JP5685980B2 - 熱型光検出器、熱型光検出装置及び電子機器 - Google Patents
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Description
図1は、赤外線検出装置を示す模式平面図である。図1に示すように、赤外線検出装置1は基板20を備えている。そして、基板20上に1セル分の熱型光検出器10Aが、格子状のマトリクス状に二次元配置されている。1セルは熱型光検出器10Aが載置された区画を示す。各熱型光検出器10Aは赤外線を検出するので、赤外線検出装置1は赤外線の分布を検出可能となっている。そして、赤外線検出装置1は熱(光)分布画像を提供することができる。
次に、熱型光検出器10Aの製造方法について図3に沿って説明する。図3は熱型光検出器の製造方法を説明するための模式図である。
まず、図3(a)に示すように、基板20の表面にマスク層(図示せず)を形成して、基板20を等方性エッチングする。シリコンの等方性エッチングは、フッ酸(HF)またはフッ酸(HF)と硝酸(HNO3)とを混ぜたフッ硝酸等のエッチング液を用いたウェットエッチングの他、ドライエッチングを用いることもできる。ドライエッチング方法として、エッチングチャンバー内に配置されたウエハーにエッチングガスXeF2を導入するものがある。このエッチングガスはプラズマ励起する必要がなく、ガスエッチングが可能である。例えば、特開2002−113700号公報に開示されている通り、XeF2は圧力5kPaのエッチング処理が可能である。また、XeF2は蒸気圧が4Torr程度で、蒸気圧以下にてエッチング可能であり、エッチングレートとしても3〜4μm/minが期待できる。この他、ICPエッチング(Inductive Coupled Plasma)を用いることもできる。例えばSF6とO2との混合ガスを用い、チャンバー内圧力を1〜100Paとし、RFパワー100W程度を供給する。以上の等方性エッチング工程により基板20に例えば半球状の第1凹部21が形成される。
次に、図3(b)に示すように、第1凹部21を有する基板20を加工して、第1凹部21よりも浅い第2凹部22(広義には凹部)を形成する。本実施形態では、この基板20の加工工程は、等方性エッチングされた基板のうち、第1凹部21が開口する平坦面20A(図3(a)参照)を平坦面20Bの位置まで削っている。この加工は例えばCMP(Chemical Mechanical Polishing)を用いることができる。これにより、例えば400μm程度の厚さの基板20から2μm程度の必要な深さの第2凹部22を有する厚さ100μm程度の基板20が形成される。尚、本実施形態では、第2凹部22の底面23は、基板20を等方性エッチングして得られる球面である。第1凹部21を有する基板20をさらに加工して得られた第2凹部22の底面23は、半球状のように不要な球面の多くが削られて第1凹部21よりも深さが浅くなり、必要な範囲が残った球面となる。
次に、図3(c)に示すように、基板20の平坦面20Bにスペーサー層60を形成し、さらに、基板20の表面側の全領域、つまり第2凹部22の底面23、平坦面20B及びスペーサー層60を覆って、下部保護膜72を形成する。スペーサー層60は、例えば基板20を熱酸化したSiO2等の絶縁膜等で形成することができる。下部保護膜72は、厚さ0.2μm程度のSiN膜またはSiO2膜等にて形成することができる。
次に、図3(d)に示すように、基板20上に犠牲層80、ポスト62を形成する。まず、下部保護膜72上に犠牲層80を形成する。下部保護膜72の材料として、犠牲層80のエッチング時のストップ膜として機能させるSiNを用いたとき、特定エッチャントに対してSiNに対するよりも選択比が高い犠牲層80の材料としては、例えばSiO2を用いることができる。尚、選択比はエッチングを行いたい膜とエッチングを行いたくない膜のエッチングレートの比を示す。
次に、図4(e)に示すように、犠牲層80上に支持部材40の元になる支持層40Aを形成する。支持層40Aは、例えば多結晶シリコンにて厚さが例えば1μm程度に形成される。尚、支持層40Aは犠牲層80の全面に形成され、この時点ではパターニングされていない。
次に、図4(f)に示すように、支持層40Aのうち搭載部材42に相当する領域に、熱型光検出素子30を形成する。本実施形態では、熱型光検出素子30は焦電型検出素子であるため、光吸収膜32とキャパシター34(焦電型検出素子)とが形成される。キャパシター34は、搭載部材42に相当する領域内に形成される。
次に、図4(g)に示すように、キャパシター34の側面と天面を覆って、例えば水素バリア膜36及び電気絶縁膜38をそれぞれ形成する。水素バリア膜36は例えばアルミナ(Al2O3)等のアルミニウム酸化物(AlOx)にてスパッタまたはCVD等にて形成される。電気絶縁膜38は、キャパシター34の第2電極34Bに接続される配線層46Aを形成するために、キャパシター34を電気的に絶縁している。図示していないが、水素バリア膜36と電気絶縁膜38の天面にはコンタクトホールが形成され、このコンタクトホールにプラグが埋め込み形成されると共に、電気絶縁膜38上に形成される配線層46Aがプラグに接続される。尚、配線層46A,46Bは、電気絶縁膜38を形成した後に形成しても良い。
次に、支持層40Aをパターニングして、搭載部材42と第1アーム44A及び第2アーム44Bを有する支持部材40を形成する。この工程は、支持層40Aの形成材料である例えばSiNを異方性エッチングすることで行なわれる。この異方性エッチングは、搭載部材42と第1アーム44A及び第2アーム44Bとなる領域をマスク層にて被覆して、例えばCF4と酸素との混合ガスに窒素や塩素を添加したエッチングガスや、フッ素と酸素との混合ガスに窒素を添加したエッチングガスを用いて実現できる(例えば特開平10−261616号公報参照)。
(1)本実施形態によれば、光吸収膜32にて吸収されなかった光を光反射曲面24で反射させ、支持部材40の光吸収部41に入射させることによって、効率よく光吸収膜に導いている。従って、熱型光検出器10Aの検出感度を高めることができる。
次に、実施形態2にかかる特徴的な熱型光検出器について図5及び図6を用いて説明する。尚、本実施形態において、上記実施形態1と同様の部材または部位については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
本実施形態が実施形態1と異なるところは、光吸収部41が多結晶シリコンに不純物が分散したドープ領域と不純物を含まない非ドープ領域とのパターンを有することである。
(1)本実施形態によれば、光吸収部41はドープ領域41Aと非ドープ領域41Bとのパターンを有する。ドープ領域41Aで光を吸収し発熱させて、非ドープ領域41Bにて熱をキャパシター34に伝えることが出来る。これによって、ドープ領域41Aで発生した熱が効率よくキャパシター34に伝わり、熱型光検出器10Bの検出感度を向上させることができる。
次に、実施形態3にかかる特徴的な熱型光検出器について図7〜図10を用いて説明する。尚、本実施形態において、上記実施形態1と同様の部材または部位については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
本実施形態が実施形態1と異なるところは、光反射曲面24の形状が異なる点にある。
点P(x,y)の軌跡は、点PからY軸に下ろした垂線とY軸との交点をRとした時、直角三角形FPRでのピタゴラスの定理から、次の通りとなる。
(y+f)2=x2+(f−y)2 …(1)
式(1)を変形すると、点P(x,y)の軌跡として、x,y座標(0,0)を頂点とする放物線は次の関数で与えられる。
y=x2/4f …(2)
そして、図8(b)に示すように、Y軸と平行に入射した光は、放物面に反射されて放物面の焦点Fに集まる性質がある。
本実施形態の製造方法を図9及び図10を用いて説明する。図9及び図10は赤外線検出器の製造方法を説明するための模式図である。本実施形態の製造方法は、第1実施形態の等方性エッチング工程及び基板の加工工程が実施形態1と異なる。他の工程は実施形態1と実質的に同一であり、説明を省略する。
(1)本実施形態によれば、光反射曲面25は球面、放物面、または球面よりも放物面に近づけた曲面となっている。放物面で反射した光は必ず一点である焦点を通過する。球面で反射した光も所定の点に近い場所を通過する。従って、光入射方向とは逆側から来る反射光を光吸収部41を通過させるように光反射曲面25を設置することができる。これによって、光吸収部41に吸収される光量を増大させて、入射光に基づく発熱量を増大させることで、熱型光検出器10Cの検出感度を向上させることができる。
次に、赤外線検出装置1を応用した1例である電子機器としてのサーモグラフィーを説明する。図11はサーモグラフィーの構成を示す概略斜視図である。図11に示すように電子機器としてのサーモグラフィー110は外装部111とレンズ部112とを備えている。そして、外装部111の内部に赤外線に感応する撮像部113を備えている。そして、撮像部113に赤外線検出装置1が用いられている。
(1)本実施形態によれば、サーモグラフィー110は、赤外線検出装置1を有している。この赤外線検出装置1は検出感度が高い為、サーモグラフィー110は感度良く光分布画像を出力することができる。
実施形態1では熱型光検出器10Aは焦電型であったが、ボロメーター型の熱型光検出器に適用できる。この場合にも、感度良く検出することができる。
実施形態1では熱型光検出器10Aは赤外線を検出するセンサーであったが、検出対象は赤外線に限らない。赤外線以外の波長帯域の光であっても良い。この場合にも、感度良く検出することができる。
実施形態4ではサーモグラフィー110に赤外線検出装置1を搭載した例を示した。赤外線検出装置1は、サーモグラフィーの他、車載用ナイトビジョンあるいは監視カメラ等の電子機器に搭載することができる。
Claims (4)
- 底面が光反射曲面となる凹部を有する基板と、
光吸収膜を含む熱型光検出素子と、
前記熱型光検出素子を支持する支持部材と、
を有し、
前記基板と前記支持部材との間には空洞部が設けられ、
前記支持部材の前記空洞部側の面の少なくとも一部には多結晶シリコンに不純物が分散した光吸収部を有し、
前記光吸収部は多結晶シリコンに不純物が分散したドープ領域と不純物を含まない非ドープ領域とのパターンを有し、
前記光反射曲面で反射する光が前記光吸収部を照射することを特徴とする熱型光検出器。 - 請求項1において、
前記光反射曲面は球面、放物面、または前記球面よりも前記放物面に近づけた曲面となっていることを特徴とする熱型光検出器。 - 請求項1または2に記載の熱型光検出器を格子状に二次元配置したことを特徴とする熱型光検出装置。
- 請求項3に記載の熱型光検出装置を有することを特徴とする電子機器。
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