JP2568292B2 - サーモ・パイル形赤外線センサ - Google Patents
サーモ・パイル形赤外線センサInfo
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- JP2568292B2 JP2568292B2 JP2033075A JP3307590A JP2568292B2 JP 2568292 B2 JP2568292 B2 JP 2568292B2 JP 2033075 A JP2033075 A JP 2033075A JP 3307590 A JP3307590 A JP 3307590A JP 2568292 B2 JP2568292 B2 JP 2568292B2
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Description
【発明の詳細な説明】 《産業上の利用分野》 この発明は、Si（シリコン）基板上に薄膜技術により
形成されたサーモ・パイルに関し、特に、赤外線センサ
の特性改善を図ったサーモ・パイル形赤外線センサに関
する。
形成されたサーモ・パイルに関し、特に、赤外線センサ
の特性改善を図ったサーモ・パイル形赤外線センサに関
する。
《従来の技術》 従来より、サーモ・パイル赤外線センサとしては、例
えば第６図に示すものがある。
えば第６図に示すものがある。
図中１は、ｐ形シリコン基板、２はｎ形エピタキシャ
ル層、３はこのエピタキシャル層２の下側のｎ形シリコ
ン基板１及びその周囲の３方をエッチングで取り除くこ
とにより形成された片持梁である。
ル層、３はこのエピタキシャル層２の下側のｎ形シリコ
ン基板１及びその周囲の３方をエッチングで取り除くこ
とにより形成された片持梁である。
４は、このｎ形エピタキシャル層２からなる片持梁３
中に形成されたｐ形拡散抵抗層、５はｎ形エピタキシャ
ル層２にバイアス電圧を与えるためのn+領域、６はｐ形
拡散抵抗層４の両端及びn+領域５へのコンタクト・ホー
ルを介して接続され、必要な電気的結線を行うためのAl
配線、７はシリコン酸化膜、８は赤外線吸収層である。
中に形成されたｐ形拡散抵抗層、５はｎ形エピタキシャ
ル層２にバイアス電圧を与えるためのn+領域、６はｐ形
拡散抵抗層４の両端及びn+領域５へのコンタクト・ホー
ルを介して接続され、必要な電気的結線を行うためのAl
配線、７はシリコン酸化膜、８は赤外線吸収層である。
第７図は、第６図の平面図で、片持梁３の上にはｐ形
拡散抵抗層４が片持梁３の固定部から先端に向け３本並
行に配置されている。
拡散抵抗層４が片持梁３の固定部から先端に向け３本並
行に配置されている。
これらｐ形拡散抵抗層４は、Al配線６により直列に接
続され、サーモ・パイルを構成している。
続され、サーモ・パイルを構成している。
今このような構造のサーモ・パイル形赤外線センサの
赤外線吸収層８へ赤外線が入射すると、このエネルギー
は熱に交換されて、片持梁３の先端の温度が上昇し、ｐ
形シリコン基板１側との間に温度差を生じる。
赤外線吸収層８へ赤外線が入射すると、このエネルギー
は熱に交換されて、片持梁３の先端の温度が上昇し、ｐ
形シリコン基板１側との間に温度差を生じる。
上記片持梁３の構造は、一辺がｐ形シリコン基板１へ
接続されているだけで周りはN2雰囲気または真空とでき
るので、片持梁３の先端にある赤外線吸収層８からｐ形
シリコン基板１への熱抵抗を大きくでき、赤外線吸収層
８で変換された熱により生じる温度差を大きくすること
ができる。
接続されているだけで周りはN2雰囲気または真空とでき
るので、片持梁３の先端にある赤外線吸収層８からｐ形
シリコン基板１への熱抵抗を大きくでき、赤外線吸収層
８で変換された熱により生じる温度差を大きくすること
ができる。
この温度差によりサーモ・パイルの両端には起電力V0
が生じる。
が生じる。
今、センサー・チップが真空状態で実装されていて、
片持梁３の先端で生じた熱は、Siの片持梁３だけを通っ
て流れるものと仮定すると、赤外線の入射エネルギーP0
に対して、サーモ・パイルの起電力V0は次式のように表
される。
片持梁３の先端で生じた熱は、Siの片持梁３だけを通っ
て流れるものと仮定すると、赤外線の入射エネルギーP0
に対して、サーモ・パイルの起電力V0は次式のように表
される。
V0＝ｎαpR0P0 ……（１） ここでｎは、サーモ・パイルを構成するｐ形拡散抵抗
層４の本数、αｐはｐ形拡散抵抗層４のゼーベック係
数、R0は片持梁３の先端からｐ形シリコン基板１へ至る
熱抵抗で、ここではSiの片持梁３の熱抵抗とその片持梁
３上に形成されたAl配線６の熱抵抗の並列合成抵抗とな
り次のように表される。
層４の本数、αｐはｐ形拡散抵抗層４のゼーベック係
数、R0は片持梁３の先端からｐ形シリコン基板１へ至る
熱抵抗で、ここではSiの片持梁３の熱抵抗とその片持梁
３上に形成されたAl配線６の熱抵抗の並列合成抵抗とな
り次のように表される。
なお、この際にはAlのゼーベック効果は、充分小さい
ので無視することができる。
ので無視することができる。
R0＝L/（KSi・Asi＋KAl・AAl） …（２） ここで、KSi,KAlはそれぞれSi,Alの熱伝導率、Asi及
びAAlは、片持梁部におけるSi,Alの断面積である。
びAAlは、片持梁部におけるSi,Alの断面積である。
例えば、今、長さＬ＝2mm,幅400μｍ、厚さ10μｍで
サーモ・パイルがｐ形拡散抵抗層４を10本（ｎ＝10）併
設して構成されるような片持梁３を考えると、 KSi＝1.41W/cm・K,KAl＝2.36W/cm・Ｋより、熱抵抗R0は
上記（２）式より、下記の値が求められる。
サーモ・パイルがｐ形拡散抵抗層４を10本（ｎ＝10）併
設して構成されるような片持梁３を考えると、 KSi＝1.41W/cm・K,KAl＝2.36W/cm・Ｋより、熱抵抗R0は
上記（２）式より、下記の値が求められる。
R0＝0.2/｛1.41×400×10）×10-8＋2.36×（１×20） ×10-8×10｝ ＝3.27×103K/W 従って、例えばαｐ＝1mV/Kとすると、P0＝1mWの入射
に対してW0＝32.7mVとなる。
に対してW0＝32.7mVとなる。
このような片持梁式赤外線センサの製造方法について
簡単に説明する。
簡単に説明する。
最初にバイポーラ・プロセスと同様にｐ形シリコンの
基板１にｐ形エピタキシャル層２の10〜20μｍ成長さ
せ、ｐ形素子分離拡散（図示せず）を片持梁３を３方か
ら取り囲むようにＶ字形に、ｐ形シリコン基板１に達す
るように行う。
基板１にｐ形エピタキシャル層２の10〜20μｍ成長さ
せ、ｐ形素子分離拡散（図示せず）を片持梁３を３方か
ら取り囲むようにＶ字形に、ｐ形シリコン基板１に達す
るように行う。
次に、サーモ・パイルを構成するｐ形拡散抵抗層４を
形成し、続いてn+領域５を形成する。
形成し、続いてn+領域５を形成する。
そうして、ウエハ裏面にシリコン窒化膜等の耐エッチ
ング性膜を被着する。その後、コンタクト・エッチング
をしてAl配線６を形成の後、裏面の耐エッチング膜に窓
をあけて、ｎ形エピタキシャル層２を正電位にバイアス
しながら、ｐ形シリコン基板１を裏面よりKOH,EDP（エ
チレン・ジアミン・ピロカテコール水溶液）等の強アル
カリ性の異方性シリコン・エッチング液でエッチングす
る（エレクトロ・ケミカル・エッチング）。
ング性膜を被着する。その後、コンタクト・エッチング
をしてAl配線６を形成の後、裏面の耐エッチング膜に窓
をあけて、ｎ形エピタキシャル層２を正電位にバイアス
しながら、ｐ形シリコン基板１を裏面よりKOH,EDP（エ
チレン・ジアミン・ピロカテコール水溶液）等の強アル
カリ性の異方性シリコン・エッチング液でエッチングす
る（エレクトロ・ケミカル・エッチング）。
こうしてエッチングが進行して、ｎ形エピタキシャル
層２へ達すると、エッチングは停止するが、上記Ｕ字形
に形成されたｐ形素子分離領域は引き続きエッチングさ
れ、第１図に示すような片持梁構造が完成する。なお、
この詳細については下記文献に示されている。
層２へ達すると、エッチングは停止するが、上記Ｕ字形
に形成されたｐ形素子分離領域は引き続きエッチングさ
れ、第１図に示すような片持梁構造が完成する。なお、
この詳細については下記文献に示されている。
P.M.Sarro他「AN INFRARED SENSING ARRAY BASED
ON INTEGRATED SILICON THERMOPILES」TRANSDUCER
S′87 PP.227−230（1987）． 《発明が解決しようとする課題》 しかしながら、このような従来のサーモ・パイル形赤
外線センサにあっては、熱分離構造としてSiの片持梁３
を作り、その中にサーモ・パイルとしてのｐ形拡散抵抗
層４が形成されているような構成となっているため、Si
からなる片持梁３の熱抵抗があまり大きくできず、赤外
線の検出感度が十分には得られないという問題点があっ
た。
ON INTEGRATED SILICON THERMOPILES」TRANSDUCER
S′87 PP.227−230（1987）． 《発明が解決しようとする課題》 しかしながら、このような従来のサーモ・パイル形赤
外線センサにあっては、熱分離構造としてSiの片持梁３
を作り、その中にサーモ・パイルとしてのｐ形拡散抵抗
層４が形成されているような構成となっているため、Si
からなる片持梁３の熱抵抗があまり大きくできず、赤外
線の検出感度が十分には得られないという問題点があっ
た。
《課題を解決するための手段》 この発明は、このような従来の問題点に鑑みて成され
たもので、その目的とするところは、熱分離を良くし、
熱交換効率を向上させ、赤外線検出感度を高くするサー
モ・パイル形赤外線センサを提供するものである。
たもので、その目的とするところは、熱分離を良くし、
熱交換効率を向上させ、赤外線検出感度を高くするサー
モ・パイル形赤外線センサを提供するものである。
上記目的を達成するための、この発明に係るサーモ・
パイル形赤外線センサは、熱分離構造として、複数の単
結晶シリコンからなるビーム状抵抗を交互に直列接続し
てサーモ・パイルの梁部を構成し、半導体基板から熱絶
縁されるように形成された赤外線検出部を支えるように
したことを特徴とする。
パイル形赤外線センサは、熱分離構造として、複数の単
結晶シリコンからなるビーム状抵抗を交互に直列接続し
てサーモ・パイルの梁部を構成し、半導体基板から熱絶
縁されるように形成された赤外線検出部を支えるように
したことを特徴とする。
《作用》 この発明に係るサーモ・パイル形赤外線センサでは、
半導体基板をエッチングし、その基板と熱絶縁するよう
に形成された赤外線検出部と、その赤外線検出部とその
基板とを結合するように形成された単結晶シリコンから
なるｐ形とｎ形の抵抗とが交互に直列接続されてサーモ
・パイルの梁部を形成するビーム状抵抗とを有している
ため、熱分離がよくなり熱交換効率を向上させるととも
に、赤外線検出感度を極めて高くする。
半導体基板をエッチングし、その基板と熱絶縁するよう
に形成された赤外線検出部と、その赤外線検出部とその
基板とを結合するように形成された単結晶シリコンから
なるｐ形とｎ形の抵抗とが交互に直列接続されてサーモ
・パイルの梁部を形成するビーム状抵抗とを有している
ため、熱分離がよくなり熱交換効率を向上させるととも
に、赤外線検出感度を極めて高くする。
《実施例の説明》 以下、この発明に係るサーモ・パイル形赤外線センサ
の第１実施例を図面に基づいて説明する。
の第１実施例を図面に基づいて説明する。
第１図はこの発明の第１実施例を示すサーモ・パイル
形赤外線センサの平面図、第２図は第１図のＡ−Ａ線に
沿う断面図、第３図は第１図のＢ−Ｂ線に沿う断面図
で、図中11はｐ形シリコン基板、12はｎ形エピタキシャ
ル層、14は４本のSiビームからなる梁部、15はその梁部
14の先端に設けられた赤外線検出部、16はｐ形素子分離
拡散層、17はサーモ・パイルを構成するｐ形拡散抵抗
層、18はシリコン酸化膜、19は配線層、20はカーボン・
ブラック等の赤外線吸収層、21はコンタクト部である。
形赤外線センサの平面図、第２図は第１図のＡ−Ａ線に
沿う断面図、第３図は第１図のＢ−Ｂ線に沿う断面図
で、図中11はｐ形シリコン基板、12はｎ形エピタキシャ
ル層、14は４本のSiビームからなる梁部、15はその梁部
14の先端に設けられた赤外線検出部、16はｐ形素子分離
拡散層、17はサーモ・パイルを構成するｐ形拡散抵抗
層、18はシリコン酸化膜、19は配線層、20はカーボン・
ブラック等の赤外線吸収層、21はコンタクト部である。
この実施例では４本２対のSiビーム（４対のサーモ・
カップル）からなる両持梁の場合について示したが、こ
の本数を増やすことによりさらに大きなサーモ・パイル
の出力を得ることができる。
カップル）からなる両持梁の場合について示したが、こ
の本数を増やすことによりさらに大きなサーモ・パイル
の出力を得ることができる。
上記ｐ形拡散抵抗層17とともにサーモ・カップルを構
成するｎ形抵抗22は、ｎ形エピタキシャル層12をp+素子
分離拡散領域16を用いて分離することにより形成されて
いる。
成するｎ形抵抗22は、ｎ形エピタキシャル層12をp+素子
分離拡散領域16を用いて分離することにより形成されて
いる。
そうして、ｐ形拡散抵抗層17とｎ形抵抗22は交互に直
列に接続されたことによりビーム状抵抗を形成するとと
もに、サーモ・パイルの梁部14を構成している。
列に接続されたことによりビーム状抵抗を形成するとと
もに、サーモ・パイルの梁部14を構成している。
これらの抵抗素子17,22は両端の固定部を除いたビー
ム部においては、第５図に示すように、１つのａ面と２
つのｂ面で囲まれた逆三角形の断面形状を持つ。
ム部においては、第５図に示すように、１つのａ面と２
つのｂ面で囲まれた逆三角形の断面形状を持つ。
上記梁部14の先端の赤外線検出部15は、梁部14のビー
ム状抵抗を直交して組み上げたような格子形状になって
いて、その表面には赤外線吸収層20が形成されている。
ム状抵抗を直交して組み上げたような格子形状になって
いて、その表面には赤外線吸収層20が形成されている。
次に、赤外線センサの製造プロセスについて、第４図
（ａ），（ｂ），（ｃ）をもとに簡単に説明する。
（ａ），（ｂ），（ｃ）をもとに簡単に説明する。
上記第４図（ａ）においては、ｐ形シリコン基板11に
ｎ形エピタキシャル層12を成長させ、ｐ形素子分離拡散
領域16を形成して、pn形接合分離されたｎ形抵抗22を作
る。
ｎ形エピタキシャル層12を成長させ、ｐ形素子分離拡散
領域16を形成して、pn形接合分離されたｎ形抵抗22を作
る。
次にｐ形拡散を行い、ｐ形拡散抵抗層17を形成し、さ
らに、コンタクト部21にn+領域（ｎ形抵抗22）、p+領域
（ｐ形拡散抵抗17）を形成した後、コンタクト・エッチ
ングおよび電極配線19の形成を行う（図示せず）。
らに、コンタクト部21にn+領域（ｎ形抵抗22）、p+領域
（ｐ形拡散抵抗17）を形成した後、コンタクト・エッチ
ングおよび電極配線19の形成を行う（図示せず）。
第４図（ｂ）に示す工程では、反応性イオン・エッチ
ング（RIE）のマスクとしてSiO2膜24をCVDにより堆積
し、パターンニングした後、RIEによりSiのエッチング
を行い、垂直な溝25を矢印方向に沿って形成する。
ング（RIE）のマスクとしてSiO2膜24をCVDにより堆積
し、パターンニングした後、RIEによりSiのエッチング
を行い、垂直な溝25を矢印方向に沿って形成する。
そうして、KOH,ヒドラジン等のアルカリ系異方性エッ
チング液で、その溝25よりSiのエッチングを行うと、梁
部14では第４図（ｃ）に示すように、ｂ面で囲まれた三
角断面形状になるまでエッチングが進み、そこでエッチ
ングが停止する。
チング液で、その溝25よりSiのエッチングを行うと、梁
部14では第４図（ｃ）に示すように、ｂ面で囲まれた三
角断面形状になるまでエッチングが進み、そこでエッチ
ングが停止する。
これは、ｂ面のエッチング速度が極めて遅いためであ
る。このエッチングによりできた窪み部底面にも同様の
三角状突起が形成される。
る。このエッチングによりできた窪み部底面にも同様の
三角状突起が形成される。
このようにして第１図〜第３図に示すような基板上に
空隙を挟んでビームがかけられたような両持梁構造を形
成することができる。そこで、ブリッジ中央部には、そ
の三角柱状からなるビーム状抵抗が直交して組み合わせ
たような格子領域ができるが、この上にカーボン・ブラ
ック等の赤外線吸収層20を塗布して完成する。
空隙を挟んでビームがかけられたような両持梁構造を形
成することができる。そこで、ブリッジ中央部には、そ
の三角柱状からなるビーム状抵抗が直交して組み合わせ
たような格子領域ができるが、この上にカーボン・ブラ
ック等の赤外線吸収層20を塗布して完成する。
次に、この発明に係るサーモ・パイル形赤外線センサ
の作用を説明する。
の作用を説明する。
サーモ・パイルの出力は、従来例で説明した（１）式
のよううに熱抵抗R0に比例する形になる。
のよううに熱抵抗R0に比例する形になる。
そこで、この第１実施例における熱抵抗R0は次のよう
になる。
になる。
なお、ここでは例えば、梁部14の長さＬ＝2mm、サー
モ・パイルが10対の抵抗ビームからなり、各ビームの巾
が10μｍであるとする。また、ここでSiO2膜18による熱
伝導は、SiO2の熱伝導率KSiO2＝0.014W/cm・ＫとSiと比
較して２桁も小さいこと、さらにその膜厚が１μｍ程度
と薄いことから無視することができる。
モ・パイルが10対の抵抗ビームからなり、各ビームの巾
が10μｍであるとする。また、ここでSiO2膜18による熱
伝導は、SiO2の熱伝導率KSiO2＝0.014W/cm・ＫとSiと比
較して２桁も小さいこと、さらにその膜厚が１μｍ程度
と薄いことから無視することができる。
従って、熱抵抗R0の値は、次のようにして求められ
る。
る。
R0＝0.2/｛0.014×（10×5tan54.74゜×1/2） ×10-8×20｝＝2.02x106K/W このようにして、熱抵抗R0は極めて大きくなり、非常
に高い熱交換効率（感度）を得ることができる。
に高い熱交換効率（感度）を得ることができる。
また、ｐ形シリコン基板11の裏面からのシリコン・エ
ッチングが不要なので、両面マスク合わせ等の手間が省
け、製造が容易になるので低価格化を図ることができ
る。
ッチングが不要なので、両面マスク合わせ等の手間が省
け、製造が容易になるので低価格化を図ることができ
る。
第５図は、この発明の第２の実施例を示す平面図で、
この実施例では、基本構成は第１図〜第３図に示した第
１実施例と同じで（第１実施例と同一符号を付しその説
明を省略する）、異なる点は、赤外線検出部15の４辺か
らｐ形シリコン基板１へビーム状のサーモ・パイルが形
成された構造になっている点である。
この実施例では、基本構成は第１図〜第３図に示した第
１実施例と同じで（第１実施例と同一符号を付しその説
明を省略する）、異なる点は、赤外線検出部15の４辺か
らｐ形シリコン基板１へビーム状のサーモ・パイルが形
成された構造になっている点である。
この場合、熱抵抗が半分になり、サーモ・カップルの
数が２倍となるので感度は変わらないが、機械的強度を
強くすることができる。但し、占有面積は若干大きくな
る。
数が２倍となるので感度は変わらないが、機械的強度を
強くすることができる。但し、占有面積は若干大きくな
る。
この第２の実施例は、第１実施例とともに、更に以下
のような効果がある。
のような効果がある。
すなわち、ｐ形シリコン基板−ｎ形エピタキシャル層
の構造となっているので同一基板上にバイポーラ素子を
集積することができ、周辺回路を一体化して、省スペー
ス化が図られ、スマートなサーモ・パイル形赤外線セン
サの製作が容易となる。
の構造となっているので同一基板上にバイポーラ素子を
集積することができ、周辺回路を一体化して、省スペー
ス化が図られ、スマートなサーモ・パイル形赤外線セン
サの製作が容易となる。
《発明の効果》 上記構成より明らかなように、この発明に係るサーモ
・パイル形赤外線センサによれば、，赤外線検出部とシ
リコン基板を複数のｎ形及びｐ形の単結晶シリコン・ビ
ームの抵抗からなるサーモ・パイルで結合した構造とし
たため、熱分離がよくなり（熱抵抗が大きくなり）、熱
交換率を向上させ、極めて赤外線検出感度を高くでき
る。
・パイル形赤外線センサによれば、，赤外線検出部とシ
リコン基板を複数のｎ形及びｐ形の単結晶シリコン・ビ
ームの抵抗からなるサーモ・パイルで結合した構造とし
たため、熱分離がよくなり（熱抵抗が大きくなり）、熱
交換率を向上させ、極めて赤外線検出感度を高くでき
る。
また、Si基板表面側からのエッチングだけでビーム構
造を形成できるので低価格化できる等の効果を有する。
造を形成できるので低価格化できる等の効果を有する。
第１図はこの発明に係るサーモ・パイル形赤外線センサ
の平面図、第２図は第１図のＡ−Ａ線に沿う断面図、第
３図は第１図のＢ−Ｂ線に沿う断面図、第４図（ａ），
（ｂ），（ｃ）はこの発明の梁部を構成する際の製造プ
ロセスの各工程を示す説明図、第５図はこの発明に係る
サーモ・パイル形赤外線センサのその他の実施例を示す
平面図、第６図は従来のサーモ・パイル形赤外線センサ
の一例を示す断面図、第７図は第６図の拡大平面図であ
る。 11……ｐ形シリコン基板 14……梁部 15……赤外線検出部 17……ｐ形拡散抵抗層 22……ｎ形抵抗
の平面図、第２図は第１図のＡ−Ａ線に沿う断面図、第
３図は第１図のＢ−Ｂ線に沿う断面図、第４図（ａ），
（ｂ），（ｃ）はこの発明の梁部を構成する際の製造プ
ロセスの各工程を示す説明図、第５図はこの発明に係る
サーモ・パイル形赤外線センサのその他の実施例を示す
平面図、第６図は従来のサーモ・パイル形赤外線センサ
の一例を示す断面図、第７図は第６図の拡大平面図であ
る。 11……ｐ形シリコン基板 14……梁部 15……赤外線検出部 17……ｐ形拡散抵抗層 22……ｎ形抵抗
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板をエッチングして、その基板と
熱絶縁するように形成された赤外線検出部と、 この赤外線検出部と上記基板とを結合するように形成さ
れた単結晶シリコンからなるｐ形とｎ形の抵抗とが交互
に直列接続されてサーモ・パイルの梁部を形成する複数
のビーム状抵抗と、 を有することを特徴とするサーモ・パイル形赤外線セン
サ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2033075A JP2568292B2 (ja) | 1990-02-14 | 1990-02-14 | サーモ・パイル形赤外線センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2033075A JP2568292B2 (ja) | 1990-02-14 | 1990-02-14 | サーモ・パイル形赤外線センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03236288A JPH03236288A (ja) | 1991-10-22 |
| JP2568292B2 true JP2568292B2 (ja) | 1996-12-25 |
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ID=12376600
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2033075A Expired - Fee Related JP2568292B2 (ja) | 1990-02-14 | 1990-02-14 | サーモ・パイル形赤外線センサ |
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|---|---|
| JP (1) | JP2568292B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6913500B2 (en) | 2002-10-11 | 2005-07-05 | Honda Motor Co., Ltd. | Outboard motor |
| US7086370B2 (en) | 2001-05-15 | 2006-08-08 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Outboard motor |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3809718B2 (ja) * | 1997-12-26 | 2006-08-16 | 日産自動車株式会社 | 赤外線検知素子 |
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