CN110793648A - 一种气凝胶隔热结构宽波段红外探测器及其制备方法 - Google Patents
一种气凝胶隔热结构宽波段红外探测器及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110793648A CN110793648A CN201911093526.8A CN201911093526A CN110793648A CN 110793648 A CN110793648 A CN 110793648A CN 201911093526 A CN201911093526 A CN 201911093526A CN 110793648 A CN110793648 A CN 110793648A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- heat insulation
- film
- silicon dioxide
- insulation layer
- manganese
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000009413 insulation Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 239000004964 aerogel Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 22
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 77
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 38
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 33
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 32
- YQOXCVSNNFQMLM-UHFFFAOYSA-N [Mn].[Ni]=O.[Co] Chemical compound [Mn].[Ni]=O.[Co] YQOXCVSNNFQMLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 29
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 35
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 20
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 15
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 13
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 13
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 13
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 7
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 7
- 238000000224 chemical solution deposition Methods 0.000 claims description 5
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 claims description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- 239000004965 Silica aerogel Substances 0.000 abstract description 11
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 10
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 10
- 230000004044 response Effects 0.000 abstract description 9
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 abstract description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 52
- 239000000463 material Substances 0.000 description 23
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 238000005057 refrigeration Methods 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910018553 Ni—O Inorganic materials 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000007783 nanoporous material Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000001931 thermography Methods 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/20—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using resistors, thermistors or semiconductors sensitive to radiation, e.g. photoconductive devices
Abstract
本发明公开了一种气凝胶隔热结构宽波段红外探测器及其制备方法。探测器采用硅片作为衬底，易于与现代硅基微电子加工工艺兼容，采用二氧化硅气凝胶薄膜作为隔热层，采用具有宽波段响应特性的锰钴镍氧热敏电阻薄膜作为红外吸收层，器件不含传统的微桥隔热结构，工艺简单易操作，且不会形成响应波段较窄的谐振腔结构，可实现宽波段探测，获得更完整的目标红外热辐射信息。此外，二氧化硅气凝胶隔热层具有整体的支撑结构，增加了器件的整体强度，不存在传统的微桥结构可能面临的桥面坍塌的风险，提高了成品率，降低了制备成本。本发明器件及其制备方法工艺成熟，适用于单元、线列及面阵红外探测器。
Description
技术领域
本发明专利涉及红外探测器，具体是指一种基于气凝胶隔热结构的宽波段热敏电阻薄膜型非制冷红外探测器及其制备方法。
背景技术
非制冷红外探测器无需复杂的制冷系统，可在室温下工作，具有成本低的优点，在民用和军事领域都具有广阔的应用前景，例如可广泛用于红外热成像、防火报警、非接触测温、医疗诊断、产品生产监测、导弹预警和拦截等诸多方面。其中，热敏电阻型红外探测器是一类非常重要的非制冷红外探测器，基本原理是通过测量目标红外热辐射引起的热敏材料电阻的变化来实现对红外热辐射的探测。热敏电阻材料自身的性质特别是电阻温度系数(Temperature coefficient of resistance，TCR)和器件所采用的结构特别是隔热结构是决定热敏型探测器件性能的两方面主要因素。
与金属热敏材料相比，半导体热敏材料具有较高的TCR绝对值，是研制非制冷红外探测器的首选，其中氧化钒(VOx)、非晶硅(a-Si)等是常用的热敏电阻材料。虽然基于VOx、a-Si等传统热敏电阻半导体材料的非制冷红外探测器已有商业化应用，但在室温下这些材料的TCR绝对值相对偏低，比如室温下VOx和a-Si的TCR都约为-2％/K，限制了探测性能的提升。因此，需要进一步开发具有高TCR绝对值的新型热敏材料。传统的热敏型探测器通常采用微桥隔热结构，微桥一方面提供热敏电阻材料与衬底之间的热隔离，另一方面形成谐振腔，提升热敏材料对特定波段的吸收。通常，微桥的高度设计成1/4波长，比如针对室温物体探测(如300K，对应～10μm的辐射峰值波长)，需设计微桥高度约为2.5μm，探测器相应的光谱响应范围约为8～14μm，此即VOx、a-Si等传统非制冷红外探测器的探测响应波段。含微桥结构的探测器，其制备过程中采用的基本结构从下到上依次是衬底、牺牲层、支撑层、热敏薄膜吸收层、钝化层。其中，对于隔热微桥的制备工艺，常采用PECVD方法在热敏薄膜吸收层上沉积一层钝化层，保护吸收层，采用反应离子刻蚀的方法露出牺牲层。对于牺牲层的去除往往选用氧等离子体干法刻蚀。氧等离子体干法刻蚀，容易造成等离子体诱导损伤，且不易制作高深宽比的微桥结构。另外，需要指出的是，热敏电阻型红外探测器是利用热敏材料的电阻随温度发生变化的特性来探测红外辐射信号，热敏材料对红外辐射的吸收不具有波长选择性，因此仅从光谱吸收的角度讲，热敏材料具有全波段吸收特性，相比于传统的单波段成像(如8～14μm)，全波段成像(如1～50μm)可包含更多的目标红外热辐射信息。综上可见，微桥结构的使用，一方面会增加器件工艺的复杂性，为形成微桥，需要额外制备牺牲层、支撑层和钝化层，需要额外的刻蚀工艺，如果高度高的话，难度还会增加，存在桥面坍塌的风险，成品率会降低，进而增加制备成本；另一方面，由微桥结构所形成的谐振腔具有波长选择性，针对不同波段的探测需要设计不同高度的谐振腔与之匹配，器件一经完成将固定其响应波段到一个比较窄的范围，而实际的目标在全波段范围内都存在红外辐射，因此微桥结构的使用在一定程度上还会导致许多有用的目标红外辐射信息的丢失。
发明内容
基于上述已有技术存在的种种问题，本发明的目的是提出一种无传统微桥隔热结构的、具有宽波段响应特征的新型热敏电阻薄膜型非制冷红外探测器及其制备方法。
锰钴镍氧(Mn-Co-Ni-O，MCN)过渡金属氧化物是一种新型的热敏电阻半导体材料，我们实验室已分别采用化学溶液沉积方法(Chemical Solution Deposition，CSD)[见文献1]和磁控溅射方法[见文献2]制备出高质量的MCN薄膜。我们通过实验研究发现，室温下MCN薄膜的TCR约为-3％～-4％/K[见文献2，3]，优于常用的VOx、a-Si等热敏材料的TCR，且具有更佳的适合红外探测器应用的材料优值因子[见文献3]。同时，组成MCN材料的过渡金属锰、钴、镍和氧化物之间存在高的极化性，会与外部电磁波产生强耦合，使得MCN材料本身具有非常宽的光谱响应(0.2～50μm)[见文献4]。这些实验研究表明，MCN薄膜材料可应用于高性能的宽波段非制冷红外探测器的研制。此外，我们发明了一种二氧化硅气凝胶薄膜隔热材料[见文献5]，二氧化硅气凝胶薄膜是一种新型纳米多孔材料，室温(300K时)热导率可低达0.019～0.025W·m-1·K-1，比凝滞空气的热导率(0.026W·m-1·K-1)还要低。因此，如果采用二氧化硅气凝胶薄膜作为隔热层，MCN热敏电阻薄膜作为红外吸收层材料，可避免当器件采用微桥隔热结构时较窄的响应波段，充分发挥MCN材料宽波段吸收的优点，实现宽波段红外探测。
由此提出本发明的技术方案：采用二氧化硅气凝胶薄膜作为隔热层，采用MCN热敏电阻薄膜作为红外吸收层，实现高性能宽波段非制冷红外探测器的制备。
上述所涉及的文献如下：
1.Y.Hou,Z.M.Huang,Y.Q.Gao,Y.J.Ge,J.Wu,and J.H.Chu,Characterization ofMn1.56Co0.96Ni0.48O4 films for infrared detection,Appl.Phys.Lett.92(2008)202115；
2.J.Wu,Z.Huang,L.Jiang,Y.Gao,W.Zhou,and J.Chu,Flexible thermistorsMCNO films with low resistivity and high TCR deposited on flexible organicsheets by RF magnetron sputtering,Proc.SPIE 10403(2017)104030C；
3.C.OuYang,W.Zhou,J.Wu,Y.Hou,Y.Gao,and Z.Huang,Uncooled bolometerbased on Mn1.56Co0.96Ni0.48O4 thin films for infrared detection and thermalimaging,Appl.Phys.Lett.105(2014)022105；
4.Z.Huang,W.Zhou,C.Ouyang,J.Wu,F.Zhang,J.Huang,Y.Gao,and J.Chu,Highperformance of Mn-Co-Ni-O spinel nanofilms sputtered from acetateprecursors.Sci.Rep.5(2015)10899；
5.褚君浩，马建华，孟祥建，孙璟兰，王根水，二氧化硅气凝胶薄膜材料的制备方法，专利号：ZL 200310108722.0。
本发明的一种气凝胶隔热结构宽波段红外探测器的结构图如图1和图2所示，包括衬底1，隔热层2，保护层3，热敏电阻薄膜4和金属电极5，其特征在于：
所述的红外探测器自衬底1之上依次为隔热层2、保护层3、热敏电阻薄膜4和金属电极5；
所述的衬底1为硅衬底；
所述的隔热层2为二氧化硅气凝胶隔热层，厚度为2-5μm；
所述的保护层3为致密二氧化硅保护层，厚度50-150nm；
所述的热敏电阻薄膜4为锰钴镍氧热敏电阻薄膜，厚度为0.2-1μm；
所述的金属电极5为铬和金复合电极，厚度分别为30nm和150nm。
本发明的一种气凝胶隔热结构宽波段红外探测器的制备方法，其步骤如下：
§1在硅衬底上制备二氧化硅气凝胶隔热层，厚度为2-5μm；
采用的制备方法为溶胶—凝胶方法[见文献5]。
§2在二氧化硅气凝胶隔热层上制备致密二氧化硅保护层，厚度为50-150nm；
采用的制备方法为磁控溅射方法。
致密二氧化硅保护层的作用是保护二氧化硅气凝胶隔热层的纳米多孔结构，同时对二氧化硅气凝胶隔热层进行表面平整化处理，以利于后续材料的沉积。
§3在致密二氧化硅保护层上采用一定的制备方法制备锰钴镍氧热敏电阻薄膜，厚度为0.2-1μm；
所述的制备方法为化学溶液沉积方法[见文献1]或磁控溅射方法[见文献2]制备。
§4通过光刻、腐蚀、显影处理等光刻图形工艺，将锰钴镍氧热敏电阻薄膜制备成分立的锰钴镍氧薄膜探测元，探测元的面积根据器件设计要求而定；
§5通过光刻、腐蚀、显影处理等光刻图形工艺，采用一定的制备方法在锰钴镍氧薄膜探测元的两端制备铬和金复合电极，厚度分别为30nm和150nm，电极的面积根据器件设计要求而定；
所述的制备方法是磁控溅射方法或双离子束溅射方法。
铬和金复合电极的作用是与锰钴镍氧热敏电阻薄膜形成欧姆接触，并通过与读出电路相连接来输出信号。
本发明的最显著优点是：
1.采用硅片作为衬底，易于与现代硅基微电子加工工艺兼容，适用于单元、线列及面阵红外探测器。也可以直接采用含读出电路的硅片作为衬底，实现单片式集成探测器件，单片式集成有助于降低噪声、减小器件体积。
2.器件不含传统的微桥结构，一方面减少了微桥结构制备相关的步骤，简化了工艺流程；另一方面，不会形成响应波段较窄的谐振腔结构，可实现宽波段成像，有助于获得更完整的目标红外热辐射信息。
3.二氧化硅气凝胶隔热层具有整体的支撑结构，不存在传统的微桥结构可能面临的桥面坍塌的风险，增加了器件的整体强度，提高了成品率，进而降低了制备成本。
附图说明
图1为探测器的结构剖面图。
图2为探测器的结构俯视图。
图中标号：1为衬底，2为隔热层，3为保护层，4为热敏电阻薄膜，5为金属电极。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明的具体实施方式作进一步的详细说明：
实施例1：
1.在硅片上采用溶胶—凝胶方法制备二氧化硅气凝胶薄膜，厚度为2μm。
2.在二氧化硅气凝胶薄膜上采用磁控溅射方法制备二氧化硅薄膜，厚度为50nm。
3.在二氧化硅薄膜上采用化学溶液沉积方法制备锰钴镍氧热敏电阻薄膜，厚度为0.2μm。
4.通过光刻、腐蚀、显影处理等光刻图形工艺，将锰钴镍氧热敏电阻薄膜上制备成分立的锰钴镍氧薄膜探测元，探测元的面积30μm×30μm。
5.通过光刻、腐蚀、显影处理等光刻图形工艺，采用双离子束溅射方法在锰钴镍氧薄膜探测元的两端制备铬和金复合电极，厚度分别为30nm和150nm，电极的面积为30μm×10μm。
实施例2：
1.在硅片上采用溶胶—凝胶方法制备二氧化硅气凝胶薄膜，厚度为3μm。
2.在二氧化硅气凝胶薄膜上采用磁控溅射方法制备二氧化硅薄膜，厚度为100nm。
3.在二氧化硅薄膜上采用磁控溅射方法制备锰钴镍氧热敏电阻薄膜，厚度为0.6μm。
4.通过光刻、腐蚀、显影处理等光刻图形工艺，将锰钴镍氧热敏电阻薄膜上制备成分立的锰钴镍氧薄膜探测元，探测元的面积50μm×50μm。
5.通过光刻、腐蚀、显影处理等光刻图形工艺，采用双离子束溅射方法在锰钴镍氧薄膜探测元的两端制备铬和金复合电极，厚度分别为30nm和150nm，电极的面积为50μm×15μm。
实施例3：
1.在硅片上采用溶胶—凝胶方法制备二氧化硅气凝胶薄膜，厚度为5μm。
2.在二氧化硅气凝胶薄膜上采用磁控溅射方法制备二氧化硅薄膜，厚度为150nm。
3.在二氧化硅薄膜上采用磁控溅射方法制备锰钴镍氧热敏电阻薄膜，厚度为1μm。
4.通过光刻、腐蚀、显影处理等光刻图形工艺，将锰钴镍氧热敏电阻薄膜上制备成分立的锰钴镍氧薄膜探测元，探测元的面积75μm×75μm。
5.通过光刻、腐蚀、显影处理等光刻图形工艺，采用磁控溅射方法在锰钴镍氧薄膜探测元的两端制备铬和金复合电极，厚度分别为30nm和150nm，电极的面积为75μm×20μm。
Claims (2)
1.一种气凝胶隔热结构宽波段红外探测器，包括衬底(1)，隔热层(2)，保护层(3)，热敏电阻薄膜(4)，金属电极(5)；其特征在于：
所述的红外探测器自衬底(1)之上依次为隔热层(2)、保护层(3)、热敏薄膜(4)和金属电极(5)；
所述的衬底(1)为硅衬底；
所述的隔热层(2)为二氧化硅气凝胶隔热层，厚度为2-5μm；
所述的保护层(3)为致密二氧化硅保护层，厚度50-150nm；
所述的热敏电阻薄膜(4)为锰钴镍氧热敏电阻薄膜，厚度为0.2-1μm；
所述的金属电极(5)为铬和金复合电极，厚度分别为30nm和150nm。
2.一种制备如权利要求1所述的一种气凝胶隔热结构宽波段红外探测器的方法，其特征在于方法步骤如下：
1)在硅片上采用溶胶—凝胶方法制备二氧化硅气凝胶隔热层，厚度为2-5μm；
2)在二氧化硅气凝胶隔热层上采用磁控溅射方法制备致密二氧化硅保护层，厚度为50-150nm；
3)在致密二氧化硅保护层上采用化学溶液沉积方法或磁控溅射方法制备锰钴镍氧热敏电阻薄膜，厚度为0.2-1μm；；
4)通过光刻、腐蚀、显影处理等光刻图形工艺，将锰钴镍氧热敏电阻薄膜制备成分立的锰钴镍氧薄膜探测元，探测元的面积根据器件设计要求而定；
5)通过光刻、腐蚀、显影处理等光刻图形工艺，采用磁控溅射方法或双离子束溅射方法在锰钴镍氧薄膜探测元的两端制备铬和金复合电极，厚度分别为30nm和150nm，电极的面积根据器件设计要求而定。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911093526.8A CN110793648A (zh) | 2019-11-11 | 2019-11-11 | 一种气凝胶隔热结构宽波段红外探测器及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911093526.8A CN110793648A (zh) | 2019-11-11 | 2019-11-11 | 一种气凝胶隔热结构宽波段红外探测器及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110793648A true CN110793648A (zh) | 2020-02-14 |
Family
ID=69443846
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201911093526.8A Pending CN110793648A (zh) | 2019-11-11 | 2019-11-11 | 一种气凝胶隔热结构宽波段红外探测器及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110793648A (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114136453A (zh) * | 2021-08-09 | 2022-03-04 | 南方科技大学 | 红外探测芯片和红外探测器 |
| CN114314599A (zh) * | 2021-12-17 | 2022-04-12 | 浙大宁波理工学院 | 一种差异化疏水性气凝胶材料及其制备方法 |
| CN116332677A (zh) * | 2023-04-07 | 2023-06-27 | 昆山杜克大学 | 一种抑制热辐射的耐超高温陶瓷超材料及其制备方法 |
| RU2812235C1 (ru) * | 2023-02-21 | 2024-01-25 | Александр Сергеевич Соболев | Болометрический приемник с полимерным теплоизолятором |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1378070A (zh) * | 2002-04-16 | 2002-11-06 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 室温光学读出红外焦平面探测器 |
| CN103852171A (zh) * | 2014-01-17 | 2014-06-11 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种非制冷长波红外探测器用吸收层结构 |
| CN106044696A (zh) * | 2016-07-11 | 2016-10-26 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种微桥结构锰钴镍氧薄膜红外探测器及其制备方法 |
| CN109238475A (zh) * | 2018-08-20 | 2019-01-18 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 有弯曲支撑腿微桥结构的锰钴镍氧热敏电阻探测器及方法 |
| CN110265491A (zh) * | 2019-05-17 | 2019-09-20 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种硅介质超表面的非制冷红外窄带探测器及制备方法 |
| CN210862939U (zh) * | 2019-11-11 | 2020-06-26 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种气凝胶隔热结构宽波段红外探测器 |
-
2019
- 2019-11-11 CN CN201911093526.8A patent/CN110793648A/zh active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1378070A (zh) * | 2002-04-16 | 2002-11-06 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 室温光学读出红外焦平面探测器 |
| CN103852171A (zh) * | 2014-01-17 | 2014-06-11 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种非制冷长波红外探测器用吸收层结构 |
| CN106044696A (zh) * | 2016-07-11 | 2016-10-26 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种微桥结构锰钴镍氧薄膜红外探测器及其制备方法 |
| CN109238475A (zh) * | 2018-08-20 | 2019-01-18 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 有弯曲支撑腿微桥结构的锰钴镍氧热敏电阻探测器及方法 |
| CN110265491A (zh) * | 2019-05-17 | 2019-09-20 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种硅介质超表面的非制冷红外窄带探测器及制备方法 |
| CN210862939U (zh) * | 2019-11-11 | 2020-06-26 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种气凝胶隔热结构宽波段红外探测器 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 张雷博;侯云;周炜;黄志明;褚君浩: "锰钴镍氧薄膜热敏型多元红外探测器研制", 红外与毫米波学报, vol. 33, no. 4, 15 August 2014 (2014-08-15), pages 359 - 363 * |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114136453A (zh) * | 2021-08-09 | 2022-03-04 | 南方科技大学 | 红外探测芯片和红外探测器 |
| CN114314599A (zh) * | 2021-12-17 | 2022-04-12 | 浙大宁波理工学院 | 一种差异化疏水性气凝胶材料及其制备方法 |
| RU2812235C1 (ru) * | 2023-02-21 | 2024-01-25 | Александр Сергеевич Соболев | Болометрический приемник с полимерным теплоизолятором |
| CN116332677A (zh) * | 2023-04-07 | 2023-06-27 | 昆山杜克大学 | 一种抑制热辐射的耐超高温陶瓷超材料及其制备方法 |
| CN116332677B (zh) * | 2023-04-07 | 2023-11-03 | 昆山杜克大学 | 一种抑制热辐射的耐超高温陶瓷超材料及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN110793648A (zh) | 一种气凝胶隔热结构宽波段红外探测器及其制备方法 | |
| USRE36615E (en) | Use of vanadium oxide in microbolometer sensors | |
| EP2293034B1 (en) | Resistive material for bolometer, bolometer for infrared detector using the material, and method of manufacturing the bolometer | |
| CN106298827B (zh) | 一种非制冷红外焦平面探测器像元及其制备方法 | |
| CN103715307A (zh) | 一种非制冷红外探测器及其制备方法 | |
| KR20100069047A (ko) | 보완 흡수층을 갖는 볼로미터 구조체, 이를 이용한 적외선 감지용 픽셀 및 이의 제조 방법 | |
| JP2013152213A (ja) | テラヘルツ領域の電磁放射線のボロメータ検出器および同検出器を含む検出器アレイデバイス | |
| CN210862939U (zh) | 一种气凝胶隔热结构宽波段红外探测器 | |
| CN106340561A (zh) | 一种新型非制冷红外焦平面探测器像元及其制作方法 | |
| JP2015152597A (ja) | 温度測定要素を有するｍｉｍ構造体を備えた放射検出器 | |
| WO1988003319A1 (en) | Electric resistor equipped with thin film conductor and power detector | |
| CN103852171B (zh) | 一种非制冷长波红外探测器用吸收层结构 | |
| US9052231B2 (en) | Bolometric detector of an electromagnetic radiation in the terahertz range | |
| CN112834052A (zh) | 一种响应波段可选的非制冷红外探测器及其制备方法 | |
| EP0645001B1 (en) | Use of vanadium oxide in microbolometer sensors | |
| Zhou et al. | Graphene-based fully transparent thin film surface acoustic wave devices for sensing and lab-on-chip applications | |
| CN103035983A (zh) | 一种太赫兹辐射吸收层及其制备方法 | |
| US6576904B1 (en) | Transition edge detector technology for high performance IR focal plane arrays | |
| US10663350B1 (en) | Two-dimensional phononic metamaterial filter structure for ultra-low-background detectors | |
| CN203772418U (zh) | 非制冷长波红外探测器用吸收层结构 | |
| CN214334041U (zh) | 一种响应波段可选的非制冷红外探测器 | |
| CN214334040U (zh) | 一种柔性宽波段非制冷红外探测器 | |
| CN202956191U (zh) | 一种光谱平坦的探测器用吸收层 | |
| CN115172506B (zh) | 一种中红外探测器及其制备方法 | |
| KR100308638B1 (ko) | 밀리미터파감지장치및감지센서의제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |