JP5484662B2 - 無機材料膜のパターン形成方法 - Google Patents
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Description
本願において、誘電体膜や圧電体膜のように、素子(積層コンデンサや圧電素子)の機能を発揮させる主要部分を構成する材料のことを、機能性を有する材料、又は、単に機能性材料という。また、機能性材料によって形成された膜のことを、機能性膜ともいう。
まず、図1の(a)に示すように、基板11を用意し、その上に、犠牲層12のパターンを形成する。基板11としては、シリコン(Si)、銅(Cu)、チタン(Ti)、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、ガリウム砒素(GaAS)、サファイヤ、及び、ステンレス鋼(SUS)の内の少なくとも1つを含む材料が用いられる。また、犠牲層12としては、後述する無機材料層13とは熱膨張係数の異なる材料が用いられる。犠牲層12の条件及び具体的な材料については、後で詳しく説明する。犠牲層12のパターンは、レジスト等を使用した一般的なリフトオフ法によって形成される。
図1に示す基板11としては、シリコン(Si)ウエハを用いた。まず、一般的なフォトリソグラフィ法を用いてシリコンウエハ上にレジストパターンを形成し、その上に、犠牲層12として、蒸着法により0.5μmの金膜を形成した。そして、アセトンを用いてレジスト及びその上の金膜をリフトオフすることにより、金膜のパターンを形成した。さらに、無機材料層13として、スパッタ法により1.5μmのPZT膜を形成した。この時の成膜温度は500℃であった。このような金膜及びPZT膜が形成されたシリコンウエハを室温まで降温したところ、その間に、金膜上のPZT膜に多数のクラックが発生した。さらに、該シリコンウエハを、5重量%のヨウ素(I2)及び10重量%のヨウ化カリウム(KI)を85重量%の水(H2O)に溶解させたエッチング溶液に浸したところ、金膜及びその上に形成されたPZT膜が除去され、パターン形成されたPZT膜がシリコンウエハ上に残った。
図1に示す基板11としては、サファイヤ基板を用いた。まず、一般的なフォトリソグラフィ法を用いてサファイヤ基板上にレジストパターンを形成し、その上に、犠牲層12として、スパッタ法により100nmのゲルマニウム(Ge)膜を形成した。そして、アセトンを用いてレジスト及びその上のGe膜をリフトオフすることにより、Ge膜のパターンを形成した。さらに、無機材料層13として、スパッタ法により1μmのMgB2膜を形成した。この時の成膜温度は250℃であった。このようなGe膜及びMgB2膜が形成されたサファイヤ基板を室温まで降温したところ、Ge膜上のMgB2膜に多数のクラックが発生した。さらに、該サファイヤ基板を、エッチング溶液として過酸化水素水に浸したところ、Ge膜及びその上に形成されたMgB2膜が除去され、パターン化されたMgB2膜がサファイヤ基板上に残った。
次に、図3の(d)に示すように、犠牲層23が形成された基板21上に、高温の成膜温度の下で無機材料層24を形成する。その後で、無機材料層24を室温の環境下に保持して降温させることにより、図3の(e)に示すように、犠牲層23上の無機材料層24にクラックを生じさせる。
図3に示す基板21としては、シリコンウエハを用いた。また、基板上の凹部21aは、ボッシュ法を用いることによって形成し、その深さを約15μmとした。ここで、ボッシュ法とは、側壁をコーティングしながら底をエッチングする異方性ドライエッチング法であり、アスペクト比が高いパターンを形成できるという特徴を有している。
図4及び図5は、窒化アルミニウム(AlN)薄膜FBAR(Film Bulk Acoustic Resonator:圧電薄膜共振器)の製造方法を説明するための図である。ここで、FBARとは、共振器の下部にキャビティを設けることにより、圧電膜を自由に振動させる構造を有する共振器のことである。
次に、図4の(c)に示すように、開口部31dに対応する領域に下部電極層33を形成する。下部電極層33は、1種類の金属によって形成されていても良いし、隣接する層との接合性を高めるために配置される密着層と導電層とを含む2層構造としても良い。本実施形態において、下部電極層33は、密着層としての10nmのチタン(Ti)層と、導電層としての100nmの白金(Pt)層とを含んでいる。また、下部電極層33のパターンは、例えば、反応性イオンエッチング(Reactive Ion Etching:RIE)によって形成される。
図6は、ダイアフラム(隔膜)型圧電アクチュエータを示す断面図である。ここで、ダイアフラム型圧電アクチュエータとは、下部電極層42と上部電極層45との間に電圧を印加して圧電膜44を伸縮させることにより、ダイアフラム41b〜43を変位させるアクチュエータのことである。このようなアクチュエータは、マイクロポンプや、超音波トランスデューサや、インクジェットヘッド等に適用される。
さらに、第1の実施形態に係る無機材料膜のパターン形成方法により、厚さが3μmの圧電膜44のパターンを、開口部41dに対応する位置に形成する。即ち、下部電極43上で、開口部41dに対応する位置を除く領域に、犠牲層として200nmの金膜を形成する。そして、その上層にスパッタ法によりPZTを成膜し、その後でPZT膜を降温させることにより、金膜上のPZT膜にクラックを発生させる。さらに、金に対するエッチング液(ヨウ素を5重量%、ヨウ化カリウムを10重量%、及び、水を85重量%)を用いることにより、金膜及びその上のPZT膜を除去する。
12、23、34 犠牲層
13、24 無機材料層
22 レジストパターン
31、41 SOI基板
31a、41a 支持層
31b、41b 酸化シリコン層
31c、41c 活性層
31d、41d 開口部
32、42 熱酸化膜
33、43 下部電極層
35 窒化アルミニウム層
36、45 上部電極層
44 PZT膜
Claims (9)
- 無機材料膜のパターンを形成する方法において、
基板上に、前記無機材料とは熱膨張係数が2倍以上異なり、500℃以上の所定の成膜温度よりも高い融点を有する金属又は半導体材料を用いて、パターンを有する犠牲層を形成する工程(a)と、
前記犠牲層が形成された基板上に、前記無機材料を用いるスパッタ法によって、柱状晶構造を有する無機材料膜を前記所定の成膜温度で形成する工程(b)と、
少なくとも前記無機材料膜を室温まで降温させることにより、前記犠牲層上に形成された前記無機材料膜にクラックを発生させる工程(c)と、
前記犠牲層及びその上に形成された前記無機材料膜を除去する工程(d)と、
を具備する無機材料膜のパターン形成方法。 - 工程(b)が、前記無機材料膜を、前記犠牲層よりも厚くなるように形成することを含む、請求項1記載の無機材料膜のパターン形成方法。
- 工程(d)が、前記基板及び前記無機材料膜に対して不活性なエッチング溶液、又は、前記犠牲層と前記無機材料膜とに対するエッチング選択比が50対1以上であるエッチング溶液を用いて、前記犠牲層をウェットエッチングすることを含む、請求項1又は2記載の無機材料膜のパターン形成方法。
- 工程(d)が、前記犠牲層をウェットエッチングした後で、前記無機材料膜に外力を加えることにより、前記犠牲層上に形成された無機材料膜を除去することを含む、請求項3記載の無機材料膜のパターン形成方法。
- 工程(a)の前に、前記基板に、前記無機材料膜のパターンに対応する凹部を形成する工程をさらに具備する、請求項1〜4のいずれか1項記載の無機材料膜のパターン形成方法。
- 前記犠牲層が、金(Au)又はゲルマニウム(Ge)を含む、請求項1〜5のいずれか1項記載の無機材料膜のパターン形成方法。
- 前記無機材料が、圧電材料、磁性材料、誘電材料、又は、超伝導材料を含む、請求項1〜6のいずれか1項記載の無機材料膜のパターン形成方法。
- 前記無機材料が、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)、三酸化鉄(Fe 2 O 3 )、二酸化クロム(CrO 2 )、チタン酸バリウム(BaTiO 3 )、二ホウ化マグネシウム(MgB 2 )、及び、アルミナ(Al 2 O 3 )の内の1つを含む、請求項1〜6のいずれか1項記載の無機材料膜のパターン形成方法。
- 前記基板が、シリコン(Si)、銅(Cu)、チタン(Ti)、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、ガリウム砒素(GaAS)、サファイヤ、及び、ステンレス鋼(SUS)の内の少なくとも1つを含む、請求項1〜8のいずれか1項記載の無機材料膜のパターン形成方法。
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