JPH09237903A

JPH09237903A - フローティング構造の形成方法

Info

Publication number: JPH09237903A
Application number: JP8067303A
Authority: JP
Inventors: Masahiro Shoda; 昌宏正田
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1996-02-28
Filing date: 1996-02-28
Publication date: 1997-09-09
Anticipated expiration: 2016-02-28
Also published as: JP3536516B2

Abstract

(57)【要約】【課題】エッチングストッパーとしての拡散領域をフ
ローティング部に形成する必要がなく、フローティング
部の小型化を可能にする。電界エッチングを用いること
なく、複雑な形状のフローティング部の形成を可能にす
るとともに、１つの単結晶半導体基板に多数のフローテ
ィング部を形成することを可能にする。【解決手段】単結晶半導体基板１１上に絶縁層１２が
形成され、該絶縁層１２上に単結晶半導体薄膜１３が形
成されてなる積層基板を用意する。次に、前記積層基板
におけるフローティング部１４の形成予定領域の単結晶
半導体基板１１を単結晶半導体基板１１の側からエッチ
ングして、単結晶半導体基板１１に開口部１１ａを形成
する。前記積層基板におけるフローティング部１４の形
成予定領域の絶縁層１２を、開口部１１ａからエッチン
グ除去する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体圧力センサ
ー、半導体加速度センサー、半導体ガス流量計、熱型赤
外線撮像素子、半導体マイクロヒーターなどで用いられ
るフローティング構造の形成方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体圧力センサーや半導体加速度セン
サーのように、半導体の変形による抵抗値の変化を計測
するセンサーにおいては、微少な圧力や加速度を検出す
るために、変形し易いように、なるべく薄い半導体薄膜
上にセンサー部を形成する必要がある。また、半導体ガ
ス流量計や熱型赤外線撮像素子、半導体マイクロヒータ
ーのように、熱の変化を検出したり熱の変化を発生させ
る素子においては、微少な温度変化を検出したり、非常
に短時間の間に温度変化を起こさせる必要があり、温度
検出部や発熱部の熱容量を小さくするために、薄い半導
体薄膜上にそれぞれの素子を形成する必要がある。そし
て、これらの半導体薄膜として単結晶半導体薄膜を用い
た方が、センサー部等に存在するＰＮ接合やショットキ
ー接合などにおいて、リーク電流が少なく、均一性が良
いなど特性面で優れたセンサーや素子が作成できる。さ
らに、読み出し回路等の周辺回路を前記センサー部等の
周囲に形成するためには、センサー部等を形成する単結
晶半導体薄膜を単結晶半導体基板により支持することが
好ましい。

【０００３】そこで、半導体圧力センサー、半導体加速
度センサー、半導体ガス流量計、熱型赤外線撮像素子、
半導体マイクロヒーターなどにおいては、単結晶半導体
基板と、周辺部の少なくとも一部が前記単結晶半導体基
板により支持されて浮いたフローティング部であって単
結晶半導体薄膜を含むフローティング部と、を有するフ
ローティング構造が採用されている。

【０００４】従来、このようなフローティング構造は、
高濃度にボロンを拡散させたシリコンがＫＯＨ水溶液や
ヒドラジン水溶液などの異方性エッチング液にほとんど
エッチングされないことを利用して、形成されていた。
すなわち、従来は、単結晶半導体基板を用意し、該単結
晶半導体基板のフローティング部形成予定領域における
外周付近に高濃度ボロン拡散領域を形成し、この拡散領
域をエッチングストッパーとして前記単結晶半導体基板
を異方性エッチングして、前記単結晶半導体基板の一部
をフローティング部の単結晶半導体薄膜とすることによ
り、フローティング構造を形成していた。

【０００５】このような従来のフローティング構造の形
成方法の一例について、図１２を用いて説明する。図１
２は、従来のフローティング構造の形成方法の工程を示
す概略断面図である。

【０００６】まず、面方位（１１１）のＮ型単結晶シリ
コン基板１の一部に、フローティング部２の形成予定領
域における外周付近に高濃度にボロンを拡散させた幅の
広い拡散領域３を形成する。その後、基板１上にシリコ
ン酸化膜４を形成し、さらにその上にフォトレジスト５
を塗布し、フォトリソグラフィーの手法を用いてフォト
レジスト５に開口部５ａを形成する。そして、該開口部
５ａからシリコン酸化膜４及びシリコン単結晶基板１を
エッチングして、シリコン酸化膜４及びシリコン単結晶
基板１に溝６を形成する（図１２（ａ））。その後、フ
ォトレジスト５を除去した後に、ＫＯＨ水溶液やヒドラ
ジン水溶液などの異方性エッチング液で溝６からシリコ
ン単結晶基板１を異方性エッチングする。その結果、シ
リコン単結晶基板１として面方位（１１１）のものが用
いられているとともに前述したような異方性エッチング
液が用いられていることから、図１２（ｂ）に示すよう
に、高濃度ボロン拡散領域３がエッチングストッパーと
なり、シリコン単結晶基板１の一部からなる単結晶シリ
コン薄膜７及び拡散領域３の下に空隙８が形成され、単
結晶シリコン薄膜７を有するフローティング部２が形成
され、フローティング構造を得ることができる。

【０００７】また、シリコン基板上に該基板と電導型の
異なるシリコン層を積層し、このＰＮ接合間にバイアス
電圧を印加しながらエッチングを行う電界エッチングの
手法を用いて、フローティング構造を形成する方法も知
られている。

【０００８】なお、従来のフローティング構造の形成方
法では、いずれの方法であっても、単結晶半導体基板を
用意し、該単結晶半導体基板の一部をフローティング部
の単結晶半導体薄膜とするものであった。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た図１２に示す従来のフローティング構造の形成方法で
は、エッチングストッパーとして用いる幅の広い高濃度
ボロン拡散領域３が必要であるため、センサー部等とな
るフローティング部２を小型化することができなかっ
た。また、前述した電界エッチングの手法を用いたフロ
ーティング構造の形成方法では、個々の島領域に電位を
取ってエッチングする必要があるため、複雑な形状のフ
ローティング部（すなわち、センサー部等）を形成する
場合や、１素子（すなわち、１つの単結晶半導体基板）
上に多数のフローティング部を集積する場合には、事実
上使用できなかった。

【００１０】本発明は、前記事情に鑑みてなされたもの
で、エッチングストッパーとしての拡散領域をフローテ
ィング部に形成する必要がなく、フローティング部の小
型化を図ることができ、しかも、電界エッチングを用い
ることなく複雑な形状のフローティング部を形成するこ
ともできるとともに１つの単結晶半導体基板に多数のフ
ローティング部を形成することもできる、フローティン
グ構造の形成方法を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明の第１の態様によるフローティング構造の形
成方法は、単結晶半導体基板と、周辺部の少なくとも一
部が前記単結晶半導体基板により支持されて浮いたフロ
ーティング部であって単結晶半導体薄膜を含むフローテ
ィング部と、を有するフローティング構造を形成する方
法において、単結晶半導体基板上に絶縁層が形成され、
該絶縁層上に単結晶半導体薄膜が形成されてなる積層基
板を用意する第１の段階と、前記積層基板の前記単結晶
半導体薄膜の一部を前記フローティング部の前記単結晶
半導体薄膜とする第２の段階と、を備えたものである。

【００１２】本発明の第２の態様によるフローティング
構造の形成方法は、前記第１の態様によるフローティン
グ構造の形成方法において、前記第２の段階が、前記積
層基板における前記フローティング部の形成予定領域の
少なくとも一部の領域の前記単結晶半導体基板を当該単
結晶半導体基板側からエッチング除去して、当該単結晶
半導体基板に前記絶縁層の当該単結晶半導体基板側の面
を露出させる開口部を形成する段階と、前記積層基板に
おける前記フローティング部の形成予定領域の前記絶縁
層を前記単結晶半導体基板の前記開口部からエッチング
除去する段階と、を含むものである。

【００１３】本発明の第３の態様によるフローティング
構造の形成方法は、前記第１の態様によるフローティン
グ構造の形成方法において、前記第２の段階が、前記積
層基板における前記フローティング部の形成予定領域の
前記単結晶半導体基板を当該単結晶半導体基板側からエ
ッチング除去する段階を含むものである。

【００１４】本発明の第４の態様によるフローティング
構造の形成方法は、前記第１の態様によるフローティン
グ構造の形成方法において、前記第２の段階が、前記積
層基板における前記フローティング部の形成予定領域の
一部の領域の前記単結晶半導体薄膜を当該単結晶半導体
薄膜の側からエッチング除去して、当該単結晶半導体薄
膜に前記絶縁層の当該単結晶半導体薄膜側の面を露出さ
せる開口部を形成する段階と、前記積層基板における前
記フローティング部の形成予定領域の前記絶縁層を前記
単結晶半導体薄膜の前記開口部からエッチング除去する
段階と、を含むものである。

【００１５】本発明の第５の態様によるフローティング
構造の形成方法は、前記第１の態様によるフローティン
グ構造の形成方法において、前記第２の段階が、前記積
層基板における前記フローティング部の形成予定領域の
周囲の少なくとも一部に沿った領域の前記単結晶半導体
薄膜を当該単結晶半導体薄膜の側からエッチング除去し
て、当該単結晶半導体薄膜に前記絶縁層の当該単結晶半
導体薄膜側の面を露出させる開口部を形成する段階と、
前記積層基板における前記フローティング部の形成予定
領域の前記絶縁層のうちの少なくとも前記単結晶半導体
薄膜側の部分を前記単結晶半導体薄膜の前記開口部から
エッチング除去する段階と、を含むものである。

【００１６】本発明の第６の態様によるフローティング
構造の形成方法は、前記第５の態様によるフローティン
グ構造の形成方法において、前記開口部を形成する前記
段階は、前記積層基板における前記フローティング部の
形成予定領域を挟む領域の前記単結晶半導体薄膜を当該
単結晶半導体薄膜の側からエッチング除去して、前記開
口部をストライプ状に形成する段階を含むものである。

【００１７】本発明の第７の態様によるフローティング
構造の形成方法は、前記第１の態様によるフローティン
グ構造の形成方法において、前記第２の段階が、前記積
層基板における前記フローティング部の形成予定領域の
周囲の全周に沿った領域の前記単結晶半導体薄膜及び前
記絶縁層を前記単結晶半導体薄膜の側からエッチング除
去して、前記単結晶半導体薄膜及び前記絶縁層に前記単
結晶半導体基板の前記絶縁層側の面を露出させる開口部
を形成する段階と、前記開口部から露出した前記絶縁層
の端面であって前記フローティング部の形成予定領域側
の端面を覆わずに、前記開口部から露出した前記絶縁層
の端面であって前記フローティング部の形成予定領域外
の側の端面を少なくとも覆うようにエッチングマスクを
形成する段階と、前記開口部から前記フローティング部
の形成予定領域の前記絶縁層をエッチング除去する段階
と、を含むものである。

【００１８】前記第１の態様によれば、従来と異なり、
単結晶半導体基板自体の一部をフローティング部の単結
晶半導体薄膜とするのではなく、単結晶半導体基板、絶
縁層及び単結晶半導体薄膜がこの順に積層された積層基
板を用意し、該積層基板の単結晶半導体薄膜の一部をフ
ローティング部の単結晶半導体薄膜としている。したが
って、積層基板の前記単結晶半導体薄膜の一部をフロー
ティング部の単結晶半導体薄膜とする第２の段階におい
て、具体的には例えば前記第２乃至第７の態様のような
工程を行い、互いに隣接して積層された単結晶半導体基
板と絶縁層との間の物質の相違により得られる両者間の
エッチング選択性や、互いに隣接して積層された絶縁層
と単結晶半導体薄膜との間の物質の相違により得られる
両者間のエッチング選択性を、巧みに利用することによ
り、エッチングストッパーとしての拡散領域をフローテ
ィング部に形成する必要がなくなるとともに、電界エッ
チングを用いる必要がなくなる。このため、前記第１の
態様によれば、フローティング部の小型化を図ることが
でき、また、複雑な形状のフローティング部を形成する
こともできるとともに１つの単結晶半導体基板に多数の
フローティング部を形成することもできる。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明によるフローティン
グ構造の形成方法について、図面を参照して説明する。

【００２０】まず、本発明の第１の実施の形態によるフ
ローティング構造の形成方法について、図１乃至図３を
参照して説明する。

【００２１】図１は、本実施の形態による形成方法を用
いて形成したフローティング構造の基本構造を模式的に
示す図であり、図１（ａ）はその概略平面図、図１
（ｂ）は図１（ａ）中のＩ−Ｉ線に沿った概略断面図で
ある。図１（ａ）は、フローティング部１４を縦横２個
ずつ配置した状態を示しているが、その数は１個以上で
あればよい。また、図２は、本実施の形態による形成方
法の工程を示す概略断面図であり、図１（ｂ）に対応し
ている。図３は、図１に示すフローティング構造を用い
て構成した歪みセンサーあるいは加速度センサーの要部
を模式的に示す概略断面図であり、図１（ｂ）に対応し
ている。なお、図１乃至図３において、同一又は対応す
る要素には同一符号を付している。

【００２２】図１に示すフローティング構造では、単結
晶シリコン基板等の単結晶半導体基板１１上にシリコン
酸化膜等の絶縁層１２が形成され、該絶縁層１２上に単
結晶シリコン薄膜等の単結晶半導体薄膜１３が形成され
ている。単結晶半導体薄膜１３はフローティング部１４
の領域においても連続している一方、フローティング部
１４の下方の絶縁層１２及び単結晶半導体基板１１が除
去されており、単結晶半導体薄膜１３の一部がフローテ
ィング部１４となっている。したがって、図１に示すフ
ローティング構造は、単結晶半導体基板１１と、周辺部
の全体が単結晶半導体基板１１により絶縁層１２を介し
て支持されて浮いた単結晶半導体薄膜１３の一部からな
るフローティング部１４と、を有している。

【００２３】次に、本実施の形態による形成方法につい
て、図２を参照して説明する。

【００２４】まず、単結晶半導体基板１１上に絶縁層１
２が形成され、該絶縁層１２上に単結晶半導体薄膜１３
が形成されてなる積層基板１６を用意する。そして、該
積層基板１６の単結晶半導体基板１１側に、フローティ
ング部１４の形成予定領域に対応する開口部１７ａを持
ったエッチングマスク１７を公知のフォトリソエッチン
グ手法を用いて形成する（図２（ａ））。

【００２５】次に、やはり公知のエッチング手法を用い
て、エッチングマスク１７の開口部１７ａからフローテ
ィング部１４の形成予定領域の単結晶半導体基板１１を
エッチング除去して、単結晶半導体基板１１に絶縁層１
２の単結晶半導体基板１１側（図中下側）の面を露出さ
せる開口部１１ａを形成し、エッチングマスク１７を除
去する（図２（ｂ））。ここで用いるエッチング手法
は、薬液を用いるウエットエッチング、あるいは、プラ
ズマエッチング、反応性イオンエッチングなどのドライ
エッチング手法等を用いることができる。

【００２６】最後に、積層基板１６におけるフローティ
ング部１４の形成予定領域の絶縁層１２を単結晶半導体
基板１１の開口部１１ａから選択的にエッチング除去す
る。これにより、図１に示すフローティング構造が完成
する。

【００２７】なお、本実施の形態において用いるエッチ
ングは、異方性エッチングではなく、例えば、等方性エ
ッチングであることが好ましい。異方性エッチング液を
用いる場合には、（１）半導体素子の不安定性を引き起
こすアルカリイオンであるカリウム（Ｋ）が異方性エッ
チング液に含まれるため、半導体製造工程では使用しに
くい、（２）一方、異方性エッチング液であるヒドラジ
ンは、燃え易く、火災が発生しないように十分な対策が
必要である、などの問題が生ずるからである。このよう
な事情は、後述する本発明の他の種々の実施の形態にお
いても同様である。なお、前述した図１２に示す従来の
形成方法では異方性エッチング液を用いざるを得なかっ
たものである。

【００２８】本実施の形態によれば、エッチングストッ
パーとしての拡散領域はフローティング部１４に形成さ
れず、また、電界エッチングを用いていない。このた
め、本実施の形態によれば、フローティング部１４の小
型化を図ることができ、また、複雑な形状のフローティ
ング部１４を形成することもできるとともに１つの単結
晶半導体基板１１に多数のフローティング部１４を形成
することもできる。

【００２９】本実施の形態による形成方法を用いること
により、１つ又は複数のフローティング部１４を配置し
た各種のセンサーや半導体素子等を形成することができ
る。実際のセンサー、半導体素子等を形成する際に行わ
れる、フローティング部１４の単結晶薄膜１３に所望の
素子を作り込む段階は、単結晶半導体基板１１に開口部
１１ａを形成する前に行うことが好ましい。

【００３０】一例として、拡散抵抗の抵抗値が該拡散抵
抗の歪により変化するピエゾ効果を利用し、歪センサ
ー、あるいは、加速度センサーを構成した例を、図３に
示す。フローティング部１４の形成予定領域の単結晶半
導体薄膜１３に、該単結晶半導体薄膜１３とは逆電導型
の不純物拡散領域１８を設け、コンタクトホール１９と
金属薄膜２０で、拡散領域１８により構成する抵抗に配
線を接続する。なお、図３中、２１はシリコン酸化膜等
の絶縁膜である。そして、必要なら、表面に保護膜（図
示せず）を形成し、その後、図２に関連して説明した工
程を経て、フローティング部１４を形成する。なお、加
速度センサーの場合は、フローティング部１４の下部に
重りを接続してもよい。

【００３１】また、図３中の拡散抵抗１８上に赤外線吸
収層を形成し、拡散抵抗１８で、その温度変化を計測す
れば、拡散抵抗１８はフローティング部１４に形成され
ていることから、その熱容量が小さいので、応答性の良
い熱型赤外線センサーを得ることができる。拡散抵抗１
８の代わりに、フローティング部１４の単結晶半導体薄
膜１３上にシリサイド膜を形成し、単結晶半導体薄膜１
３と前記シリサイド層との間のショットキー接合を温度
センサーとすると、更に感度の良い熱型赤外線センサー
を構成できる。また、前記赤外線センサー（フローティ
ング部）を複数個配置することにより赤外線撮像素子を
作成することが可能である。

【００３２】前記各種センサー等のセンサー部以外の半
導体回路素子、例えば、信号増幅回路やシフトレジスタ
や駆動回路などの半導体回路素子を、単結晶半導体薄膜
１３上に形成することも可能である。あるいは、前記半
導体回路素子を、フローティング部１４以外の領域で、
該単結晶半導体薄膜１３及び該絶縁層１２をエッチング
により除去し、該単結晶半導体基板１１に形成すること
も同様に可能であり、その場合、前記半導体回路素子の
設計自由度が増す。

【００３３】なお、前記第１の実施の形態による形成方
法では、図２（ａ）（ｂ）に示す工程により、積層基板
１６におけるフローティング部１４の形成予定領域のほ
ぼ全体の領域の単結晶半導体基板１１を当該単結晶半導
体基板１１側からエッチング除去して開口部１１ａを形
成していたが、積層基板１６におけるフローティング部
１４の形成予定領域の一部の領域（例えば、中央の領
域）の単結晶半導体基板１１を当該単結晶半導体基板１
１側からエッチング除去して開口部を形成してもよい。
この場合であっても、フローティング部１４の形成予定
領域の絶縁層１２をエッチング除去することができる。
その場合、１つのフローティング部１４の形成予定領域
について複数の開口部を単結晶半導体基板１１に形成し
てもよい。

【００３４】また、前記第１の実施の形態による形成方
法では、図２（ｂ）の状態からフローティング部１４の
形成予定領域の絶縁層１２をエッチング除去していた
が、フローティング部１４の形成予定領域の絶縁層１２
をそのまま残して置いてもよい。この場合、図２（ｂ）
がフローティング構造の完成状態を示すことになり、基
本構造としては、フローティング部１４は開口部１１ａ
に対応する絶縁層１２及び単結晶半導体薄膜１３により
構成されることになる。

【００３５】次に、本発明の第２の実施の形態によるフ
ローティング構造の形成方法について、図４及び図５を
参照して説明する。

【００３６】図４は、本実施の形態による形成方法を用
いて形成したフローティング構造の基本構造を模式的に
示す図であり、図４（ａ）はその概略平面図、図４
（ｂ）は図４（ａ）中のＩＶ−ＩＶ線に沿った概略断面
図である。図４（ａ）は、フローティング部３４を縦横
２個ずつ配置した状態を示しているが、その数は１個以
上であればよい。また、図５は、本実施の形態による形
成方法の工程を示す概略断面図であり、図４（ｂ）に対
応している。

【００３７】図４に示すフローティング構造では、単結
晶シリコン基板等の単結晶半導体基板３１上にシリコン
酸化膜等の絶縁層３２が形成され、該絶縁層３２上に単
結晶シリコン薄膜等の単結晶半導体薄膜３３が形成され
ている。単結晶半導体薄膜３３はフローティング部３４
の領域においてもその中央付近に形成された開口部３３
ａを除いて連続している一方、フローティング部３４の
下方の絶縁層３２が除去されており、単結晶半導体薄膜
３３の一部がフローティング部３４となっている。した
がって、図４に示すフローティング構造は、単結晶半導
体基板３１と、周辺部の全体が単結晶半導体基板３１に
より絶縁層３２を介して支持されて浮いた単結晶半導体
薄膜３３の一部からなるフローティング部３４と、を有
している。

【００３８】次に、本実施の形態による形成方法につい
て、図５を参照して説明する。

【００３９】まず、単結晶半導体基板３１上に絶縁層３
２が形成され、該絶縁層３２上に単結晶半導体薄膜３３
が形成されてなる積層基板３６を用意する。そして、該
積層基板３６の単結晶半導体薄膜３３側に、フローティ
ング部３４の形成予定領域の一部に対応する開口部３７
ａを持ったエッチングマスク３７を公知のフォトリソエ
ッチング手法を用いて形成する（図５（ａ））。

【００４０】次に、やはり公知のエッチング手法を用い
て、エッチングマスク３７の開口部３７ａからフローテ
ィング部３４の形成予定領域の一部の領域（本実施の形
態では、中央付近）の単結晶半導体薄膜３３をエッチン
グ除去して、単結晶半導体薄膜３３に絶縁層３２の単結
晶半導体薄膜３３側（図中上側）の面を露出させる開口
部３３ａを形成し、エッチングマスク３７を除去する
（図５（ｂ））。ここで用いるエッチング手法は、薬液
を用いるウエットエッチング、あるいは、プラズマエッ
チング、反応性イオンエッチングなどのドライエッチン
グ手法等を用いることができる。

【００４１】最後に、積層基板３６におけるフローティ
ング部３４の形成予定領域の絶縁層３２を単結晶半導体
薄膜３３の開口部３３ａから等方性エッチング等により
選択的にエッチング除去する。これにより、図４に示す
フローティング構造が完成する。例えば、単結晶半導体
基板３１及び単結晶半導体薄膜３３が単結晶シリコンか
らなるとともに絶縁層３２がシリコン酸化膜である場合
には、例えばフッ酸（ＨＦ）を含むシリコン酸化膜エッ
チング溶液で開口部３３ａから絶縁層３２をエッチング
すると、等方的にエッチングが進むため、図４（ｂ）に
示すような断面構造が得られる。

【００４２】本実施の形態によれば、エッチングストッ
パーとしての拡散領域はフローティング部３４に形成さ
れず、また、電界エッチングを用いていない。このた
め、本実施の形態によれば、フローティング部３４の小
型化を図ることができ、また、複雑な形状のフローティ
ング部３４を形成することもできるとともに１つの単結
晶半導体基板３１に多数のフローティング部３４を形成
することもできる。

【００４３】本実施の形態による形成方法を用いること
により、１つ又は複数のフローティング部３４を配置し
た各種のセンサーや半導体素子等を形成することができ
る。実際のセンサー、半導体素子等を形成する際に行わ
れる、フローティング部３４の単結晶薄膜３３に所望の
素子を作り込む段階は、絶縁層３２をエッチングする前
に行うことが好ましい。

【００４４】例えば、フローティング部３４の形成予定
領域の単結晶半導体薄膜３３に、該単結晶半導体薄膜３
３とは逆電導型の不純物拡散領域を設け、該拡散領域に
より構成する拡散抵抗上に赤外線吸収膜を形成し、前記
拡散抵抗で、その温度変化を計測すれば、前記拡散抵抗
はフローティング部３４に形成されていることから、そ
の熱容量が小さいので、応答性の良い熱型赤外線センサ
ーを得ることができる。前記拡散抵抗の代わりに、フロ
ーティング部３４の単結晶半導体薄膜３３上にシリサイ
ド膜を形成し、単結晶半導体薄膜３３と前記シリサイド
層との間のショットキー接合を温度センサーとすると、
更に感度の良い熱型赤外線センサーを構成できる。ま
た、前記赤外線センサー（フローティング部）を複数個
配置することにより赤外線撮像素子を作成することが可
能である。

【００４５】前記各種センサー等のセンサー部以外の半
導体回路素子、例えば、信号増幅回路やシフトレジスタ
や駆動回路などの半導体回路素子を、単結晶半導体薄膜
３３上に形成することも可能である。あるいは、前記半
導体回路素子を、フローティング部３４以外の領域で、
該単結晶半導体薄膜３３及び該絶縁層３２をエッチング
により除去し、該単結晶半導体基板３１に形成すること
も同様に可能であり、その場合、前記半導体回路素子の
設計自由度が増す。

【００４６】なお、前記第２の実施の形態による形成方
法では、１つのフローティング部３４の形成予定領域に
ついて複数の開口部を単結晶半導体薄膜３３に形成して
もよい。

【００４７】次に、本発明の第３の実施の形態によるフ
ローティング構造の形成方法について、図６及び図７を
参照して説明する。

【００４８】図６は、本実施の形態による形成方法を用
いて形成したフローティング構造の基本構造を模式的に
示す図であり、図６（ａ）はその概略平面図、図６
（ｂ）は図６（ａ）中のＶＩ−ＶＩ線に沿った概略断面
図である。図６は、フローティング部４４を横方向に２
個配置した状態を示しているが、その数は１個以上であ
ればよい。また、図７は本実施の形態による形成方法の
工程を示す概略断面図であり、図６（ｂ）に対応してい
る。

【００４９】図６に示すフローティング構造では、単結
晶シリコン基板等の単結晶半導体基板４１上にシリコン
酸化膜等の絶縁層４２が形成され、該絶縁層４２上に単
結晶シリコン薄膜等の単結晶半導体薄膜４３が形成され
ている。単結晶半導体薄膜４３には、フローティング部
４４の領域の周囲の一部に沿った領域として、フローテ
ィング部４４の領域を挟む領域に、開口部４３ａがスト
ライプ状に形成されている。単結晶半導体薄膜４３は、
開口部４３ａを除いて連続している一方、フローティン
グ部４４の下方の絶縁層４２の少なくとも単結晶半導体
薄膜４３側の部分が除去されるとともに、フローティン
グ部４４の周囲の領域の絶縁層４２が除去されており、
単結晶半導体薄膜４３の一部がフローティング部４４と
なっている。したがって、図６に示すフローティング構
造は、単結晶半導体基板４１と、周辺部の全体が単結晶
半導体基板４１により絶縁層４２を介して支持されて浮
いた単結晶半導体薄膜４３の一部からなるフローティン
グ部４４と、を有している。

【００５０】次に、本実施の形態による形成方法につい
て、図７を参照して説明する。

【００５１】まず、単結晶半導体基板４１上に絶縁層４
２が形成され、該絶縁層４２上に単結晶半導体薄膜４３
が形成されてなる積層基板４６を用意する。そして、該
積層基板４６の単結晶半導体薄膜４３側に、フローティ
ング部４４の形成予定領域の周囲の一部に沿った領域で
あってフローティング部４４の形成予定領域を挟むよう
に形成された開口部４７ａを持ったエッチングマスク４
７を公知のフォトリソエッチング手法を用いて形成する
（図７（ａ））。

【００５２】次に、やはり公知のエッチング手法を用い
て、エッチングマスク４７の開口部４７ａからフローテ
ィング部４４の形成予定領域の周囲の一部に沿った領域
（本実施の形態では、フローティング部４４の形成予定
領域を挟む領域）の単結晶半導体薄膜４３をエッチング
除去して、単結晶半導体薄膜４３に絶縁層４２の単結晶
半導体薄膜４３側（図中上側）の面を露出させる開口部
４３ａを形成し、エッチングマスク４７を除去する（図
７（ｂ））。ここで用いるエッチング手法は、薬液を用
いるウエットエッチング、あるいは、プラズマエッチン
グ、反応性イオンエッチングなどのドライエッチング手
法等を用いることができる。

【００５３】最後に、積層基板４６におけるフローティ
ング部４４の形成予定領域の絶縁層４２を単結晶半導体
薄膜４３の開口部４３ａから等方性エッチング等により
選択的にエッチング除去する。これにより、図６に示す
フローティング構造が完成する。例えば、単結晶半導体
基板４１及び単結晶半導体薄膜４３が単結晶シリコンか
らなるとともに絶縁層４２がシリコン酸化膜である場合
には、例えばフッ酸（ＨＦ）を含むシリコン酸化膜エッ
チング溶液で開口部４３ａから絶縁層４２をエッチング
すると、等方的にエッチングが進むため、図６（ｂ）に
示すような断面構造が得られる。

【００５４】本実施の形態によれば、エッチングストッ
パーとしての拡散領域はフローティング部４４に形成さ
れず、また、電界エッチングを用いていない。このた
め、本実施の形態によれば、フローティング部４４の小
型化を図ることができ、また、複雑な形状のフローティ
ング部４４を形成することもできるとともに１つの単結
晶半導体基板４１に多数のフローティング部４４を形成
することもできる。

【００５５】本実施の形態による形成方法を用いること
により、１つ又は複数のフローティング部４４を配置し
た各種のセンサーや半導体素子等を形成することができ
る。実際のセンサー、半導体素子等を形成する際に行わ
れる、フローティング部４４の単結晶薄膜４３に所望の
素子を作り込む段階は、絶縁層４２をエッチングする前
に行うことが好ましい。

【００５６】例えば、フローティング部４４の形成予定
領域の単結晶半導体薄膜４３に、該単結晶半導体薄膜４
３とは逆電導型の不純物拡散領域を設け、該拡散領域に
より構成する拡散抵抗上に赤外線吸収膜を形成し、前記
拡散抵抗で、その温度変化を計測すれば、前記拡散抵抗
はフローティング部４４に形成されていることから、そ
の熱容量が小さいので、応答性の良い熱型赤外線センサ
ーを得ることができる。前記拡散抵抗の代わりに、フロ
ーティング部４４の単結晶半導体薄膜４３上にシリサイ
ド膜を形成し、単結晶半導体薄膜４３と前記シリサイド
層との間のショットキー接合を温度センサーとすると、
更に感度の良い熱型赤外線センサーを構成できる。ま
た、前記赤外線センサー（フローティング部）を複数個
配置することにより赤外線撮像素子を作成することが可
能である。

【００５７】前記各種センサー等のセンサー部以外の半
導体回路素子、例えば、信号増幅回路やシフトレジスタ
や駆動回路などの半導体回路素子を、単結晶半導体薄膜
４３上に形成することも可能である。あるいは、前記半
導体回路素子を、フローティング部４４以外の領域で、
該単結晶半導体薄膜４３及び該絶縁層４２をエッチング
により除去し、該単結晶半導体基板４１に形成すること
も同様に可能であり、その場合、前記半導体回路素子の
設計自由度が増す。

【００５８】なお、前記第３の実施の形態による形成方
法では、単結晶半導体薄膜４３には、フローティング部
４４の領域の周囲の一部に沿った領域として、フローテ
ィング部４４の領域を挟む領域に、開口部４３ａがスト
ライプ状に形成されていたが、必ずしも開口部４３ａを
ストライプ状に形成する必要はない。また、単結晶半導
体薄膜４３に、フローティング部４４の全周に沿った領
域に開口部４３ａを形成してもよい。この場合には、絶
縁層４２をエッチングする前に、例えば、後述する第４
の実施の形態と同様に配線及び橋脚を兼ねる金属薄膜を
形成しておけばよい。

【００５９】次に、本発明の第４の実施の形態によるフ
ローティング構造の形成方法について、図８乃至図１１
を参照して説明する。

【００６０】図８は、本実施の形態による形成方法を用
いて形成したフローティング構造の基本構造を模式的に
示す図であり、図８（ａ）はその概略平面図、図８
（ｂ）は図８（ａ）中のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿った
概略断面図である。図８（ａ）は、フローティング部５
４を縦横２個ずつ配置した状態を示しているが、その数
は１個以上であればよい。また、図９は、本実施の形態
による形成方法の工程を示す概略断面図であり、図８
（ｂ）に対応している。図１０は、本実施の形態による
形成方法の、図９に示す工程に引き続く工程を示す概略
断面図であり、図８（ｂ）に対応している。図１１は図
８に示すフローティング構造を用いて構成した熱型赤外
線センサーの単位画素を模式的に示す図であり、図１１
（ａ）はその概略平面図、図１１（ｂ）は図１１（ａ）
中のＸＩ−ＸＩ線に沿った概略断面図である。なお、図
８乃至図１１において、同一又は対応する要素には同一
符号を付している。

【００６１】図８に示すフローティング構造では、単結
晶シリコン基板等の単結晶半導体基板５１上にシリコン
酸化膜等の絶縁層５２が形成され、該絶縁層５２上に単
結晶シリコン薄膜等の単結晶半導体薄膜５３が形成され
ている。また、単結晶半導体薄膜５３上にはシリコン酸
化膜等の絶縁膜５６が形成されている。単結晶半導体薄
膜５３及び絶縁層５２には、フローティング部５４の領
域の周囲の全周に沿った領域に、開口部５５が形成され
ている。開口部５５のフローティング部５４以外の部分
の側の内壁、開口部５５の底の一部、及び、フローティ
ング部５４以外の領域の絶縁膜５６の上面が、窒化シリ
コン膜５７により覆われている。窒化シリコン膜５７
は、フローティング部５４の側面（すなわち、開口部５
５のフローティング部５側の内壁）、上面及び下面を覆
っていない。フローティング部５４の領域の単結晶半導
体薄膜５３の下方の絶縁層５２は、除去されている。図
８に示す例では、フローティング部５４は、単結晶半導
体薄膜５３の一部及び絶縁膜５６の一部により構成され
ている。フローティング部５４は、配線及び橋脚を兼ね
る金属薄膜５８、並びに、フローティング部５４以外の
領域の単結晶半導体薄膜５３及び絶縁層５２を介して、
単結晶半導体薄膜５１により支持されている。以上の説
明からわかるように、図８に示すフローティング構造
は、単結晶半導体基板５１と、周辺部の一部が単結晶半
導体基板５１により支持されて浮いたフローティング部
５４であって単結晶半導体薄膜５３を含むフローティン
グ部５４と、を有している。

【００６２】次に、本実施の形態による形成方法につい
て、図９及び図１０を参照して説明する。

【００６３】まず、単結晶半導体基板５１上に絶縁層５
２が形成され、該絶縁層５２上に単結晶半導体薄膜５３
が形成されてなる積層基板５９を用意する。単結晶半導
体薄膜５３上に、絶縁膜５６を形成する。その後、公知
のフォトリソエッチング手法により、積層基板５９にお
けるフローティング部５４の形成予定領域の周囲の全周
に沿った領域の絶縁膜５６、単結晶半導体薄膜５３及び
絶縁層５２を単結晶半導体薄膜５３の側からエッチング
除去して、絶縁膜５６、単結晶半導体薄膜５３及び絶縁
層５２に単結晶半導体基板５１の絶縁層５２側（図中、
上側）の面を露出させる開口部を形成する。次いで、後
に行う絶縁層５２のエッチングの際のエッチングマスク
として使用できる材質の薄膜として例えば窒化シリコン
膜５７を上側の全面に形成する。その後、フローティン
グ部５４の形成予定領域以外の領域、開口部５５のフロ
ーティング部５４形成予定領域以外の部分の側の内壁及
び開口部５５の底の一部において、窒化シリコン膜５７
を覆う、エッチングマスク６０を公知のフォトリソエッ
チング手法により形成する（図８（ａ））。

【００６４】次に、公知のフォトリソエッチング手法に
より窒化シリコン膜５７をエッチングした後、エッチン
グマスク６０を除去する。これにより、窒化シリコン膜
５７は、フローティング部５４の形成予定領域以外の領
域、開口部５５のフローティング部５４形成予定領域以
外の部分の側の内壁及び開口部５５の底の一部にのみ残
る。その後、開口部５５を一旦埋め戻すように、有機あ
るいは無機材料からなる充填材６１を形成する。例え
ば、単結晶半導体基板５１及び単結晶半導体薄膜５３が
単結晶シリコンからなるとともに絶縁層５３がシリコン
酸化膜からなる場合には、充填材６１として、ＣＶＤシ
リコン酸化物やシリカガラスコート剤などを使用するこ
とができる。次いで、後に、フローティング部５４を支
える橋脚ととなるとともにフローティング部５４とそれ
以外の部位との間の電気的接続を行う配線材となる、金
属薄膜５８を形成する。それに先立ち、必要に応じ、電
気的接続を行う為に、充填材６１、窒化シリコン膜５７
及び絶縁膜５６に、コンタクトホール６２を形成するこ
とは言うまでもない。金属薄膜５８としては、熱の変化
を検出したり熱の変化を発生させる素子をフローティン
グ部５４に形成する場合には、フローティング部５４か
らそれ以外の領域への熱の逃げを少なくするために、熱
伝導度の比較的低いチタン（Ｔｉ）あるいはタングステ
ン（Ｗ）などを用いることが好ましい。その後、金属薄
膜５８をエッチングして所望形状にパターニングするた
めのエッチングマスク６３を、金属薄膜５８上に形成す
る（図９（ｂ））。

【００６５】次に、金属薄膜５８を公知のエッチング手
法でエッチングして所望形状にパターニングした後、エ
ッチングマスク６３を除去し、さらに、充填材６１を除
去する（図１０（ａ））。

【００６６】最後に、窒化シリコン膜５７をマスクとし
て、充填材６１が除去された開口部５５からフローティ
ング部５４の形成予定領域の絶縁層５２を等方性エッチ
ング等により選択的にエッチング除去する（図１０
（ｂ））。これにより、図８に示すフローティング構造
が完成する。なお、図１０（ｂ）は、図８（ｂ）の一部
を拡大したものとなっている。

【００６７】本実施の形態によれば、エッチングストッ
パーとしての拡散領域はフローティング部５４に形成さ
れず、また、電界エッチングを用いていない。このた
め、本実施の形態によれば、フローティング部５４の小
型化を図ることができ、また、複雑な形状のフローティ
ング部５４を形成することもできるとともに１つの単結
晶半導体基板５１に多数のフローティング部５４を形成
することもできる。さらに、本実施の形態によれば、窒
化シリコン膜５７がフローティング部５４の形成予定領
域の絶縁層５２をエッチングする際のエッチングマスク
として作用し、フローティング部５４の形成予定領域外
へのエッチング（すなわち、図１０中の左側方向へのエ
ッチング）が阻止されるので、フローティング部５４の
集積度を一層上げることができる。

【００６８】本実施の形態による形成方法を用いること
により、１つ又は複数のフローティング部５４を配置し
た各種のセンサーや半導体素子等を形成することができ
る。実際のセンサー、半導体素子等を形成する際に行わ
れる、フローティング部５４の単結晶薄膜５３に所望の
素子を作り込む段階は、絶縁膜５７、単結晶半導体薄膜
５３及び絶縁層５２に開口部５５を形成する前に行うこ
とが好ましい。

【００６９】例えば、フローティング部５４の形成予定
領域の単結晶半導体薄膜５３に、該単結晶半導体薄膜５
３とは逆電導型の不純物拡散領域を設け、該拡散領域に
より構成する拡散抵抗上に赤外線吸収膜を形成し、前記
拡散抵抗で、その温度変化を計測すれば、前記拡散抵抗
はフローティング部５４に形成されていることから、そ
の熱容量が小さいので、応答性の良い熱型赤外線センサ
ーを得ることができる。前記拡散抵抗の代わりに、フロ
ーティング部５４の単結晶半導体薄膜５３上にシリサイ
ド膜を形成し、単結晶半導体薄膜５３と前記シリサイド
層との間のショットキー接合を温度センサーとすると、
更に感度の良い熱型赤外線センサーを構成できる。ま
た、前記赤外線センサー（フローティング部）を複数個
配置することにより赤外線撮像素子を作成することが可
能である。

【００７０】前記各種センサー等のセンサー部以外の半
導体回路素子、例えば、信号増幅回路やシフトレジスタ
や駆動回路などの半導体回路素子を、単結晶半導体薄膜
５３上に形成することも可能である。あるいは、前記半
導体回路素子を、フローティング部５４以外の領域で、
該単結晶半導体薄膜５３及び該絶縁層５２をエッチング
により除去し、該単結晶半導体基板５１に形成すること
も同様に可能であり、その場合、前記半導体回路素子の
設計自由度が増す。

【００７１】ここで、一例として、図８に示すフローテ
ィング構造を用いた、ショットキー接合を温度センサー
とする熱型赤外線センサーの例について、図１１を参照
して説明する。

【００７２】また、図１１に示す熱型赤外線センサーで
は、フローティング部５４において、単結晶半導体薄膜
（本例では、Ｎ型単結晶シリコン）５３上に白金からな
る薄膜が成膜されて形成された白金シリサイド７２と単
結晶半導体薄膜５３のシリコンとにより、ショットキー
接合が形成されている。また、図１１において、７０は
Ｐ^-拡散領域からなるガードリング、７１はＮ⁺拡散領域
からなるチャネルカットである。また、図１１（ａ）に
おいて、５８ａ，５８ｂは図８中の配線及び橋脚を兼ね
る金属薄膜５８に相当しており、それらの電気的な接続
関係は図１１には表れていないが、金属薄膜５８ａは前
記ショットキー接合の一方の側に対する配線を行い、金
属配線５８ｂは前記ショットキー接合の他方の側に対す
る配線を行っている。なお、図面には示していないが、
白金シリサイド７２の上方には、赤外線吸収膜が成膜さ
れている。この熱型赤外線センサーは、赤外線を前記赤
外線吸収膜で熱に変換し、前記ショットキー接合の逆方
向電流又は順方向電流の温度依存性により赤外線を検出
する高感度の非冷却赤外線センサ（又は非冷却赤外線撮
像装置）である。

【００７３】以上、本発明の各実施の形態について説明
したが、本発明はこれらの実施の形態に限定されるもの
ではない。

【００７４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
エッチングストッパーとしての拡散領域をフローティン
グ部に形成する必要がなく、フローティング部の小型化
を図ることができ、しかも、電界エッチングを用いるこ
となく複雑な形状のフローティング部を形成することも
できるとともに１つの単結晶半導体基板に多数のフロー
ティング部を形成することもできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態によるフローティン
グ構造の形成方法を用いて形成したフローティング構造
の基本構造を模式的に示す図であり、図１（ａ）はその
概略平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）中のＩ−Ｉ線に沿
った概略断面図である。

【図２】本発明の第１の実施の形態によるフローティン
グ構造の形成方法の工程を示す概略断面図である。

【図３】図１に示すフローティング構造を用いて構成し
た歪みセンサーあるいは加速度センサーの要部を模式的
に示す概略断面図である。

【図４】本発明の第２の実施の形態によるフローティン
グ構造の形成方法を用いて形成したフローティング構造
の基本構造を模式的に示す図であり、図４（ａ）はその
概略平面図、図４（ｂ）は図４（ａ）中のＩＶ−ＩＶ線
に沿った概略断面図である。

【図５】本発明の第２の実施の形態によるフローティン
グ構造の形成方法の工程を示す概略断面図である。

【図６】本発明の第３の実施の形態によるフローティン
グ構造の形成方法を用いて形成したフローティング構造
の基本構造を模式的に示す図であり、図６（ａ）はその
概略平面図、図６（ｂ）は図６（ａ）中のＶＩ−ＶＩ線
に沿った概略断面図である。

【図７】本発明の第３の実施の形態によるフローティン
グ構造の形成方法の工程を示す概略断面図である。

【図８】本発明の第４の実施の形態によるフローティン
グ構造の形成方法を用いて形成したフローティング構造
の基本構造を模式的に示す図であり、図８（ａ）はその
概略平面図、図８（ｂ）は図８（ａ）中のＶＩＩＩ−Ｖ
ＩＩＩ線に沿った概略断面図である。

【図９】本発明の第４の実施の形態によるフローティン
グ構造の形成方法の工程を示す概略断面図である。

【図１０】本発明の第４の実施の形態によるフローティ
ング構造の形成方法の、図９に示す工程に引き続く工程
を示す概略断面図である。

【図１１】図８に示すフローティング構造を用いて構成
した熱型赤外線センサーの単位画素を模式的に示す図で
あり、図１１（ａ）はその概略平面図、図１１（ｂ）は
図１１（ａ）中のＸＩ−ＸＩ線に沿った概略断面図であ
る。

【図１２】従来のフローティング構造の形成方法の工程
を示す概略断面図である。

【符号の説明】

１１，３１，４１，５１単結晶半導体基板１１ａ，３３ａ，４３ａ，５５開口部１２，３２，４２，５２絶縁層１３，３３，４３，５３単結晶半導体薄膜１４，３４，４４，５４フローティング部１６，３６，５９積層基板５６絶縁膜５７窒化シリコン膜５８金属薄膜

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｂ 27/14 27/14 Ｋ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】単結晶半導体基板と、周辺部の少なくと
も一部が前記単結晶半導体基板により支持されて浮いた
フローティング部であって単結晶半導体薄膜を含むフロ
ーティング部と、を有するフローティング構造を形成す
る方法において、単結晶半導体基板上に絶縁層が形成され、該絶縁層上に
単結晶半導体薄膜が形成されてなる積層基板を用意する
第１の段階と、前記積層基板の前記単結晶半導体薄膜の一部を前記フロ
ーティング部の前記単結晶半導体薄膜とする第２の段階
と、を備えたことを特徴とするフローティング構造の形成方
法。
【請求項２】前記第２の段階は、前記積層基板におけ
る前記フローティング部の形成予定領域の少なくとも一
部の領域の前記単結晶半導体基板を当該単結晶半導体基
板側からエッチング除去して、当該単結晶半導体基板に
前記絶縁層の当該単結晶半導体基板側の面を露出させる
開口部を形成する段階と、前記積層基板における前記フ
ローティング部の形成予定領域の前記絶縁層を前記単結
晶半導体基板の前記開口部からエッチング除去する段階
と、を含むことを特徴とする請求項１記載のフローティ
ング構造の形成方法。
【請求項３】前記第２の段階は、前記積層基板におけ
る前記フローティング部の形成予定領域の前記単結晶半
導体基板を当該単結晶半導体基板側からエッチング除去
する段階を含むことを特徴とする請求項１記載のフロー
ティング構造の形成方法。
【請求項４】前記第２の段階は、前記積層基板におけ
る前記フローティング部の形成予定領域の一部の領域の
前記単結晶半導体薄膜を当該単結晶半導体薄膜の側から
エッチング除去して、当該単結晶半導体薄膜に前記絶縁
層の当該単結晶半導体薄膜側の面を露出させる開口部を
形成する段階と、前記積層基板における前記フローティ
ング部の形成予定領域の前記絶縁層を前記単結晶半導体
薄膜の前記開口部からエッチング除去する段階と、を含
むことを特徴とする請求項１記載のフローティング構造
の形成方法。
【請求項５】前記第２の段階は、前記積層基板におけ
る前記フローティング部の形成予定領域の周囲の少なく
とも一部に沿った領域の前記単結晶半導体薄膜を当該単
結晶半導体薄膜の側からエッチング除去して、当該単結
晶半導体薄膜に前記絶縁層の当該単結晶半導体薄膜側の
面を露出させる開口部を形成する段階と、前記積層基板
における前記フローティング部の形成予定領域の前記絶
縁層のうちの少なくとも前記単結晶半導体薄膜側の部分
を前記単結晶半導体薄膜の前記開口部からエッチング除
去する段階と、を含むことを特徴とする請求項１記載の
フローティング構造の形成方法。
【請求項６】前記開口部を形成する前記段階は、前記
積層基板における前記フローティング部の形成予定領域
を挟む領域の前記単結晶半導体薄膜を当該単結晶半導体
薄膜の側からエッチング除去して、前記開口部をストラ
イプ状に形成する段階を含むことを特徴とする請求項５
記載のフローティング構造の形成方法。
【請求項７】前記第２の段階は、前記積層基板におけ
る前記フローティング部の形成予定領域の周囲の全周に
沿った領域の前記単結晶半導体薄膜及び前記絶縁層を前
記単結晶半導体薄膜の側からエッチング除去して、前記
単結晶半導体薄膜及び前記絶縁層に前記単結晶半導体基
板の前記絶縁層側の面を露出させる開口部を形成する段
階と、前記開口部から露出した前記絶縁層の端面であっ
て前記フローティング部の形成予定領域側の端面を覆わ
ずに、前記開口部から露出した前記絶縁層の端面であっ
て前記フローティング部の形成予定領域外の側の端面を
少なくとも覆うようにエッチングマスクを形成する段階
と、前記開口部から前記フローティング部の形成予定領
域の前記絶縁層をエッチング除去する段階と、を含むこ
とを特徴とする請求項１記載のフローティング構造の形
成方法。