CN106298827B - 一种非制冷红外焦平面探测器像元及其制备方法 - Google Patents
一种非制冷红外焦平面探测器像元及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106298827B CN106298827B CN201610866664.5A CN201610866664A CN106298827B CN 106298827 B CN106298827 B CN 106298827B CN 201610866664 A CN201610866664 A CN 201610866664A CN 106298827 B CN106298827 B CN 106298827B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- supporting
- metal electrode
- heat
- sensitive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000523 sample Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 498
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 97
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 85
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 85
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 61
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 61
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 22
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 claims abstract description 11
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 71
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 63
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 20
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 18
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 17
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 16
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 15
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 14
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 14
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 11
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 9
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 9
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 9
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 7
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 6
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 6
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 6
- 229910010037 TiAlN Inorganic materials 0.000 claims description 5
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 claims description 5
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000004380 ashing Methods 0.000 claims description 3
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims description 3
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 claims description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 3
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims description 2
- 239000003610 charcoal Substances 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 11
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 11
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 abstract description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 6
- 239000004575 stone Substances 0.000 abstract description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003978 SiClx Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005057 refrigeration Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000013475 authorization Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000000571 coke Substances 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- VUZPPFZMUPKLLV-UHFFFAOYSA-N methane;hydrate Chemical compound C.O VUZPPFZMUPKLLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000012806 monitoring device Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000005616 pyroelectricity Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
本发明公开了一种非制冷红外焦平面探测器像元及其制备方法，属于非制冷红外焦平面探测器领域技术领域。其自半导体衬底往上，依次包括三层结构，第一层的桥腿结构包括金属反射层、绝缘介质层、第一支撑层、第一支撑层保护层、第一金属电极层和第一氮化硅介质层；第二层的热转换结构包括第二支撑层、第二支撑层保护层、热敏层、热敏层保护层、第二金属电极层、第二氮化硅介质层；第三层的吸收层结构包括第三支撑层、吸收层和吸收层保护层。本发明还公开了上述新型非制冷红外焦平面探测器像元的制备方法。本发明的非制冷红外焦平面探测器像元，能显著提高红外辐射的吸收率，提升探测器的响应率，为制造更大阵列和更小像元的探测器打下基础。
Description
技术领域
本发明涉及一种非制冷红外焦平面探测器像元及其制备方法，属于非制冷红外焦平面探测器领域技术领域。
背景技术
随着像元尺寸逐步缩小，单个传感器所吸收的目标辐射能量显著减少。为了维持相对一致的传感器灵敏度，必须提升传感器的响应率。传感器的响应率取决于像元尺寸、传感器与衬底间的热导、传感器的光学吸收效率与热敏材料性能。在传统双层微桥结构中，第一层为细长桥腿构成的桥腿支撑结构，用以提升传感器与衬底间的热导。第二层包含氧化钒层，用以吸收目标红外辐射并转变为电学信号。当红外辐射入射到红外探测器像元时，除顶层对红外辐射有吸收外，底部桥腿对于入射的红外辐射也有部分吸收作用，但对于顶层温升贡献有限。随着像元尺寸的进一步缩小，需进一步提升顶层结构的吸收效率。
美国Raytheon曾申请专利(美国专利：US 6690014B1)。该专利采用的技术方案采用双层微桥结构，第一层为支撑桥腿，第二层为热敏层非晶硅薄膜。该结构虽然可以有效的探测红外辐射，但是当像元缩小时，热敏层的面积随之减小，从而导致吸收率会下降非常明显。所以该结构不利于制作高响应率的小像元探测器。此外，DRS专利(美国专利：US891161B2)采用类似Raytheon的结构，制作双层结构，第一层的热绝缘桥腿采用蛇形结构，第二层制作悬空探测器，两层结构与基底形成两个谐振腔。该结构同Raytheon专利的利弊相同。
非制冷红外探测技术是无需制冷系统对外界物体的红外辐射(IR)进行感知并转化成电信号经处理后在显示终端输出的技术，可广泛应用于国防、航天、医学、生产监控等众多领域。非制冷红外焦平面探测器由于其能够在室温状态下工作，并具有质量轻、体积小、寿命长、成本低、功率小、启动快及稳定性好等优点，满足了民用红外系统和部分军事红外系统对长波红外探测器的迫切需要，近几年来发展迅猛，正朝着高灵敏、宽谱段、高分辨率、低功耗、小型化和智能化的方向发展。非制冷红外探测器主要包括测辐射热计、热释电和热电堆探测器等，其中基于MEMS制造工艺的微测辐射热计(Micro-bolometer)红外探测器由于其响应速率高，制作工艺简单且与集成电路制造工艺兼容，具有较低的串音和较低的1/f噪声，较高的帧速，工作无需斩波器，便于大规模生产等优点，是非制冷红外探测器的主流技术之一。
微测辐射热计(Micro-bolometer)是基于具有热敏特性的材料在温度发生变化时电阻值发生相应的变化而制造的一种非致冷红外探测器。工作时对支撑在绝热结构上的热敏电阻两端施加固定的偏置电压或电流源，入射红外辐射引起的温度变化使得热敏电阻阻值减小，从而使电流、电压发生改变，并由读出电路(ROIC:Readout Integrated Circuits)读出电信号的变化。微测辐射热计的红外辐射探测过程，主要是通过悬空的微桥结构来完成的，所以微测辐射热计的结构制造是决定其性能的关键因素。传统结构为双层结构，底层桥腿，顶层热敏层，而对热敏层的温升贡献主要集中在顶层结构，底层的桥腿结构等其余结构的温升贡献都比较小，从而导致探测器的灵敏度比较低。
中国发明专利授权公告号为CN 103715307 B的《一种非制冷红外探测器及其制备方法》，公开了一种非制冷红外探测器的制备方法及其结构。该专利使用的单层微桥结构，桥腿和热敏层均在同一层。该结构在制作大尺寸像元时，可以有效的提升吸收率。但是随着像元尺寸的缩小，该结构将不能满足高吸收率探测器像元的需求。另外，由于该结构的谐振腔高度有限，能够检测到的红外波长范围有限，主要集中在8-14μm。
鉴于此，有必要开发一种新的非制冷红外焦平面探测器像元，以解决现有技术的不足。
发明内容
本发明的目的之一，是提供一种非制冷红外焦平面探测器像元的制备方法。本发明的制备方法简单，能够提高与集成电路的兼容性，从而可以实现规模化生产，降低生产成本。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下：一种非制冷红外焦平面探测器像元的制备方法，包括如下步骤：
步骤1：提供一包含读出电路的半导体衬底，在半导体衬底上沉积一金属层；并对金属层进行图形化，形成金属反射层图形和金属电极块；金属电极块与半导体衬底上的读出电路电连接；在完成图形化的金属层上沉积绝缘介质层；在绝缘介质层上沉积第一层牺牲层，并对第一牺牲层进行平坦化处理，在完成平坦化处理后的第一牺牲层上沉积SiO2薄膜作为第一支撑层；再在第一支撑层上沉积氮化硅薄膜作为第一支撑层保护层；
步骤2：在从所述第一支撑层保护层至所述半导体衬底方向上通过光刻和反应离子蚀刻的方法蚀刻第一通孔，第一通孔蚀刻终止于与读出电路电连接的金属电极块；
步骤3：在第一支撑层保护层上和第一通孔的底部沉积第一金属电极层，并对第一金属电极层进行图形化，形成金属连线和金属电极；在完成图形化处理后的第一金属电极层上沉积第一氮化硅介质层；然后自第一氮化硅介质层垂直向下，依次蚀刻第一氮化硅介质层、第一金属电极层、第一支撑层保护层和第一支撑层，蚀刻终止于所述第一牺牲层；形成桥腿结构；
步骤4：在桥腿结构上沉积第二牺牲层，并对第二牺牲层进行平坦化处理，在完成平坦化处理后的第二牺牲层上沉积SiO2薄膜作为第二支撑层；再在第二支撑层上沉积氮化硅薄膜作为第二支撑层保护层；在从所述第二支撑层保护层至所述第一金属电极层方向上通过光刻和反应离子蚀刻的方法蚀刻第二通孔，第二通孔蚀刻终止于与第一金属电极层；
步骤5：在第二支撑层保护层上沉积热敏层，并对热敏层进行图形化；
步骤6：在完成图形化处理后的热敏层上沉积氮化硅薄膜作为热敏层保护层，并对热敏层保护层进行图形化；在完成图形化处理后的热敏层保护层上通过光刻和反应离子蚀刻的方法，刻蚀掉热敏层上方的部分热敏层保护层，露出热敏层，形成接触孔；
步骤7：在第二支撑层保护层上、热敏保护层、接触孔和第二通孔的底部沉积第二金属电极层，并对第二金属电极层进行图形化；
步骤8：在完成图形化处理后的第二金属电极层上沉积第二氮化硅介质层，并对第二氮化硅介质层进行图形化；
步骤9：自完成图形化处理后的第二氮化硅介质层垂直向下，依次蚀刻第二氮化硅介质层、第二金属电极层、热敏层保护层、热敏层、第二支撑层保护层，蚀刻终止于第二牺牲层；形成包含微桥腿和热敏结构的热转换结构；
步骤10：在包含微桥腿和热敏结构的热转换结构上沉积第三牺牲层，并对第三牺牲层进行平坦化处理，在完成平坦化处理后的第三牺牲层上沉积SiO2薄膜作为第三支撑层；再在第三支撑层上沉积吸收层薄膜作为吸收层；再在吸收层上沉积氮化硅薄膜作为吸收层保护层，形成吸收层结构；
步骤11：自吸收保护层垂直向下，依次蚀刻吸收保护层、吸收层和第三支撑层，蚀刻终止于第三牺牲层；然后释放第一牺牲层、第二牺牲层和第三牺牲层，即得所述新型非制冷红外焦平面探测器像元。
在上述技术方案的基础上，本发明还可以做如下改进。
进一步，步骤1中，所述金属反射层厚度为0.05-0.40μm；所述绝缘介质层为氮化硅薄膜或者SiO2薄膜，所述绝缘介质层的厚度为0.02-0.30μm；所述第一牺牲层为非晶碳、非晶硅、聚酰亚胺中的一种；采用PECVD方法沉积SiO2薄膜作为第一支撑层；所述第一支撑层的厚度为0.05-0.30μm；采用PECVD方法沉积氮化硅薄膜作为第一支撑层保护层；所述第一支撑层保护层的厚度为0.05-0.30μm。
采用上述进一步的有益效果是：能够实现各层结构的稳定性与平整度。其中，金属反射层对特定波长(如8-14μm)的红外光的反射率在98％以上。
进一步，步骤3中，采用PVD方法沉积所述第一金属电极层，所述第一金属电极层为Ti薄膜、NiCr薄膜或TiN薄膜中的一种；所述第一金属电极层的厚度为采用PEVCD方法沉积所述第一氮化硅介质层；所述第一氮化硅介质层的厚度为
进一步，步骤4中，所述第二牺牲层为非晶碳、非晶硅、氧化硅、聚酰亚胺中的一种；所述第二牺牲层的厚度为0.5-3μm；采用PECVD方法沉积SiO2薄膜作为第二支撑层；所述第二支撑层的厚度为0.05-0.30μm；采用PECVD方法沉积氮化硅薄膜作为第二支撑层保护层；所述第二支撑层保护层的厚度为0.05-0.30μm。
进一步，步骤5中，采用离子束沉积或物理气相沉积的方法沉积所述热敏层；所述热敏层为VOx薄膜或非晶硅薄膜；所述热敏层的厚度为在沉积热敏层之前，先沉积一层V/V2O5/V薄膜作为过渡层，所述V/V2O5/V薄膜的厚度为
进一步，步骤6中，采用PECVD方法沉积氮化硅薄膜作为热敏保护层；所述热敏层保护层的厚度为蚀刻接触孔采用SF6、CHF3和O2，或CF4和O2作为蚀刻气体，采用终点监测设备进行蚀刻反应终点监控。
采用上述进一步的有益效果是：采用EPD监控蚀刻反应，能够有效的监控蚀刻进程，避免将电极全部蚀刻干净，防止刻穿热敏层。
进一步，步骤10中，所述第三牺牲层为非晶碳、非晶硅、氧化硅、聚酰亚胺中的一种；所述第三牺牲层的厚度为0.5-3μm；采用PECVD方法沉积SiO2薄膜作为第三支撑层；所述第三支撑层的厚度为0.05-0.30μm；所述吸收层薄膜的材料为石墨烯、碳纳米管、二氧化钛纳米管、氧化锌纳米管、氧化铝纳米管中的一种；所述吸收层保护层的厚度为0.05-0.30μm。
采用上述进一步的有益效果是：拓宽吸收谱段至短波红外，并且可以提升对于特定红外波段(如8-14μm)的吸收率。
进一步，步骤11中，采用去胶机、离子刻蚀机或等离子灰化机对所述第一牺牲层、第二牺牲层和第三牺牲层进行释放。
采用上述进一步的有益效果是：采用去胶机、离子刻蚀机或等离子灰化机释放非晶碳，可以释放地更完全，而且生成二氧化碳和水，不会污染环境。
进一步，步骤1、步骤4、步骤6、步骤10中，所述氮化硅薄膜的应力均为-50-100MPa。
采用上述进一步的有益效果是：氮化硅薄膜的压力为-50-100MPa，属于低应力。过大的张应力会使薄膜发生断裂,而过大的压应力则会使薄膜发生翘曲在上述低应力下。而本发明的氮化硅薄膜所采用的压力范围，可以有效地防止薄膜断裂或者翘曲。
本发明的目的之二，是提供一种非制冷红外焦平面探测器像元。本发明的非制冷红外焦平面探测器像元，能显著提高红外辐射的吸收率，提升探测器的响应率，为制造更大阵列和更小像元的探测器打下基础。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下：一种非制冷红外焦平面探测器像元，包括一包含读出电路的半导体衬底和一具有三层结构的探测器像元，所述探测器像元与所述半导体衬底的读出电路形成电连接，
所述探测器像元自半导体衬底往上，依次包括三层结构，其中，第一层为桥腿结构，第二层为热转换结构，第三层为吸收层结构；
第一层的桥腿结构包括金属反射层、绝缘介质层、第一支撑层、第一支撑层保护层、第一金属电极层和第一氮化硅介质层；
第二层的热转换结构包括第二支撑层、第二支撑层保护层、热敏层、热敏层保护层、第二金属电极层和第二氮化硅介质层；
第三层的吸收层结构包括第三支撑层、吸收层和吸收层保护层；
所述半导体衬底的读出电路上依次设置有金属反射层和绝缘介质层；
所述第一支撑层设置于所述绝缘介质层的上方；
所述第一支撑层上依次设置有所述第一支撑层保护层、第一金属电极层和第一氮化硅介质层；
所述第二支撑层设置于所述第一氮化硅介质层的上方；
所述第二支撑层上依次设置有所述第二支撑层保护层、热敏层、热敏层保护层、第二金属电极层和第二氮化硅介质层；
所述第三支撑层设置于所述第二氮化硅介质层的上方；
所述第三支撑层上依次设置有所述吸收层和吸收层保护层。
本发明中，第一层的桥腿结构为底层，采用密布细长桥腿的桥支撑结构，是用于实现传感器与衬底间的热绝缘。
第二层的热电转换结构还包含微桥腿和热敏结构，从而使整体结构的桥腿长度变长，可以使探测器的热绝缘性更好，从而可以减小环境温度的影响，减小热导，提升探测器的性能。
第三层的吸收层为顶层，采用亚波长吸收结构，可以有效拓宽红外吸收光谱范围，并增加8-14μm波段的吸收率，从而使与第三层结构相连的第二层热电转换结构的热响应更大。
在上述技术方案的基础上，本发明还可以做如下改进。
进一步，所述绝缘介质层为氮化硅薄膜；所述第一支撑层为SiO2薄膜；所述第一支撑层保护层为氮化硅薄膜；所述第二支撑层为SiO2薄膜；所述第二支撑层保护层为氮化硅薄膜；所述热敏层为VOx薄膜或非晶硅薄膜；所述热敏层保护层为氮化硅薄膜；所述第三支撑层为SiO2薄膜。
本发明的有益效果是：
1.本发明的非制冷红外焦平面探测器像元，采用三层结构，第二层的热转换结构分别处于第一层的桥腿结构和第三层的吸收层结构之间，从而在制作小像元的探测器时可以有效的提升填充因子。另外，该结构的探测器像元可以将探测范围从8-14μm扩展到更宽的亚波长波段。
2.本发明的非制冷红外焦平面探测器像元，可以实现热敏单元与衬底的热绝缘，从而减小环境温度变化对探测器输出的影响，增加了探测器的灵敏度。
3.本发明的非制冷红外焦平面探测器像元，能显著提高红外辐射的吸收率，拓宽红外吸收谱段，提升探测器的响应率，为制造更大阵列和更小像元的探测器打下基础。
4.本发明的方法能够与集成电路工艺兼容，便于大规模生产。
附图说明
图1为本发明的金属反射层、第一牺牲层、第一支撑层和第一支撑层保护层形成示意图。
图2为本发明的第一通孔形成示意图。
图3为本发明的第一金属电极层以及第一层的桥腿结构形成示意图。
图4为本发明的第二牺牲层、第二支撑层和第二支撑层保护层形成示意图。
图5为本发明的热敏层形成示意图。
图6为本发明的热敏层保护层和接触孔形成示意图。
图7为本发明的第二金属电极层形成示意图。
图8为本发明的第二氮化硅介质层形成示意图。
图9为本发明的第二层结构的热转换结构形成示意图。
图10为本发明的第三牺牲层和第三支撑层、吸收层、吸收层保护层形成示意图。
图11为本发明的三层微桥结构形成示意图。
图12为本发明的像元与现有技术的像元的吸收率对比曲线图。
附图中，各标号所代表的部件列表如下：
1、半导体衬底，2、金属反射层，3、金属电极块，4、绝缘介质层，51、第一牺牲层，52、第二牺牲层，53、第三牺牲层，6、第一支撑层，7、第一支撑层保护层，8、第一通孔，9、第一金属电极层，91、金属连线，92、金属电极，10、第一氮化硅介质层，11、第二支撑层，12、第二支撑层保护层，13、第二通孔，14、第二金属电极层，15、第二氮化硅介质层，16、接触孔，17、热敏层，18、热敏层保护层，19、第三支撑层，20、吸收层，21、吸收层保护层。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。
一种非制冷红外焦平面探测器像元的制备方法，包括如下步骤：
步骤1：如图1所示，提供一包含读出电路(图中未示出)的半导体衬底1，在半导体衬底1上沉积一金属层；并对金属层进行图形化，形成金属反射层2图形和金属电极块3，金属反射层2厚度为0.05-0.40μm；金属电极块3与半导体衬底1上的读出电路电连接；在完成图形化的金属层上沉积绝缘介质层4，绝缘介质层4为应力为-50-100MPa的氮化硅薄膜或者SiO2薄膜，绝缘介质层4的厚度为0.02-0.30μm；在绝缘介质层4上沉积第一牺牲层51，第一牺牲层51为非晶碳、非晶硅、聚酰亚胺中的一种，并对第一牺牲层51进行平坦化处理，在完成平坦化处理后的第一牺牲层51上采用PECVD方法沉积SiO2薄膜作为第一支撑层6；再在第一支撑层6上沉积应力为-50-100MPa的氮化硅薄膜作为第一支撑层保护层7，第一支撑层6的厚度为0.05-0.30μm。
步骤2：如图2所示，在从所述第一支撑层保护层7至所述半导体衬底1方向上通过光刻和反应离子蚀刻的方法蚀刻第一通孔8，第一通孔8蚀刻终止于与读出电路电连接的金属电极块3。
步骤3：如图3所示，在第一支撑层保护层7上和第一通孔8的底部采用PVD方法沉积第一金属电极层9，第一金属电极层9为Ti薄膜、NiCr薄膜或TiN薄膜中的一种，第一金属电极层9的厚度为并对第一金属电极层9进行图形化，形成金属连线91和金属电极92；在完成图形化处理后的第一金属电极层9上采用PEVCD方法沉积第一氮化硅介质层10，第一氮化硅介质层10的厚度为然后自第一氮化硅介质层10垂直向下，依次蚀刻第一氮化硅介质层10、第一金属电极层9、第一支撑层保护层7和第一支撑层6，蚀刻终止于所述第一牺牲层51；形成桥腿结构。
步骤4：如图4所示，在桥腿结构上沉积第二牺牲层52，第二牺牲层52为非晶碳、非晶硅、氧化硅、聚酰亚胺中的一种，第二牺牲层52的厚度为0.5-3μm，并对第二牺牲层52进行平坦化处理，在完成平坦化处理后的第二牺牲层52上采用PECVD方法沉积SiO2薄膜作为第二支撑层11，第二支撑层11的厚度为0.05-0.30μm；再在第二支撑层11上采用PECVD方法沉积应力为-50-100MPa的氮化硅薄膜作为第二支撑层保护层12，第二支撑层保护层12的厚度为0.05-0.30μm；在从所述第二支撑层保护层12至所述第一金属电极层9方向上通过光刻和反应离子蚀刻的方法蚀刻第二通孔13，第二通孔13蚀刻终止于与第一金属电极层9。
步骤5：如图5所示，在第二支撑层保护层12上，采用离子束沉积或物理气相沉积的方法沉积热敏层17，热敏层17为VOx薄膜或非晶硅薄膜；热敏层17的厚度为在沉积热敏层17之前，先沉积一层V/V2O5/V薄膜作为过渡层，V/V2O5/V薄膜的厚度为并对热敏层17进行图形化。
步骤6：如图6所示，在完成图形化处理后的热敏层17上，采用PECVD方法沉积应力为-50-100MPa的氮化硅薄膜作为热敏层保护层18，热敏层保护层18的厚度为并对热敏层保护层18进行图形化；在完成图形化处理后的热敏层保护层18上通过光刻和反应离子蚀刻的方法，刻蚀掉热敏层17上方的部分热敏层保护层18，露出热敏层17，形成接触孔16，蚀刻接触孔16采用SF6、CHF3和O2，或CF4和O2作为蚀刻气体；金属电极层厚度极薄，蚀刻过程中，采用终点监测设备进行蚀刻反应终点监控，以免将金属电极层蚀刻干净。
步骤7：如图7所示，在第二支撑层保护层12上、热敏保护层18、接触孔16和第二通孔13的底部，采用PVD方法沉积第二金属电极层14，第二金属电极层14为Ti薄膜、NiCr薄膜或TiN薄膜中的一种；第二金属电极层14的厚度为并对第二金属电极层14进行图形化。
步骤8：如图8所示，在完成图形化处理后的第二金属电极层14上，采用PEVCD方法沉积第二氮化硅介质层15，第二氮化硅介质层15的厚度为并对第二氮化硅介质层15进行图形化。
步骤9：如图9所示，自完成图形化处理后的第二氮化硅介质层15垂直向下，依次蚀刻第二氮化硅介质层15、第二金属电极层14、热敏层保护层18、热敏层17、第二支撑层保护层12，蚀刻终止于第二牺牲层52；形成包含微桥腿和热敏结构的热转换结构。
步骤10：如图10所示，在包含微桥腿和热敏结构的热转换结构上沉积第三牺牲层53，第三牺牲层53为非晶碳、非晶硅、氧化硅、聚酰亚胺中的一种；第三牺牲层53的厚度为0.5-3μm；并对第三牺牲层53进行平坦化处理，在完成平坦化处理后的第三牺牲层53上，采用PECVD方法沉积SiO2薄膜作为第三支撑层19；第三支撑层19的厚度为0.05-0.30μm；再在第三支撑层19上沉积吸收层薄膜作为吸收层20；再在吸收层20上沉积应力为-50-100MPa的氮化硅薄膜作为吸收层保护层21，吸收层薄膜的材料为石墨烯、碳纳米管、二氧化钛纳米管、氧化锌纳米管、氧化铝纳米管中的一种，吸收层保护层21的厚度为0.05-0.30μm，形成吸收层结构。
一种非制冷红外焦平面探测器像元，如图11所示，包括一包含读出电路的半导体衬底和一具有三层结构的探测器像元，所述探测器像元与所述半导体衬底的读出电路形成电连接，
所述探测器像元自半导体衬底1往上，依次包括三层结构，其中，第一层为桥腿结构，第二层为热转换结构，第三层为吸收层结构；
第一层的桥腿结构包括金属反射层2、绝缘介质层4、第一支撑层6、第一支撑层保护层7、第一金属电极层9和第一氮化硅介质层10；
第二层的热转换结构包括第二支撑层11、第二支撑层保护层12、热敏层17、热敏层保护层18、第二金属电极层14和第二氮化硅介质层15；
第三层的吸收层结构包括第三支撑层19、吸收层20和吸收层保护层21；
所述半导体衬底1的读出电路上依次设置有金属反射层2和绝缘介质层4；
所述第一支撑层6设置于所述绝缘介质层4的上方；
所述第一支撑层6上依次设置有所述第一支撑层保护层7、第一金属电极层9和第一氮化硅介质层10；
所述第二支撑层11设置于所述第一氮化硅介质层10的上方；
所述第二支撑层11上依次设置有所述第二支撑层保护层12、热敏层17、热敏层保护层18、第二金属电极层14和第二氮化硅介质层15；
所述第三支撑层19设置于所述第二氮化硅介质层15的上方；
所述第三支撑层19上依次设置有所述吸收层20和吸收层保护层21。
其中，所述绝缘介质层4为氮化硅薄膜；所述第一支撑层6为SiO2薄膜；所述第一支撑层保护层7为氮化硅薄膜；所述第二支撑层11为SiO2薄膜；所述第二支撑层保护层12为氮化硅薄膜；所述热敏层17为VOx薄膜或非晶硅薄膜；所述热敏层保护层18为氮化硅薄膜；所述第三支撑层19为SiO2薄膜。
将本发明的像元与现有技术的像元的吸收率做对比，如图12所示。本发明的像元结构在3-14μm的吸收率均在80％以上，8-14μm波段的吸收率更达到了90％以上。而现有技术的结构在3-5μm的吸收率非常低，只有15-40％，8-14μm的吸收率也只有80％左右。由此可见，本发明的非制冷红外焦平面探测器像元，能显著提高红外辐射的吸收率，拓宽红外吸收谱段，提升探测器的响应率，为制造更大阵列和更小像元的探测器打下基础。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种非制冷红外焦平面探测器像元的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1：提供一包含读出电路的半导体衬底(1)，在半导体衬底(1)上沉积一金属层；并对金属层进行图形化，形成金属反射层(2)图形和金属电极块(3)；金属电极块(3)与半导体衬底(1)上的读出电路电连接；在完成图形化的金属层上沉积绝缘介质层(4)；在绝缘介质层(4)上沉积第一层牺牲层(51)，并对第一牺牲层(51)进行平坦化处理，在完成平坦化处理后的第一牺牲层(51)上沉积SiO2薄膜作为第一支撑层(6)；再在第一支撑层(6)上沉积氮化硅薄膜作为第一支撑层保护层(7)；
步骤2：在从所述第一支撑层保护层(7)至所述半导体衬底(1)方向上通过光刻和反应离子蚀刻的方法蚀刻第一通孔(8)，第一通孔(8)蚀刻终止于与读出电路电连接的金属电极块(3)；
步骤3：在第一支撑层保护层(7)上和第一通孔(8)的底部沉积第一金属电极层(9)，并对第一金属电极层(9)进行图形化，形成金属连线(91)和金属电极(92)；在完成图形化处理后的第一金属电极层(9)上沉积第一氮化硅介质层(10)；然后自第一氮化硅介质层(10)垂直向下，依次蚀刻第一氮化硅介质层(10)、第一金属电极层(9)、第一支撑层保护层(7)和第一支撑层(6)，蚀刻终止于所述第一牺牲层(51)；形成桥腿结构；
步骤4：在桥腿结构上沉积第二牺牲层(52)，并对第二牺牲层(52)进行平坦化处理，在完成平坦化处理后的第二牺牲层(52)上沉积SiO2薄膜作为第二支撑层(11)；再在第二支撑层(11)上沉积氮化硅薄膜作为第二支撑层保护层(12)；在从所述第二支撑层保护层(12)至所述第一金属电极层(9)方向上通过光刻和反应离子蚀刻的方法蚀刻第二通孔(13)，第二通孔(13)蚀刻终止于与第一金属电极层(9)；
步骤5：在第二支撑层保护层(12)上沉积热敏层(17)，并对热敏层(17)进行图形化；
步骤6：在完成图形化处理后的热敏层(17)上沉积氮化硅薄膜作为热敏层保护层(18)，并对热敏层保护层(18)进行图形化；在完成图形化处理后的热敏层保护层(18)上通过光刻和反应离子蚀刻的方法，刻蚀掉热敏层(17)上方的部分热敏层保护层(18)，露出热敏层(17)，形成接触孔(16)；
步骤7：在第二支撑层保护层(12)上、热敏保护层(18)、接触孔(16)和第二通孔(13)的底部沉积第二金属电极层(14)，并对第二金属电极层(14)进行图形化；
步骤8：在完成图形化处理后的第二金属电极层(14)上沉积第二氮化硅介质层(15)，并对第二氮化硅介质层(15)进行图形化；
步骤9：自完成图形化处理后的第二氮化硅介质层(15)垂直向下，依次蚀刻第二氮化硅介质层(15)、第二金属电极层(14)、热敏层保护层(18)、热敏层(17)、第二支撑层保护层(12)，蚀刻终止于第二牺牲层(52)；形成包含微桥腿和热敏结构的热转换结构；
步骤10：在包含微桥腿和热敏结构的热转换结构上沉积第三牺牲层(53)，并对第三牺牲层(53)进行平坦化处理，在完成平坦化处理后的第三牺牲层(53)上沉积SiO2薄膜作为第三支撑层(19)；再在第三支撑层(19)上沉积吸收层薄膜作为吸收层(20)；再在吸收层(20)上沉积氮化硅薄膜作为吸收层保护层(21)，形成吸收层结构；
步骤11：自吸收保护层(21)垂直向下，依次蚀刻吸收保护层(21)、吸收层(20)和第三支撑层(19)，蚀刻终止于第三牺牲层(53)；然后释放第一牺牲层(51)、第二牺牲层(52)和第三牺牲层(53)，即得非制冷红外焦平面探测器像元。
2.根据权利要求1所述的一种非制冷红外焦平面探测器像元的制备方法，其特征在于，步骤1中，所述金属反射层(2)厚度为0.05-0.40μm；所述绝缘介质层(4)为氮化硅薄膜或者SiO2薄膜，所述绝缘介质层(4)的厚度为0.02-0.30μm；所述第一牺牲层(51)为非晶碳、非晶硅、聚酰亚胺中的一种；采用PECVD方法沉积SiO2薄膜作为第一支撑层(6)；所述第一支撑层(6)的厚度为0.05-0.30μm；采用PECVD方法沉积氮化硅薄膜作为第一支撑层保护层(7)；所述第一支撑层保护层(7)的厚度为0.05-0.30μm。
3.根据权利要求1所述的一种非制冷红外焦平面探测器像元的制备方法，其特征在于，步骤3中，采用PVD方法沉积所述第一金属电极层(9)，所述第一金属电极层(9)为Ti薄膜、NiCr薄膜或TiN薄膜中的一种；所述第一金属电极层(9)的厚度为采用PEVCD方法沉积所述第一氮化硅介质层(10)；所述第一氮化硅介质层(10)的厚度为
4.根据权利要求1所述的一种非制冷红外焦平面探测器像元的制备方法，其特征在于，步骤4中，所述第二牺牲层(52)为非晶碳、非晶硅、氧化硅、聚酰亚胺中的一种；所述第二牺牲层(52)的厚度为0.5-3μm；采用PECVD方法沉积SiO2薄膜作为第二支撑层(11)；所述第二支撑层(11)的厚度为0.05-0.30μm；采用PECVD方法沉积氮化硅薄膜作为第二支撑层保护层(12)；所述第二支撑层保护层(12)的厚度为0.05-0.30μm。
5.根据权利要求1所述的一种非制冷红外焦平面探测器像元的制备方法，其特征在于，步骤5中，采用离子束沉积或物理气相沉积的方法沉积所述热敏层(17)；所述热敏层(17)为VOx薄膜或非晶硅薄膜；所述热敏层(17)的厚度为在沉积热敏层(17)之前，先沉积一层V/V2O5/V薄膜作为过渡层，所述V/V2O5/V薄膜的厚度为步骤6中，采用PECVD方法沉积氮化硅薄膜作为热敏保护层(18)；所述热敏层保护层(18)的厚度为蚀刻接触孔采用SF6、CHF3和O2，或CF4和O2作为蚀刻气体，采用终点监测设备进行蚀刻反应终点监控。
6.根据权利要求1所述的一种非制冷红外焦平面探测器像元的制备方法，其特征在于，步骤7中，采用PVD方法沉积所述第二金属电极层(14)，所述第二金属电极层(14)为Ti薄膜、NiCr薄膜或TiN薄膜中的一种；所述第二金属电极层(14)的厚度为步骤8中，采用PEVCD方法沉积所述第二氮化硅介质层(15)；所述第二氮化硅介质层(15)的厚度为
7.根据权利要求1所述的一种非制冷红外焦平面探测器像元的制备方法，其特征在于，步骤10中，所述第三牺牲层(53)为非晶碳、非晶硅、氧化硅、聚酰亚胺中的一种；所述第三牺牲层(53)的厚度为0.5-3μm；采用PECVD方法沉积SiO2薄膜作为第三支撑层(19)；所述第三支撑层(19)的厚度为0.05-0.30μm；所述吸收层薄膜的材料为石墨烯、碳纳米管、二氧化钛纳米管、氧化锌纳米管、氧化铝纳米管中的一种；所述吸收层保护层(21)的厚度为0.05-0.30μm。
8.根据权利要求1所述的一种非制冷红外焦平面探测器像元的制备方法，其特征在于，步骤11中，采用去胶机、离子刻蚀机或等离子灰化机对所述第一牺牲层(51)、第二牺牲层(52)和第三牺牲层(53)进行释放。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610866664.5A CN106298827B (zh) | 2016-09-29 | 2016-09-29 | 一种非制冷红外焦平面探测器像元及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610866664.5A CN106298827B (zh) | 2016-09-29 | 2016-09-29 | 一种非制冷红外焦平面探测器像元及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106298827A CN106298827A (zh) | 2017-01-04 |
| CN106298827B true CN106298827B (zh) | 2018-07-31 |
Family
ID=57716636
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610866664.5A Active CN106298827B (zh) | 2016-09-29 | 2016-09-29 | 一种非制冷红外焦平面探测器像元及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106298827B (zh) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018058450A1 (zh) * | 2016-09-29 | 2018-04-05 | 烟台睿创微纳技术股份有限公司 | 一种非制冷红外焦平面探测器像元及其制备方法 |
| CN106800271B (zh) * | 2017-01-24 | 2018-06-26 | 烟台睿创微纳技术股份有限公司 | 一种非制冷红外焦平面探测器像素结构及其制备方法 |
| CN106672891A (zh) * | 2017-01-24 | 2017-05-17 | 烟台睿创微纳技术股份有限公司 | 一种双层非制冷红外探测器结构及其制备方法 |
| CN106629578B (zh) * | 2017-02-15 | 2019-07-12 | 浙江大立科技股份有限公司 | 具有微桥结构的红外探测器及其制造方法 |
| CN107150995B (zh) * | 2017-05-11 | 2019-04-30 | 烟台睿创微纳技术股份有限公司 | 一种偏振敏感型非制冷红外探测器及其制备方法 |
| CN107331674B (zh) * | 2017-06-26 | 2020-03-20 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种红外图像传感器及其制作方法 |
| CN108507685B (zh) * | 2018-03-13 | 2020-11-03 | 烟台睿创微纳技术股份有限公司 | 一种石墨烯探测器及其制备方法 |
| CN109309140B (zh) * | 2018-08-29 | 2021-01-05 | 北方广微科技有限公司 | 偏振非制冷红外焦平面探测器 |
| CN111455331B (zh) * | 2019-01-20 | 2022-03-04 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种金属掺杂非晶碳薄膜材料、其制备方法与应用 |
| CN113328001B (zh) * | 2021-02-01 | 2021-12-28 | 北京北方高业科技有限公司 | 红外探测器像素结构和红外探测器 |
| CN113659027B (zh) * | 2021-02-01 | 2022-07-22 | 北京北方高业科技有限公司 | 一种红外探测器及其制备方法 |
| CN113328000B (zh) * | 2021-02-01 | 2021-12-28 | 北京北方高业科技有限公司 | 红外探测器像素结构和红外探测器 |
| CN113720481B (zh) * | 2021-03-26 | 2022-05-24 | 北京北方高业科技有限公司 | 基于cmos工艺的红外探测器镜像像元和红外探测器 |
| CN114335203B (zh) * | 2022-03-15 | 2022-07-01 | 杭州海康微影传感科技有限公司 | 像元结构、红外探测器以及制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103715307A (zh) * | 2013-12-31 | 2014-04-09 | 烟台睿创微纳技术有限公司 | 一种非制冷红外探测器及其制备方法 |
| CN103759838A (zh) * | 2014-01-13 | 2014-04-30 | 浙江大立科技股份有限公司 | 微桥结构红外探测器及其制造方法 |
| CN105486412A (zh) * | 2015-12-31 | 2016-04-13 | 武汉高芯科技有限公司 | 一种具有重叠垂直桥腿的非制冷红外焦平面阵列探测器 |
-
2016
- 2016-09-29 CN CN201610866664.5A patent/CN106298827B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103715307A (zh) * | 2013-12-31 | 2014-04-09 | 烟台睿创微纳技术有限公司 | 一种非制冷红外探测器及其制备方法 |
| CN103759838A (zh) * | 2014-01-13 | 2014-04-30 | 浙江大立科技股份有限公司 | 微桥结构红外探测器及其制造方法 |
| CN105486412A (zh) * | 2015-12-31 | 2016-04-13 | 武汉高芯科技有限公司 | 一种具有重叠垂直桥腿的非制冷红外焦平面阵列探测器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN106298827A (zh) | 2017-01-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106298827B (zh) | 一种非制冷红外焦平面探测器像元及其制备方法 | |
| CN106340561A (zh) | 一种新型非制冷红外焦平面探测器像元及其制作方法 | |
| CN106352989B (zh) | 一种非制冷红外焦平面探测器微桥的制作方法和结构 | |
| CN103715307B (zh) | 一种非制冷红外探测器及其制备方法 | |
| US10825857B2 (en) | Pixel for uncooled infrared focal plane detector and preparation method therefor | |
| WO2012071820A1 (zh) | 红外探测器及其制作方法及多波段非制冷红外焦平面 | |
| CN106124066B (zh) | 一种高填充因子的微测热辐射计及制备方法 | |
| CN102951597B (zh) | 一种微桥结构红外探测器的制备方法和微桥结构 | |
| CN103708406B (zh) | 一种可隔离封装应力的谐振式红外探测器结构及制作方法 | |
| CN106784165B (zh) | 一种新型双层非制冷红外焦平面探测器像素结构及其制备方法 | |
| CN106082106B (zh) | 一种宽波段的非制冷红外探测器及其制备方法 | |
| CN106052883B (zh) | 三层微桥结构、三层非制冷微测辐射热计及其制备方法 | |
| CN106276781B (zh) | 一种微测辐射热计参考像元的制备方法和结构 | |
| JP2008241438A (ja) | ボロメータ型ＴＨｚ波検出器 | |
| CN103940518B (zh) | 一种低热导的太赫兹探测单元微桥结构及其制备方法 | |
| CN107150995B (zh) | 一种偏振敏感型非制冷红外探测器及其制备方法 | |
| CN105977335A (zh) | 短波光学热探测器及其焦平面阵列器件 | |
| CN110118604B (zh) | 基于混合谐振模式的宽光谱微测辐射热计及其制备方法 | |
| CN107253696B (zh) | 一种微测辐射热计的像元结构及其制备方法 | |
| CN202066596U (zh) | 红外探测器及多波段非制冷红外焦平面 | |
| CN106847950A (zh) | 离子注入制备氧化钛电极的红外探测器及其制备方法 | |
| CN107068780B (zh) | 氧化方法制备氧化钛热敏层的红外探测器及其制备方法 | |
| CN106800271B (zh) | 一种非制冷红外焦平面探测器像素结构及其制备方法 | |
| KR100539395B1 (ko) | 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서 | |
| CN106672891A (zh) | 一种双层非制冷红外探测器结构及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right | ||
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of invention: An uncooled infrared focal plane detector pixel and its preparation method Effective date of registration: 20211228 Granted publication date: 20180731 Pledgee: Yantai Branch of China Merchants Bank Co.,Ltd. Pledgor: YANTAI RAYTRON TECHNOLOGY Co.,Ltd. Registration number: Y2021980016546 |
|
| PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right |
Date of cancellation: 20230106 Granted publication date: 20180731 Pledgee: Yantai Branch of China Merchants Bank Co.,Ltd. Pledgor: YANTAI RAYTRON TECHNOLOGY Co.,Ltd. Registration number: Y2021980016546 |
|
| PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right | ||
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of invention: An uncooled infrared focal plane detector pixel and its preparation method Effective date of registration: 20230113 Granted publication date: 20180731 Pledgee: Yantai Branch of China Merchants Bank Co.,Ltd. Pledgor: YANTAI RAYTRON TECHNOLOGY Co.,Ltd. Registration number: Y2023980031039 |
|
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right | ||
| PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right |
Granted publication date: 20180731 Pledgee: Yantai Branch of China Merchants Bank Co.,Ltd. Pledgor: YANTAI RAYTRON TECHNOLOGY Co.,Ltd. Registration number: Y2023980031039 |
|
| PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right |