JP2013152213A - テラヘルツ領域の電磁放射線のボロメータ検出器および同検出器を含む検出器アレイデバイス - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電磁放射線を反射する組立体と、反射組立体上に懸吊され、第1のボウタイアンテナ、前記アンテナと結合する抵抗性負荷、および前記抵抗性負荷と結合する温度測定素子を含む、少なくとも1つのボロメータマイクロブリッジとを含む、テラヘルツ放射線のボロメータ検出器。この反射組立体は、反射層と、反射層上の絶縁層と、前記マイクロブリッジのレベルで干渉による強め合いを得るために、絶縁層の厚さおよび誘電率、ならびにアレイのピッチおよび充填率が選択される、絶縁層上の金属パターンの周期的なアレイとを含む。
【選択図】なし
Description
− テラヘルツ領域における検出により、X線によっても超音波によっても提供することができない、解剖学的構造の詳細およびそのレベルで起こる化学反応にアクセスできるようにする医学診断。
識別可能にする、対ステルスレーダまたは高分解能レーダの形成などの軍事分野および航空安全。
大気汚染の研究および検出、すなわち大気化学に関する重要な情報を実際に提供し、したがって、遠赤外線の強い吸収線により従来技法を用いて検出するのが難しい、例えば三酸化窒素などの大気汚染の最上の追跡を可能にする、サブミリ波の観測。
化学種、例えば、いくつかの爆発物および有毒生成物、果実の熟成から生じるいくつかの化合物、またはさらに工業燃焼から生じるいくつかの化合物などの、確実な検出を可能にすることが十分明白である、テラヘルツ領域における特性を有する多くの複雑な化合物の特定。
分子または原子の現象の分析、すなわち光励起、光解離、および溶媒和などのメカニズムに関する新情報を得ることを可能にするテラヘルツ分光分析。同じことは、分子相互作用(分子または水素結合の振動状態など)、凝相系、ペプチドおよび蛋白質などの大きい分子の動的プロセスの分析、またはテラヘルツ放射線に基づく技法による高分子の幾何学的配向の観測に当てはまる。
移動性、超高速キャリアの動力学およびキャリア・フォノン間の相互作用、超電導体、高分子、セラミック、有機材料、および多孔材料などを非破壊的に特定する、半導体などの材料の特性の研究。さらに、テラヘルツ領域では、プラスチック、紙、および繊維などの材料は、透過的であり、反対に、金属は完全な反射体であり、水は高い吸収力を有する。したがって、特に、この領域における検出は、梱包製品の検査、または製造プロセスの実時間現場制御などに十分適合する。
広帯域通信、すなわち、地上レベルおよび衛星間における、ますます高くなるデータ流量の競争であり、現在は数百ギガヘルツ、またはさらに近い将来には数テラヘルツに達する周波数で動作するシステムを開発するように製造者は求められる。
e=λ/(4n) (1)
ここで、λは共振現象が所望される波長、eは層52の厚さ、およびεを含む
前記電磁放射線を反射する組立体を含む支持体と、
支持体および断熱パッドにより反射組立体上に懸吊された少なくとも1つのボロメータマイクロブリッジであって、
前記電磁放射線を収集することを目的とする第1のボウタイアンテナ、
収集された電磁出力を熱出力に変換するために前記アンテナと結合する抵抗性負荷、および
発生した熱出力の効果のもとで加熱するために抵抗性負荷と結合する温度測定素子
を含むボロメータマイクロブリッジと
を含む、ボロメータ検出器を目的とする。
前記電磁放射線を反射する層と、
反射層上に形成される絶縁材料層と、
前記マイクロブリッジのレベルで、検出すべき入射放射線と、前記反射組立体により反射される放射線との間の干渉による強め合いを得るために、絶縁材料層の厚さおよび誘電率、ならびにアレイのピッチおよび充填率が選択される、絶縁材料層上に形成される金属パターンの周期的なアレイと
を含む。
第1の検出器は、第1のテラヘルツ領域の電磁放射線を検出することができ、第2の検出器は、第1のテラヘルツ領域と異なる第2のテラヘルツ領域の電磁放射線を検出することができる。
第1の検出器の反射層は、第2の検出器の反射層と並び、第1の検出器の絶縁材料層は、第2の検出器の絶縁材料層と並ぶ。
102 支持体
104 アレイ
106 マイクロブリッジ
108 支持体
112 断熱アーム
116 抵抗性負荷
118 第1のボウタイアンテナ
126 電気絶縁体
128 温度測定素子
130 アレイ
132 アレイ
160 絶縁材料層
162 第2のボウタイアンテナ
Claims (10)
- テラヘルツ波長領域の電磁放射線のボロメータ検出器であって、
前記電磁放射線を反射する組立体(104、130、132)を含む支持体(102)と、
支持体(108)および断熱パッド(112)により前記反射組立体(104、130、132)上に懸吊された少なくとも1つのボロメータマイクロブリッジ(106)であって、
前記電磁放射線を収集することを目的とする第1のボウタイアンテナ(118)、
前記収集された電磁出力を熱出力に変換するために前記アンテナ(118)と結合する抵抗性負荷(116)、および
発生した前記熱出力の効果の下で加熱するために前記抵抗性負荷(116)と結合する温度測定素子(128)
を含むボロメータマイクロブリッジ(106)と
を含む、ボロメータ検出器において、前記反射組立体(104、130、132)は、
前記電磁放射線を反射する層(132)と、
前記反射層(132)上に形成される絶縁材料層(130)と、
前記マイクロブリッジ(106)のレベルで、検出すべき入射放射線と、前記反射組立体(104、130、132)により反射される放射線との間の干渉による強め合いを得るために、前記絶縁材料層(130)の厚さおよび誘電率、ならびにアレイ(104)のピッチおよび充填率が選択される、前記絶縁材料層(130)上に形成される金属パターンの周期的なアレイ(104)と
を含むことを特徴とする、ボロメータ検出器。 - 前記アレイ(104)のピッチは、λ/12とλ/20との間の範囲であることを特徴とし、式中λは検出すべき入射放射線の波長である、請求項1に記載のボロメータ検出器。
- 前記絶縁材料層(130)の厚さは、8マイクロメートルから15マイクロメートルの間の範囲であることを特徴とする、請求項1または2に記載のボロメータ検出器。
- 前記マイクロブリッジ(106)は、0.5マイクロメートルから2.5マイクロメートルの間の範囲の高さで前記支持体(102)上に懸吊されることを特徴とする、請求項1から3のいずれか一項に記載のボロメータ検出器。
- 前記絶縁材料層(130)内に形成され、前記アレイ(104)のパターンを前記反射層(132)に接続する金属ビア(150)を含むことを特徴とする、請求項1から3のいずれか一項に記載のボロメータ検出器。
- 前記第1のボウタイアンテナ(118)と交差し、前記周期的なパターンアレイ(104)上に堆積された絶縁材料の層(160)上に形成され、前記マイクロブリッジ(106)の前記抵抗性負荷(116)と容量結合した、電磁放射線を収集することを目的とする第2のボウタイアンテナ(162)を含むことを特徴とする、請求項1から5のいずれか一項に記載のボロメータ検出器。
- 前記第2のアンテナ(162)に容量結合した前記抵抗性負荷は、金属膜(116)を含み、前記マイクロブリッジ(106)は、前記金属膜(116)上の前記第2のアンテナ(162)の前に配置されたフィン(120、122、124)を含み、前記第2のアンテナと前記金属膜(116)との間のインピーダンス整合を実現することを特徴とする、請求項6に記載のボロメータ検出器。
- 前記フィン(120、122、124)は、電気絶縁体(126)で覆われ、前記温度測定素子(128)は、前記絶縁体(126)上に少なくとも部分的に配置され、前記金属膜(116)と少なくとも部分的に接触することを特徴とする、請求項7に記載のボロメータ検出器。
- 前記抵抗性負荷は、金属膜(116)を含み、前記第1のアンテナ(118)は、この金属膜(116)上に少なくとも部分的に配置されることを特徴とする、請求項6、7、または8に記載のボロメータ検出器。
- 前記第1の検出器は、第1のテラヘルツ領域の電磁放射線を検出することができ、前記第2の検出器は、前記第1のテラヘルツ領域と異なる第2のテラヘルツ領域の電磁放射線を検出することができ、
前記第1の検出器の反射層は、前記第2の検出器の反射層と並び、前記第1の検出器の絶縁材料層は、前記第2の検出器の絶縁材料層と並ぶ
それぞれが請求項1から9のいずれか一項に従う、少なくとも第1および第2の検出器を含む検出システム。
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---|---|---|---|---|
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JP2017072597A (ja) * | 2015-10-09 | 2017-04-13 | コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ | 高いスペクトル感度を有するボロメータ |
WO2018055854A1 (ja) * | 2016-09-22 | 2018-03-29 | 株式会社ヨコオ | アンテナ装置 |
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CN106517077B (zh) * | 2016-10-28 | 2019-02-05 | 中国科学院微电子研究所 | 一种红外探测器及其制作方法 |
CN107478336B (zh) * | 2017-09-01 | 2019-07-23 | 中国科学院电子学研究所 | 太赫兹成像阵列芯片及其制作方法、成像系统 |
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008241439A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Nec Corp | ボロメータ型THz波検出器 |
JP2009115492A (ja) * | 2007-11-02 | 2009-05-28 | Canon Inc | 化学センサ素子、センシング装置およびセンシング方法 |
JP2010261935A (ja) * | 2009-04-30 | 2010-11-18 | Commissariat A L'energie Atomique & Aux Energies Alternatives | 赤外からテラヘルツ周波数帯域の電磁放射を検出するボロメータ検出器、およびかかる検出器を備えたアレイ検出装置 |
JP2011095137A (ja) * | 2009-10-30 | 2011-05-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体光素子および半導体光装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6329655B1 (en) * | 1998-10-07 | 2001-12-11 | Raytheon Company | Architecture and method of coupling electromagnetic energy to thermal detectors |
GB2409337B (en) * | 2002-09-04 | 2005-08-03 | Teraview Ltd | An emitter |
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US8354642B2 (en) * | 2010-10-13 | 2013-01-15 | International Business Machines Corporation | Monolithic passive THz detector with energy concentration on sub-pixel suspended MEMS thermal sensor |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008241439A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Nec Corp | ボロメータ型THz波検出器 |
JP2009115492A (ja) * | 2007-11-02 | 2009-05-28 | Canon Inc | 化学センサ素子、センシング装置およびセンシング方法 |
JP2010261935A (ja) * | 2009-04-30 | 2010-11-18 | Commissariat A L'energie Atomique & Aux Energies Alternatives | 赤外からテラヘルツ周波数帯域の電磁放射を検出するボロメータ検出器、およびかかる検出器を備えたアレイ検出装置 |
JP2011095137A (ja) * | 2009-10-30 | 2011-05-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体光素子および半導体光装置 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015053661A (ja) * | 2013-09-09 | 2015-03-19 | 日本電信電話株式会社 | アンテナ装置及び反射板配置方法 |
JP2017072597A (ja) * | 2015-10-09 | 2017-04-13 | コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ | 高いスペクトル感度を有するボロメータ |
WO2018055854A1 (ja) * | 2016-09-22 | 2018-03-29 | 株式会社ヨコオ | アンテナ装置 |
JP2020501149A (ja) * | 2016-12-07 | 2020-01-16 | ユリス | 赤外線画像センサ |
JP2020513553A (ja) * | 2016-12-07 | 2020-05-14 | ユリス | 赤外線画像センサ |
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