる一対の固
定電極３７，３８と一対の固定電極３７，３８に挟まれ
かつ検出電極１２の上方に対向して浮動する単結晶シリ
コンからなる可動電極３６とが形成された半導体慣性セ
ンサ６０が得られる。
【００３１】
【発明の効果】以上述べたように、従来のレーザ加工に
よる半導体慣性センサの製法と異なり、本発明によれば
ウェーハのレーザ加工が不要となり、大量生産に適した
低コストの半導体慣性センサを製作することができる。
また可動電極部を形成する前に可動電極部と検出電極部
との接合を行うため、第一に従来のような貼り付き(sti
cking)現象を生じず、検出電極やガラス基板に対して所
定のギャップで可動電極を設けることができる。また第
二に接合時に検出電極部とのアライメントを行う必要が
なく、可動電極形成時に精度よくアライメントを行うこ
とができるので、可動電極と検出電極との位置関係のず
れは最小限に抑えられる。
よる半導体慣性センサの製法と異なり、本発明によれば
ウェーハのレーザ加工が不要となり、大量生産に適した
低コストの半導体慣性センサを製作することができる。
また可動電極部を形成する前に可動電極部と検出電極部
との接合を行うため、第一に従来のような貼り付き(sti
cking)現象を生じず、検出電極やガラス基板に対して所
定のギャップで可動電極を設けることができる。また第
二に接合時に検出電極部とのアライメントを行う必要が
なく、可動電極形成時に精度よくアライメントを行うこ
とができるので、可動電極と検出電極との位置関係のず
れは最小限に抑えられる。
【００３２】また、基板をシリコン基板でなく、ガラス
基板にすることにより、静電容量で検出を行うセンサで
は、素子の寄生容量を低下させることができる。更に、
ガラス基板上に検出電極が形成された構造においては可
動電極と、検出電極が形成されたガラス基板とのギャッ
プが単結晶シリコンのスペーサ層の厚さで規定されるた
め、高精度にギャップを形成できる。このため高感度で
高精度な半導体慣性センサが得られる。
基板にすることにより、静電容量で検出を行うセンサで
は、素子の寄生容量を低下させることができる。更に、
ガラス基板上に検出電極が形成された構造においては可
動電極と、検出電極が形成されたガラス基板とのギャッ
プが単結晶シリコンのスペーサ層の厚さで規定されるた
め、高精度にギャップを形成できる。このため高感度で
高精度な半導体慣性センサが得られる。
【図１】図２のＡ−Ａ線要部に相当する本発明の第１実
施形態の半導体慣性センサの製造工程を示す断面図。
施形態の半導体慣性センサの製造工程を示す断面図。
【図２】本発明の第１実施形態の半導体慣性センサの外
観斜視図。
観斜視図。
【図３】本発明の第２実施形態の半導体慣性センサの外
観斜視図。
観斜視図。
【図４】図３のＢ−Ｂ線要部に相当する本発明の第２実
施形態の半導体慣性センサの製造工程を示す断面図。
施形態の半導体慣性センサの製造工程を示す断面図。
【図５】図６のＣ−Ｃ線要部に相当する本発明の第３実
施形態の半導体慣性センサの製造工程を示す断面図。
施形態の半導体慣性センサの製造工程を示す断面図。
【図６】本発明の第３実施形態の半導体慣性センサの外
観斜視図。
観斜視図。
【図７】本発明の第１実施形態の半導体慣性センサの別
の製造工程を示す断面図。
の製造工程を示す断面図。
【図８】本発明の第２実施形態の半導体慣性センサの別
の製造工程を示す断面図。
の製造工程を示す断面図。
【図９】本発明の第３実施形態の半導体慣性センサの別
の製造工程を示す断面図。
の製造工程を示す断面図。
１０ ガラス基板 １２ 検出電極 ２０ 第１シリコンウェーハ ２１ 第１膜 ２２ 第２シリコンウェーハ ２３ 第２膜 ２４ 第３シリコンウェーハ ２６ 第３膜 ３１ 単結晶シリコン層 ３２ 膜 ３３ スペーサ層 ３４ 構造体 ３６ 可動電極 ３７，３８ 一対の固定電極 ３９ 枠体 ３０，５０，６０ 半導体慣性センサ
Claims (6)
- 【請求項１】 シリコンを浸食せずにエッチング可能な
第１膜(21)が表面に形成された第１シリコンウェーハ(2
0)の前記第１膜(21)上に第２シリコンウェーハ(22)を貼
り合わせる工程と、 前記第１シリコンウェーハ(20)を所定の厚さに研磨して
単結晶シリコン層(31)を形成する工程と、 研磨された前記単結晶シリコン層(31)にシリコンを浸食
せずにエッチング可能な第２膜(23)が表面に形成された
第３シリコンウェーハ(24)を前記第２膜(23)を介して貼
り合わせる工程と、 前記第３シリコンウェーハ(24)を所定の厚さに研磨した
後シリコンを浸食せずにエッチング可能な第３膜(26)を
前記第２シリコンウェーハ(22)及び研磨された第３シリ
コンウェーハ(24)に形成する工程と、 前記研磨された第３シリコンウェーハ(24)上の前記第３
膜(26)の所定の部分をエッチングし前記第２膜(23)をエ
ッチストップ層として前記第３シリコンウェーハ(24)の
所定部分をエッチング除去する工程と、 露出した前記第２膜(23)及び残存する第３膜(26)をエッ
チング除去することにより前記単結晶シリコン層(31)の
下面に膜(32,32)を介して単結晶シリコンからなるスペ
ーサ層(33)を形成する工程と、 前記第２シリコンウェーハ(22)と前記単結晶シリコン層
(31)と前記スペーサ層(33)を備える構造体(34)を前記ス
ペーサ層(33)がガラス基板(10)に対向するようにガラス
基板(10)に接合する工程と、 前記第２シリコンウェーハ(22)を前記第１膜(21)をエッ
チストップ層としてエッチング除去する工程と、 前記第１膜(21)を除去して前記単結晶シリコン層(31)を
露出させた後、前記単結晶シリコン層(31)を選択的にエ
ッチング除去して単結晶シリコンからなる可動電極(36)
と前記可動電極(36)の両側に単結晶シリコンからなる一
対の固定電極(37,38)を形成することにより前記一対の
固定電極(37,38)に挟まれて設けられた可動電極(36)を
有する半導体慣性センサ(30)を得る工程とを含む半導体
慣性センサの製造方法。 - 【請求項２】 ガラス基板(10)上に検出電極(12)を形成
する工程と、 シリコンを浸食せずにエッチング可能な第１膜(21)が表
面に形成された第１シリコンウェーハ(20)の前記第１膜
(21)上に第２シリコンウェーハ(22)を貼り合わせる工程
と、 前記第１シリコンウェーハ(20)を所定の厚さに研磨して
単結晶シリコン層(31)を形成する工程と、 研磨された前記単結晶シリコン層(31)にシリコンを浸食
せずにエッチング可能な第２膜(23)が表面に形成された
第３シリコンウェーハ(24)を前記第２膜(23)を介して貼
り合わせる工程と、 前記第３シリコンウェーハ(24)を所定の厚さに研磨した
後シリコンを浸食せずにエッチング可能な第３膜(26)を
前記第２シリコンウェーハ(22)及び研磨された第３シリ
コンウェーハ(24)に形成する工程と、 前記研磨された第３シリコンウェーハ(24)上の前記第３
膜(26)の所定の部分をエッチングし前記第２膜(23)をエ
ッチストップ層として前記第３シリコンウェーハ(24)の
所定部分をエッチング除去する工程と露出した前記第２
膜(23)及び残存する第３膜(26)をエッチング除去するこ
とにより前記単結晶シリコン層(31)の下面に膜(32,32)
を介して単結晶シリコンからなるスペーサ層(33)を形成
する工程と、 前記第２シリコンウェーハ(22)と前記単結晶シリコン層
(31)と前記スペーサ層(33)を備える構造体(34)を前記ス
ペーサ層(33)がガラス基板(10)に対向するようにガラス
基板(10)に接合する工程と、 前記第２シリコンウェーハ(22)を前記第１膜(21)をエッ
チストップ層としてエッチング除去する工程と、 前記第１膜(21)を除去して前記単結晶シリコン層(31)を
露出させた後、前記単結晶シリコン層(31)を選択的にエ
ッチング除去することにより、前記ガラス基板(10)上に
前記検出電極(12)に対向して浮動する単結晶シリコンか
らなる可動電極(36)を有する半導体慣性センサ(50)を得
る工程とを含む半導体慣性センサの製造方法。 - 【請求項３】 ガラス基板(10)上に検出電極(12)を形成
する工程と、 シリコンを浸食せずにエッチング可能な第１膜(21)が表
面に形成された第１シリコンウェーハ(20)の前記第１膜
(21)上に第２シリコンウェーハ(22)を貼り合わせる工程
と、 前記第１シリコンウェーハ(20)を所定の厚さに研磨して
単結晶シリコン層(31)を形成する工程と、 研磨された前記単結晶シリコン層(31)にシリコンを浸食
せずにエッチング可能な第２膜(23)が表面に形成された
第３シリコンウェーハ(24)を前記第２膜(23)を介して貼
り合わせる工程と、 前記第３シリコンウェーハ(24)を所定の厚さに研磨した
後シリコンを浸食せずにエッチング可能な第３膜(26)を
前記第２シリコンウェーハ(22)及び研磨された第３シリ
コンウェーハ(24)に形成する工程と、 前記研磨された第３シリコンウェーハ(24)上の前記第３
膜(26)の所定の部分をエッチングし前記第２膜(23)をエ
ッチストップ層として前記第３シリコンウェーハ(24)の
所定部分をエッチング除去する工程と露出した前記第２
膜(23)及び残存する第３膜(26)をエッチング除去するこ
とにより前記単結晶シリコン層(31)の下面に膜(32,32)
を介して単結晶シリコンからなるスペーサ層(33)を形成
する工程と、 前記第２シリコンウェーハ(22)と前記単結晶シリコン層
(31)と前記スペーサ層(33)を備える構造体(34)を前記ス
ペーサ層(33)がガラス基板(10)に対向するようにガラス
基板(10)に接合する工程と、 前記第２シリコンウェーハ(22)を前記第１膜(21)をエッ
チストップ層としてエッチング除去する工程と、 前記第１膜(21)を除去して前記単結晶シリコン層(31)を
露出させた後、前記単結晶シリコン層(31)を選択的にエ
ッチングして単結晶シリコンからなる可動電極(36)と前
記可動電極(36)の両側に単結晶シリコンからなる一対の
固定電極(37,38)を形成することにより前記検出電極(1
2)に対向して浮動しかつ前記一対の固定電極(37,38)に
挟まれて設けられた可動電極(36)を有する半導体慣性セ
ンサ（６０）を得る工程とを含む半導体慣性センサの製
造方法。 - 【請求項４】 シリコンを浸食せずにエッチング可能な
第１膜（２１）が表面に形成された第１シリコンウェー
ハ(20)の前記第１膜(21)上に第２シリコンウェーハ(22)
を貼り合わせる工程と、 前記第１シリコンウェーハ(20)を所定の厚さに研磨して
単結晶シリコン層(31)を形成する工程と、 研磨された前記単結晶シリコン層(31)にシリコンを浸食
せずにエッチング可能な第２膜(23)が表面に形成された
第３シリコンウェーハ(24)を前記第２膜(23)を介して貼
り合わせる工程と、 前記第３シリコンウェーハ(24)を所定の厚さに研磨した
後シリコンを浸食せずにエッチング可能な第３膜(26)を
前記第２シリコンウェーハ(22)及び研磨された第３シリ
コンウェーハ(24)に形成する工程と、 前記研磨された第３シリコンウェーハ(24)上の前記第３
膜(26)の所定の部分をエッチングし前記第２膜(23)をエ
ッチストップ層として前記第３シリコンウェーハ(24)の
所定部分をエッチング除去する工程と、 露出した前記第２膜(23)及び残存する第３膜(26)をエッ
チング除去することにより前記単結晶シリコン層(31)の
下面に膜(32,32)を介して単結晶シリコンからなるスペ
ーサ層(33)を形成する工程と、 前記第２シリコンウェーハ(22)と前記単結晶シリコン層
(31)と前記スペーサ層(33)を備える構造体(34)を前記ス
ペーサ層(33)がガラス基板(10)に対向するようにガラス
基板(10)に接合する工程と、 前記第２シリコンウェーハ(22)を前記第１膜(21)をエッ
チストップ層としてエッチング除去する工程と、 前記第１膜(21)を選択的に除去した後、単結晶シリコン
層(31)を選択的にエッチング除去して単結晶シリコンか
らなる可動電極(36)と前記可動電極(36)の両側に単結晶
シリコンからなる一対の固定電極(37,38)を形成するこ
とにより前記一対の固定電極(37,38)に挟まれて設けら
れた可動電極(36)を有する半導体慣性センサ(30)を得る
工程とを含む半導体慣性センサの製造方法。 - 【請求項５】 ガラス基板(10)上に検出電極(12)を形成
する工程と、 シリコンを浸食せずにエッチング可能な第１膜(21)が表
面に形成された第１シリコンウェーハ(20)の前記第１膜
(21)上に第２シリコンウェーハ(22)を貼り合わせる工程
と、 前記第１シリコンウェーハ(20)を所定の厚さに研磨して
単結晶シリコン層(31)を形成する工程と、 研磨された前記単結晶シリコン層(31)にシリコンを浸食
せずにエッチング可能な第２膜(23)が表面に形成された
第３シリコンウェーハ(24)を前記第２膜(23)を介して貼
り合わせる工程と、 前記第３シリコンウェーハ(24)を所定の厚さに研磨した
後シリコンを浸食せずにエッチング可能な第３膜(26)を
前記第２シリコンウェーハ(22)及び研磨された第３シリ
コンウェーハ(24)に形成する工程と、 前記研磨された第３シリコンウェーハ(24)上の前記第３
膜(26)の所定の部分をエッチングし前記第２膜(23)をエ
ッチストップ層として前記第３シリコンウェーハ(24)の
所定部分をエッチング除去する工程と露出した前記第２
膜(23)及び残存する第３膜(26)をエッチング除去するこ
とにより前記単結晶シリコン層(31)の下面に膜(32,32)
を介して単結晶シリコンからなるスペーサ層(33)を形成
する工程と、 前記第２シリコンウェーハ(22)と前記単結晶シリコン層
(31)と前記スペーサ層(33)を備える構造体(34)を前記ス
ペーサ層(33)がガラス基板(10)に対向するようにガラス
基板(10)に接合する工程と、 前記第２シリコンウェーハ(22)を前記第１膜(21)をエッ
チストップ層としてエッチング除去する工程と、 前記第１膜(21)を選択的に除去した後、単結晶シリコン
層(31)を選択的にエッチング除去することにより、前記
ガラス基板(10)上に前記検出電極(12)に対向して浮動す
る単結晶シリコンからなる可動電極(36)を有する半導体
慣性センサ(50)を得る工程とを含む半導体慣性センサの
製造方法。 - 【請求項６】 ガラス基板(10)上に検出電極(12)を形成
する工程と、 シリコンを浸食せずにエッチング可能な第１膜(21)が表
面に形成された第１シリコンウェーハ(20)の前記第１膜
(21)上に第２シリコンウェーハ(22)を貼り合わせる工程
と、 前記第１シリコンウェーハ(20)を所定の厚さに研磨して
単結晶シリコン層(31)を形成する工程と、 研磨された前記単結晶シリコン層(31)にシリコンを浸食
せずにエッチング可能な第２膜(23)が表面に形成された
第３シリコンウェーハ(24)を前記第２膜(23)を介して貼
り合わせる工程と、 前記第３シリコンウェーハ(24)を所定の厚さに研磨した
後シリコンを浸食せずにエッチング可能な第３膜(26)を
前記第２シリコンウェーハ(22)及び研磨された第３シリ
コンウェーハ(24)に形成する工程と、 前記研磨された第３シリコンウェーハ(24)上の前記第３
膜(26)の所定の部分をエッチングし前記第２膜(23)をエ
ッチストップ層として前記第３シリコンウェーハ(24)の
所定部分をエッチング除去する工程と露出した前記第２
膜(23)及び残存する第３膜(26)をエッチング除去するこ
とにより前記単結晶シリコン層(31)の下面に膜(32,32)
を介して単結晶シリコンからなるスペーサ層(33)を形成
する工程と、 前記第２シリコンウェーハ(22)と前記単結晶シリコン層
(31)と前記スペーサ層(33)を備える構造体(34)を前記ス
ペーサ層(33)がガラス基板(10)に対向するようにガラス
基板(10)に接合する工程と、 前記第２シリコンウェーハ(22)を前記第１膜(21)をエッ
チストップ層としてエッチング除去する工程と、 前記第１膜(21)を選択的に除去した後、単結晶シリコン
層(31)を選択的にエッチングして単結晶シリコンからな
る可動電極(36)と前記可動電極(36)の両側に単結晶シリ
コンからなる一対の固定電極(37,38)を形成することに
より前記検出電極(12)に対向して浮動しかつ前記一対の
固定電極(37,38)に挟まれて設けられた可動電極(36)を
有する半導体慣性センサ(60)を得る工程とを含む半導体
慣性センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9060821A JPH10256568A (ja) | 1997-03-14 | 1997-03-14 | 半導体慣性センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9060821A JPH10256568A (ja) | 1997-03-14 | 1997-03-14 | 半導体慣性センサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10256568A true JPH10256568A (ja) | 1998-09-25 |
Family
ID=13153413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9060821A Withdrawn JPH10256568A (ja) | 1997-03-14 | 1997-03-14 | 半導体慣性センサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10256568A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000180176A (ja) * | 1998-12-15 | 2000-06-30 | Mitsumi Electric Co Ltd | 振動型角速度センサ |
| EP1253108A2 (en) * | 2001-04-27 | 2002-10-30 | Hewlett-Packard Company | Method of fabricating suspended microstructures |
| JP2006524337A (ja) * | 2003-03-26 | 2006-10-26 | ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド | 差分容量ピックオフを有する曲げビーム加速度計 |
| WO2006128953A2 (en) * | 2005-06-02 | 2006-12-07 | Okmetic Oyj | Thinning op a si wafer for mems-sensors applications |
| CN1325367C (zh) * | 2005-09-16 | 2007-07-11 | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 | 一种mems传感器悬梁结构的制造方法 |
-
1997
- 1997-03-14 JP JP9060821A patent/JPH10256568A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000180176A (ja) * | 1998-12-15 | 2000-06-30 | Mitsumi Electric Co Ltd | 振動型角速度センサ |
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| EP1253108A3 (en) * | 2001-04-27 | 2003-12-10 | Hewlett-Packard Company | Method of fabricating suspended microstructures |
| JP2006524337A (ja) * | 2003-03-26 | 2006-10-26 | ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド | 差分容量ピックオフを有する曲げビーム加速度計 |
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| WO2006128953A3 (en) * | 2005-06-02 | 2007-02-01 | Okmetic Oyj | Thinning op a si wafer for mems-sensors applications |
| CN1325367C (zh) * | 2005-09-16 | 2007-07-11 | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 | 一种mems传感器悬梁结构的制造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040601 |