CN113155281B - 一种金属电阻探测器及核聚变等离子体物理研究装置 - Google Patents
一种金属电阻探测器及核聚变等离子体物理研究装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113155281B CN113155281B CN202110450660.XA CN202110450660A CN113155281B CN 113155281 B CN113155281 B CN 113155281B CN 202110450660 A CN202110450660 A CN 202110450660A CN 113155281 B CN113155281 B CN 113155281B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- metal film
- film
- resistance
- resistance wire
- window
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 66
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 66
- 230000004927 fusion Effects 0.000 title claims abstract description 16
- 238000011160 research Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 25
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 12
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 41
- 230000004044 response Effects 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000000254 damaging effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000005057 refrigeration Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/429—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors applied to measurement of ultraviolet light
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/26—Measuring radiation intensity with resistance detectors
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E30/00—Energy generation of nuclear origin
- Y02E30/10—Nuclear fusion reactors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
本发明公开了一种金属电阻探测器及核聚变等离子体物理研究装置，其中探测器包括硅片，硅片的下表面覆盖有导热薄膜，硅片开设有第一窗口和第二窗口，第一窗口和第二窗口内分别设有第一金属薄膜和第二金属薄膜，第一金属薄膜和第二金属薄膜粘合于导热薄膜，硅片上表面设有用于遮挡第二窗口的金属板，导热薄膜的下表面与第一金属薄膜对应的位置粘合有相互嵌套在一起的第一电阻丝和第二电阻丝，导热薄膜的下表面与第二金属薄膜对应的位置粘合有相互嵌套在一起的第三电阻丝和第四电阻丝，四个电阻丝通过导线连接在一起构成电桥结构。本发明大大拓宽了电磁波的吸收波段，具有精确测量宽波段电磁波辐射功率的功能，从而实现等离子体辐射功率的精确测量。
Description
技术领域
本发明涉及核聚变等离子体测量技术领域，具体涉及一种金属电阻探测器及核聚变等离子体物理研究装置。
背景技术
在核聚变等离子体物理研究装置上，等离子体中包含大量的带电粒子和中性粒子，它们之间复杂的相互作用能够产生宽波段的电磁波(从可见到X射线)，尤其是包含紫外波段。电磁波辐射是等离子体能量损失的一个重要通道，因此，精确测量电磁波辐射功率损失对于研究在核聚变实验过程中的等离子体能量平衡具有重要意义。
光电探测器是一种测量电磁波辐射的有效工具，因为它具有较高探测效率和较宽响应波段等优点。但是，光电探测器对紫外波段的电磁波响应率比较低，并且紫外光对光电探测器具有损伤作用，从而导致光电探测器性能下降。由于光电探测器对不同波段的电磁波具有不同的响应系数，无法进行绝对标定，从而难以用于等离子体电磁波辐射功率损失的绝对测量。常规的辐射量热计一般工作在低温状态下，需要液氮制冷，因此，常规的辐射量热计一般体积比较大，难以在核聚变等离子体物理研究装置上使用。此外，核聚变等离子体物理实验装置一般涉及高温烘烤，这也限制了制冷式辐射量热计系统在核聚变实验装置上的应用。因此，研制一种耐高温烘烤、具有高灵敏度、以及能够精确测量宽波段电磁波辐射功率的辐射量热计探测器是目前在核聚变实验装置上进行电磁波辐射功率测量所面临的关键问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种金属电阻探测器，以至少解决现有技术利用光电探测器进行电磁波辐射测量，对紫外波段的电磁波响应率比较低，且难以用于等离子体电磁波辐射功率损失的绝对测量的技术问题。
本发明通过下述技术方案实现：
本发明提供一种金属电阻探测器，包括硅片，所述硅片的下表面覆盖有导热薄膜，所述硅片开设有第一窗口和第二窗口，所述第一窗口和第二窗口内分别设有第一金属薄膜和第二金属薄膜，所述第一金属薄膜和第二金属薄膜粘合于导热薄膜，所述硅片上表面设有用于遮挡第二窗口的金属板，所述导热薄膜的下表面与第一金属薄膜对应的位置粘合有相互嵌套在一起的第一电阻丝和第二电阻丝，所述导热薄膜的下表面与第二金属薄膜对应的位置粘合有相互嵌套在一起的第三电阻丝和第四电阻丝，四个电阻丝通过导线连接在一起构成电桥结构，所述电桥结构具有电流输入引脚和信号输出引脚。
进一步，所述第一金属薄膜与第二金属薄膜的结构和尺寸相同。
进一步，所述四个电阻丝采用相同的热敏电阻材料，四个电阻丝的结构和尺寸相同。
进一步，所述电桥结构具有两个电流输入引脚和两个信号输出引脚，即：第一电流输入引脚、第二电流输入引脚、第一信号输出引脚和第二信号输出引脚，第一电流输入引脚通过导线连接第三电阻丝，再通过导线与第一信号输出端引脚连接，第一电流输入引脚还通过导线连接第一电阻丝，再通过导线与第二信号输出端引脚连接；第二电流输入引脚通过导线连接第二电阻丝，再通过导线与第一信号输出端引脚连接；第二电流输入引脚还通过导线连接第四电阻丝，再通过导线与第二信号输出端引脚连接。
进一步，所述金属导线为铜导线。
进一步，所述导热薄膜为氮化硅薄膜。
进一步，所述导热薄膜的厚度小于15微米。
进一步，四个电阻丝的宽度小于50微米，厚度小于30微米。
本发明还提供一种核聚变等离子体物理研究装置，所述装置采用所述探测器来测量等离子体电磁波辐射功率。
本发明与现有技术相比，具有如下的优点和有益效果：
本发明提供的一种金属电阻探测器及核聚变等离子体物理研究装置，采用金属薄膜作为电磁波吸收层，大大拓宽了电磁波的吸收波段，并具有均匀的光谱响应系数，具有精确测量宽波段电磁波辐射功率的功能；采用非常薄的氮化硅薄膜作为基板，降低了基板的热容量，提高了热传导效率；利用电桥平衡结构，能够测量微弱的电阻变化，提高了探测器的灵敏度，从而实现等离子体辐射功率的精确测量，解决了现有技术利用光电探测器进行探测，对紫外波段的电磁波响应率比较低，且难以用于等离子体电磁波辐射功率损失的绝对测量的技术问题。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明实施例的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本发明实施例的限定。在附图中：
图1为本发明一种金属电阻探测器的侧视示意图；
图2为本发明一种金属电阻探测器的正视示意图；
图3为本发明一种金属电阻探测器的背视示意图；
图4为本发明一种金属电阻探测器的背视局部示意图；
图中：1-硅片，2-导热薄膜，3-第一金属薄膜，4-第二金属薄膜，5-金属板，6-第一电阻丝，7-第二电阻丝，8-第三电阻丝，9-第四电阻丝，10-导线，11-电流输入引脚，12-信号输出引脚。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施例和附图，对本发明作进一步的详细说明，本发明的示意性实施方式及其说明仅用于解释本发明，并不作为对本发明的限定。
实施例一
请参考图1至图4，本发明提供一种金属电阻探测器，包括硅片1，所述硅片1的下表面覆盖有导热薄膜2，所述硅片1开设有第一窗口和第二窗口，所述第一窗口和第二窗口内分别设有第一金属薄膜3和第二金属薄膜4，所述第一金属薄膜3和第二金属薄膜4粘合于导热薄膜2，所述硅片1上表面设有用于遮挡第二窗口的金属板5，所述导热薄膜2的下表面与第一金属薄膜3对应的位置粘合有相互嵌套在一起的第一电阻丝6和第二电阻丝7，所述导热薄膜2的下表面与第二金属薄膜4对应的位置粘合有相互嵌套在一起的第三电阻丝8和第四电阻丝9，四个电阻丝通过导线10连接在一起构成电桥结构，所述电桥结构具有电流输入引脚11和信号输出引脚12。
第一窗口和第二窗口可以是矩形窗口。第一金属薄膜3作为电磁波吸收层，用于遮挡第二窗口的金属板5用于为第二金属薄膜4遮挡电磁波，第二金属薄膜4作为参考吸收层。两个电阻丝嵌套在一起的作用是保证两者的温度是一样的。第一电阻丝6和第二电阻丝7相互嵌套在一起作为测量电阻，第一电阻丝6和第二电阻丝7相互嵌套在一起作为参考电阻。两个测量电阻和两个参考电阻以相互穿插隔开的方式组成电桥结构，电桥结构具有两个电流输入引脚11和两个信号输出引脚12，即：第一电流输入引脚、第二电流输入引脚、第一信号输出引脚和第二信号输出引脚。具体的，第一电流输入引脚通过导线10连接第三电阻丝8，再通过导线10与第一信号输出端引脚连接，第一电流输入引脚还通过导线10连接第一电阻丝6，再通过导线10与第二信号输出端引脚连接；第二电流输入引脚通过导线10连接第二电阻丝7，再通过导线10与第一信号输出端引脚连接，第二电流输入引脚还通过导线10连接第四电阻丝9，再通过导线10与第二信号输出端引脚连接。
电桥结构的电流输入引脚11由恒定频率的电流进行激励，测量信号通过信号输出引脚12引出。当等离子体电磁波入射到探测器上时，第一金属薄膜3吸收电磁波而温度上升，第二金属薄膜4由于金属板5的遮挡而保持温度不变。第一金属薄膜3将热量传递给测量电阻，造成测量电阻阻值发生变化，而参考电阻阻值保持不变，因此，电桥结构失去平衡，探测器输出电压信号。
四个电阻丝采用热敏电阻材料，即使微弱的温度变化都能造成电阻阻值的变化，并且电阻阻值的变化与温度变化成线性关系。由于金属薄膜具有良好的电磁波吸收性能，并且吸收系数与波段无关，最终探测器的输出电压信号幅值与电磁波入射功率成正比，因此，该金属电阻探测器可以用于电磁波辐射功率的绝对测量。4个完全相同的金属电阻丝高度集成在同一片基板上，能够有效抑制背景温差对探测器的影响。电桥结构使得微弱的平衡偏离得以放大，有效提高探测器的灵敏度和等离子体电磁波辐射功率损失的测量精度。
作为具体实施方式，所述导热薄膜2绝缘，可以采用为氮化硅薄膜。所述第一金属薄膜3与第二金属薄膜4的结构和尺寸相同。所述四个电阻丝采用相同的热敏电阻材料，四个电阻丝的结构和尺寸相同。为兼顾导电性能和成本，所述金属导线10为铜导线10。所述导热薄膜2的厚度小于15微米。四个电阻丝的宽度小于50微米，厚度小于30微米。
本发明提供的一种金属电阻探测器及核聚变等离子体物理研究装置，采用金属薄膜作为电磁波吸收层，大大拓宽了电磁波的吸收波段，并具有均匀的光谱响应系数，具有精确测量宽波段电磁波辐射功率的功能；采用微米级膜厚的氮化硅薄膜作为基板，降低了基板的热容量，提高了热传导效率；利用电桥平衡结构，能够测量微弱的电阻变化，提高了探测器的灵敏度，从而实现等离子体辐射功率的精确测量，解决了现有技术利用光电探测器进行探测，对紫外波段的电磁波响应率比较低，且难以用于等离子体电磁波辐射功率损失的绝对测量的技术问题。
实施例二
本发明还提供一种核聚变等离子体物理研究装置，所述装置采用所述探测器来测量等离子体电磁波辐射功率。
以上所述的具体实施方式，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施方式而已，并不用于限定本发明的保护范围，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种金属电阻探测器，其特征在于，包括硅片，所述硅片的下表面覆盖有导热薄膜，所述硅片开设有第一窗口和第二窗口，所述第一窗口和第二窗口内分别设有第一金属薄膜和第二金属薄膜，所述第一金属薄膜和第二金属薄膜粘合于导热薄膜，所述硅片上表面设有用于遮挡第二窗口的金属板，所述导热薄膜的下表面与第一金属薄膜对应的位置粘合有相互嵌套在一起的第一电阻丝和第二电阻丝，所述导热薄膜的下表面与第二金属薄膜对应的位置粘合有相互嵌套在一起的第三电阻丝和第四电阻丝，四个电阻丝通过导线连接在一起构成电桥结构，所述电桥结构具有电流输入引脚和信号输出引脚，其中所述四个电阻丝采用相同的热敏电阻材料，四个电阻丝的结构和尺寸相同。
2.如权利要求1所述的探测器，其特征在于，所述第一金属薄膜与第二金属薄膜的结构和尺寸相同。
3.如权利要求1所述的探测器，其特征在于，所述电桥结构具有两个电流输入引脚和两个信号输出引脚，即：第一电流输入引脚、第二电流输入引脚、第一信号输出引脚和第二信号输出引脚，第一电流输入引脚通过导线连接第三电阻丝，再通过导线与第一信号输出端引脚连接，第一电流输入引脚还通过导线连接第一电阻丝，再通过导线与第二信号输出端引脚连接；第二电流输入引脚通过导线连接第二电阻丝，再通过导线与第一信号输出端引脚连接；第二电流输入引脚还通过导线连接第四电阻丝，再通过导线与第二信号输出端引脚连接。
4.如权利要求3所述的探测器，其特征在于，所述导线为铜导线。
5.如权利要求1所述的探测器，其特征在于，所述导热薄膜为氮化硅薄膜。
6.如权利要求1所述的探测器，其特征在于，所述导热薄膜的厚度小于15微米。
7.如权利要求1所述的探测器，其特征在于，四个电阻丝的宽度小于50微米，厚度小于30微米。
8.一种核聚变等离子体物理研究装置，其特征在于，所述装置采用权利要求1-7中任一项所述的探测器来测量等离子体电磁波辐射功率。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110450660.XA CN113155281B (zh) | 2021-04-25 | 2021-04-25 | 一种金属电阻探测器及核聚变等离子体物理研究装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110450660.XA CN113155281B (zh) | 2021-04-25 | 2021-04-25 | 一种金属电阻探测器及核聚变等离子体物理研究装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113155281A CN113155281A (zh) | 2021-07-23 |
| CN113155281B true CN113155281B (zh) | 2023-04-11 |
Family
ID=76870584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110450660.XA Active CN113155281B (zh) | 2021-04-25 | 2021-04-25 | 一种金属电阻探测器及核聚变等离子体物理研究装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113155281B (zh) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105486713A (zh) * | 2015-12-02 | 2016-04-13 | 中国科学院紫金山天文台 | 太赫兹超导相变边缘探测器及太赫兹波探测方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2930632C2 (de) * | 1979-07-27 | 1982-03-11 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Pyrodetektor |
| JP3327668B2 (ja) * | 1994-03-24 | 2002-09-24 | 石塚電子株式会社 | 赤外線検出器 |
| JP5672742B2 (ja) * | 2010-03-31 | 2015-02-18 | Tdk株式会社 | 赤外線温度センサ |
| CN101872797A (zh) * | 2010-04-13 | 2010-10-27 | 中国计量学院 | 一种基于微桥谐振器的新型红外探测器结构及制作方法 |
| CN202126849U (zh) * | 2011-04-11 | 2012-01-25 | 核工业西南物理研究院 | 第一镜样品辐照支架 |
| CN109728121B (zh) * | 2018-12-13 | 2020-10-09 | 西北核技术研究所 | 一种宽温大动态范围的中红外光电探测器及探测模块 |
| CN110137300A (zh) * | 2019-05-15 | 2019-08-16 | 苏州大学 | 一种超薄膜红外宽带热电子光电探测器 |
-
2021
- 2021-04-25 CN CN202110450660.XA patent/CN113155281B/zh active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105486713A (zh) * | 2015-12-02 | 2016-04-13 | 中国科学院紫金山天文台 | 太赫兹超导相变边缘探测器及太赫兹波探测方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113155281A (zh) | 2021-07-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6802597B2 (ja) | ファイバ温度検知ベースの可撓性電子皮膚及びその製造方法 | |
| KR101972196B1 (ko) | 적외선 센서 | |
| KR101972197B1 (ko) | 적외선 센서 및 적외선 센서 장치 | |
| US3794914A (en) | Radiation detector employing resistive connected thermocouple elements | |
| CN105675160A (zh) | 含高温保护薄膜组的钨铼薄膜热电偶传感器及制备方法 | |
| CN103323486A (zh) | 一种高阻值材料的塞贝克系数的测试芯片 | |
| CN111174908A (zh) | 一种激光探测器及相应的激光功率计 | |
| CN102788911B (zh) | 一种热敏薄膜噪声测试方法 | |
| CN103474568A (zh) | 基于印刷电子技术的薄膜热电偶制备方法 | |
| CN113155281B (zh) | 一种金属电阻探测器及核聚变等离子体物理研究装置 | |
| CN112432719B (zh) | 一种热电堆热流传感器 | |
| CN110530927A (zh) | 一种热电材料塞贝克系数测试装置及方法 | |
| CN112729537A (zh) | 一种测量激光器激光功率的传感器及激光功率计 | |
| US4518912A (en) | Radiation detector | |
| CN108508263B (zh) | 功率传感器 | |
| US20180352609A1 (en) | Thick film element having covering layer with high heat conductivity | |
| CN1212520C (zh) | 半导体热电偶型微波功率传感器 | |
| CN211717619U (zh) | 一种激光探测器及相应的激光功率计 | |
| CN108508264B (zh) | 功率传感器 | |
| CN1128366C (zh) | 微桥结构热偶型微波功率传感器 | |
| CN112595750A (zh) | 一种基于瞬态平面热源的近场热辐射探测器及测量方法 | |
| Katzmann et al. | Thin-film AC-DC converter with thermoresistive sensing | |
| CN219532288U (zh) | 一种核聚变研究装置上金属电阻探测器的集成组装装置 | |
| CN217280848U (zh) | Mems热电探测芯片和热电探测仪 | |
| US3533855A (en) | Electrical measurement devices |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |