CN103682076B - 一种甚长波热释电红外单元探测器 - Google Patents
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- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 37
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 33
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 9
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 5
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 3
- 230000005616 pyroelectricity Effects 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
本发明实施例公开了一种甚长波热释电红外单元探测器，包括吸收层和内部放大电路。该吸收层包括：钽酸锂晶片，该钽酸锂晶片包括底面和顶面；金属反射层，设置在钽酸锂晶片的底面上；第一金属吸收层，设置在钽酸锂晶片的顶面上；铁氧体层，设置在所述第一金属吸收层的顶面上；介质层，设置在铁氧体层的顶面上；第二金属吸收层，设置在介质层的顶面上。本发明的实施例中的甚长波热释电红外单元探测器中，金属吸收层与金属反射层以及钽酸锂晶片形成谐振腔对特定波段的红外光进行多次谐振吸收，同时介质层也可形成小的反射腔进行多次吸收，最大限度的提高了对入射光的吸收率。
Description
技术领域
本发明涉及热释电红外探测器技术领域，尤其是涉及一种甚长波热释电红外单元探测器。
背景技术
热释电材料是一种具有自发极化的电介质,它的自发极化强度随温度变化,可用热释电系数p来描述,p=dP/dT，其中P为极化强度，T为温度。在恒定温度下，材料的自发极化被体内的电荷和表面吸附电荷所中和。如果把热释电材料做成表面垂直于极化方向的平行薄片，当红外辐射入射到薄片表面时，薄片因吸收辐射而发生温度变化，引起极化强度的变化。而中和电荷由于材料的电阻率高跟不上这一变化，其结果是薄片的两表面之间出现瞬态电压。若有外电阻跨接在两表面之间，电荷就通过外电路释放出来。电流的大小除与热释电系数成正比外，还与薄片的温度变化率成正比，可用来测量入射辐射的强弱。
甚长波红外频段热释电红外单元探测器吸收层的吸收率是其重要性能参数之一，因此，如何提高热释电红外单元探测器的吸收率得到提高、从而提高热释电红外单元探测器的响应率和探测率，是本领域中的重要问题。
发明内容
本发明的目的之一是提供一种吸收率高的热释电红外单元探测器。
本发明公开的技术方案包括：
提供了一种甚长波热释电红外单元探测器，包括吸收层和内部放大电路，其特征在于，所述吸收层包括：钽酸锂晶片，所述钽酸锂晶片包括底面和顶面；金属反射层，所述金属反射层设置在所述钽酸锂晶片的底面上；第一金属吸收层，所述第一金属吸收层设置在所述钽酸锂晶片的顶面上；铁氧体层，所述铁氧体层设置在所述第一金属吸收层的顶面上；介质层，所述介质层设置在所述铁氧体层的顶面上；第二金属吸收层，所述第二金属吸收层设置在所述介质层的顶面上。
本发明一个实施例中，所述金属反射层为镍铬合金层。
本发明一个实施例中，所述钽酸锂晶片的厚度为20至30微米。
本发明一个实施例中，所述第一金属吸收层为镍铬合金层。
本发明一个实施例中，所述介质层为树脂层。
本发明一个实施例中，所述介质层为高分子聚合物层。
本发明一个实施例中，所述第二金属吸收层为镍铬合金层。
本发明的实施例中的甚长波热释电红外单元探测器中，金属吸收层与金属反射层以及钽酸锂晶片形成谐振腔对特定波段的红外光进行多次谐振吸收，同时介质层也可形成小的反射腔进行多次吸收，最大限度的提高了对入射光的吸收率。
附图说明
图1是本发明一个实施例的甚长波热释电红外单元探测器的吸收层的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合附图详细说明本发明的实施例的甚长波热释电红外单元探测器的结构。
本发明一个实施例中，一种甚长波热释电红外单元探测器可以包括吸收层和内部放大电路，并且还可以包括支架、管壳和窗口等元件。吸收层可以包括钽酸锂(LiTaO3)热释电材料(p的数量级为10-8C/K.cm2)的小薄片（即钽酸锂晶片）作为响应元。
本发明的实施例中，钽酸锂晶片上还设有用于吸收红外辐射的吸收层。
图1示出了本发明一个实施例的甚长波热释电红外单元探测器的吸收层的结构示意图，其中为了图的简洁，只示出了包括钽酸锂晶片的吸收层的结构，而省略了内部放大电路、支架、管壳、窗口等其它元件。
如图1所示，本发明一个实施例中，甚长波热释电红外单元探测器的吸收层包括：钽酸锂晶片50、金属反射层60、第一金属吸收层40、铁氧体层30、介质层20和第二金属吸收层10。
钽酸锂晶片50包括底面和顶面。金属反射层60设置在钽酸锂晶片50的底面上，第一金属吸收层40设置在钽酸锂晶片50的顶面上。
本发明的实施例中，钽酸锂晶片的厚度可以尽可能薄。例如，一个实施例中，钽酸锂晶片的厚度可以为20至30微米。
本发明的实施例中，第一金属吸收层40可以为镍铬合金层。第一金属吸收层40的厚度可以为5微米。
本发明的实施例中，金属反射层60可以为镍铬合金层。金属反射层的厚度可以为2微米。
铁氧体层30设置在第一金属吸收层40的顶面上。铁氧体层30可以是由铁的氧化物及其他配料烧结而成。吸收层中设置该铁氧体层30可以增强感应信号。
介质层20设置在铁氧体层30的顶面上。本发明的实施例中，该介质层20可以为树脂层或者适合的高分子聚合物层。
本发明的实施例中，介质层20和铁氧体层30的厚度可以为2微米。
第二金属吸收层10设置在介质层20的顶面上。本发明的实施例中，第二金属吸收层10可以为镍铬合金层。第二金属吸收层的厚度可以为5微米。
本发明的实施例中，钽酸锂晶片50、金属反射层60、第一金属吸收层40、铁氧体层30、介质层20和第二金属吸收层10形成了复合层结构。该复合层结构中，钽酸锂晶片50上的两个金属吸收层40、10与金属反射层60以及钽酸锂晶片50之间形成了谐振腔，可以对特定波段的红外光进行多次谐振吸收，同时介质层20也可形成小的反射腔进行多次吸收，因此，能最大限度提高探测器对于入射光的吸收，提高了吸收率。
本发明的实施例中，通过控制复合层结构中的钽酸锂晶片50、金属反射层60、第一金属吸收层40、铁氧体层30、介质层20和第二金属吸收层10的厚度，可以明显增加吸收层的吸收率。
本发明的甚长波热释电红外单元探测器，经检测该结构吸收层膜系对甚长波红外波段的吸收率≥90%。
以上通过具体的实施例对本发明进行了说明，但本发明并不限于这些具体的实施例。本领域技术人员应该明白，还可以对本发明做各种修改、等同替换、变化等等，这些变换只要未背离本发明的精神，都应在本发明的保护范围之内。此外，以上多处所述的“一个实施例”表示不同的实施例，当然也可以将其全部或部分结合在一个实施例中。
Claims (6)
1.一种甚长波热释电红外单元探测器，包括吸收层和内部放大电路，其特征在于，所述吸收层包括：
钽酸锂晶片，所述钽酸锂晶片包括底面和顶面，并且所述钽酸锂晶片的厚度为20至30微米；
金属反射层，所述金属反射层设置在所述钽酸锂晶片的底面上；
第一金属吸收层，所述第一金属吸收层设置在所述钽酸锂晶片的顶面上；
铁氧体层，所述铁氧体层设置在所述第一金属吸收层的顶面上；
介质层，所述介质层设置在所述铁氧体层的顶面上；
第二金属吸收层，所述第二金属吸收层设置在所述介质层的顶面上。
2.如权利要求1所述的甚长波热释电红外单元探测器，其特征在于：所述金属反射层为镍铬合金层。
3.如权利要求1所述的甚长波热释电红外单元探测器，其特征在于：所述第一金属吸收层为镍铬合金层。
4.如权利要求1所述的甚长波热释电红外单元探测器，其特征在于：所述介质层为树脂层。
5.如权利要求1所述的甚长波热释电红外单元探测器，其特征在于：所述介质层为高分子聚合物层。
6.如权利要求1所述的甚长波热释电红外单元探测器，其特征在于：所述第二金属吸收层为镍铬合金层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310694319.4A CN103682076B (zh) | 2013-12-18 | 2013-12-18 | 一种甚长波热释电红外单元探测器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310694319.4A CN103682076B (zh) | 2013-12-18 | 2013-12-18 | 一种甚长波热释电红外单元探测器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103682076A CN103682076A (zh) | 2014-03-26 |
| CN103682076B true CN103682076B (zh) | 2016-03-30 |
Family
ID=50318951
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310694319.4A Active CN103682076B (zh) | 2013-12-18 | 2013-12-18 | 一种甚长波热释电红外单元探测器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103682076B (zh) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9412927B2 (en) * | 2014-05-07 | 2016-08-09 | Maxim Integrated Products, Inc. | Formation of a thermopile sensor utilizing CMOS fabrication techniques |
| CN104465851B (zh) * | 2014-11-28 | 2017-01-11 | 电子科技大学 | 一种热释电红外探测器敏感单元及其制造方法 |
| CN105258806A (zh) * | 2015-11-02 | 2016-01-20 | 电子科技大学 | 热释电红外探测单元及制造方法及其热释电红外探测器 |
| CN105789428B (zh) * | 2016-05-05 | 2019-06-18 | 电子科技大学 | 一种复合吸收层热释电红外探测器 |
| CN105810773B (zh) * | 2016-05-05 | 2017-08-25 | 电子科技大学 | 一种谐振增强型热释电红外探测器 |
| CN106197688A (zh) * | 2016-06-29 | 2016-12-07 | 电子科技大学 | 一种热释电红外探测器 |
| CN106356445B (zh) * | 2016-10-28 | 2019-08-09 | 电子科技大学 | 一种热释电探测器吸收层表面金字塔阵列结构的制备方法 |
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| CN102393249A (zh) * | 2011-09-26 | 2012-03-28 | 中北大学 | 一种热释电红外探测器及其制备方法 |
| JP2012173191A (ja) * | 2011-02-23 | 2012-09-10 | Seiko Epson Corp | 熱型光検出器、熱型光検出装置及び電子機器 |
| CN103346250A (zh) * | 2013-07-05 | 2013-10-09 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 热释电薄膜红外焦平面探测器芯片及其制作方法 |
-
2013
- 2013-12-18 CN CN201310694319.4A patent/CN103682076B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103682076A (zh) | 2014-03-26 |
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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