CN113720481B - 基于cmos工艺的红外探测器镜像像元和红外探测器 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 179
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims abstract description 165
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 title description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title description 7
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 title description 6
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 title description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 134
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 134
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 93
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 52
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 28
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 57
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 40
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 15
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 3
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 36
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 23
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 description 21
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 13
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 230000008859 change Effects 0.000 description 9
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 7
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 5
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 5
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MXOSECBTSFQUJS-UHFFFAOYSA-N [O-2].[Ti+4].[V+5] Chemical compound [O-2].[Ti+4].[V+5] MXOSECBTSFQUJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 2
- 239000003610 charcoal Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 229910000623 nickel–chromium alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021484 silicon-nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N titanium tungsten Chemical compound [Ti].[W] MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
Images
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/20—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using resistors, thermistors or semiconductors sensitive to radiation, e.g. photoconductive devices
- G01J5/22—Electrical features thereof
- G01J5/24—Use of specially adapted circuits, e.g. bridge circuits
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J2005/0077—Imaging
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Abstract
本公开涉及一种基于CMOS工艺的红外探测器镜像像元和红外探测器，该镜像像元包括：CMOS测量电路系统和CMOS红外传感结构均使用CMOS工艺制备，在CMOS测量电路系统上方直接制备CMOS红外传感结构；红外转换结构通过柱状结构和支撑底座与CMOS测量电路系统电连接；红外转换结构包括位于同层的吸收板和梁结构，吸收板将红外信号转换为电信号并通过梁结构与柱状结构电连接；吸收板包括临近或远离CMOS测量电路系统的一侧的金属结构，至少部分反射板位于金属结构的正投影内。通过本公开的技术方案，解决了传统MEMS工艺红外探测器的性能低，像素规模低，良率低等问题。
Description
技术领域
本公开涉及红外探测技术领域，尤其涉及一种基于CMOS工艺的红外探测器镜像像元和红外探测器。
背景技术
监控市场、车辅市场、家居市场、智能制造市场以及手机应用等领域都对非制冷高性能的芯片有着强烈的需求，且对芯片性能的好坏、性能的一致性以及产品的价格都有一定的要求，每年预计有亿颗以上芯片的潜在需求，而目前的工艺方案和架构无法满足市场需求。
目前红外探测器采用的是测量电路和红外传感结构结合的方式，测量电路采用CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，互补金属氧化物半导体)工艺制备，而红外传感结构采用MEMS(Micro-Electro-Mechanical System，微电子机械系统)工艺制备，导致存在如下问题：
(1)红外传感结构采用MEMS工艺制备，以聚酰亚胺作为牺牲层，与CMOS工艺不兼容。
(2)聚酰亚胺作为牺牲层，存在释放不干净影响探测器芯片真空度的问题，还会使后续薄膜生长温度受限制，不利于材料的选择。
(3)聚酰亚胺会造成谐振腔高度不一致，工作主波长难以保证。
(4)MEMS工艺制程的控制远差于CMOS工艺，芯片的性能一致性和探测性能都会受到制约。
(5)MEMS产能低，良率低，成本高，不能实现大规模批量生产。
(6)MEMS现有的工艺能力不足以支撑更高性能的探测器制备，更小的线宽以及更薄的膜厚，不利于实现芯片的小型化。
红外探测器的工作原理是吸收红外辐射信号，红外辐射信号的吸收引起温度的变化，温度变化引起自身电阻值的变化，通过测量电阻值的变化探测红外辐射信号的大小。红外探测器在工作过程中，可能会引入衬底噪声、背景噪声以及自热产生的噪声等，影响到红外探测器探测结果的准确性。
现有技术中，红外探测器中设置有镜像像元，通过镜像像元获取红外探测器的噪声信号，从而得到降噪后的探测信号，提高探测结果的准确性。但是，目前并没有公开能够获取噪声信号的像元结构。
发明内容
为了解决上述技术问题或者至少部分地解决上述技术问题，本公开提供了一种基于CMOS工艺的红外探测器镜像像元和红外探测器，通过本公开的技术方案，解决了传统MEMS工艺红外探测器的性能低，像素规模低，良率低等问题，提高了探测结果的准确性。
第一方面，本公开实施例提供了一种基于CMOS工艺的红外探测器镜像像元，包括：
CMOS测量电路系统和CMOS红外传感结构，所述CMOS测量电路系统和所述CMOS红外传感结构均使用CMOS工艺制备，在所述CMOS测量电路系统上方直接制备所述CMOS红外传感结构；
所述CMOS红外传感结构的CMOS制作工艺包括金属互连工艺、通孔工艺以及RDL工艺，所述CMOS红外传感结构包括至少两层金属互连层、至少两层介质层和多个互连通孔；
所述CMOS红外传感结构包括位于所述CMOS测量电路系统上的反射层、红外转换结构和多个柱状结构，所述柱状结构位于所述反射层和所述红外转换结构之间，所述反射层包括反射板和支撑底座，所述红外转换结构通过所述柱状结构和所述支撑底座与所述CMOS测量电路系统电连接；
所述红外转换结构包括位于同层的吸收板和多个梁结构，所述吸收板用于将红外信号转换为电信号并通过对应的所述梁结构与对应的所述柱状结构电连接；
所述吸收板包括临近或远离所述CMOS测量电路系统的一侧的金属结构，至少部分所述反射板位于所述金属结构的正投影区域内。
可选地，所述吸收板包括支撑层以及位于所述支撑层上的热敏层和电极层，所述金属结构位于所述支撑层临近所述CMOS测量电路系统的一侧。
可选地，所述吸收板包括支撑层、钝化层以及位于所述支撑层和所述钝化层之间的热敏层和电极层，所述金属结构位于所述钝化层远离所述CMOS测量电路系统的一侧。
可选地，所述金属结构与所述钝化层接触设置。
可选地，牺牲层用于使所述CMOS红外传感结构形成镂空结构，构成所述牺牲层的材料是氧化硅，采用气相氟化氢、四氟化碳和三氟甲烷中的至少一种对所述牺牲层进行腐蚀。
可选地，所述CMOS红外传感结构还包括对应所述柱状结构设置的图案化金属结构，所述图案化金属结构与所述金属结构同层制作；
所述图案化金属结构位于所述钝化层上，或者所述图案化金属结构贯穿所述钝化层、所述电极层和所述支撑层与所述柱状结构电连接。
可选地，所述金属结构通过对应所述柱状结构设置的支撑结构悬空设置于所述钝化层的上方。
可选地，所述支撑结构包括图案化介质结构，所述图案化介质结构位于所述钝化层上。
可选地，对应一个柱状结构的所述支撑结构包括图案化介质结构和图案化金属结构，所述图案化介质结构位于所述金属结构和对应的所述图案化金属结构之间，所述图案化金属结构贯穿所述钝化层、所述电极层和所述支撑层与对应的所述柱状结构电连接。
可选地，所述CMOS红外传感结构还包括位于所述反射层上的至少一层密闭释放隔绝层，所述密闭释放隔绝层用于在制作所述CMOS红外传感结构的刻蚀过程中，保护所述CMOS测量电路系统不受工艺影响，所述密闭释放隔绝层包覆所述柱状结构。
第二方面，本公开实施例提供了一种基于CMOS工艺的红外探测器，包括如第一方面提供的任一种基于CMOS工艺的红外探测器镜像像元。
本公开提供的技术方案与现有技术相比具有如下优点：
(1)通过红外转换结构包括位于同层的吸收板和多个梁结构，吸收板用于将红外信号转换为电信号并通过对应的梁结构与对应的柱状结构电连接；吸收板包括临近或远离CMOS测量电路系统的一侧的金属结构，至少部分反射板位于金属结构的正投影区域内，金属结构能够反射照射至吸收板的红外光，使得红外光无法透过吸收板入射至谐振腔，因此谐振腔内不会产生谐振光，此时，红外转换结构产生的电信号源于温度噪声，因此，通过镜像像元能够获取到红外探测器的噪声信号，据此能够获取更加准确的探测信号，从而提高探测结果的准确性。此外，通过将吸收板和梁结构设置于同一层，无需对吸收板和梁结构分别制作掩膜板，减少了制程数量，能够节省红外探测器的生产成本，提高生产效率。
(2)本发明实施例利用CMOS工艺实现了CMOS测量电路系统和CMOS红外传感结构在CMOS生产线上一体化制备，相较于MEMS工艺，CMOS不存在工艺兼容问题，解决了MEMS工艺面临的技术难点，采用CMOS工艺产线工艺制备红外探测器也可以减小运输成本，减少运输等问题造成的风险；红外探测器以氧化硅作为牺牲层，氧化硅与CMOS工艺完全兼容，制备工艺简单且易于控制，CMOS工艺也不会出现牺牲层聚酰亚胺释放不干净影响探测器芯片真空度的问题，且后续薄膜生长温度不受牺牲层材料的限制，可以实现牺牲层多层工艺设计，不受工艺限制，可以很容易地利用牺牲层实现平坦化，降低工艺难度和可能存在的风险；一体化CMOS工艺制备的红外探测器可实现芯片高良品率、低成本、高产能且大规模集成化生产的目标，为红外探测器提供更广阔的应用市场；基于CMOS工艺的红外探测器可以使红外探测器实现特征结构更小的尺寸和更薄的膜厚，使得红外探测器占空比更大、热导更低、热容更小，从而使得红外探测器的探测灵敏度更高、探测距离更远以及探测性能更好；基于CMOS工艺的红外探测器，可以使探测器像元尺寸更小，实现相同阵列像素下更小的芯片面积，更利于实现芯片小型化；基于CMOS工艺的红外探测器，工艺产线成熟，工艺控制精度更高，可以更好地达到设计要求，产品的一致性更好，更利于电路片调整性能，更利于产业化批量生产。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。
为了更清楚地说明本公开实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种基于CMOS工艺的红外探测器镜像像元的立体结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种基于CMOS工艺的红外探测器镜像像元的立体分解结构示意图；
图3为本发明实施例提供的另一种基于CMOS工艺的红外探测器镜像像元的立体分解结构示意图；
图4为本发明实施例提供的一种CMOS测量电路系统的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的又一种基于CMOS工艺的红外探测器镜像像元的立体分解结构示意图；
图6为本发明实施例提供的又一种基于CMOS工艺的红外探测器镜像像元的立体分解结构示意图；
图7为本发明实施例提供的另一种基于CMOS工艺的红外探测器镜像像元的立体结构示意图；
图8为本发明实施例提供的一种基于CMOS工艺的红外探测器镜像像元的膜层结构示意图；
图9为本发明实施例提供的另一种基于CMOS工艺的红外探测器镜像像元的膜层结构示意图；
图10本发明实施例提供的又一种基于CMOS工艺的红外探测器镜像像元的膜层结构示意图；
图11为本发明实施例提供的又一种基于CMOS工艺的红外探测器镜像像元的膜层结构示意图；
图12为本发明实施例提供的又一种基于CMOS工艺的红外探测器镜像像元的膜层结构示意图；
图13为本发明实施例提供的又一种基于CMOS工艺的红外探测器镜像像元的膜层结构示意图；
图14为本发明实施例提供的又一种基于CMOS工艺的红外探测器镜像像元的膜层结构示意图；
图15为本发明实施例提供的又一种基于CMOS工艺的红外探测器镜像像元的膜层结构示意图；
图16为本发明实施例提供的又一种基于CMOS工艺的红外探测器镜像像元的膜层结构示意图；
图17为本发明实施例提供的一种基于CMOS工艺的红外探测器的立体结构示意图。
具体实施方式
为了能够更清楚地理解本发明的上述目的、特征和优点，下面将对本发明的方案进行进一步描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但本发明还可以采用其他不同于在此描述的方式来实施；显然，说明书中的实施例只是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。
图1为本发明实施例提供的一种基于CMOS工艺的红外探测器镜像像元的立体结构示意图，图2为本发明实施例提供的一种基于CMOS工艺的红外探测器镜像像元的立体分解结构示意图，图3为本发明实施例提供的另一种基于CMOS工艺的红外探测器镜像像元的立体分解结构示意图，结合图1-图3所示，基于CMOS工艺的红外探测器镜像像元100包括CMOS测量电路系统101和CMOS红外传感结构102，CMOS测量电路系统101和CMOS红外传感结构102均使用CMOS工艺制备，在CMOS测量电路系统101上直接制备CMOS红外传感结构102。
具体地，CMOS红外传感结构102用于将外部红外信号转换为电信号并传输至CMOS测量电路系统101，CMOS测量电路系统101根据接收到的电信号反映出对应红外信号的温度信息，实现红外探测器的温度检测功能。设置CMOS测量电路系统101和CMOS红外传感结构102均使用CMOS工艺制备，在CMOS测量电路系统101上直接制备CMOS红外传感结构102，即先采用CMOS工艺制备CMOS测量电路系统101，再利用CMOS生产线以及该生产线兼容的各项工艺的参数，利用CMOS工艺连续制备CMOS红外传感结构102。
由此，本发明实施例利用CMOS工艺实现了CMOS测量电路系统101和CMOS红外传感结构102在CMOS生产线上一体化制备，相较于MEMS工艺，CMOS不存在工艺兼容问题，解决了MEMS工艺面临的技术难点，采用CMOS产线工艺制备红外探测器也可以减小运输成本，减少运输等问题造成的风险；红外探测器以氧化硅作为牺牲层，氧化硅与CMOS工艺完全兼容，制备工艺简单且易于控制，CMOS工艺也不会出现牺牲层聚酰亚胺释放不干净影响探测器芯片真空度的问题，且后续薄膜生长温度不受牺牲层材料的限制，可以实现牺牲层多层工艺设计，不受工艺限制，可以很容易地利用牺牲层实现平坦化，降低工艺难度和可能存在的风险；一体化CMOS工艺制备的红外探测器可实现芯片高良品率、低成本、高产能且大规模集成化生产的目标，为红外探测器提供更广阔的应用市场；基于CMOS工艺的红外探测器可以使红外探测器实现特征结构更小的尺寸和更薄的膜厚，使得红外探测器占空比更大、热导更低、热容更小，从而使得红外探测器的探测灵敏度更高、探测距离更远以及探测性能更好；基于CMOS工艺的红外探测器，可以使探测器像元尺寸更小，实现相同阵列像素下更小的芯片面积，更利于实现芯片小型化；基于CMOS工艺的红外探测器，工艺产线成熟，工艺控制精度更高，可以更好地达到设计要求，产品的一致性更好，更利于电路片调整性能，更利于产业化批量生产。
结合图1-图3，CMOS红外传感结构102包括位于CMOS测量电路系统101上的反射层110、红外转换结构120和多个柱状结构130，柱状结构130位于反射层110和红外转换结构120之间，反射层110包括反射板112和支撑底座111，红外转换结构120通过柱状结构130和支撑底座111与CMOS测量电路系统101电连接。
具体地，柱状结构130位于反射层110和红外转换结构120之间，用于在CMOS测量电路系统101上的牺牲层释放后支撑红外转换结构120，牺牲层位于反射层110与红外转换结构120之间，柱状结构130为金属结构，红外转换结构120经由红外信号转换出来的电信号经过对应的柱状结构130以及对应的支撑底座111传输至CMOS测量电路系统101，CMOS测量电路系统101处理电信号以反映出温度信息，实现红外探测器非接触式的红外温度检测。CMOS红外传感结构102通过不同的电极结构输出正电信号和接地电信号，正电信号和接地电信号通过不同的柱状结构130传输至与柱状结构130电连接的支撑底座111，图1-图3示例性地示意沿平行于CMOS测量电路系统101的方向，CMOS红外传感结构102包括四个柱状结构130，可以设置其中两个柱状结构130用于传输正电信号，另两个柱状结构130用于传输接地电信号，也可以设置CMOS红外传感结构102包括两个柱状结构130，分别传输正电信号和接地电信号。另外，反射层110包括反射板112和支撑底座111，反射层110的一部分用于充当柱状结构130与CMOS测量电路系统101电连接的电介质，即支撑底座111，反射板112则用于反射红外线至红外转换结构120，配合反射层110和红外转换结构120之间形成的谐振腔实现红外线的二次吸收，以提高红外探测器的红外吸收率，优化红外探测器的红外探测性能。
结合图2和图3，吸收板121包括临近或远离CMOS测量电路系统101的一侧的金属结构210，至少部分反射板112位于金属结构210的正投影区域内。
示例性地，如图2所示，吸收板121包括金属结构210，且金属结构210位于吸收板121临近CMOS测量电路系统101的一侧，至少部分反射板112位于金属结构210的正投影区域内，红外光照射至吸收板121后，被金属结构210反射，红外光不会透过吸收板进入谐振腔内，此时谐振腔内不会产生谐振光。
结合图1-图3红外转换结构120包括位于同层的吸收板121和多个梁结构122，吸收板121用于将红外信号转换为电信号并通过对应的梁结构122与对应的柱状结构130电连接。
如图1所示，每个梁结构122均与对应的柱状结构130电连接。吸收板121用于吸收目标物体的红外辐射能量，并将红外辐射能量转换为有效电信号，梁结构122通过柱状结构130将吸收板121产生的有效电信号传递至读出电路，同时梁结构122还是一种热传导的部件，用于散热。吸收板121还用于吸收温度噪声辐射的能量，并将温度噪声辐射的能量转换为噪声信号，梁结构122通过柱状结构130将吸收板121产生的噪声电信号传递至读出电路。由于反射层110与红外转换结构120之间不产生谐振光，吸收板121能够吸收的红外辐射能量很少，可以认为吸收板121对红外辐射信号不响应。此时，吸收板121产生的电信号源于CMOS测量电路系统101的热辐射和外部环境的热辐射等温度噪声，即吸收板121产生的信号为噪声信号，镜像像元产生的电信号即为噪声信号，因此，通过镜像像元能够获取到红外探测器的噪声信号。
红外探测器包括有效像元和镜像像元，有效像元和镜像像元均由于热辐射而发生阻值变化，镜像像元与有效像元受到同样的固定辐射时，镜像像元与有效像元的阻值相同，二者的温度系数也相同，二者在相同环境温度下的温度漂移量相同，两者的变化同步。由此可知，镜像像元与有效像元的区别在于镜像像元不响应红外辐射信号，而有效像元响应红外辐射信号，也就是说，有效像元产生的信号为红外辐射信号与噪声信号的叠加，对有效像元产生的信号进行降噪后，能够获取目标物的红外辐射信号，从而提高探测结果的准确性。
此外，通过将吸收板121和梁结构122设置于同一层，无需对吸收板121和梁结构122分别制作掩膜板，减少了制程数量，能够节省红外探测器的生产成本，提高生产效率。
综上所述，本发明实施例通过红外转换结构包括位于同层的吸收板和多个梁结构，吸收板用于将红外信号转换为电信号并通过对应的梁结构与对应的柱状结构电连接；吸收板包括临近或远离CMOS测量电路系统的一侧的金属结构，至少部分反射板位于金属结构的正投影区域内，金属结构能够反射照射至吸收板的红外光，使得红外光无法透过吸收板入射至谐振腔，因此谐振腔内不会产生谐振光，此时，红外转换结构产生的电信号源于温度噪声，因此，通过镜像像元能够获取到红外探测器的噪声信号，据此能够获取更加准确的探测信号，从而提高探测结果的准确性。此外，通过将吸收板和梁结构设置于同一层，无需对吸收板和梁结构分别制作掩膜板，减少了制程数量，能够节省红外探测器的生产成本，提高生产效率。
CMOS红外传感结构102的CMOS制作工艺包括金属互连工艺、通孔工艺以及RDL工艺，CMOS红外传感结构102包括至少两层金属互连层、至少两层介质层和多个互连通孔，介质层至少包括一层牺牲层和一层热敏感介质层，热敏感介质层至少包括热敏层，还可以包括支撑层和/或钝化层，金属互连层至少包括反射层110和电极层；其中，热敏感介质层包括电阻温度系数大于设定值的热敏材料，电阻温度系数例如可以大于等于0.015/K，电阻温度系数大于设定值的热敏材料构成热敏感介质层中的热敏层，热敏感介质层用于将其吸收的红外辐射对应的温度变化转化为电阻变化，进而通过CMOS测量电路系统101将红外目标信号转化成可实现电读出的信号。
具体地，金属互连工艺用于实现上下两层金属互连层的电连接，通孔工艺用于形成连接上下金属互连层的互连通孔，RDL工艺即重布线层工艺，具体是指在电路顶层金属的上方重新布一层金属且与电路顶层金属有钨柱电连接，采用RDL工艺可以在CMOS测量电路系统101的顶层金属上再制备红外探测器中的反射层110，反射层110上的支撑底座111与CMOS测量电路系统101的顶层金属电连接。另外，热敏感介质层包括电阻温度系数大于设定值的热敏材料，电阻温度系数例如可以大于等于0.015/K，有利于提高红外探测器的探测灵敏度。
需要说明的是，图2仅示例性展示了金属结构210位于吸收板临近CMOS测量电路系统101的一侧，在其他实施方式中，还可以是金属结构210位于吸收板远离CMOS测量电路系统101的一侧，如图3所示，当红外光照射至吸收板121后，同样能够被金属结构210反射，红外光不会透过吸收板进入谐振腔内，达到谐振腔内不产生谐振光的目的。
还需要说明的是，图1-图3仅示例性展示了红外转换结构120包括两个梁结构122，在实际应用中，对梁结构122的数量不作具体限制。
另外，结合图1-图3所示，与梁结构122对应的区域未设置金属结构210，如此，能够避免金属结构210对梁结构122的热导性能造成影响。
图4为本发明实施例提供的一种CMOS测量电路系统的结构示意图。结合图1至图3，CMOS测量电路系统101包括偏压产生电路7、列级模拟前端电路8和行级电路9，偏压产生电路7的输入端连接行级电路9的输出端，列级模拟前端电路8的输入端连接偏压产生电路7的输出端，行级电路9中包括行级镜像像元Rsm和行选开关K1，列级模拟前端电路8中包括盲像元RD；其中，行级电路9分布在每个像素内并根据时序产生电路的行选通信号选取待处理信号，并在偏压产生电路7的作用下输出电流信号至列级模拟前端电路8以进行电流电压转换输出；行级电路9受行选开关K1控制而被选通时向偏压产生电路7输出第三偏置电压VRsm，偏压产生电路7根据输入的恒压及第三偏置电压VRsm输出第一偏置电压V1和第二偏置电压V2，列级模拟前端电路8根据第一偏置电压V1和第二偏置电压V2得到两路电流，并对所产生的两路电流之差进行跨阻放大并作为输出电压输出。
具体地，行级电路9包括行级镜像像元Rsm和行选开关K1，行级电路9用于根据行选开关K1的选通状态生成第三偏置电压VRsm。示例性地，行级镜像像元Rsm可以进行遮光处理，使行级镜像像元Rsm受到温度恒等于衬底温度的遮光片的固定辐射，行选开关K1可以用晶体管实现，行选开关K1闭合，行级镜像像元Rsm与偏压产生电路7的连接，即行级电路9受行选开关K1控制而被选通时向偏压产生电路7输出第三偏置电压VRsm。偏压产生电路7可以包括第一偏压产生电路71和第二偏压产生电路72，第一偏压产生电路71用于根据输入的恒压生成第一偏置电压V1，输入的恒压例如可以为电压恒定的正电源信号。第二偏压产生电路72可以包括偏压控制子电路721和多个选通驱动子电路722，偏压控制子电路721用于根据第三偏置电压VRsm控制选通驱动子电路722分别产生对应的第二偏置电压V。
列级模拟前端电路8包括多个列控制子电路81，列控制子电路81与选通驱动子电路722对应设置，示例性地，可以设置列控制子电路81与选通驱动子电路722一一对应设置，选通驱动子电路722用于根据其自身的选通状态向对应的列控制子电路81提供第二偏置电压V2。示例性地，可以设置选通驱动子电路722被选通时，选通驱动子电路722向对应的列控制子电路81提供第二偏置电压V2；选通驱动子电路722未被选通时，选通驱动子电路722停止向对应的列控制子电路81提供第二偏置电压V2。
列级模拟前端电路8包括有效像元RS和盲像元RD，列控制子电路用于根据第一偏置电压V1和盲像元RD产生第一电流I1，以及根据第二偏置电压V2和有效像元RS产生第二电流I2，并对第一电流I1与第二电流I2的差值进行跨阻放大后输出，行级镜像像元Rsm与有效像元RS在相同环境温度下的温度漂移量相同。
示例性地，行级镜像像元Rsm与CMOS测量电路系统101之间热绝缘，且对行级镜像像元Rsm进行遮光处理，行级镜像像元Rsm受到来自温度恒等于衬底温度的遮光片的固定辐射。有效像元RS的吸收板121与CMOS测量电路系统101之间热绝缘，且有效像元RS接受外部辐射。行级镜像像元Rsm与有效像元RS的吸收板121都与CMOS测量电路系统101之间热绝缘，因此行级镜像像元Rsm与有效像元RS均具有自热效应。
通过行选开关K1选通对应的行级镜像像元Rsm时，行级镜像像元Rsm与有效像元RS均由于焦耳热而发生阻值变化，但行级镜像像元Rsm与有效像元RS受到同样的固定辐射时，行级镜像像元Rsm与有效像元RS的阻值相同，二者的温度系数也相同，二者在相同环境温度下的温度漂移量相同，两者的变化同步，有利于利用行级镜像像元Rsm与有效像元RS在相同环境温度下的温度漂移量相同的特性，有效补偿行级镜像像元Rsm与有效像元RS由于自热效应而发生的阻值变化，实现读出电路的稳定输出。
另外，通过设置第二偏压产生电路7包括偏压控制子电路721和多个选通驱动子电路722，偏压控制子电路721用于根据行控制信号控制选通驱动子电路722分别产生对应的第二偏置电压V2，使得每行像素均有一路驱动单独驱动该行的像素整列，降低了对第二偏置电压V2的要求，即提高了偏压产生电路7的驱动能力，有利于利用读出电路驱动更大规模的红外探测器像素阵列。另外，CMOS测量电路系统101的具体细节工作原理为本领域技术人员公知内容，这里不再赘述。
可选地，继续参见图1和图2，吸收板121包括支撑层220以及位于支撑层220上的热敏层230和电极层240，金属结构210位于支撑层220临近CMOS测量电路系统101的一侧。
示例性地，结合图1和图2所示，吸收板121包括金属结构210、支撑层220、热敏层230和电极层240，其中，支撑层220位于金属结构210上，电极层240位于支撑层220上，热敏层230位于电极层240上。
具体地，支撑层220用于在释放掉牺牲层后支撑红外转换结构120中的上方膜层，热敏层230用于将红外温度检测信号转换为红外检测电信号，电极层240用于将热敏层230转换出来的红外检测电信号通过左右两侧的梁结构122传输至CMOS测量电路系统101，左右两侧的梁结构122分别传输红外检测电信号的正负信号，CMOS测量电路系统101中的读出电路通过对获取到的红外检测电信号的分析实现非接触式的红外温度检测。另外，热敏层230可以位于电极层240的上方，也可以位于电极层240的下方。
示例性地，可以设置构成热敏层230的材料可以包括非晶硅、非晶锗、非晶硅锗、氧化钛、氧化钒或氧化钛钒中的至少一种，构成支撑层220的材料可以包括非晶碳、氧化铝、非晶硅、非晶锗或非晶锗硅中的一种或多种，构成电极层240的材料可以包括钛、氮化钛、钽、氮化钽、钛钨合金、镍铬合金、镍硅合金、镍或铬中的一种或多种，另外，设置吸收板121包括热敏层230，热敏层230材料为非晶硅、非晶碳、非晶锗或非晶硅锗时，梁结构122上的支撑层220可以由热敏层230来代替，因为非晶硅、非晶锗或非晶硅锗的热导率较小，有利于降低梁结构122的热导率，进一步提高红外探测器的红外响应率。
本发明实施例提供方案中，金属结构210位于支撑层220临近CMOS测量电路系统101的一侧，即金属结构210形成于有效像元制备完成之前，故可以通过增加工艺制程，并配合相应的掩膜版同时制备有效像元和镜像像元，使得镜像像元内部增加金属结构210，而有效像元的结构不发生变化，实现两种像元结构的同步制备，从而简化红外探测器的工艺流程。
需要说明的是，图2仅示例性地可以设置电极层240位于热敏层230临近CMOS测量电路系统101的一侧。在其他实施方式中，也可以设置电极层240位于热敏层230远离CMOS测量电路系统101的一侧，电极层240与热敏层230之间还设置有介质层，如图5所示。
可选地，继续参见图1和图3，吸收板121包括支撑层220、钝化层250以及位于支撑层220和钝化层250之间的热敏层230和电极层240，金属结构210位于钝化层250远离CMOS测量电路系统101的一侧。
示例性地，结合图1和图3所示，吸收板121包括金属结构210、支撑层220、热敏层230、电极层240和钝化层250，其中，热敏层230和电极层240位于支撑层220上，热敏层230位于电极层240上，钝化层250位于热敏层230上，金属结构210位于钝化层250上。
具体地，支撑层220用于在释放掉牺牲层后支撑红外转换结构120中的上方膜层，热敏层230用于将红外温度检测信号转换为红外检测电信号，电极层240用于将热敏层230转换出来的红外检测电信号通过左右两侧的梁结构122传输至CMOS测量电路系统101，左右两侧的梁结构122分别传输红外检测电信号的正负信号，CMOS测量电路系统101中的读出电路通过对获取到的红外检测电信号的分析实现非接触式的红外温度检测，钝化层250用于保护电极层240不被氧化或者腐蚀。另外，热敏层230可以位于电极层240的上方，也可以位于电极层240的下方。可以设置对应吸收板121，热敏层230和电极层240位于支撑层220和钝化层250形成的密闭空间内，实现对吸收板121中热敏层230和电极层240的保护，对应梁结构122，电极层240位于支撑层220和钝化层250形成的密闭空间内，实现对梁结构122中电极层240的保护。
示例性地，可以设置构成热敏层230的材料可以包括非晶硅、非晶锗、非晶硅锗、氧化钛、氧化钒或氧化钛钒中的至少一种，构成支撑层220的材料可以包括非晶碳、氧化铝、非晶硅、非晶锗或非晶锗硅中的一种或多种，构成电极层240的材料可以包括钛、氮化钛、钽、氮化钽、钛钨合金、镍铬合金、镍硅合金、镍或铬中的一种或多种，构成钝化层250的材料可以包括非晶碳、氧化铝、非晶硅、非晶锗或非晶锗硅中的一种或多种。另外，设置吸收板121包括热敏层230，热敏层230材料为非晶硅、非晶碳、非晶锗或非晶硅锗时，梁结构122上的支撑层220和/或钝化层250可以由热敏层230来代替，因为非晶硅、非晶锗或非晶硅锗的热导率较小，有利于降低梁结构122的热导率，进一步提高红外探测器的红外响应率。
本发明实施例提供方案中，金属结构210位于钝化层250远离CMOS测量电路系统101的一侧，即金属结构210形成于有效像元制备完成之后，此时，针对镜像像元单独形成金属结构210，使得有效像元和镜像像元的工艺不同，能够避免镜像像元的工艺对有效像元的性能造成影响。
需要说明的是，图3仅示例性地可以设置电极层240位于热敏层230临近CMOS测量电路系统101的一侧。在其他实施方式中，也可以设置电极层240位于热敏层230远离CMOS测量电路系统101的一侧，电极层240与热敏层230之间还设置有介质层，如图6所示。
可选地，红外探测器镜像像元100可以设置包括一组或者两组对角设置的两个柱状结构130，如图1-图6，示例性地设置红外探测器镜像像元100包括两组对角设置的两个柱状结构130，即设置红外探测器镜像像元100包括柱状结构130，也可以设置红外探测器镜像像元100包括一组对角设置的两个柱状结构130，即设置红外探测器镜像像元100包括两个柱状结构130，如图7所示。
可选地，红外探测器镜像像元100中的柱状结构130可以如图1-图6所示是空心柱结构，柱状结构130也可以如图7所示是实心柱结构。
示例性的，如图1-图6所示，柱状结构130可以是空心柱结构，空心柱结构的导热小，能够降低整体结构的热导。柱状结构130也可以是实心柱结构，如图7所示，在柱状结构130内部不会有残留的牺牲层，从而能够提高红外探测器镜像像元100的真空度，避免对红外探测器镜像像元100的电学性能造成影响。同时，实心柱结构的机械强度较高，能够提高红外探测器镜像像元100的结构稳定性。示例性的，实心柱结构的材料可以是铝、铜、钨中的至少一种。
可选地，反射板112与接地的支撑底座111电接触。
具体地，如图7所示，接地的支撑底座111起到支撑作用的同时，还能够将电荷释放至地。反射板112与接地的支撑底座111电连接，能够将反射板112累积的电荷通过支撑底座释放至地，防止电荷累积影响电路电学性能。
可选地，图8为本发明实施例提供的一种基于CMOS工艺的红外探测器镜像像元的膜层结构示意图，如图8所示，金属结构210与钝化层250接触设置。
示例性地，以图3和图8所示的红外探测器镜像像元为例，红外探测器镜像像元100制备方法可以包括采用CMOS工艺在CMOS测量电路系统101上形成反射层110，刻蚀反射层110形成支撑底座111和反射板112。在反射层110上依次形成牺牲层(图中未示出)、柱状结构130、支撑层220、电极层240和热敏层230，其中，柱状结构130与支撑底座111直接接触，电极层240分别与柱状结构130和热敏层230直接接触。在电极层240上依次形成钝化层250和金属结构210，金属结构210位于热敏层230对应的区域，释放牺牲层形成如图3所示的红外探测器镜像像元。
本发明实施例通过将金属结构210与钝化层250接触设置，能够减小红外探测器镜像像元中膜层的数量，从而减少工艺制程的数量，节省红外探测器的工艺时间，利于提高红外探测器的生产效率。
可选地，牺牲层用于使CMOS红外传感结构102形成镂空结构，构成牺牲层的材料是氧化硅，采用post-CMOS工艺腐蚀牺牲层，示例性地，post-CMOS工艺可以采用气相氟化氢、四氟化碳和三氟甲烷中的至少一种对牺牲层进行腐蚀。牺牲层可以由氧化硅制备而成，氧化硅是CMOS工艺中常用的一种材料，即氧化硅与CMOS工艺兼容，故利用CMOS工艺能够形成牺牲层。例如：在反射层110一侧形成沉积一层氧化硅层，再通过刻蚀形成带有特定图案的氧化硅层，即形成牺牲层。由此可知，CMOS测量电路系统101中的读出电路和牺牲层均可利用CMOS工艺来制备，有利于实现红外探测器的全CMOS工艺流片，即可以利用CMOS工艺实现红外探测器的一体化制作，有利于提高红外探测器的制作良率和产能，降低红外探测器的制作成本。
在其他实施方式中，还可以是在在反射层110上依次形成牺牲层(图中未示出)、柱状结构130、支撑层220、热敏层230、介质层、电极层240、钝化层250和金属结构210，释放牺牲层形成如图6所示的红外探测器镜像像元100，实际应用中可以灵活调整热敏层230和电极层240的工艺顺序。
可选地，图9为本发明实施例提供的另一种基于CMOS工艺的红外探测器镜像像元的膜层结构示意图，图10为本发明实施例提供的又一种基于CMOS工艺的红外探测器镜像像元的膜层结构示意图，结合图9和图10所示，CMOS红外传感结构102还包括对应柱状结构130设置的图案化金属结构260，图案化金属结构260与金属结构210同层制作。
图案化金属结构260位于钝化层250上，或者图案化金属结构260贯穿钝化层250、电极层240和支撑层220与柱状结构130电连接。
示例性地，如图9所示的红外探测器镜像像元为例，红外探测器镜像像元100制备方法可以包括采用CMOS工艺在CMOS测量电路系统101上形成反射层110，刻蚀反射层110形成支撑底座111和反射板112。在反射层110上依次形成牺牲层(图中未示出)、柱状结构130、支撑层220、电极层240、热敏层230和钝化层250，其中，柱状结构130与支撑底座111直接接触，电极层240分别与柱状结构130和热敏层230直接接触。在钝化层250上形成金属材料层，刻蚀金属材料层以形成金属结构210和图案化金属结构260，图案化金属结构260与柱状结构130所在区域对应，释放牺牲层形成如图9所示的红外探测器镜像像元。
本发明实施例中在柱状结构130的上层设置图案化金属结构260，图案化金属结构260能够对照射至柱状结构130所在区域的红外光进行反射，避免红外光入射至谐振腔内，从而提升红外探测器镜像像元检测到的噪声信号的准确性，进而提升红外探测器探测结果的准确性。
示例性地，以图10所示的红外探测器镜像像元为例，红外探测器镜像像元100制备方法可以包括采用CMOS工艺在CMOS测量电路系统101上形成反射层110，刻蚀反射层110形成支撑底座111和反射板112。在反射层110上依次形成牺牲层(图中未示出)、柱状结构130、支撑层220、电极层240、热敏层230和钝化层250，其中，柱状结构130与支撑底座111直接接触，电极层240分别与柱状结构130和热敏层230直接接触。在钝化层250上刻蚀通孔，该通孔贯穿电极层240和支撑层220以露出柱状结构130，在钝化层250上以及柱状结构130上形成金属材料层，刻蚀金属材料层以形成金属结构210和图案化金属结构260，其中，图案化金属结构260与柱状结构130接触，释放牺牲层形成如图10所示的红外探测器镜像像元。
本发明实施例中，通过将图案化金属结构260与柱状结构130接触，能够将图案化金属结构260上累积的电荷依次通过柱状结构130和支撑底座111进行释放，防止电荷累积影响电路电学性能。此外，电极层240和支撑层220包覆图案化金属结构260，电极层240和支撑层220可以作为图案化金属结构260的支撑结构，增强图案化金属结构260的力学强度，提高镜像像元100的结构稳定性，从而能够提高红外探测器的结构稳定性和抗冲击能力。
另外，本发明实施例通过将图案化金属结构260与金属结构210同层制作，无需针对图案化金属结构260与金属结构210分别制作掩膜版，能够减少红外探测器镜像像元的工艺制程数量，节省红外探测器镜像像元的工艺时间，从而提升红外探测器的生产效率。
可选地，图11为本发明实施例提供的又一种基于CMOS工艺的红外探测器镜像像元的膜层结构示意图，如图11所示，金属结构210通过对应柱状结构130设置的支撑结构270悬空设置于钝化层250的上方。
具体地，以图11所示的红外探测器镜像像元为例，红外探测器镜像像元100制备方法可以包括采用CMOS工艺在CMOS测量电路系统101上形成反射层110，刻蚀反射层110形成支撑底座111和反射板112。在反射层110上依次形成牺牲层(图中未示出)、柱状结构130、支撑层220、电极层240、热敏层230和钝化层250，其中，柱状结构130与支撑底座111直接接触，电极层240分别与柱状结构130和热敏层230直接接触。在钝化层250上依次形成牺牲层、支撑结构270和金属结构210，释放牺牲层形成如图11所示的红外探测器镜像像元，金属结构210悬空设置于钝化层250的上方。
本发明实施例通过将金属结构210悬空设置于钝化层250的上方，金属结构210能够覆盖整个CMOS红外传感结构102，避免金属结构210出现漏光的情况；同时，通过金属结构210悬空设置，在梁结构周围留出较大的空间，以加快梁结构与外界环境的热交换，从而提升梁结构的散热性能。
可选地，继续参见图11，支撑结构270包括图案化介质结构271，图案化介质结构271位于钝化层250上。
具体地，以图11所示的红外探测器镜像像元为例，支撑结构270的制备方法可以包括，采用CMOS工艺在钝化层250上形成介质层，刻蚀该介质层形成图案化介质结构271，即形成支撑结构270。金属结构210与钝化层250之间无间隔的膜层，能够减小红外探测器镜像像元中的膜层的数量，减小红外探测器镜像像元制程数量，从而缩短红外探测器的工艺时间，提升红外探测器的生产效率。
可选地，图12为本发明实施例提供的又一种基于CMOS工艺的红外探测器镜像像元的膜层结构示意图，如图12所示，对应一个柱状结构130的支撑结构270包括图案化介质结构271和图案化金属结构260，图案化介质结构271位于金属结构210和对应的图案化金属结构260之间，图案化金属结构260贯穿钝化层250、电极层240和支撑层220与对应的柱状结构130电连接。
具体地，以图12所示的红外探测器镜像像元为例，红外探测器镜像像元100制备方法可以包括采用CMOS工艺在CMOS测量电路系统101上形成反射层110，刻蚀反射层110形成支撑底座111和反射板112。在反射层110上依次形成柱状结构130、支撑层220、电极层240、热敏层230和钝化层250，其中，柱状结构130与支撑底座111直接接触，电极层240分别与柱状结构130和热敏层230直接接触。在钝化层250上形成通孔，该通孔贯穿电极层240和支撑层220并露出柱状结构130，在露出的柱状结构130上依次形成图案化金属结构260和图案化介质结构271，在图案化介质结构271所在膜层上形成金属结构210，使得金属结构210能够悬空设置于钝化层250的上方，如图12所示。
本发明实施例通过将设置图案化金属结构260贯穿钝化层250、电极层240和支撑层220，也就是说钝化层250、电极层240和支撑层220包覆支撑结构270，可以向支撑结构270提供支撑，增强支撑结构270的力学强度，提高镜像像元100的结构稳定性，从而能够提高红外探测器的结构稳定性和抗冲击能力。此外，将支撑结构270中贯穿钝化层250、电极层240和支撑层220的部分用金属材料制备，不会影响电极层240的电学性能。
可选地，继续参见图12，CMOS红外传感结构还包括位于反射层110上的至少一层密闭释放隔绝层140，密闭释放隔绝层140用于在制作CMOS红外传感结构102的刻蚀过程中，保护CMOS测量电路系统101不受工艺影响，密闭释放隔绝层140包覆柱状结构130。
具体地，密闭释放隔绝层140覆盖反射层110，反射层110包括支撑底座111和反射板112，支撑底座111作为读出电路和CMOS红外传感结构102电连接的结构，密闭释放隔绝层140覆盖位于密闭释放隔绝层140下方的反射板和密闭释放隔绝层140，起到保护反射板112、下方密闭释放隔绝层以及CMOS测量电路系统的作用；同时，密闭释放隔绝层140包覆柱状结构130，可以作为柱状结构130的支撑结构，增强柱状结构130的力学强度，提高镜像像元100的结构稳定性，从而能够提高红外探测器的结构稳定性和抗冲击能力。
图13为本发明实施例提供的又一种基于CMOS工艺的红外探测器镜像像元的膜层结构示意图，密闭释放隔绝层140还可以位于CMOS测量电路系统101和CMOS红外传感结构102之间的界面，例如密闭释放隔绝层140位于反射层110和CMOS测量电路系统101之间，即密闭释放隔绝层140位于反射层110的金属互连层的下方，支撑底座111通过贯穿密闭释放隔绝层140的通孔与CMOS测量电路系统101电连接。具体地，由于CMOS测量电路系统101和CMOS红外传感结构102均采用CMOS工艺制备形成，当制备形成CMOS测量电路系统101后，将制备形成包含有CMOS测量电路系统101的晶圆传输至下一道工艺制备形成CMOS红外传感结构102，因为氧化硅是CMOS工艺中最常用的介质材料，CMOS电路上多以氧化硅作为金属层间的绝缘层，所以腐蚀2um左右厚度的氧化硅时如果没有隔绝层作为阻挡，将会严重影响电路，所以为了释放所述牺牲层氧化硅时不会腐蚀CMOS测量电路系统上的氧化硅介质，设置了密闭释放隔绝层140。在制备形成CMOS测量电路系统101后，在CMOS测量电路系统101上制备形成密闭释放隔绝层140，利用密闭释放隔绝层140对CMOS测量电路系统101进行保护，而为了保证支撑底座111与CMOS测量电路系统101的电连接，在制备形成密闭释放隔绝层140后，在密闭释放隔绝层140对应支撑底座111的区域采用刻蚀工艺形成通孔，通过通孔实现支撑底座111与CMOS测量电路系统101的电连接。另外，设置密闭释放隔绝层140与支撑底座111形成密闭结构，将CMOS测量电路系统101与牺牲层完全隔开，实现对CMOS测量电路系统101的保护。
图14为本发明实施例提供的又一种基于CMOS工艺的红外探测器镜像像元的膜层结构示意图，CMOS测量电路系统101和CMOS红外传感结构102之间的界面设置有至少一层密闭释放隔绝层140，且CMOS红外传感结构102中设置有至少一层密闭释放隔绝层140，即反射层110和CMOS测量电路系统101之间设置有至少一层密闭释放隔绝层140，且反射层110上设置有至少一层密闭释放隔绝层140，效果同上，这里不再赘述。
图15为本发明实施例提供的又一种基于CMOS工艺的红外探测器镜像像元的膜层结构示意图。如图15所示，在上述实施例的基础上，CMOS测量电路系统101的CMOS制作工艺同样可以包括金属互连工艺和通孔工艺，CMOS测量电路系统101包括间隔设置的金属互连层1011、介质层1012以及位于底部的硅衬底1013，上下金属互连层1011通过通孔1014实现电连接。
结合图1至图15，CMOS红外传感结构102包括由反射层110和热敏感介质层构成的谐振腔、控制热传递的悬空微桥结构以及具有电连接和支撑功能的柱状结构130，CMOS测量电路系统101用于测量和处理一个或多个CMOS红外传感结构102形成的阵列电阻值，并将红外信号转化为图像电信号。
具体地，谐振腔例如可以由反射层110和吸收板121之间的空腔形成，红外光透过吸收板121在谐振腔内发生来回反射，以提高红外探测器的探测灵敏度，又由于柱状结构130的设置，梁结构122和吸收板121构成控制热传递的悬空微桥结构，柱状结构130既电连接支撑底座111和对应的梁结构122，又用于支撑位于柱状结构130上的红外转换结构120。
可选地，可以在CMOS测量电路系统101的金属互连层上层或者同层制备CMOS红外传感结构102。
具体地，这里的CMOS测量电路系统101的金属互连层可以为CMOS测量电路系统101中的顶层金属，可以在CMOS测量电路系统101的金属互连层上层制备CMOS红外传感结构102，CMOS红外传感结构102通过位于CMOS测量电路系统101的金属互连层上层的支撑底座111与CMOS测量电路系统101电连接，实现将经由红外信号转换成的电信号传输至CMOS测量电路系统101，如图15所示。
图16为本发明实施例提供的又一种基于CMOS工艺的红外探测器镜像像元的膜层结构示意图。如图16所示，也可以在CMOS测量电路系统101的金属互连层同层制备CMOS红外传感结构102，即CMOS测量电路系统101与CMOS红外传感结构102同层设置，设置CMOS红外传感结构102位于CMOS测量电路系统101的一侧，CMOS测量电路系统101的顶部同样可以设置有密闭释放隔绝层，以保护CMOS测量电路系统101。
可选地，构成密闭释放隔绝层140的材料包括硅、锗、锗化硅、非晶硅、非晶锗、非晶硅锗、非晶碳、碳化硅、氧化铝、碳氮化硅或氮化硅中的至少一种。
具体地，硅、锗、锗化硅、非晶硅、非晶锗、非晶硅锗、非晶碳、碳化硅、氧化铝或氮化硅均为CMOS工艺抗腐蚀材料，即这些材料不会受牺牲层释放用试剂的腐蚀，因此密闭释放隔绝层140可以用于在进行腐蚀工艺释放牺牲层时保护CMOS测量电路系统101不受侵蚀。另外，密闭释放隔绝层覆盖CMOS测量电路系统101设置，密闭释放隔绝层还可以用于在制作CMOS红外传感结构102的刻蚀过程中，保护CMOS测量电路系统101不受工艺影响。
可选地，可以设置红外探测器镜像像元是基于3nm、7nm、10nm、14nm、22nm、28nm、32nm、45nm、65nm、90nm、130nm、150nm、180nm、250nm或350nm CMOS工艺制程，前述尺寸表征集成电路的工艺节点，即表征集成电路加工过程中的特征尺寸。
可选地，支撑底座111的边长小于等于3微米且大于等于0.5微米。
具体地，可以设置构成基于CMOS工艺的红外探测器镜像像元反射层110的材料包括铝、铜、钨、钛、镍、铬、铂、银、钌或钴中的至少一种。另外，设置CMOS测量电路系统101和CMOS红外传感结构102均使用CMOS工艺制备，在CMOS测量电路系统101上直接制备CMOS红外传感结构102，能够实现支撑底座111的边长小于等于3微米且大于等于0.5微米，梁结构122的宽度，即梁结构122中单线条的宽度小于等于0.3um，谐振腔的高度大于等于1.5um，小于等于2.5um，单个像元的边长大于等于6um，小于等于17um。对于探测器全CMOS工艺而言，通过同一制程能够在有效像元和镜像像元中均形成反射层110，对有效像元来说，支撑底座111的边长越小，即支撑底座111的面积越小，反射板112的面积越大，传感器吸收的红外辐射能量越多，从而能够提高红外探测器的探测效率。
本公开实施例还提供了一种基于CMOS工艺的红外探测器，图17为本公开实施例提供的一种基于CMOS工艺的红外探测器的立体结构示意图。如图17所示，基于CMOS工艺的红外探测器200包括如上述实施例所述的基于CMOS工艺的红外探测器镜像像元100，因此，本公开实施例提供的红外探测器具备上述实施例所述的有益效果，这里不再赘述。示例性地，红外探测器例如可以是非制冷红外焦平面探测器。
需要说明的是，在本文中，诸如“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上所述仅是本公开的具体实施方式，使本领域技术人员能够理解或实现本公开。对这些实施例的多种修改对本领域的技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本公开的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本公开将不会被限制于本文所述的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (11)
1.一种基于CMOS工艺的红外探测器镜像像元，其特征在于，包括：
CMOS测量电路系统和CMOS红外传感结构，所述CMOS测量电路系统和所述CMOS红外传感结构均使用CMOS工艺制备，在所述CMOS测量电路系统上方直接制备所述CMOS红外传感结构；
所述CMOS红外传感结构的CMOS制作工艺包括金属互连工艺、通孔工艺以及RDL工艺，所述CMOS红外传感结构包括至少两层金属互连层、至少两层介质层和多个互连通孔；
所述CMOS红外传感结构包括位于所述CMOS测量电路系统上的反射层、红外转换结构和多个柱状结构，所述柱状结构位于所述反射层和所述红外转换结构之间，所述反射层包括反射板和支撑底座，所述红外转换结构通过所述柱状结构和所述支撑底座与所述CMOS测量电路系统电连接；
所述红外转换结构包括位于同层的吸收板和多个梁结构，所述吸收板用于将红外信号转换为电信号并通过对应的所述梁结构与对应的所述柱状结构电连接；
所述吸收板包括临近或远离所述CMOS测量电路系统的一侧的金属结构，至少部分所述反射板位于所述金属结构的正投影区域内，所述金属结构用于反射红外光；
所述CMOS红外传感结构还包括位于所述反射层上的至少一层密闭释放隔绝层，所述密闭释放隔绝层包覆所述柱状结构。
2.根据权利要求1所述的基于CMOS工艺的红外探测器镜像像元，其特征在于，所述吸收板包括支撑层以及位于所述支撑层上的热敏层和电极层，所述金属结构位于所述支撑层临近所述CMOS测量电路系统的一侧。
3.根据权利要求1所述的基于CMOS工艺的红外探测器镜像像元，其特征在于，所述吸收板包括支撑层、钝化层以及位于所述支撑层和所述钝化层之间的热敏层和电极层，所述金属结构位于所述钝化层远离所述CMOS测量电路系统的一侧。
4.根据权利要求3所述的基于CMOS工艺的红外探测器镜像像元，其特征在于，所述金属结构与所述钝化层接触设置。
5.根据权利要求1所述的基于CMOS工艺的红外探测器镜像像元，其特征在于，牺牲层用于使所述CMOS红外传感结构形成镂空结构，构成所述牺牲层的材料是氧化硅，采用气相氟化氢、四氟化碳和三氟甲烷中的至少一种对所述牺牲层进行腐蚀。
6.根据权利要求4所述的基于CMOS工艺的红外探测器镜像像元，其特征在于，所述CMOS红外传感结构还包括对应所述柱状结构设置的图案化金属结构，所述图案化金属结构与所述金属结构同层制作；
所述图案化金属结构位于所述钝化层上，或者所述图案化金属结构贯穿所述钝化层、所述电极层和所述支撑层与所述柱状结构电连接。
7.根据权利要求3所述的基于CMOS工艺的红外探测器镜像像元，其特征在于，所述金属结构通过对应所述柱状结构设置的支撑结构悬空设置于所述钝化层的上方。
8.根据权利要求7所述的基于CMOS工艺的红外探测器镜像像元，其特征在于，所述支撑结构包括图案化介质结构，所述图案化介质结构位于所述钝化层上。
9.根据权利要求7所述的基于CMOS工艺的红外探测器镜像像元，其特征在于，对应一个柱状结构的所述支撑结构包括图案化介质结构和图案化金属结构，所述图案化介质结构位于所述金属结构和对应的所述图案化金属结构之间，所述图案化金属结构贯穿所述钝化层、所述电极层和所述支撑层与对应的所述柱状结构电连接。
10.根据权利要求1所述的基于CMOS工艺的红外探测器镜像像元，所述密闭释放隔绝层用于在制作所述CMOS红外传感结构的刻蚀过程中，保护所述CMOS测量电路系统不受工艺影响。
11.一种基于CMOS工艺的红外探测器，其特征在于，包括如权利要求1-10任一项所述的基于CMOS工艺的红外探测器镜像像元。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110324082.5A CN113720481B (zh) | 2021-03-26 | 2021-03-26 | 基于cmos工艺的红外探测器镜像像元和红外探测器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110324082.5A CN113720481B (zh) | 2021-03-26 | 2021-03-26 | 基于cmos工艺的红外探测器镜像像元和红外探测器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113720481A CN113720481A (zh) | 2021-11-30 |
| CN113720481B true CN113720481B (zh) | 2022-05-24 |
Family
ID=78672589
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110324082.5A Active CN113720481B (zh) | 2021-03-26 | 2021-03-26 | 基于cmos工艺的红外探测器镜像像元和红外探测器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113720481B (zh) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102692276A (zh) * | 2011-03-21 | 2012-09-26 | 浙江大立科技股份有限公司 | 一种非制冷红外探测器 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR3050870B1 (fr) * | 2016-04-28 | 2018-05-25 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Procede de realisation d’un dispositif de detection de rayonnement electromagnetique comportant une couche en un materiau getter |
| CN106298827B (zh) * | 2016-09-29 | 2018-07-31 | 烟台睿创微纳技术股份有限公司 | 一种非制冷红外焦平面探测器像元及其制备方法 |
| CN111128992B (zh) * | 2019-12-13 | 2021-08-10 | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 | 一种抗辐照近红外焦平面探测器及制作方法 |
| CN111623890B (zh) * | 2020-05-12 | 2021-08-17 | 北京安酷智芯科技有限公司 | 一种读出电路及其标定方法 |
| CN111504480B (zh) * | 2020-06-30 | 2020-10-09 | 北京北方高业科技有限公司 | 一种红外探测器 |
| CN111947787B (zh) * | 2020-07-06 | 2021-07-13 | 北京北方高业科技有限公司 | 红外探测器及其制备方法 |
| CN111952394B (zh) * | 2020-07-06 | 2021-04-23 | 北京北方高业科技有限公司 | 红外探测器及其制备方法 |
| CN112362167A (zh) * | 2020-10-09 | 2021-02-12 | 北京北方高业科技有限公司 | 一种微桥红外探测器及其制备方法 |
-
2021
- 2021-03-26 CN CN202110324082.5A patent/CN113720481B/zh active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102692276A (zh) * | 2011-03-21 | 2012-09-26 | 浙江大立科技股份有限公司 | 一种非制冷红外探测器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113720481A (zh) | 2021-11-30 |
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|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |