JPH10178185A - 半導体慣性センサ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ウェーハのレーザ加工が不要で大量生産に適
する、低コストの半導体慣性センサを得る。また寄生容
量が低く、電極間ギャップ形成精度に優れた高感度で高
精度な半導体慣性センサを得る。 【解決手段】 半導体慣性センサ３０は、ガラス基板１
０の上方に可動電極２６が設けられ、この可動電極２６
を挟んで一対の固定電極２７，２８が設けられる。可動
電極２６はシリコンを浸食せずにエッチング可能な膜２
１ａと単結晶シリコン層２２ａを積層してなり、固定電
極２７，２８はシリコンを浸食せずにエッチング可能な
膜２１ｂ，２１ｃと単結晶シリコン層２２ｂ，２２ｃを
積層してなる。ガラス基板１０は単結晶シリコンからな
るスペーサ層２４を介して固定電極２７，２８の膜２１
ｂ，２１ｃに接合される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、静電容量型の加速
度センサ、角速度センサ等に適する半導体慣性センサ及
びその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種の半導体慣性センサとし
て、ガラス基板と単結晶シリコンの構造からなる共振
角速度センサが提案されている（M. Hashimoto et al.,
"Silicon Resonant Angular Rate Sensor", Techinica
l Digest of the 12th Sensor Symposium, pp.163-166
(1994)）。このセンサは両側をトーションバーで浮動す
るようにした音叉構造の可動電極を有する。この可動電
極は電磁駆動によって励振されている。角速度が作用す
ると可動電極にコリオリ力が生じて、可動電極がトーシ
ョンバーの回りに捩り振動を起こして共振する。センサ
はこの可動電極の共振による可動電極と検出電極との間
の静電容量の変化により作用した角速度を検出する。こ
のセンサを作製する場合には、厚さ２００μｍ程度の結
晶方位が（１１０）の単結晶シリコン基板を基板表面に
対して垂直にエッチングして可動電極部分などの構造を
作製する。この比較的厚いシリコン基板を垂直にエッチ
ングするためにはＳＦ₆ガスによる異方性ドライエッチ
ングを行うか、或いはトーションバーの可動電極部分へ
の付け根の隅部にＹＡＧレーザで孔あけを行った後に、
ＫＯＨなどでウエットエッチングを行っている。エッチ
ング加工を行ったシリコン基板は陽極接合によりガラス
基板と一体化される。

【０００３】また別の半導体慣性センサとして、シリ
コン基板上にエッチングで犠牲層をパターン化した後、
除去することにより可動電極としてのポリシリコン振動
子を形成したマイクロジャイロ（K. Tanaka et al., "A
micromachined vibrating gyroscope", Sensors and A
ctuators A 50, pp.111-115 (1995)）が開示されてい
る。このマイクロジャイロは、いわゆる表面マイクロマ
シニング技術を用いた構造となっている。具体的には、
シリコン基板に不純物拡散によって検出電極を形成し、
その上に犠牲層となるリン酸ガラス膜を成膜してパター
ニングした後、ポリシリコンを成膜し、更に垂直エッチ
ング等の加工を行って構造体を形成する。最後に犠牲層
をエッチングにより除去することにより、可動電極部分
を切り離して検出電極に対してギャップを作り出し可動
電極を浮動状態にする。

【０００４】更に別の半導体慣性センサとして、ガラ
ス基板と単結晶シリコンの構造からなるジャイロスコー
プが提案されている（J.Bernstein et al., "A Microma
chined Comb-Drive Tuning Fork Rate Gyroscope", IEE
E MEMS '93 Proceeding, pp.143-148 (1993)）。このジ
ャイロスコープは、検出電極を形成したガラス基板と、
エッチングを行った後に高濃度ボロン拡散を行って可動
電極、固定電極等を形成した単結晶シリコン基板とをボ
ロン拡散を行った部分を接合面として接合し、更にボロ
ンを拡散していないシリコン基板部分をエッチングによ
り除去することにより、作られる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記〜の従来のセ
ンサの製造技術には、次の欠点があった。の共振角速
度センサの製造方法では、ガラス基板に対して浮動する
構造になるべきシリコン能動部が陽極接合時に静電引力
によりガラス基板に貼り付いて可動電極にならないこと
があった。この貼り付き（sticking）を防ぐために可動
電極と検出電極とを短絡して静電力が働かない状態で陽
極接合した後に、レーザを用いて短絡していた電極間を
切り離していた。また島状の固定電極を形成するために
ガラス基板に接合した後、レーザアシストエッチングを
行う必要があった。これらのレーザ加工は極めて複雑で
あって、センサを量産しようとする場合には不適切であ
った。のマイクロジャイロは、シリコンウェーハを基
板とするため、センサの寄生容量が大きく、感度や精度
を高くすることが困難であった。更に及びにおいて
は、可動電極と検出電極との間のギャップはエッチング
時間による制御のみに依存していたので、電極間のギャ
ップ形成精度に問題があった。

【０００６】本発明の目的は、ウェーハのレーザ加工が
不要で大量生産に適する、低コストの半導体慣性センサ
及びその製造方法を提供することにある。本発明の別の
目的は、寄生容量が低く、高感度で高精度の半導体慣性
センサ及びその製造方法を提供することにある。本発明
の更に別の目的は、電極間ギャップ形成精度に優れた半
導体慣性センサ及びその製造方法を提供することにあ
る。

【０００７】

【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
図１、図２及び図７に示すように、ガラス基板１０の上
方に浮動するように設けられた可動電極２６と、ガラス
基板１０上に可動電極２６を挟んで設けられた一対の固
定電極２７，２８とを備えた半導体慣性センサ３０，６
０において、可動電極２６は単結晶シリコン層２２ａか
らなるか又はシリコンを浸食せずにエッチング可能な膜
２１ａと単結晶シリコン層２２ａを積層してなり、固定
電極２７，２８はシリコンを浸食せずにエッチング可能
な膜２１ｂ，２１ｃと単結晶シリコン層２２ｂ，２２ｃ
を積層してなり、可動電極２６を支持するビーム３１の
基端部３１ａが単結晶シリコンスペーサ層２４を介して
ガラス基板１０に接合されたことを特徴とする。請求項
２に係る発明は、図３、図４及び図８に示すように、ガ
ラス基板１０上に形成された検出電極１２と、この検出
電極１２の上方に浮動するように設けられた可動電極２
６を備えた半導体慣性センサ４０，７０において、可動
電極２６は単結晶シリコン層２２ａからなるか又はシリ
コンを浸食せずにエッチング可能な膜２１ａと単結晶シ
リコン層２２ａを積層してなり、可動電極２６を支持す
るビーム３１の基端部３１ａが単結晶シリコンスペーサ
層２４を介してガラス基板１０に接合されたことを特徴
とする。請求項３に係る発明は、図５、図６及び図９に
示すように、ガラス基板１０上に形成された検出電極１
２と、この検出電極１２の上方に浮動するように設けら
れた可動電極２６と、ガラス基板１０上に可動電極２６
を挟んで設けられた一対の固定電極２７，２８とを備え
た半導体慣性センサ５０，８０において、可動電極２６
は単結晶シリコン層２２ａからなるか又はシリコンを浸
食せずにエッチング可能な膜２１ａと単結晶シリコン層
２２ａを積層してなり、固定電極２７，２８はシリコン
を浸食せずにエッチング可能な膜２１ｂ，２１ｃと単結
晶シリコン層２２ｂ，２２ｃを積層してなり、可動電極
２６を支持するビーム３１の基端部３１ａが単結晶シリ
コンスペーサ層２４を介してガラス基板１０に接合され
たことを特徴とする。

【０００８】半導体慣性センサ３０，４０，５０，６
０，７０及び８０は、基板にガラス基板を用いるため、
寄生容量が低く、高感度で高精度である。また可動電極
がエッチングにより作製された単結晶シリコンからなる
ため、機械的特性に優れる。また、ガラス基板上に検出
電極が形成された構造となる半導体慣性センサ４０，５
０，７０及び８０においては可動電極と、検出電極が形
成されたガラス基板とのギャップが単結晶シリコンスペ
ーサ層の厚さで規定されるため、高精度にギャップを形
成できる。請求項４に係る発明は、図１に示すように、
シリコンを浸食せずにエッチング可能な膜２１が表面に
形成された第１シリコンウェーハ２０の膜２１上に第２
シリコンウェーハ２２を貼り合わせる工程と、第１シリ
コンウェーハ２０を所定の厚さに研磨する工程と、膜２
１をエッチストップ層として第１及び第２シリコンウェ
ーハ２０，２２をエッチングすることにより膜２１の上
面に単結晶シリコン層２２ａからなる可動電極２６と可
動電極２６の両側に単結晶シリコン層２２ｂ，２２ｃか
らなる一対の固定電極２７，２８を形成し、膜２１の下
面に単結晶シリコンからなるスペーサ層２４を形成する
工程と、可動電極２６と固定電極２７，２８とスペーサ
層２４が形成された構造体２５をスペーサ層２４がガラ
ス基板１０に対向するようにガラス基板１０に接合する
工程と、膜２１を選択的にエッチング除去することによ
り一対の固定電極２７，２８に挟まれて設けられた可動
電極２６を有する半導体慣性センサ３０を得る工程とを
含む半導体慣性センサの製造方法である。

【０００９】請求項５に係る発明は、図４に示すよう
に、ガラス基板１０に検出電極１２を形成する工程と、
シリコンを浸食せずにエッチング可能な膜２１が表面に
形成された第１シリコンウェーハ２０の膜２１上に第２
シリコンウェーハ２２を貼り合わせる工程と、第１シリ
コンウェーハ２０を所定の厚さに研磨する工程と、膜２
１をエッチストップ層として第１及び第２シリコンウェ
ーハ２０，２２をエッチングすることにより膜２１の上
面に単結晶シリコン層２２ａからなる可動電極２６を形
成し、膜２１の下面に単結晶シリコンからなるスペーサ
層２４を形成する工程と、可動電極２６とスペーサ層２
４が形成された構造体２５を可動電極２６が検出電極１
２に対向しかつスペーサ層２４がガラス基板１０に対向
するようにガラス基板１０に接合する工程と、膜２１を
選択的にエッチング除去することにより検出電極１２に
対向して設けられた可動電極２６を有する半導体慣性セ
ンサ４０を得る工程とを含む半導体慣性センサの製造方
法である。

【００１０】請求項６に係る発明は、図５に示すよう
に、ガラス基板１０に検出電極１２を形成する工程と、
シリコンを浸食せずにエッチング可能な膜２１が表面に
形成された第１シリコンウェーハ２０の膜２１上に第２
シリコンウェーハ２２を貼り合わせる工程と、第１シリ
コンウェーハ２０を所定の厚さに研磨する工程と、膜２
１をエッチストップ層として第１及び第２シリコンウェ
ーハ２０，２２をエッチングすることにより膜２１の上
面に単結晶シリコン層２２ａからなる可動電極２６と可
動電極２６の両側に単結晶シリコン層２２ｂ，２２ｃか
らなる一対の固定電極２７，２８を形成し、膜２１の下
面に単結晶シリコンからなるスペーサ層２４を形成する
工程と、可動電極２６と一対の固定電極２７，２８とス
ペーサ層２４が形成された構造体２５を可動電極２６が
検出電極１２に対向しかつスペーサ層２４がガラス基板
１０に対向するようにガラス基板１０に接合する工程
と、膜２１を選択的にエッチング除去することにより枠
体２９に挟まれて設けられた可動電極２６を有する半導
体慣性センサ５０を得る工程とを含む半導体慣性センサ
の製造方法である。

【００１１】請求項７に係る発明は、図７に示すよう
に、シリコンを浸食せずにエッチング可能な第１膜２１
が表面に形成された第１シリコンウェーハ２０の第１膜
２１上に第２シリコンウェーハ２２を貼り合わせる工程
と、第１シリコンウェーハ２０を所定の厚さに研磨する
工程と、シリコンを浸食せずにエッチング可能な第２膜
４１を第１及び第２シリコンウェーハ２０，２２の表面
に形成する工程と、第１シリコンウェーハ２０上の第２
膜４１の所定の部分をエッチング除去する工程と、第１
シリコンウェーハ２０の所定部分を第１膜２１をエッチ
ストップ層としてエッチング除去する工程と、第１膜２
１及び第１シリコンウェーハ２０上に残存する膜４１
ｂ，４１ｃをエッチング除去することにより第２シリコ
ンウェーハ２２の下面に膜２１ｂ，２１ｃを介して単結
晶シリコンからなるスペーサ層２４を形成する工程と、
第２シリコンウェーハ２２の上面の第２膜４１をエッチ
ストップ層として第２シリコンウェーハ２２をエッチン
グすることにより第２膜４１の下面に単結晶シリコン層
２２ａからなる可動電極２６と可動電極２６の両側に単
結晶シリコン層２２ｂ，２２ｃからなる一対の固定電極
２７，２８を形成する工程と、可動電極２６と固定電極
２７，２８とスペーサ層２４が形成された構造体２５を
スペーサ層２４がガラス基板１０に対向するようにガラ
ス基板１０に接合する工程と、第２膜４１をエッチング
除去することにより一対の固定電極２７，２８に挟まれ
て設けられた可動電極２６を有する半導体慣性センサ６
０を得る工程とを含む半導体慣性センサの製造方法であ
る。

【００１２】請求項８に係る発明は、図８に示すよう
に、ガラス基板１０上に検出電極１２を形成する工程
と、シリコンを浸食せずにエッチング可能な第１膜２１
が表面に形成された第１シリコンウェーハ２０の第１膜
２１上に第２シリコンウェーハ２２を貼り合わせる工程
と、第１シリコンウェーハ２０を所定の厚さに研磨する
工程と、シリコンを浸食せずにエッチング可能な第２膜
４１を第１及び第２シリコンウェーハ２０，２２の表面
に形成する工程と、第１シリコンウェーハ２０上の第２
膜４１の所定の部分をエッチング除去する工程と、第１
シリコンウェーハ２０の所定部分を第１膜２１をエッチ
ストップ層としてエッチング除去する工程と、第１膜２
１及び第１シリコンウェーハ２０上に残存する膜４１
ｂ，４１ｃをエッチング除去することにより第２シリコ
ンウェーハ２２の下面に膜２１ｂ，２１ｃを介して単結
晶シリコンからなるスペーサ層２４を形成する工程と、
第２シリコンウェーハ２２の上面の第２膜４１をエッチ
ストップ層として第２シリコンウェーハ２２をエッチン
グすることにより第２膜４１の下面に単結晶シリコン層
２２ａからなる可動電極２６を形成する工程と、可動電
極２６とスペーサ層２４が形成された構造体２５を可動
電極２６が検出電極１２に対向しかつスペーサ層２４が
ガラス基板１０に対向するようにガラス基板１０に接合
する工程と、第２膜４１をエッチング除去することによ
り検出電極１２に対向して設けられた可動電極２６を有
する半導体慣性センサ７０を得る工程とを含む半導体慣
性センサの製造方法である。

【００１３】請求項９に係る発明は、図９に示すよう
に、ガラス基板１０上に検出電極１２を形成する工程
と、シリコンを浸食せずにエッチング可能な第１膜２１
が表面に形成された第１シリコンウェーハ２０の第１膜
２１上に第２シリコンウェーハ２２を貼り合わせる工程
と、第１シリコンウェーハ２０を所定の厚さに研磨する
工程と、シリコンを浸食せずにエッチング可能な第２膜
４１を第１及び第２シリコンウェーハ２０，２２の表面
に形成する工程と、第１シリコンウェーハ２０上の第２
膜４１の所定の部分をエッチング除去する工程と、第１
シリコンウェーハ２０の所定部分を第１膜２１をエッチ
ストップ層としてエッチング除去する工程と、第１膜２
１及び第１シリコンウェーハ２０上に残存する膜４１
ｂ，４１ｃをエッチング除去することにより第２シリコ
ンウェーハ２２の下面に膜２１ｂ，２１ｃを介して単結
晶シリコンからなるスペーサ層２４を形成する工程と、
第２シリコンウェーハ２２の上面の第２膜４１をエッチ
ストップ層として第２シリコンウェーハ２２をエッチン
グすることにより第２膜４１の下面に単結晶シリコン層
２２ａからなる可動電極２６と可動電極２６の両側に単
結晶シリコン層２２ｂ，２２ｃからなる一対の固定電極
２７，２８を形成する工程と、可動電極２６と固定電極
２７，２８とスペーサ層２４が形成された構造体２５を
可動電極２６が検出電極１２に対向しかつスペーサ層２
４がガラス基板１０に対向するようにガラス基板１０に
接合する工程と、第２膜４１をエッチング除去すること
により一対の固定電極２７，２８に挟まれて設けられた
可動電極２６を有する半導体慣性センサ８０を得る工程
とを含む半導体慣性センサの製造方法である。

【００１４】この請求項４ないし９に係る製造方法で
は、ウェーハのレーザ加工が不要で大量生産に適するた
め、低コストで半導体慣性センサを製造できる。また基
板にガラス基板を用いるので、センサは寄生容量が低
い。また、ガラス基板上に検出電極が形成された構造と
なる請求項５，６，８及び９においては可動電極と、検
出電極が形成されたガラス基板とのギャップが単結晶シ
リコンスペーサ層の厚さで規定されるため、高精度にギ
ャップを形成できる。このため高感度で高精度な半導体
慣性センサが作られる。

【００１５】なお、本明細書で、「シリコンを浸食せず
にエッチング可能な膜」とは、当該膜をエッチング除去
する際にシリコンが浸食されないエッチャントを選ぶこ
とができる膜であることを意味する。また、この膜をエ
ッチストップ層として利用する際には、前記エッチャン
トとは異なるエッチャントによって、シリコンのみをエ
ッチングすることが可能である。このような性質の膜と
しては酸化膜や窒化膜等が挙げられる。

【００１６】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面に基づ
いて詳しく説明する。図１及び図２に示すように、本発
明の第１実施形態の半導体慣性センサ３０は加速度セン
サであって、ガラス基板１０上に単結晶シリコンスペー
サ層２４を介して固着された固定電極２７及び２８の間
に可動電極２６を有する。可動電極２６、固定電極２７
及び２８は、それぞれ単結晶シリコン層２２とシリコン
を浸食せずにエッチング可能な膜２１の積層体であり、
この積層体は単結晶シリコンからなるスペーサ層１４を
介してガラス基板１０に接合され、電極２６と電極２７
及び電極２６と電極２８の互いに対向する部分が櫛状に
形成される。可動電極２６はガラス基板１０の上方に位
置し、ビーム３１，３１によりその両端が支持され、ガ
ラス基板１０に対して浮動になっている。ビーム３１の
基端部３１ａは単結晶シリコンスペーサ層２４を介して
基板１０上に固着される。図示しないが、ビーム基端部
３１ａ、固定電極２７及び２８には個別に電気配線がな
される。この半導体慣性センサ３０では、可動電極２６
に対して、図の矢印で示すようにビーム基端部３１ａと
３１ａを結ぶ線に直交する水平方向の加速度が作用する
と、可動電極２６はビーム３１，３１を支軸として振動
する。可動電極２６と固定電極２７及び２８の間の間隔
が広がったり、狭まったりすると、可動電極２６と固定
電極２７及び２８の間の静電容量が変化する。この静電
容量の変化から作用した加速度が求められる。

【００１７】次に、本発明の第１実施形態の半導体慣性
センサ３０の製造方法について述べる。図１に示すよう
に、先ず第１シリコンウェーハ２０の両面にシリコンを
浸食せずにエッチング可能な膜２１を形成する。この膜
２１としては、ウェーハを熱酸化することにより形成さ
れる酸化膜の他、化学気相成長（ＣＶＤ）法でＳｉＨ₂
Ｃｌ₂又はＳｉＨ₄とＮＨ₃ガスを用いて形成される窒化
シリコン膜などが挙げられる。ウェーハ両面に酸化膜又
は窒化シリコン膜２１，２１を形成した後、一方の表面
の膜２１の上に単結晶シリコン層である第２シリコンウ
ェーハ２２を貼り合わせる。

【００１８】次いで第１シリコンウェーハ２０を所定の
厚さに研磨した後、第１及び第２シリコンウェーハ２
０，２２の表面にスパッタリング等によりＮｉ膜２３を
形成し、パターニングした後、ＳＦ₆ガスによる低温で
の異方性ドライエッチングを行う。

【００１９】これにより膜２１をエッチストップ層とし
て第１及び第２シリコンウェーハ２０，２２がエッチン
グされ、膜２１の上面に単結晶シリコン層２２ａからな
る可動電極２６とこの可動電極２６の両側に僅かに間隙
をあけて同様に単結晶シリコン層２２ｂ，２２ｃからな
る一対の固定電極２７，２８が形成される。また、膜２
１の下面には単結晶シリコンからなるスペーサ層２４が
形成される。Ｎｉ膜２３を除去した後、可動電極２６と
一対の固定電極２７，２８とスペーサ層２４が形成され
た構造体２５をスペーサ層２４がガラス基板１０に対向
するようにガラス基板１０に陽極接合する。その後、Ｃ
Ｆ₄などのガスによるドライエッチングを行って、膜２
１を選択的にエッチング除去する。これにより可動電極
２６が一対の固定電極２７，２８に挟まれてガラス基板
１０の上方に浮動に形成された半導体慣性センサ３０が
得られる。

【００２０】図３及び図４は第２実施形態の半導体慣性
センサ４０を示す。この半導体慣性センサ４０は加速度
センサであって、ガラス基板１０上に単結晶シリコンス
ペーサ層２４を介して固着された枠体２９の間に可動電
極２６を有する。可動電極２６、枠体２９は、それぞれ
単結晶シリコン層２２とシリコンを浸食せずにエッチン
グ可能な膜２１の積層体であり、電極２６は窓枠状の枠
体２９に間隔をあけて収容される。可動電極２６はガラ
ス基板１０の上方に位置し、ビーム３１，３１によりそ
の両端が支持され、ガラス基板１０に対して浮動になっ
ている。ビーム３１の基端部３１ａは枠体２９の凹み２
９ａに位置しかつ基板１０上に単結晶シリコンスペーサ
層２４を介して固着される。この可動電極２６に対向す
るガラス基板１０の表面には単結晶シリコンスペーサ層
２４の厚さより小さい厚さの検出電極１２が形成され
る。図示しないが、ビーム基端部３１ａ及び検出電極１
２には個別に電気配線がなされる。この半導体慣性セン
サ４０では、可動電極２６に対して、図の矢印で示すよ
うにビーム基端部３１ａと３１ａを結ぶ線に直交する鉛
直方向の加速度が作用すると、可動電極２６はビーム３
１，３１を支軸として振動する。可動電極２６と検出電
極１２の間の間隔が広がったり、狭まったりすると、可
動電極２６と検出電極１２の間の静電容量が変化する。
この静電容量の変化から作用した加速度が求められる。

【００２１】次に、本発明の第２実施形態の半導体慣性
センサ４０の製造方法について述べる。図４に示すよう
に、先ずガラス基板１０の表面にスパッタリング、真空
蒸着などによりＡｕ，Ｐｔ，Ｃｕなどから選ばれた金属
の薄膜からなる検出電極１２を形成する。一方、第１シ
リコンウェーハ２０の両面に酸化膜２１を形成する。ウ
ェーハ両面に酸化膜２１，２１を形成した後、一方の表
面の膜２１の上に第１実施形態と同様に第２シリコンウ
ェーハ２２を貼り合わせる。次いで膜２１の下の第１シ
リコンウェーハ２０を所定の厚さに研磨した後、第１及
び第２シリコンウェーハ２０，２２の表面にスパッタリ
ング等によりＮｉ膜２３を形成し、パターニングした
後、ＳＦ₆ガスによる低温での異方性ドライエッチング
を行う。

【００２２】これにより膜２１をエッチストップ層とし
て第１及び第２シリコンウェーハ２０，２２がエッチン
グされ、膜２１の上面に単結晶シリコン層２２ａからな
る可動電極２６とこの可動電極２６の両側に同様に単結
晶シリコン層２２ｂ，２２ｃからなる枠体２９が形成さ
れる。また、膜２１の下面には単結晶シリコンからなる
スペーサ層２４が形成される。Ｎｉ膜２３を除去した
後、可動電極２６と枠体２９とスペーサ層２４が形成さ
れた構造体２５を可動電極２６が検出電極１２に対向し
かつスペーサ層２４がガラス基板１０に対向するように
ガラス基板１０に陽極接合する。その後、第１実施形態
と同様に膜２１を選択的に除去する。これにより可動電
極２６が枠体２９に挟まれて検出電極１２の上方に浮動
に形成された半導体慣性センサ４０が得られる。

【００２３】図５及び図６は第３実施形態の半導体慣性
センサ５０を示す。この半導体慣性センサ５０は角速度
センサであって、ガラス基板１０上に単結晶シリコンス
ペーサ層２４を介して固着された固定電極２７及び２８
の間に音叉構造の一対の可動電極２６，２６を有する。
可動電極２６、固定電極２７及び２８は、単結晶シリコ
ン層２２とシリコンを浸食せずにエッチング可能な膜２
１の積層体であり、この積層体は単結晶シリコンからな
るスペーサ層２４を介してガラス基板１０に接合され、
電極２６と電極２７及び電極２６と電極２８の互いに対
向する部分が櫛状に形成される。可動電極２６，２６は
ガラス基板１０の上方に位置し、コ字状のビーム３１，
３１によりその両端が支持され、ガラス基板１０に対し
て浮動になっている。ビーム３１の基端部３１ａは基板
１０上に単結晶シリコンスペーサ層２４を介して固着さ
れる。この凹部１１の底面には単結晶シリコンスペーサ
層２４の厚さより小さい厚さの検出電極１２が形成され
る。図示しないが、ビーム基端部３１ａ、固定電極２７
及び２８、検出電極１２には個別に電気配線がなされ、
固定電極２７及び２８に交流電圧を印加し、静電力によ
り可動電極を励振するようになっている。この半導体慣
性センサ５０では、可動電極２６，２６に対してビーム
基端部３１ａと３１ａを結ぶ線を中心として角速度が作
用すると、可動電極２６，２６にコリオリ力が生じてこ
の中心線の回りに捩り振動を起こして共振する。この共
振時の可動電極２６と検出電極１２との間の静電容量の
変化により作用した角速度が検出される。

【００２４】次に、本発明の第３実施形態の半導体慣性
センサ５０の製造方法について述べる。図５に示すよう
に、先ずガラス基板１０の表面にスパッタリング、真空
蒸着などによりＡｕ，Ｐｔ，Ｃｕなどから選ばれた金属
の薄膜からなる検出電極１２を形成する。一方、第１シ
リコンウェーハ２０の両面に酸化膜２１を形成する。ウ
ェーハ両面に酸化膜２１，２１を形成した後、一方の表
面の膜２１の上に第１実施形態と同様に第２シリコンウ
ェーハ２２を貼り合わせる。次いで膜２１の下の第１シ
リコンウェーハ２０を所定の厚さに研磨した後、第１及
び第２シリコンウェーハ２０，２２の表面にスパッタリ
ング等によりＮｉ膜２３を形成し、パターニングした
後、ＳＦ₆ガスによる低温での異方性ドライエッチング
を行う。

【００２５】これにより膜２１をエッチストップ層とし
て第１及び第２シリコンウェーハ２０，２２がエッチン
グされ、膜２１の上面に単結晶シリコン層２２ａからな
る可動電極２６とこの可動電極２６の両側に僅かに間隙
をあけて同様に単結晶シリコン層２２ｂ，２２ｃからな
る一対の固定電極２７，２８が形成される。また、膜２
１の下面には単結晶シリコンからなるスペーサ層２４が
形成される。Ｎｉ膜２３を除去した後、可動電極２６と
一対の固定電極２７，２８スペーサ層２４が形成された
構造体２５を可動電極２６が検出電極１２に対向しかつ
スペーサ層２４がガラス基板１０に対向するようにガラ
ス基板１０に陽極接合する。その後、第１実施形態と同
様に膜２１を選択的に除去する。これによりガラス基板
１０の上方に検出電極１２に対向しかつ一対の固定電極
２７，２８に挟まれて設けられた可動電極２６を有する
半導体慣性センサ５０が得られる。

【００２６】図７は第４実施形態の半導体慣性センサ６
０の製造方法を示す。この半導体慣性センサは加速度セ
ンサであって、第１実施形態の半導体慣性センサ３０と
同一であり、第１実施形態の半導体慣性センサ３０との
相違点は、可動電極２６の下面に膜２１ａが存在しない
点にある。この半導体慣性センサ６０の動作及び他の構
成は第１実施形態の半導体慣性センサ３０と同じであ
る。

【００２７】次に、本発明の第４実施形態の半導体慣性
センサ６０の製造方法について述べる。図７に示すよう
に、第１シリコンウェーハ２０の両面に酸化膜２１を形
成する。ウェーハ両面に酸化膜２１，２１を形成した
後、一方の表面の膜２１の上に第１実施形態と同様に第
２シリコンウェーハ２２を貼り合わせる。次いで膜２１
の下の第１シリコンウェーハ２０を所定の厚さに研磨し
た後、これらのウェーハ２０，２２の両面にシリコンを
浸食せずにエッチング可能な酸化膜（第２膜）４１を形
成し、更にウェーハ２０上の第２膜４１の所定の部分を
エッチング除去する。膜４１が除去されたことにより露
出したウェーハ２０の所定部分を第１膜２１をエッチス
トップ層としてエッチング除去し、更にこの第１膜２１
及びウェーハ２０上に残存する膜４１ｂ，４１ｃをＨＦ
等のエッチャントを使用してウェットエッチングして除
去する。これによりウェーハ２２の下面に膜２１ｂ，２
１ｃを介して単結晶シリコンからなるスペーサ層２４が
形成される。

【００２８】スペーサ層２４及び露出したウェーハ２２
の所定部分にスパッタリング等によりＮｉ膜２３を被覆
するようにパターニングした後、第２膜４１をエッチス
トップ層としてウェーハ２２にＳＦ₆ガスによる低温で
の異方性ドライエッチングを行うことによりウェーハ２
２を単結晶シリコン層２２ａ，２２ｂ，２２ｃにする。
Ｎｉ膜２３を除去することにより第２膜４１の下面に単
結晶シリコン層２２ａからなる可動電極２６とこの可動
電極２６の両側に僅かに間隙をあけて同様に単結晶シリ
コン層２２ｂ，２２ｃからなる一対の固定電極２７，２
８が形成される。可動電極２６と一対の固定電極２７，
２８とスペーサ層２４が形成された構造体２５をスペー
サ層２４がガラス基板１０に対向するようにガラス基板
１０に陽極接合し、その後、ＣＦ₄などのガスによるド
ライエッチングを行って、第２膜４１を選択的にエッチ
ング除去する。。これにより可動電極２６が一対の固定
電極２７，２８に挟まれてガラス基板１０の上方に浮動
に形成された半導体慣性センサ６０が得られる。

【００２９】図８は第５実施形態の半導体慣性センサ７
０を示す。この半導体慣性センサ７０は加速度センサで
あって、第２実施形態の半導体慣性センサ４０と同一で
あり、第２実施形態の半導体慣性センサ４０との相違点
は、可動電極２６の下面に膜２１ａが存在しない点にあ
る。この半導体慣性センサ７０の動作及びその他の構成
は第２実施形態の半導体慣性センサ４０と同じである。

【００３０】次に、本発明の第５実施形態の半導体慣性
センサ７０の製造方法について述べる。図８に示すよう
に、先ずガラス基板１０上にスパッタリング、真空蒸着
などによりＡｕ，Ｐｔ，Ｃｕなどから選ばれた金属の薄
膜からなる検出電極１２を形成する。一方、第１シリコ
ンウェーハ２０の両面に酸化膜２１を形成する。ウェー
ハ両面に酸化膜２１，２１を形成した後、一方の表面の
膜２１の上に第１実施形態と同様に第２シリコンウェー
ハ２２を貼り合わせ、第４実施形態と同様に研磨を行
う。次いで第４実施形態と同様にウェーハ２２の下面に
膜２１ｂ，２１ｃを介して単結晶シリコンからなるスペ
ーサ層２４を形成した後、ウェーハ２２にＳＦ₆ガスに
よる低温での異方性エッチングを行うことによって、第
２膜４１の下面に単結晶シリコン層２２ａからなる可動
電極２６とこの可動電極２６の両側に同様に単結晶シリ
コン層２２ｂ，２２ｃからなる枠体２９が形成される。
可動電極２６と枠体２９とスペーサ層２４が形成された
構造体２５を可動電極２６が検出電極１２に対向しスペ
ーサ層２４がガラス基板１０に対向するようにガラス基
板１０に陽極接合し、続いて第４実施形態と同様に第２
膜４１を除去する。これにより可動電極２６が枠体２９
に挟まれて検出電極１２の上方に浮動に形成された半導
体慣性センサ７０が得られる。

【００３１】図９は第６実施形態の半導体慣性センサ８
０を示す。この半導体慣性センサ８０は角速度センサで
あって、第３実施形態の半導体慣性センサ５０と同一で
あり、第２実施形態の半導体慣性センサ５０との相違点
は、可動電極２６の下面に膜２１ａが存在しない点にあ
る。この半導体慣性センサ８０の動作及びその他の構成
は第３実施形態の半導体慣性センサ５０と同じである。

【００３２】次に、本発明の第６実施形態の半導体慣性
センサ８０の製造方法について述べる。図９に示すよう
に、先ずガラス基板１０上にスパッタリング、真空蒸着
などによりＡｕ，Ｐｔ，Ｃｕなどから選ばれた金属の薄
膜からなる検出電極１２を形成する。一方、第１シリコ
ンウェーハ２０の両面に酸化膜２１を形成する。ウェー
ハ両面に酸化膜２１，２１を形成した後、一方の表面の
膜２１の上に第１実施形態と同様に第２シリコンウェー
ハ２２を貼り合わせ、第４実施形態と同様に研磨を行
う。次いで第４実施形態と同様にウェーハ２２の下面に
膜２１ｂ，２１ｃを介して単結晶シリコンからなるスペ
ーサ層２４を形成した後、ウェーハ２２にＳＦ₆ガスに
よる低温での異方性エッチングを行うことによって、第
２膜４１の下面に単結晶シリコン層２２ａからなる可動
電極２６とこの可動電極２６の両側に僅かに間隙をあけ
て同様に単結晶シリコン層２２ｂ，２２ｃからなる一対
の固定電極２７，２８が形成される。可動電極２６と一
対の固定電極２７，２８とスペーサ層２４が形成された
構造体２５を可動電極２６が検出電極１２に対向しスペ
ーサ層２４がガラス基板１０に対向するようにガラス基
板１０に陽極接合し、続いて第４実施形態と同様に第２
膜４１を除去する。これにより可動電極２６が一対の固
定電極２７，２８に挟まれて検出電極１２に対向しかつ
上方に浮動に形成された半導体慣性センサ８０が得られ
る。

【００３３】

【発明の効果】以上述べたように、従来のレーザ加工に
よる半導体慣性センサの製法と異なり、本発明によれば
ウェーハのレーザ加工が不要となり、大量生産に適した
低コストの半導体慣性センサを製作することができる。
可動電極、固定電極又は枠体などの構造体が研磨された
スペーサ層を介してガラス基板に接合するため、従来の
ような貼り付き（sticking）現象を生じず、検出電極や
ガラス基板に対して所定のギャップで可動電極を設ける
ことができる。

【００３４】また基板をシリコン基板でなく、ガラス基
板にすることにより、静電容量で検出を行うセンサで
は、素子の寄生容量を低下させることができる。また、
ガラス基板上に検出電極が形成された構造においては可
動電極と、検出電極が形成されたガラス基板とのギャッ
プが単結晶シリコンのスペーサ層の厚さで規定されるた
め、高精度にギャップを形成できる。このため高感度で
高精度な半導体慣性センサが得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図２のＡ−Ａ線要部に相当する本発明の第１実
施形態の半導体慣性センサ及びその製造工程を示す断面
図。

【図２】本発明の第１実施形態の半導体慣性センサの外
観斜視図。

【図３】本発明の第２実施形態の半導体慣性センサの外
観斜視図。

【図４】図３のＢ−Ｂ線要部に相当する本発明の第２実
施形態の半導体慣性センサ及びその製造工程を示す断面
図。

【図５】図６のＣ−Ｃ線要部に相当する本発明の第３実
施形態の半導体慣性センサ及びその製造工程を示す断面
図。

【図６】本発明の第３実施形態の半導体慣性センサの外
観斜視図。

【図７】本発明の第４実施形態の半導体慣性センサ及び
その製造工程を示す断面図。

【図８】本発明の第５実施形態の半導体慣性センサ及び
その製造工程を示す断面図。

【図９】本発明の第６実施形態の半導体慣性センサ及び
その製造工程を示す断面図。

【符号の説明】

１０ ガラス基板 １２ 検出電極 ２０ 第１シリコンウェーハ ２１，２１ａ，２１ｂ，２１ｃ 膜（第１膜） ２２ 第２シリコンウェーハ ２４ スペーサ層 ２５ 構造体 ２６ 可動電極 ２７，２８ 一対の固定電極 ２９ 枠体 ４１，４１ｂ，４１ｃ 第２膜 ３０，４０，５０，６０，７０，８０ 半導体慣性セン
サ

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ガラス基板(10)の上方に浮動するように
   設けられた可動電極(26)と、前記ガラス基板(10)上に前
   記可動電極(26)を挟んで設けられた一対の固定電極(27,
   28)とを備えた半導体慣性センサ(30)において、 前記可動電極(26)は単結晶シリコン層(22a)からなるか
   又はシリコンを浸食せずにエッチング可能な膜(21a)と
   単結晶シリコン層(22a)を積層してなり、前記固定電極
   (27,28)はシリコンを浸食せずにエッチング可能な膜(21
   b,21c)と単結晶シリコン層(22b,22c)を積層してなり、
   前記可動電極(26)を支持するビーム(31)の基端部(31a)
   が単結晶シリコンスペーサ層(24)を介して前記ガラス基
   板(10)に接合されたことを特徴とする半導体慣性セン
   サ。
2. 【請求項２】 ガラス基板(10)上に形成された検出電極
   (12)と、前記検出電極(12)の上方に浮動するように設け
   られた可動電極(26)を備えた半導体慣性センサ(40)にお
   いて、 前記可動電極(26)は単結晶シリコン層(22a)からなるか
   又はシリコンを浸食せずにエッチング可能な膜(21a)と
   単結晶シリコン層(22a)を積層してなり、前記可動電極
   (26)を支持するビーム(31)の基端部(31a)が単結晶シリ
   コンスペーサ層(24)を介して前記ガラス基板(10)に接合
   されたことを特徴とする半導体慣性センサ。
3. 【請求項３】 ガラス基板(10)上に形成された検出電極
   (12)と、前記検出電極(12)の上方に浮動するように設け
   られた可動電極(26)と、前記ガラス基板(10)上に前記可
   動電極(26)を挟んで設けられた一対の固定電極(27,28)
   とを備えた半導体慣性センサ(50,80)において、 前記可動電極(26)は単結晶シリコン層(22a)からなるか
   又はシリコンを浸食せずにエッチング可能な膜(21a)と
   単結晶シリコン層(22a)を積層してなり、前記固定電極
   (27,28)はシリコンを浸食せずにエッチング可能な膜(21
   b,21c)と単結晶シリコン層(22b,22c)を積層してなり、
   前記可動電極(26)を支持するビーム(31)の基端部(31a)
   が単結晶シリコンスペーサ層(24)を介して前記ガラス基
   板(10)に接合されたことを特徴とする半導体慣性セン
   サ。
4. 【請求項４】 シリコンを浸食せずにエッチング可能な
   膜(21)が表面に形成された第１シリコンウェーハ(20)の
   前記膜(21)上に第２シリコンウェーハ(22)を貼り合わせ
   る工程と、 前記第１シリコンウェーハ(20)を所定の厚さに研磨する
   工程と、 前記膜(21)をエッチストップ層として前記第１及び第２
   シリコンウェーハ(20,22)をエッチングすることにより
   前記膜(21)の上面に単結晶シリコン層(22a)からなる可
   動電極(26)と前記可動電極(26)の両側に単結晶シリコン
   層(22b,22c)からなる一対の固定電極(27,28)を形成し、
   前記膜(21)の下面に単結晶シリコンからなるスペーサ層
   (24)を形成する工程と、 前記可動電極(26)と前記固定電極(27,28)と前記スペー
   サ層(24)が形成された構造体(25)を前記スペーサ層(24)
   がガラス基板(10)に対向するようにガラス基板(10)に接
   合する工程と、 前記膜(21)を選択的にエッチング除去することにより前
   記一対の固定電極(27,28)に挟まれて設けられた可動電
   極(26)を有する半導体慣性センサ(30)を得る工程とを含
   む半導体慣性センサの製造方法。
5. 【請求項５】 ガラス基板(10)上に検出電極(12)を形成
   する工程と、 シリコンを浸食せずにエッチング可能な膜(21)が表面に
   形成された第１シリコンウェーハ(20)の前記膜(21)上に
   第２シリコンウェーハ(22)を貼り合わせる工程と、 前記第１シリコンウェーハ(20)を所定の厚さに研磨する
   工程と、 前記膜(21)をエッチストップ層として前記第１及び第２
   シリコンウェーハ(20,22)をエッチングすることにより
   前記膜(21)の上面に単結晶シリコン層(22a)からなる可
   動電極(26)を形成し、前記膜(21)の下面に単結晶シリコ
   ンからなるスペーサ層(24)を形成する工程と、 前記可動電極(26)と前記スペーサ層(24)が形成された構
   造体(25)を前記可動電極(26)が前記検出電極(12)に対向
   しかつ前記スペーサ層(24)が前記ガラス基板(10)に対向
   するように前記ガラス基板(10)に接合する工程と、 前記膜(21)を選択的にエッチング除去することにより前
   記検出電極(12)に対向して設けられた可動電極(26)を有
   する半導体慣性センサ(40)を得る工程とを含む半導体慣
   性センサの製造方法。
6. 【請求項６】 ガラス基板(10)上に検出電極(12)を形成
   する工程と、 シリコンを浸食せずにエッチング可能な膜(21)が表面に
   形成された第１シリコンウェーハ(20)の前記膜(21)上に
   第２シリコンウェーハ(22)を貼り合わせる工程と、 前記第１シリコンウェーハ(20)を所定の厚さに研磨する
   工程と、 前記膜(21)をエッチストップ層として前記第１及び第２
   シリコンウェーハ(20,22)をエッチングすることにより
   前記膜(21)の上面に単結晶シリコン層(22a)からなる可
   動電極(26)と前記可動電極(26)の両側に単結晶シリコン
   層(22b,22c)からなる一対の固定電極(27,28)を形成し、
   前記膜(21)の下面に単結晶シリコンからなるスペーサ層
   (24)を形成する工程と、 前記可動電極(26)と前記固定電極(27,28)と前記スペー
   サ層(24)が形成された構造体(25)を前記可動電極(26)が
   前記検出電極(12)に対向しかつ前記スペーサ層(24)が前
   記ガラス基板(10)に対向するように前記ガラス基板(10)
   に接合する工程と、 前記膜(21)を選択的にエッチング除去することにより前
   記一対の固定電極(27,28)に挟まれて設けられた可動電
   極(26)を有する半導体慣性センサ(50)を得る工程とを含
   む半導体慣性センサの製造方法。
7. 【請求項７】 シリコンを浸食せずにエッチング可能な
   第１膜(21)が表面に形成された第１シリコンウェーハ(2
   0)の前記第１膜(21)上に第２シリコンウェーハ(22)を貼
   り合わせる工程と、 前記第１シリコンウェーハ(20)を所定の厚さに研磨する
   工程と、 シリコンを浸食せずにエッチング可能な第２膜(41)を前
   記第１及び第２シリコンウェーハ(20,22)の表面に形成
   する工程と、 前記第１シリコンウェーハ(20)上の前記第２膜(41)の所
   定の部分をエッチング除去する工程と、 前記第１シリコンウェーハ(20)の所定部分を前記第１膜
   (21)をエッチストップ層としてエッチング除去する工程
   と、 前記第１膜(21)及び前記第１シリコンウェーハ(20)上に
   残存する膜(41b,41c)をエッチング除去することにより
   前記第２シリコンウェーハ(22)の下面に前記膜(21b,21
   c)を介して単結晶シリコンからなるスペーサ層(24)を形
   成する工程と、 前記第２シリコンウェーハ(22)の上面の前記第２膜(41)
   をエッチストップ層として前記第２シリコンウェーハ(2
   2)をエッチングすることにより前記第２膜(41)の下面に
   単結晶シリコン層(22a)からなる可動電極(26)と前記可
   動電極(26)の両側に単結晶シリコン層(22b,22c)からな
   る一対の固定電極(27,28)を形成する工程と、 前記可動電極(26)と前記固定電極(27,28)と前記スペー
   サ層(24)が形成された構造体(25)を前記スペーサ層(24)
   がガラス基板(10)に対向するようにガラス基板(10)に接
   合する工程と、 前記第２膜(41)をエッチング除去することにより前記一
   対の固定電極(27,28)に挟まれて設けられた可動電極(2
   6)を有する半導体慣性センサ(60)を得る工程とを含む半
   導体慣性センサの製造方法。
8. 【請求項８】 ガラス基板(10)上に検出電極(12)を形成
   する工程と、 シリコンを浸食せずにエッチング可能な第１膜(21)が表
   面に形成された第１シリコンウェーハ(20)の前記第１膜
   (21)上に第２シリコンウェーハ(22)を貼り合わせる工程
   と、 前記第１シリコンウェーハ(20)を所定の厚さに研磨する
   工程と、 シリコンを浸食せずにエッチング可能な第２膜(41)を前
   記第１及び第２シリコンウェーハ(20,22)上の表面に形
   成する工程と、 前記第１シリコンウェーハ(20)上の前記第２膜(41)の所
   定の部分をエッチング除去する工程と、 前記第１シリコンウェーハ(20)の所定部分を前記第１膜
   (21)をエッチストップ層としてエッチング除去する工程
   と、 前記第１膜(21)及び前記第１シリコンウェーハ(20)上に
   残存する膜(41b,41c)をエッチング除去することにより
   前記第２シリコンウェーハ(22)の下面に前記膜(21b,21
   c)を介して単結晶シリコンからなるスペーサ層(24)を形
   成する工程と、 前記第２シリコンウェーハ(22)の上面の前記第２膜(41)
   をエッチストップ層として前記第２シリコンウェーハ(2
   2)をエッチングすることにより前記第２膜(41)の下面に
   単結晶シリコン層(22a)からなる可動電極(26)を形成す
   る工程と、 前記可動電極(26)と前記スペーサ層(24)が形成された構
   造体(25)を前記可動電極(26)が前記検出電極(12)に対向
   しかつ前記スペーサ層(24)が前記ガラス基板(10)に対向
   するように前記ガラス基板(10)に接合する工程と、 前記第２膜(41)をエッチング除去することにより前記検
   出電極(12)に対向して設けられた可動電極(26)を有する
   半導体慣性センサ(70)を得る工程とを含む半導体慣性セ
   ンサの製造方法。
9. 【請求項９】 ガラス基板(10)上に検出電極(12)を形成
   する工程と、 シリコンを浸食せずにエッチング可能な第１膜(21)が表
   面に形成された第１シリコンウェーハ(20)の前記第１膜
   (21)上に第２シリコンウェーハ(22)を貼り合わせる工程
   と、 前記第１シリコンウェーハ(20)を所定の厚さに研磨する
   工程と、 シリコンを浸食せずにエッチング可能な第２膜(41)を前
   記第１及び第２シリコンウェーハ(20,22)上の表面に形
   成する工程と、 前記第１シリコンウェーハ(20)上の前記第２膜(41)の所
   定の部分をエッチング除去する工程と、 前記第１シリコンウェーハ(20)の所定部分を前記第１膜
   (21)をエッチストップ層としてエッチング除去する工程
   と、 前記第１膜(21)及び前記第１シリコンウェーハ(20)上に
   残存する膜(41b,41c)をエッチング除去することにより
   前記第２シリコンウェーハ(22)の下面に前記膜(21b,21
   c)を介して単結晶シリコンからなるスペーサ層(24)を形
   成する工程と、 前記第２シリコンウェーハ(22)の上面の前記第２膜(41)
   をエッチストップ層として前記第２シリコンウェーハ(2
   2)をエッチングすることにより前記第２膜(41)の下面に
   単結晶シリコン層(22a)からなる可動電極(26)と前記可
   動電極(26)の両側に単結晶シリコン層(22b,22c)からな
   る一対の固定電極(27,28)を形成する工程と、 前記可動電極(26)と前記固定電極(27,28)と前記スペー
   サ層(24)が形成された構造体(25)を前記可動電極(26)が
   前記検出電極(12)に対向しかつ前記スペーサ層(24)が前
   記ガラス基板(10)に対向するように前記ガラス基板(10)
   に接合する工程と、 前記第２膜(41)をエッチング除去することにより前記一
   対の固定電極(27,28)に挟まれて設けられた可動電極(2
   6)を有する半導体慣性センサ(80)を得る工程とを含む半
   導体慣性センサの製造方法。