JPH09257564A - 赤外線検知素子の製造方法 - Google Patents
赤外線検知素子の製造方法Info
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- JPH09257564A JPH09257564A JP8071923A JP7192396A JPH09257564A JP H09257564 A JPH09257564 A JP H09257564A JP 8071923 A JP8071923 A JP 8071923A JP 7192396 A JP7192396 A JP 7192396A JP H09257564 A JPH09257564 A JP H09257564A
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- film
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 貫通穴のアライメントを特に行う必要がなく
アライメント誤差（位置ずれ）も原理的に起きないとい
う優れた赤外線検知素子の製造方法を提供すること。 【解決手段】 金属板の代わりにシリコンなどの半導体
基板を用い、開口部の形成に異方性エッチングを用いる
ことでメンブレン（薄膜）形成と蒸着開口部の形成を自
己整合的に行うことで素子寸法が小さくなっても赤外線
吸収膜の位置精度を高く保つことが可能となる。本発明
によれば、赤外線検知素子が形成されているメンブレン
膜と基板を熱分離するために行う異方性エッチングによ
ってできる空洞Ａと裏面からのエッチングによってでき
る空洞Ｂとが接してできる貫通孔を形成し、この貫通孔
を通して赤外線吸収膜を裏面から蒸着する。空洞Ａは中
心部が最も深くなるために、必ず中心部に貫通孔が自己
整合的に形成される。この貫通孔を通して裏面から蒸着
を行うので赤外線吸収膜も空洞Ａの中心部に自己整合的
に形成される。
アライメント誤差（位置ずれ）も原理的に起きないとい
う優れた赤外線検知素子の製造方法を提供すること。 【解決手段】 金属板の代わりにシリコンなどの半導体
基板を用い、開口部の形成に異方性エッチングを用いる
ことでメンブレン（薄膜）形成と蒸着開口部の形成を自
己整合的に行うことで素子寸法が小さくなっても赤外線
吸収膜の位置精度を高く保つことが可能となる。本発明
によれば、赤外線検知素子が形成されているメンブレン
膜と基板を熱分離するために行う異方性エッチングによ
ってできる空洞Ａと裏面からのエッチングによってでき
る空洞Ｂとが接してできる貫通孔を形成し、この貫通孔
を通して赤外線吸収膜を裏面から蒸着する。空洞Ａは中
心部が最も深くなるために、必ず中心部に貫通孔が自己
整合的に形成される。この貫通孔を通して裏面から蒸着
を行うので赤外線吸収膜も空洞Ａの中心部に自己整合的
に形成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は赤外線検知素子の製
造方法に関する。
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の赤外線検知素子の製造方法として
は、例えば特開昭６１−７７７２８号公報または特開昭
６１−７７７２９号公報に示すようなものがある。
は、例えば特開昭６１−７７７２８号公報または特開昭
６１−７７７２９号公報に示すようなものがある。
【０００３】図５に示すように、この従来例では、基板
薄膜１０２表側に金属薄膜１０３，１０４と支持台１０
１を設け、裏側に座ぐり１１１及び開口部１１２を設け
た支持基板１１０を張り付け、この開口部１１２を通し
て基板薄膜１０２の裏側に赤外線吸収層１０７を蒸着す
ることによって、赤外線吸収膜をパターン化する必要が
なくなり工程数の削減になるとともにパターン化が難し
い赤外線吸収物質（例えば、金黒）を用いることが可能
となる。
薄膜１０２表側に金属薄膜１０３，１０４と支持台１０
１を設け、裏側に座ぐり１１１及び開口部１１２を設け
た支持基板１１０を張り付け、この開口部１１２を通し
て基板薄膜１０２の裏側に赤外線吸収層１０７を蒸着す
ることによって、赤外線吸収膜をパターン化する必要が
なくなり工程数の削減になるとともにパターン化が難し
い赤外線吸収物質（例えば、金黒）を用いることが可能
となる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】赤外線検知素子は基板
薄膜の表側、即ち支持台側に設けられている。この従来
例の熱電堆型素子は中心部の感温接合部の温度を上昇さ
せる必要があり、そのためには赤外線吸収層をこの感温
接合部近傍に形成することが是非とも必要である。しか
し、蒸着時のマスクになる金属板は基板薄膜裏側に設け
られるために可視光ではなく赤外光などでアライメント
するためどうしても誤差が生じる。この誤差は、赤外線
吸収膜が表側に設けられる場合に比べて非常に大きくな
るのが一般的である。金属板の開口部は基板薄膜から離
れていることが被写界深度の点で正確なアライメントを
さらに困難にしている。
薄膜の表側、即ち支持台側に設けられている。この従来
例の熱電堆型素子は中心部の感温接合部の温度を上昇さ
せる必要があり、そのためには赤外線吸収層をこの感温
接合部近傍に形成することが是非とも必要である。しか
し、蒸着時のマスクになる金属板は基板薄膜裏側に設け
られるために可視光ではなく赤外光などでアライメント
するためどうしても誤差が生じる。この誤差は、赤外線
吸収膜が表側に設けられる場合に比べて非常に大きくな
るのが一般的である。金属板の開口部は基板薄膜から離
れていることが被写界深度の点で正確なアライメントを
さらに困難にしている。
【０００５】このようなアライメント上の問題点は素子
寸法が小さくなるほど深刻になり、アレイ素子では各要
素を正確にアライメントすることが一層困難になる。
寸法が小さくなるほど深刻になり、アレイ素子では各要
素を正確にアライメントすることが一層困難になる。
【０００６】本発明は、このような従来技術の問題点に
鑑み、貫通穴のアライメントを特に行う必要がなくアラ
イメント誤差（位置ずれ）も原理的に起きないという優
れた赤外線検知素子の製造方法を提供することを目的と
する。
鑑み、貫通穴のアライメントを特に行う必要がなくアラ
イメント誤差（位置ずれ）も原理的に起きないという優
れた赤外線検知素子の製造方法を提供することを目的と
する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、金属板の代わりにシリコンなどの半導体基
板を用い、開口部の形成に異方性エッチングを用いるこ
とでメンブレン（薄膜）形成と蒸着開口部の形成を自己
整合的に行うことで素子寸法が小さくなっても赤外線吸
収膜の位置精度を高く保つことが可能となる。
するために、金属板の代わりにシリコンなどの半導体基
板を用い、開口部の形成に異方性エッチングを用いるこ
とでメンブレン（薄膜）形成と蒸着開口部の形成を自己
整合的に行うことで素子寸法が小さくなっても赤外線吸
収膜の位置精度を高く保つことが可能となる。
【０００８】本発明によれば、赤外線検知素子が形成さ
れているメンブレン膜と基板を熱分離するために行う異
方性エッチングによってできる空洞Ａと裏面からのエッ
チングによってできる空洞Ｂとが接してできる貫通孔を
形成し、この貫通孔を通して赤外線吸収膜を裏面から蒸
着する。空洞Ａは中心部が最も深くなるために、必ず中
心部に貫通孔が自己整合的に形成される。この貫通孔を
通して裏面から蒸着を行うので赤外線吸収膜も空洞Ａの
中心部に自己整合的に形成される。
れているメンブレン膜と基板を熱分離するために行う異
方性エッチングによってできる空洞Ａと裏面からのエッ
チングによってできる空洞Ｂとが接してできる貫通孔を
形成し、この貫通孔を通して赤外線吸収膜を裏面から蒸
着する。空洞Ａは中心部が最も深くなるために、必ず中
心部に貫通孔が自己整合的に形成される。この貫通孔を
通して裏面から蒸着を行うので赤外線吸収膜も空洞Ａの
中心部に自己整合的に形成される。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
の図面に基づいて詳細に説明する。
の図面に基づいて詳細に説明する。
【００１０】（第一の実施の形態）本発明の第一の実施
の形態を図１と図２に基づき説明する。図１には完成し
た素子構造（（ａ）平面図、（ｂ）断面図）、図２には
製造方法を示す。
の形態を図１と図２に基づき説明する。図１には完成し
た素子構造（（ａ）平面図、（ｂ）断面図）、図２には
製造方法を示す。
【００１１】まず、完成した素子構造から説明を行う。
図１において、赤外線検知素子としてｐ型ポリシリコン
７とｎ型ポリシリコン８からなるサーモパイルを用いた
例である。サーモパイルは熱電対を直列に接続して出力
信号値を増大させたものである。支持台などになる基板
は下部シリコン１と上部シリコン３と上下シリコン間の
酸化膜４からなる。上部シリコン３上には赤外線検知素
子を支えるメンブレン膜２が形成されている。このメン
ブレン膜２には、ＳｉＮなどの耐エッチング性を有する
材料を用いる。メンブレン膜２には所定のところに主開
口部１１があけられており、この開口部１１からの異方
性エッチングで空洞Ａ１２が形成されている。また、下
部シリコン１の表面（基板全体としては裏面になる）に
もＳｉＮなどの耐エッチング性を有する材料によって覆
われていて、副開口部１０が形成されている。この副開
口部１０は左側の素子イ２１と右側の素子ロ２２の両方
をカバーするように形成されている。さらに、この副開
口部１０からの異方性エッチングによって空洞Ｂ１３が
形成されている。また、基板から分離されているメンブ
レン膜２の中央の裏側には赤外線吸収膜９が形成されて
いる。
図１において、赤外線検知素子としてｐ型ポリシリコン
７とｎ型ポリシリコン８からなるサーモパイルを用いた
例である。サーモパイルは熱電対を直列に接続して出力
信号値を増大させたものである。支持台などになる基板
は下部シリコン１と上部シリコン３と上下シリコン間の
酸化膜４からなる。上部シリコン３上には赤外線検知素
子を支えるメンブレン膜２が形成されている。このメン
ブレン膜２には、ＳｉＮなどの耐エッチング性を有する
材料を用いる。メンブレン膜２には所定のところに主開
口部１１があけられており、この開口部１１からの異方
性エッチングで空洞Ａ１２が形成されている。また、下
部シリコン１の表面（基板全体としては裏面になる）に
もＳｉＮなどの耐エッチング性を有する材料によって覆
われていて、副開口部１０が形成されている。この副開
口部１０は左側の素子イ２１と右側の素子ロ２２の両方
をカバーするように形成されている。さらに、この副開
口部１０からの異方性エッチングによって空洞Ｂ１３が
形成されている。また、基板から分離されているメンブ
レン膜２の中央の裏側には赤外線吸収膜９が形成されて
いる。
【００１２】次に、図２に基づいて製造方法を説明す
る。
る。
【００１３】図２（ａ）においてシリコン中に酸化膜が
形成されている、いわゆるＳＯＩ基板を準備する。この
基板は、下部シリコン１、酸化膜４と上部シリコン３か
らなる。少なくとも上部シリコン３の面方位は（１０
０）である。この上部シリコン３の熱分離を行う部位に
は、特開平３−９４１２７号公報に示すごとき等方性を
示す、例えばポリシリコンなどがあらかじめ堆積されて
いる。
形成されている、いわゆるＳＯＩ基板を準備する。この
基板は、下部シリコン１、酸化膜４と上部シリコン３か
らなる。少なくとも上部シリコン３の面方位は（１０
０）である。この上部シリコン３の熱分離を行う部位に
は、特開平３−９４１２７号公報に示すごとき等方性を
示す、例えばポリシリコンなどがあらかじめ堆積されて
いる。
【００１４】図２（ｂ）において基板の両面に減圧ＣＶ
Ｄ法によってＳｉＮからなるメンブレン膜２を形成す
る。
Ｄ法によってＳｉＮからなるメンブレン膜２を形成す
る。
【００１５】図２（ｃ）において上部シリコン側のＳｉ
Ｎ上にポリシリコンを減圧ＣＶＤ法によって堆積させ、
パターン化を行う。さらに、所望のドーパントをイオン
注入法によってドープする。例えば、ｎ型ポリシリコン
８にはリンをｐ型ポリシリコン７にはボロンをドープす
る。さらに、伝導型の異なるポリシリコン同士を接続す
るためにＡｌ薄膜をスパッタ法などで堆積させパターン
化しサーモパイルを作り上げる。パターン形状は図１を
参照のこと。最後に、ＰＳＧなどの堆積酸化膜１８によ
ってこの後のプロセスからサーモパイルを保護する。
Ｎ上にポリシリコンを減圧ＣＶＤ法によって堆積させ、
パターン化を行う。さらに、所望のドーパントをイオン
注入法によってドープする。例えば、ｎ型ポリシリコン
８にはリンをｐ型ポリシリコン７にはボロンをドープす
る。さらに、伝導型の異なるポリシリコン同士を接続す
るためにＡｌ薄膜をスパッタ法などで堆積させパターン
化しサーモパイルを作り上げる。パターン形状は図１を
参照のこと。最後に、ＰＳＧなどの堆積酸化膜１８によ
ってこの後のプロセスからサーモパイルを保護する。
【００１６】図２（ｄ）において上部シリコン側のＳｉ
Ｎに主開口部をエッチングによって形成する。さらに、
ヒドラジンを用いた異方性エッチングによって空洞Ａ１
２を形成する。ヒドラジンは（１１１）面のエッチング
速度が（１００）面に比べて非常に遅いために矩形の開
口部をつくると（１１１）面で囲まれた四角錐の空洞が
形成される。このとき図２（ａ）で述べたポリシリコン
によって開口部だけではなく素子下の基板も除去され橋
状の構造が形成される。ただし、この工程ではエッチン
グ工程の途中で停止するので四角錐台状の空洞が形成さ
れる。
Ｎに主開口部をエッチングによって形成する。さらに、
ヒドラジンを用いた異方性エッチングによって空洞Ａ１
２を形成する。ヒドラジンは（１１１）面のエッチング
速度が（１００）面に比べて非常に遅いために矩形の開
口部をつくると（１１１）面で囲まれた四角錐の空洞が
形成される。このとき図２（ａ）で述べたポリシリコン
によって開口部だけではなく素子下の基板も除去され橋
状の構造が形成される。ただし、この工程ではエッチン
グ工程の途中で停止するので四角錐台状の空洞が形成さ
れる。
【００１７】図２（ｅ）において裏面のＳｉＮの所定の
場所に副開口部１０をエッチングによって形成する。次
に、ヒドラジンを用いた異方性エッチングによって空洞
Ｂ１３を形成する。その結果、上下のシリコンがなくな
り酸化膜だけになるところが現れてくる。
場所に副開口部１０をエッチングによって形成する。次
に、ヒドラジンを用いた異方性エッチングによって空洞
Ｂ１３を形成する。その結果、上下のシリコンがなくな
り酸化膜だけになるところが現れてくる。
【００１８】図２（ｆ）においてＢＨＦなどの酸化膜エ
ッチング液によって酸化膜を除去することによって貫通
孔が形成される。
ッチング液によって酸化膜を除去することによって貫通
孔が形成される。
【００１９】図２（ｇ）において裏面から真空蒸着法に
よって赤外線吸収膜９、例えば金黒や白金黒などを形成
する。高真空中では、気体の平均自由工程が非常に長く
なるために原料から蒸発した分子は直線的に飛散してい
き、メンブレン膜２の下部には前述の貫通孔を通った分
子のみ到達するので、貫通孔の形状が転写されて蒸着さ
れる。従って、上部シリコン３の厚さと開口部の形状に
よって赤外線吸収膜９の形状が一義的に決定されること
になる。従って、赤外線検知素子と赤外線吸収膜９の位
置精度は非常に向上することになる。又、真空蒸着法の
代わりにスパッタ法でも同様な効果が得られる。
よって赤外線吸収膜９、例えば金黒や白金黒などを形成
する。高真空中では、気体の平均自由工程が非常に長く
なるために原料から蒸発した分子は直線的に飛散してい
き、メンブレン膜２の下部には前述の貫通孔を通った分
子のみ到達するので、貫通孔の形状が転写されて蒸着さ
れる。従って、上部シリコン３の厚さと開口部の形状に
よって赤外線吸収膜９の形状が一義的に決定されること
になる。従って、赤外線検知素子と赤外線吸収膜９の位
置精度は非常に向上することになる。又、真空蒸着法の
代わりにスパッタ法でも同様な効果が得られる。
【００２０】（第二の実施の形態）第二の実施の形態を
図３と図４に示す。図３には完成した素子構造（（ａ）
平面図、（ｂ）断面図）、図４には製造方法を示す。
図３と図４に示す。図３には完成した素子構造（（ａ）
平面図、（ｂ）断面図）、図４には製造方法を示す。
【００２１】まず、完成した素子構造から説明を行う。
図３において、赤外線検知素子として抵抗体の抵抗値の
温度変化を利用したボロメータを用いたものである。感
温抵抗体３１としては、ポリシリコンなどの半導体のほ
かに金属薄膜も用いられる。支持台などになる基板はｐ
型下部シリコン１とｎ型上部シリコン３からなる。上部
シリコン３上には赤外線検知素子を支えるメンブレン膜
２が形成されている。このメンブレン膜２には、ＳｉＮ
などの耐エッチング性を有する材料を用いる。メンブレ
ン膜２には所定のところに主開口部１１があけられてお
り、この開口部からの異方性エッチングで空洞Ａ１２が
形成されている。また、下部シリコン１の表面（基板全
体としては裏面になる）にもＳｉＮなどの耐エッチング
性を有する材料によって覆われていて、副開口部１０が
形成されている。この副開口部１０は左側の素子イ２１
と右側の素子ロ２２の両方をカバーするように形成され
ている。さらに、この副開口部１０からの異方性エッチ
ングによって空洞Ｂ１３が形成されている。また、基板
から分離されているメンブレン膜２の中央の裏側には赤
外線吸収膜９が形成されている。
図３において、赤外線検知素子として抵抗体の抵抗値の
温度変化を利用したボロメータを用いたものである。感
温抵抗体３１としては、ポリシリコンなどの半導体のほ
かに金属薄膜も用いられる。支持台などになる基板はｐ
型下部シリコン１とｎ型上部シリコン３からなる。上部
シリコン３上には赤外線検知素子を支えるメンブレン膜
２が形成されている。このメンブレン膜２には、ＳｉＮ
などの耐エッチング性を有する材料を用いる。メンブレ
ン膜２には所定のところに主開口部１１があけられてお
り、この開口部からの異方性エッチングで空洞Ａ１２が
形成されている。また、下部シリコン１の表面（基板全
体としては裏面になる）にもＳｉＮなどの耐エッチング
性を有する材料によって覆われていて、副開口部１０が
形成されている。この副開口部１０は左側の素子イ２１
と右側の素子ロ２２の両方をカバーするように形成され
ている。さらに、この副開口部１０からの異方性エッチ
ングによって空洞Ｂ１３が形成されている。また、基板
から分離されているメンブレン膜２の中央の裏側には赤
外線吸収膜９が形成されている。
【００２２】次に、図４に基づいて製造方法を説明す
る。
る。
【００２３】図４（ａ）においてエピ層が形成されたシ
リコン基板を準備する。この基板は、下部シリコン１が
ｐ型、上部シリコン３がｎ型である。面方位は（１０
０）である。この上部シリコン３の熱分離を行う部位に
は特開平３−９４１２７号公報に示すごとき等方性を示
す、例えばポリシリコンなどがあらかじめ堆積されてい
る。
リコン基板を準備する。この基板は、下部シリコン１が
ｐ型、上部シリコン３がｎ型である。面方位は（１０
０）である。この上部シリコン３の熱分離を行う部位に
は特開平３−９４１２７号公報に示すごとき等方性を示
す、例えばポリシリコンなどがあらかじめ堆積されてい
る。
【００２４】図４（ｂ）において基板の両面に減圧ＣＶ
Ｄ法によってＳｉＮからなるメンブレン膜２を形成す
る。
Ｄ法によってＳｉＮからなるメンブレン膜２を形成す
る。
【００２５】図４（ｃ）において上部シリコン３側のＳ
ｉＮ上に感温抵抗体である金属薄膜を真空蒸着法などに
よって堆積させ、パターン化を行う。さらに、外部の導
線に接続するためにＡｌ薄膜をスパッタ法などで堆積さ
せパターン化する。最後に、ＰＳＧなどの堆積酸化膜１
８によってこの後のプロセスからサーモパイルを保護す
る。
ｉＮ上に感温抵抗体である金属薄膜を真空蒸着法などに
よって堆積させ、パターン化を行う。さらに、外部の導
線に接続するためにＡｌ薄膜をスパッタ法などで堆積さ
せパターン化する。最後に、ＰＳＧなどの堆積酸化膜１
８によってこの後のプロセスからサーモパイルを保護す
る。
【００２６】図４（ｄ）において上部シリコン側のＳｉ
Ｎに主開口部１１をエッチングによって形成する。さら
に、ヒドラジンによってシリコンの一部を除去する。こ
のとき図４（ａ）で述べたポリシリコンによって開口部
だけではなく素子下の基板も除去され橋状の構造が形成
される。
Ｎに主開口部１１をエッチングによって形成する。さら
に、ヒドラジンによってシリコンの一部を除去する。こ
のとき図４（ａ）で述べたポリシリコンによって開口部
だけではなく素子下の基板も除去され橋状の構造が形成
される。
【００２７】図４（ｅ）において裏面のＳｉＮの所定の
場所に副開口部１０をエッチングによって形成する。次
に、ｎ型の上部シリコン３に電極をとりつけ参照電極１
４に対してプラス電位に保ちつつエッチングを行う。い
わゆる電気化学エッチングを行う。この場合ｐ型の下部
シリコン１のみが溶解していくので図のような形状にな
る。
場所に副開口部１０をエッチングによって形成する。次
に、ｎ型の上部シリコン３に電極をとりつけ参照電極１
４に対してプラス電位に保ちつつエッチングを行う。い
わゆる電気化学エッチングを行う。この場合ｐ型の下部
シリコン１のみが溶解していくので図のような形状にな
る。
【００２８】図４（ｆ）において裏面からスプレーによ
って金黒粒子や黒い樹脂を含む溶液を塗布し乾燥するこ
とで赤外線吸収膜９を形成する。空気中で行うので真空
蒸着法に比べてパターン精度は劣るが簡便に貫通孔の形
状を転写できる。
って金黒粒子や黒い樹脂を含む溶液を塗布し乾燥するこ
とで赤外線吸収膜９を形成する。空気中で行うので真空
蒸着法に比べてパターン精度は劣るが簡便に貫通孔の形
状を転写できる。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば基
板としてシリコンなどの半導体基板を用いて、赤外線吸
収膜を基板から熱分離するために形成される空洞と裏面
とから形成される比較的大きな空洞とでできる貫通孔を
通して蒸着などの方法で裏面から形成することで、赤外
線吸収膜を自己整合的に形成することが可能となり、微
小な素子やアレイ素子においてもアライメントずれ等の
感度低下の要因を効果的に減少させる効果が得られる。
板としてシリコンなどの半導体基板を用いて、赤外線吸
収膜を基板から熱分離するために形成される空洞と裏面
とから形成される比較的大きな空洞とでできる貫通孔を
通して蒸着などの方法で裏面から形成することで、赤外
線吸収膜を自己整合的に形成することが可能となり、微
小な素子やアレイ素子においてもアライメントずれ等の
感度低下の要因を効果的に減少させる効果が得られる。
【図１】本発明の第一の実施の形態における完成した素
子構造を示した図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断
面図をそれぞれ示す。
子構造を示した図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断
面図をそれぞれ示す。
【図２】本発明の第一の実施の形態における赤外線検知
素子の製造方法を示す図である。
素子の製造方法を示す図である。
【図３】本発明の第二の実施の形態における完成した素
子構造を示した図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断
面図をそれぞれ示す。
子構造を示した図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断
面図をそれぞれ示す。
【図４】本発明の第二の実施の形態における赤外線検知
素子の製造方法を示す図である。
素子の製造方法を示す図である。
【図５】従来の赤外線検知素子構造を示したものであ
り、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図をそれぞれ示す。
り、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図をそれぞれ示す。
１ 下部シリコン ２ メンブレン膜 ３ 上部シリコン ４ 酸化膜 ５ 冷接点 ６ 温接点 ７ ｐ型ポリシリコン ８ ｎ型ポリシリコン ９ 赤外線吸収膜 １０ 副開口部 １１ 主開口部 １２ 空洞Ａ １３ 空洞Ｂ １４ 参照電極 １５ 対抗電極 １６ ポテンショスタット １７ エッチング槽 １８ 堆積酸化膜 １９ ポリシリコン犠牲槽 ２１ 素子Ａ ２２ 素子Ｂ ３０ 感温部 ３１ 感温抵抗体
Claims (5)
- 【請求項１】 主平面の面方位（１００）が半導体基板
にメンブレン膜を形成する工程と、 該メンブレンに主開口部を形成する工程と、 該主開口部からエッチングによって基板に空洞Ａを形成
し該メンブレン膜の一部を基板と分離する第一エッチン
グ工程と、 該半導体基板の裏面に耐エッチング性を有する保護膜を
形成する工程と、 該保護膜に副開口部を形成する工程と、 該副開口部からのエッチングによって基板に空洞Ｂを形
成し該主開口部からの基板除去部と接続する穴を形成す
る第二エッチング工程と、 該半導体基板の裏面から空洞Ａ及び空洞Ｂを通して物理
的または化学的堆積法によってメンブレン下部に赤外線
吸収膜を形成する工程とを有する赤外線検知素子の製造
方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の製造方法において、 前記半導体基板はシリコンで酸化膜を挟み込むいわゆる
ＳＯＩ基板で、 前記第一エッチング工程は主平面側のシリコンＣをエッ
チングする工程で、 前記第二エッチング工程は裏面側のシリコンＤ及び酸化
膜をエッチングする工程である赤外線検知素子の製造方
法。 - 【請求項３】 請求項１に記載の製造方法において、 前記半導体基板は主表面に近い側Ｅの伝導型と裏面に近
い側Ｆの伝導型が異なるいわゆるエピ基板で、 前記第一エッチング工程は面方位によってエッチング速
度が異なるいわゆる異方性エッチング工程で、 前記第二エッチング工程はＥの電位を溶液に比べて高く
することでＦのみをエッチングするいわゆる電気化学エ
ッチング工程である赤外線検知素子の製造方法 - 【請求項４】 請求項１に記載の製造方法において、 前記赤外線吸収膜を形成する工程は真空蒸着法またはス
パッタ法など物理的蒸着法による赤外線検知素子の製造
方法。 - 【請求項５】 請求項１に記載の製造方法において、 前記赤外線吸収膜を形成する工程はスプレー法である赤
外線検知素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8071923A JPH09257564A (ja) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | 赤外線検知素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8071923A JPH09257564A (ja) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | 赤外線検知素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09257564A true JPH09257564A (ja) | 1997-10-03 |
Family
ID=13474548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8071923A Pending JPH09257564A (ja) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | 赤外線検知素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09257564A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0935297A1 (en) * | 1998-02-06 | 1999-08-11 | Imra Europe S.A. | A peltier effect thermoelectric module |
| JP2002122497A (ja) * | 2000-10-13 | 2002-04-26 | Denso Corp | 薄膜センシング部を有する半導体装置及びその製造方法 |
| US6718824B2 (en) | 2000-12-20 | 2004-04-13 | Nippon Soken, Inc. | Semiconductor dynamic quantity detecting sensor and manufacturing method of the same |
| JP2013190239A (ja) * | 2012-03-12 | 2013-09-26 | Ricoh Co Ltd | 熱型赤外線センサー及びその製造方法 |
| JP2018179860A (ja) * | 2017-04-18 | 2018-11-15 | セイコーＮｐｃ株式会社 | 赤外線検出装置の製造方法 |
-
1996
- 1996-03-27 JP JP8071923A patent/JPH09257564A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0935297A1 (en) * | 1998-02-06 | 1999-08-11 | Imra Europe S.A. | A peltier effect thermoelectric module |
| JP2002122497A (ja) * | 2000-10-13 | 2002-04-26 | Denso Corp | 薄膜センシング部を有する半導体装置及びその製造方法 |
| US6718824B2 (en) | 2000-12-20 | 2004-04-13 | Nippon Soken, Inc. | Semiconductor dynamic quantity detecting sensor and manufacturing method of the same |
| JP2013190239A (ja) * | 2012-03-12 | 2013-09-26 | Ricoh Co Ltd | 熱型赤外線センサー及びその製造方法 |
| JP2018179860A (ja) * | 2017-04-18 | 2018-11-15 | セイコーＮｐｃ株式会社 | 赤外線検出装置の製造方法 |
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