JP2002176204A - 赤外線検出素子 - Google Patents

赤外線検出素子

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JP2002176204A
JP2002176204A JP2000372773A JP2000372773A JP2002176204A JP 2002176204 A JP2002176204 A JP 2002176204A JP 2000372773 A JP2000372773 A JP 2000372773A JP 2000372773 A JP2000372773 A JP 2000372773A JP 2002176204 A JP2002176204 A JP 2002176204A
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infrared detecting
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polysilicon
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JP2000372773A
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Shinichi Morita
信一 森田
Nami Shibata
奈巳 柴田
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IHI Aerospace Co Ltd
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IHI Aerospace Co Ltd
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    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
    • G01J5/12—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using thermoelectric elements, e.g. thermocouples

Abstract

(57)【要約】 【課題】 熱電対のｐ型ポリシリコンおよびｎ型ポリシ
リコンの長さや断面積をＳＮ比の向上を実現するのに最
適な値に設定できるようにする。 【解決手段】半導体基板１と、半導体基板１上に設けた
ダイアフラム２と、ｐ型ポリシリコン１０およびｎ型ポ
リシリコン１１を接続してなる熱電対１３を複数対並列
に配置して電気的に直列に接続してダイアフラム２上に
形成したサーモパイル４と、中央部分に層間絶縁層３を
介して形成された熱吸収膜５を備えた赤外線検出素子に
おいて、熱電対１３のｐ型ポリシリコン１０およびｎ型
ポリシリコン１１の温接点１４と冷接点１５間の断面積
を互いに違えている構成としている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、赤外線検出素子に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、赤外線検出素子には、サーモパ
イル型、焦電型およびボロメータ型があり、サーモパイ
ル型の赤外線検出素子には、例えば、図５または図６に
示すものがある。
【０００３】図５および図６に示すサーモパイル型赤外
線検出素子の違いは、マイクロマシニング技術の異方性
エッチングの方法による。
【０００４】図５の赤外線検出素子では、半導体基板の
表面からエッチングを行って低い熱伝導性のダイアフラ
ムを表面側に形成し、この上にサーモパイルを形成して
いる。
【０００５】一方、図６の赤外線検出素子において、サ
ーモパイルは半導体基板の表面に形成されているが、エ
ッチングは裏面から実施されるようになっている。
【０００６】ここでは図５の赤外線検出素子を説明す
る。図５に示すように、このサーモパイル型の赤外線検
出素子Ｓ１は、半導体基板１０１と、この半導体基板１
０１上に設けた熱伝導性の低いダイアフラム１０２と、
幅と厚さが同じｐ型ポリシリコン１１０およびｎ型ポリ
シリコン１１１をアルミニウム配線１１２で接続してな
る熱電対１１３を複数対並列に配置して電気的に直列に
接続してダイアフラム１０２上に形成されるサーモパイ
ル１０４を備えており、中央部分には、層間絶縁層１０
３を介して形成された熱吸収膜１０５が位置している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記したような赤外線
検出素子の性能向上には、雑音に対する出力信号の比、
いわゆるＳＮ比(Signal to Noise ratio)を大きくする
ことが要求されるが、上記した従来の赤外線検出素子Ｓ
１では、サーモパイル１０４の設計に際して、熱電対１
１３のｐ型ポリシリコン１１０およびｎ型ポリシリコン
１１１の各々の電気伝導率および熱伝導率の違いは考慮
されておらず、各ポリシリコンの幅および厚さいずれも
同じとしていることから、高いＳＮ比が得られるとは言
い難いという問題があり、この問題を解決することが従
来の課題となっていた。
【０００８】
【発明の目的】本発明は、上記した従来の課題に着目し
てなされたもので、熱電対のｐ型ポリシリコンおよびｎ
型ポリシリコンのそれぞれの断面積をＳＮ比の向上を実
現するのに適した値に設定することが可能である赤外線
検出素子を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係わ
る赤外線検出素子は、半導体基板と、この半導体基板上
に設けた熱伝導性の低いダイアフラムと、ｐ型ポリシリ
コンおよびｎ型ポリシリコンからなる熱電対を複数対並
列に配置して電気的に直列に接続してダイアフラム上に
形成されたサーモパイルと、該サーモパイルの検知部の
上に絶縁層を介して形成された熱吸収膜を備えた赤外線
検出素子において、サーモパイルを形成する熱電対の温
・冷接点間における該ｐ型ポリシリコンの断面積と該ｎ
型ポリシリコンの断面積を互いに違えてある構成として
おり、この赤外線検出素子の構成を前述の従来の課題を
解決するための手段としている。
【００１０】本発明の請求項２に係わる赤外線検出素子
は、熱電対の温・冷接点間におけるｐ型ポリシリコンの
平均断面積とｎ型ポリシリコンの平均断面積を互いに違
えてある構成とし、本発明の請求項３に係わる赤外線検
出素子は、ｐ型ポリシリコンおよびｎ型ポリシリコンの
間隙を一定にし、かつ、各々の電気伝導率の比ρp/ρn
をｍとすると共に熱伝導率の比ｋp／ｋnをｎとしたとき
に、ｐ型ポリシリコンとｎ型ポリシリコンとの断面積比
Ｓp／Ｓnを√（ｍ）から√（ｍ）／ｎの間に設定してい
る構成としている。
【００１１】本発明の請求項４に係わる赤外線検出素子
において、熱電対の温・冷接点間におけるｐ型ポリシリ
コンおよびｎ型ポリシリコンの各々の厚さを一定にした
場合は各々の幅を互いに違える構成とし、請求項５に係
わる赤外線検出素子において、熱電対の温・冷接点間に
おけるｐ型ポリシリコンおよびｎ型ポリシリコンの各々
の幅を一定にした場合は各々の厚さを互いに違える構成
とし、請求項６に係わる赤外線検出素子は、ｐ型ポリシ
リコンおよびｎ型ポリシリコンの間隙と各厚さをそれぞ
れ一定にし、かつ、各々の電気伝導率の比ρp/ρnをｍ
とすると共に熱伝導率の比ｋp／ｋnをｎとしたときに、
ｐ型ポリシリコンおよびｎ型ポリシリコンの幅の比ｗp
／ｗnを√（ｍ）から√（ｍ）／ｎの間に設定している
構成とし、請求項７に係わる赤外線検出素子は、ｐ型ポ
リシリコンおよびｎ型ポリシリコンの間隙と各幅をそれ
ぞれ一定にし、かつ、各々の電気伝導率の比ρp/ρnを
ｍとすると共に熱伝導率の比ｋp／ｋnをｎとしたとき
に、ｐ型ポリシリコンおよびｎ型ポリシリコンの厚さの
比ｔp／ｔnを√（ｍ）から√（ｍ）／ｎの間に設定して
いる構成としている。
【００１２】本発明の請求項８に係わる赤外線検出素子
は、熱電対数を一定にすると共に、ｐ型ポリシリコンと
ｎ型ポリシリコンとの間隙および各ポリシリコンの厚さ
を一定にしたときに、熱伝導率の高いポリシリコンの幅
と低いポリシリコンの幅の比を最大にする構成としてい
る。
【００１３】ここで、上記した赤外線検出素子は、半導
体基板と熱吸収領域との間の温度差、すなわち、冷接点
と温接点との間の温度差によって起電力が発生する現象
(ゼーベック効果)を利用したものであり、この起電力
(出力信号Ｓ)は、数式１に示すように、熱電対の対数ｎ
と、ゼーベック係数αと、熱抵抗Ｒthと、入射する赤外
線エネルギが熱吸収膜で吸収されて熱に変換されたエネ
ルギＰで表わすことができる。つまり、出力信号Ｓは素
子の熱抵抗の大きさに比例する。
【００１４】 Ｓ＝Ｐ・Ｒ＝ｎ・α・ΔＴ＝ｎ・α・Ｒth・Ｐ ・・・数式１ ここで、Ｒは感度、ΔＴは冷接点と温接点との間の温度
差を示す。熱電対の熱抵抗は、数式２に示すように、熱
電対の長さに比例し、ポリシリコンの断面積に反比例す
る。数式１，２から、熱電対の長さや対数を増すか、ポ
リシリコンの幅や厚さを小さくすれば、高い出力信号Ｓ
が得られることが分かる。
【００１５】 Ｒth＝Ｌ/(ｋp・Ａp＋ｋn・Ａn) ＝Ｌ/(ｋp・ｗp・ｔp＋ｋn・ｗn・ｔn) ・・数式２ ここで、Ｌはポリシリコンの長さ、ｋp, Ａp，ｗｐ,ｔp
はｐ型ポリシリコンの熱伝導率,断面積 ,幅および厚さ
であり、ｋn, Ａn,ｗn,ｔnはｎ型ポリシリコンの熱伝導
率, 断面積,幅および厚さを示す。
【００１６】ところが、ただ単に熱電対の長さや対数を
増したりポリシリコンの幅を狭くしたり厚さを薄くした
りすると、数式３，４に示すように、電気的抵抗Ｒeが
増加するのに伴ってノイズ電圧Ｎも増えてしまう。
【００１７】 Ｎ＝(４・ｋ・Ｔ・Δｆ・Ｒe) 1/2 ・・・数式３ ここで、ｋはボルツマン定数、Ｔは絶対温度、Δｆは周
波数帯域を示す。
【００１８】 Ｒe＝ｎ・(Ｒep＋Ｒen ) ＝ｎ・Ｌ(ρp/ｗp・ｔp＋ρn/ｗn・ｔn) ・・・数式４ ここで、Ｒep, ρp はｐ型ポリシリコンの電気的抵抗お
よび電気伝導率であり、Ｒen,ρnはｎ型ポリシリコンの
電気的抵抗および電気伝導率である。
【００１９】いま、ダイアフラムの構造を一定として、
ダイアフラム上に複数の熱電対が形成されている場合の
熱電対によるＳＮ比の影響を考える。全体的なＳＮ比を
よくするためには、サーモパイルの設計に際して、ポリ
シリコンの断面積を最適な値に設定する必要があり、本
発明の請求項３,６,７に係わる赤外線検出素子では、ｐ
型ポリシリコンおよびｎ型ポリシリコンの断面積比Ｓp
／Ｓn, 幅の比ｗp／ｗnおよび 厚みの比ｔp／ｔnをそれ
ぞれ上記のように設定した。
【００２０】一方、応答速度τは、数式５のように、素
子の熱容量Ｃと熱抵抗Ｒthを用いて示すことができる。
したがって、素子のダイアフラムが一定(熱容量Ｃが一
定)とすると、熱抵抗Ｒthを小さくするほど応答速度τ
は速くなるため、請求項８に係わる赤外線検出素子で
は、熱伝導率の大きい方のポリシリコンの断面積を大き
くするほうが良い。一般に、同量の不純物がドープされ
ているときは、ｎ型ポリシリコンの熱伝導率がｐ型ポリ
シリコンの熱伝導率よりも大きいため、ポリシリコンの
断面積比Ｓp／Ｓn, 幅の比ｗp／ｗnおよび 厚みの比ｔp
／ｔnが最小になるように(ｎ型ポリシリコンの幅がｐ型
ポリシリコンに比べて最大になるように)設定した。
【００２１】τ＝Ｃ・Ｒth・・・数式５
【００２２】
【発明の作用】本発明の請求項１,２および４，５に係
わる赤外線検出素子は、上記した構成としているので、
熱電対のｐ型ポリシリコンおよびｎ型ポリシリコンの各
々の電気伝導率および熱伝導率の違いを考慮して、両ポ
リシリコンの冷接点と温接点との間の断面積を個別に決
定し得ることとなり、その結果、両ポリシリコンの性能
が存分に発揮されて、ＳＮ比の向上が図られることとな
る。本発明の請求項３に係わる赤外線検出素子は、上記
した構成としたため、熱電対のｐ型ポリシリコンおよび
ｎ型ポリシリコンの断面積が最適な値に設定されること
となって、最も高いＳＮ比が得られることとなる。
【００２３】本発明の請求項６および７に係わる赤外線
検出素子は、上記した構成としているので、熱電対のｐ
型ポリシリコンおよびｎ型ポリシリコンの幅(請求項７
に係わる赤外線検出素子では厚さ)が最適な値に設定さ
れることとなり、最も高いＳＮ比が得られることとな
る。
【００２４】本発明の請求項８に係わる赤外線検出素子
は、上記した構成としているので、断面積比, 幅比およ
び 厚みの比が小さくなるほど(熱伝導率が大きい方のポ
リシリコン側が大きくなるほど)応答速度が格段に速く
なる。
【００２５】
【発明の効果】本発明の請求項１,２および４，５に係
わる赤外線検出素子によれば、熱電対のｐ型ポリシリコ
ンおよびｎ型ポリシリコンの断面積を各々の電気伝導率
および熱伝導率に応じて個別に決定することができ、し
たがって、両ポリシリコンの性能を存分に引き出して、
ＳＮ比の向上を実現することが可能であるという非常に
優れた効果がもたらされる。
【００２６】本発明の請求項３に係わる赤外線検出素子
によれば、熱電対のｐ型ポリシリコンおよびｎ型ポリシ
リコンの断面積を最適な値に設定することができ、ＳＮ
比をほぼ最高にまで大きくすることが可能であるという
非常に優れた効果がもたらされる。
【００２７】本発明の請求項６および７に係わる赤外線
検出素子によれば、熱電対のｐ型ポリシリコンおよびｎ
型ポリシリコンの幅(請求項７に係わる赤外線検出素子
では厚さ)を最適値とすることができ、最高ないしはそ
れに近い大きさのＳＮ比を得ることが可能であるという
非常に優れた効果がもたらされる。
【００２８】本発明の請求項８に係わる赤外線検出素子
は、応答速度の大幅な向上を実現することが可能である
という非常に優れた効果がもたらされる。
【００２９】
【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。図
１および図２は本発明に係わる赤外線検出素子の一実施
例を示している。図１(ａ)の平面図および図１(ｂ)の断
面図に示すように、このサーモパイル型赤外線検出素子
Ｓｅは、半導体基板１と、この半導体基板１上に空洞６
を介して設けた熱伝導性の低いダイアフラム２と、厚さ
が同じで幅が異なるｐ型ポリシリコン１０およびｎ型ポ
リシリコン１１をアルミニウム配線１２で接続してなる
熱電対１３を複数並列に配置して電気的に直列に接続し
てダイアフラム２上に形成されたサーモパイル４を備え
ており、中央部分には、層間絶縁層３を介して熱吸収膜
５が形成されている。
【００３０】この場合、図１(ｃ)にも示すように、互い
に隣接するｐ型ポリシリコン１０およびｎ型ポリシリコ
ン１１の間隙ｙおよび厚みを一定としており、ｐ型ポリ
シリコン１０およびｎ型ポリシリコン１１の各電気伝導
率ρp,ρnの比ρp/ρnをｍとすると共に熱伝導率ｋp,ｋ
nの比ｋp／ｋnをｎとしたときに、ｐ型ポリシリコン１
０およびｎ型ポリシリコン１１の幅ｗp,ｗnの比ｗp／ｗ
nが√（ｍ）から√（ｍ）／ｎの間の範囲に収まるよう
に設定している。
【００３１】例えば、Sensor and Actuators A,41-42，
pp．161-164(1994)を参照すると、ｐ型ポリシリコン１
０の電気伝導率ρpを0.006075Ωcm、熱伝導率ｋpを0.18
W/cm/Kとすると共に、ｎ型ポリシリコン１１の電気伝導
率ρnを0.00085Ωcm、熱伝導率ｋnを0.30W/cm/Kとした
場合には、＝2.67 ／ｎ＝4.46 となることから、この
実施例において、ｐ型ポリシリコン１０およびｎ型ポリ
シリコン１１の幅比ｗp／ｗnを2.67〜4.46に設定する
と、ＳＮ比の向上を図ることができる。この際、ダイア
フラム２のサイズが160μｍ、熱吸収膜５のサイズが116
μｍ、SiNのダイアフラム２の熱伝導率が0.026W/cm/Kで
合計厚さが約0.4μｍ、シリコン酸化膜の熱伝導率が0.0
14W/cm/Kで合計厚さが約0.8μｍ、サーモパイル４の長
さＬが約22μｍ、各ポリシリコン１０,１１の間隙ｙが
一定の約0.8μｍ、厚さが約0.4μｍの場合の相対ＳＮ比
とポリシリコンの幅比ｗp／ｗnとの関係を図２のグラフ
に示す。
【００３２】ｐ型ポリシリコン１０の幅ｗpと、ｎ型ポ
リシリコン１１の幅ｗnを等しく2.8μｍとするよりも、
ｐ型ポリシリコン１０の幅ｗp を4.4μｍ、ｎ型ポリシ
リコン１１の幅ｗnを1.2μｍ、すなわち、幅比ｗp／ｗn
を3.67とした方が、図２からＳＮ比が１５％以上向上す
ることが分かる。
【００３３】なお、ポリシリコン１０,１１の実際の長
さ(赤外線検出素子Ｓｅの実際の縦横長さ)は、間隙ｙに
比して格段に大きいため、図１(ａ)において、紙面の都
合上ポリシリコン１０,１１の長さと間隙ｙとをスケー
ルを変えて表している。上記した実施例では、熱電対１
３のおよびｎ型ポリシリコン１１の幅ｗp,ｗnを互いに
違える場合を示したが、図３に示すように、熱電対１３
のｐ型ポリシリコン１０Ａおよびｎ型ポリシリコン１１
Ａの厚さｔp,ｔnを互いに違えるようにしてもよく、こ
の場合においても、厚みの比ｔp／ｔnが√（ｍ）から√
（ｍ）／ｎの間の範囲に収まるように設定すれば、大き
なＳＮ比が得られることとなる。
【００３４】また、上記した実施例では、熱電対１３の
ｐ型ポリシリコン１０およびｎ型ポリシリコン１１を横
に並べて配置した場合を示したが、これに限定されるも
のではなく、例えば、図４(ａ)に示すように、層間絶縁
層１６を介して幅ｗp,ｗnを互いに違えたｐ型ポリシリ
コン１０Ｂおよびｎ型ポリシリコン１１Ｂを上下に積層
する構成としてもよいほか、図４(ｂ)に示すように、層
間絶縁層１６を介して厚みｔp,ｔnを互いに違えたｐ型
ポリシリコン１０Ｃおよびｎ型ポリシリコン１１Ｃを上
下に積層する構成としてもよい。
【００３５】さらに、ｐ型ポリシリコンおよびｎ型ポリ
シリコンの厚さが一定のときに、幅が途中で異なる場合
には、各ポリシリコンの平均の幅が上述の範囲であれ
ば、ＳＮ比の高いサーモパイル型赤外線検出素子を得る
ことができる。
【００３６】さらにまた、本発明に係わる赤外線検出素
子は、その詳細な構成が上記実施例のみに限定されるも
のではなく、応答速度を速くすることに重きをおく場合
には、例えば、互いに隣接するｐ型ポリシリコンおよび
ｎ型ポリシリコンの間隙と厚さを一定にし、同じ不純物
濃度のときにｐ型ポリシリコンよりも熱伝導率の高いｎ
型ポリシリコンの幅を最も大きくする構成を採用するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係わる赤外線検出素子の一実施例を示
す平面説明図（ａ）,断面説明図(ｂ)および部分拡大説
明図（ｃ）である。
【図２】相対ＳＮ比とポリシリコンの幅比ｗp／ｗnとの
関係を示すグラフである。
【図３】本発明に係わる赤外線検出素子の他の実施例を
示す部分断面説明図である。
【図４】本発明に係わる赤外線検出素子のさらに他の実
施例を示す幅を互いに違えたｐ型ポリシリコンおよびｎ
型ポリシリコンを上下に積層する場合の部分断面説明図
(ａ)および厚みを互いに違えたｐ型ポリシリコンおよび
ｎ型ポリシリコンを上下に積層する場合の部分断面説明
図(ｂ)である。
【図５】従来の表面からエッチングして形成する赤外線
検出素子を示す平面説明図（ａ）および部分断面説明図
（ｂ）である。
【図６】従来の裏面からエッチングして形成する赤外線
検出素子を示す平面説明図（ａ）および部分断面説明図
（ｂ）である。
【符号の説明】
Ｓｅ 赤外線検出素子 １ 半導体基板 ２ ダイアフラム ３ 層間絶縁層 ４ サーモパイル ５ 熱吸収膜 ６ 空洞 １０,１０Ａ,１０Ｂ,１０Ｃ ｐ型ポリシリコン １１,１１Ａ,１１Ｂ,１１Ｃ ｎ型ポリシリコン １３ 熱電対 １４ 冷接点 １５ 温接点 １６ 層間絶縁層
フロントページの続き (72)発明者 柴田 奈巳 東京都千代田区大手町二丁目２番１号 株 式会社アイ・エイチ・アイ・エアロスペ− ス内 Ｆターム(参考） 2G065 AA04 AB02 BA11 BA32 CA13 DA20 2G066 BA08 BA55 BB09 4M118 AA05 AB10 BA30 CA01 CB05

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体基板と、この半導体基板上に設け
    た熱伝導性の低いダイアフラムと、ｐ型ポリシリコンお
    よびｎ型ポリシリコンからなる熱電対を複数対並列に配
    置して電気的に直列に接続してダイアフラム上に形成さ
    れたサーモパイルと、該サーモパイルの検知部の上に絶
    縁層を介して形成された熱吸収膜を備えた赤外線検出素
    子において、サーモパイルを形成する熱電対の温・冷接
    点間における該ｐ型ポリシリコンの断面積と該ｎ型ポリ
    シリコンの断面積を互いに違えてあることを特徴とする
    赤外線検出素子。
  2. 【請求項２】 熱電対の温・冷接点間におけるｐ型ポリ
    シリコンの平均断面積とｎ型ポリシリコンの平均断面積
    を互いに違えてあることを特徴とする請求項１に記載の
    赤外線検出素子。
  3. 【請求項３】 ｐ型ポリシリコンおよびｎ型ポリシリコ
    ンの間隙を一定にし、かつ、各々の電気伝導率の比ρp/
    ρnをｍとすると共に熱伝導率の比ｋp／ｋnをｎとした
    ときに、ｐ型ポリシリコンとｎ型ポリシリコンとの断面
    積比Ｓp／Ｓnを√（ｍ）から√（ｍ）／ｎの間に設定し
    ている請求項１または２に記載の赤外線検出素子。
  4. 【請求項４】 熱電対の温・冷接点間におけるｐ型ポリ
    シリコンおよびｎ型ポリシリコンの各々の厚さを一定に
    した場合は各々の幅を互いに違える請求項１または２に
    記載の赤外線検出素子。
  5. 【請求項５】 熱電対の温・冷接点間におけるｐ型ポリ
    シリコンおよびｎ型ポリシリコンの各々の幅を一定にし
    た場合は各々の厚さを互いに違える請求項１または２に
    記載の赤外線検出素子。
  6. 【請求項６】 ｐ型ポリシリコンおよびｎ型ポリシリコ
    ンの間隙と各厚さをそれぞれ一定にし、かつ、各々の電
    気伝導率の比ρp/ρnをｍとすると共に熱伝導率の比ｋp
    ／ｋnをｎとしたときに、ｐ型ポリシリコンおよびｎ型
    ポリシリコンの幅の比ｗp／ｗnを√（ｍ）から√（ｍ）
    ／ｎの間に設定している請求項４に記載の赤外線検出素
    子。
  7. 【請求項７】 ｐ型ポリシリコンおよびｎ型ポリシリコ
    ンの間隙と各幅をそれぞれ一定にし、かつ、各々の電気
    伝導率の比ρp/ρnをｍとすると共に熱伝導率の比ｋp／
    ｋnをｎとしたときに、ｐ型ポリシリコンおよびｎ型ポ
    リシリコンの厚さの比ｔp／ｔnを√（ｍ）から√（ｍ）
    ／ｎの間に設定している請求項５に記載の赤外線検出素
    子。
  8. 【請求項８】 熱電対数を一定にすると共に、ｐ型ポリ
    シリコンとｎ型ポリシリコンとの間隙および各ポリシリ
    コンの厚さを一定にしたときに、熱伝導率の高いポリシ
    リコンの幅と低いポリシリコンの幅の比を最大にする請
    求項４に記載の赤外線検出素子。
JP2000372773A 2000-12-07 2000-12-07 赤外線検出素子 Pending JP2002176204A (ja)

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