JP2013190239A - 熱型赤外線センサー及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】熱型赤外線センサーは、空洞部7によって半導体基板5とは分離された赤外線吸収膜9と、赤外線吸収膜9の温度変化を検出する温度センサー11とを備えている。赤外線吸収膜9は半導体基板5側の面にサブ波長構造9aからなる赤外線反射防止構造を備えている。空洞部7は半導体基板5に形成された貫通穴によって形成されている。
【選択図】図1
Description
図19に示されるように、表面に四角錐様の凹凸201を配列したサブ波長の周期構造202を形成すると、凹凸201が形成される部材203と、周囲の媒質との中間の有効屈折率をもつ薄膜層が存在することと等価となり、この表面での反射が減少する。
このように、センサー部101の赤外線吸収膜105の裏面に選択的に反射防止構造を形成することはほぼ不可能であった。
(A)写真製版技術及びエッチング技術によって、熱型赤外線センサーのセンサー部の形成予定位置の上記半導体基板の表面にサブ波長構造形成用の凹部パターンを形成する工程、
(B)熱酸化処理を施して、上記半導体基板の表面に、上記凹部パターンから形成されたサブ波長構造をもつ酸化シリコン膜からなる上記赤外線吸収膜を形成する工程、
(C)上記赤外線吸収膜上に上記温度センサーを形成する工程、
(D)上記温度センサーの電位をとるために、層間絶縁膜、配線及び保護膜を形成する工程、
(E)写真製版技術及びエッチング技術によって、上記半導体基板の裏面側から上記赤外線吸収膜に到達するまで上記赤外線吸収膜の直下の部分の上記半導体基板を除去して、上記赤外線吸収膜の下に上記空洞部を形成する工程。
センサー部1は梁部3によってシリコン基板(半導体基板)5に対して中空状に支持されている。センサー部1下及び梁部3下の半導体基板5が除去されて空洞部7が形成されている。すなわち、空洞部7は半導体基板5に形成された貫通穴によって形成されている。
図4(A),(B)では、正四角錐の凹部パターン9bが格子状に配置されている。図5(A),(B)では、正四角錐台の凹部パターン9bが格子状に配置されている。図6(A),(B)では、底面が正方形の直方体の凹部パターン9bが千鳥状に配置されている。図7(A),(B)では、円錐の凹部パターン9bが千鳥状に配置されている。
(2)熱酸化処理を施して、シリコン基板5の表面に酸化シリコン膜19を形成する。酸化シリコン膜19とシリコン基板5の界面には、凹部パターン9bからサブ波長構造9aが形成される。この実施例では、センサー部1及び梁部3の酸化シリコン膜19は赤外線吸収膜9を構成する(図4(C)、図5(C)、図6(C)及び図7(C)も参照。)。
このように、空洞部7は結晶異方性ウェットエッチングによって形成されたものであってもよい。
(6)図9を参照して説明する。図3を参照して説明した上記工程(6)と同様にして、異方性ドライエッチング技術によって、センサー部1下、梁部3下及び開口部21下の支持基板23の部分を支持基板23の裏面側から赤外線吸収膜9に到達するまで除去する。これにより、空洞部7が形成される。なお、図8を参照して説明した結晶異方性ウェットエッチングによる空洞部7の形成工程をこの実施例に適用することもできる。
また、図13に示した実施例及び図13に示した実施例では、空洞部7は異方性ドライエッチングによって形成されているが、空洞部7は結晶異方性ウェットエッチングで形成されたものであってもよい。
この実施例は、温度センサーとしてサーモパイルを備えているので、より高い感度を得ることができる。
また、一般的には、サーモパイルの材料として、P型ポリシリコンとN型ポリシリコンの組み合わせや、ポリシリコンとアルミニウムの組み合わせが用いられるが、本発明の熱型赤外線センサーの温度センサーとしてのサーモパイルはこれらの材料の組み合わせに限定されない。
例えば、上記実施例では、単体の赤外線センサーの形状に関して説明したが、赤外線センサーを一次元アレイ状に形成した赤外線ラインセンサーや、二次元アレイ状に形成した赤外線二次元アレイセンサー、赤外線イメージセンサーにも本発明を適用可能である。
3 梁部
5 シリコン基板(半導体基板)
7 空洞部
9 赤外線吸収膜
9a サブ波長構造
9b サブ波長構造形成用の凹部パターン
11 温度センサー
13 配線
15 層間絶縁膜
17 保護膜
21 開口部
23 支持基板
25 BOX層
27 SOI基板
29 温度センサー
33 SOI基板の単結晶シリコン層
37 CMOS回路部
Claims (8)
- 空洞部によって半導体基板とは分離された赤外線吸収膜と、赤外線吸収膜の温度変化を検出する温度センサーとを備えた熱型赤外線センサーにおいて、
前記赤外線吸収膜は前記半導体基板側の面にサブ波長構造からなる赤外線反射防止構造を備え、
前記空洞部は前記半導体基板に形成された貫通穴によって形成されていることを特徴とする熱型赤外線センサー。 - 前記半導体基板は支持基板、BOX層、単結晶シリコン層がその順に積層されたSOI基板の前記支持基板であり、
前記赤外線吸収膜は前記BOX層によって形成されており、
前記温度センサーは前記単結晶シリコン層に形成されており、
前記空洞部は前記支持基板に形成された貫通穴によって形成されている請求項1に記載の熱型赤外線センサー。 - 前記温度センサーはPN接合ダイオードで形成されている請求項1又は2に記載の熱型赤外線センサー。
- 前記温度センサーは、P型ポリシリコンとN型ポリシリコンとで構成されるサーモパイルで形成されている請求項1に記載の熱型赤外線センサー。
- 前記半導体基板上に複数組の前記赤外線吸収膜及び前記温度センサーの組を備えている請求項1から4のいずれか一項に記載の熱型赤外線センサー。
- 前記半導体基板上にCMOS回路をさらに備えている請求項1から5のいずれか一項に記載の熱型赤外線センサー。
- 空洞部によって半導体基板とは分離された赤外線吸収膜と、赤外線吸収膜の温度変化を検出する温度センサーとを備えた熱型赤外線センサーの製造方法において、以下の工程(A)から(E)をその順に含む熱型赤外線センサーの製造方法。
(A)写真製版技術及びエッチング技術によって、熱型赤外線センサーのセンサー部の形成予定位置の前記半導体基板の表面にサブ波長構造形成用の凹部パターンを形成する工程、
(B)熱酸化処理を施して、前記半導体基板の表面に、前記凹部パターンから形成されたサブ波長構造をもつ酸化シリコン膜からなる前記赤外線吸収膜を形成する工程、
(C)前記赤外線吸収膜上に前記温度センサーを形成する工程、
(D)前記温度センサーの電位をとるために、層間絶縁膜、配線及び保護膜を形成する工程、
(E)写真製版技術及びエッチング技術によって、前記半導体基板の裏面側から前記赤外線吸収膜に到達するまで前記赤外線吸収膜の直下の部分の前記半導体基板を除去して、前記赤外線吸収膜の下に前記空洞部を形成する工程。 - 前記半導体基板はSOI基板の支持基板であり、
前記工程(B)における熱酸化処理は、前記支持基板表面に前記SOI基板のBOX層を形成する処理でもあり、
前記工程(B)と前記工程(C)との間に、前記BOX層の表面を研磨処理によって平坦化し、さらに前記BOX層上に単結晶シリコン層を貼り付けて前記SOI基板の単結晶シリコン層に形成する工程(B’)を含み、
前記工程(C)は前記工程(B’)で形成された単結晶シリコン層に前記温度センサーを形成する請求項7に記載の熱型赤外線センサーの製造方法。
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