JPH10256571A - 半導体慣性センサの製造方法 - Google Patents
半導体慣性センサの製造方法Info
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- JPH10256571A JPH10256571A JP9062598A JP6259897A JPH10256571A JP H10256571 A JPH10256571 A JP H10256571A JP 9062598 A JP9062598 A JP 9062598A JP 6259897 A JP6259897 A JP 6259897A JP H10256571 A JPH10256571 A JP H10256571A
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- silicon wafer
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウェーハのレーザ加工が不要で大量生産に適
し、寄生容量が低く、寸法精度に優れた半導体慣性セン
サを低コストで得る。 【解決手段】 ガラス基板１０上にガラススペーサ層１
３を設けて、溝部１１を形成する。酸化膜２０を介して
第２シリコンウェーハ２２に貼り合わされた単結晶シリ
コン層２３を選択的にエッチング除去して、酸化膜２０
上に単結晶シリコンからなる可動電極２６と可動電極の
両側に単結晶シリコンからなる一対の固定電極２７，２
８を形成する。第２シリコンウェーハ２２と酸化膜２０
と可動電極と固定電極とを有する構造体２４を可動電極
がガラス基板の溝部に対向するようにガラススペーサ層
１３を介してガラス基板に接合する。第２シリコンウェ
ーハ及び酸化膜をエッチング除去して、固定電極と固定
電極に挟まれかつガラス基板の上方に浮動する可動電極
とを有する半導体慣性センサ３０を得る。
し、寄生容量が低く、寸法精度に優れた半導体慣性セン
サを低コストで得る。 【解決手段】 ガラス基板１０上にガラススペーサ層１
３を設けて、溝部１１を形成する。酸化膜２０を介して
第２シリコンウェーハ２２に貼り合わされた単結晶シリ
コン層２３を選択的にエッチング除去して、酸化膜２０
上に単結晶シリコンからなる可動電極２６と可動電極の
両側に単結晶シリコンからなる一対の固定電極２７，２
８を形成する。第２シリコンウェーハ２２と酸化膜２０
と可動電極と固定電極とを有する構造体２４を可動電極
がガラス基板の溝部に対向するようにガラススペーサ層
１３を介してガラス基板に接合する。第２シリコンウェ
ーハ及び酸化膜をエッチング除去して、固定電極と固定
電極に挟まれかつガラス基板の上方に浮動する可動電極
とを有する半導体慣性センサ３０を得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、静電容量型の加速
度センサ、角速度センサ等に適する半導体慣性センサの
製造方法に関するものである。
度センサ、角速度センサ等に適する半導体慣性センサの
製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の半導体慣性センサとし
て、ガラス基板と単結晶シリコンの構造からなる共振
角速度センサが提案されている（M. Hashimoto et al.,
"Silicon Resonant Angular Rate Sensor", Techinica
l Digest of the 12th Sensor Symposium, pp.163-166
(1994)）。このセンサは両側をトーションバーで浮動す
るようにした音叉構造の可動電極を有する。この可動電
極は電磁駆動によって励振されている。角速度が作用す
ると可動電極にコリオリ力が生じて、可動電極がトーシ
ョンバーの回りに捩り振動を起こして共振する。センサ
はこの可動電極の共振による可動電極と検出電極との間
の静電容量の変化により作用した角速度を検出する。こ
のセンサを作製する場合には、厚さ２００μｍ程度の結
晶方位が（１１０）の単結晶シリコン基板を基板表面に
対して垂直にエッチングして可動電極部分などの構造を
作製する。この比較的厚いシリコン基板を垂直にエッチ
ングするためにはＳＦ6ガスによる異方性ドライエッチ
ングを行うか、或いはトーションバーの可動電極部分へ
の付け根の隅部にＹＡＧレーザで孔あけを行った後に、
ＫＯＨなどでウエットエッチングを行っている。エッチ
ング加工を行ったシリコン基板は陽極接合によりガラス
基板と一体化される。
て、ガラス基板と単結晶シリコンの構造からなる共振
角速度センサが提案されている（M. Hashimoto et al.,
"Silicon Resonant Angular Rate Sensor", Techinica
l Digest of the 12th Sensor Symposium, pp.163-166
(1994)）。このセンサは両側をトーションバーで浮動す
るようにした音叉構造の可動電極を有する。この可動電
極は電磁駆動によって励振されている。角速度が作用す
ると可動電極にコリオリ力が生じて、可動電極がトーシ
ョンバーの回りに捩り振動を起こして共振する。センサ
はこの可動電極の共振による可動電極と検出電極との間
の静電容量の変化により作用した角速度を検出する。こ
のセンサを作製する場合には、厚さ２００μｍ程度の結
晶方位が（１１０）の単結晶シリコン基板を基板表面に
対して垂直にエッチングして可動電極部分などの構造を
作製する。この比較的厚いシリコン基板を垂直にエッチ
ングするためにはＳＦ6ガスによる異方性ドライエッチ
ングを行うか、或いはトーションバーの可動電極部分へ
の付け根の隅部にＹＡＧレーザで孔あけを行った後に、
ＫＯＨなどでウエットエッチングを行っている。エッチ
ング加工を行ったシリコン基板は陽極接合によりガラス
基板と一体化される。
【０００３】また別の半導体慣性センサとして、シリ
コン基板上にエッチングで犠牲層をパターン化した後、
除去することにより可動電極としてのポリシリコン振動
子を形成したマイクロジャイロ（K. Tanaka et al., "A
micromachined vibrating gyroscope", Sensors and A
ctuators A 50, pp.111-115 (1995)）が開示されてい
る。このマイクロジャイロは、いわゆる表面マイクロマ
シニング技術を用いた構造となっている。具体的には、
シリコン基板に不純物拡散によって検出電極を形成し、
その上に犠牲層となるリン酸ガラス膜を成膜してパター
ニングした後、ポリシリコンを成膜し、更に垂直エッチ
ング等の加工を行って構造体を形成する。最後に犠牲層
をエッチングにより除去することにより、可動電極部分
を切り離して検出電極に対してギャップを作り出し可動
電極を浮動状態にする。
コン基板上にエッチングで犠牲層をパターン化した後、
除去することにより可動電極としてのポリシリコン振動
子を形成したマイクロジャイロ（K. Tanaka et al., "A
micromachined vibrating gyroscope", Sensors and A
ctuators A 50, pp.111-115 (1995)）が開示されてい
る。このマイクロジャイロは、いわゆる表面マイクロマ
シニング技術を用いた構造となっている。具体的には、
シリコン基板に不純物拡散によって検出電極を形成し、
その上に犠牲層となるリン酸ガラス膜を成膜してパター
ニングした後、ポリシリコンを成膜し、更に垂直エッチ
ング等の加工を行って構造体を形成する。最後に犠牲層
をエッチングにより除去することにより、可動電極部分
を切り離して検出電極に対してギャップを作り出し可動
電極を浮動状態にする。
【０００４】更に別の半導体慣性センサとして、ガラ
ス基板と単結晶シリコンの構造からなるジャイロスコー
プが提案されている（J.Bernstein et al., "A Microma
chined Comb-Drive Tuning Fork Rate Gyroscope", IEE
E MEMS '93 Proceeding, pp.143-148 (1993)）。このジ
ャイロスコープは、検出電極を形成したガラス基板と、
エッチングを行った後に高濃度ボロン拡散を行って可動
電極、固定電極等を形成した単結晶シリコン基板とをボ
ロン拡散を行った部分を接合面として接合し、更にボロ
ンを拡散していないシリコン基板部分をエッチングによ
り除去することにより、作られる。
ス基板と単結晶シリコンの構造からなるジャイロスコー
プが提案されている（J.Bernstein et al., "A Microma
chined Comb-Drive Tuning Fork Rate Gyroscope", IEE
E MEMS '93 Proceeding, pp.143-148 (1993)）。このジ
ャイロスコープは、検出電極を形成したガラス基板と、
エッチングを行った後に高濃度ボロン拡散を行って可動
電極、固定電極等を形成した単結晶シリコン基板とをボ
ロン拡散を行った部分を接合面として接合し、更にボロ
ンを拡散していないシリコン基板部分をエッチングによ
り除去することにより、作られる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記〜の従来のセ
ンサの製造技術には、次の欠点があった。の共振角速
度センサの製造方法では、ガラス基板に対して浮動する
構造になるべきシリコン能動部が陽極接合時に静電引力
によりガラス基板に貼り付いて可動電極にならないこと
があった。この貼り付き（sticking）を防ぐために可動
電極と検出電極とを短絡して静電力が働かない状態で陽
極接合した後に、レーザを用いて短絡していた電極間を
切り離していた。また島状の固定電極を形成するために
ガラス基板に接合した後、レーザアシストエッチングを
行う必要があった。これらのレーザ加工は極めて複雑で
あって、センサを量産しようとする場合には不適切であ
った。
ンサの製造技術には、次の欠点があった。の共振角速
度センサの製造方法では、ガラス基板に対して浮動する
構造になるべきシリコン能動部が陽極接合時に静電引力
によりガラス基板に貼り付いて可動電極にならないこと
があった。この貼り付き（sticking）を防ぐために可動
電極と検出電極とを短絡して静電力が働かない状態で陽
極接合した後に、レーザを用いて短絡していた電極間を
切り離していた。また島状の固定電極を形成するために
ガラス基板に接合した後、レーザアシストエッチングを
行う必要があった。これらのレーザ加工は極めて複雑で
あって、センサを量産しようとする場合には不適切であ
った。
【０００６】のマイクロジャイロは、シリコンウェー
ハを基板とするため、センサの寄生容量が大きく、感度
や精度を高くすることが困難であった。更にのジャイ
ロスコープの製造方法では、ボロンを拡散した部分をエ
ッチストップ部分として構造体全体を形成するため、エ
ッチストップ効果が不完全の場合にはオーバエッチング
により可動電極や固定電極の厚さが薄くなり、寸法精度
に劣る問題点があった。更に及びにおいては、可動
電極と検出電極との間のギャップはエッチング時間によ
る制御のみに依存していたので、電極間のギャップ形成
精度に問題があった。
ハを基板とするため、センサの寄生容量が大きく、感度
や精度を高くすることが困難であった。更にのジャイ
ロスコープの製造方法では、ボロンを拡散した部分をエ
ッチストップ部分として構造体全体を形成するため、エ
ッチストップ効果が不完全の場合にはオーバエッチング
により可動電極や固定電極の厚さが薄くなり、寸法精度
に劣る問題点があった。更に及びにおいては、可動
電極と検出電極との間のギャップはエッチング時間によ
る制御のみに依存していたので、電極間のギャップ形成
精度に問題があった。
【０００７】本発明の目的は、レーザ加工が不要で大量
生産に適する、低コストの半導体慣性センサの製造方法
を提供することにある。本発明の別の目的は、寄生容量
が低く、高感度で高精度の半導体慣性センサの製造方法
を提供することにある。本発明の更に別の目的は、寸法
精度に優れた半導体慣性センサの製造方法を提供するこ
とにある。
生産に適する、低コストの半導体慣性センサの製造方法
を提供することにある。本発明の別の目的は、寄生容量
が低く、高感度で高精度の半導体慣性センサの製造方法
を提供することにある。本発明の更に別の目的は、寸法
精度に優れた半導体慣性センサの製造方法を提供するこ
とにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
図１に示すように、ガラス基板１０上の所定の部分にガ
ラススペーサ層１３を設けることにより溝部１１を形成
する工程と、第１シリコンウェーハ２１の両面にシリコ
ンを浸食せずにエッチング可能な膜２０を形成する工程
と、第２シリコンウェーハ２２を第１シリコンウエーハ
２１の片面に膜２０を介して貼り合わせる工程と、第１
シリコンウェーハ２１の別の片面を所定の厚さに研磨し
て単結晶シリコン層２３を形成する工程と、単結晶シリ
コン層２３を膜２０をエッチストップ層として選択的に
エッチング除去し、これにより膜２０上に単結晶シリコ
ンからなる可動電極２６と可動電極２６の両側に単結晶
シリコンからなる一対の固定電極２７，２８とを形成す
る工程と、第２シリコンウェーハ２２と膜２０と可動電
極２６と固定電極２７，２８とを有する構造体２４を可
動電極２６がガラス基板１０の溝部１１に対向するよう
にガラススペーサ層１３を介してガラス基板１０に接合
する工程と、第２シリコンウェーハ２２を膜２０をエッ
チストップ層としてエッチング除去する工程と、膜２０
をエッチング除去することにより一対の固定電極２７，
２８と固定電極２７，２８に挟まれかつガラス基板１０
の上方に浮動する可動電極２６とを有する半導体慣性セ
ンサ３０を得る工程とを含む半導体慣性センサの製造方
法である。
図１に示すように、ガラス基板１０上の所定の部分にガ
ラススペーサ層１３を設けることにより溝部１１を形成
する工程と、第１シリコンウェーハ２１の両面にシリコ
ンを浸食せずにエッチング可能な膜２０を形成する工程
と、第２シリコンウェーハ２２を第１シリコンウエーハ
２１の片面に膜２０を介して貼り合わせる工程と、第１
シリコンウェーハ２１の別の片面を所定の厚さに研磨し
て単結晶シリコン層２３を形成する工程と、単結晶シリ
コン層２３を膜２０をエッチストップ層として選択的に
エッチング除去し、これにより膜２０上に単結晶シリコ
ンからなる可動電極２６と可動電極２６の両側に単結晶
シリコンからなる一対の固定電極２７，２８とを形成す
る工程と、第２シリコンウェーハ２２と膜２０と可動電
極２６と固定電極２７，２８とを有する構造体２４を可
動電極２６がガラス基板１０の溝部１１に対向するよう
にガラススペーサ層１３を介してガラス基板１０に接合
する工程と、第２シリコンウェーハ２２を膜２０をエッ
チストップ層としてエッチング除去する工程と、膜２０
をエッチング除去することにより一対の固定電極２７，
２８と固定電極２７，２８に挟まれかつガラス基板１０
の上方に浮動する可動電極２６とを有する半導体慣性セ
ンサ３０を得る工程とを含む半導体慣性センサの製造方
法である。
【０００９】請求項２に係る発明は、図４に示すよう
に、ガラス基板１０上の所定の部分にガラススペーサ層
１３を設けることにより溝部１１を形成する工程と、ガ
ラス基板１０の溝部１１の底面に検出電極１２を形成す
る工程と、第１シリコンウェーハ２１の両面にシリコン
を浸食せずにエッチング可能な膜２０を形成する工程
と、第２シリコンウェーハ２２を第１シリコンウエーハ
２１の片面に膜２０を介して貼り合わせる工程と、第１
シリコンウェーハ２１の別の片面を所定の厚さに研磨し
て単結晶シリコン層２３を形成する工程と、単結晶シリ
コン層２３を膜２０をエッチストップ層として選択的に
エッチング除去し、これにより膜２０上に単結晶シリコ
ンからなる可動電極２６を形成する工程と、第２シリコ
ンウェーハ２２と膜２０と可動電極２６とを有する構造
体２４を可動電極２６が検出電極１２に対向するように
ガラススペーサ層１３を介してガラス基板１０に接合す
る工程と、第２シリコンウェーハ２２を膜２０をエッチ
ストップ層としてエッチング除去する工程と、膜２０を
エッチング除去することによりガラス基板１０上に検出
電極１２に対向して浮動する可動電極２６を有する半導
体慣性センサ４０を得る工程とを含む半導体慣性センサ
の製造方法である。
に、ガラス基板１０上の所定の部分にガラススペーサ層
１３を設けることにより溝部１１を形成する工程と、ガ
ラス基板１０の溝部１１の底面に検出電極１２を形成す
る工程と、第１シリコンウェーハ２１の両面にシリコン
を浸食せずにエッチング可能な膜２０を形成する工程
と、第２シリコンウェーハ２２を第１シリコンウエーハ
２１の片面に膜２０を介して貼り合わせる工程と、第１
シリコンウェーハ２１の別の片面を所定の厚さに研磨し
て単結晶シリコン層２３を形成する工程と、単結晶シリ
コン層２３を膜２０をエッチストップ層として選択的に
エッチング除去し、これにより膜２０上に単結晶シリコ
ンからなる可動電極２６を形成する工程と、第２シリコ
ンウェーハ２２と膜２０と可動電極２６とを有する構造
体２４を可動電極２６が検出電極１２に対向するように
ガラススペーサ層１３を介してガラス基板１０に接合す
る工程と、第２シリコンウェーハ２２を膜２０をエッチ
ストップ層としてエッチング除去する工程と、膜２０を
エッチング除去することによりガラス基板１０上に検出
電極１２に対向して浮動する可動電極２６を有する半導
体慣性センサ４０を得る工程とを含む半導体慣性センサ
の製造方法である。
【００１０】請求項３に係る発明は、図５に示すよう
に、ガラス基板１０上の所定の部分にガラススペーサ層
１３を設けることにより溝部１１を形成する工程と、ガ
ラス基板１０の溝部１１の底面に検出電極１２を形成す
る工程と、第１シリコンウェーハ２１の両面にシリコン
を浸食せずにエッチング可能な膜２０を形成する工程
と、第２シリコンウェーハ２２を第１シリコンウエーハ
２１の片面に膜２０を介して貼り合わせる工程と、第１
シリコンウェーハ２１の別の片面を所定の厚さに研磨し
て単結晶シリコン層２３を形成する工程と、単結晶シリ
コン層２３を膜２０をエッチストップ層として選択的に
エッチング除去し、これにより膜２０上に単結晶シリコ
ンからなる可動電極２６と可動電極２６の両側に単結晶
シリコンからなる一対の固定電極２７，２８とを形成す
る工程と、第２シリコンウェーハ２２と膜２０と可動電
極２６と固定電極２７，２８とを有する構造体２４を可
動電極２６が検出電極１２に対向するようにガラススペ
ーサ層１３を介してガラス基板１０に接合する工程と、
第２シリコンウェーハ２２を膜２０をエッチストップ層
としてエッチング除去する工程と、膜２０をエッチング
除去することにより一対の固定電極２７，２８と固定電
極２７，２８に挟まれかつガラス基板１０の上に検出電
極１２に対向して浮動する可動電極２６を有する半導体
慣性センサ５０を得る工程とを含む半導体慣性センサの
製造方法である。
に、ガラス基板１０上の所定の部分にガラススペーサ層
１３を設けることにより溝部１１を形成する工程と、ガ
ラス基板１０の溝部１１の底面に検出電極１２を形成す
る工程と、第１シリコンウェーハ２１の両面にシリコン
を浸食せずにエッチング可能な膜２０を形成する工程
と、第２シリコンウェーハ２２を第１シリコンウエーハ
２１の片面に膜２０を介して貼り合わせる工程と、第１
シリコンウェーハ２１の別の片面を所定の厚さに研磨し
て単結晶シリコン層２３を形成する工程と、単結晶シリ
コン層２３を膜２０をエッチストップ層として選択的に
エッチング除去し、これにより膜２０上に単結晶シリコ
ンからなる可動電極２６と可動電極２６の両側に単結晶
シリコンからなる一対の固定電極２７，２８とを形成す
る工程と、第２シリコンウェーハ２２と膜２０と可動電
極２６と固定電極２７，２８とを有する構造体２４を可
動電極２６が検出電極１２に対向するようにガラススペ
ーサ層１３を介してガラス基板１０に接合する工程と、
第２シリコンウェーハ２２を膜２０をエッチストップ層
としてエッチング除去する工程と、膜２０をエッチング
除去することにより一対の固定電極２７，２８と固定電
極２７，２８に挟まれかつガラス基板１０の上に検出電
極１２に対向して浮動する可動電極２６を有する半導体
慣性センサ５０を得る工程とを含む半導体慣性センサの
製造方法である。
【００１１】請求項４に係る発明は、図７に示すよう
に、ガラス基板１０上の所定の部分にガラススペーサ層
１３を設けることにより溝部１１を形成する工程と、第
１シリコンウェーハ２１の両面にシリコンを浸食せずに
エッチング可能な膜２０を形成する工程と、第２シリコ
ンウェーハ２２を第１シリコンウエーハ２１の片面に膜
２０を介して貼り合わせる工程と、第１シリコンウェー
ハ２１の別の片面を所定の厚さに研磨して単結晶シリコ
ン層２３を形成する工程と、第２シリコンウェーハ２２
と膜２０と単結晶シリコン層２３とを有する構造体３４
を単結晶シリコン層２３がガラス基板１０の溝部１１に
対向するようにガラススペーサ層１３を介してガラス基
板１０に接合する工程と、第２シリコンウェーハ２２を
膜２０をエッチストップ層としてエッチング除去する工
程と、膜２０をエッチング除去して単結晶シリコン層２
３を露出させた後、単結晶シリコン層２３を選択的にエ
ッチング除去することにより、ガラス基板１０上に接合
した単結晶シリコンからなる一対の固定電極２７，２８
と固定電極２７，２８に挟まれかつガラス基板１０の上
方に浮動する単結晶シリコンからなる可動電極２６とを
有する半導体慣性センサ３０を得る工程とを含む半導体
慣性センサの製造方法である。
に、ガラス基板１０上の所定の部分にガラススペーサ層
１３を設けることにより溝部１１を形成する工程と、第
１シリコンウェーハ２１の両面にシリコンを浸食せずに
エッチング可能な膜２０を形成する工程と、第２シリコ
ンウェーハ２２を第１シリコンウエーハ２１の片面に膜
２０を介して貼り合わせる工程と、第１シリコンウェー
ハ２１の別の片面を所定の厚さに研磨して単結晶シリコ
ン層２３を形成する工程と、第２シリコンウェーハ２２
と膜２０と単結晶シリコン層２３とを有する構造体３４
を単結晶シリコン層２３がガラス基板１０の溝部１１に
対向するようにガラススペーサ層１３を介してガラス基
板１０に接合する工程と、第２シリコンウェーハ２２を
膜２０をエッチストップ層としてエッチング除去する工
程と、膜２０をエッチング除去して単結晶シリコン層２
３を露出させた後、単結晶シリコン層２３を選択的にエ
ッチング除去することにより、ガラス基板１０上に接合
した単結晶シリコンからなる一対の固定電極２７，２８
と固定電極２７，２８に挟まれかつガラス基板１０の上
方に浮動する単結晶シリコンからなる可動電極２６とを
有する半導体慣性センサ３０を得る工程とを含む半導体
慣性センサの製造方法である。
【００１２】請求項５に係る発明は、図８に示すよう
に、ガラス基板１０上の所定の部分にガラススペーサ層
１３を設けることにより溝部１１を形成する工程と、ガ
ラス基板１０の溝部１１の底面に検出電極１２を形成す
る工程と、第１シリコンウェーハ２１の両面にシリコン
を浸食せずにエッチング可能な膜２０を形成する工程
と、第２シリコンウェーハ２２を第１シリコンウエーハ
２１の片面に膜２０を介して貼り合わせる工程と、第１
シリコンウェーハ２１の別の片面を所定の厚さに研磨し
て単結晶シリコン層２３を形成する工程と、第２シリコ
ンウェーハ２２と膜２０と単結晶シリコン層２３とを有
する構造体３４を単結晶シリコン層２３が検出電極１２
に対向するようにガラススペーサ層１３を介してガラス
基板１０に接合する工程と、第２シリコンウェーハ２２
を膜２０をエッチストップ層としてエッチング除去する
工程と、膜２０をエッチング除去して単結晶シリコン層
２３を露出させた後、単結晶シリコン層２３を選択的に
エッチング除去することにより、ガラス基板１０上に検
出電極１２に対向して浮動する単結晶シリコンからなる
可動電極２６を有する半導体慣性センサ４０を得る工程
とを含む半導体慣性センサの製造方法である。
に、ガラス基板１０上の所定の部分にガラススペーサ層
１３を設けることにより溝部１１を形成する工程と、ガ
ラス基板１０の溝部１１の底面に検出電極１２を形成す
る工程と、第１シリコンウェーハ２１の両面にシリコン
を浸食せずにエッチング可能な膜２０を形成する工程
と、第２シリコンウェーハ２２を第１シリコンウエーハ
２１の片面に膜２０を介して貼り合わせる工程と、第１
シリコンウェーハ２１の別の片面を所定の厚さに研磨し
て単結晶シリコン層２３を形成する工程と、第２シリコ
ンウェーハ２２と膜２０と単結晶シリコン層２３とを有
する構造体３４を単結晶シリコン層２３が検出電極１２
に対向するようにガラススペーサ層１３を介してガラス
基板１０に接合する工程と、第２シリコンウェーハ２２
を膜２０をエッチストップ層としてエッチング除去する
工程と、膜２０をエッチング除去して単結晶シリコン層
２３を露出させた後、単結晶シリコン層２３を選択的に
エッチング除去することにより、ガラス基板１０上に検
出電極１２に対向して浮動する単結晶シリコンからなる
可動電極２６を有する半導体慣性センサ４０を得る工程
とを含む半導体慣性センサの製造方法である。
【００１３】請求項６に係る発明は、図９に示すよう
に、ガラス基板１０上の所定の部分にガラススペーサ層
１３を設けることにより溝部１１を形成する工程と、ガ
ラス基板１０の溝部１１の底面に検出電極１２を形成す
る工程と、第１シリコンウェーハ２１の両面にシリコン
を浸食せずにエッチング可能な膜２０を形成する工程
と、第２シリコンウェーハ２２を第１シリコンウエーハ
２１の片面に膜２０を介して貼り合わせる工程と、第１
シリコンウェーハ２１の別の片面を所定の厚さに研磨し
て単結晶シリコン層２３を形成する工程と、第２シリコ
ンウェーハ２２と膜２０と単結晶シリコン層２３とを有
する構造体３４を単結晶シリコン層２３が検出電極１２
に対向するようにガラススペーサ層１３を介してガラス
基板１０に接合する工程と、第２シリコンウェーハ２２
を膜２０をエッチストップ層としてエッチング除去する
工程と、膜２０をエッチング除去して単結晶シリコン層
２３を露出させた後、単結晶シリコン層２３を選択的に
エッチング除去することにより、ガラス基板１０上に接
合した単結晶シリコンからなる一対の固定電極２７，２
８と固定電極２７，２８に挟まれかつ検出電極１２に対
向して浮動する単結晶シリコンからなる可動電極２６と
を有する半導体慣性センサ５０を得る工程とを含む半導
体慣性センサの製造方法である。
に、ガラス基板１０上の所定の部分にガラススペーサ層
１３を設けることにより溝部１１を形成する工程と、ガ
ラス基板１０の溝部１１の底面に検出電極１２を形成す
る工程と、第１シリコンウェーハ２１の両面にシリコン
を浸食せずにエッチング可能な膜２０を形成する工程
と、第２シリコンウェーハ２２を第１シリコンウエーハ
２１の片面に膜２０を介して貼り合わせる工程と、第１
シリコンウェーハ２１の別の片面を所定の厚さに研磨し
て単結晶シリコン層２３を形成する工程と、第２シリコ
ンウェーハ２２と膜２０と単結晶シリコン層２３とを有
する構造体３４を単結晶シリコン層２３が検出電極１２
に対向するようにガラススペーサ層１３を介してガラス
基板１０に接合する工程と、第２シリコンウェーハ２２
を膜２０をエッチストップ層としてエッチング除去する
工程と、膜２０をエッチング除去して単結晶シリコン層
２３を露出させた後、単結晶シリコン層２３を選択的に
エッチング除去することにより、ガラス基板１０上に接
合した単結晶シリコンからなる一対の固定電極２７，２
８と固定電極２７，２８に挟まれかつ検出電極１２に対
向して浮動する単結晶シリコンからなる可動電極２６と
を有する半導体慣性センサ５０を得る工程とを含む半導
体慣性センサの製造方法である。
【００１４】この請求項１ないし６に係る製造方法で
は、ウェーハのレーザ加工が不要で大量生産に適するた
め、低コストで半導体慣性センサを製造できる。また構
造体２４，３４の構成部材は第２シリコンウエーハ２２
とこれに貼り合わせた第１シリコンウエーハ２１を所定
の厚さに研磨した単結晶シリコン層２３から構成される
ため、構造体の厚さを自由に選択できる。従って、構造
体２４，３４をガラス基板１０に接合する際のハンドリ
ングを容易に実行できるとともに可動電極２６等の厚さ
を自由に設定できる。また基板にガラス基板を用いるの
で、得られる半導体慣性センサは寄生容量が低い。更に
電極間のギャップはエッチング時間での制御ではなくガ
ラススペーサ層１３の厚さで規定されるので、寸法精度
に優れる。このため高精度な半導体慣性センサが作られ
る。
は、ウェーハのレーザ加工が不要で大量生産に適するた
め、低コストで半導体慣性センサを製造できる。また構
造体２４，３４の構成部材は第２シリコンウエーハ２２
とこれに貼り合わせた第１シリコンウエーハ２１を所定
の厚さに研磨した単結晶シリコン層２３から構成される
ため、構造体の厚さを自由に選択できる。従って、構造
体２４，３４をガラス基板１０に接合する際のハンドリ
ングを容易に実行できるとともに可動電極２６等の厚さ
を自由に設定できる。また基板にガラス基板を用いるの
で、得られる半導体慣性センサは寄生容量が低い。更に
電極間のギャップはエッチング時間での制御ではなくガ
ラススペーサ層１３の厚さで規定されるので、寸法精度
に優れる。このため高精度な半導体慣性センサが作られ
る。
【００１５】なお、本明細書で、「シリコンを浸食せず
にエッチング可能な膜」とは、当該膜をエッチング除去
する際にシリコンが浸食されないエッチャントを選ぶこ
とができる膜であることを意味する。このような性質の
膜としては酸化膜や窒化膜等が挙げられる。本発明にお
いて、第２シリコンウェーハ２２の結晶方位は、エッチ
ング速度を考慮した場合、（１１０）方位のものが好ま
しく使用される。
にエッチング可能な膜」とは、当該膜をエッチング除去
する際にシリコンが浸食されないエッチャントを選ぶこ
とができる膜であることを意味する。このような性質の
膜としては酸化膜や窒化膜等が挙げられる。本発明にお
いて、第２シリコンウェーハ２２の結晶方位は、エッチ
ング速度を考慮した場合、（１１０）方位のものが好ま
しく使用される。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面に基づ
いて詳しく説明する。図１及び図２に示すように、本発
明の第１実施形態の半導体慣性センサ３０は加速度セン
サであって、ガラス基板１０上にガラススペーサ層１３
を介して固着された固定電極２７及び２８の間に可動電
極２６を有する。可動電極２６、固定電極２７及び２８
は、それぞれ単結晶シリコンからなり、電極２６と電極
２７及び電極２６と電極２８の互いに対向する部分が櫛
状に形成される。可動電極２６は、ビーム３１，３１に
よりその両端が支持され、ガラス基板１０に対して浮動
になっている。ビーム３１の基端部３１ａはガラス基板
１０上にガラススペーサ層１３を介して固着される。図
示しないが、ビーム基端部３１ａ、固定電極２７及び２
８には個別に電気配線がなされる。この半導体慣性セン
サ３０では、可動電極２６に対して、図の矢印で示すよ
うにビーム基端部３１ａと３１ａを結ぶ線に直交する水
平方向の加速度が作用すると、可動電極２６はビーム３
１，３１を支軸として振動する。可動電極２６と固定電
極２７及び２８の間の間隔が広がったり、狭まったりす
ると、可動電極２６と固定電極２７及び２８の間の静電
容量が変化する。この静電容量の変化から作用した加速
度が求められる。
いて詳しく説明する。図１及び図２に示すように、本発
明の第１実施形態の半導体慣性センサ３０は加速度セン
サであって、ガラス基板１０上にガラススペーサ層１３
を介して固着された固定電極２７及び２８の間に可動電
極２６を有する。可動電極２６、固定電極２７及び２８
は、それぞれ単結晶シリコンからなり、電極２６と電極
２７及び電極２６と電極２８の互いに対向する部分が櫛
状に形成される。可動電極２６は、ビーム３１，３１に
よりその両端が支持され、ガラス基板１０に対して浮動
になっている。ビーム３１の基端部３１ａはガラス基板
１０上にガラススペーサ層１３を介して固着される。図
示しないが、ビーム基端部３１ａ、固定電極２７及び２
８には個別に電気配線がなされる。この半導体慣性セン
サ３０では、可動電極２６に対して、図の矢印で示すよ
うにビーム基端部３１ａと３１ａを結ぶ線に直交する水
平方向の加速度が作用すると、可動電極２６はビーム３
１，３１を支軸として振動する。可動電極２６と固定電
極２７及び２８の間の間隔が広がったり、狭まったりす
ると、可動電極２６と固定電極２７及び２８の間の静電
容量が変化する。この静電容量の変化から作用した加速
度が求められる。
【００１７】次に、本発明の第１実施形態の半導体慣性
センサ３０の製造方法について述べる。図１に示すよう
に、ガラス基板１０上にガラススパッタリング及びパタ
ーニングによりガラススペーサ層１３を設ける。これに
よりガラス基板１０上には溝部１１が形成される。一
方、第１シリコンウェーハ２１の両面にシリコンを浸食
せずにエッチング可能な膜２０を形成する。この膜２０
としては、第１シリコンウェーハ２１を熱酸化すること
により形成される酸化膜の他、化学気相成長（ＣＶＤ）
法でＳｉＨ2Ｃｌ2又はＳｉＨ4とＮＨ3ガスを用いて形成
される窒化シリコン膜などが挙げられる。両面に酸化膜
２０を形成した後、第２シリコンウェーハ２２を第１シ
リコンウエーハ２１に酸化膜２０を介して貼り合わせ
る。第２シリコンウエーハ２２が貼り合わされていない
側の第１シリコンウェーハ２１の表面をその上に形成さ
れている酸化膜２０と共に砥石及び研磨布を用いて所定
の厚さに研削研磨して単結晶シリコン層２３を形成す
る。単結晶シリコン層２３の表面にスパッタリング及び
パターニングによりＡｌ層２５を選択的に形成した後、
ＳＦ6ガスによる低温での異方性ドライエッチングを行
う。これにより酸化膜２０をエッチストップ層として単
結晶シリコン層２３が選択的にエッチングされ、その結
果、酸化膜２０上に単結晶シリコンからなる可動電極２
６が形成され、この可動電極２６の両側に僅かに間隙を
あけて単結晶シリコンからなる一対の固定電極２７，２
８が形成される。Ａｌ膜２５を除去した後、第２シリコ
ンウエーハ２２と酸化膜２０と可動電極２６と一対の固
定電極２７，２８とを有する構造体２４を可動電極２６
がガラス基板１０の溝部１１に対向するようにガラスス
ペーサ層１３を介してガラス基板１０に陽極接合する。
続いて、ＫＯＨなどのエッチャントにより第２シリコン
ウエーハ２２を酸化膜２０をエッチストップ層としてエ
ッチング除去する。次いでフッ酸などのエッチャントに
よるウエットエッチング又はＣＦ4などのエッチャント
によるドライエッチングを行って、酸化膜２０をエッチ
ング除去する。これにより単結晶シリコンからなる可動
電極２６が単結晶シリコンからなる一対の固定電極２
７，２８に挟まれて溝部１１の上方に浮動に形成された
半導体慣性センサ３０が得られる。
センサ３０の製造方法について述べる。図１に示すよう
に、ガラス基板１０上にガラススパッタリング及びパタ
ーニングによりガラススペーサ層１３を設ける。これに
よりガラス基板１０上には溝部１１が形成される。一
方、第１シリコンウェーハ２１の両面にシリコンを浸食
せずにエッチング可能な膜２０を形成する。この膜２０
としては、第１シリコンウェーハ２１を熱酸化すること
により形成される酸化膜の他、化学気相成長（ＣＶＤ）
法でＳｉＨ2Ｃｌ2又はＳｉＨ4とＮＨ3ガスを用いて形成
される窒化シリコン膜などが挙げられる。両面に酸化膜
２０を形成した後、第２シリコンウェーハ２２を第１シ
リコンウエーハ２１に酸化膜２０を介して貼り合わせ
る。第２シリコンウエーハ２２が貼り合わされていない
側の第１シリコンウェーハ２１の表面をその上に形成さ
れている酸化膜２０と共に砥石及び研磨布を用いて所定
の厚さに研削研磨して単結晶シリコン層２３を形成す
る。単結晶シリコン層２３の表面にスパッタリング及び
パターニングによりＡｌ層２５を選択的に形成した後、
ＳＦ6ガスによる低温での異方性ドライエッチングを行
う。これにより酸化膜２０をエッチストップ層として単
結晶シリコン層２３が選択的にエッチングされ、その結
果、酸化膜２０上に単結晶シリコンからなる可動電極２
６が形成され、この可動電極２６の両側に僅かに間隙を
あけて単結晶シリコンからなる一対の固定電極２７，２
８が形成される。Ａｌ膜２５を除去した後、第２シリコ
ンウエーハ２２と酸化膜２０と可動電極２６と一対の固
定電極２７，２８とを有する構造体２４を可動電極２６
がガラス基板１０の溝部１１に対向するようにガラスス
ペーサ層１３を介してガラス基板１０に陽極接合する。
続いて、ＫＯＨなどのエッチャントにより第２シリコン
ウエーハ２２を酸化膜２０をエッチストップ層としてエ
ッチング除去する。次いでフッ酸などのエッチャントに
よるウエットエッチング又はＣＦ4などのエッチャント
によるドライエッチングを行って、酸化膜２０をエッチ
ング除去する。これにより単結晶シリコンからなる可動
電極２６が単結晶シリコンからなる一対の固定電極２
７，２８に挟まれて溝部１１の上方に浮動に形成された
半導体慣性センサ３０が得られる。
【００１８】図３及び図４は第２実施形態の半導体慣性
センサ４０を示す。この半導体慣性センサ４０は加速度
センサであって、ガラス基板１０上にガラススペーサ層
１３を介して固着された枠体２９の間に可動電極２６を
有する。可動電極２６、枠体２９は、それぞれ単結晶シ
リコンからなり、電極２６は窓枠状の枠体２９に間隔を
あけて収容される。可動電極２６は、ビーム３１，３１
によりその両端が支持され、ガラス基板１０に対して浮
動になっている。ビーム３１の基端部３１ａは枠体２９
の凹み２９ａに位置しかつガラス基板１０上にガラスス
ペーサ層１３を介して固着される。ガラス基板１０上に
はガラススペーサ層１３の厚さより小さい厚さの検出電
極１２が形成される。図示しないが、ビーム基端部３１
ａ及び検出電極１２には個別に電気配線がなされる。こ
の半導体慣性センサ４０では、可動電極２６に対して、
図の矢印で示すようにビーム基端部３１ａと３１ａを結
ぶ線に直交する鉛直方向の加速度が作用すると、可動電
極２６はビーム３１，３１を支軸として振動する。可動
電極２６と検出電極１２の間の間隔が広がったり、狭ま
ったりすると、可動電極２６と検出電極１２の間の静電
容量が変化する。この静電容量の変化から作用した加速
度が求められる。
センサ４０を示す。この半導体慣性センサ４０は加速度
センサであって、ガラス基板１０上にガラススペーサ層
１３を介して固着された枠体２９の間に可動電極２６を
有する。可動電極２６、枠体２９は、それぞれ単結晶シ
リコンからなり、電極２６は窓枠状の枠体２９に間隔を
あけて収容される。可動電極２６は、ビーム３１，３１
によりその両端が支持され、ガラス基板１０に対して浮
動になっている。ビーム３１の基端部３１ａは枠体２９
の凹み２９ａに位置しかつガラス基板１０上にガラスス
ペーサ層１３を介して固着される。ガラス基板１０上に
はガラススペーサ層１３の厚さより小さい厚さの検出電
極１２が形成される。図示しないが、ビーム基端部３１
ａ及び検出電極１２には個別に電気配線がなされる。こ
の半導体慣性センサ４０では、可動電極２６に対して、
図の矢印で示すようにビーム基端部３１ａと３１ａを結
ぶ線に直交する鉛直方向の加速度が作用すると、可動電
極２６はビーム３１，３１を支軸として振動する。可動
電極２６と検出電極１２の間の間隔が広がったり、狭ま
ったりすると、可動電極２６と検出電極１２の間の静電
容量が変化する。この静電容量の変化から作用した加速
度が求められる。
【００１９】次に、本発明の第２実施形態の半導体慣性
センサ４０の製造方法について述べる。図４に示すよう
に、先ずガラス基板１０上にガラススパッタリング及び
パターニングによりガラススペーサ層１３を設ける。こ
れによりガラス基板１０上には溝部１１が形成される。
溝部１１の底面にスパッタリング、真空蒸着などにより
Ａｕ，Ｐｔ，Ｃｕなどから選ばれた金属の薄膜からなる
検出電極１２を形成する。一方、第１実施形態の製造方
法と同様に行い、第１シリコンウェーハ２１の両面に酸
化膜２０を形成する。両面に酸化膜２０を形成した後、
第２シリコンウェーハ２２を第１シリコンウエーハ２１
に酸化膜２０を介して貼り合わせる。第２シリコンウエ
ーハ２２が貼り合わされていない側の第１シリコンウェ
ーハ２１の表面をその上に形成されている酸化膜２０と
共に砥石及び研磨布を用いて所定の厚さに研削研磨して
単結晶シリコン層２３を形成する。単結晶シリコン層２
３の表面にスパッタリング及びパターニングによりＡｌ
層２５を選択的に形成した後、ＳＦ6ガスによる低温で
の異方性ドライエッチングを行う。これにより酸化膜２
０をエッチストップ層として単結晶シリコン層２３が選
択的にエッチングされ、その結果、酸化膜２０上に単結
晶シリコンからなる可動電極２６が形成され、この可動
電極２６の両側に僅かに間隙をあけて単結晶シリコンか
らなる一対の枠体２９，２９が形成される。Ａｌ膜２５
を除去した後、第２シリコンウエーハ２２と酸化膜２０
と可動電極２６と一対の枠体２９，２９とを有する構造
体２４を可動電極２６がガラス基板１０の溝部１１内の
検出電極１２に対向するようにガラススペーサ層１３を
介してガラス基板１０に陽極接合する。続いて、ＫＯＨ
などのエッチャントにより第２シリコンウエーハ２２を
酸化膜２０をエッチストップ層としてエッチング除去す
る。次いでフッ酸などのエッチャントによるウエットエ
ッチング又はＣＦ4などのエッチャントによるドライエ
ッチングを行って、酸化膜２０をエッチング除去する。
これにより単結晶シリコンからなる可動電極２６が単結
晶シリコンからなる枠体２９，２９に挟まれて検出電極
１２の上方に浮動に形成された半導体慣性センサ４０が
得られる。
センサ４０の製造方法について述べる。図４に示すよう
に、先ずガラス基板１０上にガラススパッタリング及び
パターニングによりガラススペーサ層１３を設ける。こ
れによりガラス基板１０上には溝部１１が形成される。
溝部１１の底面にスパッタリング、真空蒸着などにより
Ａｕ，Ｐｔ，Ｃｕなどから選ばれた金属の薄膜からなる
検出電極１２を形成する。一方、第１実施形態の製造方
法と同様に行い、第１シリコンウェーハ２１の両面に酸
化膜２０を形成する。両面に酸化膜２０を形成した後、
第２シリコンウェーハ２２を第１シリコンウエーハ２１
に酸化膜２０を介して貼り合わせる。第２シリコンウエ
ーハ２２が貼り合わされていない側の第１シリコンウェ
ーハ２１の表面をその上に形成されている酸化膜２０と
共に砥石及び研磨布を用いて所定の厚さに研削研磨して
単結晶シリコン層２３を形成する。単結晶シリコン層２
３の表面にスパッタリング及びパターニングによりＡｌ
層２５を選択的に形成した後、ＳＦ6ガスによる低温で
の異方性ドライエッチングを行う。これにより酸化膜２
０をエッチストップ層として単結晶シリコン層２３が選
択的にエッチングされ、その結果、酸化膜２０上に単結
晶シリコンからなる可動電極２６が形成され、この可動
電極２６の両側に僅かに間隙をあけて単結晶シリコンか
らなる一対の枠体２９，２９が形成される。Ａｌ膜２５
を除去した後、第２シリコンウエーハ２２と酸化膜２０
と可動電極２６と一対の枠体２９，２９とを有する構造
体２４を可動電極２６がガラス基板１０の溝部１１内の
検出電極１２に対向するようにガラススペーサ層１３を
介してガラス基板１０に陽極接合する。続いて、ＫＯＨ
などのエッチャントにより第２シリコンウエーハ２２を
酸化膜２０をエッチストップ層としてエッチング除去す
る。次いでフッ酸などのエッチャントによるウエットエ
ッチング又はＣＦ4などのエッチャントによるドライエ
ッチングを行って、酸化膜２０をエッチング除去する。
これにより単結晶シリコンからなる可動電極２６が単結
晶シリコンからなる枠体２９，２９に挟まれて検出電極
１２の上方に浮動に形成された半導体慣性センサ４０が
得られる。
【００２０】図５及び図６は第３実施形態の半導体慣性
センサ５０を示す。この半導体慣性センサ５０は角速度
センサであって、ガラス基板１０上にガラススペーサ層
１３を介して固着された固定電極２７及び２８の間に音
叉構造の一対の可動電極２６，２６を有する。可動電極
２６、固定電極２７及び２８は、それぞれ単結晶シリコ
ンからなり、電極２６と電極２７及び電極２６と電極２
８の互いに対向する部分が櫛状に形成される。可動電極
２６，２６は、コ字状のビーム３１，３１によりその両
端が支持され、ガラス基板１０に対して浮動になってい
る。ビーム３１の基端部３１ａはガラス基板１０上にガ
ラススペーサ層１３を介して固着される。ガラス基板１
０上にはガラススペーサ層１３の厚さより小さい厚さの
検出電極１２が形成される。図示しないが、ビーム基端
部３１ａ、固定電極２７及び２８、検出電極１２には個
別に電気配線がなされ、固定電極２７及び２８に交流電
圧を印加し、静電力により可動電極を励振するようにな
っている。この半導体慣性センサ５０では、可動電極２
６，２６に対してビーム基端部３１ａと３１ａを結ぶ線
を中心として角速度が作用すると、可動電極２６，２６
にコリオリ力が生じてこの中心線の回りに捩り振動を起
こして共振する。この共振時の可動電極２６と検出電極
１２との間の静電容量の変化により作用した角速度が検
出される。
センサ５０を示す。この半導体慣性センサ５０は角速度
センサであって、ガラス基板１０上にガラススペーサ層
１３を介して固着された固定電極２７及び２８の間に音
叉構造の一対の可動電極２６，２６を有する。可動電極
２６、固定電極２７及び２８は、それぞれ単結晶シリコ
ンからなり、電極２６と電極２７及び電極２６と電極２
８の互いに対向する部分が櫛状に形成される。可動電極
２６，２６は、コ字状のビーム３１，３１によりその両
端が支持され、ガラス基板１０に対して浮動になってい
る。ビーム３１の基端部３１ａはガラス基板１０上にガ
ラススペーサ層１３を介して固着される。ガラス基板１
０上にはガラススペーサ層１３の厚さより小さい厚さの
検出電極１２が形成される。図示しないが、ビーム基端
部３１ａ、固定電極２７及び２８、検出電極１２には個
別に電気配線がなされ、固定電極２７及び２８に交流電
圧を印加し、静電力により可動電極を励振するようにな
っている。この半導体慣性センサ５０では、可動電極２
６，２６に対してビーム基端部３１ａと３１ａを結ぶ線
を中心として角速度が作用すると、可動電極２６，２６
にコリオリ力が生じてこの中心線の回りに捩り振動を起
こして共振する。この共振時の可動電極２６と検出電極
１２との間の静電容量の変化により作用した角速度が検
出される。
【００２１】次に、本発明の第３実施形態の半導体慣性
センサ５０の製造方法について述べる。図５に示すよう
に、先ず第２実施形態と同様にガラス基板１０上にガラ
ススパッタリング及びパターニングによりガラススペー
サ層１３を設ける。これによりガラス基板１０上には溝
部１１が形成される。溝部１１の底面にスパッタリン
グ、真空蒸着などによりＡｕ，Ｐｔ，Ｃｕなどから選ば
れた金属の薄膜からなる検出電極１２を形成する。一
方、第１実施形態の製造方法と同様に行い、第１シリコ
ンウェーハ２１の両面に酸化膜２０を形成する。両面に
酸化膜２０を形成した後、第２シリコンウェーハ２２を
第１シリコンウエーハ２１に酸化膜２０を介して貼り合
わせる。第２シリコンウエーハ２２が貼り合わされてい
ない側の第１シリコンウェーハ２１の表面をその上に形
成されている酸化膜２０と共に砥石及び研磨布を用いて
所定の厚さに研削研磨して単結晶シリコン層２３を形成
する。単結晶シリコン層２３の表面にスパッタリング及
びパターニングによりＡｌ層２５を選択的に形成した
後、ＳＦ6ガスによる低温での異方性ドライエッチング
を行う。これにより酸化膜２０をエッチストップ層とし
て単結晶シリコン層２３が選択的にエッチングされ、そ
の結果、酸化膜２０上に単結晶シリコンからなる可動電
極２６が形成され、この可動電極２６の両側に僅かに間
隙をあけて単結晶シリコンからなる一対の固定電極２
７，２８が形成される。Ａｌ膜２５を除去した後、第２
シリコンウエーハ２２と酸化膜２０と可動電極２６と一
対の固定電極２７，２８とを有する構造体２４を可動電
極２６がガラス基板１０の溝部１１内の検出電極１２に
対向するようにガラススペーサ層１３を介してガラス基
板１０に陽極接合する。続いて、ＫＯＨなどのエッチャ
ントにより第２シリコンウエーハ２２を酸化膜２０をエ
ッチストップ層としてエッチング除去する。次いでフッ
酸などのエッチャントによるウエットエッチング又はＣ
Ｆ4などのエッチャントによるドライエッチングを行っ
て、酸化膜２０をエッチング除去する。これにより単結
晶シリコンからなる可動電極２６が単結晶シリコンから
なる一対の固定電極２７，２８に挟まれて検出電極１２
の上方に浮動に形成された半導体慣性センサ５０が得ら
れる。
センサ５０の製造方法について述べる。図５に示すよう
に、先ず第２実施形態と同様にガラス基板１０上にガラ
ススパッタリング及びパターニングによりガラススペー
サ層１３を設ける。これによりガラス基板１０上には溝
部１１が形成される。溝部１１の底面にスパッタリン
グ、真空蒸着などによりＡｕ，Ｐｔ，Ｃｕなどから選ば
れた金属の薄膜からなる検出電極１２を形成する。一
方、第１実施形態の製造方法と同様に行い、第１シリコ
ンウェーハ２１の両面に酸化膜２０を形成する。両面に
酸化膜２０を形成した後、第２シリコンウェーハ２２を
第１シリコンウエーハ２１に酸化膜２０を介して貼り合
わせる。第２シリコンウエーハ２２が貼り合わされてい
ない側の第１シリコンウェーハ２１の表面をその上に形
成されている酸化膜２０と共に砥石及び研磨布を用いて
所定の厚さに研削研磨して単結晶シリコン層２３を形成
する。単結晶シリコン層２３の表面にスパッタリング及
びパターニングによりＡｌ層２５を選択的に形成した
後、ＳＦ6ガスによる低温での異方性ドライエッチング
を行う。これにより酸化膜２０をエッチストップ層とし
て単結晶シリコン層２３が選択的にエッチングされ、そ
の結果、酸化膜２０上に単結晶シリコンからなる可動電
極２６が形成され、この可動電極２６の両側に僅かに間
隙をあけて単結晶シリコンからなる一対の固定電極２
７，２８が形成される。Ａｌ膜２５を除去した後、第２
シリコンウエーハ２２と酸化膜２０と可動電極２６と一
対の固定電極２７，２８とを有する構造体２４を可動電
極２６がガラス基板１０の溝部１１内の検出電極１２に
対向するようにガラススペーサ層１３を介してガラス基
板１０に陽極接合する。続いて、ＫＯＨなどのエッチャ
ントにより第２シリコンウエーハ２２を酸化膜２０をエ
ッチストップ層としてエッチング除去する。次いでフッ
酸などのエッチャントによるウエットエッチング又はＣ
Ｆ4などのエッチャントによるドライエッチングを行っ
て、酸化膜２０をエッチング除去する。これにより単結
晶シリコンからなる可動電極２６が単結晶シリコンから
なる一対の固定電極２７，２８に挟まれて検出電極１２
の上方に浮動に形成された半導体慣性センサ５０が得ら
れる。
【００２２】図７は第１実施形態の半導体慣性センサ３
０の別の製造方法を示す。第１実施形態のセンサ３０の
製法との相違点は、単結晶シリコン層２３を形成する工
程までは第１実施形態の製法と同じであり、それ以後の
工程で相違する。即ち、第２シリコンウエーハ２２と酸
化膜２０と単結晶シリコン層２３とを有する構造体３４
を単結晶シリコン層２３がガラス基板１０の溝部１１に
対向するようにガラススペーサ層１３を介してガラス基
板１０に陽極接合する。続いて、ＫＯＨなどのエッチャ
ントにより第２シリコンウエーハ２２を酸化膜２０をエ
ッチストップ層としてエッチング除去する。次いでフッ
酸などのエッチャントによるウエットエッチング又はＣ
Ｆ4などのエッチャントによるドライエッチングを行っ
て、酸化膜２０をエッチング除去し、これにより単結晶
シリコン層２３を露出させる。露出した単結晶シリコン
層２３の表面にスパッタリング及びパターニングにより
Ａｌ層２５を選択的に形成した後、ＳＦ6ガスによる低
温での異方性ドライエッチングを行う。その結果、単結
晶シリコン層２３が選択的にエッチング除去される。最
後にＡｌ層２５を除去する。これにより単結晶シリコン
からなる可動電極２６が単結晶シリコンからなる一対の
固定電極２７，２８に挟まれて溝部１１の上方に浮動に
形成された半導体慣性センサ３０が得られる。
０の別の製造方法を示す。第１実施形態のセンサ３０の
製法との相違点は、単結晶シリコン層２３を形成する工
程までは第１実施形態の製法と同じであり、それ以後の
工程で相違する。即ち、第２シリコンウエーハ２２と酸
化膜２０と単結晶シリコン層２３とを有する構造体３４
を単結晶シリコン層２３がガラス基板１０の溝部１１に
対向するようにガラススペーサ層１３を介してガラス基
板１０に陽極接合する。続いて、ＫＯＨなどのエッチャ
ントにより第２シリコンウエーハ２２を酸化膜２０をエ
ッチストップ層としてエッチング除去する。次いでフッ
酸などのエッチャントによるウエットエッチング又はＣ
Ｆ4などのエッチャントによるドライエッチングを行っ
て、酸化膜２０をエッチング除去し、これにより単結晶
シリコン層２３を露出させる。露出した単結晶シリコン
層２３の表面にスパッタリング及びパターニングにより
Ａｌ層２５を選択的に形成した後、ＳＦ6ガスによる低
温での異方性ドライエッチングを行う。その結果、単結
晶シリコン層２３が選択的にエッチング除去される。最
後にＡｌ層２５を除去する。これにより単結晶シリコン
からなる可動電極２６が単結晶シリコンからなる一対の
固定電極２７，２８に挟まれて溝部１１の上方に浮動に
形成された半導体慣性センサ３０が得られる。
【００２３】図８は第２実施形態の半導体慣性センサ４
０の別の製造方法を示す。第２実施形態のセンサ４０の
製法との相違点は、単結晶シリコン層２３を形成する工
程までは第２実施形態の製法と同じであり、それ以後の
工程で相違する。即ち、第２シリコンウエーハ２２と酸
化膜２０と単結晶シリコン層２３とを有する構造体３４
を単結晶シリコン層２３が検出電極１２に対向するよう
にガラススペーサ層１３を介してガラス基板１０に陽極
接合する。続いて、ＫＯＨなどのエッチャントにより第
２シリコンウエーハ２２を酸化膜２０をエッチストップ
層としてエッチング除去する。次いでフッ酸などのエッ
チャントによるウエットエッチング又はＣＦ4などのエ
ッチャントによるドライエッチングを行って、酸化膜２
０をエッチング除去し、これにより単結晶シリコン層２
３を露出させる。露出した単結晶シリコン層２３の表面
にスパッタリング及びパターニングによりＡｌ層２５を
選択的に形成した後、ＳＦ6ガスによる低温での異方性
ドライエッチングを行う。その結果、単結晶シリコン層
２３が選択的にエッチング除去される。最後にＡｌ層２
５を除去する。これにより単結晶シリコンからなる可動
電極２６が単結晶シリコンからなる枠体２９，２９に挟
まれて検出電極１２の上方に浮動に形成された半導体慣
性センサ４０が得られる。
０の別の製造方法を示す。第２実施形態のセンサ４０の
製法との相違点は、単結晶シリコン層２３を形成する工
程までは第２実施形態の製法と同じであり、それ以後の
工程で相違する。即ち、第２シリコンウエーハ２２と酸
化膜２０と単結晶シリコン層２３とを有する構造体３４
を単結晶シリコン層２３が検出電極１２に対向するよう
にガラススペーサ層１３を介してガラス基板１０に陽極
接合する。続いて、ＫＯＨなどのエッチャントにより第
２シリコンウエーハ２２を酸化膜２０をエッチストップ
層としてエッチング除去する。次いでフッ酸などのエッ
チャントによるウエットエッチング又はＣＦ4などのエ
ッチャントによるドライエッチングを行って、酸化膜２
０をエッチング除去し、これにより単結晶シリコン層２
３を露出させる。露出した単結晶シリコン層２３の表面
にスパッタリング及びパターニングによりＡｌ層２５を
選択的に形成した後、ＳＦ6ガスによる低温での異方性
ドライエッチングを行う。その結果、単結晶シリコン層
２３が選択的にエッチング除去される。最後にＡｌ層２
５を除去する。これにより単結晶シリコンからなる可動
電極２６が単結晶シリコンからなる枠体２９，２９に挟
まれて検出電極１２の上方に浮動に形成された半導体慣
性センサ４０が得られる。
【００２４】図９は第３実施形態の半導体慣性センサ５
０の別の製造方法を示す。第３実施形態のセンサ５０の
製法との相違点は、単結晶シリコン層２３を形成する工
程までは第３実施形態の製法と同じであり、それ以後の
工程で相違する。即ち、第２シリコンウエーハ２２と酸
化膜２０と単結晶シリコン層２３とを有する構造体３４
を単結晶シリコン層２３が検出電極１２に対向するよう
にガラススペーサ層１３を介してガラス基板１０に陽極
接合する。続いて、ＫＯＨなどのエッチャントにより第
２シリコンウエーハ２２を酸化膜２０をエッチストップ
層としてエッチング除去する。次いでフッ酸などのエッ
チャントによるウエットエッチング又はＣＦ4などのエ
ッチャントによるドライエッチングを行って、酸化膜２
０をエッチング除去し、これにより単結晶シリコン層２
３を露出させる。露出した単結晶シリコン層２３の表面
にスパッタリング及びパターニングによりＡｌ層２５を
選択的に形成した後、ＳＦ6ガスによる低温での異方性
ドライエッチングを行う。その結果、単結晶シリコン層
２３が選択的にエッチング除去される。最後にＡｌ層２
５を除去する。これにより単結晶シリコンからなる可動
電極２６が単結晶シリコンからなる一対の固定電極２
７，２８に挟まれて検出電極１２の上方に浮動に形成さ
れた半導体慣性センサ５０が得られる。
０の別の製造方法を示す。第３実施形態のセンサ５０の
製法との相違点は、単結晶シリコン層２３を形成する工
程までは第３実施形態の製法と同じであり、それ以後の
工程で相違する。即ち、第２シリコンウエーハ２２と酸
化膜２０と単結晶シリコン層２３とを有する構造体３４
を単結晶シリコン層２３が検出電極１２に対向するよう
にガラススペーサ層１３を介してガラス基板１０に陽極
接合する。続いて、ＫＯＨなどのエッチャントにより第
２シリコンウエーハ２２を酸化膜２０をエッチストップ
層としてエッチング除去する。次いでフッ酸などのエッ
チャントによるウエットエッチング又はＣＦ4などのエ
ッチャントによるドライエッチングを行って、酸化膜２
０をエッチング除去し、これにより単結晶シリコン層２
３を露出させる。露出した単結晶シリコン層２３の表面
にスパッタリング及びパターニングによりＡｌ層２５を
選択的に形成した後、ＳＦ6ガスによる低温での異方性
ドライエッチングを行う。その結果、単結晶シリコン層
２３が選択的にエッチング除去される。最後にＡｌ層２
５を除去する。これにより単結晶シリコンからなる可動
電極２６が単結晶シリコンからなる一対の固定電極２
７，２８に挟まれて検出電極１２の上方に浮動に形成さ
れた半導体慣性センサ５０が得られる。
【００２５】
【発明の効果】以上述べたように、従来のウェーハのレ
ーザ加工による半導体慣性センサの製法と異なり、本発
明によればウェーハのレーザ加工が不要となり、大量生
産に適した低コストの半導体慣性センサを製作すること
ができる。基板をシリコン基板でなく、ガラス基板にす
ることにより、静電容量で検出を行うセンサでは、素子
の寄生容量が低下し、高感度で高精度の半導体慣性セン
サが得られる。可動電極、固定電極又は枠体などを構成
する単結晶シリコン層が第２シリコンウェーハに支持さ
れた状態でシリコン基板に接合するため、従来のような
貼り付き（sticking）現象を生じず、検出電極やシリコ
ン基板に対して所定のギャップで可動電極を設けること
ができる。また可動電極等は単結晶シリコンからなるた
め、多結晶シリコンや金属等と比べて機械的特性に優れ
る。更に可動電極と基板とのギャップをエッチング時間
で制御することなく、ガラススペーサ層の厚さで規定す
るため、高精度にギャップを形成できる。
ーザ加工による半導体慣性センサの製法と異なり、本発
明によればウェーハのレーザ加工が不要となり、大量生
産に適した低コストの半導体慣性センサを製作すること
ができる。基板をシリコン基板でなく、ガラス基板にす
ることにより、静電容量で検出を行うセンサでは、素子
の寄生容量が低下し、高感度で高精度の半導体慣性セン
サが得られる。可動電極、固定電極又は枠体などを構成
する単結晶シリコン層が第２シリコンウェーハに支持さ
れた状態でシリコン基板に接合するため、従来のような
貼り付き（sticking）現象を生じず、検出電極やシリコ
ン基板に対して所定のギャップで可動電極を設けること
ができる。また可動電極等は単結晶シリコンからなるた
め、多結晶シリコンや金属等と比べて機械的特性に優れ
る。更に可動電極と基板とのギャップをエッチング時間
で制御することなく、ガラススペーサ層の厚さで規定す
るため、高精度にギャップを形成できる。
【図１】図２のＡ−Ａ線要部に相当する本発明の第１実
施形態の半導体慣性センサ及びその製造工程を示す断面
図。
施形態の半導体慣性センサ及びその製造工程を示す断面
図。
【図２】本発明の第１実施形態の半導体慣性センサの外
観斜視図。
観斜視図。
【図３】本発明の第２実施形態の半導体慣性センサの外
観斜視図。
観斜視図。
【図４】図３のＢ−Ｂ線要部に相当する本発明の第２実
施形態の半導体慣性センサ及びその製造工程を示す断面
図。
施形態の半導体慣性センサ及びその製造工程を示す断面
図。
【図５】図６のＣ−Ｃ線要部に相当する本発明の第３実
施形態の半導体慣性センサ及びその製造工程を示す断面
図。
施形態の半導体慣性センサ及びその製造工程を示す断面
図。
【図６】本発明の第３実施形態の半導体慣性センサの外
観斜視図。
観斜視図。
【図７】本発明の第１実施形態の半導体慣性センサの別
の製造工程を示す断面図。
の製造工程を示す断面図。
【図８】本発明の第２実施形態の半導体慣性センサの別
の製造工程を示す断面図。
の製造工程を示す断面図。
【図９】本発明の第３実施形態の半導体慣性センサの別
の製造工程を示す断面図。
の製造工程を示す断面図。
１０ ガラス基板 １１ 溝部 １２ 検出電極 １３ ガラススペーサ層 ２０ 膜 ２１ 第１シリコンウェーハ ２２ 第２シリコンウェーハ ２３ 単結晶シリコン層 ２４，３４ 構造体 ２６ 可動電極 ２７，２８ 一対の固定電極 ３０，４０，５０ 半導体慣性センサ
Claims (6)
- 【請求項１】 ガラス基板(10)上の所定の部分にガラス
スペーサ層(13)を設けることにより溝部(11)を形成する
工程と、 第１シリコンウェーハ(21)の両面にシリコンを浸食せず
にエッチング可能な膜(20)を形成する工程と、 第２シリコンウェーハ(22)を前記第１シリコンウエーハ
(21)の片面に前記膜(20)を介して貼り合わせる工程と、 前記第１シリコンウェーハ(21)の別の片面を所定の厚さ
に研磨して単結晶シリコン層(23)を形成する工程と、 前記単結晶シリコン層(23)を前記膜(20)をエッチストッ
プ層として選択的にエッチング除去し、これにより前記
膜(20)上に単結晶シリコンからなる可動電極(26)と前記
可動電極(26)の両側に単結晶シリコンからなる一対の固
定電極(27,28)とを形成する工程と、 前記第２シリコンウェーハ(22)と前記膜(20)と前記可動
電極(26)と前記固定電極(27,28)とを有する構造体(24)
を前記可動電極(26)がガラス基板(10)の溝部(11)に対向
するように前記ガラススペーサ層(13)を介して前記ガラ
ス基板(10)に接合する工程と、 前記第２シリコンウェーハ(22)を前記膜(20)をエッチス
トップ層としてエッチング除去する工程と、前記膜(20)
をエッチング除去することにより前記一対の固定電極(2
7,28)と前記固定電極(27,28)に挟まれかつ前記ガラス基
板(10)の上方に浮動する前記可動電極(26)とを有する半
導体慣性センサ(30)を得る工程とを含む半導体慣性セン
サの製造方法。 - 【請求項２】 ガラス基板(10)上の所定の部分にガラス
スペーサ層(13)を設けることにより溝部(11)を形成する
工程と、 前記ガラス基板(10)の溝部(11)の底面に検出電極(12)を
形成する工程と、 第１シリコンウェーハ(21)の両面にシリコンを浸食せず
にエッチング可能な膜(20)を形成する工程と、 第２シリコンウェーハ(22)を前記第１シリコンウエーハ
(21)の片面に前記膜(20)を介して貼り合わせる工程と、 前記第１シリコンウェーハ(21)の別の片面を所定の厚さ
に研磨して単結晶シリコン層(23)を形成する工程と、 前記単結晶シリコン層(23)を前記膜(20)をエッチストッ
プ層として選択的にエッチング除去し、これにより前記
膜(20)上に単結晶シリコンからなる可動電極(26)を形成
する工程と、 前記第２シリコンウェーハ(22)と前記膜(20)と前記可動
電極(26)とを有する構造体(24)を前記可動電極(26)が前
記検出電極(12)に対向するように前記ガラススペーサ層
(13)を介して前記ガラス基板(10)に接合する工程と、 前記第２シリコンウェーハ(22)を前記膜(20)をエッチス
トップ層としてエッチング除去する工程と、前記膜(20)
をエッチング除去することにより前記ガラス基板(10)上
に前記検出電極(12)に対向して浮動する前記可動電極(2
6)を有する半導体慣性センサ(40)を得る工程とを含む半
導体慣性センサの製造方法。 - 【請求項３】 ガラス基板(10)上の所定の部分にガラス
スペーサ層(13)を設けることにより溝部(11)を形成する
工程と、 前記ガラス基板(10)の溝部(11)の底面に検出電極(12)を
形成する工程と、 第１シリコンウェーハ(21)の両面にシリコンを浸食せず
にエッチング可能な膜(20)を形成する工程と、 第２シリコンウェーハ(22)を前記第１シリコンウエーハ
(21)の片面に前記膜(20)を介して貼り合わせる工程と、 前記第１シリコンウェーハ(21)の別の片面を所定の厚さ
に研磨して単結晶シリコン層(23)を形成する工程と、 前記単結晶シリコン層(23)を前記膜(20)をエッチストッ
プ層として選択的にエッチング除去し、これにより前記
膜(20)上に単結晶シリコンからなる可動電極(26)と前記
可動電極(26)の両側に単結晶シリコンからなる一対の固
定電極（２７，２８）とを形成する工程と、 前記第２シリコンウェーハ（２２）と前記膜(20)と前記
可動電極(26)と前記固定電極(27,28)とを有する構造体
(24)を前記可動電極(26)が前記検出電極(12)に対向する
ように前記ガラススペーサ層(13)を介して前記ガラス基
板(10)に接合する工程と、 前記第２シリコンウェーハ(22)を前記膜(20)をエッチス
トップ層としてエッチング除去する工程と、前記膜(20)
をエッチング除去することにより前記一対の固定電極(2
7,28)と前記固定電極(27,28)に挟まれかつ前記ガラス基
板(10)上に前記検出電極(12)に対向して浮動する前記可
動電極(26)を有する半導体慣性センサ(50)を得る工程と
を含む半導体慣性センサの製造方法。 - 【請求項４】 ガラス基板(10)上の所定の部分にガラス
スペーサ層(13)を設けることにより溝部(11)を形成する
工程と、 第１シリコンウェーハ(21)の両面にシリコンを浸食せず
にエッチング可能な膜(20)を形成する工程と、 第２シリコンウェーハ(22)を前記第１シリコンウエーハ
(21)の片面に前記膜(20)を介して貼り合わせる工程と、 前記第１シリコンウェーハ(21)の別の片面を所定の厚さ
に研磨して単結晶シリコン層(23)を形成する工程と、 前記第２シリコンウェーハ(22)と前記膜(20)と前記単結
晶シリコン層(23)とを有する構造体(34)を前記単結晶シ
リコン層(23)がガラス基板(10)の溝部(11)に対向するよ
うに前記ガラススペーサ層(13)を介して前記ガラス基板
(10)に接合する工程と、 前記第２シリコンウェーハ(22)を前記膜(20)をエッチス
トップ層としてエッチング除去する工程と、 前記膜(20)を除去して前記単結晶シリコン層(23)を露出
させた後、前記単結晶シリコン層(23)を選択的にエッチ
ング除去することにより、前記ガラス基板(10)上に接合
した単結晶シリコンからなる一対の固定電極(27,28)と
前記一対の固定電極(27,28)に挟まれかつ前記ガラス基
板(10)の上方に浮動する単結晶シリコンからなる可動電
極(26)とを有する半導体慣性センサ(30)を得る工程とを
含む半導体慣性センサの製造方法。 - 【請求項５】 ガラス基板(10)上の所定の部分にガラス
スペーサ層(13)を設けることにより溝部(11)を形成する
工程と、 前記ガラス基板(10)の溝部(11)の底面に検出電極(12)を
形成する工程と、 第１シリコンウェーハ(21)の両面にシリコンを浸食せず
にエッチング可能な膜(20)を形成する工程と、 第２シリコンウェーハ(22)を前記第１シリコンウエーハ
(21)の片面に前記膜(20)を介して貼り合わせる工程と、 前記第１シリコンウェーハ(21)の別の片面を所定の厚さ
に研磨して単結晶シリコン層(23)を形成する工程と、 前記第２シリコンウェーハ(22)と前記膜(20)と前記単結
晶シリコン層(23)とを有する構造体(34)を前記単結晶シ
リコン層(23)が前記検出電極(12)に対向するように前記
ガラススペーサ層(13)を介して前記ガラス基板(10)に接
合する工程と、 前記第２シリコンウェーハ(22)を前記膜(20)をエッチス
トップ層としてエッチング除去する工程と、 前記膜(20)を除去して前記単結晶シリコン層(23)を露出
させた後、前記単結晶シリコン層(23)を選択的にエッチ
ング除去することにより、前記ガラス基板(10)上に前記
検出電極(12)に対向して浮動する単結晶シリコンからな
る可動電極(26)を有する半導体慣性センサ(40)を得る工
程とを含む半導体慣性センサの製造方法。 - 【請求項６】 ガラス基板(10)上の所定の部分にガラス
スペーサ層(13)を設けることにより溝部(11)を形成する
工程と、 前記ガラス基板(10)の溝部(11)の底面に検出電極(12)を
形成する工程と、 第１シリコンウェーハ(21)の両面にシリコンを浸食せず
にエッチング可能な膜(20)を形成する工程と、 第２シリコンウェーハ(22)を前記第１シリコンウエーハ
(21)の片面に前記膜(20)を介して貼り合わせる工程と、 前記第１シリコンウェーハ(21)の別の片面を所定の厚さ
に研磨して単結晶シリコン層(23)を形成する工程と、 前記第２シリコンウェーハ(22)と前記膜(20)と前記単結
晶シリコン層(23)とを有する構造体(34)を前記単結晶シ
リコン層(23)が前記検出電極(12)に対向するように前記
ガラススペーサ層(13)を介して前記ガラス基板(10)に接
合する工程と、前記第２シリコンウェーハ(22)を前記膜
(20)をエッチストップ層としてエッチング除去する工程
と、 前記膜(20)を除去して前記単結晶シリコン層(23)を露出
させた後、前記単結晶シリコン層(23)を選択的にエッチ
ング除去することにより、前記ガラス基板(10)上に接合
した単結晶シリコンからなる一対の固定電極(27,28)と
前記一対の固定電極(27,28)に挟まれかつ前記検出電極
(12)に対向して浮動する単結晶シリコンからなる可動電
極(26)を有する半導体慣性センサ(50)を得る工程とを含
む半導体慣性センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9062598A JPH10256571A (ja) | 1997-03-17 | 1997-03-17 | 半導体慣性センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9062598A JPH10256571A (ja) | 1997-03-17 | 1997-03-17 | 半導体慣性センサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10256571A true JPH10256571A (ja) | 1998-09-25 |
Family
ID=13204936
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9062598A Withdrawn JPH10256571A (ja) | 1997-03-17 | 1997-03-17 | 半導体慣性センサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10256571A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002101836A1 (fr) * | 2001-06-12 | 2002-12-19 | Hitachi, Ltd. | Dispositif semiconducteur et procede de production associe |
| JP2011145100A (ja) * | 2010-01-12 | 2011-07-28 | Anritsu Sanki System Co Ltd | 秤及び該秤の製造方法 |
-
1997
- 1997-03-17 JP JP9062598A patent/JPH10256571A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002101836A1 (fr) * | 2001-06-12 | 2002-12-19 | Hitachi, Ltd. | Dispositif semiconducteur et procede de production associe |
| JP2011145100A (ja) * | 2010-01-12 | 2011-07-28 | Anritsu Sanki System Co Ltd | 秤及び該秤の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040601 |