JP2011192485A - Memsデバイスの製造方法および基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】キャビティ21が形成された第1の基板11aと、第1の基板におけるキャビティが形成された面側に接合され、キャビティに対応する位置に可動部KBを画定するスリット16が形成された第2の基板11cと、を備え、第2の基板における第1の基板に対向する表面には、可動部に対応する位置に選択的に熱酸化膜22が形成された、基板11を準備する工程と、可動部における熱酸化膜が形成された表面とは逆側の表面に第1の電極層12aを形成する工程と、第1の電極層および第2の基板上に犠牲層31を形成する工程と、犠牲層上に第2の電極層を形成する工程と、第2の電極層を形成した後に、犠牲層31および熱酸化膜22を除去する工程と、を有する。
【選択図】 図3
Description
本実施形態では、MEMSデバイスとして、MEMSスイッチ1を例にあげて説明する。なお、MEMSスイッチとして、以下に説明する例以外に種々の構造を採用することができ、また、後で述べる製造方法は、MEMSスイッチ以外にMEMSキャパシタなど他の種々のMEMSデバイスに適用することが可能である。
〔MEMSスイッチの製造方法〕
次に、MEMSスイッチ1の製造方法について説明する。
〔SOI基板の製造方法〕
次に、SOI基板11の製造方法について、図5〜図10を参照して説明する。
11 SOI基板(基板)
11a 支持基板(第1の基板)
11b BOX層(絶縁層)
11c 活性層(第2の基板)
12a,14a 電極部(第1の電極層)
13b 固定コンタクト部(第2の電極層)
16 スリット
21 キャビティ
22 酸化膜層(熱酸化膜)
31 犠牲層
ST 接点部(第2の電極層)
KB 可動部
GP2 電極間ギャップ
Claims (5)
- キャビティが形成された第1の基板と、前記第1の基板における前記キャビティが形成された面側に接合され、前記キャビティに対応する位置に可動部を画定するスリットが形成された第2の基板と、を備え、前記第2の基板における前記第1の基板に対向する表面には前記可動部に対応する位置に選択的に熱酸化膜が形成された、基板を準備する工程と、
前記可動部における前記熱酸化膜が形成された表面とは逆側の表面に第1の電極層を形成する工程と、
前記第1の電極層および前記第2の基板上に犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層上に第2の電極層を形成する工程と、
前記第2の電極層を形成した後に、前記犠牲層および前記熱酸化膜を除去する工程と、
を有するMEMSデバイスの製造方法。 - 前記犠牲層を形成した後に、前記犠牲層の膜厚を薄くする、
請求項1記載のMEMSデバイスの製造方法。 - 前記酸化膜層の形状は、前記可動部の形状に対応している、
請求項1または2記載のMEMSデバイスの製造方法。 - 前記酸化膜層の形状は、前記第1の電極層の形状に対応している、
請求項1または2記載のMEMSデバイスの製造方法。 - MEMSデバイスの製造に用いられる基板において、
第1の基板と、第2の基板と、前記第1の基板および前記第2の基板の間に設けられる絶縁層と、を備え、
前記第1の基板には、前記第2の基板における前記絶縁層側の表面に達するキャビティが設けられ、
前記第2の基板には、前記キャビティに対応する位置に熱酸化膜が選択的に形成されている、
基板。
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